陣列基板及其制備方法及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明的實施例涉及一種陣列基板及其制備方法及顯示裝置。
【背景技術】
[0002] TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜晶體管液晶顯不 器）作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特 點，越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
[0003] TFT-LCD面板一般包括對盒（cell-assemble)的陣列基板和彩膜基板。在陣列基 板和彩膜基板之間設置有液晶層。例如，陣列基板包括多條掃描信號線（Sl-Sn)和多條數(shù) 據(jù)信號線（Dl-Dn)，多條掃描信號線和多條數(shù)據(jù)信號線橫縱交叉形成多個子像素。彩膜基板 可以包括彩色膜層和黑矩陣，黑矩陣對應陣列基板的掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線等不透光部 分，黑矩陣將彩色膜層劃分為多個彩色單元，彩膜基板上的彩色單元與陣列基板上的子像 素--對應。
[0004] 然而，在TFT-IXD器件制造中，彩膜基板與陣列基板對盒過程中會出現(xiàn)位置偏差， 從而使得產(chǎn)品的透過率下降。同時，不同產(chǎn)品之間，不同批次產(chǎn)品之間由于對盒精度不同會 導致透過率均一性差，特別是針對高PPI(PixelsPerInch，每英寸所擁有的像素數(shù)目）的 產(chǎn)品，透過率波動可達30%。從而不能獲得較佳的客戶體驗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法及顯示裝置，用以改善液晶顯示 器件透過率均一性。
[0006] 本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板，包括襯底基板、設置在所述襯底基板上的多 個子像素、以及設置在所述襯底基板上的分隔各所述子像素的相轉(zhuǎn)移圖案，所述相轉(zhuǎn)移圖 案設置來使通過該相轉(zhuǎn)移圖案的光線產(chǎn)生相位轉(zhuǎn)移，從而在所述相轉(zhuǎn)移圖案對應的位置基 本上不透光。
[0007] 例如，該陣列基板還包括多條相互平行且相互絕緣的數(shù)據(jù)信號線、以及與所述多 條數(shù)據(jù)信號線交叉且相互絕緣的多條掃描信號線，所述多條數(shù)據(jù)信號線和所述多條掃描信 號線交叉界定所述多個子像素。
[0008] 例如，所述相轉(zhuǎn)移圖案在所述襯底基板上的投影覆蓋所述多條數(shù)據(jù)信號線和/或 所述多條掃描信號線在所述襯底基板上的投影。
[0009] 例如，設置于所述襯底基板上的多條數(shù)據(jù)信號線和/或多條掃描信號線構(gòu)成所述 相轉(zhuǎn)移圖案。
[0010] 例如，所述相轉(zhuǎn)移圖案包括兩部分，其中一部分在所述襯底基板上的投影覆蓋所 述多條掃描信號線在所述襯底基板上的投影，設置于所述襯底基板上的多條數(shù)據(jù)信號線構(gòu) 成所述相轉(zhuǎn)移圖案的另一部分。
[0011] 例如，所述相轉(zhuǎn)移圖案包括兩部分，其中一部分在所述襯底基板上的投影覆蓋所 述多條數(shù)據(jù)信號線在所述襯底基板上的投影，設置于所述襯底基板上的多條掃描信號線構(gòu) 成所述相轉(zhuǎn)移圖案的另一部分。
[0012] 例如，所述相轉(zhuǎn)移圖案的材質(zhì)選用使通過的光線產(chǎn)生相位轉(zhuǎn)移的材料。
[0013] 例如，所述相轉(zhuǎn)移圖案的材料為MoSiON材料。
[0014] 例如，所述相轉(zhuǎn)移圖案使得通過的光線產(chǎn)生大致180°的相位差。
[0015] 本發(fā)明的實施例還提供一種陣列基板的制備方法，包括：
[0016] 在襯底基板上形成多個子像素，以及在所述襯底基板上形成分隔各所述子像素的 相轉(zhuǎn)移圖案，其中，所述相轉(zhuǎn)移圖案設置來使通過該相轉(zhuǎn)移圖案的光線產(chǎn)生相位轉(zhuǎn)移，從而 在所述相轉(zhuǎn)移圖案對應的位置基本上不透光。
[0017] 例如，該方法還包括形成多條相互平行且相互絕緣的數(shù)據(jù)信號線、以及形成與所 述多條數(shù)據(jù)信號線交叉且相互絕緣的多條掃描信號線，其中，所述多條數(shù)據(jù)信號線和所述 多條掃描信號線交叉界定所述多個子像素。
[0018] 例如，該方法中，所述相轉(zhuǎn)移圖案在所述襯底基板上的投影覆蓋所述多條數(shù)據(jù)信 號線和/或所述多條掃描信號線在所述襯底基板上的投影。
[0019] 例如，該方法中，形成于所述襯底基板上的多條數(shù)據(jù)信號線和/或多條掃描信號 線構(gòu)成所述相轉(zhuǎn)移圖案。
[0020] 例如，該方法中，所述相轉(zhuǎn)移圖案包括兩部分，其中一部分在所述襯底基板上的投 影覆蓋所述多條掃描信號線在所述襯底基板上的投影，形成于所述襯底基板上的多條數(shù)據(jù) 信號線構(gòu)成所述相轉(zhuǎn)移圖案的另一部分。
[0021] 例如，該方法中，所述相轉(zhuǎn)移圖案包括兩部分，其中一部分在所述襯底基板上的投 影覆蓋所述多條數(shù)據(jù)信號線在所述襯底基板上的投影，形成于所述襯底基板上的多條掃描 信號線構(gòu)成所述相轉(zhuǎn)移圖案的另一部分。
[0022] 例如，該方法中，所述相轉(zhuǎn)移圖案的材質(zhì)選用使通過的光線產(chǎn)生相位轉(zhuǎn)移的材料。
[0023] 例如，該方法中，所述相轉(zhuǎn)移圖案材料為MoSiON材料。
[0024] 例如，所述相轉(zhuǎn)移圖案使得通過的光線產(chǎn)生大致180°的相位差。
[0025] 本發(fā)明的實施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一陣列基板和與所述陣列基板 對置的對置基板。
[0026] 例如，所述陣列基板和所述對置基板的襯底基板上均未設置黑矩陣圖案。
[0027] 例如，所述多條數(shù)據(jù)信號線構(gòu)成所述相轉(zhuǎn)移圖案，在所述陣列基板或所述對置基 板的襯底基板上設置黑矩陣圖案用以對應所述陣列基板上的所述多條掃描信號線。
[0028] 例如，所述多條掃描信號線構(gòu)成所述相轉(zhuǎn)移圖案，在所述陣列基板或所述對置基 板的襯底基板上設置黑矩陣圖案用以對應所述陣列基板上的所述多條數(shù)據(jù)信號線。
[0029] 例如，在所述陣列基板或所述對置基板的襯底基板上設置與所述相轉(zhuǎn)移圖案對應 的黑矩陣圖案，所述黑矩陣圖案的寬度小于所述相轉(zhuǎn)移圖案的寬度。
【附圖說明】
[0030] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介 紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實施例，而非對本發(fā)明的限制。
[0031] 圖1為一種TFT-IXD器件的對盒示意圖；
[0032] 圖2為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板俯視示意圖；
[0033] 圖3為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板剖面示意圖以及相轉(zhuǎn)移圖案的相位轉(zhuǎn)移 示意圖；
[0034] 圖4為本發(fā)明另一實施例提供的陣列基板剖面示意圖；
[0035] 圖5a為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中相轉(zhuǎn)移圖案在襯底基板上的投影覆蓋 多條數(shù)據(jù)信號線在襯底基板上的投影示意圖；
[0036] 圖5b為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中相轉(zhuǎn)移圖案在襯底基板上的投影覆蓋 多條掃描信號線在襯底基板上的投影示意圖；
[0037] 圖5c為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中多條數(shù)據(jù)信號線構(gòu)成相轉(zhuǎn)移圖案示意 圖；
[0038] 圖5d為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中多條掃描信號線構(gòu)成相轉(zhuǎn)移圖案示意 圖；
[0039] 圖6為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板和對置基板的襯底基板上均未設置黑矩 陣圖案且包括設置有相轉(zhuǎn)移圖案的陣列基板的TFT-LCD器件消光區(qū)域示意圖；
[0040] 圖7為本發(fā)明一實施例提供的包含有相轉(zhuǎn)移圖案及黑矩陣圖案的TFT-IXD器件示 意圖；
[0041] 附圖標記：
[0042] IO-陣列基板；20-對置基板；20' -彩膜基板；201' -彩膜基板或?qū)χ没宓囊r 底基板；201-對置基板的襯底基板；30-背光光源；101-陣列基板的襯底基板；102-子像 素；103-相轉(zhuǎn)移圖案；104-掃描信號線；105-數(shù)據(jù)信號線；106-像素電極；107-薄膜晶體 管；1071-柵極；1072-源極；1073-漏極；202-黑矩陣圖案；203-彩膜層；dl-子像素節(jié)距； d2-子像素透光寬度；1051-消光區(qū)域。
【具體實施方式】
[0043] 為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例 的附圖，對本發(fā)明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯