薄膜晶體管陣列基板及顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管陣列基板及顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)是一種常用的電子設(shè)備，由于其具有功耗低、體積小、重量輕等特點(diǎn)，因此備受用戶的青睞。目前的液晶顯示器主要是以薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)液晶顯示器為主。隨著平面顯示技術(shù)的發(fā)展，具有廣視角的液晶顯示器的需求被提出。傳統(tǒng)的廣視角液晶顯示面板在大視角觀看的時(shí)候往往會出現(xiàn)色偏的問題。因此，現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板在大視角觀看的時(shí)候會出現(xiàn)色偏等技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板上設(shè)置呈陣列分布的多個(gè)像素，每個(gè)像素包括沿第一方向依次排列的第一子像素、第二子像素及第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素及所述第三子像素連接至同一條掃描線，所述薄膜晶體管陣列基板上還設(shè)置沿第一方向依次排列的第一數(shù)據(jù)線、第二數(shù)據(jù)線及第三數(shù)據(jù)線，所述第一數(shù)據(jù)線用于驅(qū)動所述第一子像素，所述第二數(shù)據(jù)線用于驅(qū)動所述第二子像素，所述第三數(shù)據(jù)線用于驅(qū)動所述第三子像素，所述第一子像素包括沿第二方向排列的第一區(qū)域及第二區(qū)域，所述第二子像素包括沿第二方向排列的第三區(qū)域及第四區(qū)域，所述第三子像素包括沿第二方向排列的第五區(qū)域及第六區(qū)域，所述第六區(qū)域內(nèi)的子像素電極與公共電極的電壓差不同于所述第五區(qū)域內(nèi)的子像素電極與公共電極的電壓差。
[0004]其中，所述第一區(qū)域內(nèi)設(shè)置第一薄膜晶體管，所述第二區(qū)域內(nèi)設(shè)置第二薄膜晶體管，所述第三區(qū)域內(nèi)設(shè)置第三薄膜晶體管，所述第四區(qū)域內(nèi)設(shè)置第四薄膜晶體管，所述第五區(qū)域內(nèi)設(shè)置第五薄膜晶體管，所述第六區(qū)域內(nèi)設(shè)置第六薄膜晶體管和第七薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述第六薄膜晶體管及所述第七薄膜晶體管的柵極連接同一條掃描線，所述第一薄膜晶體管及所述第二薄膜晶體管的漏極連接所述第一數(shù)據(jù)線，所述第一薄膜晶體管的源極依次連接第一主子像素電極、第一電容至公共電極，所述第二薄膜晶體管的源極依次連接第一次子像素電極、第二電容至公共電極，所述第三薄膜晶體管及所述第四薄膜晶體管的漏極連接所述第二數(shù)據(jù)線，所述第三薄膜晶體管的源極依次連接第二主子像素電極、第三電容至公共電極，所述第四薄膜晶體管的源極依次連接第二次子像素電極、第四電容至公共電極，所述第五薄膜晶體管及所述第六薄膜晶體管的漏極連接所述第三數(shù)據(jù)線，所述第五薄膜晶體管的源極依次連接第三主子像素電極、第五電容至公共電極，所述第六薄膜晶體管的源極依次連接第三次子像素電極、第六電容至公共電極，所述第七薄膜晶體管的漏極連接所述第三次子像素電極，所述第七薄膜晶體管的源極連接所述公共電極。
[0005]其中，所述第四區(qū)域內(nèi)的子像素電極與公共電極的電壓差不同于所述第三區(qū)域內(nèi)的子像素電極與公共電極的電壓差。
[0006]其中，所述第四區(qū)域內(nèi)設(shè)置第八薄膜晶體管，所述第八薄膜晶體管的柵極連接所述掃描線，所述第八薄膜晶體管的漏極連接所述第二次子像素電極，所述第八薄膜晶體管的源極連接所述公共電極。
[0007]其中，所述薄膜晶體管陣列基板上還設(shè)置的第四數(shù)據(jù)線，所述第三數(shù)據(jù)線驅(qū)動所述第三子像素的第五區(qū)域，所述第四數(shù)據(jù)線驅(qū)動所述第三子像素的第六區(qū)域，所述第三數(shù)據(jù)線上加載的驅(qū)動電壓與所述第四數(shù)據(jù)線上加載的驅(qū)動電壓不同。
[0008]其中，所述第一區(qū)域內(nèi)設(shè)置第一薄膜晶體管，所述第二區(qū)域內(nèi)設(shè)置第二薄膜晶體管、所述第三區(qū)域內(nèi)設(shè)置第四薄膜晶體管、所述第五區(qū)域內(nèi)設(shè)置第五薄膜晶體管，所述第六區(qū)域內(nèi)設(shè)置第六薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述第六薄膜晶體管的柵極連接同一條掃描線，所述第一薄膜晶體管及所述第二薄膜晶體管的漏極連接所述第一數(shù)據(jù)線，所述第一薄膜晶體管的源極依次連接第一主子像素電極、第一電容至公共電極，所述第二薄膜晶體管的源極依次連接所述第一次像素電極、第二電容至公共電極，所述第三薄膜晶體管及所述第四薄膜晶體管的漏極連接所述第二數(shù)據(jù)線，所述第三薄膜晶體管的源極依次連接第二主子像素電極、第三電容至公共電極，所述第四薄膜晶體管的源極依次連接第二次子像素電極、第四電容至公共電極，所述第五薄膜晶體管的漏極連接所述第三數(shù)據(jù)線，所述第五薄膜晶體管的源極依次連接第三主子像素電極、第五電容至公共電極，所述第六薄膜晶體管的漏極連接所述第四數(shù)據(jù)線，所述第六薄膜晶體管的源極依次連接第三次子像素電極、第六電容至公共電極。
[0009]其中，所述薄膜晶體管陣列基板上還設(shè)置第五數(shù)據(jù)線，所述第二數(shù)據(jù)線驅(qū)動所述第二子像素的第三區(qū)域，所述第五數(shù)據(jù)線驅(qū)動所述第二子像素的第四區(qū)域，所述第二數(shù)據(jù)線上加載的驅(qū)動電壓與所述第五數(shù)據(jù)線上加載的驅(qū)動電壓不同。
[0010]其中，所述第一區(qū)域內(nèi)設(shè)置第一薄膜晶體管，所述第二區(qū)域內(nèi)設(shè)置第二薄膜晶體管，所述第三區(qū)域內(nèi)設(shè)置第三薄膜晶體管，所述第四區(qū)域內(nèi)設(shè)置第四薄膜晶體管，所述第五區(qū)域內(nèi)設(shè)置第五薄膜晶體管，所述第六區(qū)域內(nèi)設(shè)置第六薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管、所述第二薄膜晶體管、所述第三薄膜晶體管、所述第四薄膜晶體管、所述第五薄膜晶體管、所述第六薄膜晶體管的柵極連接同一條掃描線，所述第一薄膜晶體管及所述第二薄膜晶體管的漏極連接所述第一數(shù)據(jù)線，所述第一薄膜晶體管的源極依次連接所述第一主子像素電極、第一電容至公共電極，所述第二薄膜晶體管的源極依次連接所述第一次子像素電極、第二電容至公共電極，所述第三薄膜晶體管的源極依次連接第二主子像素電極、第三電容至公共電極，所述第三薄膜晶體管的漏極連接所述第二數(shù)據(jù)線，所述第四薄膜晶體管的源極依次連接第二次子像素電極、第四電容至公共電極，所述第四薄膜晶體管的漏極連接所述第五數(shù)據(jù)線，所述第五薄膜晶體管的漏極連接所述第三數(shù)據(jù)線，所述第五薄膜晶體管的源極依次連接第三主子像素電極、第五電容至公共電極，所述第六薄膜晶體管的漏極連接所述第四數(shù)據(jù)線，所述第六薄膜晶體管的源極依次連接第三次子像素電極、第六電容至公共電極。
[0011]其中，所述第一子像素為紅色子像素，第二子像素為綠色子像素，所述第三子像素為藍(lán)色子像素。
[0012]本發(fā)明還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上述各實(shí)施方式中任意一種實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板。
[0013]
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1是本發(fā)明第一較佳實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
[0016]圖2是本發(fā)明第一較佳實(shí)施方式中的薄膜晶體管陣列基板中像素的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3是本發(fā)明第二較佳實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
[0018]圖4是本發(fā)明第二較佳實(shí)施方式中的薄膜晶體管陣列基板中像素的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖5為本發(fā)明第三較佳實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
[0020]圖6是本發(fā)明第三較佳實(shí)施方式中的薄膜晶體管陣列基板中像素的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖7為本發(fā)明第四較佳實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
[0022]圖8是本發(fā)明第三較佳實(shí)施方式中的薄膜晶體管陣列基板中像素的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0024]請參閱圖1和圖2，圖1是本