技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及使用電子照相類型的圖像形成設(shè)備，諸如復(fù)印機(jī)、打印機(jī)等。

背景技術(shù)：

在電子照相類型圖像形成設(shè)備中，為了滿足各種記錄材料，已知中間轉(zhuǎn)印類型，其中調(diào)色劑圖像被從感光部件轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印部件上(一次轉(zhuǎn)印)并且隨后被從中間轉(zhuǎn)印部件轉(zhuǎn)印到記錄材料上(二次轉(zhuǎn)印)以便形成圖像。

日本專利申請(qǐng)公開2003-35986公開了中間轉(zhuǎn)印類型的常規(guī)的構(gòu)造。更特別地，在日本專利申請(qǐng)公開2003-35986中，為了將調(diào)色劑圖像從感光部件一次轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印部件上，設(shè)置一次轉(zhuǎn)印輥，并且將專用于一次轉(zhuǎn)印的電源連接到一次轉(zhuǎn)印輥。此外，在日本專利申請(qǐng)公開2003-35986中，為了將調(diào)色劑圖像從中間轉(zhuǎn)印部件二次轉(zhuǎn)印到記錄材料上，設(shè)置二次轉(zhuǎn)印輥，并且將專用于二次轉(zhuǎn)印的電壓源連接到二次轉(zhuǎn)印輥。

在日本專利申請(qǐng)公開2006-259640中，存在其中電壓源連接到二次轉(zhuǎn)印內(nèi)輥并且另一個(gè)電壓源連接到二次轉(zhuǎn)印外輥的構(gòu)造。在日本專利申請(qǐng)公開2006-259640中，描述了如下的效果，即從感光部件到中間轉(zhuǎn)印部件上的調(diào)色劑圖像的一次轉(zhuǎn)印受到通過電壓源對(duì)二次轉(zhuǎn)印內(nèi)輥的電壓施加的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

[本發(fā)明要解決的問題]

然而，在設(shè)置專用于一次轉(zhuǎn)印的電壓源時(shí)，存在它導(dǎo)致成本增大的可能性，使得期望有省略專用于一次轉(zhuǎn)印的電壓源的方法。

已經(jīng)找到了其中省略專用于一次轉(zhuǎn)印的電壓源并且通過恒定電壓元件將中間轉(zhuǎn)印部件接地以便產(chǎn)生預(yù)定的一次轉(zhuǎn)印電壓的構(gòu)造。

然而，在上述構(gòu)造中，存在如下的問題，即在其中為了獲得適當(dāng)?shù)亩无D(zhuǎn)印電壓預(yù)先將測(cè)試電壓施加到二次轉(zhuǎn)印部件的測(cè)試模式中測(cè)試電壓低的情況下，與二次轉(zhuǎn)印部件相對(duì)的輥的電位被降低，由此增大二次轉(zhuǎn)印部分處的電場(chǎng)，并且因此不能獲得適當(dāng)?shù)亩无D(zhuǎn)印電壓。

[用于解決問題的手段]

本發(fā)明提供一種圖像形成設(shè)備，其包括：圖像承載部件，用于承載調(diào)色劑圖像；中間轉(zhuǎn)印部件，用于運(yùn)送在一次轉(zhuǎn)印位置處從所述圖像承載部件轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像；轉(zhuǎn)印部件，用于在二次轉(zhuǎn)印位置處將調(diào)色劑圖像從所述中間轉(zhuǎn)印部件轉(zhuǎn)印到記錄材料上；恒定電壓元件，被設(shè)置為能與所述中間轉(zhuǎn)印部件的外周表面接觸并且電氣連接在所述中間轉(zhuǎn)印部件與地電位之間，用于通過使電流流過所述恒定電壓元件來維持預(yù)定的電壓；電源，用于通過將電壓施加到所述轉(zhuǎn)印部件以便使電流流過所述恒定電壓元件而形成在二次轉(zhuǎn)印位置處的二次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)和一次轉(zhuǎn)印位置處的一次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)兩者；檢測(cè)部分，用于檢測(cè)流過所述轉(zhuǎn)印部件的電流；執(zhí)行部分，用于執(zhí)行測(cè)試模式，在所述測(cè)試模式中，當(dāng)在二次轉(zhuǎn)印位置處不存在記錄材料時(shí)，測(cè)試電壓由所述電源施加到所述轉(zhuǎn)印部件以便通過所述檢測(cè)部分檢測(cè)電流；以及控制器，用于基于所述測(cè)試模式中由所述檢測(cè)部分檢測(cè)的電流來控制在二次轉(zhuǎn)印位置處存在記錄材料時(shí)要由所述電源施加到所述轉(zhuǎn)印部件的電壓，其中所述控制器控制由所述電源施加的測(cè)試電壓使得所述恒定電壓元件在所述測(cè)試模式的時(shí)段中維持所述預(yù)定的電壓。

[本發(fā)明的效果]

在其中通過恒定電壓源在中間轉(zhuǎn)印部件中產(chǎn)生預(yù)定電壓的構(gòu)造中，可以避免在施加測(cè)試電壓的測(cè)試模式的情況下能夠產(chǎn)生的、使得不能獲得適當(dāng)?shù)碾妷旱膯栴}。

附圖說明

圖1是圖像形成設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)的例示。

圖2是示出轉(zhuǎn)印電位與靜電圖像電位之間的關(guān)系的例示。

圖3是示出齊納二極管(Zener diode)的IV特性的例示。

圖4是示出控制的框圖的例示。

圖5是示出流入電流與施加的電壓之間的關(guān)系的例示。

圖6是示出帶電位與施加的電壓之間的關(guān)系的例示。

圖7是二次轉(zhuǎn)印電壓源的控制的時(shí)序圖。

圖8是在另一實(shí)施例中的二次轉(zhuǎn)印電壓源的控制的時(shí)序圖。

圖9是在另一實(shí)施例中的二次轉(zhuǎn)印電壓源的控制的時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

在下面，將沿著附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。順便提及，在每個(gè)附圖中，相同的附圖標(biāo)記分配給具有相同的結(jié)構(gòu)或功能的元件，并且省略這些元件的重復(fù)描述。

(實(shí)施例1)

[圖像形成設(shè)備]

圖1示出在本實(shí)施例中的圖像形成設(shè)備。圖像形成設(shè)備采用其中用于各個(gè)顏色的圖像形成單元是獨(dú)立的并且串列地布置的串列(tandem)類型。另外，圖像形成設(shè)備采用中間轉(zhuǎn)印類型，在該中間轉(zhuǎn)印類型中調(diào)色劑圖像被從用于各個(gè)顏色的圖像形成單元轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印部件上，并且隨后被從中間轉(zhuǎn)印部件轉(zhuǎn)印到記錄材料上。

圖像形成站101a、101b、101c、101d分別是用于形成黃色(Y)、品紅色(M)、青色(C)和黑色(K)調(diào)色劑圖像的圖像形成裝置。相對(duì)于中間轉(zhuǎn)印帶7的移動(dòng)方向從上游側(cè)按圖像形成單元101a、101b、101c和101d的順序，即，按黃色、品紅色、青色和黑色的順序布置這些圖像形成單元。

圖像形成單元101a、101b、101c、101d分別包括感光鼓1a、1b、1c、1d作為其上形成調(diào)色劑圖像的感光部件(圖像承載部件)。一次充電器2a、2b、2c、2d是用于對(duì)各個(gè)感光鼓1a、1b、1c、1d的表面進(jìn)行充電的充電裝置。曝光器件3a、3b、3c、3sd被設(shè)置有激光掃描器以便使由一次充電器充電的感光鼓1a、1b、1c和1d曝光。通過基于圖像信息使激光掃描器的輸出導(dǎo)通和截止，在各個(gè)感光鼓上形成與圖像對(duì)應(yīng)的靜電圖像。也就是說，一次充電器和曝光裝置用作用于在感光鼓上形成靜電圖像的靜電圖像形成裝置。顯影器件4a、4b、4c和4d被設(shè)置有用于容納黃色、品紅色、青色和黑色調(diào)色劑的容納容器，并且是用于使用調(diào)色劑對(duì)感光鼓1a、1b、1c和1d上的靜電圖像進(jìn)行顯影的顯影裝置。

感光鼓1a、1b、1c、1d上形成的調(diào)色劑圖像在一次轉(zhuǎn)印部分(一次轉(zhuǎn)印位置)N1a、N1b、N1c和N1d中被一次轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶7上。以這樣的方式，四個(gè)顏色的調(diào)色劑圖像被疊加地轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶7上。在下文中，將詳細(xì)描述一次轉(zhuǎn)印。

感光部件鼓清潔器件6a、6b、6c和6d去除在一次轉(zhuǎn)印部分N1a、N1b、N1c和N1d中沒有轉(zhuǎn)印的留在感光鼓1a、1b、1c和1d上的殘余調(diào)色劑。

中間轉(zhuǎn)印帶7(中間轉(zhuǎn)印部件)是要將調(diào)色劑圖像從感光鼓1a、1b、1c、1d轉(zhuǎn)印到其上的可移動(dòng)的中間轉(zhuǎn)印部件。在本實(shí)施例中，中間轉(zhuǎn)印帶7具有包括基底層和表面層的兩層結(jié)構(gòu)。基底層處于內(nèi)側(cè)(內(nèi)周表面?zhèn)?，伸?stretching)部件側(cè))并且接觸伸展部件。表面層處于外表面?zhèn)?外周表面?zhèn)?，圖像承載部件側(cè))并且接觸感光鼓?；讓影渲牧?諸如聚酰亞胺、聚酰胺、PEN、PEEK)或者各種橡膠，其中并入有適當(dāng)量的抗靜電劑，諸如炭黑。中間轉(zhuǎn)印帶7的基底層被形成為具有其10²-10⁷Ωcm的體電阻率。在本實(shí)施例中，基底層包括具有膜狀無端帶的形狀的具有大約45-150μm的中心厚度的聚酰亞胺。此外，作為表面層，施加在厚度方向上具有10¹³-10¹⁶Ωcm的體電阻率的丙烯酸樹脂(acrylic)涂層。也就是說，基底層的體電阻率低于表面層的體電阻率。

在中間轉(zhuǎn)印部件具有兩個(gè)或更多個(gè)層的結(jié)構(gòu)的情況下，外周表面?zhèn)葘拥捏w電阻率高于內(nèi)周表面?zhèn)葘拥捏w電阻率。

表面層的厚度是0.5-10μm。當(dāng)然，該厚度并不意圖限于這些數(shù)值。

中間轉(zhuǎn)印帶7的內(nèi)周表面由輥10、11和12作為伸展部件在接觸中間轉(zhuǎn)印帶7時(shí)伸展。輥10由馬達(dá)作為驅(qū)動(dòng)源來驅(qū)動(dòng)，因此用作用于驅(qū)動(dòng)中間轉(zhuǎn)印帶7的驅(qū)動(dòng)輥。此外，輥10也是隔著中間轉(zhuǎn)印帶推向二次轉(zhuǎn)印外輥13的二次轉(zhuǎn)印內(nèi)輥。輥11用作用于將預(yù)定張力施加到中間轉(zhuǎn)印帶7的張力輥。另外，輥11也用作用于防止中間轉(zhuǎn)印帶7的蛇行運(yùn)動(dòng)的校正輥。構(gòu)成對(duì)張力輥11的帶張力使得為大約5-12kgf。通過施加的這個(gè)帶張力，在中間轉(zhuǎn)印帶7與各個(gè)感光鼓1a-1d之間形成壓合部作為一次轉(zhuǎn)印部分N1a、N1b、N1c和N1d。二次轉(zhuǎn)印內(nèi)輥62由恒定速度特性優(yōu)秀的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，并且用作用于循環(huán)驅(qū)動(dòng)中間轉(zhuǎn)印帶7的驅(qū)動(dòng)輥。

記錄材料被容納在用于容納記錄材料P的片材托盤中。記錄材料P由拾取輥在預(yù)定定時(shí)處從片材托盤拾取并且被供應(yīng)給對(duì)齊輥。與中間轉(zhuǎn)印帶上的調(diào)色劑圖像的進(jìn)給同步，記錄材料P由對(duì)齊輥進(jìn)給到用于將調(diào)色劑圖像從中間轉(zhuǎn)印帶轉(zhuǎn)印到記錄材料上的二次轉(zhuǎn)印部分N2。

二次轉(zhuǎn)印外輥13(轉(zhuǎn)印部件)是用于通過經(jīng)由中間轉(zhuǎn)印帶7從中間轉(zhuǎn)印帶7的外周表面壓二次轉(zhuǎn)印內(nèi)輥10而與二次轉(zhuǎn)印內(nèi)輥13一起形成二次轉(zhuǎn)印部分N2(二次轉(zhuǎn)印位置)的二次轉(zhuǎn)印部件。二次轉(zhuǎn)印高電壓源(電源)22作為二次轉(zhuǎn)印電壓源連接到二次轉(zhuǎn)印外輥13，并且是能夠?qū)㈦妷菏┘拥蕉无D(zhuǎn)印外輥13的電壓源(電源)。

當(dāng)記錄材料P被進(jìn)給到二次轉(zhuǎn)印部分N2時(shí)，通過給二次轉(zhuǎn)印外輥13施加與調(diào)色劑相反極性的二次轉(zhuǎn)印電壓來形成二次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)，使得將調(diào)色劑圖像從中間轉(zhuǎn)印帶7轉(zhuǎn)印到記錄材料上。

順便提及，二次轉(zhuǎn)印內(nèi)輥10被形成有EPDM橡膠。二次轉(zhuǎn)印內(nèi)輥被設(shè)定為直徑為20mm、橡膠厚度為0.5mm并且硬度為70°(Asker-C)。二次轉(zhuǎn)印外輥13包括由NBR橡膠、EPDM橡膠等形成的彈性層以及芯金屬。二次轉(zhuǎn)印外輥13被形成為具有24mm的直徑。

相對(duì)于中間轉(zhuǎn)印帶7移動(dòng)的方向，在相比于二次轉(zhuǎn)印部分N2的下游側(cè)中，設(shè)置用于去除在二次轉(zhuǎn)印部分N2處沒有轉(zhuǎn)印到記錄材料上的留在中間轉(zhuǎn)印帶7上的殘余調(diào)色劑和紙張粉末的中間轉(zhuǎn)印帶清潔器件14。

[在無一次轉(zhuǎn)印高電壓的系統(tǒng)中的一次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)形成]

本實(shí)施例采用其中為了降低成本而省略專用于一次轉(zhuǎn)印的電壓源的構(gòu)造。因此，在本實(shí)施例中，為了將調(diào)色劑圖像從感光鼓靜電一次轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶7上，使用二次轉(zhuǎn)印電壓源22(在下文中，這個(gè)構(gòu)造被稱為無一次轉(zhuǎn)印高電壓的系統(tǒng))。

然而，在其中用于伸展中間轉(zhuǎn)印帶的輥直接連接到地的構(gòu)造中，即使在二次轉(zhuǎn)印電壓源210將電壓施加到二次轉(zhuǎn)印外輥64時(shí)，也存在大部分電流流到伸展輥側(cè)中并且電流沒有流到感光鼓側(cè)中的可能性。也就是說，即使在二次轉(zhuǎn)印電壓源210施加電壓時(shí)，電流沒有經(jīng)由中間轉(zhuǎn)印帶56流到感光鼓50a、50b、50c和50d中，使得用于轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖像的一次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)沒有在感光鼓和中間轉(zhuǎn)印帶之間起作用。

因此，為了使得一次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)作用在無一次轉(zhuǎn)印高電壓的系統(tǒng)中起作用，期望的是在伸展輥60、61、62和63中的每一個(gè)與地之間設(shè)置被動(dòng)元件(passive element)以使得使電流流向感光鼓側(cè)。

結(jié)果，中間轉(zhuǎn)印帶的電位變高，使得一次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)在感光鼓與中間轉(zhuǎn)印帶之間起作用。

順便提及，為了在無一次轉(zhuǎn)印高電壓的系統(tǒng)中形成一次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)，存在對(duì)通過從二次轉(zhuǎn)印電壓源210(電源)施加電壓而使電流沿著中間轉(zhuǎn)印帶的周向流過的需要。然而，如果中間轉(zhuǎn)印帶本身的電阻高，對(duì)于中間轉(zhuǎn)印帶移動(dòng)的移動(dòng)方向(周向)的中間轉(zhuǎn)印帶的電壓降變大。結(jié)果，還存在電流較不容易沿著周向朝向感光鼓1a、1b、1c和1d流過中間轉(zhuǎn)印帶的可能性。為此，中間轉(zhuǎn)印帶可以期望地具有低電阻層。在本實(shí)施例中，為了抑制中間轉(zhuǎn)印帶中的電壓降，中間轉(zhuǎn)印帶的基底層被形成為使得具有大于或等于10²Ω/□(平方)且小于或等于10⁸Ω/□(平方)的表面電阻率。此外，在本實(shí)施例中，中間轉(zhuǎn)印帶具有雙層結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)橥ㄟ^布置高電阻層作為表面層，流到非圖像部分中的電流被抑制，并且因此容易地進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)印特性。當(dāng)然，該層狀結(jié)構(gòu)并不意圖限于這個(gè)結(jié)構(gòu)。還可以采用單層結(jié)構(gòu)或者三層或更多的結(jié)構(gòu)。

接下來，將通過使用圖2描述作為感光鼓的電位與中間轉(zhuǎn)印帶的電位之間的差的一次轉(zhuǎn)印對(duì)比度(contrast)。

圖2是其中感光鼓1的表面由充電裝置2充電并且感光鼓表面具有電位Vd(在本實(shí)施例中為-450V)的情況。此外，圖2是其中由曝光裝置3使充電的感光鼓的表面曝光并且感光鼓表面具有Vl(在本實(shí)施例中為-150V)的情況。電位Vd是其中沒有沉積調(diào)色劑的非圖像部分的電位，并且電位Vl是其中沉積調(diào)色劑的圖像部分的電位。Vitb表示中間轉(zhuǎn)印帶的電位。

基于在充電和曝光裝置的下游側(cè)中且在顯影裝置的上游中接近感光鼓設(shè)置的電位傳感器的檢測(cè)結(jié)果來控制鼓的表面電位。

電位傳感器檢測(cè)感光鼓表面的圖像部分電位和非圖像部分電位，并且基于非圖像部分電位控制充電裝置的充電電位以及基于圖像部分電位控制曝光裝置的曝光光量。

通過這個(gè)控制，對(duì)于感光鼓的表面電位，圖像部分電位和非圖像部分電位的兩個(gè)電位都能夠被設(shè)定為適當(dāng)?shù)闹怠?/p>

對(duì)于感光鼓上的這個(gè)充電電位，由顯影器件4施加顯影偏置Vdc(在本實(shí)施例中-250V作為DC分量)，使得通過顯影在感光鼓側(cè)中形成帶負(fù)電的調(diào)色劑。

作為感光鼓的Vl與顯影偏置Vdc之間的電位差的顯影對(duì)比度Vca為：-150(V)-(-250(V))＝100(V)。

作為圖像部分電位Vl與非圖像部分電位Vd之間的電位差的靜電圖像對(duì)比度Vcb為：-150(V)-(-450(V))＝300(V)。

作為圖像部分電位Vl與中間轉(zhuǎn)印帶的電位Vitb(在本實(shí)施例中300V)之間的電位差的一次轉(zhuǎn)印對(duì)比度Vtr為：300V-(-150(V))＝450(V)。

順便提及，在本實(shí)施例中，采用其中通過重視感光鼓電位的檢測(cè)的精度來布置電位傳感器的構(gòu)造，但是本發(fā)明并不意圖限于這個(gè)構(gòu)造。還可以采用如下的構(gòu)造，其中通過重視成本降低，在不布置電位傳感器的情況下預(yù)先在ROM中存儲(chǔ)靜電圖像形成條件與感光鼓的電位之間的關(guān)系，并且隨后基于存儲(chǔ)在ROM中的關(guān)系來控制感光鼓的電位。

[齊納二極管]

在無一次轉(zhuǎn)印高電壓的系統(tǒng)中，通過作為中間轉(zhuǎn)印帶的電位與感光鼓的電位之間的電位差的一次轉(zhuǎn)印對(duì)比度(一次轉(zhuǎn)印電場(chǎng))確定一次轉(zhuǎn)印。為此，為了穩(wěn)定地形成一次轉(zhuǎn)印對(duì)比度，期望的是中間轉(zhuǎn)印帶的電位保持恒定。

因此，在本實(shí)施例中，齊納二極管被用作布置在伸展輥與地之間的恒定電壓元件。順便提及，還可以使用壓敏電阻器(varistor)來代替齊納二極管。

圖3示出齊納二極管的電流-電壓特性。齊納二極管使得電流很少流動(dòng)，直到施加齊納擊穿電壓Vbr或更大的電壓，但是齊納二極管具有在施加齊納擊穿電壓或更大的電壓時(shí)電流突然地流動(dòng)的特性。也就是說，在施加到齊納二極管15的電壓為齊納擊穿電壓(擊穿電壓)或更大的范圍中，齊納二極管15的電壓降使得電流流動(dòng)從而維持齊納電壓。

通過利用齊納二極管的這種電流-電壓特性，中間轉(zhuǎn)印帶7的電位保持恒定。

也就是說，在本實(shí)施例中，齊納二極管15被布置作為在伸展輥10、11和12中的每一個(gè)與地之間的恒定電壓元件。

另外，在一次轉(zhuǎn)印期間，二次轉(zhuǎn)印電壓源22施加電壓使得施加到齊納二極管15的電壓保持在齊納擊穿電壓。結(jié)果，在一次轉(zhuǎn)印期間，中間轉(zhuǎn)印帶7的帶電位能夠保持恒定。

在本實(shí)施例中，在每個(gè)伸展輥和地之間，12個(gè)提供25V的標(biāo)準(zhǔn)值Vbr的齊納擊穿電壓的齊納二極管15以其中它們串聯(lián)連接的狀態(tài)被布置。也就是說，在施加到齊納二極管的電壓保持在齊納擊穿電壓的范圍中，中間轉(zhuǎn)印帶的電位保持恒定在各個(gè)齊納二極管的齊納擊穿電壓之和(即，25×12＝300V)處。

當(dāng)然，本發(fā)明不意圖限于其中使用多個(gè)齊納二極管的構(gòu)造。還可以采用使用僅僅一個(gè)齊納二極管的構(gòu)造。

當(dāng)然，中間轉(zhuǎn)印帶的表面電位不意圖限于其中表面電位為300V的構(gòu)造。表面電位可以期望地根據(jù)調(diào)色劑的種類和感光鼓的特性被適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。

以這種方式，在由二次轉(zhuǎn)印電壓源210施加電壓時(shí)，齊納二極管的電位維持預(yù)定的電位，使得一次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)被形成在感光鼓和中間轉(zhuǎn)印帶之間。此外，與常規(guī)的構(gòu)造類似地，在由二次轉(zhuǎn)印高電壓源施加電壓時(shí)，二次轉(zhuǎn)印電場(chǎng)被形成在中間轉(zhuǎn)印帶和二次轉(zhuǎn)印外輥之間。

[控制器]

將參考圖4描述用于實(shí)行整個(gè)圖像形成設(shè)備的控制的控制器的構(gòu)造?？刂破靼–PU電路部150(控制器)，如圖4所示。CPU電路部150在其中并入CPU、ROM 151和RAM 152。二次轉(zhuǎn)印部分電流檢測(cè)電路204是用于檢測(cè)流過二次轉(zhuǎn)印外輥的電流的電路(檢測(cè)部分，第一檢測(cè)部分)。伸展輥流入電流檢測(cè)電路205(第二檢測(cè)部分)是用于檢測(cè)流到伸展輥中的電流的電路。電位傳感器206是用于檢測(cè)感光鼓表面的電位的傳感器。溫度和濕度傳感器207是用于檢測(cè)溫度和濕度的傳感器。

來自二次轉(zhuǎn)印部分電流檢測(cè)電路204、伸展輥流入電流檢測(cè)電路205、電位傳感器206以及溫度和濕度傳感器207的信息被輸入到CPU電路部150中。然后，CPU電路部150根據(jù)存儲(chǔ)在ROM 151中的控制程序?qū)嵭卸无D(zhuǎn)印電壓源22、顯影高電壓源201、曝光裝置高電壓源202和充電裝置高電壓源203的整體控制。稍后描述的環(huán)境表格和紙張厚度對(duì)應(yīng)表被存儲(chǔ)在ROM 151中，并且由CPU調(diào)用和反映。RAM 152暫時(shí)地保持控制數(shù)據(jù)，并且被用作伴隨控制的運(yùn)算處理的操作區(qū)域。

[判斷功能]

在本實(shí)施例中，為了使得中間轉(zhuǎn)印帶的表面電位不小于齊納電壓，執(zhí)行用于判斷由二次轉(zhuǎn)印電壓源施加的電壓的下限電壓的步驟。將使用圖5進(jìn)行描述。

在本實(shí)施例中，為了判斷下限電壓，使用用于檢測(cè)經(jīng)由齊納二極管15流到地中的電流的伸展輥流入電流檢測(cè)電路(第二檢測(cè)部分)。伸展輥流入電流檢測(cè)電路連接在齊納二極管和地之間。也就是說，每個(gè)伸展輥經(jīng)由齊納二極管和伸展輥流入電流檢測(cè)電路而連接到地電位。

如圖3所示，齊納二極管具有在齊納二極管的電壓降小于齊納擊穿電壓的范圍中電流很少流動(dòng)的特性。為此，在伸展輥流入電流檢測(cè)電路沒有檢測(cè)到電流時(shí)，可以判斷齊納二極管的電壓降小于齊納擊穿電壓。此外，在伸展輥流入電流檢測(cè)電路檢測(cè)到電流時(shí)，可以判斷齊納二極管的電壓降維持齊納擊穿電壓。

首先，施加用于Y、M、C和Bk的所有站的充電電壓，使得感光鼓的表面電位被控制在非圖像部分電位Vd處。

接下來，二次轉(zhuǎn)印電壓源施加測(cè)試電壓。由二次轉(zhuǎn)印電壓源施加的測(cè)試電壓線性地或者階梯式地增大。在圖5中，測(cè)試電壓按V1、V2和V3的順序階梯式地增大。當(dāng)由二次轉(zhuǎn)印電壓源施加的電壓是V1時(shí)，伸展輥流入電流檢測(cè)電路沒有檢測(cè)到電流(I1＝0μA)。當(dāng)由二次轉(zhuǎn)印電壓源施加的電壓是V2和V3時(shí)，伸展輥流入電流檢測(cè)電路分別檢測(cè)到I2μA或者I3μA。這里，根據(jù)在伸展輥流入電流檢測(cè)電路檢測(cè)到電流的情況下施加的電壓和所檢測(cè)到的電流之間的相關(guān)性，計(jì)算與電流開始流到齊納二極管中的情況對(duì)應(yīng)的電流流入開始電壓V0。也就是說，根據(jù)I2、I3、V2和V3之間的關(guān)系，通過執(zhí)行線性內(nèi)插，計(jì)算電流流入開始電壓V0。

作為由二次轉(zhuǎn)印電壓源施加的電壓，通過設(shè)定超過V0的電壓，能夠使得齊納二極管的電壓降維持齊納擊穿電壓。

在這時(shí)候在由二次轉(zhuǎn)印電壓源施加的電壓與中間轉(zhuǎn)印帶的帶電位之間的關(guān)系被示出在圖6中。

例如，在本實(shí)施例中，齊納二極管的齊納電壓被設(shè)定在300V處。為此，在其中中間轉(zhuǎn)印帶的電位小于300V的范圍中，電流沒有流到齊納二極管中，并且當(dāng)中間轉(zhuǎn)印帶的帶電位為300V時(shí)，電流開始流到齊納二極管中。即使在由二次轉(zhuǎn)印電壓源施加的電壓進(jìn)一步增大時(shí)，中間轉(zhuǎn)印帶的帶電位被控制為使得恒定。

也就是說，在小于開始檢測(cè)到電流流動(dòng)到齊納二極管中時(shí)的V0的范圍中，當(dāng)改變二次轉(zhuǎn)印偏置時(shí)，帶電位不能被控制在恒定電壓處。在超過開始檢測(cè)到電流流動(dòng)到齊納二極管中時(shí)的V0的范圍中，即使改變二次轉(zhuǎn)印偏置時(shí)，帶電位也能被控制在恒定電壓處。

順便提及，在本實(shí)施例中，使用電流流入開始電壓前后作為測(cè)試電壓，但是本發(fā)明不意圖限于這個(gè)構(gòu)造。通過預(yù)先設(shè)定更大的預(yù)定的電壓作為測(cè)試電壓，還可以采用其中所有測(cè)試電壓超過電流流入開始電壓的構(gòu)造。在這種構(gòu)造中，存在使得能夠省略判斷步驟的優(yōu)點(diǎn)。

順便提及，在本實(shí)施例中，通過重視提高電流流入開始電壓的計(jì)算的精度，采用其中執(zhí)行用于計(jì)算電流流入開始電壓V0的判斷功能的構(gòu)造。當(dāng)然，本發(fā)明并不意圖限于這個(gè)構(gòu)造。通過重視抑制長(zhǎng)的停機(jī)時(shí)間(downtime)，不采用其中執(zhí)行用于計(jì)算電流流入開始電壓V0的判斷功能的構(gòu)造，還可以采用其中在ROM中預(yù)先存儲(chǔ)電流流入開始電壓V0的構(gòu)造。

[用于設(shè)定二次轉(zhuǎn)印電壓的測(cè)試模式]

在本實(shí)施例中，為了設(shè)定調(diào)色劑圖像要被轉(zhuǎn)印到記錄材料上時(shí)的二次轉(zhuǎn)印電壓，執(zhí)行其中施加調(diào)節(jié)電壓(測(cè)試電壓)的被稱作ATVC(主動(dòng)轉(zhuǎn)印電壓控制)的測(cè)試模式。這是用于設(shè)定二次轉(zhuǎn)印電壓的測(cè)試模式并且在其中記錄材料沒有通過二次轉(zhuǎn)印部分的非片材通過期間被執(zhí)行。還存在其中在連續(xù)地形成圖像的情況下當(dāng)與記錄材料之間的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域在二次轉(zhuǎn)印位置中時(shí)執(zhí)行這個(gè)測(cè)試模式的情況。通過ATVC，可以掌握由二次轉(zhuǎn)印電壓源施加的電壓與流過二次轉(zhuǎn)印部分的電流之間的相關(guān)性。

當(dāng)執(zhí)行ATVC時(shí)，如果齊納二極管的電壓降小于齊納擊穿電壓，存在沒有適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行由ATVC進(jìn)行的二次轉(zhuǎn)印電壓的設(shè)定的可能性。

因此，在本實(shí)施例中，在二次轉(zhuǎn)印部分處不存在記錄材料時(shí)執(zhí)行ATVC的情況下，調(diào)節(jié)電壓被設(shè)定為使得齊納二極管的電壓降被保持在齊納擊穿電壓。

順便提及，在二次轉(zhuǎn)印部分處不存在記錄材料時(shí)通過由CPU電路部150控制二次轉(zhuǎn)印電壓源來執(zhí)行ATVC。也就是說，CPU電路部150用作用于執(zhí)行用于設(shè)定二次轉(zhuǎn)印電壓的ATVC的執(zhí)行部分。

在ATVC中，恒定電壓控制的多個(gè)調(diào)節(jié)電壓Va、Vb和Vd由二次轉(zhuǎn)印電壓源施加。然后，在ATVC中，由二次轉(zhuǎn)印部分電流檢測(cè)電路204(檢測(cè)部分)分別檢測(cè)在施加調(diào)節(jié)電壓時(shí)流動(dòng)的電流Ia、Ib和Ic。這是因?yàn)檎莆针妷汉碗娏髦g的相關(guān)性。

將描述在本實(shí)施例中的調(diào)節(jié)電壓的設(shè)定值。

在本實(shí)施例中，由判斷功能計(jì)算電流流入開始電壓V0。ΔV1和ΔV2被預(yù)先存儲(chǔ)在CPU電路部的ROM中。通過將ΔV1加到電流流入開始電壓V0來計(jì)算調(diào)節(jié)電壓Va，通過將ΔV2加到調(diào)節(jié)電壓Va來計(jì)算調(diào)節(jié)電壓Vb，并且通過將ΔV2加到調(diào)節(jié)電壓Vb來計(jì)算調(diào)節(jié)電壓Vc。當(dāng)上述內(nèi)容被概述時(shí)，各個(gè)調(diào)節(jié)電壓Va、Vb和Vc由下面的公式表示。

Va＝V0+ΔV1

Vb＝Va+ΔV2

Vc＝Vb+ΔV2

也就是說，包括調(diào)節(jié)電壓的最低電壓Va的所有調(diào)節(jié)電壓Va、Vb和Vc被設(shè)定為超過電流流入開始電壓V0。也就是說，在ATVC的執(zhí)行期間，電壓被設(shè)定為使得齊納二極管的電壓降被保持在齊納擊穿電壓。

在下面，在ATVC期間的齊納二極管小于齊納擊穿電壓的情況下，將描述通過ATVC的二次轉(zhuǎn)印電壓的設(shè)定如何影響。

ATVC獲得施加到二次轉(zhuǎn)印部分的電壓與電流之間的關(guān)系。這里，與二次轉(zhuǎn)印外輥相對(duì)的中間轉(zhuǎn)印帶的電位是與在齊納二極管中產(chǎn)生的電位相同的電位。在二次轉(zhuǎn)印期間的中間轉(zhuǎn)印帶的電位被設(shè)定為總是維持齊納擊穿電壓。假設(shè)在ATVC期間中間轉(zhuǎn)印帶電位不大于齊納擊穿電壓，在二次轉(zhuǎn)印外輥與中間轉(zhuǎn)印帶之間的電位差被偏移到比二次轉(zhuǎn)印期間的電位差更大的方向。然后，將流動(dòng)多于本來流動(dòng)的電流的電流。也就是說，存在不能適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行通過ATVC進(jìn)行二次轉(zhuǎn)印電壓的設(shè)定的可能性。因此，進(jìn)行設(shè)定以使得在ATVC期間齊納二極管的電壓降能夠總是維持齊納擊穿電壓。

[二次轉(zhuǎn)印目標(biāo)電流設(shè)定]

基于多個(gè)施加的調(diào)節(jié)電壓Va、Vb和Vc與測(cè)量的電流Ia、Ib和Ic之間的相關(guān)性，計(jì)算用于使得流動(dòng)二次轉(zhuǎn)印需要的二次轉(zhuǎn)印目標(biāo)電流It的電壓Vi。基于表1中示出的矩陣設(shè)定二次轉(zhuǎn)印目標(biāo)電流It。

表1

*1:"WC"表示含水量。

*2:"STTC"表示二次轉(zhuǎn)印目標(biāo)電流。

表1是存儲(chǔ)在CPU電路部150中設(shè)置的存儲(chǔ)部中的表格。這個(gè)表格根據(jù)大氣中的絕對(duì)含水量(g/kg)設(shè)定和劃分二次轉(zhuǎn)印目標(biāo)電流It。將描述這個(gè)原因。當(dāng)含水量變高時(shí)，調(diào)色劑電荷量變小。因此，當(dāng)含水量變高時(shí)，二次轉(zhuǎn)印目標(biāo)電流It被設(shè)定為使得變小。也就是說，當(dāng)含水量增加時(shí)，減少二次轉(zhuǎn)印目標(biāo)電流。順便提及，由CPU電路部150根據(jù)溫度和濕度傳感器207檢測(cè)到的溫度和相對(duì)濕度來計(jì)算絕對(duì)含水量。順便提及，在本實(shí)施例中，使用絕對(duì)含水量，但是含水量不意圖被限于此。還可以使用濕度代替絕對(duì)含水量。

這里，用于流過It的電壓V1是在二次轉(zhuǎn)印部分處不存在記錄材料的情況下用于流過It的電壓。然而，當(dāng)在二次轉(zhuǎn)印部分處存在記錄材料時(shí)執(zhí)行二次轉(zhuǎn)印。因此，期望的是考慮記錄材料的電阻。因此，記錄材料分擔(dān)電壓Vii被加到電壓Vi?；诒?中示出的矩陣設(shè)定記錄材料分擔(dān)電壓Vii。

表2

*1:"WC"表示含水量。

*2:"OS"表示一面(打印)。

*3:"ADS"表示自動(dòng)的雙面(打印)。

*4:"MDS"表示手動(dòng)的雙面(打印)。

表2是存儲(chǔ)在CPU電路部150中設(shè)置的存儲(chǔ)部中的表格。這個(gè)表格根據(jù)大氣中的絕對(duì)含水量(g/kg)和記錄材料基重(basis weight)(g/m²)來設(shè)定和劃分記錄材料分擔(dān)電壓Vii。當(dāng)基重增加時(shí)，記錄材料分擔(dān)電壓Vii增加。這是因?yàn)楫?dāng)基重增加時(shí)，記錄材料變厚并且因此記錄材料的電阻增加。此外，當(dāng)絕對(duì)含水量增加時(shí)，記錄材料分擔(dān)電壓Vii減少。這是因?yàn)楫?dāng)絕對(duì)含水量增加時(shí)，記錄材料中包含的水的含量增加，并且因此記錄材料的電阻增加。此外，與在一面打印期間相比，在自動(dòng)雙面打印期間和在手動(dòng)雙面打印期間記錄材料分擔(dān)電壓Vii更大。順便提及，基重是表示每單位面積的重量的單位(g/m²)，并且通常被使用作為表示記錄材料的厚度的值。對(duì)于基重，存在其中用戶在操作部處輸入基重的情況以及其中記錄材料的基重被輸入到用于容納記錄材料的容納部中的情況。基于這些條信息，CPU電路部150判斷基重。

通過將記錄材料分擔(dān)電壓Vii相加到用于流過二次轉(zhuǎn)印目標(biāo)電流It的Vi而獲得的電壓(Vi+Vii)由CPU電路部150設(shè)定作為恒定電壓控制的用于二次轉(zhuǎn)印的二次轉(zhuǎn)印目標(biāo)電壓Vt。也就是說，CPU電路部150用作用于控制二次轉(zhuǎn)印電壓的控制器。結(jié)果，根據(jù)調(diào)節(jié)電壓環(huán)境以及紙張厚度設(shè)定適當(dāng)?shù)碾妷褐?。此外，在二次轉(zhuǎn)印期間，由CPU電路部150以恒定電壓控制的狀態(tài)施加二次轉(zhuǎn)印電壓，并且因此即使在記錄材料的寬度改變時(shí)，也在穩(wěn)定狀態(tài)中執(zhí)行二次轉(zhuǎn)印。

[控制的定時(shí)]

圖7示出充電電壓(V,M,C,Bk)、二次轉(zhuǎn)印電壓源的施加的電壓、一次轉(zhuǎn)印和二次轉(zhuǎn)印的時(shí)序圖。順便提及，圖7是在記錄材料上連續(xù)地形成圖像的情況。

當(dāng)輸入圖像形成信號(hào)時(shí)，充電電壓導(dǎo)通(t0)。其后，在從t4到t5的時(shí)段中執(zhí)行作為用于二次轉(zhuǎn)印的調(diào)節(jié)功能的ATVC。其后，在從t7到t9的時(shí)段中，執(zhí)行二次轉(zhuǎn)印。通過在二次轉(zhuǎn)印部分處存在第一張記錄材料時(shí)施加基于ATVC設(shè)定的二次轉(zhuǎn)印電壓來執(zhí)行二次轉(zhuǎn)印。其后，在從t11到t12的時(shí)段中，執(zhí)行用于通過二次轉(zhuǎn)印部分的第二張記錄材料的二次轉(zhuǎn)印。其后，施加到二次轉(zhuǎn)印外輥的電壓截止(t13)，并且充電截止(t14)。

此外，在本實(shí)施例中，在本實(shí)施例中，在t5之后且在t7之前的定時(shí)(t6)處結(jié)束用于第一張記錄材料的一次轉(zhuǎn)印。

當(dāng)施加調(diào)節(jié)電壓時(shí)，如果齊納二極管的電壓降小于齊納擊穿電壓，存在由ATVC獲得的結(jié)果不正確的可能性。因此，在本實(shí)施例中，ATVC中的所有調(diào)節(jié)電壓Va、Vb和Vc被設(shè)定為使得齊納二極管的電壓降維持齊納擊穿電壓。也就是說，Va＝V0+ΔV1>V0，Vb＝Va+ΔV2>V0以及Vc＝Vb+ΔV2>V0。結(jié)果，在執(zhí)行ATVC時(shí)，總是抑制齊納二極管的電壓降小于齊納擊穿電壓，并且因此可以通過ATVC精確地設(shè)定二次轉(zhuǎn)印電壓。

(第二實(shí)施例)

圖8示出充電電壓(V,M,C,Bk)、二次轉(zhuǎn)印電壓源的施加的電壓、一次轉(zhuǎn)印和二次轉(zhuǎn)印的時(shí)序圖。

當(dāng)輸入圖像形成信號(hào)時(shí)，充電電壓導(dǎo)通(t0)。其后，在從t1到t2的時(shí)段中執(zhí)行用于判斷電流流入開始電壓V0的判斷功能。其后，在從t4到t5的時(shí)段中執(zhí)行作為用于二次轉(zhuǎn)印的調(diào)節(jié)功能的ATVC。其后，在從t7到t9的時(shí)段中，執(zhí)行二次轉(zhuǎn)印。通過在二次轉(zhuǎn)印部分處存在第一張記錄材料時(shí)施加基于ATVC設(shè)定的二次轉(zhuǎn)印電壓來執(zhí)行二次轉(zhuǎn)印。其后，在從t11到t12的時(shí)段中，執(zhí)行用于通過二次轉(zhuǎn)印部分的第二張記錄材料的二次轉(zhuǎn)印。其后，施加到二次轉(zhuǎn)印外輥的電壓截止(t13)，并且充電截止(t14)。

在本實(shí)施例中，用于第一張記錄材料的一次轉(zhuǎn)印在t2之后且t4之前的定時(shí)(t3)處開始，并且在t5之后且t7之前的定時(shí)(t6)處結(jié)束。

為此，在從t4到t5的時(shí)段中，在二次轉(zhuǎn)印部分處不存在記錄材料的狀態(tài)中，并行地執(zhí)行用于第一張記錄材料的一次轉(zhuǎn)印和ATVC。當(dāng)施加調(diào)節(jié)電壓時(shí)，如果齊納二極管的電壓降小于齊納擊穿電壓，存在沒有適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行二次轉(zhuǎn)印電壓的設(shè)定的可能性。

因此，在本實(shí)施例中，ATVC中的所有調(diào)節(jié)電壓Va、Vb和Vc被設(shè)定為使得齊納二極管的電壓降維持齊納擊穿電壓。也就是說，Va＝V0+ΔV1>V0，Vb＝Va+ΔV2>V0以及Vc＝Vb+ΔV2>V0。結(jié)果，即使在執(zhí)行ATVC時(shí)，也抑制齊納二極管的電壓降小于齊納擊穿電壓，并且因此適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行通過ATVC進(jìn)行的二次轉(zhuǎn)印電壓的設(shè)定。

也就是說，在本實(shí)施例中，即使在二次轉(zhuǎn)印部分處不存在記錄材料時(shí)執(zhí)行ATVC時(shí)，也使得齊納二極管的電壓降不小于齊納擊穿電壓。為此，適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行通過ATVC進(jìn)行的二次轉(zhuǎn)印電壓的設(shè)定。

(實(shí)施例3)

在實(shí)施例3中，通過由用于檢測(cè)電壓的檢測(cè)電路檢測(cè)在通過使二次轉(zhuǎn)印電壓源22經(jīng)受恒定電流控制而流過測(cè)試電流時(shí)的二次轉(zhuǎn)印電壓源22的電壓，來執(zhí)行ATVC。

在從t4到t5的時(shí)段中，執(zhí)行恒定電流控制的測(cè)試電流的流動(dòng)。

圖9示出充電電壓(Y,M,C,Bk)、二次轉(zhuǎn)印電壓源的施加的電壓、一次轉(zhuǎn)印和二次轉(zhuǎn)印的時(shí)序圖。

在本實(shí)施例中，二次轉(zhuǎn)印電壓源22的測(cè)試電流被設(shè)定作為目標(biāo)電流值，并且在從t4到t5的時(shí)段中執(zhí)行ATVC。

在本實(shí)施例中，在流過測(cè)試電流時(shí)的二次轉(zhuǎn)印電壓源22的電壓被設(shè)定在能夠維持齊納擊穿電壓的電壓處。

此外，在從t7到t9的二次轉(zhuǎn)印期間向二次轉(zhuǎn)印外輥施加通過將記錄材料分擔(dān)電壓相加到在ATVC期間檢測(cè)到的電壓而獲得的電壓。

在本實(shí)施例中，在流過測(cè)試電流時(shí)的電壓被設(shè)定在能夠維持齊納擊穿電壓的電壓處，并且因此適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行通過ATVC進(jìn)行的二次轉(zhuǎn)印電壓的設(shè)定。

順便提及，在本實(shí)施例中，描述了用于通過電子照相類型形成靜電圖像的圖像形成設(shè)備，但是本實(shí)施例不意圖限于這個(gè)構(gòu)造。還可以使用用于通過靜電力類型而非電子照相類型形成靜電圖像的圖像形成設(shè)備。

[工業(yè)實(shí)用性]

在其中通過恒定電壓元件在中間轉(zhuǎn)印部件中產(chǎn)生預(yù)定電壓的構(gòu)造中，可以避免在執(zhí)行施加測(cè)試電壓的測(cè)試模式的情況下能夠產(chǎn)生的、使得不能獲得適當(dāng)?shù)碾妷旱膯栴}。