本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板。

背景技術(shù)：

目前顯示面板在制造過程中，會使用有機樹脂材料，形成樹脂層，樹脂層的有些區(qū)域，例如FPC IC(柔性電路板上的驅(qū)動電路)位置，需要將樹脂層進(jìn)行挖空處理，樹脂層下面有金屬走線暴露，而樹脂層上需要做ITO(氧化銦錫)電極層，甚至有金屬(metal)走線，用以改善ITO電阻或者做引線使用。若樹脂層的挖空邊界處有金屬殘留，會導(dǎo)致樹脂層下面的電路走線出現(xiàn)短路(short)，而導(dǎo)致顯示面板無法正常顯示。具體原因在于：

現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1和圖2所示，顯示面板的樹脂層1的挖空區(qū)域11的邊界處斜坡12會比較陡峭，且樹脂層1挖空后下面的金屬走線2暴露出來，之后沉積金屬層3進(jìn)行光刻工序時，由于樹脂層1的挖空區(qū)域11邊界的斜坡12的坡度較大，在邊界的斜坡12位置上光刻膠涂覆厚度較大，且曝光的光線照射到斜坡12的傾斜界面后，反射光散亂無規(guī)律，影響了曝光的效率和光刻膠對紫外光的吸收，導(dǎo)致顯影后樹脂層1的挖空區(qū)域11邊界處的斜坡位置仍然有光刻膠殘留，后續(xù)金屬層3的刻蝕由于光刻膠的保護(hù)而無法刻蝕徹底，從而在該樹脂層1的斜坡位置處會存在金屬，金屬會導(dǎo)致樹脂層下面的金屬走線2之間發(fā)生short，造成顯示異常，功能失效。

目前，為了解決上述問題，通常增加金屬層光刻膠的灰化時間，來進(jìn)行工藝補正措施。但是樹脂較厚，樹脂層挖空區(qū)域的邊界斜坡坡度較陡峭，效果不理想，對CD(Critical Dimension，關(guān)鍵尺寸)影響過大。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種掩膜板，其是通過對掩膜板進(jìn)行改進(jìn)，可以使得利用該掩膜板形成的例如樹脂層的挖空區(qū)域邊界位置處的斜坡形狀(profile)進(jìn)行改良，從而避免樹脂層上下層金屬發(fā)生短路的現(xiàn)象發(fā)生。

本實用新型所提供的技術(shù)方案如下：

一種掩膜板，包括：完全透光區(qū)和完全不透光區(qū)；

在所述完全透光區(qū)和所述完全不透光區(qū)的交界位置處設(shè)置有半透光結(jié)構(gòu)，且所述半透光結(jié)構(gòu)的透光性從靠近所述完全透光區(qū)的一側(cè)向靠近所述完全不透光區(qū)的一側(cè)逐漸減弱。

進(jìn)一步的，所述半透光結(jié)構(gòu)包括：在所述完全透光區(qū)和所述完全不透光區(qū)的交界位置處，沿所述完全透光區(qū)和所述完全不透光區(qū)的交界線間隔排列的多個遮光塊。

進(jìn)一步的，相鄰兩個遮光塊之間的間隙為能夠使得在相鄰兩個遮光塊之間發(fā)生光衍射現(xiàn)象的預(yù)設(shè)間隙，所述預(yù)設(shè)間隙小于掩膜工藝所采用的曝光機的分辨率。

進(jìn)一步的，從靠近所述完全透光區(qū)一側(cè)到靠近所述完全不同區(qū)的一側(cè)的方向上，相鄰兩個遮光塊之間的距離處處相等。

進(jìn)一步的，所述遮光塊為完全不透光的矩形塊結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述掩膜板用于進(jìn)行樹脂層的掩膜工藝，所述樹脂層包括與所述完全透光區(qū)所對應(yīng)的挖空區(qū)域以及與所述完全不透光區(qū)所對應(yīng)的非挖空區(qū)域，其中所述樹脂層的非挖空區(qū)域上在與所述挖空區(qū)域的第一交界位置處形成金屬層；

所述掩膜板的完全透光區(qū)和完全不透光區(qū)的交界位置形成多條交界線，所述多條交界線至少包括與所述第一交界位置所對應(yīng)的第一交界線，其中所述半透光結(jié)構(gòu)僅形成于所述第一交界線所對應(yīng)的位置上。

進(jìn)一步的，所述遮光塊與所述掩膜板的完全不透光區(qū)采用的材料相同，并連接為一體結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述完全透光區(qū)至少包括兩個子完全透光區(qū)，在每一子完全透光區(qū)與所述完全不透光區(qū)域的交界處分別設(shè)置有所述半透光結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述兩個子完全透光區(qū)包括第一子完全透光區(qū)和第二子完全透光區(qū)，其中所述第一子完全透光區(qū)的面積與所述第二子完全透光區(qū)的面積不同，且所述第一子完全透光區(qū)與所述完全不透光區(qū)域的交界位置處設(shè)置多個第一遮光塊，所述第二子完全透光區(qū)與所述完全不透光區(qū)域的交界位置處設(shè)置多個第二遮光塊，所述第一遮光塊與所述第二遮光塊的尺寸不同。

進(jìn)一步的，所述第一子完全透光區(qū)的面積大于所述第二子完全透光區(qū)的面積，所述第一遮光塊的尺寸大于等于所述第二遮光塊的尺寸。

本實用新型的有益效果如下：

本實用新型所提供的掩膜板，在完全透光區(qū)和完全不透光區(qū)的邊界位置處設(shè)置半透光結(jié)構(gòu)，且該半透光結(jié)構(gòu)的透光性從靠近所述完全透光區(qū)的一側(cè)向靠近所述完全不透光區(qū)的一側(cè)逐漸減弱，可以對由該掩膜板在樹脂層上形成的挖空區(qū)域的邊界處斜坡的坡度進(jìn)行控制改良，與現(xiàn)有技術(shù)中相比，斜坡的坡度緩和，從而避免了由于樹脂層挖空區(qū)域邊界處斜坡較陡峭而導(dǎo)致的樹脂層上下層金屬發(fā)生短路的現(xiàn)象的發(fā)生。

附圖說明

圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中樹脂層的挖空區(qū)域發(fā)生短路現(xiàn)象的示意圖；

圖2表示現(xiàn)有技術(shù)中樹脂層的挖空區(qū)域的邊界處斜坡的斷面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3表示本實用新型實施例所提供的掩膜板的一種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4表示本實用新型實施例所提供的掩膜板的另一種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5表示本實用新型實施例所提供的掩膜板在樹脂層的挖空區(qū)域邊界處形成的斜坡的斷面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型實施例的附圖，對本實用新型實施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本實用新型的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。

針對現(xiàn)有技術(shù)中樹脂層挖空區(qū)域邊界處斜坡陡峭而導(dǎo)致樹脂層上下層金屬走線之間發(fā)生short造成顯示異常的問題，本實用新型是將現(xiàn)有技術(shù)中將解決上述問題的關(guān)鍵從工藝調(diào)整上轉(zhuǎn)移到對掩膜板的結(jié)構(gòu)改進(jìn)上，以對樹脂層的挖空區(qū)域邊界處斜坡的坡度角進(jìn)行改良，傳統(tǒng)的掩膜板上透光區(qū)和不透光區(qū)只是100％透光和100％不透光的區(qū)分，透光區(qū)和不透光區(qū)的對比度較高，造成樹脂層在曝光顯影后，由于樹脂層的厚度較大，造成樹脂層的挖空區(qū)域邊界處有較大的斜坡出現(xiàn)，邊界的斜坡相對陡峭，后續(xù)涂覆光刻膠很難曝光顯影充分。

本實用新型提供的一種掩膜板，其是通過對掩膜板進(jìn)行改進(jìn)，可以使得利用該掩膜板形成的例如樹脂層的挖空區(qū)域邊界位置處的斜坡形狀(profile)進(jìn)行改良，從而避免樹脂層上下層金屬發(fā)生短路的現(xiàn)象發(fā)生。

如圖3所示，本實用新型所提供的掩膜板包括：完全透光區(qū)100和完全不透光區(qū)200；在所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200的交界位置處設(shè)置有半透光結(jié)構(gòu)300，且所述半透光結(jié)構(gòu)300的透光性從靠近所述完全透光區(qū)100的一側(cè)向靠近所述完全不透光區(qū)200的一側(cè)逐漸減弱。

本實用新型所提供的掩膜板，在完全透光區(qū)100和完全不透光區(qū)200的邊界位置處設(shè)置半透光結(jié)構(gòu)300，該半透光結(jié)構(gòu)300的透光性從靠近所述完全透光區(qū)100的一側(cè)向靠近所述完全不透光區(qū)200的一側(cè)逐漸減弱，如圖5所示，可以對由該掩膜板在樹脂層500上形成的挖空區(qū)域的邊界處斜坡501的坡度進(jìn)行控制改良，與現(xiàn)有技術(shù)中相比，斜坡501的坡度緩和，后續(xù)進(jìn)行樹脂層500上層的金屬層光刻工序時，由于樹脂層500挖空區(qū)域的邊界處斜坡501的坡度較緩，光刻膠的厚度差異較小，加之曝光反光效率較好，光刻膠殘留情況有所改善，從而避免了由于樹脂層500挖空區(qū)域邊界處斜坡501較陡峭而導(dǎo)致的樹脂層500上下層金屬發(fā)生短路的現(xiàn)象的發(fā)生。

在本實用新型所提供的掩膜板中，如圖3所示，優(yōu)選的，所述半透光結(jié)構(gòu)300包括：在所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200的交界位置處，沿所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200的交界線間隔排列的多個遮光塊301。

采用上述方案，可以通過在所述完全透光區(qū)100和所述完全不透光區(qū)200的交界位置處依次排列多個預(yù)定長度的遮光塊301來形成所述半透光結(jié)構(gòu)300，其中，如圖3所示，多個遮光塊301之間具有間隙，該間隙的透光光強會從靠近所述完全透光區(qū)100的一側(cè)向靠近所述完全不透光區(qū)200的一側(cè)逐漸減弱，會使得在利用掩膜板在樹脂層500上形成挖空區(qū)域時，挖空區(qū)域邊界處的斜坡501較為緩和。

應(yīng)當(dāng)理解的是，上述方案僅是提供了一種所述半透光結(jié)構(gòu)300的優(yōu)選實施方式，在本實用新型的其他實施例中，所述半透光結(jié)構(gòu)300還可以采用其他方式實現(xiàn)，例如：所述半透光結(jié)構(gòu)300可以是一透光性從靠近所述完全透光區(qū)100的一側(cè)向靠近所述完全不透光區(qū)200的一側(cè)逐漸減弱的一整塊的遮光板。

此外，在本實用新型所提供的實施例中，優(yōu)選的，相鄰兩個遮光塊301之間的間隙為能夠使得在相鄰兩個遮光塊301之間發(fā)生光衍射現(xiàn)象的預(yù)設(shè)間隙，所述預(yù)設(shè)間隙小于掩膜工藝所采用的曝光機的分辨率。

上述方案中，相鄰遮光塊301之間的間隙小于曝光機分辨率，由于衍射作用，這樣在遮光塊301下面有一定的透光度，又不會完全解析光刻膠，從而會在樹脂層500的挖空區(qū)域邊界處大致形成了三段斜坡(即，完全解析段、部分解析段和完全不解析段)，且由于遮光塊301間隙從靠近所述完全透光區(qū)100的一側(cè)向靠近所述完全不透光區(qū)200的一側(cè)逐漸減弱，可使斜坡501銜接較為平緩。

此外，在本實用新型所提供的實施例中，優(yōu)選的，如圖3所示，從靠近所述完全透光區(qū)100一側(cè)到靠近所述完全不同區(qū)的一側(cè)的方向上，相鄰兩個遮光塊301之間的距離處處相等。采用上述方案，可以保證在樹脂層500上挖空區(qū)域的邊界處形成的斜坡501坡度在各位置一致。

此外，在本實用新型所提供的實施例中，優(yōu)選的，所述遮光塊301為完全不透光的矩形塊結(jié)構(gòu)，且所述遮光塊301與所述掩膜板的完全不透光區(qū)200采用的材料相同，并連接為一體結(jié)構(gòu)。采用上述方案，掩膜板的制造工藝簡單。

應(yīng)當(dāng)理解的是，在本實用新型的其他實施例中，所述遮光塊301還可以采用其他結(jié)構(gòu)，對此不作限定。

此外，需要說明的是，顯示基板上的樹脂層500上的挖空區(qū)域通常通過掩膜板上的完全透光區(qū)100形成，樹脂層500上的非挖空區(qū)域通常通過掩膜板上的完全不透光區(qū)200形成，其中，樹脂層500的非挖空區(qū)域上在與所述挖空區(qū)域的第一交界位置處形成金屬層。

在本實用新型所提供的實施例中，優(yōu)選的，所述掩膜板的完全透光區(qū)100和完全不透光區(qū)200的交界位置形成多條交界線，所述多條交界線至少包括與所述第一交界位置所對應(yīng)的第一交界線，其中所述半透光結(jié)構(gòu)300僅形成于所述第一交界線所對應(yīng)的位置上。

也就是說，本實施例所提供的掩膜板可以僅在樹脂層500需要后續(xù)形成金屬走線的一側(cè)所對位的位置處設(shè)置所述半透光結(jié)構(gòu)300，而在其他完全透光區(qū)100和完全不透光區(qū)200的交界位置的交界線處可以不設(shè)置所述半透光結(jié)構(gòu)300。

此外，在本實用新型所提供的實施例中，優(yōu)選的，所述完全透光區(qū)100至少包括兩個子完全透光區(qū)，在每一子完全透光區(qū)與所述完全不透光區(qū)200域的交界處分別設(shè)置有所述半透光結(jié)構(gòu)300。

優(yōu)選的，如圖4所示，所述兩個子完全透光區(qū)100包括第一子完全透光區(qū)101和第二子完全透光區(qū)102，其中所述第一子完全透光區(qū)101的面積與所述第二子完全透光區(qū)102的面積不同，且所述第一子完全透光區(qū)101與所述完全不透光區(qū)200域的交界位置處設(shè)置多個第一遮光塊311，所述第二子完全透光區(qū)102與所述完全不透光區(qū)200域的交界位置處設(shè)置多個第二遮光塊312，所述第一遮光塊311與所述第二遮光塊312的尺寸不同。

采用上述方案，不同面積的子完全透光區(qū)100所設(shè)置的遮光塊301的尺寸可以適應(yīng)性地調(diào)整。優(yōu)選的，所述第一子完全透光區(qū)101的面積大于所述第二子完全透光區(qū)102的面積，所述第一遮光塊311的尺寸大于等于所述第二遮光塊312的尺寸。

以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實用新型的保護(hù)范圍。