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液晶顯示面板及液晶顯示裝置的制作方法

文檔序號:12062474閱讀:306來源:國知局
液晶顯示面板及液晶顯示裝置的制作方法

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種液晶顯示面板及具有所述液晶顯示面板的液晶顯示裝置。



背景技術(shù):

液晶顯示器(Liquid crystal display,LCD)以其輕、薄等優(yōu)點(diǎn)逐漸成為發(fā)展最為迅速的平板顯示器之一。但是與陰極射線管顯示器相比,薄膜晶體管顯示器(Thin Film Transistor,TFT-LCD)的視角相對較窄,這就為其在對視角要求嚴(yán)格的高端顯示領(lǐng)域的應(yīng)用帶來了很大局限,如航空航天、醫(yī)療等領(lǐng)域。隨著LCD領(lǐng)域廣視角技術(shù)的迅速發(fā)展,目前很多產(chǎn)品的視角已經(jīng)可以達(dá)到水平視角和垂直視角分別為85°/85°,甚至更大的視角。

LCD廣視角技術(shù)目前主要包括多疇垂直取向(Multi-domain Vertical Alignment)技術(shù)和面內(nèi)轉(zhuǎn)換(In Plane Switching,IPS)技術(shù)。垂直取向模式的優(yōu)點(diǎn)是正面對比度高,通??梢赃_(dá)到4000:1及以上;IPS技術(shù)通過在TFT陣列基板上形成平行且重復(fù)分布的像素電極和公用電極,使液晶分子在水平電場的作用下轉(zhuǎn)動(dòng),從而形成廣視角,但是其對比相對較低,通常在2000:1以下。

但是,多疇垂直取向型面板在大視角位置觀看時(shí),顯示畫面會(huì)出現(xiàn)對比度下降,以及色偏的問題,導(dǎo)致顯示效果欠佳。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明提供一種液晶顯示面板,使多疇垂直取向型液晶顯示面板中相鄰兩行像素的液晶極角不同,以解決現(xiàn)有多疇垂直取向型液晶顯示面板在大視角位置觀看時(shí),畫面會(huì)出現(xiàn)對比度下降,以及色偏,進(jìn)而導(dǎo)致顯示效果欠佳的技術(shù)問題。

為解決上述問題,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:

本發(fā)明提供一種液晶顯示面板,包括:

陣列基板;

彩膜基板,與所述陣列基板相對設(shè)置;

液晶層,位于所述陣列基板與所述彩膜基板之間;

所述陣列基板包括:數(shù)據(jù)線、掃描線以及由掃描線與數(shù)據(jù)線交錯(cuò)形成的像素單元;

其中,所述像素單元包括交替分布的奇數(shù)行像素及偶數(shù)行像素,將所述奇數(shù)行像素或偶數(shù)行像素所對應(yīng)像素電極的電壓值進(jìn)行調(diào)整,以使所述奇數(shù)行像素與偶數(shù)行像素形成不同的液晶極角。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,將所述奇數(shù)行像素或偶數(shù)行像素所對應(yīng)像素電極的電壓值提升。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述奇數(shù)行像素包括第一薄膜晶體管,所述偶數(shù)行像素包括第二薄膜晶體管,其中,所述第一薄膜晶體管的溝道長度大于第二薄膜晶體管的溝道長度,所述第一薄膜晶體管的溝道寬度大于第二薄膜晶體管的溝道寬度。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述奇數(shù)行像素還包括第一分享電容與第二分享電容,所述第一分享電容與第二分享電容相連接,所述第一分享電容的另一端連接本像素的像素電極,所述第二分享電容的另一端連接下一個(gè)子像素的像素電極。

將所述奇數(shù)行像素或偶數(shù)行像素所對應(yīng)像素電極的電壓值調(diào)低。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述奇數(shù)行像素包括第一薄膜晶體管,所述偶數(shù)行像素包括第二薄膜晶體管及第三薄膜晶體管,其中,所述第三薄膜晶體管的源極連接像素電極,所述第三薄膜晶體管的柵極連接相應(yīng)的掃描線,所述第三薄膜晶體管的漏極連接上一個(gè)像素的公共線。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道大小相同,所述第三薄膜晶體管的溝道長度小于所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管的溝道長度,所述第三薄膜晶體管的溝道寬度小于所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管的溝道寬度。

依據(jù)本發(fā)明的上述目的,提出一種液晶顯示裝置,包括:

液晶顯示面板;

背光模組,設(shè)置與所述液晶顯示面板背部;

所述液晶顯示面板包括:

陣列基板;

彩膜基板,與所述陣列基板相對設(shè)置;

液晶層,位于所述陣列基板與所述彩膜基板之間;

所述陣列基板包括:數(shù)據(jù)線、掃描線以及由掃描線與數(shù)據(jù)線交錯(cuò)形成的像素單元;

其中,所述像素單元包括交替分布的奇數(shù)行像素及偶數(shù)行像素,將所述奇數(shù)行像素或偶數(shù)行像素所對應(yīng)像素電極的電壓值進(jìn)行調(diào)整,以使所述奇數(shù)行像素與偶數(shù)行像素形成不同的液晶極角。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,將所述奇數(shù)行像素或偶數(shù)行像素所對應(yīng)像素電極的電壓值提升。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述奇數(shù)行像素包括第一薄膜晶體管,所述偶數(shù)行像素包括第二薄膜晶體管,其中,所述第一薄膜晶體管的溝道長度大于第二薄膜晶體管的溝道長度,所述第一薄膜晶體管的溝道寬度大于第二薄膜晶體管的溝道寬度。

將所述奇數(shù)行像素或偶數(shù)行像素所對應(yīng)像素電極的電壓值調(diào)低。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述奇數(shù)行像素包括第一薄膜晶體管,所述偶數(shù)行像素包括第二薄膜晶體管及第三薄膜晶體管,其中,所述第三薄膜晶體管的源極連接像素電極,所述第三薄膜晶體管的柵極連接相應(yīng)的掃描線,所述第三薄膜晶體管的漏極連接上一個(gè)像素的公共線。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,所述第一薄膜晶體管與第二薄膜晶體管的溝道大小相同,所述第三薄膜晶體管的溝道長度小于所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管的溝道長度,所述第三薄膜晶體管的溝道寬度小于所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管的溝道寬度。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例,根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述奇數(shù)行像素還包括第一分享電容與第二分享電容,所述第一分享電容與第二分享電容相連接,所述第一分享電容的另一端連接本像素的像素電極,所述第二分享電容的另一端連接下一個(gè)子像素的像素電極。

本發(fā)明的有益效果為:相較于現(xiàn)有的液晶顯示面板,本發(fā)明的液晶顯示面板,相鄰兩行像素的液晶極角不同,進(jìn)而形成明、暗行交替的像素畫面,從而在大視角觀看時(shí),相鄰行像素的對比度較大,從而解決大視角色偏的技術(shù)問題。

附圖說明

為了更清楚地說明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明液晶顯示面板實(shí)施例一的像素結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2為本發(fā)明液晶顯示面板實(shí)施例二的像素結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3為本發(fā)明液晶顯示面板實(shí)施例三的像素結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖示,用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[內(nèi)]、[外]、[側(cè)面]等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明,而非用以限制本發(fā)明。在圖中,結(jié)構(gòu)相似的單元是用以相同標(biāo)號表示。

本發(fā)明針對現(xiàn)有的液晶顯示面板,大視角觀看時(shí)顯示畫面對比度低,有色偏,導(dǎo)致觀看效果欠佳的技術(shù)問題,本實(shí)施例能夠解決該缺陷。

本發(fā)明提供一種液晶顯示面板,包括:陣列基板;彩膜基板,與所述陣列基板相對設(shè)置;液晶層,位于所述陣列基板與所述彩膜基板之間;所述陣列基板包括:數(shù)據(jù)線、掃描線以及由掃描線與數(shù)據(jù)線交錯(cuò)形成的像素單元;其中,所述像素單元包括交替分布的奇數(shù)行像素及偶數(shù)行像素,在數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)信號通過薄膜晶體管充入各像素之后,通過將像素結(jié)構(gòu)改變,從而將所述奇數(shù)行像素或偶數(shù)行像素所對應(yīng)像素電極的電壓值進(jìn)行調(diào)整,以使所述奇數(shù)行像素與偶數(shù)行像素形成不同的液晶極角,即每兩行像素中,形成一明一暗的顯示畫面,進(jìn)而增強(qiáng)大視角畫面對比度。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的像素結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖1所示,本發(fā)明實(shí)施例以像素單元中相鄰的奇數(shù)行像素、偶數(shù)行像素為例作以說明。

所述奇數(shù)行像素的子像素包括第一薄膜晶體管101、第一掃描線102、第一像素電極103以及第一公共線104,所述第一公共線104與所述第一掃描線102基本平行,所述第一像素電極103位于所述第一掃描線102與所述第一公共線104之間,數(shù)據(jù)線105垂直相交于所述第一掃描線102與所述第一公共線104,所述第一薄膜晶體管101的柵極連接所述第一掃描線102,所述第一薄膜晶體管101的源極連接所述數(shù)據(jù)線105,所述第一薄膜晶體管101的漏極連接所述第一像素電極103,所述第一公共線104與所述第一像素電極103之間形成有存儲電容。

所述偶數(shù)行像素的子像素包括第二薄膜晶體管106、第二掃描線107、第二像素電極108以及第二公共線109,各部分的具體位置及連接關(guān)系與奇數(shù)行像素的子像素類似。

其中,所述第二薄膜晶體管106的溝道尺寸設(shè)置為普通尺寸,所述第一薄膜晶體管101的溝道尺寸設(shè)置大于所述第二薄膜晶體管106的溝道尺寸,其中,所述第一薄膜晶體管101的溝道長度大于第二薄膜晶體管106的溝道長度,所述第一薄膜晶體管101的溝道寬度大于第二薄膜晶體管106的溝道寬度。

陣列基板中的其余行像素結(jié)構(gòu)為上述像素結(jié)構(gòu)的重復(fù)設(shè)置。

通過增加第一薄膜晶體管101的溝道尺寸,使得數(shù)據(jù)信號進(jìn)入第一薄膜晶體管101后充入像素電極的電壓,相比通常溝道尺寸的薄膜晶體管較大,使得奇數(shù)行像素對應(yīng)的液晶極角相比偶數(shù)行像素對應(yīng)的液晶極角大,進(jìn)而形成一明一暗的顯示畫面。

實(shí)施例二

圖2為本發(fā)明實(shí)施例二的像素結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖2所示,本發(fā)明實(shí)施例以像素單元中相鄰的奇數(shù)行像素、偶數(shù)行像素為例作以說明。

所述奇數(shù)行像素的子像素包括第一薄膜晶體管201、第一掃描線202、第一像素電極203以及第一公共線204,所述第一公共線204與所述第一掃描線202基本平行,所述第一像素電極203位于所述第一掃描線202與所述第一公共線204之間,數(shù)據(jù)線205垂直相交于所述第一掃描線202與所述第一公共線204,所述第一薄膜晶體管201的柵極連接所述第一掃描線202,所述第一薄膜晶體管201的源極連接所述數(shù)據(jù)線205,所述第一薄膜晶體管201的漏極連接所述第一像素電極203,所述第一公共線204與所述第一像素電極203之間形成有存儲電容。

所述偶數(shù)行像素的子像素包括第二薄膜晶體管206、第二掃描線207、第二像素電極208、第二公共線209,以及第三薄膜晶體管210,所述第二公共線209與所述第二掃描線207基本平行,所述第二像素電極208位于所述第二掃描線207與所述第一公共線204之間,數(shù)據(jù)線205垂直相交于所述第二掃描線207與所述第二公共線209,所述二薄膜晶體管的柵極連接所述第二掃描線207,所述第二薄膜晶體管206的源極連接所述數(shù)據(jù)線205,所述第二薄膜晶體管206的漏極連接所述第二像素電極208,所述第二公共線209與所述第二像素電極208之間形成有存儲電容。

所述第三薄膜晶體管210的柵極連接所述第二掃描線207,所述第三薄膜晶體管210的源極連接所述第二像素電極208,所述第三薄膜晶體管210的漏極連接所述奇數(shù)行像素的第一公共線204。

陣列基板中的其余行像素結(jié)構(gòu)為上述像素結(jié)構(gòu)的重復(fù)設(shè)置。

優(yōu)選的,所述第三薄膜晶體管210的溝道尺寸為普通尺寸,所述第一薄膜晶體管201與第二薄膜晶體管206的溝道尺寸相同,并且,所述第一薄膜晶體管201與第二薄膜晶體管206的溝道尺寸大于普通尺寸。

陣列基板中的其余行像素結(jié)構(gòu)為上述像素結(jié)構(gòu)的重復(fù)設(shè)置。

在偶數(shù)行像素中,所述第三薄膜晶體管210用于將所述第二像素電極208接受到的電流分出一部分,進(jìn)而減小所述第二像素電極208的電壓值,使得所述偶數(shù)行像素所對應(yīng)的液晶極角與所述奇數(shù)行像素所對應(yīng)的液晶極角不同,形成一明一暗的顯示畫面。

實(shí)施例三

圖3為本發(fā)明實(shí)施例三的像素結(jié)構(gòu)示意圖。

如圖3所示,本發(fā)明實(shí)施例以像素單元中相鄰的奇數(shù)行像素、偶數(shù)行像素為例作以說明。

所述偶數(shù)行像素的子像素包括第二薄膜晶體管306、第二掃描線307、第二像素電極308以及第二公共線309,所述第二公共線309與所述第二掃描線307基本平行,所述第二像素電極308位于所述第二掃描線307與所述第二公共線309之間,數(shù)據(jù)線305垂直相交于所述第二掃描線307與所述第二公共線309,所述第二薄膜晶體管306的柵極連接所述第二掃描線307,所述第二薄膜晶體管306的源極連接所述數(shù)據(jù)線305,所述第二薄膜晶體管306的漏極連接所述第二像素電極308,所述第二公共線309與所述第二像素電極308之間形成有存儲電容;

所述奇數(shù)行像素的子像素包括第一薄膜晶體管301、第一掃描線302、第一像素電極303以及第一公共線304,所述第一公共線304與所述第一掃描線302基本平行,所述第一像素電極303位于所述第一掃描線302與所述第一公共線304之間,數(shù)據(jù)線305垂直相交于所述第一掃描線302與所述第一公共線304,所述第一薄膜晶體管301的柵極連接所述第一掃描線302,所述第一薄膜晶體管301的源極連接所述數(shù)據(jù)線305,所述第一薄膜晶體管301的漏極連接所述第一像素電極303,所述第一公共線304與所述第一像素電極303之間形成有存儲電容。

所述奇數(shù)行像素還包括第一分享電容310與第二分享電容311,所述第一分享電容310與第二分享電容311相連接,所述第一分享電容310的另一端連接奇數(shù)行像素的像素電極,所述第二分享電容311的另一端連接偶數(shù)行像素的像素電極。

在對偶數(shù)行像素進(jìn)行充電時(shí),所述第一分享電容310與第二分享電容311共同作用,能夠提升所述奇數(shù)行像素的電壓值,奇數(shù)行像素與偶數(shù)行像具有不同的液晶極角,進(jìn)而使所述奇數(shù)行像素與偶數(shù)行像素形成一明一暗的顯示畫面,進(jìn)而修復(fù)大視角觀看時(shí)畫面對比度低及色偏的不良畫面。

依據(jù)本發(fā)明的上述目的,提出一種液晶顯示裝置,包括:液晶顯示面板;背光模組,設(shè)置與所述液晶顯示面板背部;所述液晶顯示面板包括:陣列基板;彩膜基板,與所述陣列基板相對設(shè)置;液晶層,位于所述陣列基板與所述彩膜基板之間;所述陣列基板包括:數(shù)據(jù)線、掃描線以及由掃描線與數(shù)據(jù)線交錯(cuò)形成的像素單元;其中,所述像素單元包括交替分布的奇數(shù)行像素及偶數(shù)行像素,將所述奇數(shù)行像素或偶數(shù)行像素所對應(yīng)像素電極的電壓值進(jìn)行調(diào)整,以使所述奇數(shù)行像素與偶數(shù)行像素形成不同的液晶極角。

本優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示裝置的工作原理跟上述優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面板的工作原理一致,具體可參考上述優(yōu)選實(shí)施例的液晶顯示面板的工作原理,此處不再做贅述。

本發(fā)明的有益效果為:相較于現(xiàn)有的液晶顯示面板,本發(fā)明的液晶顯示面板,相鄰兩行像素的液晶極角不同,進(jìn)而形成明、暗行交替的像素畫面,從而在大視角觀看時(shí),相鄰行像素的對比度較大,從而解決大視角色偏的技術(shù)問題。

綜上所述,雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上,但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動(dòng)與潤飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。

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