本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低溫多晶硅)陣列基板在高端手機、平板電腦上已獲得廣泛應(yīng)用，IPHONE 6S手機、LG G5手機、Kindle Fire Hdx平板電腦等產(chǎn)品均使用LTPS顯示陣列基板。LTPS陣列基板制造過程復(fù)雜，陣列基板制造過程中的易受靜電擊傷(ESD)的影響，增強LTPS陣列基板抗靜電擊傷能力對于提升陣列基板良率及降低陣列基板制造成本意義重大。

目前，陣列基板的制作，是先在一塊較大的基板上形成多個間隔開來的陣列基板的結(jié)構(gòu)，然后根據(jù)設(shè)置的切割線將其逐個切割，得到多個陣列基板。LTPS陣列基板下方常會設(shè)置測試襯墊以便及時報廢不良的陣列基板，測試襯墊離陣列基板切割線距離較近，陣列基板切割時產(chǎn)生的靜電容易通過測試襯墊傳入陣列基板內(nèi)部而引起其失效。

如圖2所示，為目前常見的LTPS陣列基板的結(jié)構(gòu)設(shè)計，可用于在生產(chǎn)時測試陣列基板的狀態(tài)。該LTPS陣列基板包括顯示區(qū)域10和非顯示區(qū)域40、陣列測試電路20、行掃描驅(qū)動電路30(Gate on Array,GOA)、訊號引出電路50、IC電路60(即集成電路)和測試襯墊70。如圖2所示，測試襯墊70離陣列基板下邊緣較近，陣列基板在切割時產(chǎn)生的靜電容易通過測試襯墊70傳入陣列基板內(nèi)部而引起陣列基板的損傷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，在切割陣列基板時，陣列基板切割時產(chǎn)生的靜電容易通過測試襯墊傳入陣列基板內(nèi)部進而導(dǎo)致陣列基板失效的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種陣列基板，包括一基板本體，所述基板本體包括位于中部的顯示區(qū)域及位于所述顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域；

其中，在所述顯示區(qū)域下方的所述非顯示區(qū)域上設(shè)有訊號引出電路，所述訊號引出電路的一端連接有多個間隔排列的測試襯墊，所述多個測試襯墊設(shè)于所述基板本體的下邊緣；

其中，在所述陣列基板被切割成型之前，每個所述測試襯墊下方對應(yīng)處設(shè)有防靜電金屬線，每條所述防靜電金屬線連接于所述基板本體之外的金屬環(huán)線，所述防靜電金屬線與所述測試襯墊不相連。

優(yōu)選地，所述防靜電金屬線與所述測試襯墊相對的一端設(shè)有靜電防護結(jié)構(gòu)，所述靜電防護結(jié)構(gòu)用于遮擋所述測試襯墊的下端面。

優(yōu)選地，所述靜電防護結(jié)構(gòu)為多層金屬結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述訊號引出電路下方設(shè)有IC電路，所述IC電路與所述測試襯墊相鄰設(shè)置。

優(yōu)選地，位于所述顯示區(qū)域上方的非顯示區(qū)域上設(shè)有陣列測試電路，所述陣列測試電路設(shè)于所述基板本體的上邊緣。

優(yōu)選地，所述顯示區(qū)域兩邊對應(yīng)的所述非顯示區(qū)域分別設(shè)有行掃描驅(qū)動電路。

優(yōu)選地，在所述陣列基板被切割成型之前，所述防靜電金屬線與所述金屬環(huán)線由同一步驟制成。

優(yōu)選地，在所述陣列基板被切割成型之前，對所述防靜電金屬線與基板進行切割時，切割產(chǎn)生的一部分靜電被所述靜電防護結(jié)構(gòu)攔截，另一部分靜電經(jīng)由所述防靜電金屬線導(dǎo)出至所述金屬環(huán)線。

一種顯示裝置，其包括一陣列基板，所述陣列基板包括一基板本體，所述基板本體包括位于中部的顯示區(qū)域及位于所述顯示區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域；

其中，在所述顯示區(qū)域下方的所述非顯示區(qū)域上設(shè)有訊號引出電路，所述訊號引出電路的一端連接有多個間隔排列的測試襯墊，所述多個測試襯墊設(shè)于所述基板本體的下邊緣；

其中，在所述陣列基板被切割成型之前，每個所述測試襯墊下方對應(yīng)處設(shè)有防靜電金屬線，每條所述防靜電金屬線連接于所述基板本體之外的金屬環(huán)線，所述防靜電金屬線與所述測試襯墊不相連。

優(yōu)選地，所述防靜電金屬線與所述測試襯墊相對的一端設(shè)有靜電防護結(jié)構(gòu)，所述靜電防護結(jié)構(gòu)用于遮擋所述測試襯墊的下端面。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明的一種陣列基板及顯示裝置，通過在所述陣列基板被切割成型之前，在每個所述測試襯墊下方對應(yīng)處設(shè)置防靜電金屬線，并使每條所述防靜電金屬線連接于所述基板本體之外的金屬環(huán)線，所述防靜電金屬線與所述測試襯墊不相連，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，在切割陣列基板時，陣列基板切割時產(chǎn)生的靜電容易通過測試襯墊傳入陣列基板內(nèi)部進而導(dǎo)致陣列基板失效的問題。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明實施例的一種陣列基板的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)的一種陣列基板的整體結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。

實施例一

請參考圖1，圖1本實施例的一種陣列基板的整體結(jié)構(gòu)示意圖。從圖1可以看到，本發(fā)明的一種陣列基板，在本實施例中為LTPS陣列基板，其包括一基板本體，所述基板本體包括位于中部的顯示區(qū)域1及位于所述顯示區(qū)域1周圍的非顯示區(qū)域4。

其中，在所述顯示區(qū)域1下方的所述非顯示區(qū)域4上設(shè)有訊號引出電路5，所述訊號引出電路5的一端連接有多個間隔排列的測試襯墊7，所述多個測試襯墊7設(shè)于所述基板本體的下邊緣。

其中，在所述陣列基板被切割成型之前，每個所述測試襯墊7下方對應(yīng)處設(shè)有防靜電金屬線8，每條所述防靜電金屬線8連接于所述基板本體之外的金屬環(huán)線9，所述防靜電金屬線8與所述測試襯墊7不相連。

在本實施例中，所述防靜電金屬線8與所述測試襯墊7相對的一端設(shè)有靜電防護結(jié)構(gòu)81，所述靜電防護結(jié)構(gòu)81用于遮擋所述測試襯墊7的下端面。所述靜電防護結(jié)構(gòu)81如同一個半包圍圈，將測試襯墊7面向防靜電金屬線8的一端包圍起來，將流向測試襯墊7的靜電攔截住。

在本實施例中，優(yōu)選所述靜電防護結(jié)構(gòu)81為多層金屬結(jié)構(gòu)，這種更多層金屬結(jié)構(gòu)可以保證將靜電完全攔截住，猶如層疊的多張網(wǎng)一樣，攔截作用會更大。

在本實施例中，所述訊號引出電路5下方設(shè)有IC電路6，所述IC電路6與所述測試襯墊7相鄰設(shè)置。

在本實施例中，位于所述顯示區(qū)域1上方的非顯示區(qū)域4上設(shè)有陣列測試電路2，所述陣列測試電路2設(shè)于所述基板本體的上邊緣。

在本實施例中，所述顯示區(qū)域1兩邊對應(yīng)的所述非顯示區(qū)域4分別設(shè)有行掃描驅(qū)動電路3，用于驅(qū)動顯示區(qū)域1里面的柵極線。

在本實施例中，在所述陣列基板被切割成型之前，所述防靜電金屬線8與所述金屬環(huán)線9由同一步驟制成。這樣可以節(jié)省制作步驟，節(jié)約制作成本。

在本實施例中，在所述陣列基板被切割成型之前，對所述防靜電金屬線8與基板進行切割時，切割產(chǎn)生的一部分靜電被所述靜電防護結(jié)構(gòu)81攔截，另一部分靜電經(jīng)由所述防靜電金屬線8導(dǎo)出至所述金屬環(huán)線9。

本發(fā)明也可用于陣列基板下部IC電路6的防靜電設(shè)計，即在IC電路6的下方與切割線之間也設(shè)置防靜電金屬線8，以保護IC電路6不受靜電的損傷。

本發(fā)明的防靜電金屬線8和金屬環(huán)線9可通過成熟的曝光制作金屬圖形的方法來制備，并不需要額外的步驟。首先，對防靜電金屬線8和金屬環(huán)線9對應(yīng)的光罩(mask)做出改動，光罩上其它圖形不變，但額外定義出防靜電金屬線8和金屬環(huán)線9對應(yīng)的圖形。然后，在LTPS面板制作過程中，用新光罩對覆蓋有金屬層及光阻層(可分別通過PVD薄膜沉積及印刷來制備)的玻璃基板進行曝光，將光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到光阻上。然后，進行顯影、定影、光阻刻蝕，將未曝光的光阻刻蝕掉，在光阻上形成包含有防靜電金屬線8和金屬環(huán)線9形狀的圖形。在此之后，通過等離子刻蝕去除玻璃基板表面未被光阻覆蓋區(qū)的金屬，從而將光阻上的圖形轉(zhuǎn)移到金屬層上。此步驟完成后，蝕刻去除金屬上的剩余光阻，保留已形成圖形的金屬，面板內(nèi)的金屬線、防靜電金屬線8和金屬環(huán)線9可同時形成。

本發(fā)明的一種陣列基板，通過在其被切割成型之前，在每個所述測試襯墊7下方對應(yīng)處設(shè)置防靜電金屬線8，所述防靜電金屬線8設(shè)置于測試襯墊7和陣列基板的切割線之間，并連接到陣列基板外部的金屬環(huán)線9。切割陣列基板時，在測試襯墊7附近產(chǎn)生的靜電可通過防靜電金屬線8傳至金屬環(huán)線9而釋放出，因此可以減小測試襯墊7受靜電損傷的機率。解決了現(xiàn)有技術(shù)中，在切割陣列基板時，陣列基板切割時產(chǎn)生的靜電容易通過測試襯墊7傳入陣列基板內(nèi)部進而導(dǎo)致陣列基板失效的問題。

實施例二

本實施提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括一實施例一所述的陣列基板，該陣列基板已經(jīng)在實施例一中進行了詳細(xì)的說明，在此不再重復(fù)說明。

本發(fā)明的一種顯示裝置，該顯示裝置通過在陣列基板被切割成型之前，在每個所述測試襯墊7下方對應(yīng)處設(shè)置防靜電金屬線8，所述防靜電金屬線8設(shè)置于測試襯墊7和陣列基板的切割線之間，并連接到陣列基板外部的金屬環(huán)線9。切割陣列基板時，在測試襯墊7附近產(chǎn)生的靜電可通過防靜電金屬線8傳至金屬環(huán)線9而釋放出，因此可以減小測試襯墊7受靜電損傷的機率。解決了現(xiàn)有技術(shù)中，在切割陣列基板時，陣列基板切割時產(chǎn)生的靜電容易通過測試襯墊7傳入陣列基板內(nèi)部進而導(dǎo)致陣列基板失效的問題。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。