本發(fā)明涉及觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示面板及液晶顯示裝置。
背景技術(shù):
半透半反式液晶顯示裝置(Trans-flective Liquid Crystal Display)同時(shí)具有透射式和反射式特性,半透半反式液晶面板在一個(gè)像素域內(nèi)包括有透明電極的透射區(qū)和有反射層的反射區(qū)。在黑暗的地方可以利用像素區(qū)域的透射區(qū)和背光源來(lái)顯示畫像,在明亮的地方利用像素區(qū)域的反射區(qū)和外光來(lái)顯示畫像。因此,半透半反式液晶顯示裝置可以適應(yīng)不同的亮暗環(huán)境而得到廣泛應(yīng)用。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供一種可以適應(yīng)不同的亮暗環(huán)境的半透半反式陣列基板及液晶顯示面板。
本發(fā)明還提供一種陣列基板制造方法及液晶顯示裝置。
本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢?,包括基板、柵極、柵極絕緣層、有源層、源漏極、數(shù)據(jù)線,有機(jī)絕緣層、像素電極及公共電極,所述像素電極與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的位置均設(shè)有開(kāi)口,所述數(shù)據(jù)線具有反射作用并形成反射區(qū),用于反射由公共電極層進(jìn)入的通過(guò)開(kāi)口的光線。
其中,所述開(kāi)口的寬度小于所述數(shù)據(jù)線的寬度。也就是說(shuō)與所述數(shù)據(jù)線在有機(jī)絕緣層上正投影與開(kāi)口兩側(cè)的像素電極有部分重疊,避免發(fā)生漏光影響像素。
其中,所述像素電極所在層與所述公共電極所在層層疊設(shè)置并通過(guò)絕緣層間隔,并且所述開(kāi)口在對(duì)應(yīng)的公共電極上的正投影的寬度小于該公共電極的寬度,以便光的通過(guò)并防止漏光。
其中,與所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)的公共電極的寬度與該開(kāi)口對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的寬度相同。
其中,所述陣列基板包括與所述反射區(qū)間隔設(shè)置的透射區(qū)。
其中,所述開(kāi)口與所述像素電極同一步驟形成。
其中,所述公共電極為具有縫隙的結(jié)構(gòu),與所述開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的公共電極兩個(gè)均有縫隙。
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N液晶顯示面板,包括彩膜基板、所述的陣列基板以及夾持于所述彩膜基板與陣列基板之間的液晶層,所述彩膜基板上與所述開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的位置未設(shè)有黑矩陣。
本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢逯圃旆椒?,包括,在基底的有機(jī)絕緣層上依次形成像素電極、絕緣層及公共電極,其中像素電極包括與基底上的有機(jī)絕緣層下的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的開(kāi)口,并且所述開(kāi)口對(duì)應(yīng)的公共電極兩側(cè)為縫隙。
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N液晶顯示裝置,包括所述的液晶顯示面板及背光模組。
本申請(qǐng)所述的液晶顯示面板在黑暗的地方可以利用像素區(qū)域的透射區(qū)和背光源來(lái)顯示畫像,在明亮的地方利用像素區(qū)域的反射區(qū)和外光來(lái)顯示畫像,實(shí)現(xiàn)半透半反射液晶顯示。
附圖說(shuō)明
為更清楚地闡述本發(fā)明的構(gòu)造特征和功效,下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來(lái)對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖1是本發(fā)明液晶顯示面板示意圖。
圖2是圖1所示的陣列基板的截面示意圖。
圖3是本發(fā)明所述陣列基板制造方法流程圖。
具體實(shí)施例
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。其中,附圖僅用于示例性說(shuō)明,表示的僅是示意圖,不能理解為對(duì)本專利的限制。
請(qǐng)參閱圖1,本發(fā)明提供一種陣列基板10及液晶顯示面板,其中,液晶顯示面板包括彩膜基板20、所述陣列基板10及位于彩膜基板20與陣列基板10之間的液晶層30。其中凸1中陣列基板10為示意圖,具體結(jié)構(gòu)參照?qǐng)D2。
如圖2所示,所述陣列基板10包括基板11、柵極12、柵極絕緣層13、有源層14、源漏極15、數(shù)據(jù)線16,有機(jī)絕緣層17、像素電極18及公共電極19。所述數(shù)據(jù)線16具有反射作用并形成反射區(qū)A,用于反射由公共電極層19進(jìn)入的通過(guò)像素電極18的光線。
所述基板11為玻璃板。柵極12形成于所述基板11表面。所述柵極絕緣層13覆蓋所述基板11表面及柵極12。所述有源層14形成于所述柵極絕緣層13上,所述源極及漏極形成于所述有源層14上并間隔設(shè)置,源漏極15與所述有源層14構(gòu)成溝道。所述數(shù)據(jù)線16與所述有源層14及源漏極15同時(shí)形成并位于同一層。所述有源層14、源漏極15、數(shù)據(jù)線16上覆蓋第一絕緣層160。有機(jī)絕緣層17層疊于所述第一絕緣層160上。所述像素電極18、絕緣層180及公共電極19依次層疊于所述有機(jī)絕緣層17上。所述像素電極18通過(guò)貫穿所述第一絕緣層160及機(jī)絕緣層17的通孔連接源極或者漏極。
進(jìn)一步的,所述像素電極18與所述數(shù)據(jù)線16對(duì)應(yīng)的位置設(shè)有開(kāi)口181,所述開(kāi)口181的寬度小于所述數(shù)據(jù)線16的寬度。也就是說(shuō)與所述數(shù)據(jù)線16在有機(jī)絕緣層17上正投影與開(kāi)口兩側(cè)的像素電極18有部分重疊,避免發(fā)生漏光影響像素。
所述像素電極18所在層與所述公共電極19所在層層疊設(shè)置并通過(guò)絕緣層180間隔,并且所述開(kāi)口181在對(duì)應(yīng)的公共電極191上的正投影的寬度小于該公共電極19的寬度,以便光線通過(guò)開(kāi)口181射入所述數(shù)據(jù)線16的反射面。本實(shí)施例中,所述反射區(qū)A為所述數(shù)據(jù)線16的反射面到公共電極19的部分。
進(jìn)一步的,與所述開(kāi)口181對(duì)應(yīng)的公共電極19的寬度與該開(kāi)口181對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線16的寬度相同。
所述陣列基板10包括與所述反射區(qū)A間隔設(shè)置的透射區(qū)(圖未標(biāo))。所述開(kāi)口181與所述像素電極18同一步驟形成。
所述公共電極19為具有縫隙的結(jié)構(gòu),與每一所述開(kāi)口181相對(duì)的公共電極19兩邊為縫隙,以便光線進(jìn)入反射區(qū)。
請(qǐng)參閱圖3,本申請(qǐng)還提供一種所述陣列基板制造方法,該方法包括,步驟S1,在基底11的有機(jī)絕緣層17。
步驟S2,在基底11的有機(jī)絕緣層17上依次形成像素電極18、絕緣層180及公共電極19,其中像素電極18包括與基底11上的有機(jī)絕緣層17下的數(shù)據(jù)線16對(duì)應(yīng)的開(kāi)口181,并且所述開(kāi)口181對(duì)應(yīng)的公共電極19兩側(cè)為縫隙。
具體的,所述步驟S1包括在基底11上形成形成第一金屬層,圖案化所述第一金屬層形成所述柵極12。
在所述柵極12及所述基板11的表面上沉積柵極絕緣層13。所述柵極絕緣層13的材質(zhì)選擇氧化硅、氮化硅層,氮氧化硅層及其組合的其中之一。
在所述柵極絕緣層13上依次形成半導(dǎo)體層及第二金屬層,圖案化所述半導(dǎo)體層及第二金屬層分別形成所述有源層14、源漏極15以及與所述源漏極間隔設(shè)置的具有反射功能的數(shù)據(jù)線16。所述第二金屬層的材質(zhì)選自銅、鎢、鉻、鋁及其組合的其中之一。其中所述半導(dǎo)體層用于形成所述源極和漏極之間導(dǎo)通或者斷開(kāi)的溝道。
其中,圖案化工藝包括通過(guò)灰色調(diào)掩模板進(jìn)行曝光、顯影、金屬濕刻、蝕刻、燒光阻和剝離的等構(gòu)圖成膜工藝形成如圖1所示的柵線12、有源層14、源漏極15、數(shù)據(jù)線16。同樣包括通過(guò)沉積基礎(chǔ)層、使用掩模板進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻形成有機(jī)絕緣層17、第一絕緣13、絕緣層180、像素電極18及公共電極19。
本申請(qǐng)所述的液晶顯示面板的彩膜基板20上與所述開(kāi)口181相對(duì)應(yīng)的位置未設(shè)有黑矩陣,以便光線進(jìn)入,同時(shí)節(jié)省加工工藝及彩膜基板厚度。本申請(qǐng)所述的液晶顯示面板在黑暗的地方可以利用像素區(qū)域的透射區(qū)和背光源來(lái)顯示畫像,在明亮的地方利用像素區(qū)域的反射區(qū)和外光來(lái)顯示畫像,實(shí)現(xiàn)半透半反射液晶顯示。
本申請(qǐng)還提供一種液晶顯示裝置,其包括所述的液晶顯示面板及背光模組,所述液晶顯示面板層疊于所述背光模組上,通過(guò)背光模組提供光源。
以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。