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液晶顯示裝置及其液晶顯示面板的制作方法

文檔序號(hào):8445015閱讀:309來源:國知局
液晶顯示裝置及其液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種液晶顯示裝置及其液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]為了改善垂直取向型(VA型)液晶顯示面板在大視角出現(xiàn)的色偏現(xiàn)象,會(huì)采用Charge Sharing (電荷分配)的像素設(shè)計(jì),即像素分為主像素(Main Pixel)和次像素(SubPixel)兩個(gè)區(qū)域。在正常顯示時(shí),充電掃描線(Charge Gate)打開,同時(shí)電荷共享掃描線(Share Gate)關(guān)閉,主像素和像素電極充電到相同電位;隨后充電掃描線(Charge Gate)關(guān)閉,同時(shí)電荷共享掃描線(Share Gate)打開,由于電荷共享電容(Cst3)的作用使得SubPixel的電位低于Main Pixel的電位。不同的電位使得兩個(gè)顯示區(qū)域的液晶分子轉(zhuǎn)向分布不同,從而具備改善大視角色偏的作用。
[0003]在實(shí)際產(chǎn)品中,可采用如圖la、lb所示的像素結(jié)構(gòu),電荷共享電容(Cst3)由ITO(Indium tin oxide,氧化銦錫)層2、金屬層3以及兩層之間的絕緣層4構(gòu)成,其中ITO層2通過過孔5 (VIA)與電荷共享TFT (T3) 6相連接,金屬層3為像素共電極(Com)。
[0004]如圖1c的像素電路的等效電路圖,實(shí)際生產(chǎn)中可能會(huì)出現(xiàn)ITO層殘留問題,使得Cst3的ITO層2與次像素電極7連接(如圖1b中的短路連接線I)形成短路,導(dǎo)致ChargeSharing功能失效。同樣灰階下存在短路問題的像素單元的次像素會(huì)比其他像素單元的次像素更亮,在面板上呈現(xiàn)微亮點(diǎn)現(xiàn)象。廠內(nèi)通常采用的檢測方式是將所有的掃描線同時(shí)打開(或分奇偶打開),并給所有像素充電,使得主像素和次像素都處于同樣電位,在這種檢測方式下即使出現(xiàn)上述ITO層與次像素電極7間短路的現(xiàn)象也無法有效檢出,導(dǎo)致良率下降,產(chǎn)品成本增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置及其液晶顯示面板,以解決現(xiàn)有技術(shù)中ITO層與次像素間短路的現(xiàn)象無法有效檢出,導(dǎo)致良率下降,產(chǎn)品成本增加的技術(shù)問題。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示面板,包括上基板、下基板以及液晶層,上基板設(shè)有上共電極;下基板與上基板相對(duì)設(shè)置,設(shè)有數(shù)條數(shù)據(jù)線、數(shù)條充電掃描線、數(shù)個(gè)間隔設(shè)置的像素單元、數(shù)條電荷共享掃描線、數(shù)條下共電極;液晶層設(shè)于上基板和下基板之間;每一像素單元包含分別設(shè)于數(shù)條下基板上的第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、主像素、與主像素間隔設(shè)置的次像素以及設(shè)于主像素與次像素之間的電荷共享片;第一薄膜晶體管的柵極耦接到充電掃描線,第一薄膜晶體管的源極則耦接至數(shù)據(jù)線,第一薄膜晶體管的漏極耦接到主像素;第二薄膜晶體管的柵極耦接到充電掃描線,第二薄膜晶體管的源極則耦接至數(shù)據(jù)線,第二薄膜晶體管的漏極耦接到次像素;第三薄膜晶體管的柵極耦接到電荷共享掃描線,第三薄膜晶體管的源極則耦接至第二薄膜晶體管的漏極;其中,下基板還包括層疊下共電極與電荷共享片之間的絕緣層,次像素設(shè)于絕緣層上并與電荷共享片間隔設(shè)置,電荷共享片通過過孔與第三薄膜晶體管電連接并向相鄰的次像素端部延伸,并且電荷共享片與相鄰的次像素下的下共電極形成電荷共享電容,第三薄膜晶體管的漏極耦接到電荷共享電容,以使得在相鄰的次像素與電荷共享電容短時(shí),相鄰的兩個(gè)像素單元顯示純色畫面。
[0007]其中,電荷共享片中的一半間隔設(shè)于次像素端部,電荷共享片中的另一半延伸至相鄰的次像素端部。
[0008]其中,電荷共享片中的1/5部分間隔設(shè)于次像素端部,電荷共享片中的4/5部分延伸至相鄰的次像素端部。
[0009]其中,下共電極設(shè)有延伸部,數(shù)據(jù)線和第一薄膜電晶體管的源極通過連接線電連接,連接線與延伸部間隔交迭。
[0010]其中,延伸部間隔交迭于連接線的上方。
[0011]其中,延伸部間隔交迭于連接線的下方。
[0012]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示裝置,其包括上述的液晶顯示面板。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明所提供的液晶顯示裝置及其液晶顯示面板中的次像素設(shè)于絕緣層上并與電荷共享片間隔設(shè)置,電荷共享片通過過孔與第三薄膜晶體管電連接并向相鄰的次像素端部延伸,并且電荷共享片與相鄰的次像素下的下共電極形成電荷共享電容,第三薄膜晶體管的漏極耦接到電荷共享電容,以使得在相鄰的次像素與電荷共享電容短時(shí),相鄰的兩個(gè)像素單元顯示純色畫面,使得檢測方法簡單且有效,提高良品率。
【附圖說明】
[0014]圖1a是現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示面板的部分結(jié)構(gòu)的主視圖;
[0015]圖1b是圖1a的本發(fā)明液晶顯示面板的俯視圖;
[0016]圖1c是現(xiàn)有技術(shù)液晶顯不面板的像素單兀的等效電路圖;
[0017]圖2是本發(fā)明液晶顯示面板的部分結(jié)構(gòu)的主視圖;
[0018]圖3是圖2的本發(fā)明液晶顯示面板的俯視圖;
[0019]圖4是本發(fā)明液晶顯示面板的像素單元的等效電路圖;
[0020]圖5是本發(fā)明液晶顯不面板的相鄰兩個(gè)次像素的等效電路圖;
[0021]圖6是本發(fā)明液晶顯示面板主像素結(jié)構(gòu)的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0023]請(qǐng)一并參閱圖2-圖5,圖2是本發(fā)明液晶顯示面板的部分結(jié)構(gòu)的主視圖,圖3是圖2的本發(fā)明液晶顯示面板的俯視圖,圖4是本發(fā)明液晶顯示面板的像素單元的等效電路圖,圖5是本發(fā)明液晶顯示面板的相鄰兩個(gè)次像素的等效電路圖。
[0024]本發(fā)明的液晶顯示面板包括上基板(圖未示)、下基板10以及液晶層(圖未示),液晶層設(shè)于上基板和下基板之間。
[0025]如圖4所不,本發(fā)明的上基板設(shè)有上共電極(圖未不),下基板10與上基板相對(duì)設(shè)置,下基板10設(shè)有數(shù)條數(shù)據(jù)線21、數(shù)條充電掃描線22、數(shù)個(gè)間隔設(shè)置的像素單元23、數(shù)條電荷共享掃描線24、數(shù)條下共電極25。每一像素單元23包含分別設(shè)于數(shù)條下基板10上的第一薄膜晶體管231、第二薄膜晶體管232、第三薄膜晶體管233、主像素234、與主像素234間隔設(shè)置的次像素235以及設(shè)于主像素234與次像素235之間的電荷共享片236 ;第一薄膜晶體管231的柵極耦接到充電掃描線22,第一薄膜晶體管231的源極則耦接至數(shù)據(jù)線21,第一薄膜晶體管231的漏極耦接到主像素234 ;第二薄膜晶體管232的柵極耦接到充電掃描線22,第二薄膜晶體管232的源極則耦接至數(shù)據(jù)線21,第二薄膜晶體管232的漏極耦接到次像素235 ;第三薄膜晶體管233的柵極耦接到電荷共享掃描線24,第三薄膜晶體管233的源極則耦接至第二薄膜晶體管232的漏
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