本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體是指一種顯示面板及其陣列基板。

背景技術：

液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有機身薄、省電、無輻射、壽命長等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用。如：液晶電視、智能手機、數(shù)字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等等，在平板顯示領域中占主導地位。

通常的液晶屏，柵極電路驅動芯片(Gate Driver)設置在玻璃基板的外部，為了簡化顯示面板的設計，柵極電路驅動芯片放在玻璃基板內部，稱為Gate On Array(簡稱GOA)設計。一般情況下，GOA設計中，通過陣列布線(Wire On Array，簡稱WOA)將左右側的GOA與上側或者下側的驅動芯片電連接，通常采用單層金屬走線，單層金屬走線對于高度致密與復雜的GOA電路來說，容易導致進入GOA電路的電流過大，使GOA電路之間的跨線或者尖端部容易炸傷，從而導致斷路和短路。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種顯示面板及其陣列基板，以解決現(xiàn)有技術中GOA設計采用WOA單層金屬走線，容易導致進入GOA電路的電流過大，使GOA電路之間的跨線或者尖端部容易炸傷，導致斷路和短路的技術問題。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板包括顯示區(qū)和外圍布線區(qū)，其中，

所述顯示區(qū)包括多個以矩陣方式排列的子像素電極、與每一行所述子像素電極對應設置的掃描線以及與每一列所述子像素電極對應設置的數(shù)據(jù)線；

所述外圍布線區(qū)設置有與每一行所述掃描線對應設置的柵極驅動電路和與每一列所述數(shù)據(jù)線對應設置的數(shù)據(jù)驅動線，所述柵極驅動電路和所述數(shù)據(jù)驅動線均電連接至驅動芯片的覆晶薄膜封裝區(qū)，每一條所述柵極驅動電路電連接至所述覆晶薄膜封裝區(qū)的陣列布線設置在不同金屬層，從而提高所述陣列基板的靜電防護能力。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，每一條所述陣列布線連接所述柵極驅動電路的起點和連接所述覆晶薄膜封裝區(qū)的終點設置在同一金屬層。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述不同金屬層包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層和所述第二金屬層的陣列布線的長度范圍均大于100μm。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述第一金屬層和所述第二金屬層的陣列布線通過柵極絕緣層的通孔電連接。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述通孔的直徑等于所述陣列布線的寬度。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述陣列布線的寬度范圍為10-30μm。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述第一金屬層包括多個第一金屬段，所述第二金屬層包括多個第二金屬段，所述多個第一金屬段與對應的所述多個第二金屬段電連接。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述陣列布線進一步劃分為第一陣列布線區(qū)和第二陣列布線區(qū)，所述第一陣列布線區(qū)的多個所述第一金屬段與所述第二陣列布線區(qū)的多個所述第一金屬段間隔設置在同一層。

根據(jù)本發(fā)明一實施例，相鄰所述陣列布線的距離范圍為10-30μm。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的另一個技術方案是：提供一種顯示面板，所述顯示面板包括殼體和上述所述的陣列基板，其中，所述陣列基板包括顯示區(qū)和外圍布線區(qū)，其中，

所述顯示區(qū)包括多個以矩陣方式排列的子像素電極、與每一行所述子像素電極對應設置的掃描線以及與每一列所述子像素電極對應設置的數(shù)據(jù)線；

所述外圍布線區(qū)設置有與每一行所述掃描線對應設置的柵極驅動電路和與每一列所述數(shù)據(jù)線對應設置的數(shù)據(jù)驅動線，所述柵極驅動電路和所述數(shù)據(jù)驅動線均電連接至驅動芯片的覆晶薄膜封裝區(qū)，每一條所述柵極驅動電路電連接至所述覆晶薄膜封裝區(qū)的陣列布線設置在不同金屬層，從而提高所述陣列基板的靜電防護能力。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術的情況，本發(fā)明提供的陣列基板由于設有設置在不同金屬層的陣列布線，延長了陣列布線的長度，提高陣列布線的的阻抗，從而減少輸入柵極驅動電路的電流，減少柵極驅動電路炸傷的幾率，從而提高陣列基板的靜電防護能力。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖，其中：

圖1是本發(fā)明提供的陣列基板第一實施例的結構示意圖；

圖2是本發(fā)明第一實施例中不同金屬層的陣列布線的剖面結構示意圖；

圖3是本發(fā)明提供的陣列基板第二實施例的結構示意圖；

圖4是本發(fā)明提供的陣列基板第三實施例的結構示意圖；

圖5是本發(fā)明第三實施例中不同金屬層的陣列布線的剖面結構示意圖；

圖6是本發(fā)明提供的顯示面板一實施例的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

請一并參閱圖1和圖2，圖1是本發(fā)明提供的陣列基板第一實施例的結構示意圖，圖2是本發(fā)明第一實施例中不同金屬層的陣列布線的剖面結構示意圖。

如圖1所示，該陣列基板100陣列基板包括顯示區(qū)101和外圍布線區(qū)102，外圍布線區(qū)102設置在顯示區(qū)101的周邊或者四周，在本發(fā)明示例中，外圍布線區(qū)102設置在顯示區(qū)101的左側和上側。

其中，顯示區(qū)101包括多個以矩陣方式排列的子像素電極110、與每一行子像素電極110對應設置的掃描線130以及與每一列子像素電極110對應設置的數(shù)據(jù)線150。

外圍布線區(qū)102設置有與每一行掃描線130對應設置的柵極驅動電路120和與每一列數(shù)據(jù)線150對應設置的數(shù)據(jù)驅動線140，柵極驅動電路120和數(shù)據(jù)驅動線140均電連接至驅動芯片的覆晶薄膜封裝區(qū)160，每一條柵極驅動電路120電連接至覆晶薄膜封裝區(qū)160的陣列布線170設置在不同金屬層180(見圖2)，在本實施例的示例中，虛線與實線不屬于同一金屬層，從而提高陣列基板100的靜電防護能力。

本發(fā)明提供的陣列基板100由于設有設置在不同金屬層180的陣列布線170，延長了陣列布線170的長度，提高陣列布線170的的阻抗，從而減少輸入柵極驅動電路120的電流，減少柵極驅動電路120炸傷的幾率，從而提高陣列基板100的靜電防護能力。

請一并參見圖2，為了方便理解，以不同金屬層陣列布線的剖面圖為示例進行說明，不同金屬層180包括第一金屬層181、第二金屬層182以及隔絕第一金屬層181和第二金屬層182的絕緣層183，絕緣層183是至少一層含有絕緣材料的絕緣層，即可以是多層絕緣層，也可以是一層絕緣層。絕緣層的材料可選為環(huán)氧樹脂。

陣列布線170包括起點171和終點173，還包括第一金屬層181的第一陣列布線172和第二金屬層182的第二陣列布線174。其中，每一條陣列布線170連接柵極驅動電路120的起點171和連接覆晶薄膜封裝區(qū)160的終點173設置在同一金屬層，可以是第一金屬層181，也可以是第二金屬層182。且第一金屬層181的第一陣列布線172和第二金屬層182的第二陣列布線172的長度范圍均大于100μm，可選的長度為200μm、300μm或者350μm等等，實際應用例中可以依據(jù)具體的陣列基板尺寸進行調整。

在本實施例的示例中，隔絕第一金屬層181和第二金屬層182的絕緣層183為柵極絕緣層，柵極絕緣層183上設有通孔，第一金屬層181的第一陣列布線172和第二金屬層182的第二陣列布線174通過柵極絕緣層183的通孔184電連接。通孔184的直徑可以大于、小于或者等于陣列布線170的寬度，可選的，通孔184的直徑等于陣列布線170的寬度。其中，陣列布線170的寬度范圍為10-30μm；進一步的，陣列布線170的寬度范圍為15-25μm；可選的，陣列布線170的寬度為20μm。且相鄰陣列布線170的距離范圍為10-30μm；進一步的，相鄰陣列布線170的距離范圍為15-25μm；可選的，相鄰陣列布線170的距離為20μm。

本實施例的示例中，多個第一陣列布線172和多個第二陣列布線174設置在陣列布線170的彎角處，在其他直線處也均可采用不同金屬層的陣列布線170，具體的，在起點171和終點173之間的陣列布線均可以設置在不同金屬層，且還可以進行多段設計，詳細內容參見下文，此處不再贅述。

請參閱圖3，圖3本發(fā)明提供的陣列基板第二實施例的結構示意圖。

如圖3所示，為了方便理解，以不同金屬層陣列布線的剖面圖為示例進行說明，本實施例的結構與第一實施例的結構基本相同，陣列布線270進一步劃分為第一陣列布線區(qū)203和第二陣列布線區(qū)204，其中，第一陣列布線區(qū)203的多個第一陣列布線272與第二陣列布線區(qū)204的多個第一陣列布線272間隔設置在同一層；同理，第一陣列布線區(qū)203的多個第二陣列布線274與第二陣列布線區(qū)204的多個第二陣列布線274間隔設置在同一層。

請一并參閱圖4和圖5，圖4本發(fā)明提供的陣列基板第二實施例的結構示意圖，圖5是本發(fā)明第三實施例中不同金屬層的陣列布線的剖面結構示意圖。

如圖5所示，為了方便理解，以不同金屬層陣列布線的剖面圖為示例進行說明，本實施例的結構與第一實施例的結構基本相同，不同的是第一金屬層381包括多個第一金屬段3701、第一金屬段3702，即第一陣列布線372；第二金屬層382包括多個第二金屬段3703、第二金屬段3704，即第二陣列布線374；多個第一金屬段與對應的多個第二金屬段電連接。其中，第一金屬段3701和第一金屬段3702的長度可以相等或者不相等，且長度均大于100μm；同理，第二金屬段3703和第二金屬段3704的長度可以相等或者不相等，且長度均大于100μm。在本實施例的示例中，第一金屬層381包括兩個第一金屬段，在其他實施例中，可以三個、四個，或者更多，在此不一一贅述。

請一并參閱圖4，第一陣列布線區(qū)303的多個第一金屬段3701、第一金屬段3702設置在同一層，多個第二金屬段3703、第二金屬段3704設置在另一層(虛線表示)，其中，第二陣列布線區(qū)304的多個第一金屬段3701、第一金屬段3702與第一陣列布線區(qū)304的多個第一金屬段3701、第一金屬段3702間隔設置在同一層。本實施例的陣列基板由于設有設置在不同金屬層的多個第一金屬段3701和多個第二金屬段3703，進一步延長了陣列布線的長度，從而進一步提高陣列基板的靜電防護能力。

請參閱圖6，圖6是本發(fā)明提供的顯示面板一實施例的結構示意圖。

如圖6所示，該顯示面板10包括殼體11和上述的陣列基板，陣列基板設置在殼體11的內部。其中，陣列基板為上述的陣列基板100、陣列基板200或者陣列基板300。

其中，陣列基板100、陣列基板200或者陣列基板300的結構參見上文，此處不再贅述。

綜上所述，本領域技術人員容易理解，本發(fā)明提供的陣列基板由于設有設置在不同金屬層的陣列布線，延長了陣列布線的長度，提高陣列布線的的阻抗，從而減少輸入柵極驅動電路的電流，減少柵極驅動電路炸傷的幾率，從而提高陣列基板的靜電防護能力。

以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。