本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示裝置廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域，顯示裝置通常包括顯示基板，抗靜電能力是顯示基板的工作性能和信賴性評(píng)價(jià)指標(biāo)之一，也是顯示基板能夠穩(wěn)定工作的前提。

相關(guān)技術(shù)中，顯示基板如圖1所示，參見圖1，顯示基板00包括襯底基板001以及依次設(shè)置在襯底基板001上的遮光(英文：Light shield；簡稱：LS)層002、第一絕緣層003、柵極(英文：Gate)金屬層004、第二絕緣層005、源漏極(英文：Source Drain；簡稱：SD)金屬層006、第三絕緣層007、公共電極008、第四絕緣層009和像素電極010。其中，柵極金屬層004包括柵極0041以及與柵極0041連接的柵線(圖1中未示出)，源漏極金屬層06包括源極0061和漏極0062以及與源極0061連接的數(shù)據(jù)線(圖1中未示出)，第三絕緣層007和第四絕緣層009上形成有過孔，像素電極010通過過孔與漏極0062連接。如圖1所示，襯底基板001上還形成有陣列基板行驅(qū)動(dòng)(英文：Gate driver On Array；簡稱：GOA)電路011，該GOA電路011的厚度大于遮光層002的厚度，遮光層002可以采用金屬材料制作且遮光層002中包括設(shè)置在GOA電路011外圍的一圈接地的接地線(英文：Ground；簡稱：GND)，該GND能夠?qū)@示基板00外圍或者內(nèi)部的靜電引入大地，從而對靜電進(jìn)行釋放，避免顯示基板00被靜電燒毀，提高顯示基板00的抗靜電能力。

在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)至少存在以下問題：

由于GOA電路的厚度大于遮光層的厚度，因此，GOA電路更容易發(fā)生尖端放電，導(dǎo)致GOA電路被靜電擊穿，因此，顯示基板的抗靜電能力較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決顯示基板的抗靜電能力較差的問題，本實(shí)用新型提供一種顯示基板及顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

第一方面，提供一種顯示基板，所述顯示基板包括：襯底基板，

所述襯底基板上設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路和靜電屏蔽結(jié)構(gòu)，所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路與所述襯底基板的側(cè)面之間，且所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的厚度大于所述驅(qū)動(dòng)電路的厚度。

可選地，所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的一端為尖端。

可選地，所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底基板的一端為所述尖端。

可選地，所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的縱截面為三角形，所述縱截面與所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的厚度方向平行。

可選地，所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的縱截面為直角三角形，所述直角三角形的第一直角邊與所述襯底基板的板面平行，第二直角邊靠近所述襯底基板的邊沿，所述第一直角與所述邊沿垂直；或者，

所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的縱截面為等腰三角形，所述等腰三角形的底邊與所述襯底基板的板面平行，且所述等腰三角形的底邊與所述襯底基板上靠近所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的邊沿垂直。

可選地，所述襯底基板上設(shè)置有相互絕緣的多個(gè)導(dǎo)電層，所述多個(gè)導(dǎo)電層中存在至少兩個(gè)導(dǎo)電層中的每個(gè)導(dǎo)電層中包括接地的接地圖案，所述至少兩個(gè)導(dǎo)電層中的接地圖案堆積形成所述靜電屏蔽結(jié)構(gòu)。

可選地，所述襯底基板包括顯示區(qū)域和周邊區(qū)域，所述至少兩個(gè)導(dǎo)電層中任意相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電層之間設(shè)置有絕緣層，任意相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電層之間的絕緣層在所述襯底基板上的正投影將所述顯示區(qū)域覆蓋，且所述至少兩個(gè)導(dǎo)電層中每個(gè)導(dǎo)電層中的接地圖案在所述襯底基板上的正投影位于所述周邊區(qū)域內(nèi)。

可選地，所述至少兩個(gè)導(dǎo)電層包括：依次設(shè)置在所述襯底基板上的遮光層、柵極金屬層和源漏極金屬層，所述遮光層包括第一接地圖案，所述柵極金屬層包括第二接地圖案，所述源漏極金屬層包括第三接地圖案，所述第二接地圖案位于所述第一接地圖案上且將所述第一接地圖案部分覆蓋，所述第三接地圖案位于所述第二接地圖案上且將所述第二接地圖案部分覆蓋。

可選地，所述至少兩個(gè)導(dǎo)電層還包括：依次設(shè)置在所述源漏極金屬層上的公共電極層和像素電極層，所述公共電極層包括第四接地圖案，所述像素電極層包括第五接地圖案，所述第四接地圖案位于所述第三接地圖案上且將所述第三接地圖案部分覆蓋，所述第五接地圖案位于所述第四接地圖案上且將所述第四接地圖案部分覆蓋。

第二方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一方面或第一方面的任一可選方式所述的顯示基板。

本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

本實(shí)用新型提供的顯示基板及顯示裝置，由于顯示基板包括襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的驅(qū)動(dòng)電路和靜電屏蔽結(jié)構(gòu)，且靜電屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路與襯底基板的側(cè)面之間，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的厚度大于驅(qū)動(dòng)電路的厚度，因此，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)更容易發(fā)生尖端放電，從而保護(hù)了驅(qū)動(dòng)電路，解決了相關(guān)技術(shù)中顯示基板的抗靜電能力較差的問題，達(dá)到了提高顯示基板的抗靜電能力的效果。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本實(shí)用新型。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是相關(guān)技術(shù)提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的再一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是圖4所示的顯示基板的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)及其類比圖；

圖7是圖5所示的顯示基板的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)及其類比圖；

圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板與相關(guān)技術(shù)提供的顯示基板的對比圖；

圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板與相關(guān)技術(shù)提供的顯示基板的防靜電對比圖；

圖10是相關(guān)技術(shù)提供的顯示基板的靜電釋放路徑圖；

圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板的靜電釋放路徑圖。

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本實(shí)用新型的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

靜電釋放(英文：Electro-Static discharge；簡稱：ESD)對電子產(chǎn)品造成的破壞和損傷有突發(fā)性損傷和潛在性損傷兩種。所謂突發(fā)性損傷，指的是電子產(chǎn)品的器件被嚴(yán)重?fù)p壞，功能喪失。而潛在性損傷指的是電子產(chǎn)品的器件部分被損，潛在性損傷會(huì)使電子產(chǎn)品變得不穩(wěn)定因而對電子產(chǎn)品質(zhì)量構(gòu)成更大的危害。理論上解決ESD的方法為：防止ESD進(jìn)入電子產(chǎn)品的顯示面板(英文：Panel)，因此，需要在Panel內(nèi)形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)，使得外部靜電電荷無法進(jìn)入panel內(nèi)。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板通過在顯示基板的周邊區(qū)域形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)，在不增加任何成本的基礎(chǔ)上，提高了顯示基板的抗ESD能力，進(jìn)而提高了電子產(chǎn)品的抗ESD能力。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)可以參考下述各個(gè)實(shí)施例中的描述。

請參考圖2，其示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示基板20的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖2，該顯示基板20包括：襯底基板200。

襯底基板200上設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路201和靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路201與襯底基板200的側(cè)面(圖2中未標(biāo)出)之間，且靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的厚度大于驅(qū)動(dòng)電路201的厚度。

綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板，由于顯示基板包括襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的驅(qū)動(dòng)電路和靜電屏蔽結(jié)構(gòu)，且靜電屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路與襯底基板的側(cè)面之間，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的厚度大于驅(qū)動(dòng)電路的厚度，因此，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)更容易發(fā)生尖端放電，從而保護(hù)了驅(qū)動(dòng)電路，解決了相關(guān)技術(shù)中顯示基板的抗靜電能力較差的問題，達(dá)到了提高顯示基板的抗靜電能力的效果。

請參考圖3，其示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種顯示基板20的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖3，該顯示基板20包括：襯底基板200，襯底基板200可以為透明基板，其具體可以是采用玻璃、石英、透明樹脂等具有一定堅(jiān)固性的導(dǎo)光且非金屬材料制成的基板。

襯底基板200上設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路201和靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路201與襯底基板200的側(cè)面(圖3中未標(biāo)出)之間，且靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的厚度大于驅(qū)動(dòng)電路201的厚度。其中，驅(qū)動(dòng)電路201可以為GOA電路、源極驅(qū)動(dòng)電路等，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202可以圍繞在驅(qū)動(dòng)電路201的外圍，本實(shí)用新型實(shí)施例對此不作限定。

可選地，襯底基板200上設(shè)置有相互絕緣的多個(gè)導(dǎo)電層，多個(gè)導(dǎo)電層中存在至少兩個(gè)導(dǎo)電層中的每個(gè)導(dǎo)電層中包括接地的接地圖案，該至少兩個(gè)導(dǎo)電層中的接地圖案堆積形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，襯底基板200包括顯示區(qū)域(圖3中未標(biāo)出)和周邊區(qū)域(圖3中未標(biāo)出)，至少兩個(gè)導(dǎo)電層中任意相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電層之間設(shè)置有絕緣層，任意相鄰的兩個(gè)導(dǎo)電層之間的絕緣層在襯底基板200上的正投影將襯底基板200的顯示區(qū)域覆蓋，且在至少兩個(gè)導(dǎo)電層中，每個(gè)導(dǎo)電層中的接地圖案在襯底基板200上的正投影位于襯底基板200的周邊區(qū)域內(nèi)。其中，周邊區(qū)域也即是非顯示區(qū)域，由于非顯示區(qū)域通常設(shè)置在顯示區(qū)域的周圍，因此，非顯示區(qū)域也可以稱為周邊區(qū)域，實(shí)際應(yīng)用中，非顯示區(qū)域可以用于布置信號(hào)線，所以，其又可以稱為周邊布線區(qū)域，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202設(shè)置在襯底基板200的周邊區(qū)域上，且靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202圍繞在驅(qū)動(dòng)電路201的外圍，本實(shí)用新型實(shí)施例對此不作限定。

可選地，如圖3所示，襯底基板200上設(shè)置有相互絕緣的多個(gè)導(dǎo)電層，該多個(gè)導(dǎo)電層包括：依次設(shè)置在襯底基板200的遮光層(圖3中未標(biāo)出)、柵極金屬層(圖3中未標(biāo)出)、源漏極金屬層(圖3中未標(biāo)出)、公共電極層(圖3中未標(biāo)出)和像素電極層(圖3中未標(biāo)出)，該多個(gè)導(dǎo)電層中包括接地的接地圖案的至少兩個(gè)導(dǎo)電層包括：遮光層、柵極金屬層和源漏極金屬層。其中，遮光層包括遮擋圖案2031和第一接地圖案2032，第一接地圖案2032接地且與遮擋圖案2031不接觸，柵極金屬層包括柵極2041、第二接地圖案2042和與柵極連接的柵線(圖3中未示出)，第二接地圖案2042接地且與柵極2041、柵線均不接觸，源漏極金屬層包括源極2051、漏極2052、第三接地圖案2053和與源極2051連接的數(shù)據(jù)線(圖3中未示出)，第三接地圖案2053接地且與源極2051、漏極2052、數(shù)據(jù)線均不接觸，公共電極層包括公共電極2061，像素電極層包括像素電極2071。第二接地圖案2042位于第一接地圖案2032上且將第一接地圖案2032部分覆蓋，第三接地圖案2053位于第二接地圖案2042上且將第二接地圖案2042部分覆蓋，第一接地圖案2032、第二接地圖案2042和第三接地圖案2053堆積形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202。其中，如圖3所示，第二接地圖案2042將第一接地圖案2032靠近襯底基板200的側(cè)面的部分覆蓋，第三接地圖案2053將第二接地圖案2042靠近襯底基板200的側(cè)面的部分覆蓋。需要說明的是，圖3是以第一接地圖案2032、第二接地圖案2042和第三接地圖案2053堆積形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202為例進(jìn)行說明的，實(shí)際應(yīng)用中，可以不設(shè)置第三接地圖案2053，由第一接地圖案2032和第二接地圖案2042堆積形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202，本實(shí)用新型實(shí)施例對此不做限定。

可選地，如圖4所示，襯底基板200上設(shè)置有相互絕緣的多個(gè)導(dǎo)電層，該多個(gè)導(dǎo)電層包括：依次設(shè)置在襯底基板200的遮光層(圖4中未標(biāo)出)、柵極金屬層(圖4中未標(biāo)出)、源漏極金屬層(圖4中未標(biāo)出)、公共電極層(圖4中未標(biāo)出)和像素電極層(圖4中未標(biāo)出)，該多個(gè)導(dǎo)電層中的每個(gè)導(dǎo)電層中均包括接地圖案，其中，遮光層包括遮擋圖案2031和第一接地圖案2032，第一接地圖案2032接地且與遮擋圖案2031不接觸，柵極金屬層包括柵極2041、第二接地圖案2042和與柵極連接的柵線(圖4中未示出)，第二接地圖案2042接地且與柵極2041、柵線都不接觸，源漏極金屬層包括源極2051、漏極2052、第三接地圖案2053和與源極2051連接的數(shù)據(jù)線(圖4中未示出)，第三接地圖案2053接地且與源極2051、漏極2052和數(shù)據(jù)線均不接觸，公共電極層包括公共電極2061和第四接地圖案2062，第四接地圖案2062接地且與公共電極2061不接觸，像素電極層包括像素電極2071和第五接地圖案2072，第五接地圖案2072接地且與像素電極2071不接觸。第二接地圖案2042位于第一接地圖案2032上且將第一接地圖案2032部分覆蓋，第三接地圖案2053位于第二接地圖案2042上且將第二接地圖案2042部分覆蓋，第四接地圖案2062位于第三接地圖案2053上且將第三接地圖案2053部分覆蓋，第五接地圖案2072位于第四接地圖案2062上且將第四接地圖案2062部分覆蓋，第一接地圖案2032、第二接地圖案2042、第三接地圖案2053、第四接地圖案2062和第五接地圖案2072堆積形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202。其中，如圖4所示，第二接地圖案2042將第一接地圖案2032靠近襯底基板200的側(cè)面的部分覆蓋，第三接地圖案2053將第二接地圖案2042靠近襯底基板200的側(cè)面的部分覆蓋，第四接地圖案2062將第三接地圖案2053靠近襯底基板200的側(cè)面的部分覆蓋，第五接地圖案2072將第四接地圖案2062靠近襯底基板200的側(cè)面的部分覆蓋。需要說明的是，圖4是以第一接地圖案2032、第二接地圖案2042、第三接地圖案2053、第四接地圖案2062和第五接地圖案2072堆積形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202為例進(jìn)行說明的，實(shí)際應(yīng)用中，可以不設(shè)置第五接地圖案2072，由第一接地圖案2032、第二接地圖案2042、第三接地圖案2053和第四接地圖案2062堆積形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202，本實(shí)用新型實(shí)施例對此不做限定。

可選地，如圖5所示，其示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種顯示基板20的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖5，第二接地圖案2042將第一接地圖案2032的中心部分覆蓋，第三接地圖案2053將第二接地圖案2042的中心部分覆蓋，第四接地圖案2062將第三接地圖案2053的中心部分覆蓋，第五接地圖案2072將第四接地圖案2062的中心部分覆蓋。

可選地，在圖3至圖5所示的顯示基板20中，遮光層與柵極金屬層之間設(shè)置有第一絕緣層208，柵極金屬層與源漏極金屬層之間設(shè)置有第二絕緣層209，源漏極金屬層與公共電極層之間設(shè)置有第三絕緣層210，公共電極層與像素電極層之間設(shè)置有第四絕緣層211，第三絕緣層210和第四絕緣層211上形成有相互連通的過孔(圖3至圖5均未標(biāo)出)，像素電極2071通過過孔與漏極2052連接。

可選地，如圖3至圖5所示，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的一端為尖端，具體地，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202遠(yuǎn)離襯底基板200的一端為尖端。其中，將靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202遠(yuǎn)離襯底基板200的一端設(shè)置為尖端后，根據(jù)尖端放電效應(yīng)，該靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202可以優(yōu)先對靜電進(jìn)行釋放，從而可以保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路201。需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例是以靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的一端為尖端為例進(jìn)行說明的，實(shí)際應(yīng)用中，由于各個(gè)導(dǎo)電層的接地圖案都具有一定的寬度，因此，由接地圖案堆積形成的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202實(shí)際上可以是如圖3至圖5所示的凸臺(tái)狀結(jié)構(gòu)，但是由于凸臺(tái)狀結(jié)構(gòu)的上下底面面積不相等，因而面積較小的一端可以類比成尖端。

可選地，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的縱截面為三角形，該靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的縱截面與該靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的厚度方向d平行。需要說明的是，如圖3是圖5所示，本實(shí)用新型實(shí)施例中，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的縱截面實(shí)際上可以為梯形，且梯形的腰為折線，但是靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的縱截面可以類比成三角形，三角形具有尖端，使得靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的一端為尖端，從而便于靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202對靜電進(jìn)行釋放。示例地，請參考圖6，其示出了圖4所示的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202及其類比圖，參見圖6，通過類比，圖4所示的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的縱截面可以為直角三角形，該直角三角形的第一直角邊(圖6中未標(biāo)出)與襯底基板(圖6中未標(biāo)出)的板面平行，具體地，該第一直角邊可以位于襯底基板的板面上，該直角三角形的第二直角邊靠近襯底基板的邊沿(圖6中未標(biāo)出)，且第一直角邊與所述邊沿垂直。示例地，請參考圖7，其示出了圖5所示的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202及其類比圖，參見圖7，通過類比，圖5所示的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的縱截面為等腰三角形，該等腰三角形的底邊與襯底基板的板面平行，具體地，該等腰三角形的底邊可以位于襯底基板的板面上，且等腰三角形的底邊與襯底基板靠近靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的邊沿(圖7中未標(biāo)出)垂直。

請參考圖8，其示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板與相關(guān)技術(shù)提供的顯示基板的對比圖，其中，圖8中的左半部分為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板，右半部分為相關(guān)技術(shù)提供的顯示基板，從A-A部位和B-B部位的截圖看以看出，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的厚度大于相關(guān)技術(shù)提供的遮光層(相關(guān)技術(shù)采用遮光層防靜電)的厚度，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202更容易對靜電進(jìn)行釋放，使得本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板具有更好的抗靜電能力。示例地，如圖9所示，其示出了本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板與相關(guān)技術(shù)提供的顯示基板的防靜電對比圖，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202的厚度大于驅(qū)動(dòng)電路201的厚度，在外界靜電進(jìn)入顯示基板的過程中，根據(jù)尖端放電效應(yīng)，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)202能夠更好的對靜電進(jìn)行釋放，從而保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路201；而相關(guān)技術(shù)提供的顯示基板的GOA電路011的厚度大于遮光層002的厚度，在外界靜電進(jìn)入顯示基板的過程中，根據(jù)尖端放電效應(yīng)，靜電先進(jìn)入GOA電路011，可能導(dǎo)致GOA電路011被擊穿。

需要說明的是，在形成顯示裝置時(shí)，需要在顯示基板的襯底基板的周邊區(qū)域設(shè)置封框膠，且封框膠位于靜電屏蔽結(jié)構(gòu)與襯底基板的側(cè)面之間，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)通常與軟性線路板(英文：Flexible Printed Circuit；簡稱：FPC)連接，而FPC與GND連接，也即是，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)通過FPC接地。請參考圖10和圖11，其分別示出了相關(guān)技術(shù)中的顯示基板的靜電釋放路徑圖和本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板的靜電釋放路徑圖，該圖10和圖11均以ESD槍產(chǎn)生靜電，且以產(chǎn)生的靜電大于6kv(中文：千伏)為例來說明。參見圖10，相關(guān)技術(shù)中，ESD槍產(chǎn)生的靜電依次經(jīng)過封框膠和LS層之后，一部分到達(dá)FPC，并通過FPC到達(dá)GND，GND可以對靜電進(jìn)行釋放使到達(dá)GND的靜電的電壓為0v，另一部分到達(dá)GOA，并通過GOA到達(dá)產(chǎn)品。如圖11所示，其中，P-ITO指代靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的第五接地圖案，C-ITO指代靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的第四接地圖案，SD指代靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的第三接地圖案，Gate指代靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的第二接地圖案，LS指代靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的第一接地圖案，且P-ITO、C-ITO、SD、Gate和LS均與GND連接。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，ESD槍產(chǎn)生的靜電經(jīng)過封框膠之后，依次經(jīng)過P-ITO、C-ITO、SD、Gate和LS，之后，一部分到達(dá)FPC，并通過FPC到達(dá)GND，GND可以對靜電進(jìn)行釋放使到達(dá)GND的靜電的電壓為0v，另一部分到達(dá)GOA，并通過GOA到達(dá)產(chǎn)品。其中，圖10和圖11中的GOA即是GOA電路，產(chǎn)品可以為顯示基板，對比圖10和圖11可知，本實(shí)用新型實(shí)施例中，靜電需要經(jīng)過5層(P-ITO、C-ITO、SD、Gate和LS)接地圖案才能到達(dá)GOA電路，在靜電傳輸過程中，P-ITO、C-ITO、SD、Gate和LS可以對靜電進(jìn)行消耗，并且由于ITO和SD形成材料的限制，C-ITO和SD接觸電阻很大，使得靜電在傳輸?shù)倪^程中大量消耗，從而通過圖11所示的靜電釋放路徑到達(dá)GOA的靜電的能量遠(yuǎn)小于通過圖10所示的靜電釋放路徑到達(dá)GOA的靜電的能量，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板可以對GOA進(jìn)行保護(hù)，抗靜電能力較好，降低顯示基板失效的風(fēng)險(xiǎn)。

還需要說明的是，在圖3至圖5所示的顯示基板20中，遮光層和柵極金屬層均可以采用金屬M(fèi)o(中文：鉬)制作，源漏極金屬層可以包括三個(gè)子金屬層，源漏極金屬層的三個(gè)子金屬層從靠近柵極金屬層到遠(yuǎn)離柵極金屬層依次采用金屬Ti(中文：鈦)、金屬Al(中文：鋁)和金屬Ti制作，公共電極層和像素電極層均可以采用氧化銦錫(英文：Indium Tin Oxide；簡稱：ITO)、氧化銦鋅(英文：Indium zinc oxide；簡稱：IZO)等半導(dǎo)體氧化物制作，當(dāng)采用ITO制作公共電極層和像素電極層時(shí)，公共電極又可以稱為C-ITO(C為Common的縮寫，Common的中文為公共)，像素電極又可以稱為C-ITO(P為Pixel的縮寫，Pixel的中文為像素)，絕緣層(第一絕緣層208、第二絕緣層209、第三絕緣層210和第四絕緣層211)可以采用氧化硅、氮化硅、氧化鋁等無機(jī)材料制作。本實(shí)用新型實(shí)施例通過采用ITO制作公共電極層，采用Ti/Al/Ti制作源漏極金屬層，提高了公共電極層與源漏極金屬層之間的接觸電阻，使得公共電極層與源漏極金屬層能夠更好的對靜電進(jìn)行消耗。本實(shí)用新型實(shí)施例中，在制作上述金屬層、子金屬層或絕緣層時(shí)，都可以先采用相應(yīng)的材料形成材質(zhì)層，然后通過一次構(gòu)圖工藝對材質(zhì)層進(jìn)行處理得到相應(yīng)的金屬層、子金屬層或絕緣層。其中，一次構(gòu)圖工藝包括：光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。示例地，以形成遮光層為例，可以采用涂覆、磁控濺射、熱蒸發(fā)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；簡稱：PECVD)等方法在襯底基板200上沉積一層金屬M(fèi)o材料，得到金屬M(fèi)o材質(zhì)層，然后在金屬M(fèi)o材質(zhì)層上涂覆一層光刻膠，然后采用掩膜版對光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成完全曝光區(qū)和非曝光區(qū)，之后采用顯影工藝進(jìn)行處理，使完全曝光區(qū)的光刻膠被去除，非曝光區(qū)的光刻膠保留，之后對完全曝光區(qū)在金屬M(fèi)o材質(zhì)層上的對應(yīng)區(qū)域進(jìn)行刻蝕，刻蝕完畢后剝離非曝光區(qū)的光刻膠即可得到遮光層。需要說明的是，此處是以采用正性光刻膠形成遮光層為例進(jìn)行說明的，實(shí)際應(yīng)用中，還可以采用負(fù)性光刻膠形成遮光層，且本實(shí)用新型實(shí)施例是以形成遮光層為例進(jìn)行說明的，其他各個(gè)導(dǎo)電層和絕緣層的形成過程可以參考遮光層的形成過程，本實(shí)用新型實(shí)施例在此不再贅述。

需要說明的是，對比圖1以及圖2至圖5，相關(guān)技術(shù)(圖1)采用LS層進(jìn)行防靜電，該LS層為平面結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型(圖2至圖5)采用各個(gè)導(dǎo)電層中的接地圖案堆積形成的靜電屏蔽結(jié)構(gòu)防靜電，該靜電屏蔽結(jié)構(gòu)為三維立體結(jié)構(gòu)，且呈現(xiàn)“堡壘”狀，本實(shí)用新型實(shí)施例將平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變成三維立體結(jié)構(gòu)，提高了顯示基板的抗ESD能力。

綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板，由于顯示基板包括襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的驅(qū)動(dòng)電路和靜電屏蔽結(jié)構(gòu)，且靜電屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路與襯底基板的側(cè)面之間，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的厚度大于驅(qū)動(dòng)電路的厚度，因此，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)更容易發(fā)生尖端放電，從而保護(hù)了驅(qū)動(dòng)電路，解決了相關(guān)技術(shù)中顯示基板的抗靜電能力較差的問題，達(dá)到了提高顯示基板的抗靜電能力的效果。

本實(shí)用新型實(shí)施例通過優(yōu)化GND保護(hù)電路的圖形(GND保護(hù)電路的圖形也即是靜電屏蔽結(jié)構(gòu))，達(dá)到了防止ESD損傷顯示基板的技術(shù)效果，從而解決了產(chǎn)品信賴性中ESD測試NG(NG可以理解用例完全沒法通過，相當(dāng)于一般意義上的測試結(jié)果失敗)的技術(shù)問題。

本實(shí)用新型實(shí)施例可以采用形成遮光層、柵極金屬層、源漏極金屬層、公共電極層和像素電極層的Mask(英文：構(gòu)圖工藝)形成各個(gè)導(dǎo)電層中的接地圖案，進(jìn)而形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例無需增加Mask和工序，也不會(huì)降低產(chǎn)能，并且達(dá)到了抗ESD的效果。

本實(shí)用新型實(shí)施例通過GND布線(靜電屏蔽結(jié)構(gòu))從二維轉(zhuǎn)化為三維形成了一個(gè)類似“尖端導(dǎo)電”的屏蔽“堡壘”，利用周邊高出來的結(jié)構(gòu)，來引導(dǎo)靜電從垂直與顯示基板的方向消散，防止橫向(平行于顯示基板板面的方向)ESD釋放導(dǎo)致產(chǎn)品NG，提高產(chǎn)品抗ESD效果。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示基板，通過各個(gè)導(dǎo)電層中的接地圖案堆積形成靜電屏蔽結(jié)構(gòu)，該靜電屏蔽結(jié)構(gòu)可以類比成直角三角形或等腰三角形，且該靜電屏蔽結(jié)構(gòu)圍繞在驅(qū)動(dòng)電路的外圍形成如“堡壘”的般靜電屏蔽層，保證在進(jìn)行ESD測試時(shí)靜電無法進(jìn)入顯示基板內(nèi)部損傷驅(qū)動(dòng)電路。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括圖2至圖5任一所示的顯示基板，該顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示裝置，由于顯示基板包括襯底基板以及設(shè)置在襯底基板上的驅(qū)動(dòng)電路和靜電屏蔽結(jié)構(gòu)，且靜電屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路與襯底基板的側(cè)面之間，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)的厚度大于驅(qū)動(dòng)電路的厚度，因此，靜電屏蔽結(jié)構(gòu)更容易發(fā)生尖端放電，從而保護(hù)了驅(qū)動(dòng)電路，解決了相關(guān)技術(shù)中顯示基板的抗靜電能力較差的問題，達(dá)到了提高顯示基板的抗靜電能力的效果，進(jìn)而提高了顯示裝置的抗靜電能力。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。