技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種顯示裝置。

背景技術(shù)：

通常來(lái)說(shuō)，液晶顯示裝置可以包含兩個(gè)彼此面對(duì)的基板，以及插設(shè)在兩個(gè)基板之間的液晶層。由于液晶層的厚度可能影響穿過(guò)液晶層的光傳輸，在兩個(gè)基板之間設(shè)置間隔體，以在兩個(gè)基板之間均勻地保持一定間隔。

當(dāng)外力施加到液晶顯示裝置時(shí)，外力可能使間隔體變形，改變兩個(gè)基板之間的距離。此間隔上的改變進(jìn)而影響液晶層的透光率。此外，取決于如何施加外力，間隔體可能在橫向上移動(dòng)，可能導(dǎo)致?lián)p壞一個(gè)或兩個(gè)基板。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)提供一種顯示裝置，其能夠均勻地保持兩個(gè)基板之間的間隔，并且具有改善的可靠性。

本發(fā)明構(gòu)思不限于上面提及的技術(shù)問(wèn)題，本領(lǐng)域的技術(shù)人員從下面的描述將清楚地明白未經(jīng)提及的其他方面。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種顯示裝置。顯示裝置包含：第一基板，所述第一基板包含第一基部基板，位于第一基部基板上的絕緣層，以及位于絕緣層上的阻擋層；面對(duì)第一基板的第二基板；液晶層，所述液晶層位于第一基板與第二基板之間；以及第一間隔體，所述第一間隔體位于第一基板與第二基板之間，并且與第一基板接觸，其中第一基板還包含第二間隔體，所述第二間隔體位于阻擋層上，并且與第一間隔體重疊。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種顯示裝置。顯示裝置包含：第一基板；面對(duì)第一基板的第二基板；液晶層，所述液晶層位于第一基板與第二基板之間；以及第一間隔體，所述第一間隔體位于第一基板與第二基板之間，并且與第一基板接觸，其中第一基板包括：第一基部基板；位于第一基部基板上的薄膜晶體管；設(shè)置在薄膜晶體管上的絕緣層；位于絕緣層上的第一電極；第二間隔體，所述第二間隔體位于第一電極上，并且與第一間隔體重疊；鈍化層，所述鈍化層位于第一電極上以及第二間隔體上；以及第二電極，所述第二電極位于鈍化層上，并且連接到薄膜晶體管。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一方面，提供了一種顯示裝置。顯示裝置包含：第一基板；面對(duì)第一基板的第二基板；液晶層，所述液晶層位于第一基板與第二基板之間；以及第一間隔體，所述第一間隔體位于第一基板與第二基板之間，并且與第一基板接觸，其中第一基板包括：第一基部基板；位于第一基部基板上的薄膜晶體管；設(shè)置在薄膜晶體管上的絕緣層；位于絕緣層上的阻擋層；第二間隔體，所述第二間隔體位于阻擋層上，并且與第一間隔體重疊；第一電極，位于阻擋層上以及第二間隔體上；以及第二電極，所述第二電極位于鈍化層上并且與薄膜晶體管連接。

其他方面的具體事項(xiàng)包含在詳細(xì)描述和附圖中。

根據(jù)本發(fā)明的方面，可以提供顯示裝置，其具有改善的可靠性，并且能夠均勻地保持第一基板與第二基板之間的間隔。

本發(fā)明的效果不限制于上面描述的諸項(xiàng)，并且本文中包含了各種其他效果。

附圖說(shuō)明

通過(guò)參考附圖來(lái)詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其他方面以及特征將變得顯而易見(jiàn)，其中：

圖1是圖示了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意層壓結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖2是圖1的A1部分的放大剖視圖；

圖3是圖1的A2部分的放大剖視圖；

圖4是圖示了外力施加到圖1所示的顯示裝置的情況的剖視圖；

圖5是圖示了圖4的A3部分的放大剖視圖；

圖6是圖示了圖1所示的顯示裝置的改進(jìn)的實(shí)施例的剖視圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的像素的布置圖；

圖8是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的示例性剖視圖；

圖9是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的另一示例性剖視圖；

圖10是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖；

圖11是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖；

圖12是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖；

圖13是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖；

圖14是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖；

圖15是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖；

圖16是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖；以及

圖17是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖。

具體實(shí)施方式

通過(guò)參考對(duì)下面的實(shí)施例以及附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思的特征以及實(shí)現(xiàn)其的方法可以更容易理解。然而，本發(fā)明構(gòu)思能夠以許多不同形式實(shí)施，并且不應(yīng)解釋為受限于本文提出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)徹底和完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思的概念，并且本發(fā)明構(gòu)思將僅由所附權(quán)利要求限定。在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，相似的附圖標(biāo)記指代相似的元件。

本文中使用的術(shù)語(yǔ)集僅為描述特定的實(shí)施例，并不旨在限制本發(fā)明構(gòu)思。如本文中使用的，單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”以及“所述”意在也包含復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另有指明。還應(yīng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，列舉了所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件、和/或其組的存在或附加。

應(yīng)理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)為“在……上”，“連接到”或“耦合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，可以是直接在另一元件或?qū)由?，連接或耦合到另一元件或?qū)?，或可以存在介于中間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱(chēng)為“直接在……上”，“直接連接到”或“直接耦合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在介于中間的元件或?qū)?。如本文中使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包含一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出的項(xiàng)目的任意或全部組合。

應(yīng)理解的是，盡管本文中可能使用術(shù)語(yǔ)第一、第二，等等來(lái)描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或段，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或段不應(yīng)受限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或段與另一區(qū)域、層或段區(qū)分開(kāi)。因此，在不背離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或段可以被稱(chēng)為第二元件、部件、區(qū)域、層或段。

空間相關(guān)的術(shù)語(yǔ)，比如“之下”，“在……下方”，“下部”，“在……上方”，“上部”，及類(lèi)似術(shù)語(yǔ)，可能在本文中使用以便于描述，用來(lái)描述如圖所示的一個(gè)元件或特征與(一個(gè)或多個(gè))另一元件或(一個(gè)或多個(gè))特征的關(guān)系。應(yīng)理解的是，空間相關(guān)的術(shù)語(yǔ)旨在包含除了圖示的取向以外的在使用或操作中的裝置的不同取向。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，描述為“在其他元件或特征下方”或“在其他元件或特征之下”的元件則將被取向?yàn)椤霸谄渌蛱卣魃戏健?。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在……下方”可以包含在上方和在下方兩種取向。裝置可以以其他方式取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他取向上)，并且相應(yīng)地解釋本文中使用的空間相關(guān)的描述語(yǔ)句。

除非另有限定，本文中使用的全部術(shù)語(yǔ)(包含技術(shù)與科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本申請(qǐng)所屬的技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。還應(yīng)理解，術(shù)語(yǔ)(比如常用詞典中限定的那些)，應(yīng)解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域和本說(shuō)明書(shū)的上下文中一致的含義，并且不應(yīng)以理想化或過(guò)于形式化的意義來(lái)解釋?zhuān)窃诒疚闹忻鞔_限定。

整個(gè)說(shuō)明書(shū)中相同或相似的部分以相同的附圖標(biāo)記表示。

下文中，將參考附圖描述本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例。

圖1是圖示了根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意層壓結(jié)構(gòu)的剖視圖，圖2是圖1的A1部分的放大剖視圖，并且圖3是圖1的A2部分的放大剖視圖。

參考圖1至圖3，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置1可以包含第一基板10、第二基板20、液晶層LC以及第一間隔體G1。

第一基板10可以包含第一基部基板11、位于第一基部基板11上的絕緣層13、位于絕緣層13上的阻擋層15、以及第二間隔體G2a，第二間隔體G2a位于阻擋層15上，并且朝向第二基板20突出。此外，盡管未在附圖中示出，第一基板10還可以包含位于第一基部基板11上的數(shù)據(jù)線(xiàn)、柵極線(xiàn)、薄膜晶體管、像素電極以及類(lèi)似物。

第一基部基板11可以是絕緣基板。例如，第一基部基板11可以由玻璃基板、石英基板、透明樹(shù)脂基板或類(lèi)似物形成。第一基部基板11還可以包含具有高熱阻的聚合物或塑料。

在一些實(shí)施例中，第一基部基板11還可以具有柔性。即，第一基板100可以是能夠通過(guò)軋制、折疊、彎曲或類(lèi)似方式進(jìn)行形狀改變的基板。

絕緣層13可以位于第一基部基板11上，并且可以覆蓋位于第一基部基板11上的薄膜晶體管或類(lèi)似物。在一些實(shí)施例中，絕緣層13可以包含有機(jī)絕緣材料。此外，在一些實(shí)施例中，絕緣層13還可以包含色彩顏料。即是說(shuō)，絕緣層13還可以是濾色器(color filter)。

阻擋層15可以位于絕緣層13上，并且可以防止絕緣層13在形成第二間隔體G2的工藝中被損壞或被蝕刻。

第二間隔體G2可以位于阻擋層15上，并且可以朝向第二基板20突出。在一些實(shí)施例中，第二間隔體G2可以由蝕刻速率高于阻擋層15的材料形成。例如，如果包含在第二間隔體G2中的材料具有高于包含在阻擋層15中的材料的蝕刻速率兩倍的蝕刻速率，這意味著當(dāng)進(jìn)行蝕刻工藝(例如，濕法蝕刻工藝，干法蝕刻工藝或類(lèi)似工藝)時(shí)，包含在第二間隔體G2材料中的蝕刻速率至少相當(dāng)于包含在阻擋層15中的材料的蝕刻速率的兩倍。第二間隔體G2的蝕刻速率可以大于阻擋層15的蝕刻速率的幾十倍到幾百倍。即是說(shuō)，在相同的蝕刻工藝中，包含在第二間隔體G2中的材料的蝕刻速率可以幾十倍到幾百倍地快于包含在阻擋層15中的材料的蝕刻速率。換而言之，在相同的蝕刻工藝中，包含在阻擋層15中的材料的蝕刻速率可能顯著地低于包含在第二間隔體G2中的材料的蝕刻速率。相應(yīng)地，在形成第二間隔體G2的工藝中，阻擋層15可以防止絕緣層13被損壞或被蝕刻。

阻擋層15可以包含與第二間隔體G2重疊的第一部分15a，以及與第一部分15a不同的第二部分15b。此外，在一些實(shí)施例中，第一部分15a的厚度TH1可以大于第二部分15b的厚度TH2。當(dāng)在形成第二間隔體G2的工藝中進(jìn)行比如灰化的工藝(例如氧等離子體灰化或類(lèi)似工藝)時(shí)，阻擋層15的第一部分15a被第二間隔體G2覆蓋，但第二部分15b可以不被第二間隔體G2覆蓋。因此，對(duì)于第二部分15b，當(dāng)進(jìn)行灰化工藝時(shí)，其可以暴露于氧等離子體或類(lèi)似物，并且最終地，第二部分15b的厚度TH2可以變得小于第一部分15a的厚度TH1。

在一些實(shí)施例中，第二間隔體G2可以包含絕緣材料，并且絕緣材料可以是有機(jī)絕緣材料。作為示例，第二間隔體G2可以由光敏有機(jī)絕緣材料制成。另外，在另一實(shí)施例中，第二間隔體G2可以含有金屬。金屬可以是低電阻金屬，并且作為示例，金屬可以是但不限于鋁基金屬(比如鋁(Al)或鋁合金)、銀基金屬(比如銀(Ag)或銀合金)、銅基金屬(比如銅(Cu)或銅合金)、鉬基金屬(比如鉬(Mo)或鉬合金)、鉻(Cr)、鉭(Ta)，以及鈦(Ti)。

在一些實(shí)施例中，阻擋層15可以含有無(wú)機(jī)絕緣材料。作為示例，阻擋層15可以包含硅氧化物、硅氮氧化物以及硅氮化物中的至少一個(gè)。另外，在另一實(shí)施例中，阻擋層15可以包含透明導(dǎo)電材料。例如，阻擋層15可以由透明導(dǎo)電材料(比如ITO，IZO，ITZO以及AZO)形成。

由于阻擋層15位于絕緣層13與第二間隔體G2之間，絕緣層13的厚度和第二間隔體G2的厚度可以容易地形成為所需水平。即是說(shuō)，在絕緣層13的厚度形成為所需水平之后，形成阻擋層15，并且然后形成第二間隔體G2。即是說(shuō)，絕緣層13的形成工藝和第二間隔體G2的形成工藝彼此獨(dú)立地進(jìn)行，并且不會(huì)彼此影響。因此，即使當(dāng)在第二間隔體G2的形成期間進(jìn)行了圖案化工藝或類(lèi)似工藝時(shí)，絕緣層13由阻擋層15保護(hù)，在絕緣層13中可以不發(fā)生損壞或類(lèi)似情況，并且絕緣層13的厚度可以保持在所需水平。此外，第二間隔體G2的厚度也獨(dú)立于絕緣層13的厚度可調(diào)整，并且第二間隔體G2的厚度可以容易地形成為所需水平。

第二基板20可以位于第一基板10上，以面對(duì)第一基板10。

液晶層LC可以插設(shè)在第一基板10與第二基板20之間。液晶層LC可以包含具有介電各向異性的液晶分子(未示出)。作為示例，在沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，液晶分子的主軸可以平行于第一基板10或第二基板20取向，并且在此情況下，液晶分子可以具有正介電各向異性。另外，液晶分子可以是具有一結(jié)構(gòu)的向列(nematic)液晶分子，在所述結(jié)構(gòu)中，其主軸方向從第一基板10扭曲到第二基板20。另外，在沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，液晶分子的主軸可以大體上垂直于第一基板10或第二基板20取向，并且在此情況下，液晶分子可以具有負(fù)介電各向異性。

第一間隔體G1可以位于第一基板10與第二基板20之間，并且第一間隔體G1可以位于第二間隔體G2的上方。

在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1可以由有機(jī)絕緣材料制成，并且有機(jī)絕緣材料可以具有光敏性。可以通過(guò)在第二基板20上形成光敏有機(jī)絕緣材料層，以及通過(guò)使用光刻(photolithography)工藝或光鏤刻(photoengraving)工藝來(lái)圖案化光敏有機(jī)絕緣材料層，從而形成第一間隔體G1。

第一間隔體G1和第二間隔體G2可以彼此重疊。第一間隔體G1和第二間隔體G2可以將第一基板10與第二基板20之間的間隔保持在所需水平。這使得可以將液晶層LC的厚度保持在所需水平。液晶層LC的厚度可能影響透光率。因此，液晶層LC的厚度在所需水平的均勻保持可能是保持顯示質(zhì)量的重要因素。如上所述，第一間隔體G1和第二間隔體G2可以將第一基板10與第二基板20之間的間隔保持在所需水平，從而有助于液晶層LC的厚度在所需水平的均勻保持。

與此同時(shí)，由于阻擋層15位于絕緣層13與第二間隔體G2之間，絕緣層13的厚度和第二間隔體G2的厚度也可以保持在所需水平。這可以有助于將第一基板10與第二基板20之間的間隔保持在所需水平，并且因此，可以防止顯示質(zhì)量的劣化。

在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1和第二間隔體G2可以彼此直接接觸。例如，面對(duì)第一基板10的第一間隔體G1的端部部分(G11，下文中，“第一間隔體的端部部分”)可以與面對(duì)第二基板20的第二間隔體G2的端部部分(G22，下文中，“第二間隔體的端部部分”)直接接觸。在另一實(shí)施例中，另一層(比如有機(jī)層)可以位于第一間隔體的端部部分G11與第二間隔體的端部部分G22之間，并且在此情況下，第一間隔體的端部部分G11和第二間隔體的端部部分G22可以不彼此直接接觸。

第一間隔體的端部部分G11的寬度W1和第二間隔體的端部部分G22的寬度W2可以彼此不同。在一些實(shí)施例中，第一間隔體的端部部分G11的寬度W1可以小于第二間隔體的端部部分G22的寬度W2。如本文中使用的，在平行于第一間隔體G1與第二基板20之間的界面的平面上測(cè)量“寬度”。第一間隔體G1的“端部部分”是距第二基板20最遠(yuǎn)的部分。第二間隔體G2的“端部部分”是距第一基部基板11最遠(yuǎn)的部分。

第一間隔體G1的厚度H1和第二間隔體G2的厚度H2可以彼此不同。在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1的厚度H1可以大于第二間隔體G2的厚度H2。在正交于第一間隔體G1與第二基板20之間的界面的方向上，測(cè)量第一間隔體的“厚度”。

圖4是圖示了外力施加到圖1所示的顯示裝置的情況的剖視圖，并且圖5是圖示了圖4的段A3的放大的剖視圖。

參考圖4和圖5，當(dāng)外力F施加到顯示裝置1時(shí)，可能在第二基板20中產(chǎn)生曲率。位于第一基板10與第二基板20之間的第一間隔體G1可能通過(guò)吸收一部分外力F而被壓縮，并且可能由外力F施加橫向上的力F1。即是說(shuō)，作為力F的結(jié)果，水平移動(dòng)力F1作用在第一間隔體G1上。當(dāng)?shù)谝婚g隔體G1由于水平移動(dòng)力F1在橫向上移動(dòng)時(shí)，第一間隔體G1與第一基板10的表面進(jìn)入直接接觸，并且可能導(dǎo)致?lián)p壞第一基板10。與此同時(shí)，在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置1中，具有不變厚度H2的第二間隔體G2位于第一間隔體G1的下方，并且法向反作用力F2以及水平移動(dòng)力F1也發(fā)生在第一間隔體G1中。如果施加到第一間隔體G1的力不變，力的一部分由法向反作用力F2抵消，并且水平移動(dòng)力F1相對(duì)減小。此外，即使當(dāng)?shù)谝婚g隔體G1由于外力在橫向上移動(dòng)并且不與第二間隔體G2重疊時(shí)，由于第一間隔體G1的厚度小于第一基板10與第二基板20之間的間隔，第一間隔體G1不與第一基板10進(jìn)入接觸。因此，可以降低第一間隔體G1造成第一基板10損壞的可能性。

圖6是圖示了圖1所示的顯示裝置的另一示例性層壓結(jié)構(gòu)的剖視圖。

參考圖6，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置2與圖1所示的顯示裝置(圖1的1)部分地不同，不同點(diǎn)在于，此實(shí)施例還包含位于第一間隔體G1與第二間隔體G2之間的有機(jī)層OL，并且其他配置相同或相似。因此，為避免重復(fù)描述，將省略相同或相似配置的具體描述。

有機(jī)層OL可以位于第一間隔體G1與第二間隔體G2之間，并且更具體地，有機(jī)層OL可以位于面對(duì)第一基板10的第一間隔體G1的端部部分與面對(duì)第二基板20的第二間隔體G2的端部部分之間。此外，有機(jī)層OL可以與第一間隔體G1和第二間隔體G2進(jìn)入直接接觸。

在一些實(shí)施例中，有機(jī)層OL可以具有兩層結(jié)構(gòu)。例如，有機(jī)層OL可以包含覆蓋阻擋層15和第二間隔體G2的頂部的第一有機(jī)膜OL1，以及覆蓋第二基板20和第一間隔體G1的頂部的第二有機(jī)膜OL2。在示例性實(shí)施例中，第一有機(jī)膜OL1和第二有機(jī)層OL2可以是但不限于配向膜(alignmentfilm)。盡管附圖中未示出，有機(jī)層OL還可以具有單層結(jié)構(gòu)，或可以具有三層或更多層的多層結(jié)構(gòu)。

下文中，作為非限制性的示例，將描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置是面線(xiàn)轉(zhuǎn)換(PLS)類(lèi)型的顯示裝置的情況。此外，上面在圖1至圖6中描述的顯示裝置可以應(yīng)用于各種顯示裝置，比如垂直排列(VA)類(lèi)型的顯示裝置，圖案垂直排列(PVA)類(lèi)型的顯示裝置，共面轉(zhuǎn)換(IPS)類(lèi)型的顯示裝置，邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換(FFS)類(lèi)型的顯示裝置，扭曲向列(TN)類(lèi)型顯示裝置，以及其他電控雙折射(ECB)類(lèi)型的顯示裝置。

此外，下文中，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的、在底部配置上具有公共電極的顯示裝置的情況將作為示例描述，并在附圖中圖示，但不限于此。此外，上面圖1至圖6中描述的顯示裝置的結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于在頂部配置上具有公共電極的顯示裝置。

圖7是根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的像素的布置圖，并且圖8是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的示例性剖視圖。

參考圖7和圖8，根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置3可以包含第一基板10、面對(duì)第一基板10的第二基板20、插設(shè)在第一基板10與第二基板20之間的液晶層LC、以及位于第一基板10與第二基板20之間的第一間隔體G1。

下文中，將描述第一基板10。

包含多個(gè)柵極線(xiàn)121的柵極導(dǎo)體可以位于由透明絕緣材料(比如玻璃和塑料)制成的第一基部基板110的上方。柵極線(xiàn)121傳輸柵極信號(hào)，并且可以主要在水平方向上延伸。柵極線(xiàn)121包含柵電極124。柵極線(xiàn)121可以包含鋁基金屬(比如鋁(Al)或鋁合金)、銀基金屬(比如銀(Ag)或銀合金)、銅基金屬(比如銅(Cu)或銅合金)、鉬基金屬(比如鉬(Mo)或鉬合金)、鉻(Cr)、鉭(Ta)，以及鈦(Ti)。柵極線(xiàn)121可以具有單層結(jié)構(gòu)或可以具有多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包含至少兩個(gè)具有不同物理性質(zhì)的導(dǎo)電層。在其中，一個(gè)導(dǎo)電膜可以由低電阻金屬形成，例如，鋁基金屬、銀基金屬、銅基金屬或類(lèi)似金屬，以便于能夠降低柵極線(xiàn)121的信號(hào)延遲或電壓降。與之相比，其他導(dǎo)電膜可以由其他材料形成，特別是，具有與銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)良好的接觸特性的材料，例如，鉬基金屬、鉻、鈦、鉭或類(lèi)似金屬。其組合的一個(gè)示例可以包含鉻下部膜和鋁上部膜，以及鋁下部膜和鉬上部膜。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限制于此，并且柵極線(xiàn)121可以由各種類(lèi)型的金屬和導(dǎo)體形成。

柵極絕緣膜140可以位于柵極線(xiàn)121上或柵極導(dǎo)體上。柵極絕緣膜140可以由絕緣材料制成，并且作為示例，其可以由硅氮化物或硅氧化物形成。柵極絕緣膜140還可以具有單層結(jié)構(gòu)，或可以具有多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包含至少兩個(gè)具有不同物理性質(zhì)的絕緣層。

半導(dǎo)體層154可以位于柵極絕緣膜140上，并且可以至少部分地與柵電極124重疊。半導(dǎo)體層154可以包含非晶硅、多晶硅或氧化物半導(dǎo)體。

歐姆接觸構(gòu)件163、165可以位于半導(dǎo)體層154上。歐姆接觸構(gòu)件163和165可以由摻雜高濃度n-類(lèi)型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅形成，或可以由硅化物形成。

歐姆接觸構(gòu)件163、165可以成對(duì)地位于半導(dǎo)體層154上。在一些實(shí)施例中，當(dāng)半導(dǎo)體層154是氧化物半導(dǎo)體時(shí)，可以省略歐姆接觸構(gòu)件163、165。

包含數(shù)據(jù)線(xiàn)171的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸構(gòu)件163、65以及柵極絕緣膜140上方，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)171包含漏電極175和源電極173。

數(shù)據(jù)線(xiàn)171可以傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，并且可以主要在垂直方向上延伸并與柵極線(xiàn)121交叉。在一些實(shí)施例中，為了改善磁導(dǎo)率，數(shù)據(jù)線(xiàn)171可以周期性地彎曲。

數(shù)據(jù)線(xiàn)171可以包含源電極173。在一些實(shí)施例中，如圖7所示，源電極173不從數(shù)據(jù)線(xiàn)171突出，并且可以與數(shù)據(jù)線(xiàn)171位于實(shí)質(zhì)上相同的線(xiàn)上。

漏電極175面對(duì)源電極173。漏電極175可以包含實(shí)質(zhì)上平行于源電極173延伸的棒狀部分，以及在其相反面上的延伸部分。漏電極175和源電極173可以位于半導(dǎo)體層154上，以彼此間隔開(kāi)，并且半導(dǎo)體層154可以部分地暴露在漏電極175與源電極173之間的部分中。

上面描述的數(shù)據(jù)導(dǎo)體可以由鋁、銅、銀、鉬、鉻、鈦、鉭或它們的合金形成，并且還可以具有多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包含下部膜(未示出，比如難熔金屬)，以及形成在其上的低電阻上部膜(未示出)，但不限于此。數(shù)據(jù)線(xiàn)171和漏電極175可以由各種金屬或?qū)w制成。

柵電極124、源電極173以及漏電極175可以與半導(dǎo)體層154一起形成單個(gè)薄膜晶體管(TFT)。

第一鈍化層180a可以位于數(shù)據(jù)導(dǎo)體、柵極絕緣膜140以及半導(dǎo)體層154的暴露部分上。第一鈍化層180a可以由有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料形成。

絕緣層180b可以位于第一鈍化層180a上。在一些實(shí)施例中，絕緣層180b可以具有使第一鈍化層180a的頂部平坦的作用。絕緣層180b可以由有機(jī)絕緣材料形成，并且在一些實(shí)施例中，絕緣層180b可以由光敏有機(jī)絕緣材料形成，但不限于此。

第一電極270可以位于絕緣層180b上。在一些實(shí)施例中，第一電極270可以是公共電極。第一電極270是平面類(lèi)型，并且可以作為板形成在第一基部基板110上，并且它可以接收預(yù)定強(qiáng)度的公共電壓的傳輸。在一些實(shí)施例中，第一電極270可以由透明導(dǎo)電材料制成，并且作為示例，透明導(dǎo)電材料可以是ITO，IZO，ITZO，AZO或類(lèi)似材料。

第一電極270可以具有開(kāi)口273，所述開(kāi)口273形成在對(duì)應(yīng)于漏電極175的部分的區(qū)域中。

朝向第二基板20突出的第二間隔體G2可以位于第一電極270上。如上面對(duì)圖1至圖6的描述中所描述的，第二間隔體G2可以由蝕刻速率大于第一電極270的蝕刻速率的材料形成。第一電極270可以具有上面對(duì)圖1至圖6的描述中所描述的阻擋層(圖1的15)的功能。即是說(shuō)，第一電極270可以防止在形成第二間隔體G2的工藝中可能導(dǎo)致的絕緣層180b的損壞。此外，在一些實(shí)施例中，類(lèi)似于上面隨圖1至圖6的描述中所描述的阻擋層(圖1的15)，第一電極270可以包含與第二間隔體G2重疊的第一部分，以及除第一部分以外的第二部分，并且特征(比如第一部分的厚度和第二部分的厚度)可以實(shí)質(zhì)上相同或相似于阻擋層(圖1的15)。

第二間隔體G2可以與將在后面描述的光屏蔽構(gòu)件220重疊。此外，在一些實(shí)施例中，第二間隔體G2可以設(shè)置為與薄膜晶體管重疊，所述薄膜晶體管包含柵電極124、半導(dǎo)體層154、源電極173以及漏電極175。

在示例性的實(shí)施例中，第二間隔體G2可以由絕緣材料(比如有機(jī)絕緣材料)制成。此外，在一些實(shí)施例中，當(dāng)絕緣層180b由有機(jī)絕緣材料制成時(shí)，第二間隔體G2也可以由與絕緣層180b相同的材料制成，但不限于此。第二間隔體G2也可以由與絕緣層180b不同的材料制成。

另外，在另一示例性實(shí)施例中，第二間隔體G2還可以由導(dǎo)體形成。例如，第二間隔體G2可以由低電阻金屬(比如鋁基金屬、銀基金屬以及銅基金屬)形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O270由透明導(dǎo)體(比如ITO)制成時(shí)，由于透明導(dǎo)體自身的電阻，可能產(chǎn)生大級(jí)別的RC延遲。當(dāng)?shù)诙g隔體G2由導(dǎo)體形成時(shí)，第二間隔體G2與第一電極270進(jìn)入直接接觸，第二間隔體可以降低第一電極270的電阻，使得可以降低RC延遲。

第二鈍化層180c可以位于第一電極270和第二間隔體G2上。第二鈍化層180c可以由有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料制成。

暴露漏電極175的接觸孔185可以形成在第一鈍化層180a、絕緣層180b以及第二鈍化層180c中。如圖所示，接觸孔185可以位于第一電極270的開(kāi)口273內(nèi)。即是說(shuō)，第一電極270的開(kāi)口273可以圍繞接觸孔185。

第二電極191可以位于第二鈍化層180c的上方。在一些實(shí)施例中，第二電極191可以是像素電極。第二電極191可以至少部分地與第一電極270重疊。第二電極191可以包含與第一電極270重疊的多個(gè)分支電極192，并且可以在相鄰的分支電極192之間形成狹縫92。

在一些實(shí)施例中，第二電極191的分支電極192可以實(shí)質(zhì)上平行于數(shù)據(jù)線(xiàn)171延伸。分支電極192可以?xún)A斜以在垂直方向上形成傾角，并且可以在第二電極191的水平中線(xiàn)(未示出)中彎曲。因此，第二電極191可以劃分為多個(gè)域，在多個(gè)域中分支電極192的傾斜的方向彼此不同。例如，上部分支電極192基于水平中線(xiàn)在右上方向上延伸，并且下部分支電極192在右下方向上延伸。

第二電極191的一部分通過(guò)接觸孔185連接到漏電極175，并且可以接收來(lái)自漏電極175的施加的電壓。

第二電極191可以由透明導(dǎo)電材料(比如ITO，IZO，ITZO以及AZO)制成。

與此同時(shí)，在另一實(shí)施例中，第二電極191可以是平面類(lèi)型，并且第一電極270可以包含與第二電極191重疊的多個(gè)分支電極(未示出)。此外，第一電極270和第二電極191的結(jié)構(gòu)和布置可以調(diào)整。

在一些實(shí)施例中，第一配向膜ALM1也可以位于第一基板10的上方，并且更具體地，在第二鈍化層180c和第二電極191上。第一配向膜ALM1可以由有機(jī)材料(比如聚酰亞胺)制成，但不限于此。在一些實(shí)施例中，第一配向膜ALM1可以是水平配向膜，并且可以某方向上被摩擦。另外，第一配向膜ALM1可以包含光化反應(yīng)材料并且可以被光學(xué)地配向。

下文中，將描述第二基板20和第一間隔體G1。

第二基板20可以包含第二基部基板210、光屏蔽構(gòu)件220以及濾色器230，并且還可以包含外覆層250和上部阻擋層310中的至少一個(gè)。

光屏蔽構(gòu)件220可以位于第二基部基板210的上方。在一些實(shí)施例中，光屏蔽構(gòu)件220可以與薄膜晶體管疊置，所述薄膜晶體管包含柵電極124、半導(dǎo)體層154、源電極173和漏電極175、接觸孔185、柵極線(xiàn)121以及數(shù)據(jù)線(xiàn)171。光屏蔽構(gòu)件220可以包含光屏蔽顏料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有機(jī)材料。

多個(gè)濾色器230可以位于第二基部基板210的上方。濾色器230可以至少部分地與第二電極191重疊。濾色器230可以由含有用于在光敏有機(jī)成分上實(shí)現(xiàn)顏色的顏料的材料形成。例如，濾色器230可以包含但不限于光敏有機(jī)成分中的紅、綠以及藍(lán)顏料中的至少一個(gè)。

外覆層250可以位于濾色器230和光屏蔽構(gòu)件220的上方。在一些實(shí)施例中，外覆層250可以由有機(jī)絕緣材料制成。如果需要，外覆層250也可以省略。

第一間隔體G1可以位于第二基板20的面對(duì)第一基板10的表面上，并且可以朝向第一基板10突出。在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1可以由有機(jī)絕緣材料制成，并且可以具有光敏性。此外，在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1還可以包含光屏蔽顏料。第一間隔體G1可以與第二間隔體G2重疊，還可以與光屏蔽構(gòu)件220重疊。

在一些實(shí)施例中，上部阻擋層310還可以位于外覆層250上，并且第一間隔體G1還可以位于上部阻擋層310上。類(lèi)似于上面的圖1至圖6的描述中所描述的阻擋層(圖1的15)，上部阻擋層310可以防止在形成第一間隔體G1以保護(hù)外覆層250的過(guò)程中，可能產(chǎn)生在外覆層250、光屏蔽構(gòu)件220以及濾色器230中的損壞。上部阻擋層310可以由蝕刻速率小于第一間隔體G1的蝕刻速率的材料形成，并且可以由光傳輸材料制成。當(dāng)外覆層250被省略時(shí)，上部阻擋層310可以位于光屏蔽構(gòu)件220和濾色器230上。

第二配向膜ALM2還可以位于第二基板20和第一間隔體G1上。在一些實(shí)施例中，第二配向膜ALM2可以包含但不限于有機(jī)材料。第二配向膜ALM2的其他描述實(shí)質(zhì)上相同或類(lèi)似于對(duì)第一配向膜ALM1的諸描述。

在一些實(shí)施例中，第一配向膜ALM1和第二配向膜ALM2可以第一間隔體G1和第二間隔體G2之間彼此接觸，但不限于此。取決于結(jié)構(gòu)中的改變，在第一間隔體G1與第二間隔體G2之間的部分，可以?xún)H設(shè)置第一配向膜ALM1和第二配向膜ALM2中的一個(gè)。作為示例，當(dāng)僅第一配向膜ALM1位于第一間隔體G1和第二間隔體G2之間的部分中時(shí)，第一配向膜ALM1可以在第一間隔體G1和第二間隔體G2之間與第一間隔體G1和第二間隔體G2進(jìn)入直接接觸。另外，取決于結(jié)構(gòu)中的改變，第一配向膜ALM1和第二配向膜ALM2兩者也可以都不存在于第一間隔體G1和第二間隔體G2之間的部分中。在此情況下，第一間隔體G1和第二間隔體G2也可以彼此直接接觸。

下文中，和上面描述的實(shí)施例相同的部件將由相同的附圖標(biāo)記指示。此外，將省略重復(fù)描述，并且將主要描述區(qū)別。

圖9是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的另一示例性剖視圖。

參考圖7和圖9，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置3a可以包含第一基板10a、第二基板20a、液晶層LC以及第一間隔體G1。

與上面圖7和圖8中描述的第一基板(圖8的10)不同，濾色器230可以位于第一基板10a的第一鈍化層180a上，并且第一電極270可以位于濾色器230上。

第二基板20a可以包含第二基部基板210和光屏蔽構(gòu)件220，并且還可以包含外覆層250和上部阻擋層310中的至少任意一個(gè)。

即是說(shuō)，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3a與上面圖7和圖8中描述的顯示裝置(圖8的3)顯著地不同，不同點(diǎn)在于，濾色器230位于第一基板10a側(cè)面上。配置的一些其他方面可以實(shí)質(zhì)上與圖8的實(shí)施例相同。

圖10是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖。

參考圖7和圖10，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3b包含第一基板10b、第二基板20b、液晶層LC以及第一間隔體G1。

第一基板10b可以與如上面圖9中描述的第一基板(圖9的10a)實(shí)質(zhì)上相同。

第二基板20b可以包含第二基部基板210和光屏蔽構(gòu)件220。第二基板20b與上面圖8的描述中所描述的第二基板(圖8中的20)不同，并且與上面圖9中的描述中所描述的第二基板(圖9中的20a)不同，不同點(diǎn)在于，第二基板20b不包含濾色器230，并且不包含外覆層250和上部阻擋層310。

與圖7和圖8的描述不同，第一間隔體G1可以正好位于在光屏蔽構(gòu)件220的上方，并且可以含有光屏蔽材料。光屏蔽材料可以含有顏料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1可以由與光屏蔽構(gòu)件220相同的材料制成，并且可以與光屏蔽構(gòu)件220整體地形成。此外，在一些實(shí)施例中，可以通過(guò)相同工藝(例如，通過(guò)使用單個(gè)半色調(diào)掩模的光刻工藝)，來(lái)形成第一間隔體G1和光屏蔽構(gòu)件220。

此外，在一些實(shí)施例中，第二配向膜ALM2可以位于第二基板20b的上方以及第一間隔體G1的上方。更具體地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方，光屏蔽構(gòu)件220的上方以及第一間隔體G1的上方。

即是說(shuō)，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3b與上面圖9中描述的顯示裝置(圖9中的3a)顯著地不同，不同點(diǎn)在于，第一間隔體G1含有光屏蔽材料，并且第一間隔體G1和光屏蔽構(gòu)件220可以由相同的材料制成，而其他配置可以實(shí)質(zhì)上相同。

圖11是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖。

參考圖7和圖11，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3c可以包含第一基板10c、第二基板20c、液晶層LC以及第一間隔體G1，并且還可以包含輔助光屏蔽構(gòu)件240。

與上面圖9中描述的第一基板(圖9中的10a)不同，不同點(diǎn)在于，第一基板10c、光屏蔽構(gòu)件220可以位于第一電極270上，并且第二間隔體G2可以位于光屏蔽構(gòu)件220上。此外，第二鈍化層180c可以位于光屏蔽構(gòu)件220和第二間隔體G2上。

光屏蔽構(gòu)件220可以至少部分地與薄膜晶體管重疊，并且可以不與接觸孔185重疊。即是說(shuō)，光屏蔽構(gòu)件220包含覆蓋薄膜晶體管的一部分，并且可以包含在對(duì)應(yīng)于漏電極175的一部分的區(qū)域中形成的開(kāi)口223。

第一電極270可以具有在對(duì)應(yīng)于漏電極175的一部分的區(qū)域中形成的開(kāi)口273。盡管圖11示出了第一電極270的開(kāi)口273大于光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223，以圍繞光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223情形，但這不是對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的限制。在一些實(shí)施例中，第一電極270的開(kāi)口273可以小于光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223，并且第一電極270的開(kāi)口273的外部邊界和光屏蔽構(gòu)件273的開(kāi)口223的外部邊界還可以至少部分地彼此重疊。

通過(guò)填充滿(mǎn)接觸孔185周?chē)拇蟮碾A梯，輔助光屏蔽構(gòu)件240可以提供平坦表面。此外，由于光屏蔽構(gòu)件220被移除以形成接觸孔185周?chē)拈_(kāi)口223，在接觸孔185周?chē)赡馨l(fā)生光泄漏。然而，根據(jù)此實(shí)施例，可以形成輔助光屏蔽構(gòu)件240，以便于與光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223重疊，以防止接觸孔185周?chē)墓庑孤?。輔助光屏蔽構(gòu)件240可以含有光屏蔽材料。作為示例，輔助光屏蔽構(gòu)件240可以含有顏料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有機(jī)材料。

第二間隔體G2可以含有光屏蔽材料。光屏蔽材料可以含有顏料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，第二間隔體G2可以由與光屏蔽構(gòu)件220相同的材料制成，并且可以與光屏蔽構(gòu)件220整體地形成。第二間隔體G2可以與光屏蔽構(gòu)件220在相同的工藝中形成。

第二基板20c可以包含第二基部基板210。第二基板20c與上面圖8的描述中所描述的第二基板(圖8中的20)不同，并且與上面圖9的描述中所描述的第二基板(圖9中的20a)不同，不同點(diǎn)在于，第二基板20c不包含光屏蔽構(gòu)件220和濾色器230，并且不包含外覆層250和上部阻擋層310。

第一間隔體G1可以正好位于在第一基部基板210的上方，并且可以與第一基部基板210接觸。在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1可以由有機(jī)絕緣材料制成，并且可以由光敏有機(jī)絕緣材料制成。此外，在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1還可以含有光屏蔽材料。

在一些實(shí)施例中，第一配向膜ALM1可以位于第一基板10c的上方，并且更具體地，位于第二鈍化層180c、輔助光屏蔽構(gòu)件240以及第二電極191上。

此外，在一些實(shí)施例中，第二配向膜ALM2還可以位于第二基板20C的上方以及第一間隔體G1的上方。更具體地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方以及第一間隔體G1的上方。

即是說(shuō)，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3c與上面圖9中描述的顯示裝置3a顯著地不同，不同點(diǎn)在于，光屏蔽構(gòu)件220位于第一基板10c側(cè)面上，第二間隔體G2可以含有光屏蔽材料，并且第二間隔體G2和光屏蔽構(gòu)件220由相同的材料形成，并且可以彼此整體地形成，而其他配置可以實(shí)質(zhì)上相同。

根據(jù)此實(shí)施例，通過(guò)在第一基板10c上設(shè)置濾色器230和光屏蔽構(gòu)件220，連同薄膜晶體管一起，易于調(diào)整光屏蔽構(gòu)件220與濾色器230之間的配向，以及第二電極191與薄膜晶體管之間的配向。因此，可以減小配向誤差，防止由于部件之間的失準(zhǔn)而造成的光泄漏或開(kāi)口率的減小，并且增強(qiáng)透光率。

圖12是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖。

參考圖7和圖12，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3d可以包含第一基板10d、第二基板20d、液晶層LC以及第一間隔體G1，并且還可以包含輔助光屏蔽構(gòu)件240。

與圖11中描述的第一基板(圖11中的10c)不同，第一基板10d可以不包含輔助光屏蔽構(gòu)件240，而其他配置可以實(shí)質(zhì)上相同。

在一些實(shí)施例中，第一配向膜ALM1還可以位于第一基板10d的上方，并且更具體地，在第二鈍化層180c和第二電極191上。

第二基板20d可以包含第二基部基板210，以及位于第二基部基板210上的輔助光屏蔽構(gòu)件240。輔助光屏蔽構(gòu)件240可以形成為與光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223重疊，以防止接觸孔185周?chē)墓庑孤］o助光屏蔽構(gòu)件240可以含有光屏蔽材料。

第一間隔體G1可以位于第二基部基板210上。在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1可以含有光屏蔽材料，并且可以由與輔助光屏蔽構(gòu)件240相同的材料形成。此外，可以通過(guò)相同工藝(例如，通過(guò)使用單個(gè)半色調(diào)掩模的光刻工藝)，來(lái)形成第一間隔體G1和輔助光屏蔽構(gòu)件240。在一些實(shí)施例中，如圖12所示，第一間隔體G1可以與輔助光屏蔽構(gòu)件240整體地形成。然而，這不是對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的限制。輔助光屏蔽構(gòu)件240和第一間隔體G1也可以彼此分隔開(kāi)。

在一些實(shí)施例中，第二配向膜ALM2可以位于第二基板20d的上方以及第一間隔體G1的上方。更具體地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方，輔助光屏蔽構(gòu)件240的上方以及第一間隔體G1的上方。

圖13是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖。

參考圖7和圖13，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3e可以包含第一基板10e、第二基板20e、液晶層LC以及第一間隔體G1。

與上面圖7和圖8的描述中所描述的第一基板(圖8中的10)不同，第一基板10e還可以包含位于絕緣層180b上的阻擋層330。在后面將描述的形成第二間隔體G2的工藝中，阻擋層330可以防止絕緣層180b被損壞或蝕刻。此外，在一些實(shí)施例中，類(lèi)似于上面在圖1至圖6的描述中所描述的阻擋層15，阻擋層330可以包含與第二間隔體G2重疊的第一部分，以及第一部分之外的第二部分。特征(比如第一部分的厚度和第二部分的厚度)可以實(shí)質(zhì)上相同或類(lèi)似于圖1的阻擋層15。

第二間隔體G2可以位于阻擋層330上，并且可以朝向第二基板20e突出。

第二電極270可以位于阻擋層330和第二間隔體G2上。由于其自身厚度，第二電極270位于第二間隔體G2上的部分可以朝向第二基板20e突出。

第二間隔體G2可以由蝕刻速率大于阻擋層330的蝕刻速率的材料制成。在一些實(shí)施例中，第二間隔體G2由有機(jī)絕緣材料制成，并且阻擋層330可以由無(wú)機(jī)絕緣材料制成。作為示例，無(wú)機(jī)絕緣材料可以是硅氧化物、硅氮氧化物、硅氮化物或類(lèi)似材料。另外，在另一實(shí)施例中，第二間隔體G2也可以由導(dǎo)體形成。例如，第二間隔體G2可以由低電阻金屬制成，比如鋁基金屬、銀基金屬以及銅基金屬，并且可以與由透明導(dǎo)體(比如ITO)制成的第一電極270直接接觸，以降低第一電極270的電阻。

第二基板20e可以與上面參考圖7和圖8描述的第二基板20實(shí)質(zhì)上相同。

由于第一間隔體G1、第一配向膜ALM1、第二配向膜ALM2以及類(lèi)似特征與上面圖7和圖8的描述中所描述的那些特征相同，將省略其描述。

圖14是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖。

參考圖7和圖14，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3f可以包含第一基板10f、第二基板20f、液晶層LC以及第一間隔體G1。

與上面圖13的描述中所描述的第一基板(圖13中的10e)不同，濾色器230可以位于第一基板10f的第一鈍化層180a上，并且阻擋層330可以位于濾色器230上。

第二基板20f可以包含第二基部基板210和光屏蔽構(gòu)件220，并且還可以包含外覆層250和上部阻擋層310中的至少任意一個(gè)。

即是說(shuō)，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3f與上面圖13中描述的顯示裝置(圖13中的3e)顯著地不同，不同點(diǎn)在于，濾色器230位于第一基板10f中，而其他配置可以實(shí)質(zhì)上相同。

圖15是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖。

參考圖7和圖15，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3g可以包含第一基板10g、第二基板20g、液晶層LC以及第一間隔體G1。

第一基板10g可以與上面參考圖14描述的第一基板10f實(shí)質(zhì)上相同。

第二基板20g可以包含第二基部基板210和光屏蔽構(gòu)件220，并且可以不包含濾色器230、外覆層250和上部阻擋層310。

第一間隔體G1可以正好位于光屏蔽構(gòu)件220的上方，并且可以含有光屏蔽材料。在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1可以由與光屏蔽構(gòu)件220相同的材料制成，并且可以與光屏蔽構(gòu)件220整體地形成。第一間隔體G1可以由與光屏蔽構(gòu)件220相同的工藝形成。

在一些實(shí)施例中，第二配向膜ALM2可以位于第二基板20g的上方以及第一間隔體G1的上方。更具體地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方，光屏蔽構(gòu)件220的上方以及第一間隔體G1的上方。

圖16是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖。

參考圖7和圖16，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3h可以包含第一基板10h、第二基板20h、液晶層LC以及第一間隔體G1，并且還可以包含輔助光屏蔽構(gòu)件240。

與上面圖14中描述的第一基板10f不同，在第一基板10h中，光屏蔽構(gòu)件220可以位于阻擋層330上，并且第二間隔體G2可以位于光屏蔽構(gòu)件220上。此外，第一電極270可以位于光屏蔽構(gòu)件220和第二間隔體G2上。

光屏蔽構(gòu)件220可以至少部分地與薄膜晶體管重疊，并且可以不至少部分地與接觸孔185重疊。即是說(shuō)，光屏蔽構(gòu)件220包含覆蓋薄膜晶體管的部分，并且可以包含形成在對(duì)應(yīng)于漏電極175的一部分的區(qū)域中的開(kāi)口223。

第一電極270可以具有形成在對(duì)應(yīng)于漏電極175的一部分的區(qū)域中的開(kāi)口273。圖11圖示了第一電極270的開(kāi)口273的外部邊界和光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223的外部邊界至少部分地彼此重疊的情形，但不限于此。第一電極270的開(kāi)口273可以大于光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223，以圍繞光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223，并且取決于實(shí)施例，第一電極270的開(kāi)口273也可以小于光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223。

通過(guò)填充滿(mǎn)接觸孔185周?chē)碾A梯，輔助光屏蔽構(gòu)件240可以使表面平坦。形成輔助光屏蔽構(gòu)件240，以便于與光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223重疊，并且可以防止接觸孔185周?chē)墓庑孤?。輔助光屏蔽構(gòu)件240可以含有光屏蔽材料。作為示例，輔助光屏蔽構(gòu)件240可以含有顏料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有機(jī)材料。

第二間隔體G2可以含有光屏蔽材料。光屏蔽材料可以含有顏料(比如碳黑)，并且可以含有光敏有機(jī)材料。在一些實(shí)施例中，第二間隔體G2可以由與光屏蔽構(gòu)件220相同的材料制成，并且可以與光屏蔽構(gòu)件220整體地形成?？梢酝ㄟ^(guò)與光屏蔽構(gòu)件220相同工藝形成第二間隔體G2。

第二基板20h可以包含第二基部基板210。

第一間隔體G1可以正好位于第一基部基板210的上方，并且可以與第一基部基板210接觸。在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1可以由有機(jī)絕緣材料制成，并且可以由光敏有機(jī)絕緣材料制成。此外，在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1還可以含有光屏蔽材料。

在一些實(shí)施例中，第一配向膜ALM1還可以位于第一基板10h的上方，并且更具體地，在第二鈍化層180c、輔助光屏蔽構(gòu)件240以及第二電極191上。

此外，在一些實(shí)施例中，第二配向膜ALM2還可以位于第二基板20h的上方以及第一間隔體G1的上方。更具體地，第配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方以及第一間隔體G1的上方。

圖17是圖7所示的顯示裝置沿圖7的線(xiàn)X-X’剖取的又一示例性剖視圖。

參考圖7和圖17，根據(jù)此實(shí)施例的顯示裝置3i可以包含第一基板10i、第二基板20i、液晶層LC以及第一間隔體G1，并且還可以包含輔助光屏蔽構(gòu)件240。

與圖16中描述的第一基板(圖16中的10h)不同，第一基板10i可以不包含輔助光屏蔽構(gòu)件240，而其他配置可以實(shí)質(zhì)上相同。

在一些實(shí)施例中，第一配向膜ALM1還可以位于第一基板10i的上方，并且更具體地，在第二鈍化層180c和第二電極191上。

第二基板20i可以與上面圖12的描述中所描述的第二基板(圖12中的3d)實(shí)質(zhì)上相同。即是說(shuō)，第二基板20i可以包含第二基部基板210，以及位于第二基部基板210上的輔助光屏蔽構(gòu)件240。輔助光屏蔽構(gòu)件240可以形成為與光屏蔽構(gòu)件220的開(kāi)口223重疊，以防止接觸孔185周?chē)墓庑孤?，并且輔助光屏蔽構(gòu)件240可以含有光屏蔽材料。

第一間隔體G1可以位于第二基部基板210上。在一些實(shí)施例中，第一間隔體G1可以含有光屏蔽材料，并且可以由與輔助光屏蔽構(gòu)件240相同的材料制成。第一間隔體G1可以與輔助光屏蔽構(gòu)件240在相同的工藝中形成。如圖7所示，第一間隔體G1可以與輔助光屏蔽構(gòu)件240整體地形成，但不限于此，并且輔助光屏蔽構(gòu)件240和第一間隔體G1也可以彼此分隔開(kāi)。

在一些實(shí)施例中，第二配向膜ALM2還可以位于第二基板20d的上方以及第一間隔體G1的上方。更具體地，第二配向膜ALM2可以位于第二基部基板210的上方以及輔助光屏蔽構(gòu)件240和第一間隔體G1的上方。

根據(jù)上面描述的本發(fā)明的實(shí)施例，第二間隔體G2的厚度可以更容易地形成為所需水平。此外，在第二間隔體G2的形成過(guò)程中，可以防止位于第二間隔體G2的下方的部件(例如，絕緣層或類(lèi)似物)的損壞或蝕刻。因此，可以形成第一基板與第二基板之間的間隔并保持在所需水平，并且從而，可以提供避免顯示質(zhì)量劣化并且具有改善的可靠性的顯示裝置。

盡管已經(jīng)主要地描述了本發(fā)明的實(shí)施例，但它們僅是示例，并且不意圖限制本發(fā)明構(gòu)思，本領(lǐng)域普通技術(shù)的人員應(yīng)理解，可以做出上面未示出的各種改進(jìn)和應(yīng)用，而不背離本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的本質(zhì)特性。例如，在實(shí)施例中具體圖示的相應(yīng)的部件能夠在改進(jìn)的情況下來(lái)實(shí)踐。此外，設(shè)計(jì)這樣的改進(jìn)和應(yīng)用的區(qū)別應(yīng)理解為包含在本發(fā)明構(gòu)思的由所附權(quán)利要求限定的范圍中。