液晶顯示設(shè)備的制造方法
【專利說明】液晶顯示設(shè)備
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年12月20日提交的韓國專利申請N0.10_2013_0159949的權(quán)益，在此通過參考將其并入本文，就如在此全部列出一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及到一種液晶顯示(LCD)設(shè)備，更特別地，涉及一種具有用于增強(qiáng)孔徑比的雙減數(shù)據(jù)(DRD)像素結(jié)構(gòu)的LCD設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]在LCD設(shè)備中，其中形成有電場產(chǎn)生電極的兩個基板被設(shè)置成使得具有電極形成于其上的表面彼此面對，液晶分子被注入到兩個基板之間，電壓被施加到電極，液晶分子被電壓產(chǎn)生的電場驅(qū)動，且基于根據(jù)液晶分子移動而改變的透光率顯示圖像。
[0005]在LCD設(shè)備中，依賴于液晶面板的公共電極和像素電極的位置確定每個LCD設(shè)備的驅(qū)動模式是扭轉(zhuǎn)向列(TN)模式或者面內(nèi)切換(IPS)模式。特別是，與產(chǎn)生垂直電場的TN模式相比，其中公共電極和像素電極被平行設(shè)置在一個基板上以產(chǎn)生橫向電場的IPS模式具有更寬的視角。
[0006]目前，已經(jīng)提出了由IPS模式改進(jìn)且增加了亮度的先進(jìn)的高IPS(AH-1PS)模式。在AH-1PS模式中，公共電極和像素電極被交替設(shè)置在一個基板上的不同層上以產(chǎn)生邊緣場，從而實(shí)現(xiàn)超越IPS模式的改善的圖像質(zhì)量特性。
[0007]LCD設(shè)備包括液晶面板、用于驅(qū)動形成在液晶面板上的多條柵極線的柵極驅(qū)動電路、和用于驅(qū)動形成在液晶面板中的多條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。隨著LCD設(shè)備尺寸變大和分辨率越來越高，驅(qū)動電路數(shù)目增加。
[0008]但是，由于數(shù)據(jù)驅(qū)動電路較其它元件更加昂貴，因此對減少驅(qū)動電路數(shù)目的技術(shù)進(jìn)行了研宄和開發(fā)以便降低每個LCD設(shè)備的制造成本。作為該技術(shù)的實(shí)例，已經(jīng)提出了一種雙速率驅(qū)動(DRD)結(jié)構(gòu)。在DRD結(jié)構(gòu)中，盡管柵極線數(shù)目增加兩倍，但是數(shù)據(jù)線數(shù)目減少了一半(1/2)，由此驅(qū)動電路數(shù)目也減少了一半且保持了分辨率。
[0009]以下，將參考圖1至3描述具有DRD像素結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)IXD設(shè)備。
[0010]圖1是具有DRD像素結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)LCD設(shè)備的等效電路，圖2是具有DRD像素結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)LCD設(shè)備的平面圖。
[0011]參考圖1和2，具有DRD像素結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)LCD設(shè)備包括形成在基板上的兩條柵極線GLl和GL2、形成為與柵極線GLl和GL2交叉的數(shù)據(jù)線DL、和形成在相鄰數(shù)據(jù)線DL之間以與柵極線GLl和GL2交叉的公共電極線CL。
[0012]通過柵極線GLl和GL2、數(shù)據(jù)線DL和公共電極線CL限定多個像素Pl和P2。
[0013]多個像素Pl和P2中的每一個都耦接到柵極線GLl和GL2以及一條數(shù)據(jù)線DL。
[0014]這種情況下，耦接到兩條柵極線GLl和GL2和一條數(shù)據(jù)線DL的第一和第二薄膜晶體管(TFT)Trl和Tr2形成在以交替圖案形成的兩條柵極線GLl和GL2外部。
[0015]具體地，第一和第二 TFT Trl和Tr2設(shè)置在彼此分離形成且限定像素區(qū)Pl和P2的柵極線GLl和GL2外部。第一 TFT Trl耦接到第一柵極線GLl和第一像素P1，第二 TFTTr2耦接到第二柵極線GL2和第二像素P2。
[0016]連接公共電極線CL和公共電極(未示出)的第一接觸孔CHl形成在交替形成的柵極線GLl和GL2之間。連接第一和第二 TFT Trl和Tr2至像素電極PX的第二接觸孔CH2形成在交替形成的柵極線GLl和GL2外部。
[0017]這種情況下，為了減少第一和第二接觸孔CHl和CH2周圍的光泄露，將具有一定長度D的黑矩陣BM形成在面對基板提供的上基板(未示出)上。
[0018]圖3是圖2的IXD設(shè)備的截面圖，且是示出在第二接觸孔CH2周圍發(fā)生光泄露的圖。
[0019]參考圖3，現(xiàn)有技術(shù)IXD設(shè)備包括順序形成在基板10上的有源層13、漏極14b、包括暴露出漏極14b的第二接觸孔CH2的保護(hù)層16、公共電極CX、包括第二接觸孔CH2的絕緣層17、經(jīng)由第二接觸孔CH2耦接到漏極14b的像素電極PX、和取向?qū)覲I。
[0020]這種情況下，由于形成取向?qū)覲I的材料的可流動性，取向?qū)覲I向下流到第二接觸孔CH2，并且不均勻地形成在第二接觸孔CH2附近(見圓形框S)。由于這個原因，發(fā)生光泄露。為了防止光泄露，將具有一定長度D的黑矩陣BM形成在面對基板10提供的上基板20上。
[0021]在具有DRD像素結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)IXD設(shè)備中，形成具有一定長度D的黑矩陣BM且其覆蓋來自背光(未示出)的光通過的開口，這導(dǎo)致液晶面板透光率下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0022]因此本公開旨在提供一種基本避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷導(dǎo)致的一個或多個問題的LCD設(shè)備。
[0023]本公開的一方面旨在提供一種具有改善的DRD像素結(jié)構(gòu)并且增加了液晶面板孔徑比的IXD設(shè)備。
[0024]在下文的描述中部分列出其他優(yōu)勢和特征，一旦閱讀了下文部分優(yōu)勢和特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的或者可通過實(shí)踐本發(fā)明獲知。通過說明書及其權(quán)利要求書和所附附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)并獲得本公開的目的和其他優(yōu)勢。
[0025]為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)勢并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文所體現(xiàn)并廣泛描述的，提供了一種液晶顯示(IXD)設(shè)備，包括:在一個方向上在基板上交替形成的多條第一和第二柵極線；配置成與多條第一和第二柵極線垂直交叉以限定多個像素區(qū)的多條數(shù)據(jù)線；形成在相鄰數(shù)據(jù)線之間的公共電極線，該公共電極線配置成與多條第一和第二柵極線垂直交叉且將多個像素區(qū)分成第一和第二區(qū)域；形成在相應(yīng)第一柵極線和與該相應(yīng)第一柵極線相鄰的第二柵極線之間的第一和第二薄膜晶體管(TFT)，該第一和第二 TFT每一個都包括柵極、有源層、源極和漏極；保護(hù)層，其包括暴露出公共電極線的第一接觸孔和暴露出一部分漏極的第二接觸孔；形成在保護(hù)層上且通過第一接觸孔耦接到公共電極線的公共電極；形成在保護(hù)層上以覆蓋公共電極的絕緣層，該絕緣層包括暴露出一部分漏極的第二接觸孔；和形成在絕緣層上的像素電極，該像素電極通過第二接觸孔耦接到漏極線。
[0026]形成在第一區(qū)域中的像素電極可耦接到相鄰的第一 TFT，其中公共電極線介于第一區(qū)域中的像素電極和相鄰的第一 TFT之間，形成在第二區(qū)域中的像素電極可耦接到形成在與該像素電極相同的軸上的第二 TFT。
[0027]形成在第一區(qū)域中的像素電極可通過像素連接部分耦接到第一 TFT。
[0028]在第一和第二柵極線之間的多個區(qū)域當(dāng)中，第一接觸孔可形成在與兩個第二 TFT相鄰的區(qū)域中。
[0029]第一和第二柵極線形成為直線。
[0030]第二接觸孔可形成在第一和第二柵極線之間。
[0031 ] 像素電極可形成為與相鄰于該像素電極的第一和第二柵極線交疊。
[0032]公共電極可形成在第一接觸孔中以及多個像素區(qū)中每一個的整個表面上。
[0033]柵極線、公共電極和像素電極可在第二接觸孔的外圍區(qū)域中順序形成以彼此交疊，公共電極可形成為在朝向第二接觸孔的方向上比柵極線更長。
[0034]公共電極可形成為比柵極線長至少2 μπι。
[0035]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的上文一般描述和下文具體描述都是示范性和說明性的，且意在提供所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。
【附圖說明】
[0036]給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并組成說明書一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0037]圖1是具有DRD像素結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)LCD設(shè)備的等效電路；
[0038]圖2是具有DRD像素結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)LCD設(shè)備的平面圖；
[0039]圖3是圖2的IXD設(shè)備的截面圖；
[0040]圖4是根據(jù)一個實(shí)施例具有DRD像素結(jié)構(gòu)的LCD設(shè)備的等效電路；
[0041]圖5是示意性示出根據(jù)一個實(shí)施例的LCD設(shè)備的平面圖；
[0042]圖6是沿著圖5的IXD設(shè)備的線A-B取得的截面圖；和
[0043]圖7是沿著圖5的IXD設(shè)備的線C-D取得的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]現(xiàn)在將具體參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中示出。只要可以，在所有附圖使用相同參考數(shù)字表示相同或相似部件。
[0045]在說明書中，在每幅圖中為元件增加參考數(shù)字時，應(yīng)當(dāng)注意，只要可以，在其他圖中已經(jīng)用于表示相似元件的相似參考數(shù)字仍用于這些元件。
[0046]本說明書中描述的術(shù)語應(yīng)做如下理解。
[0047]如本文中所使用的，單數(shù)形式“一”和“該”意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文明確地另外指出。術(shù)語“第一”和“第二”用于區(qū)分一個元件和另一個元件，這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語限制。
[0048]應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，當(dāng)本文中使用時，術(shù)語“包括”、“包含”、“含有”、“具有”、“囊括”和/或“有”指定存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或者添加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合。
[0049]術(shù)語“上”應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為包括一個元件形成在另一個元件頂部上的情況和此外第三元件設(shè)置在其間的情況。
[0050]以下，將參考附圖具體描述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0051]圖4是根據(jù)一個實(shí)施例具有DRD像素結(jié)構(gòu)的LCD設(shè)備的等效電路。
[0052]如圖4中可見，根據(jù)一個實(shí)施例具有DRD像素結(jié)構(gòu)的LCD設(shè)備包括在一個方向上交替形成為直線的多條第一和第二柵極線GLl和GL2、和與多條第一和第二柵極線GLl和GL2垂直交叉以限定多個像素區(qū)的多條數(shù)據(jù)線DL。
[0053]公共電極線CL與多條第一和第二柵極線GLl和GL2垂直交叉，并且形成在相鄰數(shù)據(jù)線DL之間。而且，公共電極線CL將多個像素區(qū)劃分成第一和第二區(qū)域。
[0054]此處，形成在第一區(qū)域中的像素區(qū)被稱作第一像素區(qū)P1，形成在第二區(qū)域中的像素區(qū)被稱作第二像素區(qū)P2。
[0055]第一和第二 TFT Trl和Tr2耦接到一條數(shù)據(jù)線DL和兩條柵極線GLl和GL2。
[0056]而且，第一和第二 TFT Trl和Tr2形成在交替形成的兩條柵極線GLl和GL2之間。
[0057]形成在第一像素區(qū)Pl中的像素電極耦接到相鄰的第一 TFT Trl，公共電極線CL介于第一區(qū)域中形成的像素電極和相鄰的第一 TFT Trl之間，形成在第二像素區(qū)P2中的像素電極耦接到與該像素電極形成在相同軸上的第二 TFTTr2。
[0058]這種情況下，通過與公共電極線CL交叉形成的像素連接部分PC將第一 TFT Trl和形成在第一像素區(qū)Pl中的像素電極彼此耦接。
[0059]也就是，根據(jù)一個實(shí)施例的IXD設(shè)備使用DRD型，其中使用兩條柵極線GLl和GL2和一條數(shù)據(jù)線DL驅(qū)動在像素區(qū)Pl