液晶顯示裝置、液晶顯示器及其制作方法和暗點作業(yè)方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種液晶顯示裝置及其液晶顯示器，還涉及一種液晶顯示器制作方法和該液晶顯示器的暗點作業(yè)方法。
【背景技術】
[0002]圖1a為VA型液晶顯示面板像素結構俯視圖，圖1a為VA型液晶顯示面板像素結構俯視圖，像素通常由掃描線(Gate)l、數據線(Data)2、共電極(Com)、TFT4、像素電極5等部分組成。其中TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)，在像素驅動中起到開關的作用，在需要時打開使數據線(Data)信號可以寫入到像素電極5中，而在其他時間處于關閉狀態(tài)。實際生產中由于金屬殘留、異物等因素可能會導致TFT的溝道短路，使其失去開關功能，導致像素顯示為亮點，這時通常需要對像素進行暗點化處理。
[0003]如圖1a-1c所示，先將TFT與數據線和像素電極斷開(圖中的X表示斷開)，再使用激光(Laser)沿A方向照射像素電極與下基板共電極(Acom)交疊位置，在高熱下使二者熔融在一起實現導通(圖中標號6表示用流光導通)，如此像素可顯示為暗點。但當采用COA(Color Filter On Array，彩色濾光片陣列)或是Organic平坦層(有機平坦層)等工藝時，像素電極與下基板共電極之間增加了一層非常厚的絕緣介質，若仍采用一般的暗點化方法，則為了克服額外的厚絕緣層需要增加激光功率，使得修復難度增加。而且激光功率增加使得溫度升高，色阻和像素電極在更高的溫度下容易炸開翻起，使像素電極形貌發(fā)生改變導致液晶配向異常，同時飛濺的碎片還容易產生碎亮點問題，使得暗點化失敗。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種液晶顯示裝置、液晶顯示器及其制作方法和暗點作業(yè)方法，以解暗點作時色阻和ITO層在容易炸開翻起、容易產生碎亮點等問題。
[0005]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是:提供一種液晶顯示器，其包括上基板、下基板以及液晶層，上基板設有上共電極；下基板與上基板相對設置，設有下共電極，液晶層設于上基板和下基板之間；下基板還設有掃描線、數據線、像素電極以及薄膜電晶體管，薄膜電晶體管的柵極與掃描線連接，薄膜電晶體管的源極與數據線連接，薄膜電晶體管的漏極與像素電極連接；其中，下共電極設有延伸部，數據線和薄膜電晶體管的源極的連接線與延伸部間隔交迭，在暗點化作業(yè)時，將數據線和源極的連接線段開，并將延伸部與源極的連接線導通。
[0006]其中，延伸部絕緣間隔交迭于連接線的上方或下方。
[0007]其中，下基板還設有使掃描線、數據線、像素電極以及薄膜電晶體管彼此絕緣的絕緣層。
[0008]其中，下基板采用COA工藝或Organic平坦層工藝形成。
[0009]其中，像素電極與絕緣層之間設有色阻層或平坦層。
[0010]其中，像素電極與上共電極形成儲存電容。[0011 ] 其中，像素電極與下共電極形成液晶電容。
[0012]其中，像素電極設于數據線與掃描線絕緣交叉處的一側，延伸部設于數據線與掃描線絕緣交叉處的另一側。
[0013]其中，液晶顯示裝置包括上述的液晶顯示器。
[0014]為解決上述技術問題，本發(fā)明還采用另一種技術方案:提供一種液晶顯示器的制造方法，其包括步驟如下:在下基板形成多條平行間隔的下共電極，其中下共電極具有延伸部；在下基板形成多條平行間隔數據線；在下基板形成多條平行間隔掃描線，其中，掃描線與數據線絕緣交錯形成陣列方形；在方形的一角形成薄膜電晶體管，其中，薄膜電晶體管的柵極與掃描線連接，薄膜電晶體管的源極與數據線連接，薄膜電晶體管的漏極與像素電極連接，數據線和薄膜電晶體管的源極的連接線與延伸部間隔交迭；在數據線與掃描線絕緣交叉的一側處形成像素電極。
[0015]其中，在數據線與掃描線絕緣交叉的一側形成像素電極步驟之前還包括:在下基板設置使掃描線、數據線、像素電極以及薄膜電晶體管彼此絕緣的絕緣層。
[0016]其中，下基板設置使掃描線、數據線、像素電極以及薄膜電晶體管彼此絕緣的絕緣層步驟之后還包括:采用COA工藝或Organic平坦層工藝在像素電極與絕緣層之間分別形成有色阻層或平坦層。
[0017]為解決上述技術問題，本發(fā)明還采用另一種技術方案:提供一種液晶顯示器暗點化作業(yè)方法，對上述的液晶顯示器進行暗點化作業(yè)，其包括步驟如下:將數據線與薄膜電晶體管的源極的連接線段開；將延伸部與薄膜電晶體管的源極導通。
[0018]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現有技術，本發(fā)明的液晶顯示裝置、液晶顯示器及其制作方法和暗點作業(yè)方法在下共電極設有延伸部，數據線和薄膜電晶體管的源極的連接線與延伸部間隔交迭，使得在暗點化作業(yè)時，將數據線和源極的連接線段開，并用激光將延伸部與源極的連接線導通，使得像素電極的電壓與下共電極的電壓相等并進一步與上共電極的電壓相等，從而使得對應的液晶分子不發(fā)生偏轉導光以完成暗點化作業(yè)，操作簡便，暗點化作業(yè)難度低，避免暗點化作業(yè)導致的碎亮點問題，提高產品修復率及良率。
【附圖說明】
[0019]圖1a是VA型液晶顯示面板像素結構俯視圖；
[0020]圖1b是VA型液晶顯不面板的部分等效電路圖；
[0021]圖1c是VA型液晶顯示面板的部分結構主視圖；
[0022]圖2是本發(fā)明液晶顯示器像素結構的俯視圖；
[0023]圖3是本發(fā)明液晶顯示器的像素結構的等效電路圖；
[0024]圖4是本發(fā)明液晶顯示器的主視圖；
[0025]圖5是本發(fā)明液晶顯示器的制造方法的流程圖；
[0026]圖6是本發(fā)明的液晶顯示器暗點化作業(yè)方法流程圖。
【具體實施方式】
[0027]下面將結合附圖和實施方式對本發(fā)明進行詳細說明。
[0028]請參閱圖2-圖3，圖2是本發(fā)明液晶顯示器像素結構的俯視圖，圖3是本發(fā)明液晶顯示器的像素結構的等效電路圖，圖4是本發(fā)明液晶顯示器的主視圖。
[0029]本發(fā)明的液晶顯示器包括上基板(圖未示)、下基板以及液晶層(圖未示)，上基板設有上共電極(圖未示)，下基板與上基板相對設置，設有下共電極13，液晶層設于上基板和下基板之間。
[0030]本發(fā)明的下基板還設有掃描線11、數據線12、像素電極15以及薄膜電晶體管14，薄膜電晶體管14的柵極與掃描線11連接，薄膜電晶體管14的源極與數據線12連接，薄膜電晶體管14的漏極與像素電極15連接；其中，下共電極13設有延伸部131，數據線12和薄膜電晶體管14的源極的連接線與延伸部131間隔交迭，延伸部131絕緣間隔交迭于連接線132的上方或下方，具體地，延伸部131自下共電極13向薄膜電晶體管14的源極延伸，且其末端鄰近薄膜電晶體管14的源極，并設于數據線12與薄膜電晶體管14的源極的連接線132的上方或下方，且連接線132與延伸部131之間彼此絕緣。像素電極15與上共電極形成儲存電容Cst，像素電極15與下共電極13形成液晶電容Cl C，像素電極15設于數據線12與掃描線11絕緣交叉處111的一側，延伸部131設于數據線12與掃描線11絕緣交叉處111的另一側，具體地，絕緣交叉處111使延伸部131與像素電極15間隔設置，且延伸部131與連接線132的間隔交迭處與像素電極15不重疊且間隔設置，以使得在暗點化作業(yè)時，減少激光對像素電極15的影響。
[0031]在其它實施例中，下基板還設有依次層疊的絕緣層18和色阻層19，掃描線11、數據線12、像素電極15以及薄膜電晶體管14設于絕緣層18中以使各部分彼此絕緣、色阻層19設于像素電極15與絕緣層18之間，在其實施例中，像素電極15與絕緣層18之間的可不設置色阻層19，而是設置平坦層，色阻層19可采用COA工藝形成在下基板上形成，平坦層可采用Organic平坦層工藝在下基板上形成。
[0032]如圖2或圖3所示，在暗點化作業(yè)時，將數據線12和源極的連接線132段開(圖中