通過引用將2015年11月18日提交的題為“液晶顯示器設備”的韓國專利申請No.10-2015-0161496整體合并于此。

技術領域

這里描述的一個或多個實施例涉及液晶顯示器設備。

背景技術：

液晶顯示器(LCD)設備是最廣泛使用的平板顯示器的類型之一。LCD設備通常包括其上布置有電極的基板之間的液晶層。液晶層中的液晶分子基于施加到電極的電壓重新排列。液晶分子的重新排列調(diào)整穿透的光的量以顯示圖像。

在這樣的LCD中，一個像素可以包括獨立的子像素電極以增強可視性。具有不同電平的數(shù)據(jù)信號可以通過一條數(shù)據(jù)線施加到子像素電極。例如，數(shù)據(jù)信號可以未經(jīng)調(diào)制被施加到子像素電極之一上，并且數(shù)據(jù)信號可以被劃分并施加到其他子像素電極。該像素可以包括分壓器晶體管用于該目的。

然而，使用分壓器晶體管可能具有缺點。例如，分壓器晶體管可以占據(jù)像素區(qū)域的一部分，因而會降低像素的孔徑比。此外，數(shù)據(jù)線和存儲電極可以在分壓器晶體管接通時彼此電連接。因此，存儲電極的存儲電壓可能由于數(shù)據(jù)信號而改變。

技術實現(xiàn)要素：

根據(jù)一個或多個實施例，一種液晶顯示器設備包括：多個像素，像素中的至少一個包括：第一、第二、第三、和第四開關，連接到至少一條柵極線和至少一條數(shù)據(jù)線；第一子像素電極，連接到第一開關；第二子像素電極，連接到第二開關；第三子像素電極，連接到第三開關；第四子像素電極，連接到第四開關；第一電容器，連接在第一開關的柵極和源極之間；第二電容器，連接在第二開關的柵極和源極之間；第三電容器，連接在第三開關的柵極和源極之間；以及第四電容器，連接在第四開關的柵極和源極之間，并且其中第一、第二、第三、和第四電容器中的至少兩個具有彼此不同的電容值。

第一開關可以連接到柵極線、數(shù)據(jù)線、和第一子像素電極；第二開關可以連接到該柵極線、該數(shù)據(jù)線、和第二子像素電極；第三開關可以連接到該柵極線、該數(shù)據(jù)線、和第三子像素電極；而且第四開關可以連接到該柵極線、該數(shù)據(jù)線、和第四子像素電極。

第一電容器和第二電容器可以具有彼此不同的電容值，而且第三電容器和第四電容器可以具有彼此不同的電容值。第一電容器和第四電容器可以具有彼此相同的電容值，而且第二電容器和第三電容器可以具有彼此相同的電容值。

第二電容器的電容值可以大于第一電容器的電容值，而且第三電容器的電容值可以大于第四電容器的電容值。第一子像素電極和第二子像素電極可以彼此相鄰，該柵極線在其之間，而且第三子像素電極和第四子像素電極可以彼此相鄰，該柵極線在其之間。

第一子像素電極和第三子像素電極可以彼此相鄰，該數(shù)據(jù)線在其之間，而且第二子像素電極和第四子像素電極可以彼此相鄰，該數(shù)據(jù)線在其之間。至少一個像素中的第三電容器和連接到該柵極線和另一數(shù)據(jù)線的另一像素中的第一電容器可以具有彼此相同的電容值，而且至少一個像素中的第四電容器和該另一像素中的第二電容器可以具有彼此相同的電容值。要施加到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓和要施加到另一數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓可以具有彼此相反的極性。

第一開關可以連接到柵極線、第一數(shù)據(jù)線、和第一子像素電極；第二開關可以連接到該柵極線、第一數(shù)據(jù)線、和第二子像素電極；第三開關可以連接到該柵極線、第二數(shù)據(jù)線、和第三子像素電極；而且第四開關可以連接到該柵極線、第二數(shù)據(jù)線、和第四子像素電極。

第一電容器和第二電容器可以具有彼此不同的電容值，而且第三電容器和第四電容器可以具有彼此不同的電容值。第一電容器和第三電容器可以具有彼此相同的電容值，而且第二電容器和第四電容器可以具有彼此相同的電容值。

第二電容器的電容值可以大于第一電容器的電容值，而且第四電容器的電容值可以大于第三電容器的電容值。第一開關可以連接到第一柵極線、數(shù)據(jù)線、和第一子像素電極；第二開關可以連接到第二柵極線、該數(shù)據(jù)線、和第二子像素電極；第三開關可以連接到第一柵極線、該數(shù)據(jù)線、和第三子像素電極；而且第四開關可以連接到第二柵極線、該數(shù)據(jù)線、和第四子像素電極。

第一電容器和第二電容器可以具有彼此不同的電容值，而且第三電容器和第四電容器可以具有彼此不同的電容值。第一電容器和第四電容器可以具有彼此相同的電容值，而且第二電容器和第三電容器可以具有彼此相同的電容值。

第二電容器的電容值可以大于第一電容器的電容值，而且第三電容器的電容值可以大于第四電容器的電容值。該至少一個像素中的第三電容器和連接到第一柵極線、第二柵極線、和另一數(shù)據(jù)線的另一像素中的第一電容器可以具有彼此相同的電容值，而且至少一個像素中的第四電容器和該另一像素中的第二電容器可以具有彼此相同的電容值。

所述開關之一的柵極和源極之間的重疊區(qū)域可以不同于至少另一個開關的柵極和源極之間的重疊區(qū)域。該至少一個像素可以按時分方案驅(qū)動。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述示范實施例，特征對本領域技術人員將變得明了，其中：

圖1示出根據(jù)示范實施例的液晶顯示器(“LCD”)設備的框圖；

圖2示出圖1的顯示面板的配置圖；

圖3示出圖2的像素的等價電路圖；

圖4示出柵極信號、數(shù)據(jù)電壓、反沖電壓、和像素電壓的示例；

圖5示出圖2的像素以及與之相鄰的多個像素的等價電路圖；

圖6示出圖2的像素以及與之相鄰的多個像素的示例；

圖7示出圖6的施加到第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的分別的波形的示例；

圖8示出圖6的施加到第一柵極線的柵極信號、施加到第一數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)電壓、施加到第二數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)電壓、第一像素的第一子像素電壓、第一像素的第二子像素電壓、第三像素的第一子像素電壓、和第三像素的第二子像素電壓的分別的波形的示例；

圖9示出公共電壓中的紋波削減效果的示例；

圖10示出根據(jù)示范實施例的具有與圖3的像素電路對應的像素結(jié)構(gòu)的LCD設備的平面圖；

圖11A示出沿圖10的線I-I'截取的截面圖；

圖11B示出沿圖10的線II-II'截取的截面圖；

圖12示出像素的另一等價電路圖；以及

圖13示出像素的另一等價電路圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖更充分地在后面描述示范實施例；然而，它們可以以不同的形式實現(xiàn)，而不應當被解讀為僅限于這里闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底和完整的，并將向本領域技術人員全面?zhèn)鬟_示范的實施。各實施例可以組合以形成另外的實施例。

附圖中，為說明清楚，可以夸大層和區(qū)域的尺寸。還應當理解，當層或元件被稱為“在”另一層或基板“上”時，它可直接在該另一層或基板上，或中間層也可以存在。此外，應該理解的是，當層被稱為在另一層“下”時，它可以直接在下面，并且一個或多個中間層也可以存在。另外，還將會理解的是，當層被稱為在兩個層“之間”時，它可以是這兩個層之間的唯一的層，或者一個或多個中間層也可以存在。類似的附圖標記始終指代相同的元件。

當一個元件被稱為“連接”或“耦合”到另一元件時，它可以直接連接或耦合到另一元件或有一個或多個中間元件插于其間以間接連接或耦合到另一元件。此外，當元件被稱作“包括”一個組件，這表示該元件可以進一步包括另一種組件，而不是排除其他組件，除非有不同的公開外。

圖1示出根據(jù)示范實施例的液晶顯示器(“LCD”)設備的框圖，而且圖2示出圖1所示的顯示面板的配置圖。

參照圖1，LCD設備包括顯示面板133、定時控制器101、柵極驅(qū)動器112、數(shù)據(jù)驅(qū)動器111、和直流對直流(“DC-DC”)轉(zhuǎn)換器177。顯示面板133被配置為顯示圖像。顯示面板133包括第一基板301(例如參照圖11A)和第二基板302(例如參照圖11A)之間的液晶層333(例如參照圖11A)。

參照圖2，顯示面板133包括多條柵極線GL1至GLi、多條數(shù)據(jù)線DL1至DLj、以及多個像素PX。柵極線GL1至GLi與數(shù)據(jù)線DL1至DLj相交。像素PX沿水平線HL1至HLi布置，并且連接到柵極線GL1至GLi和數(shù)據(jù)線DL1至DLj。在示范實施例中，j個像素沿第n水平線排列。所述j個像素可以被稱為“第n水平線像素”，并且可以分別連接到第一至第j數(shù)據(jù)線DL1至DLj。

在這樣的示范性實施例中，第n水平線像素共同連接到第n柵極線。因此，第n水平線像素共同接收第n柵極信號。沿同一水平線布置的全部j個像素可以接收相同的柵極信號，而布置在不同的水平線上的像素可以接收彼此不同的柵極信號。在示范性實施例中，第一水平線HL1上的所有像素接收第一柵極信號，而第二水平線HL2上的所有像素接收具有與第一柵極信號不同的定時的第二柵極信號。

如圖2所示，每個像素PX包括四個子像素SPX1、SPX2、SPX3、和SPX4，它們共同連接至一條柵極線和一條數(shù)據(jù)線。例如，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3、和第四子像素SPX4共同連接到第一柵極線GL1和第一數(shù)據(jù)線DL1。圖2中的像素可以發(fā)射紅(R)色、綠(G)色、和藍(B)色。如圖2所示，在示范性實施例中，所有的第一、第二、第三、和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3、和SPX4發(fā)射紅色的光。以類似的方式，圖2中的其他像素PX包括發(fā)射紅光或藍光的四個子像素。在其他實施例中，像素可以發(fā)射其他顏色組合的光。

像素PX可以以時分方案驅(qū)動。例如，當一個幀周期包括兩個子幀周期(例如，第一子幀周期和第二子幀周期)時，具有正極性的數(shù)據(jù)電壓可以在第一子幀周期期間被施加到各個像素，而具有負極性的數(shù)據(jù)電壓可以在第二子幀周期期間被施加到各個像素。

在這樣的示例中，在第一子幀周期和第二子幀周期期間施加到相同的像素的分別的數(shù)據(jù)電壓可以具有相同的電平。然而，所述數(shù)據(jù)電壓具有相反的極性。例如，在第一子幀周期期間施加到像素PX的第一數(shù)據(jù)電壓和在第二子幀周期期間施加到像素PX的第二數(shù)據(jù)電壓具有相同的電平。然而，第一數(shù)據(jù)電壓和第二數(shù)據(jù)電壓具有相反的極性，例如，當?shù)谝粩?shù)據(jù)電壓為正時，第二數(shù)據(jù)電壓為負。

在另一示范性實施例中，一個幀周期可以包括兩個或更多個子幀周期。在這樣的示范性實施例中，在兩個或更多個子幀周期期間施加到相同的像素的分別的數(shù)據(jù)電壓具有相同的電平。然而，相鄰的子幀周期中的數(shù)據(jù)電壓具有相反的極性。

定時控制器101接收從系統(tǒng)中的圖形控制器輸出的垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、圖像數(shù)據(jù)信號DATA、和時鐘信號DCLK。在定時控制器101與系統(tǒng)之間提供接口電路。從系統(tǒng)輸出的上述信號經(jīng)由接口電路被輸入到定時控制器101。在示范實施例中，接口電路可以在定時控制器101中。

接口電路包括低電壓差分信令(“LVDS”)接收器。接口電路降低從系統(tǒng)輸出的垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、圖像數(shù)據(jù)信號DATA、和時鐘信號DCLK各自的電壓電平，并且增加其各自的頻率。

由于從接口電路輸入到定時控制器101的信號的高頻分量，可能在接口電路與定時控制器101之間發(fā)生電磁干擾(“EMI”)。為了防止EMI，可以在接口電路與定時控制器101之間提供EMI濾波器。

定時控制器101基于垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、和時鐘信號DCLK產(chǎn)生用于控制柵極驅(qū)動器112的柵極控制信號GCS和用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器111的數(shù)據(jù)控制信號DCS。在示范性實施例中，柵極控制信號GCS包括柵極起始脈沖、柵極移位時鐘、柵極輸出使能信號等。在示范性實施例中，數(shù)據(jù)控制信號DCS包括源極起始脈沖、源極移位時鐘、源極輸出使能信號、極性信號等。

定時控制器101重新排列通過系統(tǒng)輸入的圖像數(shù)據(jù)信號DATA，并向數(shù)據(jù)驅(qū)動器111提供重新排列的圖像數(shù)據(jù)信號DATA'。

定時控制器101可以由從系統(tǒng)中的電源單元輸出的驅(qū)動電源VCC操作。例如，驅(qū)動電源VCC被用作定時控制器101中的鎖相環(huán)(“PLL”)的電源電壓。PLL比較輸入到定時控制器101的時鐘信號DCLK的頻率和由振蕩器產(chǎn)生的參考頻率。當基于比較結(jié)果驗證所比較的頻率之間的差異時，PLL以基于該差異的電平調(diào)整時鐘信號DCLK的頻率，從而產(chǎn)生采樣時鐘信號。采樣時鐘信號被用于采樣圖像數(shù)據(jù)信號DATA'。

DC-DC轉(zhuǎn)換器177可以增加或減少通過系統(tǒng)輸入的驅(qū)動電源VCC，從而產(chǎn)生用于顯示面板133的電壓。DC-DC轉(zhuǎn)換器177例如可以包括：輸出開關元件，用于切換其輸出端子的輸出電壓；以及脈寬調(diào)制器(“PWM”)，用于調(diào)節(jié)施加到輸出開關元件的控制端子的控制信號的占空比或頻率，以便增加或降低輸出電壓。在一個實施例中，DC-DC轉(zhuǎn)換器177可以包括脈沖頻率調(diào)制器(“PFM”)，以代替PWM。

PWM增加控制信號的占空比以增加DC-DC轉(zhuǎn)換器177的輸出電壓，或降低控制信號的占空比以降低DC-DC轉(zhuǎn)換器177的輸出電壓。PFM增加控制信號的頻率以增加DC-DC轉(zhuǎn)換器177的輸出電壓，或降低控制信號的頻率以降低DC-DC轉(zhuǎn)換器177的輸出電壓。在示范性實施例中，DC-DC轉(zhuǎn)換器177的輸出電壓包括參考電壓VDD(例如，大約6伏或更高)、低于電平10的伽瑪參考電壓GMA1-10、公共電壓Vcom(例如，在約2.5伏到約3.3伏的范圍)、柵極高電壓VGH(例如，約15伏或更高)、以及柵極低電壓VGL(例如，約–4伏或更低)。

伽瑪參考電壓GMA1-10是通過劃分參考電壓VDD產(chǎn)生的電壓。參考電壓VDD和伽瑪參考電壓GMA1-10是提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器111的模擬伽瑪電壓。公共電壓Vcom可以經(jīng)由數(shù)據(jù)驅(qū)動器111施加到顯示面板133的公共電極。柵極高電壓VGH是柵極信號的高邏輯電壓，其被設置為像素中開關元件的閾電壓或更高。柵極低電壓VGL是柵極信號的低邏輯電壓，其被設置為開關元件的截止電壓。柵極高電壓VGH和柵極低電壓VGL被施加到柵極驅(qū)動器112。

柵極驅(qū)動器112基于來自定時控制器101的柵控制信號GCS產(chǎn)生柵極信號，并且將柵極信號依次施加到柵極線GL1到GLi。在示范實施例中，柵極驅(qū)動器112例如可以包括移位寄存器，用于基于柵極移位時鐘移位柵極起始脈沖從而產(chǎn)生柵極信號。移位寄存器可以包括布置在顯示面板133的非顯示區(qū)域中的多個驅(qū)動開關元件。驅(qū)動開關元件和像素的開關元件例如可以以相同的工藝制造。

在示范實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動器111從定時控制器101接收圖像數(shù)據(jù)信號DATA'和數(shù)據(jù)控制信號DCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動器111基于數(shù)據(jù)控制信號DCS執(zhí)行圖像數(shù)據(jù)信號DATA'的采樣，對于每個水平周期執(zhí)行與一條水平線對應的采樣的圖像數(shù)據(jù)信號的鎖存，并且向數(shù)據(jù)線DL1到DLj施加鎖存的圖像數(shù)據(jù)信號。在這樣的示范實施例中，數(shù)據(jù)驅(qū)動器111使用來自DC-DC轉(zhuǎn)換器177的伽瑪參考電壓GMA1-10將來自定時控制器101的圖像數(shù)據(jù)信號DATA'轉(zhuǎn)換為模擬圖像數(shù)據(jù)信號，并且向數(shù)據(jù)線DL1到DLj提供模擬圖像數(shù)據(jù)信號。

圖3示出圖2的像素PX的等價電路圖的示例。如圖3所示，像素PX包括第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、第四開關元件TFT4、第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2、第三子像素電極PE3、第四子像素電極PE4、第一液晶電容器Clc1、第二液晶電容器Clc2、第三液晶電容器Clc3、第四液晶電容器Clc4、第一存儲電容器Cst1、第二存儲電容器Cst2、第三存儲電容器Cst3、第四存儲電容器Cst4、第一寄生電容器Cgs1、第二寄生電容器Cgs2、第三寄生電容器Cgs3、和第四寄生電容器Cgs4。

如前所述，像素PX包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3、和第四子像素SPX4。

第一開關元件TFT1、第一子像素電極PE1、第一液晶電容器Clc1、第一存儲電容器Cst1、和第一寄生電容器Cgs1在第一子像素SPX1中。在示范性實施例中，第一開關元件TFT1連接到第一柵極線GL1、第一數(shù)據(jù)線DL1、和第一子像素電極PE1。在這樣的示范性實施例中，第一開關元件TFT1包括連接到第一柵極線GL1的柵極、連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的漏極、和連接到第一子像素電極PE1的源極。

第一開關元件TFT1被從第一柵極線GL1施加的柵極信號的柵極高電壓VGH導通。當被導通時，第一開關元件TFT1將來自第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓施加到第一子像素電極PE1。第一開關元件TFT1被柵極信號的柵極低電壓VGL截止。數(shù)據(jù)電壓可以是基于圖像數(shù)據(jù)信號的圖像數(shù)據(jù)電壓。

第一液晶電容器Clc1在第一子像素電極PEl與公共電極330之間。第一液晶電容器Clc1包括連接到第一子像素電極PE1的第一電極、連接到公共電極330的第二電極、以及第一電極與第二電極之間的液晶層。第一液晶電容器Clc1的第一電極可以是第一子像素電極PE1的一部分。第一液晶電容器Clc1的第二電極可以是公共電極330的一部分。

公共電壓Vcom被施加到公共電極330。

第一存儲電容器Cst1在第一子像素電極PE1與第一存儲電極751之間。第一存儲電容器Cst1包括連接到第一子像素電極PE1的第一電極、連接到第一存儲電極751的第二電極、以及第一存儲電容器Cst1的第一電極和第二電極之間的介電材料。介電材料包括至少一個絕緣層。第一存儲電容器Cst1的第一電極可以是第一子像素電極PE1的一部分。第一存儲電容器Cst1的第二電極可以是第一存儲電極751的一部分。

第一存儲電壓Vcst1被施加到第一存儲電極751。在一個實施例中，第一存儲電壓Vcst1和公共電壓Vcom可以具有相同的電平。

第一寄生電容器Cgs1在第一開關元件TFT1的柵極和源極之間。第一寄生電容器Cgs1包括連接到第一開關元件TFT1的柵極的第一電極、連接到第一開關元件TFT1的源極的第二電極、以及第一寄生電容器Cgs1的第一電極和第二電極之間的介電材料。介電材料包括至少一個絕緣層。第一寄生電容Cgs1的第一電極可以是第一開關元件TFT1的柵極的一部分。第一寄生電容Cgs1的第二電極可以是第一開關元件TFT1的源極的一部分。

在像素PX的上述組件當中，第二開關元件TFT2、第二子像素電極PE2、第二液晶電容器Clc2、第二存儲電容器Cst2、和第二寄生電容器Cgs2在第二子像素SPX2中。

在示范性實施例中，第二開關元件TFT2連接到第一柵極線GL1、第一數(shù)據(jù)線DL1、和第二子像素電極PE2。在這樣的示范性實施例中，第二開關元件TFT2包括連接到第一柵極線GL1的柵極、連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的漏極、和連接到第二子像素電極PE2的源極。

第二開關元件TFT2被從第一柵極線GL1施加的柵極信號的柵極高電壓VGH導通。當被導通時，第二開關元件TFT2將來自第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓施加到第二子像素電極PE2。第二開關元件TFT2被柵極信號的柵極低電壓VGL截止。

第二液晶電容器Clc2在第二子像素電極PE2與公共電極330之間。第二液晶電容器Clc2包括連接到第二子像素電極PE2的第一電極、連接到公共電極330的第二電極、和第二液晶電容器Clc2的第一電極和第二電極之間的液晶層。第二液晶電容器Clc2的第一電極可以是第二子像素電極PE2的一部分。第二液晶電容器Clc2的第二電極可以是公共電極330的一部分。

第二存儲電容器Cst2在第二子像素電極PE2與第二存儲電極752之間。第二存儲電容器Cst2包括連接到第二子像素電極PE2的第一電極、連接到第二存儲電極752的第二電極、以及第二存儲電容器Cst2的第一電極和第二電極之間的介電材料。介電材料包括至少一個絕緣層。第二存儲電容器Cst2的第一電極可以是第二子像素電極PE2的一部分。第二存儲電容器Cst2的第二電極可以是第二存儲電極752的一部分。

第二存儲電壓Vcst2被施加到第二存儲電極752。在一個實施例中，第二存儲電壓Vcst2和公共電壓Vcom可以具有相同的電平。

第二寄生電容器Cgs2在第二開關元件TFT2的柵極和源極之間。第二寄生電容器Cgs2包括連接到第二開關元件TFT2的柵極的第一電極、連接到第二開關元件TFT2的源極的第二電極、以及第二寄生電容器Cgs2的第一電極和第二電極之間的介電材料。介電材料包括至少一個絕緣層。第二寄生電容器Cgs2的第一電極可以是第二開關元件TFT2的柵極的一部分。第二寄生電容器Cgs2的第二電極可以是第二開關元件TFT2的源極的一部分。

在像素PX的上述組件當中，第三開關元件TFT3、第三子像素電極PE3、第三液晶電容器Clc3、第三存儲電容器Cst3、和第三寄生電容器Cgs3在第三子像素SPX3中。

在示范性實施例中，第三開關元件TFT3連接到第一柵極線GL1、第一數(shù)據(jù)線DL1、和第三子像素電極PE3。在這樣的示范性實施例中，第三開關元件TFT3包括連接到第一柵極線GL1的柵極、連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的漏極、和連接到第三子像素電極PE3的源極。

第三開關元件TFT3被從第一柵極線GL1施加的柵極信號的柵極高電壓VGH導通。當被導通時，第三開關元件TFT3將來自第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓施加到第三子像素電極PE3。第三開關元件TFT3被柵極信號的柵極低電壓VGL截止。

第三液晶電容器Clc3在第三子像素電極PE3與公共電極330之間。第三液晶電容器Clc3包括連接到第三子像素電極PE3的第一電極、連接到公共電極330的第二電極、和第三液晶電容器Clc3的第一電極和第二電極之間的液晶層。第三液晶電容器Clc3的第一電極可以是第三子像素電極PE3的一部分。第三液晶電容器Clc3的第二電極可以是公共電極330的一部分。

第三存儲電容器Cst3在第三子像素電極PE3與第三存儲電極753之間。第三存儲電容器Cst3包括連接到第三子像素電極PE3的第一電極、連接到第三存儲電極753的第二電極、以及第三存儲電容器Cst3的第一電極和第二電極之間的介電材料。介電材料包括至少一個絕緣層。第三存儲電容器Cst3的第一電極可以是第三子像素電極PE3的一部分。第三存儲電容器Cst3的第二電極可以是第三存儲電極753的一部分。

第三存儲電壓Vcst3被施加到第三存儲電極753。在一個實施例中，第三存儲電壓Vcst3和公共電壓Vcom可以具有相同的電平。

第三寄生電容Cgs3在第三開關元件TFT3的柵極和源極之間。第三寄生電容Cgs3包括連接到第三開關元件TFT3的柵極的第一電極、連接到第三開關元件TFT3的源極的第二電極、以及第三寄生電容Cgs3的第一電極和第二電極之間的介電材料。介電材料包括至少一個絕緣層。第三寄生電容Cgs3的第一電極可以是第三開關元件TFT3的柵極的一部分。第三寄生電容Cgs3的第二電極可以是第三開關元件TFT3的源極的一部分。

在像素PX的上述組件當中，第四開關元件TFT4、第四子像素電極PE4、第四液晶電容器Clc4、第四存儲電容器Cst4、和第四寄生電容器Cgs4在第四子像素SPX4中。

在示范性實施例中，第四開關元件TFT4連接到第一柵極線GL1、第一數(shù)據(jù)線DL1、和第四子像素電極PE4。在這樣的示范性實施例中，第四開關元件TFT4包括連接到第一柵極線GL1的柵極、連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的漏極、和連接到第四子像素電極PE4的源極。

第四開關元件TFT4被從第一柵極線GL1施加的柵極信號的柵極高電壓VGH導通。當被導通時，第四開關元件TFT4將來自第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓施加到第四子像素電極PE4。第四開關元件TFT4被柵極信號的柵極低電壓VGL截止。

第四液晶電容器Clc4在第四子像素電極PE4與公共電極330之間。第四液晶電容器Clc4包括連接到第四子像素電極PE4的第一電極、連接到公共電極330的第二電極、以及第四液晶電容器Clc4的第一電極和第二電極之間的液晶層。第四液晶電容器Clc4的第一電極可以是第四子像素電極PE4的一部分。第四液晶電容器Clc4的第二電極可以是公共電極330的一部分。

第四存儲電容器Cst4在第四子像素電極PE4與第四存儲電極754之間。第四存儲電容器Cst4包括連接到第四子像素電極PE4的第一電極、連接到第四存儲電極754的第二電極、以及第四存儲電容器Cst4的第一電極和第二電極之間的介電材料。介電材料包括至少一個絕緣層。第四存儲電容器Cst4的第一電極可以是第四子像素電極PE4的一部分。第四存儲電容器Cst4的第二電極可以是第四存儲電極754的一部分。

第四存儲電壓Vcst4被施加到第四存儲電極754。在一個實施例中，第四存儲電壓Vcst4和公共電壓Vcom可以具有相同的電平。

第四寄生電容Cgs4在第四開關元件TFT4的柵極和源極之間。第四寄生電容Cgs4包括連接到第四開關元件TFT4的柵極的第一電極、連接到第四開關元件TFT4的源極的第二電極、以及第四寄生電容Cgs4的第一電極和第二電極之間的介電材料。介電材料包括至少一個絕緣層。第四寄生電容Cgs4的第一電極可以是第四開關元件TFT4的柵極的一部分。第四寄生電容Cgs4的第二電極可以是第四開關元件TFT4的源極的一部分。

第一、第二、第三、和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3、和SPX4分別包括第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4。第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4中的至少兩個可以具有彼此不同的電容值。例如，第一寄生電容器Cgs1和第二寄生電容器Cgs2可以具有彼此不同的電容值，并且第三寄生電容器Cgs3和第四寄生電容器Cgs4可以具有彼此不同的電容值。在這樣的示例中，第二寄生電容器Cgs2的電容值可以大于第一寄生電容器Cgs1的電容值。此外，第三寄生電容Cgs3的電容值可以大于第四寄生電容Cgs4的電容值。在一個實施例中，第一寄生電容Cgs1的電容值可以與第四寄生電容Cgs4的電容值相同，第二寄生電容Cgs2的電容值可以與第三寄生電容器Cgs3的電容值相同。

圖3中，具有相對大的電容值的寄生電容器被圖示為相對大，并且具有相對小的電容值的寄生電容器被圖示為相對小，使得可以容易地比較第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4。在示范性實施例中，被示出為相對較大的第二和第三寄生電容器Cgs2和Cgs3的電容值大于被示出為小于第二和第三寄生電容器Cgs2和Cgs3的第一和第四寄生電容器Cgs1和Cgs4的電容值。被示出為具有相同尺寸的第一和第四寄生電容器Cgs1和Cgs4具有相同的電容值。以類似的方式，被示出為具有相同尺寸的第二和第三寄生電容器Cgs2和Cgs3具有相同的電容值。然而，這可以僅應用于第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4。

圖3中，第一、第二、第三、和第四液晶電容器Clc1、Clc2、Clc3、和Clc4具有相同的尺寸。此外，圖3中，第一、第二、第三、和第四存儲電容器Cst1、Cst2、Cst3、和Cst4具有相同的尺寸。然而，在第一、第二、第三、和第四液晶電容器Clc1、Clc2、Clc3、和Clc4的尺寸和電容值之間以及在第一、第二、第三、和第四存儲電容器Cst1、Cst2、Cst3、和Cst4的尺寸和電容值之間可以沒有關聯(lián)。在這樣的示范性實施例中，第一、第二、第三、和第四液晶電容器Clc1、Clc2、Clc3、和Clc4可以具有彼此不同的電容值，并且第一、第二、第三、和第四存儲電容器Cst1，Cst2，Cst3和Cst4可以具有彼此不同的電容值。

如此，在示范性實施例中，第一寄生電容器Cgs1和第二寄生電容器Cgs2具有彼此不同的電容值，并且第三寄生電容器Cgs3和第四寄生電容器Cgs4具有彼此不同的電容值。因此，第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可以具有彼此不同的反沖電壓，并且第三子像素SPX3和第四子像素SPX4可以具有彼此不同的反沖電壓。

在這樣的示范性實施例中，雖然具有相同電平的數(shù)據(jù)電壓被分別施加到第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3、和第四子像素SPX4，但是第一子像素SPX1和第二子像素SPX2可以具有彼此不同電平的像素電壓，并且第三子像素SPX3和第四子像素SPX4可以具有彼此不同電平的像素電壓。因而，可以提高LCD設備的可見性。

圖4示出柵極信號、數(shù)據(jù)電壓、反沖電壓、和像素電壓的示例。通過第一開關元件TFT1施加到第一子像素電極PE1的子像素電壓(第一子像素電壓)的電平可以由等式1定義。

等式1中，Vpx1表示第一子像素電壓，Vdata表示施加到第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓，C_Cgs1表示第一寄生電容器Cgs1的電容值，C_Clc1表示第一液晶電容器Clc1的電容值，C_Cst1表示第一存儲電容器Cst1的電容值，而ΔVgs表示施加到第一柵極線GL1的柵極信號GS的柵極高電壓VGH和柵極低電壓VGL之間的電壓電平差。

等式1中，“{C_Cgs1/(C_Cgs1+C_Clc1+C_Cst1)*ΔV_gs}”表示相對于施加到第一子像素電極PE1的數(shù)據(jù)電壓的反沖電壓(第一反沖電壓：ΔVkb1)。如圖4所示，在示范性實施例中，由于當柵極信號GS從柵極高電壓VGH下降到柵極低電壓VGL時柵極信號GS的轉(zhuǎn)變，第一子像素電壓Vpx1沿轉(zhuǎn)變方向改變。在這樣的示范性實施例中，第一反沖電壓ΔVkb1是指第一子像素電壓Vpx1的變化。在示范性實施例中，施加到第一子像素電極PE1的第一子像素電壓Vpx1按照第一反沖電壓ΔVkb1來減少。

通過第二開關元件TFT2施加到第二子像素電極PE2的子像素電壓(第二子像素電壓)的電平可以由等式2定義。

等式2中，Vpx2表示第二子像素電壓，Vdata表示施加到第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓，C_Cgs2表示第二寄生電容器Cgs2的電容值，C_Clc2表示第二液晶電容器Clc2的電容值，C_Cst2表示第二存儲電容器Cst2的電容值，ΔV_gs表示施加到第一柵極線GL1的柵極信號GS的柵極高電壓VGH和柵極低電壓VGL之間的電壓電平差。

等式2中，“{C_Cgs2/(C_Cgs2+C_Clc2+C_Cst2)*ΔV_gs}”表示相對于施加到第二子像素電極PE2的數(shù)據(jù)電壓的反沖電壓(第二反沖電壓：ΔVkb2)。如圖4所示，在示范性實施例中，由于柵極信號GS從柵極高電壓VGH下降到柵極低電壓VGL時柵極信號GS的轉(zhuǎn)變，第二子像素電壓Vpx2沿轉(zhuǎn)變方向改變。在這樣的示范性實施例中，第二反沖電壓ΔVkb2是指第二子像素電壓Vpx2的變化。在示范性實施例中，施加到第二子像素電極PE2的第二子像素電壓Vpx2按照第二反沖電壓ΔVkb2減少。

通過第三開關元件TFT3施加到第三子像素電極PE3的子像素電壓(第三子像素電壓)的電平可以由等式3定義。

等式3中，Vpx3表示第三子像素電壓，Vdata表示施加到第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓，C_Cgs3表示第三寄生電容器Cgs3的電容值，C_Clc3表示第三液晶電容器Clc3的電容值，C_Cst3表示第三存儲電容器Cst3的電容值，而ΔV_gs表示施加到第一柵極線GL1的柵極信號GS的柵極高電壓VGH和柵極低電壓VGL之間的電壓電平差。

等式3中，“{C_Cgs3/(C_Cgs3+C_Clc3+C_Cst3)*ΔV_gs}”表示相對于施加到第三子像素電極PE3的數(shù)據(jù)電壓的反沖電壓(第三反沖電壓)。在示范性實施例中，由于柵極信號GS從柵極高電壓VGH下降到柵極低電壓VGL時柵極信號GS的轉(zhuǎn)變，第三子像素電壓Vpx3沿轉(zhuǎn)變方向改變。在這樣的示范性實施例中，第三反沖電壓是指第三子像素電壓Vpx3的變化。在示范性實施例中，施加到第三子像素電極PE3的第三子像素電壓Vpx3按照第三反沖電壓減少。第三反沖電壓和第一反沖電壓ΔVkb1可以具有相同的幅度。

通過第四開關元件TFT4施加到第四子像素電極PE4的子像素電壓(第四子像素電壓)的電平可以由等式4定義。

等式4中，Vpx4表示第四子像素電壓，Vdata表示施加到第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓，C_Cgs4表示第四寄生電容器Cgs4的電容值，C_Clc4表示第四液晶電容器Clc4的電容值，C_Cst4表示第四存儲電容器Cst4的電容值，而ΔV_gs表示施加到第一柵極線GL1的柵極信號GS的柵極高電壓VGH和柵極低電壓VGL之間的電壓電平差。

等式4中，“{C_Cgs4/(C_Cgs4+C_Clc4+C_Cst4)*ΔV_gs}”表示相對于施加到第四子像素電極PE4的數(shù)據(jù)電壓的反沖電壓(第四反沖電壓)。在示范性實施例中，由于柵極信號GS從柵極高電壓VGH下降到柵極低電壓VGL時柵極信號GS的轉(zhuǎn)變，第四子像素電壓Vpx4沿轉(zhuǎn)變方向改變。在這樣的示范性實施例中，第四反沖電壓是指第四子像素電壓Vpx4的變化。在示范性實施例中，施加到第四子像素電極PE4的第四子像素電壓Vpx4按照第四反沖電壓減少。第四反沖電壓和第二反沖電壓ΔVkb2可以具有相同的幅度。

數(shù)據(jù)電壓Vdata可以是具有比公共電壓Vcom的電平更高的電平的正電壓，或者是具有比公共電壓Vcom的電平更低的電平的負電壓。圖4中的第一反沖電壓ΔVkb1和第二反沖電壓ΔVkb2在其中正數(shù)據(jù)電壓和負數(shù)據(jù)電壓的電平降低的方向上產(chǎn)生。

在示范性實施例中，當假定第一、第二、第三、和第四液晶電容器Clc1、Clc2、Clc3、和Clc4具有相同的電容值，并且第一、第二、第三、和第四存儲電容器Cst1、Cst2、Cst3、和Cst4具有相同的電容值時，第一、第二、第三、和第四子像素電壓Vpx1、Vpx2、Vpx3、和Vpx4的電平可以基于第一、第二、第三、和第四反沖電壓變化。在這樣的示范性實施例中，隨著反沖電壓的幅度增加，像素電壓的電平降低。

在示范性實施例中，第一、第二、第三、和第四反沖電壓的幅度基于第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4的電容值變化。在這樣的示范性實施例中，隨著寄生電容器的電容值增加，反沖電壓的幅度增加。因此，隨著寄生電容器的電容值增加，像素電壓的電平降低。

在這樣的示范性實施例中，如前所述，第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4的電容值C_Cgs1、C_Cgs2、C_Cgs3、和C_Cgs4具有如等式5表示的關系。

C_Cgs1＝C_Cgs4＜C_Cgs2＝C_Cgs3 (5)

在這樣的示范性實施例中，第一、第二、第三、和第四子像素電壓Vpx1、Vpx2、Vpx3、和Vpx4具有如等式6表示的關系。

Vpx1＝Vpx4＞Vpx2＝Vpx3 (6)

如等式6所示，雖然具有相同電平的數(shù)據(jù)電壓分別被施加到第一、第二、第三、和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3、和SPX4，但是第一子像素SPX1的第一子像素電壓Vpx1和第二子像素SPX2的第二子像素電壓Vpx2可以具有彼此不同的電平，并且第三子像素SPX3的第三子像素電壓Vpx3和第四子像素SPX4的第四子像素電壓Vpx4可以具有彼此不同的電平。這是因為第一子像素SPX1的第一寄生電容器Cgs1和第二子像素SPX2的第二寄生電容器Cgs2具有彼此不同的電容值，并且第三子像素SPX3的第三寄生電容器Cgs3和第四子像素SPX4的第四寄生電容Cgs4具有彼此不同的電容值。

如圖4所示，在示范性實施例中，第一子像素電壓Vpx1的電平高于第二子像素電壓Vpx2的電平。這是因為第一寄生電容器Cgs1的電容值小于第二寄生電容器Cgs2的電容值。圖4的第三子像素電壓Vpx3的電平可以與第二子像素電壓Vpx2的電平相同，并且圖4的第四子像素電壓Vpx4的電平可以與第一子像素電壓Vpx1的電平相同。

反沖電壓沿恒定相同的方向產(chǎn)生，例如，數(shù)據(jù)電壓的電平減小的方向，而與數(shù)據(jù)電壓的極性無關。因此，當通過第一數(shù)據(jù)線DL1施加到像素PX的數(shù)據(jù)電壓Vdata是具有高于公共電壓Vcom的電平的正電壓時，公共電壓Vcom的電平與具有正極性的第一子像素電壓Vpx1的電平之間的差(第一單元電壓：Vc1)大于公共電壓Vcom的電平與具有正極性的第二子像素電壓Vpx2的電平之間的差(第二單元電壓：Vc2)。

另一方面，當通過第一數(shù)據(jù)線DL1施加到像素PX的數(shù)據(jù)電壓Vdata是具有低于公共電壓Vcom的電平的電壓的負電壓時，公共電壓Vcom的電平與具有負極性的第一子像素電壓Vpx1'的電平之間的差(第一單元電壓：Vc1')小于公共電壓Vcom的電平與具有負極性的第二子像素電壓Vpx2'的電平之間的差(第二單元電壓：Vc2')。

在這樣的示范性實施例中，當數(shù)據(jù)電壓Vdata在第一幀周期FR1中是正電壓時，第一單元電壓Vc1的幅度大于第二單元電壓Vc2的幅度。另一方面，當數(shù)據(jù)電壓Vdata在第二幀周期FR2中是負電壓時，第二單元電壓Vc2'的幅度大于第一單元電壓Vc1'的幅度。在這樣的示范性實施例中，第一單元電壓Vc1、第二單元電壓Vc2、第一單元電壓Vc1'、和第二單元電壓Vc2'具有絕對值。

圖4中，ΔVkb1'表示相對于負數(shù)據(jù)電壓的第一反沖電壓，而ΔVkb2'表示相對于負數(shù)據(jù)電壓的第二反沖電壓。施加到第一子像素SPX1的具有負極性的第一子像素電壓Vpx1'的電平減小第一反沖電壓ΔVkb1'，并且施加到第二子像素SPX2的具有負極性的第二子像素電壓Vpx2'的電平減小第二反沖電壓ΔVkb2'。

圖5示出圖2的像素以及與之相鄰的多個像素的等價電路的示例。參考圖5，四個像素PX1、PX2、PX3、和PX4中的共同連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的兩個被分別定義為第一像素PX1和第二像素PX2。共同連接到第二數(shù)據(jù)線DL2的四個像素PX1、PX2、PX3、和PX4中的另外兩個被分別定義為第三像素PX3和第四像素PX4。

第一像素PX1對應于圖2的像素PX。第一像素PX1具有與圖3中的像素PX基本相同的結(jié)構(gòu)。因此，第一像素PX1的描述將參考圖3及相關說明。

第二像素PX2具有與第一像素PX1基本相同的結(jié)構(gòu)。因此，對第二像素PX2的描述將參考圖3及相關說明。然而，第二像素PX2連接到第二柵極線GL2。

第三像素PX3包括第一、第二、第三、和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3、和SPX4。第三像素PX3的第一子像素SPX1包括第一開關元件TFT1、第一液晶電容器Clc1、第一存儲電容器Cst1、和第一寄生電容器Cgs1。第三像素PX3的第二子像素SPX2包括第二開關元件TFT2、第二液晶電容器Clc2、第二存儲電容器Cst2、和第二寄生電容器Cgs2。第三像素PX3的第三子像素SPX3包括第三開關元件TFT3、第三液晶電容器Clc3、第三存儲電容器Cst3、和第三寄生電容器Cgs3。第三像素PX3的第四子像素SPX4包括第四開關元件TFT4、第四液晶電容器Clc4、第四存儲電容器Cst4、和第四寄生電容器Cgs4。

第三像素PX3的第一、第二、第三、和第四開關元件TFT1、TFT2、TFT3、和TFT4、第一、第二、第三、和第四液晶電容器Clc1、Clc2、Clc3、和Clc4、第一、第二、第三、和第四存儲電容器Cst1、Cst2、Cst3、和Cst4、以及第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4與第一像素PX1的第一、第二、第三、和第四開關元件TFT1、TFT2、TFT3、和TFT4、第一、第二、第三、和第四液晶電容器Clc1、Clc2、Clc3、和Clc4、第一、第二、第三、和第四存儲電容器Cst1、Cst2、Cst3、Cst4、以及第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4相同。因此，第三像素PX3的組件的描述將參考第一像素PX1的組件中的對應組件。

然而，第三像素PX3中包括的第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4的電容值之間的相關性不同于第一像素PX1中包括的第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4的電容值之間的相關性。下面將詳細提供其相關描述。

第三像素PX3的第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4中的至少兩個可以具有彼此不同的電容值。例如，第三像素PX3的第一寄生電容Cgs1的電容值可以不同于第三像素PX3的第二寄生電容Cgs2的電容值，并且第三像素PX3的第三寄生電容Cgs3的電容值PX3可以不同于第三像素PX3的第四寄生電容器Cgs4的電容值。在這樣的示例中，第三像素PX3的第一寄生電容器Cgs1的電容值可以大于第三像素PX3的第二寄生電容器Cgs2的電容值。另外，第三像素PX3的第四寄生電容Cgs4的電容值可以大于第三像素PX3的第三寄生電容Cgs3的電容值。

另一方面，第三像素PX3的第一寄生電容Cgs1的電容值可以與第三像素PX3的第四寄生電容Cgs4的電容值相同。第三像素PX3的第二寄生電容Cgs2的電容值可以與第三像素PX3的第三寄生電容Cgs3的電容值相同。

如此，第一像素PX1中第二寄生電容Cgs2的電容值可以大于第一寄生電容Cgs1的電容值，并且第三像素PX3中第一寄生電容Cgs1的電容值可以大于第二寄生電容Cgs2的電容值。此外，第一像素PX1中第三寄生電容Cgs3的電容值可以大于第四寄生電容Cgs4的電容值，并且第三像素PX3中第四寄生電容Cgs4的電容值可以大于第三寄生電容Cgs3的電容值。

另一方面，第一像素PX1的第一寄生電容Cgs1的電容值可以與第三像素PX3的第二寄生電容Cgs2的電容值相同。第一像素PX1的第二寄生電容Cgs2的電容值可以與第三像素PX3的第一寄生電容Cgs1的電容值相同。第一像素PX1的第三寄生電容Cgs3的電容值可以與第三像素PX3的第四寄生電容Cgs4的電容值相同。第一像素PX1的第四寄生電容Cgs4的電容值可以與第三像素PX3的第三寄生電容Cgs3的電容值相同。

第四像素PX4具有與第二像素PX2基本相同的結(jié)構(gòu)。因此，第四像素PX4的描述將參考第二像素PX2的描述。

如此，連接到不同數(shù)據(jù)線的像素可以具有彼此不同的結(jié)構(gòu)。例如，連接到奇數(shù)編號數(shù)據(jù)線DL1、DL3、DL5、...、DLj–1的每個像素可以具有與第一像素PX1基本相同的結(jié)構(gòu)，并且連接到偶數(shù)編號數(shù)據(jù)線DL2、DL4、DL6、...、DLj的每個像素可以具有與第三像素PX3基本相同的結(jié)構(gòu)。

圖6示出圖2的像素以及與之相鄰的多個像素的示例。圖6中共同連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的兩個像素被分別定義為第一像素PX1和第二像素PX2。圖6中共同連接到第二數(shù)據(jù)線DL2的兩個像素被分別定義為第三像素PX3和第四像素PX4。

圖6中的陰影矩形分別指示包括具有相對大的電容值的寄生電容器的子像素。除陰影矩形之外的其他矩形分別指示包括具有相對小的電容值的寄生電容器的子像素。例如，在第一像素PX1中的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2、第三子像素SPX3、和第四子像素SPX4當中，第二子像素SPX2和第三子像素SPX3包括具有比第一子像素SPX1和第四子像素SPX4的寄生電容器的電容值更大的電容值的寄生電容器。

圖6中的參考標記“H”指示由“H”表示的子像素產(chǎn)生具有相對高電平的單元電壓。圖6中的參考標記“L”指示由“L”表示的子像素產(chǎn)生具有相對低電平的單元電壓。圖6中的帶圓圈加號指示由表示的子像素接收具有正極性的數(shù)據(jù)電壓(或具有正極性的像素電壓)。圖6中的帶圓圈減號指示由表示的子像素接收具有負極性的數(shù)據(jù)電壓(或具有負極性的像素電壓)。

在示范性實施例中，施加到第一數(shù)據(jù)線DL1的具有正極性的數(shù)據(jù)電壓Vdata被施加到第一像素PX1的第一、第二、第三、和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3、和SPX4。在這樣的示范性實施例中，從具有相對較小電容值的相應寄生電容器的第一子像素SPX1和第四子像素SPX4產(chǎn)生具有相對高電平的單元電壓。另一方面，從具有相對較大電容值的相應寄生電容器的第二子像素SPX2和第三子像素SPX3產(chǎn)生具有相對低電平的單元電壓。這是因為，由于寄生電容器之間的電容值差異，具有正極性的第二子像素電壓Vpx2的電平比具有正極性的第一子像素電壓Vpx1的電平減少的量更多，并且具有正極性的第三子像素電壓Vpx3的電平比第四子像素電壓Vpx4的電平減少的量更多。

第二像素PX2中的第一、第二、第三、和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3、和SPX4以與第一像素PX1的第一、第二、第三、和第四子像素SPX1，SPX2，SPX3和SPX4操作的相同方式操作。

在示范性實施例中，施加到第二數(shù)據(jù)線DL2的具有負極性的數(shù)據(jù)電壓被施加到第三像素PX3的第一、第二、第三、和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3、和SPX4。在這樣的示范性實施例中，從具有相對較大電容值的相應寄生電容器的第一子像素SPX1和第四子像素SPX4產(chǎn)生具有相對高電平的單元電壓。另一方面，從具有相對較小電容值的相應寄生電容器的第二子像素SPX2和第三子像素SPX3產(chǎn)生具有相對低電平的單元電壓。這是因為，由于寄生電容器中的電容值差異，具有負極性的第一子像素電壓的電平比具有負極性的第二子像素電壓的電平減少的量更大，并且具有負極性的第四子像素電壓的電平比具有負極性的第三子像素電壓的電平減少的量更大。

第四像素PX4中的第一、第二、第三、和第四子像素SPX1、SPX2、SPX3、和SPX4以與第三像素PX3的第一、第二、第三、和第四子像素SPX1，SPX2，SPX3和SPX4相同的方式操作。

當具有負極性的數(shù)據(jù)電壓施加到第一數(shù)據(jù)線DL1時，從第一像素PX1的第二子像素SPX2和第三子像素SPX3產(chǎn)生具有相對高電平的單元電壓，而且從第一像素PX1的第一子像素SPX1和第四子像素SPX4產(chǎn)生具有相對低電平的單元電壓。相反，當具有正極性的數(shù)據(jù)電壓施加到第二數(shù)據(jù)線DL2時，從第三像素PX3的第二子像素SPX2和第三子像素SPX3產(chǎn)生具有相對高電平的單元電壓，而且從第三像素PX3的第一子像素SPX1和第四子像素SPX4產(chǎn)生具有相對低電平的單元電壓。

圖7示出圖6的施加到第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的分別的波形的示例。圖7中，Th2表示其中驅(qū)動第二柵極線GL2的第二水平周期，Th3表示其中驅(qū)動第三柵極線GL3的第三水平周期。

參考圖7，在示范性實施例中，施加到第一數(shù)據(jù)線DL1的第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1具有對于每個幀周期變化的極性。在這樣的示范性實施例中，例如，第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1在奇數(shù)幀周期(例如，第一幀周期FR1和第三幀周期FR3)期間保持為正，并且第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1在偶數(shù)周期期間(例如，第二幀周期FR2)保持為負。

在示范性實施例中，施加到第二數(shù)據(jù)線DL2的第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2具有對于每個幀周期變化的極性。在這樣的示范性實施例中，第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1和第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2在相同的幀周期期間具有相反的極性。例如，第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2在第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1保持為正的奇數(shù)幀周期(例如，第一幀周期FR1和第三幀周期FR3)期間保持為負，并且第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2在第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1保持為負的偶數(shù)幀周期(例如，第二幀周期FR2)期間保持為正。

施加到奇數(shù)編號數(shù)據(jù)線DL1、DL3、DL5、...、DLj–1的數(shù)據(jù)電壓的極性以與第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1的極性變化的方式相同的方式變化，并且施加到偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL2、DL4、DL6、...、DLj的數(shù)據(jù)電壓的極性以與第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2的極性改變的方式相同的方式變化。

第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1包括具有高灰度級的正數(shù)據(jù)電壓，并且第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2包括具有高灰度級的負數(shù)據(jù)電壓。因此，在相同的水平周期期間，第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1和第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2具有基本相同的絕對值，并且第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1和第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2的轉(zhuǎn)變方向彼此相反。

如圖7所示，在示范性實施例中，在其中驅(qū)動第一柵極線GL1的第一水平周期Th1期間，第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1和第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2具有基本相同的幅度，同時具有相反的極性。在這樣的示范性實施例中，第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1向上轉(zhuǎn)變，第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2向下轉(zhuǎn)變。

在示范性實施例中，在相同的第一水平周期Th1期間，施加到所有奇數(shù)編號數(shù)據(jù)線DL1、DL3、DL5、...、DLj–1的數(shù)據(jù)電壓以與第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1轉(zhuǎn)變的方式相同的方式轉(zhuǎn)變，并且施加到所有偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL2、DL4、DL6、...、DLj的數(shù)據(jù)電壓以與第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2轉(zhuǎn)變的方式相同的方式轉(zhuǎn)變。因此，由于數(shù)據(jù)電壓具有基本相同的幅度并且沿相反方向轉(zhuǎn)變，可以顯著減小公共電壓Vcom的紋波。

在這樣的示范性實施例中，由第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1和奇數(shù)數(shù)據(jù)線DL1、DL3、DL5、...、DLj–1的數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生的公共電壓Vcom的上升紋波被由第二數(shù)據(jù)電壓Vdata2和偶數(shù)數(shù)據(jù)線DL2、DL4、DL6、...、DLj的數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生的公共電壓Vcom的向下紋波抵消。因此，公共電壓Vcom的紋波可以顯著減小。在這樣的示范性實施例中，可以顯著減小公共電壓Vcom的失真。因此，水平串擾可以顯著減小。

圖8示出圖6的施加到第一柵極線的柵極信號、施加到第一數(shù)據(jù)線的第一數(shù)據(jù)電壓、施加到第二數(shù)據(jù)線的第二數(shù)據(jù)電壓、第一像素的第一子像素電壓、第一像素的第二子像素電壓、第三像素的第一子像素電壓、和第三像素的第二子像素電壓的分別的波形的示例。

參考圖8，在示范性實施例中，當柵極信號GS被施加到第一柵極線GL1時，從第一數(shù)據(jù)線DL1施加的具有正極性的第一數(shù)據(jù)電壓Vdata1被施加到第一像素PX1，從第二數(shù)據(jù)線DL2施加的具有負極性的Vdata2被施加到第三像素PX3。

因此，從第一像素PX1的第一子像素SPX1產(chǎn)生具有正極性的第一子像素電壓Vpx1，并且從第一像素PX1的第二子像素SPX2產(chǎn)生具有正極性的第二子像素電壓Vpx2。具有正極性的第一子像素電壓Vpx1的電平高于具有正極性的第二子像素電壓Vpx2的電平。

在這樣的示范性實施例中，從第三像素PX3的第一子像素SPX1產(chǎn)生具有負極性的第一子像素電壓Vpx1″，而且從第三像素PX3的第二子像素SPX2產(chǎn)生具有負極性的第二子像素電壓Vpx2″。具有負極性的第一子像素電壓Vpx1″的電平低于具有負極性的第二子像素電壓Vpx2″的電平。

圖9示出公共電壓中的紋波削減效果的示例，并且更具體的，從一種類型的LCD設備測量的公共電壓①和從根據(jù)示范實施例的LCD設備測量的公共電壓②。公共電壓①的變化約為1250[mV]，并且公共電壓②的變化約為60[mV]。因此，在該說明性示例中，根據(jù)示范實施例的LCD設備可以產(chǎn)生具有大約為常規(guī)LCD設備的變化的二十分之一的變化的公共電壓②。

圖10示出具有與圖3的像素電路對應的像素結(jié)構(gòu)的LCD設備的另一實施例的平面圖。圖11A示出沿圖10的線I-I'截取的截面圖。圖11B示出沿圖10的線II-II'截取的截面圖。

參考圖10、11A、和11B，在示范性實施例中，LCD設備包括第一基板301、第一柵極線GL1、第一柵極電極GE1、第二柵極電極GE2、第一存儲電極751、第二存儲電極752、第三存儲電極753、第四存儲電極754、柵絕緣層311、第一半導體層321、第二半導體層322、第三半導體層323、第四半導體層324、第一歐姆接觸層321a、第二歐姆接觸層321b、第三歐姆接觸層322a、第四歐姆接觸層322b、第五歐姆接觸層323a、第六歐姆接觸層323b、第七歐姆接觸層324a、第八歐姆接觸層324b、第一數(shù)據(jù)線DL1、第一漏極DE1、第一源極SE1、第二漏極DE2、第二源極SE2、第三漏極DE3、第三源極SE3、第四漏極DE4、第四源極SE4、鈍化層320、覆蓋層391、濾色器354、第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2、第二基板302、擋光層376、保護層722、公共電極330、和液晶層333。

在這樣的示范性實施例中，第一歐姆接觸層321a、第二歐姆接觸層321b、第三歐姆接觸層322a、第四歐姆接觸層322b、第五歐姆接觸層323a、第六歐姆接觸層323b、第七歐姆接觸層324a、和第八歐姆接觸層324b可以從LCD去除。

如圖10和圖11A所示，第一開關元件TFT1包括第一柵極GE1、第一半導體層321、第一漏極DE1、和第一源極SE1。

如圖10和圖11A所示，第二開關元件TFT2包括第二柵極GE2、第二半導體層322、第二漏極DE2、和第二源極SE2。

如圖10和圖11B所示，第三開關元件TFT3包括第三柵極GE3、第三半導體層323、第三漏極DE3、和第三源極SE3。

如圖10和圖11B所示，第四開關元件TFT4包括第四柵極GE4、第四半導體層324、第四漏極DE4、和第四源極SE4。

如圖11A和圖11B所示，在示范性實施例中，第一柵極線GL1在第一基板301上。在這樣的示范性實施例中，如圖10所示，第一柵極線GL1位于第一基板301的第一子像素區(qū)P1與第二子像素區(qū)P2之間以及第一基板301的第三子像素區(qū)P3與第四子像素區(qū)P4之間。

如圖10所示，第一柵極線GL1連接到第一柵極GE1、第二柵極GE2、第三柵極GE3、和第四柵極GE4。第一柵極線GL1、第一柵極GE1、第二柵極GE2、第三柵極GE3、和第四柵極GE4可以彼此一體。第一柵極線GL1可以具有寬度比其另一部分的寬度大的連接部分(例如，其末端部分)，以連接到另一層或外部驅(qū)動電路。

在示范性實施例中，第一柵極線GL1可以包括以下至少一個：基于鋁(Al)的金屬，例如Al或Al合金；基于銀(Ag)的金屬，例如Ag或Ag合金；基于銅(Cu)的金屬，例如Cu或Cu合金；和/或基于鉬(Mo)的金屬，例如Mo或Mo合金。在另一示范性實施例中，柵極線GL可以包括鉻(Cr)、鉭(Ta)、和鈦(Ti)中的一種。在示范性實施例中，柵極線GL可以具有多層結(jié)構(gòu)，其包括具有彼此不同物理性質(zhì)的至少兩個導電層。

如圖10所示，在示范性實施例中，第一柵電極GE1、第二柵電極GE2、第三柵電極GE3、和第四柵電極GE4可以從第一柵極線GL1突出。在這樣的示范性實施例中，第一柵電極GE1、第二柵電極GE2、第三柵電極GE3、和第四柵電極GE4可以是第一柵極線GL1的一部分。在示范性實施例中，第一柵電極GE1、第二柵電極GE2、第三柵電極GE3、和第四柵電極GE4可以包括基本相同的材料，并且可以具有與第一柵極線GL1基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以以相同的工藝同時提供第一、第二、第三、和第四柵電極GE1、GE2、GE3、和GE4以及第一柵極線GL1。

如圖10所示，在示范性實施例中，第一存儲電極751圍繞第一子像素電極PE1。在這樣的示范性實施例中，第一存儲電極751可以與第一子像素電極PE1的邊緣重疊。第一存儲電壓Vcst1被施加到第一存儲電極751。第一存儲電壓Vcst1的電平可以與公共電壓Vcom的電平相同。第一存儲電極751可以包括基本相同的材料，并且可以具有與第一柵極線GL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第一存儲電極751和第一柵極線GL1。

如圖10所示，在示范性實施例中，第二存儲電極752圍繞第二子像素電極PE2。在這樣的示范性實施例中，第二存儲電極752可以與第二子像素電極PE2的邊緣重疊。第二存儲電壓Vcst2被施加到第二存儲電極752。第二存儲電壓Vcst2的電平可以與公共電壓Vcom的電平相同。第二存儲電極752可以包括基本相同的材料，并且可以具有與第一柵極線GL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第二存儲電極752和第一柵極線GL1。

如圖10所示，在示范性實施例中，第一柵極GE1、第二柵極GE2、第三柵極GE3、和第四柵極GE4可以從第一柵極線GL1突出。在這樣的示范性實施例中，第一柵極GE1、第二柵極GE2、第三柵極GE3、和第四柵極GE4可以是第一柵極線GL1的一部分。在示范性實施例中，第一柵極GE1、第二柵極GE2、第三柵極GE3、和第四柵極GE4可以包括基本相同的材料，并且可以具有與第一柵極線GL1基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第一、第二、第三、和第四柵極GE1、GE2、GE3、和GE4以及第一柵極線GL1。

如圖10所示，在示范性實施例中，第一存儲電極751圍繞第一子像素電極PE1。在這樣的示范性實施例中，第一存儲電極751可以與第一子像素電極PE1的邊緣重疊。第一存儲電壓Vcst1被施加到第一存儲電極751。第一存儲電壓Vcst1的電平可以與公共電壓Vcom的電平相同。第一存儲電極751可以包括與第一柵極線GL1基本相同的材料，并且可以具有與第一柵極線GL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第一存儲電極751和第一柵極線GL1。

如圖10所示，在示范性實施例中，第二存儲電極752圍繞第二子像素電極PE2。在這樣的示范性實施例中，第二存儲電極752可以與第二子像素電極PE2的邊緣重疊。第二存儲電壓Vcst2被施加到第二存儲電極752。第二存儲電壓Vcst2的電平可以與公共電壓Vcom的電平相同。第二存儲電極752可以包括與第一柵極線GL1基本相同的材料，并且可以具有與第一柵極線GL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第二存儲電極752和第一柵極線GL1。

如圖10所示，在示范性實施例中，第三存儲電極753圍繞第三子像素電極PE3。在這樣的示范性實施例中，第三存儲電極753可以與第三子像素電極PE3的邊緣重疊。第三存儲電壓Vcst3被施加到第三存儲電極753。第三存儲電壓Vcst3的電平可以與公共電壓Vcom的電平相同。第三存儲電極753可以包括與第一柵極線GL1基本相同的材料，并且可以具有與第一柵極線GL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第三存儲電極753和第一柵極線GL1。

如圖10所示，在示范性實施例中，第四存儲電極754圍繞第四子像素電極PE4。在這樣的示范性實施例中，第四存儲電極754可以與第四子像素電極PE4的邊緣重疊。第四存儲電壓Vcst4被施加到第四存儲電極754。第四存儲電壓Vcst4的電平可以與公共電壓Vcom的電平相同。第四存儲電極754可以包括與第一柵極線GL1基本相同的材料，并且可以具有與第一柵極線GL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第四存儲電極754和第一柵極線GL1。

如圖11A和11B所示，在示范性實施例中，柵極絕緣層311位于第一柵極線GL1、第一柵極GE1、第二柵極GE2、第三柵極GE3、第四柵極GE4、第一存儲電極751、第二存儲電極752、第三存儲電極753、和第四存儲電極754上。在這樣的示例性實施例中，柵極絕緣層311可以基本上在其上布置有第一柵極線GL1、第一柵極GE1、第二柵極GE2、第三柵極GE3、第四柵極GE4、第一存儲電極751、第二存儲電極752、第三存儲電極753、和第四存儲電極754的第一基板301的整個表面之上。柵極絕緣層311可以包括氮化硅(SiN_X)、氧化硅(SiO_X)等。柵極絕緣層311可以具有多層結(jié)構(gòu)，其包括具有彼此不同物理性質(zhì)的至少兩個絕緣層。

如圖11A和11B所示，第一數(shù)據(jù)線DL1在柵絕緣層311上。第一數(shù)據(jù)線DL1可以具有寬度比其另一部分的寬度更大的連接部分(例如，其末端部分)以連接到另一層或外部驅(qū)動電路。

第一數(shù)據(jù)線DL1與第一柵極線GL1相交。第一數(shù)據(jù)線DL1在其與第一柵極線GL1相交的部分處可以具有比其另一部分的線寬更小的線寬。因此，可以減小第一數(shù)據(jù)線DL1與第一柵極線GL1之間的寄生電容值。

在示范性實施例中，第一數(shù)據(jù)線DL1可以包括難熔金屬，例如鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、和鈦(Ti)或其合金。在示范性實施例中，第一數(shù)據(jù)線DL1可以具有包括難熔金屬層和低電阻導電層的多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的示例可以包括：包括Cr或Mo(合金)下層和Al(合金)上層的雙層結(jié)構(gòu)；以及包括Mo(合金)下層、Al(合金)中間層、和Mo(合金)上層的三層結(jié)構(gòu)。此外，除了上述材料之外或代替上述材料，第一數(shù)據(jù)線DL1可以包括任何合適的金屬或?qū)w。

如圖11A所示，在示范性實施例中，第一半導體層321在柵極絕緣層311上。在這樣的示范性實施例中，第一半導體層321與第一柵極GE1的至少一部分重疊。第一半導體層321可以包括例如非晶硅、多晶硅。

如圖11A所示，在示范性實施例中，第一和第二歐姆接觸層321a和321b在第一半導體層321上。第一和第二歐姆接觸層321a和321b彼此相對，其間具有第一半導體層321的溝道區(qū)。第一和第二歐姆接觸層321a和321b中的至少一個可以包括硅化物或者以高濃度摻雜有n型雜質(zhì)(例如磷(P)或磷化氫(PH₃))的n+氫化非晶硅。

如圖11A所示，在示范性實施例中，第二半導體層322在柵極絕緣層311上。在這樣的示范性實施例中，第二半導體層322與第二柵極GE2的至少一部分重疊。第二半導體層322可以包括例如非晶硅或多晶硅。第二半導體層322和第一半導體層321可以彼此連接。

如圖11A所示，在示范性實施例中，第三和第四歐姆接觸層322a和322b在第二半導體層322上。第三和第四歐姆接觸層322a和322b彼此相對，其間具有第二半導體層322的溝道區(qū)。第三和第四歐姆接觸層322a和322b中的至少一個可以包括以高濃度摻雜有n型雜質(zhì)(例如磷(P)或磷化氫(PH ₃))的n+氫化非晶硅。

如圖11B所示，在示范性實施例中，第三半導體層323在柵絕緣層311上。在這樣的示范性實施例中，第三半導體層323與第三柵電極GE3的至少一部分重疊。第三半導體層323可以包括例如非晶硅或多晶硅。

如圖11B所示，在示范性實施例中，第五和第六歐姆接觸層323a和323b在第三半導體層323上。第五和第六歐姆接觸層323a和323b彼此相對，其間具有第三半導體層323的溝道區(qū)。第五或第六歐姆接觸層323a和323b中的至少一個可以包括高濃度的摻雜有n型雜質(zhì)(例如磷(P)或磷化氫(PH₃))的例如硅化物或n+氫化非晶硅。

如圖11B所示，在示范性實施例中，第四半導體層324在柵絕緣層311上。在這樣的示范性實施例中，第四半導體層324與第四柵電極GE4的至少一部分重疊。第四半導體層324可以包括例如非晶硅或多晶硅。第四半導體層324和第三半導體層323可以彼此連接。

如圖11B所示，在示范性實施例中，第七和第八歐姆接觸層324a和324b在第四半導體層324上。第七和第八歐姆接觸層324a和324b彼此相對，其間具有第四半導體層324的溝道區(qū)。第七和第八歐姆接觸層324a和324b中的至少一個可以包括如以高濃度摻雜有n型雜質(zhì)(如磷(P)或磷化氫(PH ₃))的硅化物或n+氫化非晶硅。

如圖11A所示，在示范性實施例中，第一漏極DE1在第一歐姆接觸層321a上。第一漏極DE1在柵極絕緣層311上。如圖10所示，在示范性實施例中，第一漏極DE1可以從第一數(shù)據(jù)線DL1突出。第一漏極DE1可以是第一數(shù)據(jù)線DL1的一部分。在這樣的示范性實施例中，第一漏極DE1的至少一部分與第一半導體層321和第一柵極GE1重疊。第一漏極DE1可以具有例如I形形狀、C形形狀、和U形形狀中的一種。

圖10示出具有U形形狀的第一漏極極DE1。第一漏極DE1可以包括與第一數(shù)據(jù)線DL1基本相同的材料，并且可以具有與第一數(shù)據(jù)線DL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第一漏極極DE1和第一數(shù)據(jù)線DL1。

如圖11A所示，在示范性實施例中，第一源極SE1在第二歐姆接觸層321b和柵極絕緣層311上。在示范性實施例中，第一源極SE1的至少一部分與第一半導體層321和第一柵極GE1重疊。第一源極SE1連接到第一子像素電極PE1。第一源極SE1可以包括與第一數(shù)據(jù)線DL1基本相同的材料，并且可以具有與第一數(shù)據(jù)線DL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第一源極SE1和第一數(shù)據(jù)線DL1。

如圖11A所示，在示范性實施例中，第二漏極DE2在第三歐姆接觸層322a上。第二漏極DE2在柵極絕緣層311上。如圖10所示，在示范性實施例中，第二漏極DE2可以從第一漏極DE1突出。第二漏極DE2可以是第一漏極DE1的一部分。在這樣的示范性實施例中，第二漏極DE2的至少一部分與第二半導體層322和第二柵電極GE2重疊。第二漏極DE2可以具有例如I形形狀，C形形狀和U形形狀中的一種形狀。

在示范性實施例中，圖10示出具有U形形狀的第二漏極DE2。第二漏極DE2可以包括與第一數(shù)據(jù)線DL1基本相同的材料，并且可以具有與第一數(shù)據(jù)線DL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第二漏極DE2和第一數(shù)據(jù)線DL1。

如圖11A所示，在示范性實施例中，第二源極SE2在第四歐姆接觸層322b和柵極絕緣層311上。在這樣的示范性實施例中，第二源極SE2的至少一部分與第二半導體層322和第二柵極GE2重疊。第二源極SE2連接到第二子像素電極PE2。第二源極SE2可以包括與第一數(shù)據(jù)線DL1基本相同的材料，并且可以具有與第一數(shù)據(jù)線DL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，第二源極SE2和第一數(shù)據(jù)線DL1可以在相同的工藝中同時提供。

如圖11B所示，在示范性實施例中，第三漏極DE3在第五歐姆接觸層323a上。第三漏極DE3在柵極絕緣層311上。如圖10所示，在示范性實施例中，第三漏極DE3可以從第一數(shù)據(jù)線DL1突出。第三漏極DE3可以是第一數(shù)據(jù)線DL1的一部分。在這樣的示范性實施例中，第三漏極DE3的至少一部分與第三半導體層323和第三柵極GE3重疊。第三漏極DE3可以具有例如I形形狀，C形形狀和U形形狀中的一種。

在示范性實施例中，圖10示出具有U形形狀的第三漏極DE3。第三漏極DE3可以包括與第一數(shù)據(jù)線DL1基本相同的材料，并且可以具有與第一數(shù)據(jù)線DL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第三漏極DE3和第一數(shù)據(jù)線DL1。

如圖11B所示，在示范性實施例中，第三源極SE3在第六歐姆接觸層323b和柵極絕緣層311上。在這樣的示范性實施例中，第三源極SE3的至少一部分與第三半導體層323和第三柵極GE3重疊。第三源極SE3連接到第三子像素電極PE3。第三源極SE3可以包括與第一數(shù)據(jù)線DL1基本相同的材料，并且可以具有與第一數(shù)據(jù)線DL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第三源極SE3和第一數(shù)據(jù)線DL1。

如圖11B所示，在示范性實施例中，第四漏極DE4在第七歐姆接觸層324a上。第四漏極DE4在柵極絕緣層311上。如圖10所示，在示范性實施例中，第四漏極DE4可以從第三漏極DE3突出。第四漏極DE4可以是第三漏極DE3的一部分。在這樣的示范性實施例中，第四漏極極DE4的至少一部分與第四半導體層324和第四柵極GE4重疊。第四漏極DE4可以具有例如I形形狀，C形形狀和U形形狀中的一種。

在示范性實施例中，圖10示出具有U形形狀的第四漏極DE4。第四漏極DE4可以包括與第一數(shù)據(jù)線DL1基本相同的材料，并且可以具有與第一數(shù)據(jù)線DL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第四漏極DE4和第一數(shù)據(jù)線DL1。

如圖11B所示，在示范性實施例中，第四源極SE4在第八歐姆接觸層324b和柵極絕緣層311上。在這樣的示范性實施例中，第四源極SE4的至少一部分與第四半導體層324和第四柵極GE4重疊。第四源極SE4連接到第四子像素電極PE4。第四源極SE4可以包括與第一數(shù)據(jù)線DL1基本相同的材料，并且可以具有與第一數(shù)據(jù)線DL1的結(jié)構(gòu)基本相同的結(jié)構(gòu)(例如，多層結(jié)構(gòu))。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時提供第四源極SE4和第一數(shù)據(jù)線DL1。

在示范性實施例中，半導體層和歐姆接觸層中的各個層可以在柵極絕緣層311與第一數(shù)據(jù)線DL1之間，在第一漏極DE1與柵極絕緣層311之間，在第一源極SE1與柵極絕緣層之間311之間，在第二漏極DE2與柵絕緣層311之間，在第二源極SE2與柵極絕緣層311之間，在第三漏極DE3與柵極絕緣層311之間，在第三源極SE3與柵極絕緣層311之間，在第四漏極DE4與柵極絕緣層311之間，以及在第四源極SE4與柵極絕緣層311之間。在這樣的示范性實施例中，第一、第二、第三、和第四半導體層321、322、323、和324以及各個半導體層可以彼此一體化，并且第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、和第八歐姆接觸層321a、321b、322a、322b、323a、323b、324a、和324b可以彼此一體化。各個歐姆接觸層可以是彼此一體的(例如，一體形成)。

如圖11A和11B所示，在示范性實施例中，鈍化層320在第一數(shù)據(jù)線DL1、第一漏極DE1、第二漏極DE2、第三漏極DE3、第四漏極DE4、第一源極SE1、第二源極SE2、第三源極SE3、和第四源極SE4上。在這樣的示范性實施例中，鈍化層320可以基本上在其上布置有第一數(shù)據(jù)線DL1、第一漏極DE1、第二漏極DE2、第三漏極DE3、第四漏極電極DE4、第一源極SE1、第二源極SE2、第三源極SE3、和第四源極SE4的第一基板301的整個表面上?？梢酝ㄟ^鈍化層320限定第一、第二、第三、和第四下接觸孔。第一源極SE1通過第一下接觸孔暴露，第二源極SE2通過第二下接觸孔暴露，第三源極SE3通過第三下接觸孔暴露，并且第四源極SE4通過第四下接觸孔暴露。

在示范性實施例中，鈍化層320可以包括無機絕緣材料，例如SiN_X或SiO_X。在這樣的示范性實施例中，無機絕緣材料可以具有感光性和約4.0的介電常數(shù)。在另一示范性實施例中，鈍化層320可以具有包括下無機層和上有機層的雙層結(jié)構(gòu)。鈍化層320的雙層結(jié)構(gòu)可以基本上減少或有效地防止對第一和第二半導體層321和322的暴露部分的損壞，并且可以允許相對高的絕緣特性。在示范性實施例中，鈍化層320可以具有大于或等于大約5000埃的厚度，例如在大約6000埃至大約8000埃的范圍內(nèi)。

如圖11A和11B所示，在示范性實施例中，濾色器354位于鈍化層320上。濾色器354分別在第一子像素區(qū)域P1、第二子像素區(qū)域P2、第三子像素區(qū)域P3、和第四子像素區(qū)域P4中。在這樣的示范性實施例中，濾色器354的邊緣在第一柵極線GL1、第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、第四開關元件TFT4、和第一數(shù)據(jù)線DL1上。然而，濾色器354可以不在與第一、第二、第三、和第四接觸孔CH1、CH2、CH3、和CH4對應的位置上。在示范性實施例中，濾色器354之一的邊緣可以與相鄰的一個濾色器354的邊緣重疊。

在示范性實施例中，一個像素中的第一子像素區(qū)域P1、第二子像素區(qū)域P2、第三子像素區(qū)域P3、和第四子像素區(qū)域P4中的分別的濾色器354具有相同的顏色。在這樣的示范性實施例中，具有紅(R)色的濾色器354可以分別在第一子像素區(qū)域P1、第二子像素區(qū)域P2、第三子像素區(qū)域P3、和第四子像素區(qū)域P4中。

濾色器354可以包括例如感光有機材料。

如圖11A和11B所示，在示范性實施例中，覆蓋層391在濾色器354上。覆蓋層391可以防止從濾色器354產(chǎn)生的雜質(zhì)擴散到液晶層333。第一、第二、第三、和第四上接觸孔被定義為穿過覆蓋層391。第一上接觸孔位于暴露第一源極SE1的第一下接觸孔上方。第一上接觸孔和第一下接觸孔彼此連接以限定第一接觸孔CH1。第二上接觸孔位于暴露第二源極SE2的第二下接觸孔上方。第二上接觸孔和第二下接觸孔彼此連接以限定第二接觸孔CH2。第三上接觸孔位于暴露第三源極SE3的第三下接觸孔上方。第三上部接觸孔和第三下部接觸孔彼此連接以限定第三接觸孔CH3。第四上接觸孔位于暴露第四源極SE4的第四下接觸孔上方。第四上接觸孔和第四下接觸孔彼此連接以限定第四接觸孔CH4。覆蓋層391可以包括SiNx、SiOx等。

如圖10所示，在示范性實施例中，第一子像素電極PE1在第一子像素區(qū)P1中。在這樣的示范性實施例中，第一子像素電極PE1在覆蓋層391上。第一子像素電極PE1通過第一接觸孔CH1連接到第一源極SE1。

如圖10所示，在示范性實施例中，第一子像素電極PE1包括十字形主干電極613、和沿多個方向從主干電極613分支出的多個分支電極601。主干電極613和分支電極601可以是彼此一體的(例如，一體形成)。

在示范性實施例中，第一子像素電極PE1可以包括透明導電材料，例如氧化銦錫(“ITO”)或氧化銦鋅(“IZO”)。在這樣的示范性實施例中，例如，ITO可以包括多晶或單晶材料，并且IZO可以包括多晶或單晶材料。在另一示范性實施例中，IZO可以包括無定形材料。

如圖10所示，在示范性實施例中，第二子像素電極PE2在第二子像素區(qū)域P2中。在這樣的示范性實施例中，第二子像素電極PE2在覆蓋層391上。第二子像素電極PE2通過第二接觸孔CH2連接到第二源極SE2。第二子像素電極PE2和第一子像素電極PE1可以包括相同的材料。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時制造第二子像素電極PE2和第一子像素電極PE1。

第二子像素電極PE2和第一子像素電極PE1可以具有基本相同的形狀。

如圖10所示，在示范性實施例中，第三子像素電極PE3在第三子像素區(qū)域P3中。在這樣的示范性實施例中，第三子像素電極PE3在覆蓋層391上。第三子像素電極PE3通過第三接觸孔CH3連接到第三源極SE3。第三子像素電極PE3和第一子像素電極PE1可以包括相同的材料。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時制造第三子像素電極PE3和第一子像素電極PE1。

第三子像素電極PE3和第一子像素電極PE1可以具有基本相同的形狀。

如圖10所示，在示范性實施例中，第四子像素電極PE4在第四子像素區(qū)域P4中。在這樣的示范性實施例中，第四子像素電極PE4在覆蓋層391上。第四子像素電極PE4通過第四接觸孔CH4連接到第四源極SE4。第四子像素電極PE4和第一子像素電極PE1可以包括相同的材料。在這樣的示范性實施例中，可以在相同的工藝中同時制造第四子像素電極PE4和第一子像素電極PE1。

第四子像素電極PE4和第一子像素電極PE1可以具有基本相同的形狀。

如圖11A和11B所示，在示范性實施例中，擋光層376在第二基板302上。擋光層376在除了第一、第二、第三、和第四子像素區(qū)域P1，P2，P3和P4之外的區(qū)域中。在另一示范性實施例中，擋光層376可以在第一基板301上。

在示范性實施例中，保護層722在擋光層376上。在這樣的示范性實施例中，保護層722可以基本上在其上布置擋光層376的第二基板302的整個表面上。保護層722可以有效地去除保護層722和第二基板302之間的部件(例如，第二基板302的部件，例如擋光層376)之間的步進差。在另一示范性實施例中，保護層722可以省略。

在示范性實施例中，公共電極330是在保護層722上。在這樣的示范性實施例中，公共電極330可以基本上在其上布置保護層722的第二基板302的整個表面上。在另一示范性實施例中，公共電極330可以是保護層722的與第一子像素區(qū)域P1，第二子像素區(qū)域P2，第三子像素區(qū)域P3和第四子像素區(qū)域P4對應的部分上。公共電壓Vcom被施加到公共電極330。

在示范性實施例中，LCD設備可以包括第一偏振器和第二偏振器。當彼此相對的第一基板301和第二基板302的表面分別被定義為相應基板的上表面(例如，內(nèi)表面)，并且第一基板301和第二基板302的與其上表面相對布置的表面分別被定義為相應基板的下表面(例如，外表面)時，第一偏振器可以進一步在第一基板301的下表面上，并且第二偏振器可以進一步在第二基板302的下表面上。

第一偏振器的透射軸可以基本上垂直于第二偏振器的透射軸，使得兩個透射軸中的一個可以平行于柵極線GL排列。在另一示范性實施例中，LCD設備可以僅包括第一偏振器或第二偏振器中的一個。

LCD設備還可以包括布置在覆蓋層391上以與數(shù)據(jù)線DL重疊的屏蔽電極。例如，屏蔽電極可以具有與第一數(shù)據(jù)線DL1的形狀基本相同的形狀，并且可以沿著第一數(shù)據(jù)線DL1布置。屏蔽電極和第一子像素電極PE1可以使用基本相同的材料制造。公共電壓Vcom可以被施加到屏蔽電極。屏蔽電極可以防止在第一數(shù)據(jù)線DL1和子像素電極(例如，第一、第二、第三、和第四子像素電極PE1、PE2、PE3、和PE4)之間形成電場。

此外，在屏蔽電極與公共電極330之間形成等電位。因此，透射通過屏蔽電極和公共電極330之間的液晶層333的光可以被第二偏振器阻擋。因此，可以減少或有效地防止在與數(shù)據(jù)線DL對應的區(qū)域中的光泄漏。

第一基板301和第二基板302可以是包括玻璃、塑料等的絕緣基板。

在示范性實施例中，第一基板301和第二基板302之間的液晶層333包括液晶分子。在這樣的示范性實施例中，液晶層333的液晶分子可以是例如具有負介電常數(shù)的各向同性液晶分子。

如圖11A所示，在示范性實施例中，當?shù)谝婚_關元件TFT1的第一柵極GE1和第一源極SE1之間的重疊區(qū)域被定義為第一重疊區(qū)域A1，并且第二開關元件TFT2的第二柵極GE2和第二源極SE2之間的重疊區(qū)域被定義為第二重疊區(qū)域A2時，第一重疊區(qū)域A1和第二重疊區(qū)域A2彼此不同。在這樣的示范性實施例中，第二重疊區(qū)域A2大于第一重疊區(qū)域A1。

第一重疊區(qū)域A1影響第一柵極GE1與第一源極SE1之間的第一寄生電容器Cgs1的電容值。第二重疊區(qū)域A2影響第二柵極GE2與第二源極SE2之間的第二寄生電容器Cgs2的電容值。因此，當?shù)诙丿B區(qū)域A2大于第一重疊區(qū)域A1并且所有其他條件相同時，第二寄生電容Cgs2的電容值大于第一寄生電容Cgs1的電容值。

如圖11B所示，在示范性實施例中，當?shù)谌_關元件TFT3的第三柵極GE3和第三源極SE3之間的重疊區(qū)域被定義為第三重疊區(qū)域A3，并且第四開關元件TFT4的第四柵極GE4和第四源極SE4之間的重疊區(qū)域被定義為第四重疊區(qū)域A4時，第三重疊區(qū)域A3和第四重疊區(qū)域A4彼此不同。在這樣的示范性實施例中，第三重疊區(qū)域A3大于第四重疊區(qū)域A4。

第三重疊區(qū)域A3影響第三柵極GE3與第三源極SE3之間的第三寄生電容器Cgs3的電容值。第四重疊區(qū)域A4影響第四柵極GE4與第四源極SE4之間的第四寄生電容器Cgs4的電容值。因此，當?shù)谌丿B區(qū)域A3大于第四重疊區(qū)域A4并且所有其他條件相同時，第三寄生電容Cgs3的電容值大于第四寄生電容Cgs4的電容值。

圖12示出像素PX的等效電路的另一實施例。參考圖12，像素PX包括第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、第四開關元件TFT4、第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2、第三子像素電極PE3、第四子像素電極PE4、第一液晶電容器Clc1、第二液晶電容器Clc2、第三液晶電容器Clc3、第四液晶電容器Clc4、第一存儲電容器Cst1、第二存儲電容器Cst2、第三存儲電容器Cst3、第四存儲電容器Cst4、第一寄生電容器Cgs1、第二寄生電容器Cgs2、第三寄生電容器Cgs3、和第四寄生電容器Cgs4。

圖12的像素PX中的第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2、第三子像素電極PE3、第四子像素電極PE4、第一液體晶體電容器Clc1、第二液晶電容器Clc2、第三液晶電容器Clc3、第四液晶電容器Clc4、第一存儲電容器Cst1、第二存儲電容器Cst2、第三存儲電容器Cst3、第四存儲電容器Cst4、第一寄生電容器Cgs1、和第二寄生電容器Cgs2可以與圖3的像素PX中的那些相同。

在示范性實施例中，圖12的第三開關元件TFT3連接到第一柵極線GL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、和第三子像素電極PE3。在這樣的示范性實施例中，第三開關元件TFT3包括連接到第一柵極線GL1的柵極、連接到第二數(shù)據(jù)線DL2的漏極、和連接到第三子像素電極PE3的源極。

第三開關元件TFT3被從第一柵極線GL1施加的柵極信號的柵極高電壓導通。當被導通時，第三開關元件TFT3將來自第二數(shù)據(jù)線DL2的數(shù)據(jù)電壓施加到第三子像素電極PE3。第三開關元件TFT3被柵極信號的柵極低電壓截止。

在示范性實施例中，圖12的第四開關元件TFT4連接到第一柵極線GL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、和第四子像素電極PE4。在這樣的示范性實施例中，第四開關元件TFT4包括連接到第一柵極線GL1的柵極、連接到第二數(shù)據(jù)線DL2的漏極、和連接到第四子像素電極PE4的源極。

第四開關元件TFT4被來自第一柵極線GL1的柵極信號的柵極高電壓導通。當被導通時，第四開關元件TFT4將來自第二數(shù)據(jù)線DL2的數(shù)據(jù)電壓施加到第四子像素電極PE4。第四開關元件TFT4被柵極信號的柵極低電壓截止。

圖12中，具有相對較大電容值的寄生電容器被圖示為相對較大，并且具有相對較小電容值的寄生電容器被圖示為相對較小，以允許容易比較第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4的電容值。如圖12所示，在示范性實施例中，第二寄生電容Cgs2的電容值大于第一寄生電容Cgs1的電容值，第四寄生電容Cgs4的電容值大于第三寄生電容Cgs3的電容值。

圖12中，施加到第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓的極性不同于施加到第二數(shù)據(jù)線DL2的數(shù)據(jù)電壓的極性。例如，當施加到第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓在一個幀周期期間保持為正時，施加到第二數(shù)據(jù)線DL2的數(shù)據(jù)電壓在一個幀周期期間保持為負。

圖13示出像素PX的等效電路的另一實施例。參考圖13，像素PX包括第一開關元件TFT1、第二開關元件TFT2、第三開關元件TFT3、第四開關元件TFT4、第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2、像素電極PE3、第四子像素電極PE4、第一液晶電容器Clc1、第二液晶電容器Clc2、第三液晶電容器Clc3、第四液晶電容器Clc4、第一存儲電容器Cst1、第二存儲電容器Cst2、第三存儲電容器Cst3、第四存儲電容器Cst4、第一寄生電容器Cgs1、第二寄生電容器Cgs2、第三寄生電容器Cgs3、和第四寄生電容器Cgs4。

圖13的像素PX的第一開關元件TFT1、第三開關元件TFT3、第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2、第三子像素電極PE3、第四子像素電極PE4、第一液體晶體電容器Clc1、第二液晶電容器Clc2、第三液晶電容器Clc3、第四液晶電容器Clc4、第一存儲電容器Cst1、第二存儲電容器Cst2、第三存儲電容器Cst3、第四存儲電容器Cst4、第一寄生電容器Cgs1、第二寄生電容器Cgs2、第三寄生電容器Cgs3、和第四寄生電容器Cgs4可以與圖3的像素PX中的那些相同。

在示范性實施例中，圖13的第二開關元件TFT2連接到第二柵極線GL2、第一數(shù)據(jù)線DL1、和第二子像素電極PE2。在這樣的示范性實施例中，第二開關元件TFT2包括連接到第二柵極線GL2的柵極、連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的漏極、和連接到第二子像素電極PE2的源極。

第二開關元件TFT2被來自第二柵極線GL2的柵極信號的柵極高電壓導通。當被導通時，第二開關元件TFT2將來自第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓施加到第二子像素電極PE2。第二開關元件TFT2被柵極信號的柵極低電壓截止。

在示范性實施例中，圖13的第四開關元件TFT4連接到第二柵極線GL2、第一數(shù)據(jù)線DL1、和第四子像素電極PE4。在這樣的示范性實施例中，第四開關元件TFT4包括連接到第二柵極線GL2的柵極、連接到第一數(shù)據(jù)線DL1的漏極、和連接到第四子像素電極PE4的源極。

第四開關元件TFT4被來自第二柵極線GL2的柵極信號的柵極高電壓導通。當被導通時，第四開關元件TFT4將來自第一數(shù)據(jù)線DL1的數(shù)據(jù)電壓施加到第四子像素電極PE4。第四開關元件TFT4被柵極信號的柵極低電壓截止。

圖13中，具有相對較大電容值的寄生電容器被圖示為相對較大，并且具有相對較小電容值的寄生電容器被圖示為相對較小，以允許容易比較第一、第二、第三、和第四寄生電容器Cgs1、Cgs2、Cgs3、和Cgs4的電容值。如圖13所示，在示范性實施例中，第二寄生電容Cgs2的電容值大于第一寄生電容Cgs1的電容值，第三寄生電容Cgs3的電容值大于第四寄生電容Cgs4的電容值。

在示范性實施例中，圖13的像素PX中的第三寄生電容Cgs3的電容值與另一像素中的第一寄生電容Cgs1的電容值相同。圖13的像素PX中的第四寄生電容Cgs4的電容值可以與另一像素中的第二寄生電容器Cgs2的電容值相同。在這樣的示范性實施例中，另一像素對應于連接到第一柵極線GL1、第二柵極線GL2、和第二數(shù)據(jù)線DL2的像素PX。如圖5所示，連接到奇數(shù)編號數(shù)據(jù)線的像素和連接到偶數(shù)編號數(shù)據(jù)線的像素可以具有彼此不同的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)前述實施例中的一個或多個，可以通過使用寄生電容器來控制施加到各個子像素電極的數(shù)據(jù)信號的電平而無需分壓器晶體管。因此，可以增加像素的孔徑比。另外，由于基于寄生電容器的電容值而不是晶體管的內(nèi)部電阻值來控制數(shù)據(jù)信號的電平，可以相對容易地控制數(shù)據(jù)信號的電平。

在這樣的示范性實施例中，由于不存在分壓器晶體管，數(shù)據(jù)線和存儲電極可以不直接彼此連接。因此，存儲電壓的電平的變化可以顯著減小。

在這樣的示范性實施例中，由于具有基本相同的幅度和在相反方向上的轉(zhuǎn)變的數(shù)據(jù)電壓，公共電壓的紋波可以顯著減小。因此，水平串擾可以顯著減小。在這樣的示范性實施例中，可以減少柵極線和數(shù)據(jù)線的數(shù)量。

本文已經(jīng)公開了示范性實施例，并且盡管采用了特定術語，但是它們僅在一般和描述性意義上使用和解釋，而不是為了限制的目的。在一些情況下，如在提交本申請時對于本領域技術人員顯而易見的，結(jié)合特定實施例描述的特征，特性和/或元件可單獨使用或與結(jié)合其他實施例描述的特征，特性，和/或元件組合使用，除非另有說明。因此，本領域技術人員將理解，可以進行形式和細節(jié)上的各種改變而不脫離權利要求中的實施例的精神和范圍。