本發(fā)明涉及圖像形成設備。

背景技術：

在相關技術中，通過使用電子照相感光體順序地執(zhí)行充電、形成靜電潛像、顯影、轉印、清潔等的裝置作為電子照相圖像形成設備是眾所周知的。

例如，專利文獻1公開了一種圖像形成設備，其包括電子照相感光體、充電單元、曝光單元、顯影單元和轉印單元。在電子照相感光體中，電子傳輸層、電荷產生層和空穴傳輸層以這種方式堆疊在導電性載體上。電子傳輸層含有電子傳輸材料。電荷產生層含有電荷產生材料?？昭▊鬏攲雍锌昭▊鬏敳牧稀Ｔ陔娮诱障喔泄怏w中，電子傳輸層和空穴傳輸層滿足遷移率、靜電電容和膜厚度的特定關系。充電單元對電子照相感光體充電。曝光單元對已充電的電子照相感光體進行曝光。顯影單元對通過曝光形成的靜電潛像進行顯影。轉印單元轉印通過顯影獲得的色調劑圖像。

[專利文獻1]jp-a-2010-145506

技術實現要素：

在通過使用直接轉印型圖像形成設備形成圖像的情況下，例如，可以在具有不同尺寸的記錄介質(以下也稱為“紙”)上連續(xù)形成圖像，或者，具有長邊和短邊且具有不同方向的紙張可以連續(xù)地傳送到轉印區(qū)域。

關于輸送到轉印區(qū)域中的紙張，如果在電子照相感光體的軸向方向上長度相對較短的紙(下文也稱為“短形紙”)上反復形成圖像，然后在電子照相感光體的軸向方向上的長度相對較長的紙(下文中也稱為“長形紙”)上形成圖像，在長形紙的位置處可能出現霧痕，該位置對應于在轉印區(qū)域中短形紙不經過的區(qū)域。

本發(fā)明的目的是提供一種圖像形成設備，與直接轉印型圖像形成設備的電子照相感光體中的底涂層的每單位面積的靜電電容大于2×10^-9f/cm²的情況相比，其能防止當在短形紙上反復形成圖像之后在長形紙上形成圖像時出現霧痕。

上述目的通過以下構造實現。

根據本發(fā)明的第一方面，提供了一種圖像形成設備，包括：

電子照相感光體，其包括導電性基材、設置在導電性基材上的底涂層和設置在底涂層上的感光層，并且所述底涂層的每單位面積的靜電電容為2×10^-10f/cm²至2×10^-9f/cm²；

充電單元，其對所述電子照相感光體的表面充電；

靜電潛像形成單元，其在所述電子照相感光體的經充電表面上形成靜電潛像；

顯影單元，其通過使用包含色調劑的顯影劑使形成在所述電子照相感光體表面上的靜電潛像顯影，以形成色調劑圖像；和

直接轉印型轉印單元，其將色調劑圖像直接轉印到記錄介質表面上。

根據本發(fā)明的第二方面，在根據第一方面的圖像形成設備中，底涂層具有5×10^-10f/cm²至1×10^-9f/cm²的靜電電容。

根據本發(fā)明的第三方面，在根據第一方面的圖像形成設備中，記錄介質的傳送速度為400mm/s至700mm/s。

根據本發(fā)明的第四方面，在根據第一方面的圖像形成設備中，記錄介質的輸送速度為450mm/s至600mm/s。

根據本發(fā)明的第五方面，在根據第一方面的圖像形成設備中，底涂層含有粘合劑樹脂、金屬氧化物顆粒和電子接受性化合物。

根據本發(fā)明的第六方面，在根據第五方面的圖像形成設備中，金屬氧化物顆粒包括選自氧化錫顆粒、氧化鈦顆粒和氧化鋅顆粒中的至少一種。

根據本發(fā)明的第七方面，在根據第五或第六方面的圖像形成設備中，金屬氧化物顆粒的體積平均一次顆粒直徑為100nm以下。

根據本發(fā)明的第八方面，在根據第五方面的圖像形成設備中，所述金屬氧化物顆粒用至少一種偶聯(lián)劑處理。

根據本發(fā)明的第九方面，所述偶聯(lián)劑包括選自硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑和鋁偶聯(lián)劑的至少一種。

根據本發(fā)明的第十方面，在根據第五方面的圖像形成設備中，所述電子接受性化合物是具有蒽醌骨架的電子接受性化合物。

根據本發(fā)明的第十一方面，在根據第十方面的圖像形成設備中，所述具有蒽醌骨架的電子接受性化合物是由下式(1)表示的化合物：

其中n1和n2各自獨立地表示0至3的整數，條件是n1和n2中的至少一個表示1至3的整數；m1和m2各自獨立地表示0或1的整數；r¹¹和r¹²各自獨立地表示具有1至10個碳原子的烷基或具有1至10個碳原子的烷氧基。

根據本發(fā)明的第十二方面，在根據第一方面的圖像形成設備中，底涂層的厚度為15μm至30μm。

根據本發(fā)明的第十三方面，在根據第一方面的圖像形成設備中，底涂層的厚度為20μm至25μm。

根據本發(fā)明的第一至第十三方面中的任一方面，提供了一種圖像形成設備，與直接轉印型圖像形成設備的電子照相感光體中的底涂層的每單位面積的靜電電容大于2×10^-9f/cm²的情況相比，其能防止當在短形紙上反復形成圖像之后在長形紙上形成圖像時出現霧痕。

簡要附圖說明

將基于以下附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例，其中：

圖1是描繪根據示例性實施方式的圖像形成設備的實例的示意性構造圖；

圖2是描繪根據示例性實施方式的電子照相感光體的層構造的實例的示意性局部截面圖；和

圖3是描繪根據示例性實施方式的電子照相感光體的層構造的另一個實例的示意性局部截面圖。

具體實施方式

在下文中，將詳細描述作為本發(fā)明實例的示例性實施方式。

圖像形成設備

根據示例性實施方式的圖像形成設備包括電子照相感光體、充電單元、靜電潛像形成單元、顯影單元和直接轉印型轉印單元。充電單元對電子照相感光體的表面充電。靜電潛像形成單元在電子照相感光體的經充電表面上形成靜電潛像。顯影單元通過使用包含色調劑的顯影劑使形成在電子照相感光體的表面上的靜電潛像顯影，從而形成色調劑圖像。直接轉印型轉印單元將色調劑圖像直接轉印到記錄介質的表面上。

電子照相感光體(以下簡稱為“感光體”)包括導電性基材，設置在導電性基材上的底涂層和設置在底涂層上的感光層。底涂層的每單位面積的靜電電容為2×10^-10f/cm²至2×10^-9f/cm²。

在根據示例性實施方式的圖像形成設備中，如果底涂層的每單位面積的靜電電容在上述范圍內，則當在短形紙上反復形成圖像之后在長形紙上形成圖像時可能出現霧痕(以下也簡稱為“霧痕(fog)”)。原因不清楚，但假設如下。

在直接轉印型圖像形成設備中，可以根據紙張(記錄介質)的尺寸或方向在轉印區(qū)域，即其中感光體和轉印單元彼此面對的區(qū)域中設置紙張通過的區(qū)域和紙張不通過的區(qū)域。紙張通過的區(qū)域在下面可以被稱為“通紙區(qū)域”。紙張不通過的區(qū)域在下文中可以被稱為“非通紙區(qū)域”。因為紙具有大的電阻，所以在通紙區(qū)域中感光體和轉印單元之間的電阻變得比非通紙區(qū)域中感光體和轉印單元之間的電阻大，因此在通紙區(qū)域和非通紙區(qū)域之間產生電阻差。

這里，當在直接轉印型圖像形成設備中將色調劑圖像從感光體轉印到記錄介質時，轉印電壓施加到轉印單元，因此轉印電流從轉印單元流入感光體。此時，如果出現在轉印區(qū)域中的通紙區(qū)域與非通紙區(qū)域之間的電阻差，則電流選擇性地在電阻小的非通紙區(qū)域中流動。因此，相當多的電荷容易積累在感光體的對應于非通紙區(qū)域的部分處。

如上所述，如果在感光體的軸向方向上的長度相對長的紙(長形紙)上形成圖像，則在對應于非通紙區(qū)域的部分處電荷過度累積的狀態(tài)下，容易出現色調劑粘附到非圖像部分并因此出現色調劑圖像的現象(以下也稱為“霧痕”)。關于傳送到轉印區(qū)域的紙張，在感光體的軸向上長度相對較短的紙張在下文中可稱為“短形紙”，并且在感光體的軸向方向上的長度相對較長的紙張在下文中可以稱為“長形紙”。

具體地，如果在短形紙上反復形成圖像，從而過度施加充電電勢，并且相反極性的電荷在感光體的非通紙區(qū)域中過度累積，即使感光體的表面在下一個充電過程中充電，表面電荷也會被相反極性的累積電荷抵消。因此，容易導致充電較差。結果，如果在短形紙上反復形成圖像，然后在長形紙上形成圖像，則在與短形紙的非通紙區(qū)域對應的長形紙的部分處可能出現霧痕。

作為在短形紙上反復形成圖像然后在長形紙上形成圖像的情況，例如，除了a4尺寸的紙張沿橫向方向輸送以反復在其上形成圖像然后a3尺寸的紙張沿橫向方向輸送以在其上形成圖像的情況之外，還可以舉例a4尺寸的紙張沿橫向方向輸送以反復在其上形成圖像然后a4尺寸的紙張沿縱向方向輸送以在其上形成圖像的情況。然而，其不限于此。

特別地，在以高速(例如，記錄介質傳送速度為400mm/s或更高)形成圖像的情況下，色調劑圖像從感光體短時間轉印到記錄介質上。因此，需要施加更高的轉印電壓，以便防止可能由不足的轉印電流引起的不良轉印。如果轉印電壓變高，則在通紙區(qū)域中更容易引起電流過多地流入感光體。因此，顯著發(fā)生由于累積電荷引起的充電較差，并且易于更顯著地出現霧痕。

相反，在示例性實施方式中，底涂層的每單位面積的靜電電容設定在上述范圍內，因此即使在短形紙上反復形成圖像，然后在長形紙上形成圖像，也難以出現霧痕。

具體地，將底涂層的每單位面積的靜電電容設定在上述范圍內，小于現有技術中的范圍。因此，難以使底涂層存儲電荷。即使當轉印電流在轉印過程中從轉印單元流入感光體時，流入電荷也容易流向導電基材側。因為流入電荷和相反極性的電荷容易在底涂層中移動，所以流入電荷和相反極性的電荷彼此抵消，因此容易除去。結果，認為在下一次圖像形成開始的時間點，在感光體上累積的電荷量小。因此，在下一次圖像形成中，不易發(fā)生由僅在特定區(qū)域(短形紙的非通紙區(qū)域)中累積的許多電荷引起的充電較差。因此，應該不易出現霧痕。

由于上述原因，假定在直接轉印型圖像形成設備中，底涂層的每單位面積的靜電電容設定為2×10^-10f/cm²至2×10^-9f/cm²，因此根據示例性實施方式的圖像形成設備防止了霧痕的出現。

作為記錄介質傳送速度(處理速度)，例如，可以舉例400mm/s至700mm/s的范圍，記錄介質傳送速度優(yōu)選為450mm/s至600mm/s。

此處，作為根據示例性實施方式的圖像形成設備，應用如下的公知的圖像形成設備：包括被配置為將轉印到記錄介質的表面上的色調劑圖像定影的定影單元的設備；包括清潔單元的設備，所述清潔單元被構造成在轉印色調劑圖像之后對充電之前的電子照相感光體的表面進行清潔；包括擦除單元的設備，所述擦除單元被構造成在轉印色調劑圖像之后在充電之前用擦除光照射電子照相感光體的表面，以進行擦除；以及包括電子照相感光體加熱部件的設備，所述電子照相感光體加熱部件被構造成提高電子照相感光體的溫度以降低相對溫度。

根據示例性實施方式的圖像形成設備可以是干式顯影型圖像形成設備或濕式顯影型(使用液體顯影劑的顯影型)圖像形成設備。

在根據本示例性實施方式的圖像形成設備中，例如，包括電子照相感光體的部分可以是可從圖像形成設備拆卸的盒結構(處理盒)。除了電子照相感光體之外，處理盒還可以包括選自例如由充電單元、靜電潛像形成單元、顯影單元和轉印單元組成的組中的至少一種。

在示例性實施方式中，可以提供一種圖像形成設備，其包括在轉印色調劑圖像的轉印單元的下游側和在執(zhí)行感光體表面清潔的清潔單元的上游側的非接觸充電型再充電單元。所述非接觸充電型的充電單元在將色調劑圖像轉印到記錄介質的表面上之后對感光體的表面充電。在包括充電單元的直接轉印型圖像形成設備中，充電單元執(zhí)行再充電，因此容易更好地防止霧痕的出現并且還防止圖像濃度的劣化。在再充電單元進行再充電的情況下，調節(jié)了在將色調劑圖像轉印到記錄介質的表面上之后殘留在感光體表面上的殘留色調劑的帶電。因此，例如，殘余色調劑容易被清潔單元收集。

在下文中，將參考附圖詳細描述根據示例性實施方式的圖像形成設備。

圖1是描繪根據示例性實施方式的圖像形成設備的實例的示意性構造圖；

如圖1所示，在根據示例性實施方式的圖像形成設備10中設置電子照相感光體7。電子照相感光體7具有柱狀形狀。電子照相感光體7通過諸如齒輪的驅動力傳遞構件(未示出)連接到驅動電機27(驅動單元的實例)。驅動電機27使電子照相感光體7被旋轉驅動(在圖1中的箭頭a所示的方向上)。

例如，以下單元在電子照相感光體7的旋轉方向上圍繞電子照相感光體7(圖像保持部件的實例)依次排列：充電裝置(充電單元的實例)15；靜電潛像形成裝置(靜電潛像形成單元的實例)16；顯影裝置(顯影單元的實例)18；直接轉印型轉印裝置31(轉印單元的實例；以下也簡稱為“轉印裝置(轉印單元)”))；非接觸充電型的再充電裝置40(非接觸充電型的充電單元的實例；下面也簡稱為“再充電裝置”(“再充電單元”))；清潔裝置(清潔裝置)(清潔單元的實例)22；和擦除裝置(擦除單元的實例)24。定影裝置26也設置在根據示例性實施方式的圖像形成設備10中。還提供了控制裝置36，其連接到圖像形成設備10中的裝置和構件，并且被配置為控制裝置和構件的操作。

下面將描述根據示例性實施方式的圖像形成設備的構造。

電子照相感光體

作為電子照相感光體7，應用具有包括導電性基材、設置在導電性基材上的底涂層和設置在底涂層上的感光層的構造的感光體。

感光層可以是包括電荷產生層和電荷輸送層(以下也稱為“功能分離型感光層”)的功能分離型感光層，或者可以是單層型的感光層(以下也稱為“單層型感光層”)。在感光層是功能分離型感光層的情況下，電荷產生層含有電荷產生材料，電荷輸送層含有電荷輸送材料。

下面將參照附圖詳細描述根據示例性實施方式的電子照相感光體。

圖2是描繪作為電子照相感光體7的層構造的實例的電子照相感光體7a的示意性截面圖。圖2中描繪的電子照相感光體7a具有其中底涂層3、電荷產生層4和電荷傳輸層5以此順序堆疊在導電基材1上的結構。電荷產生層4和電荷傳輸層5構成功能分離型感光層6。

如果需要，電子照相感光體7a可以包括其它層。作為根據需要設置的層，例如，進一步設置在電荷輸送層5上的保護層。

圖3是作為電子照相感光體7的層構成的另一個實例的電子照相感光體7b的示意性截面圖。圖3中描繪的電子照相感光體7b具有其中底涂層3和單層型感光層2以該順序堆疊在導電基材1上的結構。

如果需要，電子照相感光體7b可以包括其它層。作為根據需要設置的層，例如，進一步設置在單層型感光層2上的保護層。

下面將詳細描述電子照相感光體7的各層。將省略附圖標記而進行描述。

導電基材

導電基材的實例包括含有金屬(鋁、銅、鋅、鉻、鎳、鉬、釩、銦、金、鉑等)或合金(不銹鋼等)的金屬板、金屬鼓和金屬帶。導電基材的其它實例包括通過將導電化合物(例如，導電聚合物和氧化銦)、金屬(例如，鋁、鈀和金)或合金施加、沉積或層壓而形成的紙、樹脂膜和條帶。術語“導電”在本文中是指具有小于10¹³ωcm的體積電阻率。

在將電子照相感光體用于激光打印機的情況下，優(yōu)選將導電基材的表面以0.04μm至0.5μm的中心線平均粗糙度ra粗糙化，以防止激光照射時產生的干涉條紋。在使用非相干光源的情況下，不特別需要使導電基材的表面粗糙化以防止干涉條紋，并且這種非相干光源可以防止由于導電基材的不均勻表面而產生的缺陷，因此更適合延長壽命。

表面粗糙化方法的實例包括將懸浮在水中的研磨劑噴霧到載體上的濕式研磨、其中通過將導電基材壓靠在旋轉磨石上進行連續(xù)研磨的無心研磨以及陽極氧化處理。

表面粗糙化方法的其它實例包括如下的方法，其中在不使導電基材的表面粗糙化的同時，將導電或半導電粉末分散在樹脂中，將樹脂施加到導電基材的表面上以形成層，粗糙化是由分散在該層中的顆粒進行的。

在通過陽極氧化的表面粗糙化處理中，由金屬(例如，鋁)形成的導電基材用作電解液中的陽極，并且被陽極氧化以在導電基材的表面上形成氧化膜。電解液的實例包括硫酸溶液和草酸溶液。然而，通過陽極氧化形成的多孔陽極氧化膜在其自然狀態(tài)下具有化學活性，因此這種陽極氧化膜容易被污染，并且其電阻根據環(huán)境而極大地變化。因此，優(yōu)選進行用于封閉多孔陽極氧化膜的孔的處理；在這種方法中，氧化膜的孔通過由于在壓力下的水蒸汽中或沸水中的水合反應的體積膨脹而封閉(可以添加金屬鹽如鎳)，并且多孔陽極氧化膜轉化為更穩(wěn)定的水合氧化物。

陽極氧化膜的膜厚度優(yōu)選為例如0.3μm至15μm。如果膜厚度在該范圍內，則傾向于發(fā)揮針對注入的阻擋性，并且傾向于防止由于重復使用而導致的殘余電勢的增加。

導電基體可以用酸性處理溶液或勃姆石處理進行處理。

酸性處理液的處理例如如下進行。制備含有磷酸、鉻酸和氫氟酸的酸性處理溶液。作為酸性處理液中的磷酸、鉻酸和氫氟酸的配合比例，例如，磷酸的量在10重量％至11重量％的范圍內，鉻酸的量在3重量％至5重量％的范圍內，氫氟酸的量在0.5重量％至2重量％的范圍內，這些酸的總濃度優(yōu)選為13.5重量％至18重量％的范圍。處理溫度優(yōu)選為例如42℃至48℃。涂膜的膜厚優(yōu)選為0.3μm至15μm。

在勃姆石處理中，例如，將導電基材在90℃至100℃浸漬在5分鐘至60分鐘的純水中，或者在90℃至120℃與熱水蒸氣接觸5分鐘至60分鐘。涂膜的膜厚優(yōu)選為0.1μm至5μm。所得產物可以用己二酸、硼酸、硼酸鹽、磷酸鹽、鄰苯二甲酸鹽、馬來酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽和檸檬酸鹽等較少地溶解涂膜的電解液進行陽極氧化處理。

底涂層

底涂層設置在導電基材和感光層之間，并且每單位面積的靜電電容為2×10^-10f/cm²至2×10^-9f/cm²。

如上所述，底涂層的每單位面積的靜電電容在上述范圍內，因此與超過上述范圍的情況相比，防止了霧痕的出現。底涂層的每單位面積的靜電電容在上述范圍內，因此與小于上述范圍的情況相比，容易獲得感光體的良好的電特性。

從防止霧痕出現的角度出發(fā)，底涂層的每單位面積的靜電電容優(yōu)選為2×10^-10f/cm²至2×10^-9f/cm²，更優(yōu)選為5×10^-10f/cm²至1×10^-9f/cm²。

這里，將描述獲得底涂層的每單位面積的靜電電容的方法。

例如，作為構成電子照相感光體中的各層的導電性有機膜的等效電路，通常應用電阻器(電阻值：r)和電容器(靜電電容：c)的并聯(lián)電路。作為在電阻值r和靜電電容c未知的并聯(lián)電路中分析和計算電阻值r和靜電電容c的方法，舉出colecole繪圖分析為例。

colecole圖分析是指其中電極附著到其中電阻值r和靜電電容c未知的并聯(lián)電路(例如，導電有機膜)的兩端，將交流電壓施加到兩個電極上同時改變頻率，并分析施加電壓和獲得的電流之間的位置關系的方法。通過使用該方法獲得并聯(lián)電路中的電阻值r和靜電電容c，并且基于獲得的靜電電容c的值和附著電極的面積值，獲得每單位面積的靜電電容。

具體地，例如，首先通過氣相沉積法在底涂層的外周面上形成的作為相對電極的金電極，然后在常溫和常濕(22℃/50％rh)通過126096w阻抗分析儀(由solartroncorp.制造)進行測量。

作為測量條件，例如，舉例為0v的直流偏壓(施加的直流電壓)，±1v的交流(施加的ac電壓)和在1hz至100hz的范圍內的頻率。

基于所獲得的測量結果，通過colecole繪圖分析獲得靜電電容c，并除以面對電極的電極面積s(cm²)。因此，計算了底涂層的每單位面積的靜電電容。

作為由用作測量對象的感光體測量每單位面積的靜電電容的方法，例如，可以舉以下方法為例。

首先，制備用作測量對象的感光體。然后，例如，通過使用諸如丙酮、四氫呋喃、甲醇、乙醇的溶劑除去覆蓋底涂層的感光層，例如電荷產生層和電荷輸送層，從而曝光底涂層。通過使用氣相沉積法、濺射法等的單元在露出的底涂層上形成金電極，從而獲得測量樣品。對該測量樣品進行測量，從而獲得每單位面積的靜電電容。

控制底涂層的每單位面積的靜電電容的方法沒有特別限制。在底涂層為含有粘合劑樹脂、金屬氧化物顆粒和電子接受性化合物的層的情況下，例如，可以列舉以下方法：調節(jié)底涂層中的金屬氧化物顆粒的分散性的方法；調整金屬氧化物顆粒的粒徑的方法；調整金屬氧化物顆粒的表面處理量(即，在金屬氧化物顆粒的表面處理中使用的表面處理劑的量)的方法；調整金屬氧化物顆粒的含量的方法(在表面處理劑附著于金屬氧化物顆粒的表面的情況下，還含有表面處理劑時的含量)；改變用于金屬氧化物顆粒的表面處理劑的類型和粘合劑樹脂的類型的組合的方法；調節(jié)電子接受性化合物的含量的方法；以及通過組合上述方法獲得的方法。

具體地，適當的調整方法根據諸如各種材料的類型、組合和內容的條件而變化。例如，如果金屬氧化物顆粒的分散性降低，則底涂層的靜電電容趨于降低。如果金屬氧化物顆粒的分散性增加，則底涂層的靜電電容趨于增加。

在用于形成底涂層(其中分散有金屬氧化物顆粒)的涂布液形成涂布膜從而形成底涂層的情況中，可以與所形成的底涂層的膜中的金屬氧化物顆粒一次顆粒一起存在通過聚集一次顆粒得到的二次顆粒。二次顆粒的金屬氧化物顆粒的粒徑大于一次顆粒的粒徑，并且這些二次顆粒的存在導致容易形成電荷移動的路徑。因此，例如，調節(jié)金屬氧化物顆粒的分散性以控制二次顆粒的金屬氧化物顆粒，從而控制底涂層的每單位面積的靜電電容。

具體地，在金屬氧化物顆粒的分散性低(即，在金屬氧化物顆粒的分散粒徑大的情況下)的情況下，底涂層中的電荷的遷移率增加，并且每單位面積靜電電容容易減少。在金屬氧化物顆粒的分散性高的情況下(即，在金屬氧化物顆粒的分散粒徑小的情況下)，底涂層中的電荷的遷移率降低，并且每單位面積的靜電電容容易增加。

作為調節(jié)分散性的方法，例如，可以列舉當用于形成底涂層的涂布液形成時，根據金屬氧化物顆粒的分散時間等進行調節(jié)的方法。

例如，如果將金屬氧化物顆粒的粒徑設定得較大，則底涂層的靜電電容降低。如果將金屬氧化物顆粒的粒徑設定得較小，則底涂層的靜電電容趨于增加。

另外，在具有氨基并用硅烷偶聯(lián)劑進行了表面處理的氧化鋅顆粒用作金屬氧化物顆粒以及縮醛樹脂作為粘合劑樹脂情況下，例如，如果金屬氧化物顆粒的表面處理量大，金屬氧化物顆粒的分散性降低，因此底涂層的靜電電容降低。如果金屬氧化物顆粒的表面處理量小，則金屬氧化物顆粒的分散性增加，因此底涂層的靜電電容趨于增加。

例如，如果金屬氧化物顆粒的含量大，則粘合劑樹脂的量減少，因此底涂層的靜電電容降低。如果金屬氧化物顆粒的含量少，則粘合劑樹脂的量增加，因此底涂層的靜電電容趨于增加。

例如，如果電子接受性化合物的含量大，則底涂層的靜電電容降低。如果電子接受化合物的含量小，則底涂層的靜電電容趨于增加。

關于含有粘合劑樹脂、金屬氧化物顆粒和電子接受性化合物的層，作為底涂層的實例，下面將描述材料、制備方法和特性等。

金屬氧化物顆粒

金屬氧化物顆粒的實例包括氧化錫顆粒、氧化鈦顆粒、氧化鋅顆粒和氧化鋯顆粒。在這些顆粒中，優(yōu)選選自氧化錫顆粒、氧化鈦顆粒和氧化鋅顆粒中的至少一種，更優(yōu)選氧化鋅顆粒。

作為金屬氧化物顆粒的體積平均一次顆粒直徑，例如可以舉出100nm以下的范圍，優(yōu)選為10nm至100nm的范圍。

金屬氧化物顆粒的體積平均一次顆粒直徑在上述范圍內，因此與小于上述范圍的情況相比，防止了由金屬氧化物顆粒的過大的表面積導致的分散體中的不均勻分布。金屬氧化物顆粒的體積平均一次顆粒直徑在上述范圍內，因此防止了在超過上述范圍的情況下可能由于二次顆?；蚓哂懈哂诙晤w粒的高階顆粒的過大顆粒直徑而導致的底涂層中的不均勻分布。如果在底涂層中發(fā)生不均勻分布，則在底涂層中形成包括存在金屬氧化物顆粒的部分和不存在金屬氧化物顆粒的部分的海-島結構，從而形成圖像缺陷，諸如可能引起半色調濃度的不均勻。

從將底涂層的每單位面積的靜電電容調整為上述范圍的角度出發(fā)，金屬氧化物顆粒一次顆粒的體積平均直徑優(yōu)選為20nm至70nm，更優(yōu)選為30nm至50nm。

金屬氧化物顆粒的體積平均一次顆粒直徑通過使用激光衍射式粒徑分布測量裝置(la-700：horiba，ltd.)測量。關于測量方法，通過使用固體粉末調節(jié)處于分散體狀態(tài)的樣品，使其為2g。向經調節(jié)的樣品中加入離子交換水，由此獲得40ml。將所得物插入小室以具有適當的濃度，并等待2分鐘。然后，進行測量。在獲得的通道的粒徑中，以體積為標準的小粒徑進行累積。將累積值達到50％時的值定義為體積平均一次顆粒直徑。

作為金屬氧化物顆粒的體積電阻率，例如可以列舉10⁴ω·cm至10¹⁰ω·cm的范圍。

優(yōu)選底涂層在對應于電子照相處理速度的頻率下獲得適當的阻抗。從該角度出發(fā)，金屬氧化物顆粒的體積電阻率優(yōu)選在上述范圍內。也就是說，金屬氧化物顆粒的體積電阻率在上述范圍內，因此與低于上述范圍的情況相比，阻抗的顆粒含量依賴性的傾向變小，并且容易防止阻抗的控制難度。金屬氧化物顆粒的體積電阻率在上述范圍內，因此比在高于上述范圍的情況下更容易防止殘余電勢的增加。

從將底涂層的每單位面積的靜電容量調節(jié)至上述范圍的角度出發(fā)，金屬氧化物顆粒的體積電阻率優(yōu)選為3×10⁶ω·cm至3×10⁹ω·cm，更優(yōu)選為5×10⁶ω·cm至1×10⁹ω·cm。

金屬氧化物顆粒的體積電阻率如下測定。測量環(huán)境定義為溫度為20℃，濕度為50％rh。

首先，將金屬氧化物顆粒與該層分離。將待測量的分離的金屬氧化物顆粒放置在其上設置有20cm²電極板的圓形工具的表面上，以具有約1mm至3mm的厚度。由此形成金屬氧化物顆粒層。將類似的20cm²電極板放置在形成的金屬氧化物顆粒層上，從而將金屬氧化物顆粒層夾在電極板之間。為了設置在金屬氧化物顆粒之間不產生空隙，向放置在金屬氧化物顆粒層上的電極板施加4kg的負荷，然后測量金屬氧化物顆粒層的厚度(cm)。金屬氧化物顆粒層之上和之下的兩個電極連接到靜電計和高壓發(fā)電裝置。向兩個電極施加高電壓，以使電場具有預定值。讀取此時流動的電流值(a)，由此計算金屬氧化物顆粒的體積電阻率(ω·cm)。金屬氧化物顆粒的體積電阻率(ω·cm)的計算式如下。

在該表達式中，ρ表示金屬氧化物顆粒的體積電阻率(ω·cm)，e表示施加電壓(v)，i表示電流值(a)。i0表示在0v的施加電壓下的電流值(a)，l表示金屬氧化物顆粒層的厚度(cm)。在該評估中，當施加電壓為1000v時使用體積電阻率。

表達式：ρ＝e×20/(i-i0)/l

作為金屬氧化物顆粒的bet比表面積，例如可以舉出10m²/g以上的范圍。從將底涂層的每單位面積的靜電電容調整至上述范圍的角度出發(fā)，bet比表面積優(yōu)選為10m²/g至25m²/g，更優(yōu)選為15m²/g至20m²/g。

bet比表面積具有使用bet比表面積測定裝置(島津制作所制造，flowsorpii2300)通過氮置換法測定的值。

作為金屬氧化物顆粒的含量，例如，相對于底涂層的總固體含量為30重量％至60重量％。從維持電特性的角度出發(fā)，金屬氧化物顆粒的含量優(yōu)選為35重量％至55重量％。從將底涂層的每單位面積的靜電電容調節(jié)至上述范圍的角度出發(fā)，相對于底涂層的總固體含量，金屬氧化物顆粒的含量優(yōu)選為30重量％至50重量％，更優(yōu)選為35重量％至45重量％。

金屬氧化物顆?？梢酝ㄟ^使用表面處理劑進行表面處理，并且優(yōu)選在表面處理劑中使用一種或多種類型的偶聯(lián)劑進行表面處理。偶聯(lián)劑通常具有將有機材料和無機材料化學結合的作用。例如，可以列舉含有與金屬氧化物顆粒的表面具有親和性或反應性的官能團的化合物。

作為金屬氧化物顆粒，可以使用經過不同表面處理的兩種或更多種類型的金屬氧化物顆粒的混合物，或者可以使用具有不同顆粒直徑的兩種或更多種類型的金屬氧化物顆粒的混合物。

表面處理劑的實例包括硅烷偶聯(lián)劑、鈦酸酯偶聯(lián)劑、，鋁偶聯(lián)劑和表面活性劑。特別地，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑，更優(yōu)選具有氨基的硅烷偶聯(lián)劑。

具有氨基的硅烷偶聯(lián)劑的實例包括但不限于3-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和n,n-(2-羥乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷。

作為混合物，可以使用兩種以上的硅烷偶聯(lián)劑。例如，具有氨基的硅烷偶聯(lián)劑可以與其它硅烷偶聯(lián)劑組合使用。這種其它硅烷偶聯(lián)劑的實例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。

使用表面處理劑的表面處理方法可以是任何已知的方法，并且可以是干式方法或濕式方法。

通過例如使用偶聯(lián)劑對金屬氧化物顆粒進行表面處理，然后如果需要，可以進行熱處理，目的是例如改善金屬氧化物的體積電阻率的環(huán)境依賴性。作為熱處理的溫度，例如可以例舉150℃至300℃。作為熱處理中的處理時間，例如，例舉30分鐘至5小時。

作為表面處理劑的處理量，例如，相對于金屬氧化物顆粒為0.5重量％至10重量％。例如，在使用含有氨基的硅烷偶聯(lián)劑進行表面處理的氧化鋅顆粒作為金屬氧化物顆粒并且使用縮醛樹脂作為粘合劑樹脂的情況下，從調節(jié)底涂層的每單位面積的靜電電容在上述范圍內的角度出發(fā)，金屬氧化物顆粒上的表面處理劑的量優(yōu)選為0.1重量％至7重量％，更優(yōu)選為0.5重量％至5重量％。

電子接受性化合物

電子接受性化合物可以在與金屬氧化物顆粒一起分散于其中之后包含在底涂層中，或者可以以附著于金屬氧化物顆粒的表面的狀態(tài)包含在內。在電子接受性化合物以附著于金屬氧化物顆粒的表面的狀態(tài)包含在內的情況下，電子接受性化合物優(yōu)選為與金屬氧化物顆粒表面進行化學反應的材料，或者是粘附到金屬氧化物顆粒表面的材料。電子接受性化合物可以選擇性地設置在金屬氧化物顆粒的表面上。

電子接受性化合物的實例包括具有醌骨架、蒽醌骨架、香豆素骨架、酞菁骨架、三苯甲烷骨架、花青素骨架、黃酮骨架、富勒烯骨架、釕絡合物骨架、呫噸骨架、苯并噁嗪骨架和卟啉骨架的電子接受性化合物。

電子接受性化合物可以是在骨架中用取代基如酸性基團(例如，羥基、羧基和磺?；?、芳基和氨基進行了取代的化合物。

特別地，從將底涂層的每單位面積的靜電電容調節(jié)至上述范圍的角度出發(fā)，作為電子接受性化合物，優(yōu)選具有蒽醌骨架的電子接受性化合物。更優(yōu)選具有羥基蒽醌骨架(具有羥基的蒽醌骨架)的電子接受性化合物。

具有羥基蒽醌骨架的電子接受性化合物的具體實例包括由下式(1)表示的化合物。

在式(1)中，n1和n2各自獨立地表示0至3的整數，條件是n1和n2中的至少一個表示1至3的整數(即，n1和n2不同時表示0)。m1和m2各自獨立地表示0或1的整數。r¹¹和r¹²各自獨立地表示具有1至10個碳原子的烷基或具有1至10個碳原子的烷氧基。

電子接受性化合物可以是由下式(2)表示的化合物。

在式(2)中，n1、n2、n3和n4各自獨立地表示0至3的整數。m1和m2各自獨立地表示0或1的整數。n1和n2中的至少一個各自獨立地表示1至3的整數(即，n1和n2不同時表示0)。n3和n4中的至少一個各自獨立地表示1至3的整數(即，n3和n4不同時表示0)。r表示2至10的整數。r¹¹和r¹²各自獨立地表示具有1至10個碳原子的烷基或具有1至10個碳原子的烷氧基。

這里，在式(1)和(2)中，由r¹¹和r¹²表示且具有1至10個碳原子的烷基可以是直鏈或支鏈烷基。例如，可以列舉甲基、乙基、丙基、異丙基等。作為具有1至10個碳原子的烷基，優(yōu)選具有1至8個碳原子的烷基，更優(yōu)選具有1至6個碳原子的烷基。

由r¹¹和r¹²表示且具有1至10個碳原子的烷氧基(烷氧基)可以是直鏈或支鏈烷氧基。例如，可以列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基等。作為具有1至10個碳原子的烷氧基，優(yōu)選具有1至8個碳原子的烷氧基，更優(yōu)選具有1至6個碳原子的烷氧基。

下面將描述電子接受性化合物的具體實例，但不限于此。

使電子接受性化合物附著于金屬氧化物顆粒表面的實例包括干式法和濕式法。

干式法是例如使電子接受性化合物以如下方式附著于金屬氧化物顆粒表面的方法：在具有高剪切力的混合器中攪拌金屬氧化物顆粒，在該狀態(tài)下，電子接受性化合物本身或作為溶解在有機溶劑中的電子接受性化合物的溶液與干燥空氣或氮氣一起滴加或噴霧。電子接受性化合物可以在等于或低于溶劑沸點的溫度下滴加或噴霧。在滴加或噴霧電子接受性化合物后，可以在等于或高于100℃進行烘焙。只要能獲得電子照相性能，烘烤可以在任何溫度進行任何時長。

濕式法例如為如下方法：使電子接受性化合物以如下方式附著于金屬氧化物顆粒的表面：通過包括攪拌、超聲波、砂磨機、磨碎機或球磨機等的技術將金屬氧化物顆粒分散在溶劑中，在該狀態(tài)下，向其中加入電子接受性化合物，然后攪拌或分散，隨后除去溶劑。例如通過過濾或通過蒸餾除去溶劑。除去溶劑后，可以在等于或高于100℃進行烘焙。只要能獲得電子照相性能，烘烤可以在任何溫度下進行任何時間長度。在濕式法中，可以在加入電子接受性化合物之前除去金屬氧化物顆粒中含有的水分，濕式法的實例包括其中通過在溶劑中攪拌除去含有的水分的方法或者通過與溶劑共沸除去含有的水分的方法。

在使用表面處理劑對金屬氧化物顆粒進行表面處理之前或之后，可以使電子接受性化合物附著。此外，可以同時進行電子接受性化合物的附著和表面處理劑的表面處理。

作為電子接受性化合物的含量，例如相對于底涂層的總固體成分為0.01重量％至20重量％。電子接受性化合物的含量優(yōu)選為0.1重量％至10重量％，更優(yōu)選為0.5重量％至5重量％。

電子接受性化合物的含量在上述范圍內，因此與小于上述范圍的情況相比，容易得到作為接受體的電子接受性化合物的效果。電子接受性化合物的含量在上述范圍內，因此與大于上述范圍的情況相比，則難以使金屬氧化物顆粒聚集，難以使金屬氧化物顆粒在底涂層中過度發(fā)生不均勻分布。另外，難以引起殘余電勢的增加、黑點的出現、以及由于金屬氧化物顆粒的過度不均勻分布而導致半色調密度不均勻的發(fā)生。

從將底涂層的每單位面積的靜電電容調整至上述范圍的角度出發(fā)，相對于底涂層的總固體含量，電子接受性化合物的含量優(yōu)選為0.1重量％至5重量％，更優(yōu)選為0.5重量％至1重量％。

粘合劑樹脂

用于底涂層的粘合劑樹脂的實例包括已知的高分子化合物，例如縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、甲基丙烯酰系樹脂、丙烯酰系樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅氧烷樹脂、硅氧烷-醇酸樹脂、尿素樹脂、酚醛樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、醇酸樹脂和環(huán)氧樹脂；鋯螯合物；鈦螯合物；鋁螯合物；鈦醇鹽化合物；有機鈦化合物；和已知材料如硅烷偶聯(lián)劑。

用于底涂層的粘合劑樹脂的其它實例包括具有電荷輸送基團的電荷輸送樹脂和導電樹脂(例如聚苯胺)。

在這些材料中，不溶于用于形成上層的涂層中所使用的溶劑的樹脂適合作為用于底涂層的粘合劑樹脂。特別是，通過固化劑與選自由以下組成的組的至少一種樹脂反應得到的樹脂是合適的：熱固性樹脂，如脲醛樹脂、酚醛樹脂、酚醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂和環(huán)氧樹脂；聚酰胺樹脂；聚酯樹脂；聚醚樹脂；甲基丙烯酰系樹脂；丙烯酰系樹脂；聚乙烯醇樹脂；和聚乙烯醇縮醛樹脂。

在組合使用兩種或更多種這些粘合劑樹脂的情況下，根據需要確定其混合比。

添加劑

底涂層可以包含各種添加劑，以便改善電性能、環(huán)境穩(wěn)定性和圖像質量。

添加劑的實例包括電子傳輸顏料如稠合多環(huán)顏料和偶氮顏料，以及已知材料如鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、鈦醇鹽化合物、有機鈦化合物和硅烷偶聯(lián)劑。硅烷偶聯(lián)劑用于如上所述的金屬氧化物顆粒的表面處理，但可以進一步作為添加劑添加至底涂層。

作為添加劑的硅烷偶聯(lián)劑的實例包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、n,n-雙(2-羥乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。

鋯螯合物的實例包括丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮鋯丁醇鹽、乙酰乙酸乙酯鋯丁醇鹽、乙酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環(huán)烷酸鋯、月桂酸鋯、異硬脂酸鋯、異丁酸鋯丁醇鹽、硬脂酸鋯丁醇鹽和異硬脂酸鋯丁醇鹽。

鈦螯合物的實例包括四異丙基鈦酸酯、四正丁基鈦酸酯、丁基鈦酸酯二聚體、四(2-乙基己基)鈦酸酯、乙酰丙酮鈦、乙酰丙酮聚鈦、辛二醇鈦、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、乳酸乙酯、三乙醇胺鈦和硬脂酸聚羥基鈦。

鋁螯合物的實例包括異丙醇鋁、二異丙醇單丁氧基鋁、丁醇鋁、乙酰乙酸二乙酯二異丙醇鋁和三(乙酰乙酸乙酯)鋁。

這些添加劑可以單獨使用或作為其多種的混合物或縮聚物使用。

底涂層的維氏硬度可以為35以上。

為了防止莫爾條紋，可以將底涂層的表面粗糙度(十點平均粗糙度)調節(jié)至所使用的曝光激光的波長λ的1/(4n)(n是上層的折射率)至1/2。

為了調整表面粗糙度，可以向底涂層中添加樹脂顆粒等。樹脂顆粒的實例包括硅氧烷樹脂顆粒和交聯(lián)的聚甲基丙烯酸甲酯樹脂顆粒。另外，可以拋光底涂層的表面以調節(jié)表面粗糙度。拋光方法的實例包括摩擦拋光(buffingpolishing)、噴砂處理、濕式珩磨和研磨處理。

底涂層的形成方法

用于形成底涂層的技術沒有特別限制，并能使用任何已知的技術。例如，形成通過將上述組分添加到溶劑中而獲得的用于形成底涂層的涂布液的涂膜。然后，將形成的涂膜干燥，并且必要時加熱。

制備用于形成底涂層的涂布液的溶劑的實例包括已知的有機溶劑，例如醇溶劑、芳族烴溶劑、鹵代烴溶劑、酮溶劑、酮醇溶劑、醚溶劑和酯溶劑。

這些溶劑的具體實例包括常用的有機溶劑如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。

當制備用于形成底涂層的涂布液時分散金屬氧化物顆粒的方法的實例包括使用輥磨機、球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機、膠體磨或涂料攪拌器等等。

將用于形成底涂層的涂布液施涂到導電基材上的方法的實例包括常用的方法，例如刮涂法、線棒涂布法、噴涂法、浸涂法、珠涂法、氣刀涂布法和幕涂法。

底涂層的膜厚例如優(yōu)選設定為15μm以上，更優(yōu)選為15μm至50μm，進一步優(yōu)選為15μm至30μm，特別優(yōu)選為20μm至25μm。

中間層

雖然未示出，但是可以在底涂層和感光層之間進一步設置中間層。

中間層例如是含有樹脂的層。用于中間層的樹脂的實例包括聚合物化合物如縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酰系樹脂、丙烯酰系樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅氧烷樹脂、硅氧烷-醇酸樹脂、酚醛樹脂和三聚氰胺樹脂。

中間層可以是含有有機金屬化合物的層。用于中間層的有機金屬化合物的實例包括含有金屬原子如鋯、鈦、鋁、錳和硅的那些。

用于中間層的這些化合物可以單獨使用或作為多種化合物的混合物或縮聚物使用。

在這些材料中，中間層優(yōu)選為含有包含鋯原子或硅原子的有機金屬化合物的層。

用于形成中間層的技術沒有特別限制，并能使用已知的方法。例如，形成通過將上述組分添加到溶劑中而獲得的用于形成中間層的涂布液的涂膜。然后，將形成的涂膜干燥，并且必要時加熱。

作為用于形成中間層的涂布方法，可以使用諸如浸涂法、擠出涂布法、線棒涂布法、噴涂法、刮刀涂布法、氣刀涂布法和幕涂法等常見方法。

中間層的膜厚優(yōu)選設定為例如0.1μm至3μm。中間層可以用作底涂層。

電荷產生層

電荷產生層是包括例如電荷產生材料和粘合劑樹脂的層。此外，電荷產生層可以是電荷產生材料的氣相沉積層。電荷產生材料的氣相沉積層適合于使用諸如發(fā)光二極管(led)或有機電致發(fā)光(el)圖像陣列的非相干光源的情況。

電荷產生材料的實例包括偶氮顏料如雙偶氮和三偶氮顏料，稠合芳族顏料如二溴蒽嵌蒽醌；苝顏料；吡咯并吡咯顏料；酞菁顏料；氧化鋅；和三方硒。

其中，為了與近紅外區(qū)域中的激光曝光相容，優(yōu)選使用金屬酞菁顏料或無金屬酞菁顏料作為電荷產生材料。具體地，例如，羥基鎵酞菁；氯鎵酞菁；二氯錫酞菁；更優(yōu)選鈦氧基酞菁。

為了與近紫外區(qū)域中的激光曝光兼容，優(yōu)選以稠合芳族顏料如二溴蒽嵌蒽醌、硫靛顏料、四氮雜卟啉化合物、氧化鋅、三方硒、雙偶氮顏料作為電荷產生材料。

即使在使用諸如有機el圖像陣列或具有在450nm至780nm范圍內的發(fā)光中心波長的led的非相干光源的情況下，也可以使用電荷產生材料。然而，從分辨率的角度來看，當感光層設計為具有等于或小于20μm的厚度的薄膜時，感光層中的電場強度增加，并且從導電基材的電荷注入獲得的帶電減少，從而容易產生稱為所謂的黑點(blackspot)的圖像缺陷。當使用在p型半導體中容易產生暗電流的電荷產生材料例如三方硒或酞菁顏料時，這種現象變得顯著。

相反，當使用諸如稠合芳族顏料、苝顏料和偶氮顏料的n型半導體作為電荷產生材料時，即使在光電導層是薄膜形式的情況下，也幾乎不發(fā)生暗電流，并能防止稱為黑點的圖像缺陷。

此外，材料是否為n型是由通常使用的飛行時間方法中流動的光電流的極性所決定的，并且其中是電子而不是空穴容易作為載流子流動的材料被鑒別為n型。

用于電荷產生層的粘合劑樹脂可以選自各種各樣的絕緣樹脂。此外，粘合劑樹脂可以選自有機光導電聚合物，例如聚-n-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘和聚硅烷。

電荷產生層中的粘合劑樹脂的實例包括聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚芳酯樹脂(雙酚和二價芳族二羧酸的縮聚物等)、聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、苯氧基樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺樹脂、丙烯酰系樹脂、聚丙烯酰胺樹脂、聚乙烯吡啶樹脂、纖維素樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、酪蛋白、聚乙烯醇樹脂和聚乙烯吡咯烷酮樹脂。術語“絕緣”在本文中是指具有等于或大于10¹³ωcm的體積電阻率。

粘合劑樹脂可以單獨使用或以其兩種以上的混合物使用。

此外，電荷產生材料與粘合劑樹脂的混合比優(yōu)選在10:1至1:10的范圍內，以重量比計。

電荷產生層可以包括其它已知的添加劑。

用于形成電荷產生層的技術沒有特別限制，并能使用已知的形成方法。例如，電荷產生層的形成通過形成用于形成電荷產生層的涂布液的涂膜來進行，其中將組分加入到溶劑中，并干燥涂膜，隨后根據需要進行加熱。此外，電荷產生層的形成可以通過電荷產生材料的氣相沉積來進行。通過氣相沉積形成電荷產生層特別適合于使用稠合芳族顏料或二萘嵌苯顏料作為電荷產生材料的情況。

用于制備電荷產生層形成用涂布液的溶劑的實例包括甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環(huán)己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。這些溶劑可以單獨使用或以其兩種以上的混合物使用。

對于在用于形成電荷產生層的涂布液中分散顆粒(例如，電荷產生材料)的方法，可以使用介質分散機，例如球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機和臥式砂磨機，或者使用無介質分散器如攪拌器、超聲波分散器、輥磨機和高壓均化器。高壓均化器的實例包括：碰撞型均化器，其中通過使分散體在高壓狀態(tài)下進行液-液碰撞或液-壁碰撞來進行分散；和滲透型均化器，其中通過使得分散體在高壓狀態(tài)下滲透細小通道來進行分散。

順便提及，在分散期間，有效的是將用于形成電荷產生層的涂布液中的電荷產生材料的平均粒徑調整為等于或小于0.5μm，優(yōu)選等于或小于0.3μm，以及更優(yōu)選等于或小于0.15μm。

使用用于產生電荷產生層的涂布液來涂覆底涂層(或中間層)的方法的實例包括常用的方法，例如刮刀涂布法、線棒涂布法、噴涂法、浸涂法、珠涂法、氣刀涂布法和幕涂法。

電荷產生層的膜厚度例如優(yōu)選設定為0.1μm至5.0μm，更優(yōu)選設定為0.2μm至2.0μm。

電荷傳輸層

電荷輸送層例如是含有電荷輸送材料和粘合劑樹脂的層。電荷輸送層可以是含有電荷輸送性聚合物材料的層。

電荷輸送材料的實例包括電子輸送化合物，其包括例如醌化合物如對苯醌、氯醌、溴醌和蒽醌；四氰基醌二甲烷化合物；芴酮化合物如2,4,7-三硝基芴酮；呫噸酮化合物；二苯甲酮化合物；氰基乙烯基化合物；和乙烯化合物。電荷輸送材料的實例還包括空穴輸送材料，例如三芳基胺化合物、聯(lián)苯胺化合物、芳基烷烴化合物、芳基取代的乙烯化合物、芪化合物、蒽化合物和腙化合物。電荷輸送材料可以單獨使用或者兩種以上組合使用，但不限于此。

從電荷遷移率的角度來看，由下式(a-1)表示的三芳基胺衍生物和由下式(a-2)表示的聯(lián)苯胺衍生物優(yōu)選作為電荷輸送材料。

在式(a-1)中，ar^t1、ar^t2和ar^t3各自獨立地表示取代或未取代的芳基、-c6h4-c(r^t4)＝c(r^t5)(r^t6)或-c6h4-ch＝ch-ch＝c(r^t7)(r^t8)。r^t4、r^t5、r^t6、r^t7和r^t8各自獨立地表示氫原子、取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基。

作為各基團的取代基，可例舉出鹵素原子、具有1至5個碳原子的烷基和具有1至5個碳原子的烷氧基。作為各基團的取代基，還可例舉出被具有1至3個碳原子的烷基取代的取代氨基。

在式(a-2)中，r^t91和r^t92各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、具有1至5個碳原子的烷基或具有1至5個碳原子的烷氧基。r^t101、r^t102、r^t111和r^t112各自獨立地表示鹵素原子、具有1至5個碳原子的烷基、具有1至5個碳原子的烷氧基、被具有1至2個碳原子的烷基取代的氨基、取代或未取代的芳基、-c(r^t12)＝c(r^t13)(r^t14)或-ch＝ch-ch＝c(r^t15)(r^t16)-c。r^t12、r^t13、r^t14、r^t15和r^t16各自獨立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基。tm1、tm2、tn1和tn2各自獨立地表示0至2的整數。

作為各基團的取代基，可例舉出鹵素原子、具有1至5個碳原子的烷基和具有1至5個碳原子的烷氧基。作為各基團的取代基，還可例舉出被具有1至3個碳原子的烷基取代的取代氨基。

這里，在由式(a-1)表示的三芳基胺衍生物和由式(a-2)表示的聯(lián)苯胺衍生物中，從電荷遷移率的角度來看特別優(yōu)選具有“-c6h4-ch＝ch-ch＝c(r^t7)(r^t8)”的三芳基胺衍生物和具有“-ch＝ch-ch＝c(r^t15)(r^t16)”的聯(lián)苯胺衍生物。

從電荷遷移率的角度來看，電荷輸送材料的實例優(yōu)選包括由下式(ct1)表示的丁二烯電荷輸送材料(ct1)。

在式(ct1)中，r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、具有1至20個碳原子的烷基、具有1至20個碳原子的烷氧基或具有6至30個碳原子的芳基，并且兩個相鄰的取代基可以彼此結合以形成烴環(huán)結構。

cm和cn各自獨立地表示0、1或2。

在式(ct1)中，由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的鹵素原子的實例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。其中，作為鹵素原子，優(yōu)選氟原子和氯原子，更優(yōu)選氯原子。

在式(ct1)中，由rc¹¹、rc¹²、rc¹³、rc¹⁴、rc¹⁵和rc¹⁶表示的烷基的實例包括具有1至20個碳原子的直鏈或支鏈烷基(優(yōu)選具有1至6個碳原子，更優(yōu)選具有1至4個碳原子)。

直鏈烷基的具體實例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十一烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基和正二十烷基。

支鏈烷基的具體實例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基、叔癸基、異十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、新十一烷基、異十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、新十二烷基、異十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、新十三烷基、異十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、新十四烷基、1-異丁基-4-乙基辛基、異十五烷基、仲十五烷基、叔十五烷基、新十五烷基、異十六烷基、仲十六烷基、叔十六烷基、新十六烷基、1-甲基十五烷基、異十七烷基、仲十七烷基、叔十七烷基、新十七烷基、異十八烷基、仲十八烷基、叔十八烷基、新十八烷基、異十九烷基、仲十九烷基、叔十九烷基、新十九烷基、1-甲基辛基、異二十烷基、仲二十烷基、叔二十烷基和新二十烷基。

其中，作為烷基，優(yōu)選甲基、乙基、異丙基等低級烷基。

在式(ct1)中，由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的烷氧基的實例包括具有1至20個碳原子(優(yōu)選具有1至6個碳原子，更優(yōu)選具有1至4個碳原子)。

直鏈烷氧基的具體實例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基正十一烷氧基、正十一烷氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基和正二十烷氧基。

支鏈烷氧基的具體實例包括異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基、異十一烷氧基、仲十一烷氧基、叔十一烷氧基、新十一烷氧基、異十二烷氧基、仲十二烷氧基、叔十二烷氧基、新十二烷氧基、異十三烷氧基、仲十三烷氧基、叔十三烷氧基、新十三烷氧基、異十四烷氧基、仲十四烷氧基、叔十四烷氧基、新十四烷氧基、1-異丁基-4-乙基辛氧基、異十五烷氧基、仲十五烷氧基、叔十五烷氧基、新十五烷氧基、異十六烷氧基、仲十六烷氧基、叔十六烷氧基、新十六烷氧基、1-甲基十五烷氧基、異十七烷氧基、仲十七烷氧基、叔十七烷氧基、新十七烷氧基、異十八烷氧基、仲十八烷氧基、叔十八烷氧基、新十八烷氧基、異十九烷氧基、仲十九烷氧基、叔十九烷氧基、新十九烷氧基、1-甲基辛氧基、異二十烷氧基、仲二十烷氧基、叔二十烷氧基和新二十烷氧基。

其中，作為烷氧基，優(yōu)選甲氧基。

在式(ct1)中，由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15和r^c16表示的芳基的實例包括具有6至30個碳原子的芳基(優(yōu)選具有6至20個碳原子，更優(yōu)選具有6至16個碳原子)。

芳基的具體實例包括苯基、萘基、菲基和聯(lián)苯基。

其中，優(yōu)選苯基和萘基作為芳基。

此外，在式(ct1)中，由r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15、和r^c16表示的各個取代基還包括進一步具有取代基的基團。取代基的實例包括上面例舉的原子和基團(例如，鹵素原子、烷基、烷氧基和芳基)。

在式(ct1)中，其中r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15、和r^c16中的兩個基團(例如，r^c11和r^c12、r^c13和r^c14以及r^c15和r^c16)彼此連接的烴環(huán)結構中連接取代基的基團的實例包括單鍵、2,2'-亞甲基、2,2'-亞乙基和2,2'-亞乙烯基，其中，優(yōu)選單鍵和2,2'-亞甲基。

這里，烴環(huán)結構的具體實例包括環(huán)烷烴結構、環(huán)烯烴結構和環(huán)烷烴多烯結構。

在式(ct1)中，cm和cn優(yōu)選為1。

在式(ct1)中，從形成具有高電荷輸送性的感光層(電荷輸送層)的角度來看，優(yōu)選r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15、和r^c16各自表示氫原子，具有1至20個碳原子的烷氧基或具有1至20個碳原子的烷氧基，cm和cn各自表示1或2，并且更優(yōu)選r^c11、r^c12、r^c13、r^c14、r^c15、和r^c16各自表示氫原子，cm和cn各自表示1。

也就是說，更優(yōu)選丁二烯電荷輸送材料(ct1)是由下式(ct1a)表示的電荷輸送材料(示例性化合物(ct1-3))。

丁二烯電荷輸送材料(ct1)的具體實例如下所示，但不限于此。

此外，示例性化合物中的縮寫符號表示以下含義。此外，取代基前的數字表示相對于苯環(huán)的取代位置。

·-ch3：甲基

·-och3：甲氧基

丁二烯電荷輸送材料(ct1)可以單獨使用，也可以兩種以上組合使用。

作為電荷傳輸材料，從電荷遷移率的角度來看，優(yōu)選由下式(ct2)表示的聯(lián)苯胺電荷傳輸材料(ct2)。

從電荷遷移率的角度來看，優(yōu)選組合使用丁二烯電荷輸送材料(ct1)和聯(lián)苯胺電荷輸送材料(ct2)。

在式(ct2)中，r^c21、r^c22和r^c23各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、具有1至10個碳原子的烷基、具有1至10個碳原子的烷氧基或具有6至10個碳原子芳基。

在式(ct2)中，由r^c21、r^c22和r^c23表示的鹵素原子的實例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。其中，作為鹵素原子，優(yōu)選氟原子和氯原子，更優(yōu)選氯原子。

在式(ct2)中，由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷基的實例包括具有1至10個碳原子的直鏈或支鏈烷基(優(yōu)選具有1至6個碳原子，更優(yōu)選具有1至4個碳原子)。

直鏈烷基的具體實例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。

支鏈烷基的具體實例包括異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、異戊基、新戊基、叔戊基、異己基、仲己基、叔己基、異庚基、仲庚基、叔庚基、異辛基、仲辛基、叔辛基、異壬基、仲壬基、叔壬基、異癸基、仲癸基和叔癸基。

其中，作為烷基，優(yōu)選甲基、乙基、異丙基等低級烷基。

在式(ct2)中，由r^c21、r^c22和r^c23表示的烷氧基的實例包括具有1至10個碳原子的直鏈或支鏈烷氧基(優(yōu)選具有1至6個碳原子，更優(yōu)選具有1至4個碳原子)。

直鏈烷氧基的具體實例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基和正癸氧基。

支鏈烷基的具體實例包括異丙氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、異己氧基、仲己氧基、叔己氧基、異庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、異辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、異壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、異癸氧基、仲癸氧基和叔癸氧基。

其中，作為烷氧基，優(yōu)選甲氧基。

在式(ct2)中，由r^c21、r^c22和r^c23表示的芳基的實例包括具有6至10個碳原子的芳基(優(yōu)選具有6至9個碳原子，更優(yōu)選具有6至8個碳原子)。

芳基的具體實例包括苯基和萘基。

其中，優(yōu)選苯基作為芳基。

此外，在式(ct2)中，由r^c21、r^c22和r^c23表示的各取代基還包括進一步具有取代基的基團。取代基的實例包括上面例舉的原子和基團(例如，鹵素原子、烷基、烷氧基和芳基)。

在式(ct2)中，特別是從形成具有高電荷輸送性的感光層(電荷輸送層)(用于感光體的高感光度)的角度來看，優(yōu)選r^c21、r^c22和r^c23各自獨立地表示氫原子或具有1至10個碳原子的烷基，更優(yōu)選r^c22和r^c23表示氫原子，r^c22表示具有1至10個碳原子的烷基(特別是甲基)。

具體地，特別優(yōu)選聯(lián)苯胺電荷輸送材料(ct2)是由下式(ct2a)表示的電荷輸送材料(示例性化合物(ct2-2))。

聯(lián)苯胺電荷輸送材料(ct2)的具體實例如下所示，但不限于此。

此外，示例性化合物中的縮寫符號表示以下含義。此外，取代基前的數字表示相對于苯環(huán)的取代位置。

·-ch3：甲基

·-c2h5：乙基

·-och3：甲氧基

·-oc2h5：乙氧基

聯(lián)苯胺電荷輸送材料(ct2)可以單獨使用或以其兩種以上組合使用。

作為電荷輸送性聚合物材料，使用具有電荷輸送性的已知材料，例如聚-n-乙烯基咔唑和聚硅烷。特別地，特別優(yōu)選聚酯電荷輸送性聚合物材料。電荷輸送性聚合物材料可以單獨使用，或者可以與粘合劑樹脂一起使用。

用于電荷輸送層的粘合劑樹脂的實例包括聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚芳酯樹脂、甲基丙烯酰系樹脂、丙烯酰系樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、硅氧烷樹脂、硅氧烷-醇酸樹脂、酚醛樹脂、苯乙烯-醇酸樹脂、聚-n-乙烯基咔唑和聚硅烷。其中，聚碳酸酯樹脂或聚芳酯樹脂適合作為粘合劑樹脂。這些粘合劑樹脂可以單獨使用或兩種以上組合使用。

此外，電荷輸送材料與粘合劑樹脂的混合比優(yōu)選為10:1至1:5(重量比)。

電荷輸送層可以含有其它已知的添加劑。

用于形成電荷輸送層的技術沒有特別限制，并能使用已知的形成方法。例如，電荷輸送層的形成通過形成用于形成電荷輸送層的涂布液的涂膜來進行，所述涂布液通過將組分添加到溶劑中制備，然后干燥涂膜，隨后根據需要加熱。

用于制備電荷輸送層形成用涂布液的溶劑的實例是常見的有機溶劑，包括例如芳族烴如苯、甲苯、二甲苯和氯苯；酮類如丙酮和2-丁酮；鹵代脂族烴，如二氯甲烷、氯仿和二氯乙烷；和環(huán)狀或直鏈醚如四氫呋喃和乙醚。這些溶劑可以單獨使用或以其兩種以上的混合物使用。

用于將用于形成電荷輸送層的涂布液涂布電荷產生層的涂布方法的實例包括常用的方法，例如刮涂法、線棒涂布法、噴涂法、浸涂法、珠涂法、氣刀涂布法和幕涂法。

電荷輸送層的膜厚例如設定在優(yōu)選5μm至50μm，更優(yōu)選10μm至30μm。

保護層

根據需要在感光層上提供保護層。保護層例如為了防止充電時的感光層的化學變化，進一步提高感光層的機械強度而設置。

因此，作為保護層，可以涂覆由固化膜(交聯(lián)膜)形成的層。該層的實例包括下面1)和2)中所述的層。

1)由在同一分子中包含具有反應性基團和電荷輸送性骨架的含反應性基團的電荷輸送材料的組合物的固化膜形成的層(即，包含聚合物或含反應性基團的電荷輸送材料的交聯(lián)產物的層)。

2)由包含非反應性電荷輸送材料和含反應性基團的非電荷輸送材料(其不具有電荷輸送性骨架但具有反應性基團)的組合物的固化膜形成的層(即，包含聚合物或非反應性電荷輸送材料和含反應性基團的非電荷輸送材料的交聯(lián)產物)。

含反應性基團的電荷輸送材料的反應性基團的實例包括已知的反應性基團，例如鏈可聚合基團、環(huán)氧基、-oh、-or[其中r表示烷基]、-nh2、-sh、-cooh和-sir^q13-qn(or^q2)qn[其中r^q1表示氫原子、烷基或取代或未取代的芳基，r^q2表示氫原子、烷基或三烷基甲硅烷基，qn表示1至3的整數]。

鏈聚合性基團沒有特別限制，只要其是可自由基聚合的官能團即可。例如，它是具有至少一個含有碳-碳雙鍵的基團的官能團。其具體實例包括含有選自乙烯基、乙烯基醚基、乙烯基硫醚基、乙烯基苯基、丙烯?；⒓谆；捌溲苌镏械闹辽僖环N的基團。其中，從其優(yōu)異的反應性的角度出發(fā)，優(yōu)選含有選自乙烯基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及其衍生物中的至少一種的基團作為鏈狀聚合性基團。

含反應性基團的電荷輸送材料的電荷輸送性骨架沒有特別限制，只要其是用于電子照相感光體的已知結構即可。其實例包括其中結構與氮原子共軛的衍生自含氮空穴傳輸化合物如三芳基胺化合物、聯(lián)苯胺化合物和腙化合物的骨架。其中，優(yōu)選三芳胺骨架。

具有反應性基團和電荷輸送性骨架的含反應性基團的電荷輸送材料，非反應性電荷輸送材料和含反應性基團的非電荷輸送材料可以選自已知材料。

保護層還可以包括其它已知的添加劑。

用于形成保護層的技術沒有特別限制，并且使用已知的方法。例如，通過從用于形成保護層的涂布液形成涂膜來進行形成，所述涂布液通過將組分添加到溶劑中而制備，并且根據需要干燥涂膜，然后根據需要進行固化處理如加熱。

用于制備保護層形成用涂布液的溶劑的實例包括芳族溶劑如甲苯和二甲苯；酮溶劑如甲基乙基酮、甲基異丁基酮和環(huán)己酮；酯溶劑如乙酸乙酯和乙酸丁酯；醚溶劑如四氫呋喃和二噁烷；溶纖劑溶劑如乙二醇單甲醚；和醇溶劑如異丙醇和丁醇。這些溶劑可以單獨使用或以其兩種以上的混合物使用。

此外，保護層形成用涂布液可以是無溶劑涂布液。

用于將用于形成保護層的涂布液涂布感光層(例如，電荷輸送層)的涂布方法的實例包括常規(guī)方法，例如浸涂法、提升涂布法、線棒涂布法、噴涂法、刮刀涂布法、氣刀涂布法和幕涂法。

保護層的膜厚例如優(yōu)選設定為1μm至20μm，更優(yōu)選設定為2μm至10μm。

單層型感光層

單層型感光層(電荷產生/電荷傳輸層)是包含例如電荷產生材料、電荷傳輸材料，以及必要時包含粘合劑樹脂和其它公知的添加劑的層。這些材料類似于對于電荷產生層和電荷傳輸層所描述的材料。

單層型感光層中的電荷產生材料的含量相對于總固體含量可以為10重量％至85重量％。電荷產生材料的含量優(yōu)選為20重量％至50重量％。單層型感光層中的電荷輸送材料的含量相對于總固體含量可以為5重量％至50重量％。

單層型感光層的形成方法類似于電荷產生層或電荷輸送層的形成方法。

單層型感光層的膜厚度可以為例如5μm至50μm。單層型感光層的膜厚優(yōu)選為10μm至40μm。

充電裝置

充電裝置(充電單元的示例)15對感光體7的表面充電。充電裝置15被配置為包括例如電源(用于充電部件的電壓施加單元的示例)28，其向充電部件14施加充電電勢以對感光體7的表面充電。電源28電連接到充電部件14。

充電裝置15的充電部件14例如以與感光體7的表面接觸或非接觸的方式設置。充電部件14的示例包括使用導電性充電輥、充電刷、充電膜、充電橡膠刮刀、充電管等的接觸型充電器。此外，例如，還可舉出已知的充電器，例如非接觸充電型的輥充電器、柵格電暈管充電器或使用電暈放電的電暈充電器。

充電裝置(包括電源28)15與例如設置在圖像形成設備10中的控制裝置36電連接。充電裝置15通過控制裝置36的控制來驅動，以便向充電部件14施加充電電壓。已經從電源28施加了充電電壓的充電部件14對感光體7充電，以便具有取決于所施加的充電電壓的充電電勢。因此，調節(jié)從電源28施加的充電電壓使得感光體7被充電以具有各種充電電勢。

靜電潛像形成裝置

靜電潛像形成裝置(曝光裝置)(靜電潛像形成單元的一個實例)16在感光體7的經充電表面上形成靜電潛像。

具體地，例如，靜電潛像形成裝置16與設置在圖像形成設備10中的控制裝置36電連接。靜電潛像形成裝置16通過控制裝置36的控制進行驅動，以使已經由充電部件14充電的感光體7的表面曝光。對已基于要形成的圖像的圖像信息調制的光l進行曝光。靜電潛像形成裝置16在感光體7上形成與圖像信息的圖像相對應的靜電潛像。感光體的曝光表面根據靜電潛像形成裝置的曝光光強度具有曝光后電勢。

靜電潛像形成裝置16的示例包括以成像方式執(zhí)行對諸如半導體激光、發(fā)光二極管(led)光、液晶快門光等光進行曝光的曝光裝置，例如光學儀器。光源的波長可以處在電子照相感光體7的光譜靈敏度區(qū)域中。對于半導體激光的波長，例如，可以使用具有在780nm附近的發(fā)射波長的近紅外線。然而，光源的波長不限于該波長。也可以使用波長在600nm的波長的激光或具有400nm至450nm的波長的藍色激光。作為靜電潛像形成裝置16，例如，可以輸出多束光的表面發(fā)光型激光光源也可用于彩色圖像形成。

顯影裝置

顯影裝置18例如設置在感光體7的旋轉方向上的由靜電潛像形成裝置16施加的光l的施加位置的下游側。收集顯影劑的收集單元設置在顯影裝置18中。

收集在顯影裝置18中的顯影劑可以是由單獨的色調劑構成的單組分顯影劑，或者包括色調劑和載體的雙組分顯影劑。顯影劑可以是磁性的或非磁性的。

顯影裝置18被構造成包括例如顯影部件18a和電源(用于顯影部件的電壓施加單元的示例)32。顯影部件18a通過使用包含色調劑的顯影劑將形成在顯影部件18a的表面上的靜電潛像顯影。電源32將顯影電壓施加到顯影部件18a。顯影構件18a例如電連接到電源32。

顯影裝置18的顯影部件18a可以根據顯影劑的類型來選擇。顯影部件18a的示例包括具有其中設置有磁體的顯影套筒的顯影輥。

顯影裝置(包括電源32)18例如與設置在圖像形成設備10中的控制裝置36電連接。顯影裝置18通過控制裝置36的控制來驅動，以便將顯影電壓施加到顯影部件18a。已經從電源32施加了顯影電壓的顯影部件18a被充電，以便具有取決于所施加的顯影電壓的顯影電勢。

被充電以具有顯影電勢的顯影部件18a將收集在例如顯影裝置18中的顯影劑保持在顯影部件18a的表面上。顯影部件18a將顯影劑中包含的色調劑從顯影裝置18供給到感光體7的表面。

供應到感光體7上的色調劑通過靜電力粘附到例如感光體7上的靜電潛像。具體地，例如，感光體7和顯影部件18a彼此面對的區(qū)域中的電勢差，即，在該區(qū)域中感光體7的表面的電勢和顯影部件的顯影電勢之間的電勢差使得包含在顯影劑中的色調劑被供給到已經形成靜電潛像的感光體7。在顯影劑包含載體的情況下，載體以保持在顯影部件18a中的狀態(tài)下被帶回到顯影裝置18中。

因此，例如，感光體7上的靜電潛像由從顯影部件18a供給的色調劑進行顯影。因此，在感光體7上形成與靜電潛像對應的色調劑圖像。

轉印裝置

轉印裝置(轉印單元的示例)31例如設置在感光體7的旋轉方向上的顯影部件18a的位置的下游側。

轉印裝置31被構造成包括例如轉印部件20和電源(用于轉印部件的電壓施加單元的示例)30。轉印部件20將形成在感光體7的表面上的色調劑圖像轉印到紙(記錄介質的實例)p上。電源30向轉印部件20施加轉印電壓。轉印部件20例如是柱狀的。轉印部件20沿箭頭c所示的方向旋轉，并且傳送介于轉印部件20和感光體7之間的紙張p。例如，轉印部件20電連接到電源30。

轉印裝置31中的轉印部件20的實例包括使用帶、輥、膜、橡膠刮片等的接觸型轉印充電器，以及已知的非接觸型轉印充電器，例如柵格電暈管轉印充電器和電暈管轉印充電器，其均采用電暈放電。

例如，轉印裝置(包括電源30)31與設置在圖像形成設備10中的控制裝置36電連接。轉印裝置31通過控制裝置36的控制而驅動，以便向轉印部件20施加轉印電壓。從電源32向其施加轉印電壓的轉印部件20被充電，以具有取決于施加的轉印電壓的轉印電勢。

如果具有與構成形成在感光體7上的色調劑圖像的色調劑的極性相反的極性的轉印電壓從轉印部件20的電源30施加到轉印部件20，則例如在感光體7和轉印部件20彼此面對的區(qū)域(在圖1中，參見轉印區(qū)域t)形成電場。形成的電場具有與構成感光體7上的色調劑圖像的色調劑通過靜電力從感光體7移動到轉印構件20側的強度一樣強的電場強度。

紙張(記錄介質的示例)p例如存儲在省略了圖示的存儲單元中。紙張p由多個省略圖示的傳送部件從傳送路徑34上的存儲單元傳送。然后，紙張p到達作為感光體7和轉印部件20彼此面對的區(qū)域的轉印區(qū)域t。在圖1所示的實例中，例如，通過向轉印部件20施加轉印電壓而在該區(qū)域中形成的轉印電場使得感光體7上的色調劑圖像轉印到紙張p上。即，例如，色調劑從感光體7的表面移動到紙張p，從而色調劑圖像被轉印到紙張p上。

感光體7上的色調劑圖像通過轉印電場轉印到紙張p上?；谵D印電流值控制轉印電場的強度。

這里，“轉印電流值”表示當色調劑圖像從感光體轉印到記錄介質時從轉印單元流入感光體的轉印電流的電流值。

從防止轉印不良和防止產生霧痕的角度出發(fā)，轉印電流值優(yōu)選為50μa至200μa，更優(yōu)選為75μa至150μa。

再充電裝置

再充電裝置(再充電單元的示例)40在色調劑圖像被直接轉印到記錄介質的表面上之后對電子照相感光體進行充電。再充電裝置40被構造成包括例如用于向再充電部件40a施加充電電勢的電源(未示出)。電源(未示出)例如電連接到再充電部件40a。

再充電裝置40的再充電部件40a被設置為不與感光體7的表面接觸。再充電部件40a的實例包括已知的充電器，例如非接觸充電型的輥充電器、使用電暈放電的柵格電暈管充電器或電暈充電器。

再充電裝置40例如與設置在圖像形成設備10中的控制裝置36電連接。再充電裝置40通過控制裝置36的控制來驅動，以向再充電部件40a施加充電電壓。要施加的電壓可以是dc電壓。在色調劑圖像被轉印到紙張p上之后，從電源(未示出)向其施加充電電壓的再充電部件40a對感光體7的表面充電，以具有取決于施加的充電電壓的充電電勢。

再充電裝置40被充電以具有與充電裝置15相同的極性。例如，再充電裝置40對感光體7充電，從而由轉印裝置31累積在感光體7中的電荷被抵消。再充電裝置40對感光體7進行充電，因此容易控制殘留在感光體7的表面上的殘留色調劑的帶電。因此，殘留色調劑容易被例如清潔裝置22回收。

清潔裝置

清潔裝置(清潔單元的示例)22設置在感光體7的旋轉方向上的轉印區(qū)域t的下游側。

在色調劑圖像被轉印到紙張p之后，清潔裝置22去除附著到感光體7的物質(即，清潔裝置22進行感光體7的表面的清潔)。

清潔裝置22除去感光體7上的諸如殘留色調劑或紙粉的粘附物質。清潔裝置22可以具有例如以下構造：其中提供了在預定線性壓力下與感光體7接觸的清潔刮板22a。清潔刮板22a可以例如在10g/cm至150g/cm的線性壓力下與感光體7接觸。

擦除裝置

擦除裝置(擦除單元的一個實例)24設置在例如感光體7的旋轉方向的清潔裝置22的下游側。

在轉印色調劑圖像之后，擦除裝置24使感光體7的表面曝光以進行擦除。

具體地，例如，擦除裝置24與設置在圖像形成設備10中的控制裝置36電連接。擦除裝置24通過控制裝置36的控制進行驅動，從而使感光體7表面整體(具體地，例如，成像區(qū)域的整個表面)曝光，以進行擦除。

擦除裝置24的示例包括包括諸如用于照射白光的鎢燈的光源的裝置和用于照射紅光的發(fā)光二極管(led)的裝置。

定影裝置

定影裝置(定影單元的示例)26例如設置在紙張p的輸送路徑34上，在紙張p的輸送方向上位于轉印區(qū)域t的下游側。

定影裝置26使轉印到例如紙張p上的色調劑圖像定影。

具體地，例如，定影裝置26電連接到設置在圖像形成設備10中的控制裝置36。定影裝置26通過控制裝置36的控制來驅動，以便將轉印到紙張上的色調劑圖像p通過加熱或通過加熱并加壓而施加到紙張p上。

定影裝置26的實例包括已知的定影機，例如熱輥定影機和烘箱定影機。圖1示出了加熱輥定影機，其包括加熱輥26a和設置為面對加熱輥26a的加壓輥26b。

這里，已經通過在傳送路徑34上傳送并通過感光體7和轉印部件20彼此面對的區(qū)域(轉印區(qū)域t)轉印了色調劑圖像的紙張p到達通過傳送部件(省略圖示)沿著傳送路徑34移動定影裝置26的安裝位置。因此，紙張p上的色調劑圖像被定影。

其上通過定影色調劑圖像形成圖像的紙張p通過多個傳送部件(將省略圖示)排出到圖像形成設備10的外部。

在由擦除裝置24擦除之后，感光體7通過充電裝置15再次充電。

控制裝置

控制裝置36構成為用于進行裝置整體的控制，并進行各種運算的計算機。具體地，控制裝置36包括中央處理單元(cpu)，用于在其中存儲各種程序的只讀存儲器(rom)，在程序執(zhí)行期間用作工作區(qū)域的隨機存取存儲器(ram)，非易失性用于存儲各種類型的信息的存儲器，以及輸入和輸出接口(i/o)。cpu、rom、ram、非易失性存儲器和i/o通過總線彼此連接。圖像形成設備10的各單元，例如感光體(包括驅動電機27)7、充電裝置(包括電源28)15、靜電潛像形成裝置16、顯影裝置(包括電源32)18、轉印裝置(包括電源30)31、再充電裝置(包括省略圖示的電源)40、擦除裝置24和定影裝置26連接到i/o。

cpu執(zhí)行例如存儲在rom或非易失性存儲器中的程序的控制程序(例如，圖像形成序列、恢復序列等)。因此，cpu控制圖像形成設備10的各單元的操作。ram用作工作存儲器。例如，由cpu執(zhí)行的程序，cpu的處理所需的數據等存儲在rom或非易失性存儲器中。控制程序或各種類型的數據可以存儲在諸如存儲單元的另一存儲設備中，或者可以通過通信單元從設備的外部獲得。

各種驅動器可以連接到控制裝置36。各種驅動器的示例包括從便攜式介質讀取數據或在介質中寫入數據的裝置。該介質是計算機可讀的，并且包括軟盤、磁光盤、cd-rom、dvd-rom和通用串行總線(usb)存儲器。在提供各種驅動器的情況下，控制程序可以記錄在便攜式介質中，并且記錄的控制程序可以由相應的驅動器讀取。因此，可以執(zhí)行控制程序。

圖像形成操作

將描述圖像形成設備10的圖像形成操作。

首先，充電裝置15對感光體7的表面充電。靜電潛像形成裝置16基于圖像信息使感光體7的充電表面曝光。因此，在感光體7上形成對應于圖像信息的靜電潛像。在顯影裝置18中，通過包含色調劑的顯影劑使形成在感光體7的表面上的靜電潛像顯影。因此，在感光體7的表面上形成色調劑圖像。在轉印裝置31中，形成在感光體7的表面上的色調劑圖像被轉印到紙張p上。轉印到紙張p上的色調劑圖像由定影裝置26定影。

再充電裝置40在轉印色調劑圖像之后對感光體7的表面再充電。因此，累積在感光層中的相反極性的電荷被抵消?？刂瞥潆娨允箽埩粼诟泄怏w7的表面上的殘留色調劑的極性匹配。清潔裝置22執(zhí)行清潔，以及擦除裝置24執(zhí)行擦除。

圖1示出了包括將擦除光照射到感光體的表面上以便在轉印色調劑圖像之后進行充電之前進行擦除的擦除單元(作為擦除裝置24)的裝置。然而，根據示例性實施方式的圖像形成設備不限于上述配置。

關于根據示例性實施例的圖像形成設備，描述了包括充電單元的裝置作為示例。充電單元在感光體7的旋轉方向上設置在色調劑圖像轉印之后的轉印單元的下游側，并且設置在感光體7的旋轉方向上的清潔單元的上游側。然而，，根據示例性實施例的圖像形成設備不限于上述構造。

關于根據示例性實施方式的圖像形成設備，描述了包括再充電單元的裝置作為示例。再充電單元在感光體7的旋轉方向上設置在色調劑圖像轉印之后的轉印單元的下游側，并且設置在感光體7的旋轉方向上的清潔單元的上游側。然而，根據示例性實施方式的圖像形成設備不限于上述構造。

在根據示例性實施方式的圖像形成設備中，例如，包括感光體7的部分和轉印裝置31可以形成可從圖像形成設備上拆卸的盒結構(處理盒)。例如，包括根據示例性實施方式的感光體7和轉印裝置31的處理盒適合用作處理盒。除了感光體7之外，處理盒可以包括例如選自由充電單元、靜電潛像形成單元、顯影單元和再充電單元構成的組中的至少一種。

實施例

下面將通過使用實施例來詳細描述示例性實施方案。然而，示例性實施方式不限于這些示例。在下面的描述中，除非另有說明，“份”和“％”都基于重量。

表面處理的金屬氧化物顆粒的制備

表面處理的金屬氧化物顆粒1

將100重量份作為金屬氧化物顆粒的氧化鋅(產品名：mz-300，由taycacorporation制造，體積平均一次顆粒直徑：35nm)，5重量份的10重量％的氨基丙基三乙氧基硅烷的甲苯溶液作為硅烷偶聯(lián)劑，200重量份的甲苯相混合。將混合物攪拌并回流2小時。然后，在10mmhg的減壓下蒸餾除去甲苯，并將殘余物在135℃進行烘烤表面處理2小時。由此，獲得表面處理的金屬氧化物顆粒。

表面處理的金屬氧化物顆粒2～6

表面處理的金屬氧化物顆粒以與表面處理的金屬氧化物顆粒1類似的方式獲得，不同之處在于如表1所示的金屬氧化物顆粒的類型和γ-氨基丙基三乙氧基硅烷的10重量％甲苯溶液的添加量(表中的“偶聯(lián)劑溶液的添加量”)。

表1

感光體的制備

感光體1

底涂層的形成

將33重量份表2所示的表面處理的金屬氧化物顆粒、6重量份作為固化劑的封端異氰酸酯(產品名：sumidur3175，由sumitomobayerurethaneco.，ltd.制造)、9重量份的表2所示的電子接受性化合物和25重量份的甲基乙基酮相互混合30分鐘。然后，向其中添加5重量份丁縮醛樹脂(產品名：s-lecbm-1，由sekisuichemicalco.，ltd.制造)，3重量份硅氧烷球(產品名：tospearl120，momentiveperformancematerialsinc.)和0.01重量份作為流平劑的硅油(產品名：sh29pa，由toraydowcorningsiliconeco.，ltd.制造)。使用砂磨機將混合物分散1小時，從而獲得用于形成底涂層的涂布液。

通過浸涂法將用于形成底涂層的涂布液涂布直徑為84mm、長度為357mm、厚度為1.0mm的鋁基材(導電性基材)。然后，在180℃進行干固化30分鐘，從而獲得厚度為20μm的底涂層。

電荷產生層的形成

將15重量份作為電荷產生材料的羥基鎵酞菁顏料、10重量份作為粘合劑樹脂的氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂(產品名稱：vmch，由nucltd.制造)和300重量份作為溶劑的正丁醇相互混合。羥基鎵酞菁顏料在cukα特征x射線的布拉格角(2θ±0.2°)的至少7.5、9.9、12.5、16.3、18.6、25.1和28.3處具有強的衍射峰。使用砂磨機將混合物分散4小時，從而獲得用于形成電荷產生層的涂布液。

將所獲得的用于形成電荷產生層的涂布液通過浸涂涂布到底涂層上。在100℃干燥10分鐘，由此得到膜厚為0.2μm的電荷產生層。

電荷傳輸層的形成

將4重量份作為電荷輸送材料的n,n'-二苯基-n,n'-雙(3-甲基苯基)[1,1'-聯(lián)苯]-4,4'-二胺、6重量份作為粘合劑樹脂的雙酚z聚碳酸酯樹脂(重均分子量：40,000)加入到24重量份的四氫呋喃和5重量份的氯苯的溶劑混合物中。由此，獲得用于形成電荷輸送層的涂布液。

將所獲得的用于形成電荷輸送層的涂布液施涂到電荷產生層上。在130℃干燥40分鐘，從而形成膜厚度為35μm的電荷輸送層。由此，獲得所需的電子照相感光體。

底涂層的靜電容量的測定

將形成底涂層時得到的用于形成底涂層的涂布液通過浸涂法涂布在直徑為30mm、長度為340mm的鋁基材上。在180℃進行干固化30分鐘，從而獲得厚度為20μm的底涂層。在底涂層上形成6mm的作為面對電極的金電極。通過126096w阻抗分析儀(solartroncorp.制造)在常溫和常濕(22℃/50％rh)下進行測量。測量在0v，ac±1v的dc偏壓和1至100hz的頻率范圍內進行。由此，得到底涂層的每單位面積的靜電電容(表中的“靜電電容”)。結果示于表2。

感光體2至8和感光體c1至c2

除了如表2所示設置表面處理的金屬氧化物顆粒的類型和用于形成感光體1的底涂層的電子接受性化合物的類型和添加量之外，以與感光體1類似的方式獲得電子照相感光體。

使用得到的用于形成底涂層的涂布液，以與感光體1同樣的方式進行測定，得到底涂層的每單位面積的靜電電容(表中的“靜電電容”)。表2表示結果。

評估

霧痕出現的評估

將獲得的感光體安裝在圖像形成設備(富士施樂株式會社制造的多功能機docucentref1100)中。將具有3％圖像濃度的字符圖橫向饋送到a4尺寸的記錄介質，并且在轉印電流值為120μa、處理速度為400mm/sec、溫度22℃和濕度50％rh的環(huán)境下連續(xù)形成5000張。然后，在一張a3延長尺寸的記錄介質上形成具有3％圖像濃度的字符圖。目視觀察a3延長尺寸的非圖像部分，由此基于以下評估標準評估霧痕的出現。表2表示結果。

霧痕出現的評估標準

a：沒有霧痕出現或難以識別霧痕。

b：霧痕出現的程度使得只有當仔細觀察時才能識別霧痕，但霧痕的程度在允許范圍內。

c：霧痕出現的程度使得可以容易且清楚地識別霧痕，并且、霧痕的程度超過允許范圍。

基于上述結果，與比較例相比，在實施例中可以認識到防止了霧痕的出現。

表2中的縮寫等的細節(jié)如下。

·1-2：電子接受性化合物的示例性化合物(1-2)

·1-9：電子接受性化合物的示例性化合物(1-9)

·1-14：電子接受性化合物的示例性化合物(1-14)

·1-21：電子接受性化合物的示例性化合物(1-21)

提供對本發(fā)明的實施方式的前述描述是為了說明和描述的目的。并非試圖窮盡本發(fā)明所披露的精確形式或將本發(fā)明限制于所披露的精確形式。顯然，許多改進和變化對于本領域技術人員是顯而易見的。選擇并描述所述實施方式是為了能夠最好地解釋本發(fā)明的原理及其實際用途，由此使得本領域的其他技術人員能夠理解適用于預計的特定用途的本發(fā)明的各種實施方式和各種改進方案。本發(fā)明的范圍旨在由下述權利要求及其等同物所限定。