本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及顯示器件。

背景技術(shù)：

液晶顯示技術(shù)廣泛應(yīng)用于電視、手機(jī)以及公共信息顯示，液晶顯示主要可以分為扭曲向列相(TN)模式、垂直排列(VA,vertical-aligned)模式、面內(nèi)開關(guān)(IPS,in-plane switching)模式。其中垂直排列模式的液晶具有高對比度，并且在一個(gè)像素內(nèi)可實(shí)現(xiàn)8疇液晶排列，從而得到寬視角，在大尺寸液晶電視方面得到了廣泛應(yīng)用。目前，通常采用電荷共享方式實(shí)現(xiàn)8疇液晶排列，控制方式要用到相鄰的兩條柵線，實(shí)現(xiàn)方式較為復(fù)雜，開口率也會降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示器件，用以提供一種簡單的實(shí)現(xiàn)多疇顯示的結(jié)構(gòu)。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型實(shí)施例中提供一種陣列基板，包括多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括像素電極、存儲電容和半導(dǎo)體器件，所述像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極，所述半導(dǎo)體器件包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一子像素電極和第二子像素電極之間絕緣，且所述第一子像素電極與第一薄膜晶體管的漏電極電性連接，所述第二子像素電極與所述第二薄膜晶體管的漏電極電性連接，所述存儲電容包括第一存儲電容和第二存儲電容，所述第一存儲電容的電容量大于所述第二存儲電容的電容量，所述第一存儲電容用于維持所述第一子像素電極上的電壓，所述第二存儲電容用于維持所述第二子像素電極上的電壓。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第一薄膜晶體管的柵電極和第二薄膜晶體管的柵電極為一體結(jié)構(gòu)，所述第一薄膜晶體管的源電極和第二薄膜晶體管的源電極為一體結(jié)構(gòu)，所述第一薄膜晶體管的有源層和第二薄膜晶體管的有源層為一體結(jié)構(gòu)。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括公共電極線，所述第一薄膜晶體管的漏電極在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述公共電極線在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第一交疊區(qū)域，所述第一薄膜晶體管的漏電極位于第一交疊區(qū)域的部分和所述公共電極線位于第一交疊區(qū)域的部分形成所述第一存儲電容。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第二薄膜晶體管的漏電極在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述公共電極線在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第二交疊區(qū)域，所述第二薄膜晶體管的漏電極位于第二交疊區(qū)域的部分和所述公共電極線位于第二交疊區(qū)域的部分形成所述第二存儲電容，所述第二交疊區(qū)域的面積小于所述第一交疊區(qū)域的面積。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第一交疊區(qū)域的面積和第二交疊區(qū)域的面積之比為d，其中，2≤d≤10。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第二薄膜晶體管的漏電極在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述公共電極線在所述陣列基板所在平面上的正投影不交疊，所述第二存儲電容的電容量為零。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括公共電極線，所述第一薄膜晶體管的漏電極在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述公共電極線在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第一交疊區(qū)域，所述第一薄膜晶體管的漏電極位于第一交疊區(qū)域的部分和所述公共電極線位于第一交疊區(qū)域的部分形成第三存儲電容；

所述第二薄膜晶體管的漏電極在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述公共電極線在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第二交疊區(qū)域，所述第二薄膜晶體管的漏電極位于第二交疊區(qū)域的部分和所述公共電極線位于第二交疊區(qū)域的部分形成所述第二存儲電容；

所述第二交疊區(qū)域的面積小于所述第一交疊區(qū)域的面積；

所述第一子像素電極在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述公共電極線在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第三交疊區(qū)域，所述第一子像素電極位于第三交疊區(qū)域的部分和所述公共電極線位于第三交疊區(qū)域的部分形成第四存儲電容，所述第一存儲電容由所述第三存儲電容和第四存儲電容并聯(lián)組成。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括與所述公共電極線一體成型的支線，所述支線與所述公共電極線的延伸方向不同；

所述支線在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述第一子像素電極在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成所述第三交疊區(qū)域。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述支線在所述陣列基板所在平面上的正投影與所述第二子像素電極在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第四交疊區(qū)域。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第一子像素電極包括第一狹縫電極，所述第一狹縫電極上具有沿至少兩個(gè)方向延伸的第一狹縫。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第一子像素電極還包括板狀的第一電極塊，所述第一電極塊與所述第一狹縫電極為一體結(jié)構(gòu)。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第二子像素電極包括第二狹縫電極，所述第二狹縫電極上具有沿至少兩個(gè)方向延伸的第二狹縫。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第二子像素電極還包括板狀的第二電極塊，所述第二電極塊與所述第二狹縫電極為一體的同層結(jié)構(gòu)。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第一狹縫包括沿第一方向延伸的第一子狹縫和沿第二方向延伸的第二子狹縫；

所述第二狹縫包括沿第三方向延伸的第三子狹縫和沿第四方向延伸的第四子狹縫；

所述第一方向、第二方向、第三方向和第四方向互不一致。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述第一子像素電極的面積和第二子像素電極的面積不同。

本實(shí)用新型實(shí)施例中還提供一種顯示器件，采用如上所述的陣列基板。

如上所述的顯示器件，優(yōu)選的是，所述顯示器件還包括彩膜基板，所述彩膜基板包括公共電極，所述公共電極上具有沿至少兩個(gè)方向延伸的第三狹縫；

所述像素電極包括板狀的電極塊，所述第三狹縫所在的區(qū)域與所述電極塊所在的區(qū)域位置對應(yīng)。

本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

上述技術(shù)方案中，僅需對陣列基板的像素結(jié)構(gòu)做簡單改變，就可以實(shí)現(xiàn)多疇顯示，不會影響像素開口率。而且無需改變顯示裝置的驅(qū)動(dòng)，控制簡單。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1表示本實(shí)用新型實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖2表示本實(shí)用新型實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖3表示本實(shí)用新型實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖4表示本實(shí)用新型實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖四。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。

本實(shí)施例中提供一種陣列基板，能夠?qū)崿F(xiàn)多疇顯示，且實(shí)現(xiàn)方式簡單。

如圖1所示，所述陣列基板包括多條柵線10和多條數(shù)據(jù)線20，柵線10和數(shù)據(jù)線20限定多個(gè)像素區(qū)域100。每一像素區(qū)域100包括像素電極、存儲電容和半導(dǎo)體器件。所述存儲電容用于維持所述像素電極上的電壓。所述半導(dǎo)體器件包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，為了便于描述，定義所述第一薄膜晶體管的漏電極為第一漏電極1，第二薄膜晶體管的漏電極為第二漏電極2。

所述像素電極包括第一子像素電極11和第二子像素電極12，第一子像素電極11和第二子像素電極12之間絕緣。第一子像素電極11與第一漏電極1電性連接，第二子像素電極12與第二漏電極2電性連接。所述存儲電容包括第一存儲電容和第二存儲電容，所述第一存儲電容的電容量大于所述第二存儲電容的電容量，所述第一存儲電容用于維持第一子像素電極11上的電壓，所述第二存儲電容用于維持第二子像素電極12上的電壓。

上述陣列基板，由于第一存儲電容的電容量大于所述第二存儲電容的電容量，第一子像素電極11通過所述第一存儲電容放電的速度比第二子像素電極12通過所述第二存儲電容放電的速度慢，使得第一子像素電極11和第二子像素電極12之間存在壓差，從而實(shí)現(xiàn)多疇顯示，增大視角。而且實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)簡單，不會影響像素開口率。

具體可以為：第一存儲電容和第二存儲電容的電容量均大于零，且第一存儲電容的電容量大于所述第二存儲電容的電容量，或，第一存儲電容的電容量均大于零，第二存儲電容的電容量為零。

其中，第一子像素電極11的面積和第二子像素電極12的面積可以相同，也可以不同。

可選的，所述第一薄膜晶體管的柵電極(圖中未示出)和第二薄膜晶體管的柵電極為一體結(jié)構(gòu)，與柵線10電性連接，通過向柵線10傳輸柵掃描信號，能夠逐行打開每行的所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管。進(jìn)一步地，所述第一薄膜晶體管的源電極3和第二薄膜晶體管的源電極為一體結(jié)構(gòu)，與數(shù)據(jù)線20連接，通過數(shù)據(jù)線20向第一子像素電極11和第二子像素電極12傳輸數(shù)據(jù)信號，控制對應(yīng)液晶分子的偏轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)顯示。當(dāng)然，所述第一薄膜晶體管的有源層(圖中未示出)和第二薄膜晶體管的有源層也可以為一體結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案通過設(shè)置第一子像素電極11和第二子像素電極12對應(yīng)的存儲電容的電容量不同來實(shí)現(xiàn)多疇顯示，進(jìn)一步設(shè)置所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的柵電極、源電極和有源層為一體結(jié)構(gòu)不僅能夠簡化制作工藝，降低成本，還能夠?qū)崿F(xiàn)多疇顯示的目的。另外，由于通過同一柵線控制所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的開關(guān)，并通過同一數(shù)據(jù)線向所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管傳輸數(shù)據(jù)信號，控制過程與現(xiàn)有技術(shù)相同，僅是結(jié)構(gòu)上的改變。

需要說明的是，所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管也可以通過不同的柵線和/或不同的數(shù)據(jù)線來控制，也屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

所述陣列基板還包括公共電極線30，用于提供基準(zhǔn)電壓。其中，所述第一存儲電容可以由第一漏電極1與公共電極線30形成，也可以由第一漏電極1與柵線10形成，或兩者共同形成。所述第二存儲電容可以由第二漏電極2與公共電極線30形成，也可以由第二漏電極2與柵線10形成，或兩者共同形成。因?yàn)槁╇姌O、公共電極線和柵線均有金屬材料制得，能夠提供較大的存儲電容量。當(dāng)然，像素電極與公共電極線之間也可以用于形成存儲電容。

在一個(gè)具體的實(shí)施方式中，如圖1所示，用于維持像素電壓的存儲電容由漏電極和公共電極線形成，具體的：所述第一薄膜晶體管的第一漏電極1在所述陣列基板所在平面上的正投影與公共電極線30在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第一交疊區(qū)域，第一漏電極1位于第一交疊區(qū)域的部分和公共電極線30位于第一交疊區(qū)域的部分形成所述第一存儲電容。通過設(shè)置第一漏電極1位于第一交疊區(qū)域的部分的寬度大于其他部分的寬度，能夠增加第一交疊區(qū)域的面積，從而增加第一存儲電容的電容量。第一交疊區(qū)域的面積即為第一漏電極1和公共電極線30的正對面積。

所述第二薄膜晶體管的第二漏電極2在所述陣列基板所在平面上的正投影與公共電極線30在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第二交疊區(qū)域，所述第二漏電極2位于第二交疊區(qū)域的部分和公共電極線30位于第二交疊區(qū)域的部分形成所述第二存儲電容。第二交疊區(qū)域的面積即為第二漏電極2和公共電極線30的正對面積。

其中，所述第二交疊區(qū)域的面積小于所述第一交疊區(qū)域的面積，以使得所述第二存儲電容的電容量小于所述第一存儲電容的電容量?？蛇x的，所述第一交疊區(qū)域的面積與第二交疊區(qū)域的面積比為d，2≤d≤10，使得第一子像素電極11放電的速度遠(yuǎn)慢于第二子像素電極12放電的速度，增加第一子像素電極11和第二子像素電極12之間的壓差，有效增加顯示視角。

在另一個(gè)具體的實(shí)施方式中，如圖2所示，用于維持像素電壓的存儲電容也由漏電極和公共電極線形成，與上一具體實(shí)施方式不同的是，所述第二薄膜晶體管的第二漏電極2在所述陣列基板所在平面上的正投影與公共電極線30在所述陣列基板所在平面上的正投影不交疊，所述第二存儲電容的電容量為零。而所述第一存儲電容的電容量大于零，大于所述第二存儲電容的電容量，也能夠?qū)崿F(xiàn)本實(shí)用新型的目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易推出，相對于上一具體實(shí)施方式，也可以不增加第一漏電極位于第一交疊區(qū)域的部分的寬度。

上述兩個(gè)具體的實(shí)施方式中，用于維持像素電壓的存儲電容僅由漏電極和公共電極線形成，通過控制漏電極和公共電極線的正對面積來實(shí)現(xiàn)第一存儲電容的電容量大于第二存儲電容的電容量。

在實(shí)際應(yīng)用過程中，作為一種具體的實(shí)施方式，如圖3所示，也可以設(shè)置：所述第一薄膜晶體管的第一漏電極1在所述陣列基板所在平面上的正投影與公共電極線30在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第一交疊區(qū)域，第一漏電極1位于第一交疊區(qū)域的部分與公共電極線30位于第一交疊區(qū)域的部分形成第三存儲電容。并設(shè)置第一子像素電極11在所述陣列基板所在平面上的正投影與公共電極線30在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第三交疊區(qū)域，第一子像素電極11位于第三交疊區(qū)域的部分和公共電極線30位于第三交疊區(qū)域的部分形成第四存儲電容，則，用于維持第一子像素電極11上的電壓的第一存儲電容由所述第三存儲電容和第四存儲電容并聯(lián)組成。

所述第二薄膜晶體管的第二漏電極2在所述陣列基板所在平面上的正投影與公共電極線30在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第二交疊區(qū)域，所述第二漏電極2位于第二交疊區(qū)域的部分和公共電極線30位于第二交疊區(qū)域的部分形成所述第二存儲電容。

其中，第二交疊區(qū)域的面積可以小于第一交疊區(qū)域的面積，使第二存儲電容的電容量小于第三存儲電容的電容量。由于第一存儲電容由所述第三存儲電容和第四存儲電容并聯(lián)組成，能夠?qū)崿F(xiàn)第一存儲電容的電容量大于第二存儲電容的電容量，達(dá)到本實(shí)用新型的目的。

具體的，可以設(shè)置與公共電極線30一體成型的支線301，支線301與公共電極線30的延伸方向不同，具體為支線301在所述陣列基板所在平面上的正投影與第一子像素電極11在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成所述第三交疊區(qū)域。

基于上述具體的實(shí)施方式，如圖4所示，還可以設(shè)置支線301在所述陣列基板所在平面上的正投影與第二子像素電極12在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，形成第四交疊區(qū)域，也能夠滿足用于維持第一子像素電極11的存儲電容的電容量大于用于維持第二子像素電極12的存儲電容的電容量。例如：可以設(shè)置所述第四交疊區(qū)域的面積為第三交疊區(qū)域的面積的一半。其中，所述第三交疊區(qū)域?yàn)榈谝蛔酉袼仉姌O11和公共電極線30正對的區(qū)域。

需要說明的是，以上僅是實(shí)現(xiàn)第一存儲電容的電容量大于第二存儲電容的電容量的幾種具體實(shí)現(xiàn)方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易得知，實(shí)現(xiàn)第一存儲電容的電容量大于第二存儲電容的電容量并不局限于上述幾種實(shí)現(xiàn)方式，例如：還可以設(shè)置第一漏電極在所述陣列基板所在平面上的正投影與柵線在所述陣列基板所在平面上的正投影交疊，來達(dá)到增加第一存儲電容的目的，在此不再一一列舉，其都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

為了進(jìn)一步增加顯示視角，本實(shí)施例中的第一子像素電極11包括第一狹縫電極，所述第一狹縫電極上具有沿至少兩個(gè)方向延伸的第一狹縫111，提供多疇電場，增加顯示視角。還可以設(shè)置第一子像素電極11還包括板狀的第一電極塊112，對應(yīng)的設(shè)置公共電極上具有沿至少兩個(gè)方向延伸的第三狹縫，所述第三狹縫與第一電極塊112的位置對應(yīng)，也能夠提供多疇電場，進(jìn)一步增加顯示視角?？蛇x的，第一電極塊112與所述第一狹縫電極為一體結(jié)構(gòu)，可以通過對同一膜層的同一構(gòu)圖工藝形成，簡化制作工藝。

基于同一原理，本實(shí)施例中還可以設(shè)置第二子像素電極12包括第二狹縫電極，所述第二狹縫電極上具有沿至少兩個(gè)方向延伸的第二狹縫121，提供多疇電場，增加顯示視角。還可以設(shè)置第二子像素電極12還包括板狀的第二電極塊122，對應(yīng)的設(shè)置公共電極上具有沿至少兩個(gè)方向延伸的第三狹縫，所述第三狹縫與第二電極塊122的位置對應(yīng)，也能夠提供多疇電場，進(jìn)一步增加顯示視角?？蛇x的，第二電極塊122與所述第二狹縫電極為一體結(jié)構(gòu)，可以通過對同一膜層的同一構(gòu)圖工藝形成，簡化制作工藝。

在實(shí)際應(yīng)用過程中，對于同一像素區(qū)域，可以通過在第一子像素電極11和/或第二子像素電極12上形成沿至少兩個(gè)不同方向延伸的狹縫，來增加顯示視角。當(dāng)然，對于同一像素區(qū)域，還可以在公共電極上形成沿至少兩個(gè)不同方向延伸的狹縫，來增加顯示視角。本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易推出，對于同一像素區(qū)域，也可以同時(shí)在像素電極和公共電極上形成狹縫，來增加顯示視角。

進(jìn)一步地，參見圖1所示，設(shè)置第一子像素電極11上的第一狹縫111和第二子像素電極12上的第二狹縫121的延伸方向完全不同。本實(shí)施例中，第一狹縫111包括沿第一方向延伸的第一子狹縫和沿第二方向延伸的第二子狹縫。第二狹縫121包括沿第三方向延伸的第三子狹縫和沿第四方向延伸的第四子狹縫。其中，所述第一方向、第二方向、第三方向和第四方向互不一致，使得第一狹縫111和第二狹縫121的延伸方向完全不同，提供不同方向的電場，進(jìn)一步增加視角。

進(jìn)一步地，可以設(shè)置第一子像素電極11上的第一狹縫111與第二子像素電極12的第二狹縫121的延伸方向相同，以簡化制作工藝。

如圖1所示，本實(shí)施例中的陣列基板具體包括：

多條柵線10和多條數(shù)據(jù)線20，限定多個(gè)像素區(qū)域100；

每一像素區(qū)域100包括：

第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵電極和第二薄膜晶體管的柵電極，以及柵線10為一體結(jié)構(gòu)；所述第一薄膜晶體管的源電極3和第二薄膜晶體管的源電極，以及數(shù)據(jù)線20為一體結(jié)構(gòu)；所述第一薄膜晶體管的有源層和第二薄膜晶體管的有源層為一體結(jié)構(gòu)；所述第一薄膜晶體管的源電極3和第二薄膜晶體管的源電極形成雙U型結(jié)構(gòu)；

像素電極，包括第一子像素電極11和第二子像素電極12，第一子像素電極11和第二子像素電極12由同一透明導(dǎo)電層制得，兩者之間間隔一定距離，實(shí)現(xiàn)絕緣；第一子像素電極11與所述第一薄膜晶體管的第一漏電極1通過位于兩者之間的絕緣層中的過孔電性接觸，第二子像素電極12與所述第二薄膜晶體管的第二漏電極2通過位于兩者之間的絕緣層中的過孔電性接觸；

第一子像素電極11包括第一狹縫電極和板狀的第一電極塊112，所述第一狹縫電極上具有沿兩個(gè)方向延伸的第一狹縫111，且所述第一狹縫電極和第一電極塊112為一體結(jié)構(gòu)；

第二子像素電極12包括第二狹縫電極和板狀的第二電極塊122，所述第二狹縫電極上具有沿兩個(gè)方向延伸的第二狹縫121，且所述第二狹縫電極和第二電極塊122為一體結(jié)構(gòu)。

其中，第一狹縫111包括沿第一方向延伸的第一子狹縫和沿第二方向延伸的第二子狹縫。第二狹縫121包括沿第三方向延伸的第三子狹縫和沿第四方向延伸的第四子狹縫。其中，所述第一方向、第二方向、第三方向和第四方向互不一致。

上述陣列基板的像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極，由于第一子像素電極和第二子像素電極的放電速度不同，存在壓差，從而能夠?qū)崿F(xiàn)多疇顯示，結(jié)構(gòu)簡單，不會影響像素開口率。而且無需改變顯示裝置的驅(qū)動(dòng)，僅是結(jié)構(gòu)上的改變，控制簡單。并在所述第一子像素電極和第二子像素電極上形成沿至少兩個(gè)方向延伸的狹縫，進(jìn)一步增加顯示視角。采用上述陣列基板能夠?qū)崿F(xiàn)8疇區(qū)顯示。

本實(shí)施例中還提供一種顯示器件，采用上述的陣列基板，用以實(shí)現(xiàn)多疇顯示，增加顯示視角。而且結(jié)構(gòu)簡單，便于實(shí)現(xiàn)，不會影響像素單元的開口率。

所述顯示器件還包括彩膜基板，所述彩膜基板包括多個(gè)像素區(qū)域，每一像素區(qū)域包括彩色濾光層，能夠?qū)崿F(xiàn)彩色顯示。

所述彩膜基板還包括公共電極，所述公共電極包括沿至少兩個(gè)方向延伸的第三狹縫。所述陣列基板上的像素電極包括板狀的電極塊，所述第三狹縫所在的區(qū)域與所述電極塊所在的區(qū)域位置對應(yīng)，提供多疇電場，進(jìn)一步增加顯示視角。

以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。