本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)是由相互對(duì)盒的陣列基板與彩膜基板、位于上述兩個(gè)基板之間的液晶層以及提供光源的背光源模組構(gòu)成。

請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的局部剖面示意圖。如圖1所示，陣列基板100’包含襯底基板1000’及設(shè)置于其上的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)。薄膜晶體管是一種由半導(dǎo)體薄膜材料制成的絕緣柵場效應(yīng)晶體管，其中的有源層1200’(active layer)對(duì)光線非常敏感，微小的光強(qiáng)變化也會(huì)影響薄膜晶體管的特性。由于背光模組射出的光線不完全是垂直于陣列基板100’的，有部分光線是以一定的傾斜角度斜向上射出的(如圖1中箭頭所示)，這部分光線穿過柵極1100’的邊界而照射到有源層1200’上，使得對(duì)應(yīng)于源極1300’與漏極1400’之間的部分有源層1200’中會(huì)產(chǎn)生光漏電流，隨著光漏電流的增加，薄膜晶體管的特性會(huì)顯著下降，導(dǎo)致液晶顯示裝置顯示時(shí)出現(xiàn)圖像串?dāng)_、閃爍等問題，影響顯示畫面質(zhì)量。

因此，如何設(shè)計(jì)出一種陣列基板，可防止背光模組的光線照射到有源層以避免對(duì)薄膜晶體管的特性造成影響，成為業(yè)界研究的方向之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板，其可降低陣列基板上有源層受到背光模組的光線照射產(chǎn)生光漏電流的程度，減小顯示裝置顯示時(shí)出現(xiàn)的畫面不良問題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種陣列基板，包含襯底基板，該陣列基板還包含有柵極、第一絕緣層、有源層以及源極和漏極。柵極設(shè)置于該襯底基板上；第一絕緣層設(shè)置于該襯底基板以及該柵極上；有源層設(shè)置于該第一絕緣層上，且該有源層對(duì)應(yīng)該柵極；源極及漏極設(shè)置于該有源層與該第一絕緣層上，并對(duì)應(yīng)該柵極的兩側(cè)，其中，該第一絕緣層鄰近該柵極的第一側(cè)設(shè)置有第一孔洞，該源極包含相互連接的第一主體及第一延伸部，該第一延伸部位于該第一孔洞中，并遮擋住該柵極的該第一側(cè)。

作為可選的技術(shù)方案，該第一絕緣層鄰近該柵極的第二側(cè)設(shè)置有第二孔洞，該漏極包含相互連接的第二主體及第二延伸部，該第二延伸部位于該第二孔洞中，并遮擋住該柵極的該第二側(cè)。

作為可選的技術(shù)方案，定義該有源層于該襯底基板上的垂直投影為第一投影，定義該柵極于該襯底基板上的垂直投影為第二投影，該第一投影的面積小于該第二投影的面積；或者定義該有源層中對(duì)應(yīng)該源極與該漏極之間的區(qū)域于該襯底基板上的垂直投影為第一投影，定義該柵極于該襯底基板上的垂直投影為第二投影，該第一投影的面積小于該第二投影的面積。

作為可選的技術(shù)方案，該陣列基板還包含保護(hù)層及黑色矩陣，該保護(hù)層設(shè)置于該第一絕緣層、該有源層、該源極以及該漏極上，該黑色矩陣位于該保護(hù)層上，且該黑色矩陣對(duì)應(yīng)該柵極并用于遮擋該有源層。

作為可選的技術(shù)方案，該陣列基板還包含柵線，該柵極具有順次相連的該第一側(cè)、第三側(cè)、該第二側(cè)以及第四側(cè)，該柵極的該第三側(cè)與該柵線相連接。

作為可選的技術(shù)方案，該第一孔洞自該柵極的該第一側(cè)延伸至該第四側(cè)，且該第一孔洞不與該第二孔洞相接觸。

作為可選的技術(shù)方案，該陣列基板還包含柵線，該柵極具有順次相連的該第一側(cè)、第三側(cè)、該第二側(cè)以及第四側(cè)，該柵極的該第三側(cè)與該柵線相連接，該源極于該襯底基板上的垂直投影為U型圖案，該U型圖案具有開口區(qū)域，部分該漏極于該襯底上的垂直投影位于該開口區(qū)域中，該第一絕緣層鄰近該柵極的該第二側(cè)設(shè)置有第三孔洞，該源極還包含與該第一主體相連接的第三延伸部，該第三延伸部位于該第三孔洞中，并遮擋該柵極的該第二側(cè)。

作為可選的技術(shù)方案，該第一絕緣層鄰近該柵極的第四側(cè)設(shè)置有第二孔洞，該漏極包含相互連接的第二主體及第二延伸部，該第二延伸部位于該第二孔洞中，并遮擋住該柵極的該第四側(cè)。

作為可選的技術(shù)方案，該陣列基板還包含歐姆接觸層，該歐姆接觸層位于該有源層與該源極、該漏極之間。

此外，本發(fā)明還提出一種顯示裝置，該顯示裝置包含上述陣列基板。

本發(fā)明的顯示裝置及其陣列基板，由于在第一絕緣層鄰近柵極的至少一側(cè)旁設(shè)置孔洞，并將于源極和/或漏極上設(shè)置延伸部，并將延伸部容置于上述孔洞中，以遮擋住此處的柵極以及對(duì)應(yīng)的有源層，使得背光模組射出的斜向上的光線無法照射到有源層中，從而減小了有源層受到光線照射產(chǎn)生的光漏電流的大小，降低了陣列基板對(duì)盒后形成的顯示裝置顯示畫面時(shí)出現(xiàn)的圖像串?dāng)_、閃爍等顯示不良的程度。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板的局部剖面示意圖；

圖2為本發(fā)明的顯示裝置的局部剖面示意圖；

圖3為本發(fā)明的陣列基板的局部剖面示意圖；

圖4為本發(fā)明的陣列基板的第一實(shí)施例的局部俯視圖；

圖5為本發(fā)明的陣列基板的第二實(shí)施例的局部俯視圖；

圖6為本發(fā)明的陣列基板的第三實(shí)施例的局部俯視圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

在以下實(shí)施例中，在不同的圖中，相同部分是以相同標(biāo)號(hào)表示。

請(qǐng)參考圖2及圖3，圖2為本發(fā)明的顯示裝置的局部剖面示意圖，圖3為本發(fā)明的陣列基板的局部剖面示意圖。顯示裝置10可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視等顯示裝置。如圖2所示，顯示裝置10包含陣列基板100、彩膜基板200以及液晶層300。彩膜基板200與陣列基板100對(duì)盒，液晶層300設(shè)置于陣列基板100與彩膜基板200之間，液晶層300在電場的作用下發(fā)生扭轉(zhuǎn)。此外，顯示裝置10還包含背光模組(未繪示)，背光模組組裝于陣列基板100的下方，以提供光源。

本實(shí)施例中，圖2繪示的是典型的TN型(即Twist Nematic，扭曲向列型)液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)，即陣列基板100上設(shè)置有像素電極1700、彩膜基板200上設(shè)置有公共電極，參見圖3。實(shí)際操作中，公共電極也可以設(shè)置在陣列基板100上，即對(duì)盒形成的顯示裝置為ADS型(即Advanced-Super Dimensional Switching，高級(jí)超維場開關(guān)型)或IPS型(即In Plane Switch，橫向電場效應(yīng)型)，具體不作限定。

再請(qǐng)參考圖3，圖3為本發(fā)明的陣列基板的局部剖面示意圖。如圖3所示，陣列基板100包含襯底基板1000。陣列基板100還包含柵極1100、第一絕緣層1500、有源層1200、源極1300以及漏極1400。柵極1100設(shè)置于襯底基板1000上，第一絕緣層1500設(shè)置于襯底基板1000及柵極1100上，換句話說，第一絕緣層1500以覆蓋柵極1100的方式設(shè)置于襯底基板1000上。有源層1200設(shè)置于第一絕緣層1500上，并且有源層1200對(duì)應(yīng)柵極1100。源極1300及漏極1400設(shè)置于有源層1200與第一絕緣層1500上，并且分別對(duì)應(yīng)柵極1100的兩側(cè)。

如圖3所示，第一絕緣層1500鄰近柵極1100的第一側(cè)1101設(shè)置有第一孔洞1510，源極1300包含相互連接的第一主體1310及第一延伸部1320，第一延伸部1320位于第一孔洞1510中，并遮擋住柵極1100的第一側(cè)1101。

本實(shí)施例中，柵極1100、有源層1200、源極1300以及漏極1400構(gòu)成薄膜晶體管110，如圖3所示，本發(fā)明的薄膜晶體管110為底柵型(bottom gate，即柵極1100位于有源層1200靠近于襯底基板1000的一側(cè))薄膜晶體管。

本發(fā)明的顯示裝置及其陣列基板，第一絕緣層1500鄰近柵極1100的第一側(cè)1101設(shè)置有第一孔洞1510，源極1300具有第一延伸部1320，第一延伸部1320位于第一孔洞1510內(nèi)。由于源極1300由不透光的金屬材料構(gòu)成，設(shè)置于柵極1100的第一側(cè)1101旁的第一延伸部1320可遮擋住柵極1100的第一側(cè)1101以及對(duì)應(yīng)處的有源層1200，使得背光模組射出的斜向上的光線無法自此處照射到有源層1200中，從而減小了有源層1200受到光線照射產(chǎn)生的光漏電流的大小，降低了陣列基板100對(duì)盒后形成的顯示裝置10顯示畫面時(shí)出現(xiàn)的圖像串?dāng)_(crosstalk)、閃爍(flicker)以及殘影等顯示不良的程度。

實(shí)際操作中，有源層1200采用非晶硅材料構(gòu)成。陣列基板100還包含歐姆接觸層1210，歐姆接觸層1210位于有源層1200與源極1300、漏極1400之間，以提高由金屬材料構(gòu)成的源極1300、漏極1400與由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的有源層1200之間的歐姆接觸，使得薄膜晶體管110導(dǎo)通時(shí)，大部分的電壓降在有源層1200中對(duì)應(yīng)于源極1300、漏極1400之間的溝道區(qū)域而不在源極1300、漏極1400與有源層1200之間的接觸面上。

實(shí)際操作中，為了防止背光模組射出的斜向上的光線自柵極1100的第二側(cè)1102處照射到有源層1200中，第二側(cè)1102與第一側(cè)1101相對(duì)，以增強(qiáng)對(duì)有源層1200的遮擋效果，進(jìn)一步減小有源層1200受到光線照射產(chǎn)生的光漏電流的大小，如圖3所示，第一絕緣層1500鄰近柵極1100的第二側(cè)1102還設(shè)置有第二孔洞1520，漏極1400包含相互連接的第二主體1410及第二延伸部1420，第二延伸部1420位于第二孔洞1520中，并遮擋住柵極1100的第二側(cè)1102。這樣一來，設(shè)置于柵極1100的第二側(cè)1102旁的第二延伸部1420可遮擋住柵極1100的第二側(cè)1102以及對(duì)應(yīng)處的有源層1200，使得光線無法自此處照射到有源層1200中。

在上述基礎(chǔ)上，本發(fā)明進(jìn)一步提供包含兩種不同結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的陣列基板100以及對(duì)應(yīng)于柵極1000的孔洞的具體分布方式：

方式一

請(qǐng)同時(shí)參考圖3及圖4，圖4為本發(fā)明的陣列基板的第一實(shí)施例的局部俯視圖。陣列基板100上還包含柵線2100及數(shù)據(jù)線2200，柵線2100與數(shù)據(jù)線2200相互交叉且絕緣，本實(shí)施例中，柵線2100與數(shù)據(jù)線2200相互垂直。柵極1100具有順次相連的第一側(cè)1101、第三側(cè)1103、第二側(cè)1102以及第四側(cè)1104，其中第一側(cè)1101與第二側(cè)1102相對(duì)，第三側(cè)1103與第四側(cè)1104相對(duì)。柵極1100的第三側(cè)1103與柵線2100相連。第一孔洞1510鄰近柵極1100的第一側(cè)1101設(shè)置，第二孔洞1520鄰近柵極1100的第二側(cè)1102設(shè)置。需要說明的是，為了便于本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員更清楚直接地了解本發(fā)明實(shí)施例，圖4及圖5中并未示意出第一孔洞1510及第二孔洞1520，僅示意出位于第一孔洞1510內(nèi)的第一延伸部1320以及位于第二孔洞1520內(nèi)的第二延伸部1420。

如圖4所示，由于通常柵極1100與數(shù)據(jù)線2200、像素電極1700之間具有一定的間隙，斜向上的光線容易自柵極1100的第一側(cè)1101及第二側(cè)1102處照射到有源層1200中，因此，沿?cái)?shù)據(jù)線2200的延伸方向上，第一絕緣層1500于鄰近柵極1100的第一側(cè)1101處設(shè)置了第一孔洞1510，以便容置源極1300的第一延伸部1320，第一孔洞1510沿?cái)?shù)據(jù)線2200的延伸方向延伸，從而遮擋住柵極1100的第一側(cè)1101及對(duì)應(yīng)處的有源層1200；和/或，于鄰近柵極1100的第二側(cè)1102處設(shè)置了第二孔洞1520，以便容置漏極1400的第二延伸部1420，第二孔洞1520沿?cái)?shù)據(jù)線2200的延伸方向延伸，從而遮擋住柵極1100的第二側(cè)1102及對(duì)應(yīng)處的有源層1200，使得斜向上的光線無法自柵極1100的第一側(cè)1101及第二側(cè)1102旁側(cè)照射到有源層1200中。

本實(shí)施例中，第一孔洞1510的長度略短于柵極1100的第一側(cè)1101的長度，為了優(yōu)化第一延伸部1320的遮擋效果，還可以將第一孔洞1510的長度設(shè)置于等于柵極1100的第一側(cè)1101的長度，甚至第一孔洞1510的長度大于柵極1100的第一側(cè)1101的長度。

如圖4所示，本實(shí)施例中，柵極1100位于柵線2100的一側(cè)并相連，故柵極1100的第三側(cè)1103受到柵線2100的遮擋，于柵線2100的延伸方向上，有源層1200靠近柵線2100的一側(cè)(即圖4中有源層1200的上方處)難以被斜向上的光線照射到，因此，對(duì)應(yīng)于此處，源極1300及/或漏極1400無需額外設(shè)置延伸部來進(jìn)行遮光。

實(shí)際操作中，為了使陣列基板100具有較大的開口率，柵線2100及數(shù)據(jù)線2200的線寬通常較小，于柵線2100的延伸方向上，斜向上的光線容易從有源層1200遠(yuǎn)離柵線2100的一側(cè)(即圖4中有源層1200的下方處)照射到有源層1200中，不利于光漏電流的減小。因此，請(qǐng)參考圖5，圖5本發(fā)明的陣列基板的第二實(shí)施例的局部俯視圖。如圖5所示，第一孔洞1510自柵極1100的第一側(cè)1101旁延伸至柵極1100的第四側(cè)1104旁，第一側(cè)1101與第四側(cè)1104相鄰。這樣一來，于柵線2100的延伸方向上，有源層1200遠(yuǎn)離柵線2100的一側(cè)亦不會(huì)被斜向上的光線照射到。本實(shí)施例中，第一孔洞1510與第二孔洞1520不接觸，這樣一來，容置于第一孔洞1510內(nèi)的第一延伸部1320不會(huì)與容置于第二孔洞1520內(nèi)的第二延伸部1420接觸，以防止源極1300與漏極1400發(fā)生短路。

如圖4所示，源極1300的第一延伸部1320遮擋住柵極1100的第一側(cè)1101以及第四側(cè)1104，漏極1400的第二延伸部1420遮擋住柵極1100的第二側(cè)1102，柵線2100遮擋住柵極1100的第三側(cè)1103，而源極1300、漏極1400以及柵線2100均由不透光的金屬材料構(gòu)成，從而柵極1100的四周均被不透光的材料遮擋住，使得斜向上的光線不會(huì)從柵極1100的周圍照射到其上的有源層1200中，從而減小了光漏電流，確保了顯示裝置的效果。

如圖5所示，本實(shí)施例中，第一孔洞1510為L型孔洞，而第二孔洞1520由于僅設(shè)置于柵極1100的第二側(cè)1102旁，故第二孔洞1520為“1”字型；實(shí)際操作中，亦可將第二孔洞1520自柵極1100的第二側(cè)1102旁延伸至與第四側(cè)1104旁而呈L型，同時(shí)第一孔洞1510僅設(shè)置于柵極1100的第一側(cè)1101而呈“1”字型；又或者，第一孔洞1510及第二孔洞1520均延伸至柵極1100的第四側(cè)1104旁，且兩者不接觸，使用者可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。

方式二

請(qǐng)同時(shí)參考圖3及圖6，圖6為本發(fā)明的陣列基板的第三實(shí)施例的局部俯視圖。與方式一不同的是，如圖6所示，源極1300于襯底基板1000上的垂直投影為U型圖案，U型圖案具有開口區(qū)域；漏極1400的一部分上述開口區(qū)域中。需要說明的是，為了便于本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員更清楚直接地了解本實(shí)施例，圖6中未示意出第一孔洞1510及第二孔洞1520，僅示意出位于第一孔洞1510內(nèi)的第一延伸部1320以及位于第二孔洞1520內(nèi)的第二延伸部1420。

于數(shù)據(jù)線2200的延伸方向上，第一絕緣層1500于柵極1100的第一側(cè)1101旁設(shè)置第一孔洞1510，以容置源極1300的第一延伸部1320，從而阻擋斜向上的光線自柵極1100的第一側(cè)1101旁照射到有源層1200中。為了進(jìn)一步增加遮光效果，第一絕緣層1500于柵極1100的第二側(cè)1102旁設(shè)置有第三孔洞(未繪示)，源極1300還設(shè)置有第三延伸部1330，第三延伸部1330與第一主體1310相連接，且第三延伸部1330位于第三孔洞中，從而可阻擋斜向上的光線自柵極1100的第二側(cè)1102旁照射到有源層1200中。

于柵線2100的延伸方向上，針對(duì)有源層1200靠近柵線2100的一側(cè)，由于柵極1100位于柵線2100的一側(cè)，使得柵極1100的第三側(cè)1103受到柵線2100的遮擋，故對(duì)應(yīng)于柵極1100的第三側(cè)1103，源極1300及漏極1400無需設(shè)置延伸部來進(jìn)行遮光；而針對(duì)有源層1200遠(yuǎn)離柵線2100的一側(cè)，第一絕緣層1500于柵極1100的第四側(cè)1104旁設(shè)置第二孔洞1520，以容置漏極1400的第二延伸部1420，從而阻擋斜向上的光線自此處照射到有源層1200中。

這樣一來，源極1300的第一延伸部1320遮擋住柵極1100的第一側(cè)1101，第三延伸部1330遮擋住柵極1100的第二側(cè)1102，漏極1400的第二延伸部1420遮擋住柵極1100的第四側(cè)1104，柵線2100遮擋住柵極1100的第三側(cè)1103，而源極1300、漏極1400以及柵線2100均由不透光的金屬材料構(gòu)成，從而柵極1100的四周均被不透光的材料遮擋住，使得斜向上的光線不會(huì)從柵極1100的周圍照射到其上的有源層1200中，從而減小了光漏電流，確保了顯示裝置的效果。

本實(shí)施例的薄膜晶體管110中，包括源極1300、漏極1400以及與源極1300相連的數(shù)據(jù)線2200的源漏金屬層是與有源層1200采用同一次構(gòu)圖工藝形成的，并且由于構(gòu)圖工藝中的刻蝕工藝等影響，有源層1200的邊界輪廓比包括源極1300、漏極1400以及與源極1300相連的數(shù)據(jù)線2200的源漏金屬層的邊界輪廓稍大。在薄膜晶體管110中，有源層1200中對(duì)應(yīng)于源極1300與漏極1400之間的相對(duì)區(qū)域(即溝道區(qū)域)是薄膜晶體管110導(dǎo)通時(shí)的有效區(qū)域。實(shí)際操作中，為了簡化結(jié)構(gòu)，同時(shí)降低源極1300與漏極1400之間的寄生電容，可不于柵極1100的四周圍均設(shè)置孔洞以容置第一延伸部1320和/或第二延伸部1420，但第一絕緣層1500至少需要于柵極1100的第四側(cè)1104旁設(shè)置孔洞，以將漏極1400的第二延伸部1420設(shè)置于其中，這樣至少可以保證第二延伸部1420可以有效遮擋住斜向上照射到溝道區(qū)域的光線。

此外，如圖4及圖5所示，定義有源層1200于襯底基板1000上的垂直投影為第一投影，定義柵極1100于襯底基板1000上的垂直投影為第二投影，第一投影的面積小于第二投影的面積，從而亦可利用柵極1100邊界大于有源層1200邊界的特點(diǎn)來阻擋一部分角度的斜向上的光線。如圖6所示，定義有源層1200中對(duì)應(yīng)于源極1300與漏極1400(即薄膜晶體管導(dǎo)通時(shí)的溝道區(qū)域)之間的區(qū)域于襯底基板1000上的垂直投影為第一投影，定義柵極1100于襯底基板1000上的垂直投影為第二投影，第一投影的面積小于第二投影的面積，其作用同樣是利用柵極1100的邊界大于溝道區(qū)域的邊界的特點(diǎn)來阻擋一部分角度的斜向上的光線。

上述實(shí)施例中，第一孔洞1510及第二孔洞1520均為貫穿孔，故第一延伸部1320容置于第一孔洞1510中并與襯底基板1000的相接觸，第二延伸部1420容置于第二孔洞1520中并與襯底基板1000相接觸。實(shí)際操作中，當(dāng)?shù)谝煌队暗拿娣e小于第二投影的面積時(shí)，第一孔洞1510及第二孔洞1520亦可為盲孔，即第一孔洞1510及第二孔洞1520不完全穿透第一絕緣層1500，使用者可根據(jù)柵極1100、有源層1200的尺寸、厚度以及第一絕緣層1500的厚度來確定第一孔洞1510及第二孔洞1520的深度。

實(shí)際操作中，如圖3所示，陣列基板100還包含保護(hù)層1600、黑色矩陣(未繪示)以及像素電極1700，保護(hù)層1600設(shè)置于第一絕緣層1500、有源層1200、源極1300以及漏極1400上。像素電極1700位于保護(hù)層1600上并藉由連接孔與漏極1400相接觸。黑色矩陣位于保護(hù)層1600上，黑色矩陣包含第一部分及第二部分，黑色矩陣的第一部分對(duì)應(yīng)柵極1100，以用于遮擋有源層1200。這里說的“遮擋”，指的是在顯示裝置10中，相對(duì)于襯底基板100而言，黑色矩陣位于有源層1200的上方，背光模組位于襯底基板1000的下方，黑色矩陣的第一部分的設(shè)置可以遮擋住背光模組射出的光線照射到彩膜基板之后反射到有源層1200上表面的部分。此外，由于柵線2100、數(shù)據(jù)線2200通常采用不透明的金屬材料構(gòu)成，顯示裝置10應(yīng)用于戶外等強(qiáng)光環(huán)境條件下時(shí)，金屬材質(zhì)的柵線2100、數(shù)據(jù)線2200會(huì)產(chǎn)生反光現(xiàn)象，影響顯示質(zhì)量，因此，黑色矩陣的第二分布用于遮擋住柵線2100以及與柵線2100交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線2200。

本發(fā)明的顯示裝置及其陣列基板，由于在第一絕緣層1500鄰近柵極的至少一側(cè)旁設(shè)置孔洞，并將于源極和/或漏極上設(shè)置延伸部，并將延伸部容置于上述孔洞中，以遮擋住此處的柵極以及對(duì)應(yīng)的有源層，使得背光模組射出的斜向上的光線無法照射到有源層中，從而減小了有源層受到光線照射產(chǎn)生的光漏電流的大小，降低了陣列基板對(duì)盒后形成的顯示裝置顯示畫面時(shí)出現(xiàn)的圖像串?dāng)_、閃爍等顯示不良的程度。

藉由以上較佳具體實(shí)施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明所申請(qǐng)的權(quán)利要求的保護(hù)范圍應(yīng)該根據(jù)上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。