一種陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，陣列基板上設(shè)置有縱橫交錯的掃描線和數(shù)據(jù)線，掃描線和數(shù)據(jù)線圍成像素單元，每個像素單元內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)和像素電極。如圖1a所示，為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。液晶顯示器在顯示過程中，掃描線逐行掃描，一條掃描線通過該行的柵極驅(qū)動電路(G0A，Gate On Array)控制改行薄膜晶體管，進(jìn)而控制一行像素電極。當(dāng)對一條掃描線進(jìn)行掃描時，該條掃描線控制的薄膜晶體管開啟，從而將數(shù)據(jù)線上相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓傳輸至像素電極，對像素電極進(jìn)行充電，掃描結(jié)束后，薄膜晶體管關(guān)閉。
[0003]隨著高分辨率柵極驅(qū)動電路產(chǎn)品的發(fā)展，像素密度隨之越來越大，這就意味著高清晰畫面顯示的同時產(chǎn)品的功耗也隨之上升。為降低產(chǎn)品的功耗，像素TFT陣列會采用Z-反轉(zhuǎn)模式。但針對高分辨率產(chǎn)品來說，像素TFT的尺寸較小，如果數(shù)據(jù)線和掃描線發(fā)生偏移，就會導(dǎo)致相鄰兩行的像素TFT的電容不同(數(shù)據(jù)線和掃描線之間的電容)，如圖1b所示。相鄰兩行的電容不同使得相鄰兩掃描線的信號延遲不同，跳變電壓也隨之不同，以上差異便會產(chǎn)生相鄰兩行的灰階亮度有所差異，這樣就會產(chǎn)生畫面顯示不均，閃爍等顯示不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種陣列基板和顯示裝置，用以解決由于數(shù)據(jù)線發(fā)生偏移時使得相鄰兩行TFT電容不同，進(jìn)而導(dǎo)致相鄰兩行的灰階亮度不同而產(chǎn)生的顯示不良的問題。
[0005]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，陣列基板上設(shè)置有橫縱交錯的掃描線和數(shù)據(jù)線，每行掃描線上均設(shè)置有柵極驅(qū)動電路，所述每行掃描線上還設(shè)置有與所述柵極驅(qū)動電路連接的補(bǔ)償電容，所述補(bǔ)償電容由交錯設(shè)置的第一金屬層和第二金屬層的重疊區(qū)域組成，所述第一金屬層的重疊區(qū)域通過絕緣層與所述第二金屬層的重疊區(qū)域隔絕，其中:
[0006]第N行補(bǔ)償電容和第N+1行補(bǔ)償電容的大小變化方向相反，且第N行補(bǔ)償電容的大小變化方向與第N+1行TFT電容的大小變化方向相同，N為大于等于I的自然數(shù)。
[0007]作為本發(fā)明實施例的一種實施方式，重疊區(qū)域為矩形。
[0008]其中，矩形的一邊與所述數(shù)據(jù)線平行。
[0009]上述陣列基板中，組成第N行和第N+1行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域和第二金屬層的非重疊區(qū)域與所述重疊區(qū)域的相對位置相反。
[0010]上述陣列基板中，所述補(bǔ)償電容設(shè)置于所述柵極驅(qū)動電路的輸入端或者輸出端。
[0011]上述陣列基板中，所述第一金屬層采用與掃描線相同的金屬材料；所述第二金屬層采用與數(shù)據(jù)線相同的金屬材料。
[0012]如果所述數(shù)據(jù)線相對所述掃描線向右偏移且所述第N行TFT電容減小，則組成所述第N行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的左邊，組成第N行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的右邊，組成所述第N+1行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的右邊，組成所述第N+1行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的左邊。
[0013]如果所述數(shù)據(jù)線相對所述掃描線向右偏移且所述第N行TFT電容增大，則組成所述第N行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的右邊，組成第N行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的左邊，組成所述第N+1行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的左邊，組成所述第N+1行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的右邊。
[0014]如果所述數(shù)據(jù)線相對所述掃描線向左偏移且所述第N行TFT電容減小，則組成所述第N行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的右邊，組成第N行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的左邊，組成所述第N+1行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的左邊，組成所述第N+1行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的右邊。
[0015]如果所述數(shù)據(jù)線相對所述掃描線向左偏移且所述第N行TFT電容增大，則組成所述第N行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的左邊，組成第N行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的右邊，組成所述第N+1行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的右邊，組成所述第N+1行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的左邊。
[0016]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括對盒設(shè)置的彩膜基板和上述的陣列基板。
[0017]本發(fā)明實施例提供的陣列基板和顯示裝置，通過在每行掃描線上設(shè)置與柵極驅(qū)動電路連接的補(bǔ)償電容，第N行補(bǔ)償電容和第N+1行補(bǔ)償電容的大小變化方向相反，且第N行補(bǔ)償電容的大小變化方向與第N+1行TFT電容的大小變化方向相同，這樣，當(dāng)數(shù)據(jù)線發(fā)生偏移時，第N行和第N+1行的TFT電容變化量相同，第N行和第N+1行TFT電容變化方向相反，而第N行補(bǔ)償電容變化方向與第N+1行TFT電容變化方向相同，從而可以通過補(bǔ)償電容的調(diào)節(jié)，使得相鄰兩行的總體電容量相當(dāng)，從而減少了由于相鄰兩行電容量不同導(dǎo)致灰階亮度差異而產(chǎn)生的顯示不良的問題。
[0018]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0019]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0020]圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中，陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中，數(shù)據(jù)線向右偏移后的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為本發(fā)明實施例中，第一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明實施例中，補(bǔ)償電容的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4為本發(fā)明實施例中，第二種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0025]為了減少由于數(shù)據(jù)線偏移使得相鄰兩行電容量不同，進(jìn)而導(dǎo)致相鄰兩行由于灰階亮度差異而產(chǎn)生的顯示不良的問題，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板和顯示裝置。
[0026]以下結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實施例僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明，并且在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0027]實施例一
[0028]如圖2所示，為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的第一種結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實施例提供的陣列基板上設(shè)置有橫縱交錯的掃描線和數(shù)據(jù)線，每行掃描線上均設(shè)置有柵極驅(qū)動電路，在每行掃描線上還設(shè)置有與該行柵極驅(qū)動電路連接的補(bǔ)償電容。如圖3所示，為補(bǔ)償電容的結(jié)構(gòu)示意圖，補(bǔ)償電容由交錯設(shè)置的第一金屬層31和第二金屬層32的重疊區(qū)域33組成，其中，第一金屬層31的重疊區(qū)域通過絕緣層與述第二金屬層32的重疊區(qū)域隔絕。
[0029]具體實施時，對于重疊區(qū)域可以設(shè)計為任何形狀，本發(fā)明實施例對此不做限定。較佳的，為了便于工藝上實現(xiàn)，第一金屬層31、第二金屬層32和重疊區(qū)域33可以為矩形。更佳的，該矩形區(qū)域的一邊可以與數(shù)據(jù)線平行，這樣，可以更加精確的控制，提高電容補(bǔ)償效果O
[0030]具體實施時，第一金屬層31可以采用與掃描線相同的金屬材料，第二金屬層32可以采用與數(shù)據(jù)線層相同的金屬材料。其中，第N行補(bǔ)償電容和第N+1行補(bǔ)償電容的大小變化方向相反，且第N行補(bǔ)償電容的大小變化方向與第N+1行TFT電容的大小變化方向相同，N為大于等于I的自然數(shù)。
[0031]第一金屬層31與第二金屬層32之間的重疊面積與補(bǔ)償電容量大小成正比，重疊面積越大，則補(bǔ)償電容量也越大，而重疊面積越小，則補(bǔ)償電容量也越小，因此，本發(fā)明實施例中可以通過控制第一金屬層31和第二金屬層32之間的重疊面積實現(xiàn)對補(bǔ)償電容大小的控制。其中，組成第N行和第N+1行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域和第二金屬層的非重疊區(qū)域與所述重疊區(qū)域的相對位置相反。
[0032]具體的，可以如圖2所示，第N行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于重疊區(qū)域的左側(cè)，第N行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于重疊區(qū)域的右側(cè)，而第N+1行補(bǔ)償電容的第一金屬層的非重疊區(qū)域位于重疊區(qū)域的右側(cè)，第N+1行補(bǔ)償電容的第二金屬層的非重疊區(qū)域位于重疊區(qū)域的左側(cè)。
[0033]以圖2所示的陣列基板為例，如果數(shù)據(jù)線相對掃描線向右發(fā)生偏移，將使得第N行的TFT電容變小，第N+1行的TFT電容變大，為了使得第N行和第N+1行總體電容量相當(dāng)，則第N行的補(bǔ)償電容應(yīng)變大(其與第N+1行TFT電容的大小變化方向相同)，亦即第一金屬層31與第二金屬層32之間的重疊面積應(yīng)變大，第N+1行補(bǔ)償電容應(yīng)變小(其與第N行補(bǔ)償電容的大小變化方向相反)，亦即第一金屬層31與第二金屬層32之間的重疊面積應(yīng)變小。而由于當(dāng)數(shù)據(jù)線相對掃描線向右發(fā)生偏移時，與掃描線采用相同材料的第一金屬層
31也將相對掃描線向右偏移，對于第N行來說，為了保證第一金屬層31相對掃描線向右偏移時第一金屬層31與第二金屬層32之間的重疊面積變大，因此，第一金屬層31的非重疊區(qū)域位于重疊區(qū)域的左邊，第二金屬層32的非重疊區(qū)域位于所述重疊區(qū)域的右邊。而對于第N+1行來說，為了保證第一金屬層3