一種陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及包含該陣列基板的液晶顯示面 板。
【背景技術(shù)】
[0002] 平板顯示器以其輕薄、省電等優(yōu)點(diǎn)受到人們的歡迎，其中以液晶顯示裝置最為常 見。液晶顯示面板一般包括有陣列基板、彩膜基板及填充在陣列基板以及彩膜基板之間的 液晶層。陣列基板和彩膜基板的至少一者上形成有像素電極和公共電極，在加電在像素電 極和公共電極間形成電場(chǎng)，通過控制電場(chǎng)強(qiáng)度的變化調(diào)制液晶分子的取向角度，從而使背 光源的光透過率發(fā)生變化。
[0003] 液晶顯示面板（LiquidCrystalDisplay,LCD)按照其液晶的工作模式，主要包 括如下兩種：一種是縱電場(chǎng)方式，在該方式中，利用與基板面實(shí)質(zhì)上垂直的方向的電場(chǎng)驅(qū) 動(dòng)液晶層，對(duì)入射到液晶層的光進(jìn)行調(diào)制從而實(shí)現(xiàn)顯示，該種顯示模式的主要有扭曲向列 (TwistedNematic，TN)模式、多疇垂直取向（Multi-domainVerticalAlignment，MVA)模 式等；另一種是橫電場(chǎng)方式，在該方式中，利用與基板面實(shí)質(zhì)上平行的方向的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶 層，對(duì)入射到液晶層的光進(jìn)行調(diào)制從而實(shí)現(xiàn)顯示，該種顯示模式主要有平面轉(zhuǎn)換（In-plane Switching，IPS)型、邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換（FringeFieldSwitching，F(xiàn)FS)型等。
[0004] 由于橫電場(chǎng)模式液晶顯示面板在個(gè)方向觀察時(shí)色偏較小，以及色彩還原性高、響 應(yīng)速度快、對(duì)比度高、視角寬等特點(diǎn)，在實(shí)際應(yīng)用中越來越廣泛。在實(shí)際使用過程中，為了進(jìn) 一步改善在大視角下的色偏及灰階反轉(zhuǎn)問題，通常采用雙疇或者偽雙疇的像素結(jié)構(gòu)，即在 一個(gè)像素或者沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向相鄰的兩個(gè)像素中，使得像素的像素電極或者公共電極具 有沿兩個(gè)方向延伸的條形電極，使得任一行或者相鄰兩行像素中，任意一種顏色的子像素 在不同的視角方向上，灰階和透過率的關(guān)系由于都是經(jīng)條狀電極傾斜方向不同的兩個(gè)區(qū)域 或者像素之間補(bǔ)償后得到的綜合效果，可以改善色偏和灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象。
[0005] 當(dāng)采用偽雙疇結(jié)構(gòu)時(shí)，雖然可以改善色偏和灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，然而由于工藝精度等 原因，在陣列基板制備取向?qū)尤∠蜻^程中，以及顯示面板偏光片貼附過程中，總是會(huì)出現(xiàn)一 定的角度偏差。進(jìn)而造成了相鄰兩行像素之間透過率的微小差異，導(dǎo)致在灰階顯示時(shí)相鄰 兩行像素之間顯示亮度不同，造成了橫條紋顯示不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板，以及包含該陣列基板的液晶顯示面板。
[0007] 本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括：基板；設(shè)置在所述基板上的多條掃描線和多 條數(shù)據(jù)線，多條所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個(gè)像素區(qū)域；開關(guān)元件，靠近所述 掃描線與所述數(shù)據(jù)線的交叉處；像素電極和公共電極，所述像素電極和/或公共電極包括 條形電極，所述條形電極位于所述像素區(qū)域內(nèi)且包括直線部；沿所述數(shù)據(jù)線延伸方向相鄰 的兩個(gè)所述像素區(qū)域，所述條形電極的所述直線部關(guān)于掃描線延伸方向?qū)嵸|(zhì)上對(duì)稱；設(shè)置 在所述基板上的取向?qū)?，所述取向?qū)拥娜∠蚍较驅(qū)嵸|(zhì)上垂直于所述掃描線的延伸方向；所 述直線部延伸方向與所述取向?qū)拥娜∠蚍较虻膴A角大于等于4度小于等于6度。
[0008] 本發(fā)明還提供了一種包含上述陣列基板的液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括 上述陣列基板，與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板，以及夾持于所述陣列基板與所述彩 膜基板之間的液晶層。
[0009] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有如下突出的優(yōu)點(diǎn)之一：
[0010] 本發(fā)明的條形電極直線部的延伸方向與取向?qū)拥娜∠蚍较驃A角大于等于4度且 小于等于6度，可以改善在對(duì)位偏差時(shí)沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向相鄰的兩個(gè)像素區(qū)域的透過率差 異，使得在產(chǎn)生對(duì)位偏差時(shí)，沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向相鄰的兩個(gè)像素區(qū)域透過率大體上相當(dāng)，改 善橫條紋顯示不均。
【附圖說明】
[0011] 圖la為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012] 圖lb為圖la中沿AA'截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013] 圖2a本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014] 圖2b為圖2a中沿BB'截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015] 圖3a本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016] 圖3b為圖3a中沿CC'截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017] 圖4a本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖4b為圖4a中沿DD'截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖5a本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖5b為圖5a中沿EE'截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施 例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
[0023] 需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā) 明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi) 涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0024] 請(qǐng)參考圖la與圖lb，圖la為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意 圖，圖lb為圖la中沿AA'截面的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025] 結(jié)合參考圖la與圖lb，本實(shí)施例提供的一種陣列基板包括：基板100 ;設(shè)置在所 述基板100上的多條掃描線105和多條數(shù)據(jù)線107,多條所述掃描線105和所述數(shù)據(jù)線107 彼此交叉限定多個(gè)像素區(qū)域；開關(guān)元件103,靠近所述掃描線105與所述數(shù)據(jù)線107的交 叉處；像素電極111和公共電極109,所述像素電極111包括條形電極1111，所述條形電極 1111位于所述像素區(qū)域內(nèi)且包括直線部1111a;沿所述數(shù)據(jù)107線延伸方向相鄰的兩個(gè)所 述像素區(qū)域，所述條形電極1111的所述直線部1111a關(guān)于掃描線105延伸方向?qū)嵸|(zhì)上對(duì) 稱；設(shè)置在所述基板100上的取向?qū)?12,所述取向?qū)?12的取向方向OR實(shí)質(zhì)上垂直于所 述掃描線105的延伸方向；所述直線部111la延伸方向與所述取向?qū)?12的取向方向OR的 夾角9等于4度。
[0026] 具體地，請(qǐng)繼續(xù)參考圖la與圖lb，本實(shí)施例提供的陣列基板包括基板100和依次 設(shè)置在基板100上的半導(dǎo)體層、第一絕緣層104、柵極金屬層、第二絕緣層106、源漏極金屬 層、平坦化層108、公共電極109、第三絕緣層110、像素電極111和取向?qū)?12。本實(shí)施例中， 采用多晶硅作為半導(dǎo)體層，并且本實(shí)施例中，柵極金屬層包括掃描線105和與掃描線105電 連接的柵極，源漏極金屬層包括數(shù)據(jù)線107和與數(shù)據(jù)線電連接的源極和與像素電極111電 連接的漏極，其中柵極、半導(dǎo)體層、源極和漏極構(gòu)成本實(shí)施例中所述的開關(guān)元件103。需要說 明的是，本實(shí)施例中是以多晶硅為例來說明的，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以采用非晶 硅或者氧化物半導(dǎo)體來作為半導(dǎo)體層。
[0027] 本實(shí)施例中，在基板100上設(shè)置有多條沿水平方向延伸的掃描線105和多條實(shí)質(zhì) 上沿垂直方向延伸的數(shù)據(jù)線107,多條該掃描線105和數(shù)據(jù)線107彼此交叉限定多個(gè)像素區(qū) 域，即相鄰的兩條掃描線105與相鄰的兩條數(shù)據(jù)線107交叉限定一個(gè)像素區(qū)域。如la