本申請要求于2015年11月11日提交的韓國專利申請第10-2015-0158251號的優(yōu)先權(quán)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實施方式涉及顯示裝置。

背景技術(shù)：

作為最廣泛使用的平板顯示器之一的液晶顯示器(“LCD”)，一般包括：兩個基板，在基板上形成場生成電極，諸如像素電極和共用電極；以及液晶層，該液晶層介入在兩個基板之間。LCD通過對場生成電極施加電壓來在液晶層中生成電場，以確定液晶層中的液晶分子的取向并且控制入射到液晶層上的光的偏振，從而顯示圖像。

同時，在LCD的各種模式中，最近正在開發(fā)垂直取向(“VA”)模式的LCD。VA模式的LCD是其中液晶分子被取向使得它們的主軸能夠在不存在電場的情況下垂直于基板的LCD的類型。

希望確保VA模式的LCD的寬視角，并且為此目的，可以使用各種方法，諸如在場生成電極上限定切口(諸如精細的狹縫)。由于切口和突出確定液晶分子的傾斜方向，通過適當(dāng)安排切口和突出以使液晶分子的傾斜方向多樣化，VA模式的LCD的視角可以得到拓寬。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在其中每個像素電極中限定精細的狹縫以提供多個分支電極的方法中，液晶顯示器(“LCD”)的開口率會降低，并且結(jié)果，LCD的透射率也會降低。

另外在其中互相相距幾微米的多個分支電極或狹縫設(shè)置在每個像素電極中的情況下，布置在每個像素電極之下的絕緣層等的折射率或透射率至少會部分地變化，并且結(jié)果，LCD的顯示質(zhì)量會劣化。

本發(fā)明的示例性實施方式提供一種具有提高的顯示質(zhì)量的顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種顯示裝置。該顯示裝置包括：第一基板，包括第一基底基板、布置在第一基底基板的第一表面上的第一子像素電極、布置在第一子像素電極上的鈍化層、以及布置在鈍化層上并且與第一子像素電極部分地重疊的第二子像素電極；第二基板，面向第一基板；以及液晶層，布置在第一基板和第二基板之間，其中第二子像素電極具有第一部分和第二部分，第一部分與第一基底基板的第一表面相距第一距離，第二部分與第一基底基板的第一表面相距小于第一距離的第二距離。

所述第一基板進一步包括開關(guān)器件，所述開關(guān)器件布置在所述第一基底基板的所述第一表面上，并且所述第一子像素電極和所述第二子像素電極電連接至所述開關(guān)器件。

所述第一子像素電極包括：第一平板電極，所述第一平板電極包括與所述第二子像素電極重疊的部分以及與所述第三子像素電極重疊的部分；以及第一連接電極，所述第一連接電極電連接所述第一平板電極和所述開關(guān)器件。

所述第一基板進一步包括突出圖案，所述突出圖案布置在所述第一基底基板的所述第一表面與所述第二子像素電極之間并且與所述第一部分重疊，并且所述第二子像素電極包括：第二平板電極，所述第二平板電極包括與所述第一平板電極重疊的部分和與所述突出圖案重疊的部分；以及第二連接電極，所述第二連接電極電連接所述第二平板電極和所述開關(guān)器件。

根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式，提供了一種顯示裝置。該顯示裝置包括：第一基板，包括第一基底基板、布置在第一基底基板的第一表面上的第一子像素電極、布置在第一子像素電極上的鈍化層、以及布置在鈍化層上并且與第一子像素電極部分地重疊的第二子像素電極；第二基板，面向第一基板并且包括第二基底基板和共用電極，共用電極布置在第二基底基板的面向第一基板的第一表面上；以及液晶層，布置在第一基板和第二基板之間，其中第二子像素電極具有第一部分和第二部分，第一部分與共用電極相距第一距離，第二部分與共用電極相距大于第一距離的第二距離。

所述第一基板進一步包括開關(guān)器件，所述開關(guān)器件布置在所述第一基底基板的所述第一表面上，并且所述第一子像素電極和所述第二子像素電極電連接至所述開關(guān)器件。

根據(jù)示例性實施方式，可以提供具有提高的顯示質(zhì)量的顯示裝置。

通過以下具體實施方式、附圖和權(quán)利要求書，其他特征和示例性實施方式將變得明顯。

附圖說明

通過在本公開的參考附圖的更詳細的示例性實施方式中的描述，本公開的以上和其他的示例性實施方式、優(yōu)點以及特征將變得更加明顯，其中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的第一基板(并且具體地，像素)的示例性實施方式的平面圖。

圖2是沿著圖1的線A-A'截取的具有圖1的第一基板的顯示裝置的截面圖。

圖3是沿著圖1的線B-B'截取的具有圖1的第一基板的顯示裝置的截面圖。

圖4是圖3的部分P的放大截面圖。

圖5是包括在圖1的第一基板中的突出部的平面圖。

圖6是包括在圖1的第一基板中的第一子像素電極的平面圖。

圖7是包括在圖1的第一基板中的第二子像素電極和第三子像素電極的平面圖。

圖8是示出包括在圖1的第一基板中的第一子像素電極和突出部如何彼此重疊的平面圖。

圖9是示出包括在圖1的第一基板中的第一子像素電極和第二子像素電極如何彼此重疊，以及包括在圖1的第一基板中的第一子像素電極和第三子像素電極如何彼此重疊的平面圖。

圖10是示出包括在圖1的第一基板中的第二子像素電極、第三子像素電極以及突出部如何互相重疊的平面圖。

圖11是示出使用預(yù)聚物使液晶分子具有預(yù)傾斜角的處理的截面圖，預(yù)聚物可以通過諸如紫外(“UV”)光的光來聚合。

圖12是沿著圖1的線C-C'截取的具有圖1的第一基板的顯示裝置的截面圖。

圖13是圖3的顯示裝置的示例性實施方式的截面圖。

圖14是圖3的顯示裝置的另一個示例性實施方式的截面圖。

圖15是圖3的顯示裝置的另一個示例性實施方式的截面圖。

圖16是圖3的顯示裝置的另一個示例性實施方式的截面圖。

圖17是圖3的顯示裝置的另一個示例性實施方式的截面圖。

圖18是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的顯示裝置的第一基板(并且具體地，像素)的平面圖。

圖19是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的顯示裝置的第一基板(并且具體地，像素)的平面圖。

圖20是包括在圖19的第一基板中的第一子像素電極的平面圖。

圖21是示出包括在圖19的第一基板中的第一子像素電極和突出部如何彼此重疊的平面圖。

圖22是示出包括在圖19的第一基板中的第一子像素電極和第二子像素電極如何彼此重疊，以及包括在圖19的第一基板中的第一子像素電極和第三子像素電極如何彼此重疊的平面圖。

圖23是根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的第一基板(并且具體地，像素)的另一個示例性實施方式的平面圖。

具體實施方式

通過參照以下實施方式的細節(jié)描述和附圖，可以更加容易地理解本發(fā)明的特征以及實現(xiàn)本發(fā)明的方法。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式體現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為局限于本文所闡述的實施方式。相反地，提供這些實施方式使得本發(fā)明將是詳盡和完整的，并且這些實施方式將本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員，并且本發(fā)明將僅由所附權(quán)利要求書限定。通篇說明書，相同的參考標號表示相同的元件。

本文所使用的術(shù)語僅是用于描述具體實施方式的目的，并非旨在限制本發(fā)明。除非上下文另有明確指示，否則，如本文中所使用的，單數(shù)形式“一(a)”、“一個(an)”以及“該(the)”旨在還包括復(fù)數(shù)形式。將進一步理解的是，術(shù)語“包含(comprises)”和/或“包括(comprising)”在本說明書中使用時，指定存在述及的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但并不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。

將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一個元件或?qū)印吧稀?、“連接至”或“耦接至”另一個元件或?qū)訒r，其可以直接在另一個元件或?qū)由?、直接連接或耦接至另一個元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在”另一個元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”或“直接耦接至”另一個元件或?qū)訒r，則不存在中間元件或?qū)?。如本文中所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列出項中的一個或多個的任何和所有的組合。

將理解的是，盡管術(shù)語第一、第二等可在本文中用于描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或部與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部區(qū)分開。因此，在不背離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面所討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或者第一部可被稱作為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或者第二部。

為便于描述，本文中可使用諸如“在…之下”、“在…以下”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間關(guān)系術(shù)語，來描述如圖中所示的一個元件或特征與其他一個或多個元件或特征的關(guān)系。將理解，空間關(guān)系術(shù)語旨在包括使用中的裝置或操作除圖中描繪的方位之外的不同方位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則描述為在其他元件或特征“之下”或“以下”的元件將定向為在其他元件或特征“之上”。因此，示例性術(shù)語“在…之下”可涵蓋上下這兩個方位。裝置可被另行定向(旋轉(zhuǎn)90度或者位于其他方位)并且相應(yīng)地解釋文中所用的空間關(guān)系描述符。

考慮到所討論的測量和與具體量的測量相關(guān)的誤差(即，測量系統(tǒng)的制約)，本文所使用的“約”或者“近似”包括在由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員確定的特定值的偏差可接受范圍內(nèi)的所述值和平均值。例如，“約”可以表示在一個或者多個標準偏差內(nèi)或者所述值的±30％、±20％、±10％、±5％內(nèi)。

除非另外有定義，否則本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本申請所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解的含義相同的含義。將進一步理解，諸如常用詞典中所定義的那些術(shù)語的術(shù)語應(yīng)當(dāng)解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)和本說明書的上下文中的含義一致的含義，并且除非本文中明確進行如此定義，否則將不應(yīng)被解釋為理想的或過于刻板的意義。

本文參照作為理想化的實施方式的示意圖的截面圖來對示例性實施方式進行描述。因此，可以預(yù)期例如由于制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本文所記載的實施方式不應(yīng)解釋為限于如文中所示的特定的區(qū)域形狀，而是包括因諸如制造等產(chǎn)生的形狀偏差。在示例性實施方式中，被示出或描述為平坦的區(qū)域通?？删哂写植诤?或非線性特征。而且，示出的銳角可以是圓形的(rounded)。因此，附圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀并不旨在示出區(qū)域的精確形狀，并且不旨在限制權(quán)利要求書的范圍。

在下文中，將參考附圖描述本發(fā)明的示例性實施方式。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的顯示裝置的第一基板(并且具體地，像素)的平面圖，圖2是沿圖1的線A-A'截取的具有圖1的第一基板的顯示裝置的截面圖，圖3是沿圖1的線B-B'截取的具有圖1的第一基板的顯示裝置的截面圖，以及圖4是圖3的部分P的放大截面圖。

參考圖1至圖4，顯示裝置1可包括第一基板10、面向第一基板10的第二基板20、以及布置在第一基板10和第二基板20之間的液晶層30。顯示裝置1還可包括一對偏振器(未示出)，其分別附接在第一基板10的外表面和第二基板20的外表面上。

在示例性實施方式中，例如，第一基板10可以是薄膜晶體管(“TFT”)基板，在該基板上布置TFT，TFT是用于驅(qū)動液晶層30中的液晶分子的開關(guān)器件。第一基板10可包括柵極線121、數(shù)據(jù)線171、TFT以及像素電極190，像素電極190至少部分位于像素區(qū)域PEA中。像素區(qū)域PEA可以占據(jù)由彼此交叉的柵極線121和數(shù)據(jù)線171限定的區(qū)域的一部分。

第二基板20可以是第一基板10的相對基板。

液晶層30可包括具有介電各向異性的多個液晶分子。液晶分子可以是垂直取向(“VA”)模式的液晶分子，其在第一基板10和第二基板20之間垂直取向為在第一基板10和第二基板20的垂直方向上。響應(yīng)于電場施加在第一基板10和第二基板20之間，液晶分子可以在第一基板10和第二基板20之間沿特定方向旋轉(zhuǎn)，并且因此，可以允許或阻止光穿過其中的透射。如本文中所使用的術(shù)語“旋轉(zhuǎn)”不僅可以表示液晶分子的實際旋轉(zhuǎn)，而且還可以表示液晶分子的取向由于電場而產(chǎn)生的改變。

在下文中將描述第一基板10。

第一基底基板110可以是絕緣基板。在示例性實施方式中，例如，第一基底基板110可以是玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。在示例性實施方式中，例如，第一基底基板110可包括具有高耐熱性的聚合物或塑料材料。在示例性實施方式中，第一基底基板110可以具有柔性。就是說，通過卷起、折疊或彎曲，第一基底基板110可以是可變形的。

柵極線121和柵極電極124可以布置在第一基底基板110的第一表面上。柵極線121可以傳輸柵極信號并且可以大致沿第一方向(例如水平方向或X軸方向)延伸。柵極電極124可以從柵極線121突出并且可以連接至柵極線121。在示例性實施方式中，例如，柵極線121和柵極電極124可以包含諸如Al或Al合金的鋁(Al)基金屬、諸如Ag或Ag合金的銀(Ag)基金屬、諸如Cu或Cu合金的銅(Cu)基金屬、諸如Mo或Mo合金的鉬(Mo)基金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等。在示例性實施方式中，柵極線121和柵極電極124可以具有單層結(jié)構(gòu)，或可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同的物理性質(zhì)的兩個導(dǎo)電膜，其中，兩個導(dǎo)電膜中的一個可包括低電阻金屬，例如Al基金屬、Ag基金屬、Cu基金屬等，以便減少柵極配線GL和GE中的信號延遲或電壓降，并且另一個導(dǎo)電膜可包括相對于銦錫氧化物(“ITO”)和銦鋅氧化物(“IZO”)具有優(yōu)良的接觸性質(zhì)的材料，諸如Mo基金屬、Cr、Ti、Ta等。柵極線121和柵極電極124的多層結(jié)構(gòu)的實例包括Cr下膜和Al上膜的組合以及Al下膜和Mo上膜的組合，但是本發(fā)明不限于此。就是說，除了本文中所闡述的那些金屬和導(dǎo)體之外，可以使用各種金屬和導(dǎo)體設(shè)置柵極線121和柵極電極124。

還可以在第一基底基板110上布置突出部SP，并且突出部SP可以位于像素區(qū)域PEA中。由于突出部SP的存在，可以在突出部SP上布置的每個元件上生成臺階部。更具體地，由于突出部SP，可以在第二子像素電極193上設(shè)置臺階部，并且結(jié)果，由于第二子像素電極193的臺階部，像素區(qū)域PEA可以被分成多個域。

圖5是包括在圖1的第一基板10中的突出部SP的平面圖。參考圖1至圖5，在平面圖中，突出部SP可以具有十字形，包括水平主干部SPa和垂直主干部SPb，并且突出部SP的中心SC可以與像素區(qū)域PEA的中心一致，在這種情況下，像素區(qū)域PEA可以被分成四個域。

返回參考圖1至圖4，突出部SP可包括突出圖案127。在示例性實施方式中，例如，突出圖案127在平面圖中可以是十字形的。突出圖案127可以布置在與柵極線121和柵極電極124相同的層上。在示例性實施方式中，例如，響應(yīng)于柵極線121和柵極電極124直接布置在第一基底基板110的第一表面上，突出圖案127也可以直接布置在第一基底基板110的第一表面上。突出圖案127可包括與柵極線121和柵極電極124的材料相同的材料。在示例性實施方式中，突出圖案127、柵極線121和柵極電極124可以通過單掩模工藝來設(shè)置。如本文中所使用的，術(shù)語“單掩模工藝”可以表示使用單個掩模的單次光刻工藝。在示例性實施方式中，突出圖案127可以與柵極線121和柵極電極124電隔離和物理隔離。當(dāng)突出圖案127與柵極線121和柵極電極124電隔離時，提供給柵極線121或柵極電極124的信號可以不直接傳輸給突出圖案127。當(dāng)突出圖案127與柵極線121和柵極電極124物理隔離時，突出圖案127可以不放置成與柵極線121和柵極電極124直接接觸。然而，本發(fā)明不限于這些示例性實施方式。突出圖案127可包括絕緣材料。

在示例性實施方式中，例如，突出圖案127可以具有大約2微米(μm)至大約10μm的足夠?qū)挾萕1，以將像素區(qū)域PEA分成多個域，并且可以具有大約0.3μm至大約1.5μm的厚度TH1，以減少紋理的形成。

柵極絕緣層140可以布置在柵極線121、柵極電極124以及突出圖案127上。柵極絕緣層140可以包含絕緣材料，例如無機絕緣材料，諸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。柵極絕緣層140可以具有單層結(jié)構(gòu)或可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理性質(zhì)的兩個絕緣膜。

半導(dǎo)體層154可以布置在柵極絕緣層140上，并且可以與柵極電極124部分地重疊。在示例性實施方式中，例如，半導(dǎo)體層154可包括非晶硅、多晶硅或氧化物半導(dǎo)體。

多個歐姆接觸構(gòu)件163和165可以布置在半導(dǎo)體層154上。歐姆接觸構(gòu)件163和165可包括布置在源極電極173下方的源極歐姆接觸構(gòu)件163以及布置在漏極電極175下方的漏極歐姆接觸構(gòu)件165。在示例性實施方式中，例如，歐姆接觸構(gòu)件163和165可包括摻雜有高濃度的n-型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅或硅化物。

源極電極173、漏極電極175以及數(shù)據(jù)線171可以布置在源極歐姆接觸構(gòu)件163、漏極歐姆接觸構(gòu)件165以及柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171可以傳輸數(shù)據(jù)電壓并且可以大致沿與第一方向交叉的第二方向(例如垂直方向或Y軸方向)延伸，以便與柵極線121交叉。在示例性實施方式中，半導(dǎo)體圖案151可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線171和柵極絕緣層140之間，并且數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161可以設(shè)置在半導(dǎo)體圖案151和數(shù)據(jù)線171之間。半導(dǎo)體圖案151可包括與半導(dǎo)體層154的材料相同的材料，并且數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161可包括與源極歐姆接觸構(gòu)件163和漏極歐姆接觸構(gòu)件165的材料相同的材料。

在示例性實施方式中，響應(yīng)于半導(dǎo)體層154和半導(dǎo)體圖案151包括氧化物半導(dǎo)體，可以不設(shè)置歐姆接觸構(gòu)件161、163和165。

源極電極173可以連接至數(shù)據(jù)線171。在示例性實施方式中，源極電極173可以從數(shù)據(jù)線171延伸出，以突出到柵極電極124的頂部的上方。

漏極電極175可以在柵極電極124上與源極電極173隔離。在示例性實施方式中，漏極電極175可包括棒狀部和延伸部，棒狀部大致平行于源極電極173延伸，延伸部在漏極電極175的相對側(cè)上。

在示例性實施方式中，數(shù)據(jù)線171、源極電極173以及漏極電極175可包括Al、Cu、Ag、Mo、Cr、Ti、Ta或其合金，并且可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括包含難熔金屬的下膜(未示出)和布置在下膜上的低電阻上膜(未示出)，但是本發(fā)明不限于此。

柵極電極124、源極電極173以及漏極電極175可以與半導(dǎo)體層154一起提供TFT，并且TFT的溝道可以被限定在半導(dǎo)體層154中，并且具體地，限定在源極電極173和漏極電極175之間。

下鈍化層180a可以布置在柵極絕緣層140、半導(dǎo)體層154、源極電極173以及漏極電極175上。在示例性實施方式中，下鈍化層180a可包括無機絕緣材料，諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。下鈍化層180a可以保護TFT，并且可以防止絕緣層230中包含的材料滲透到半導(dǎo)體層154中。

絕緣層230可以布置在下鈍化層180a上。絕緣層230可包括有機材料。在示例性實施方式中，絕緣層230可包括感光材料。

絕緣層230可以進一步包括顏色顏料。在示例性實施方式中，例如，絕緣層230可包括能夠允許特定顏色波長的光穿過其中的透射的顏色顏料。就是說，絕緣層230可以是濾色器。在示例性實施方式中，例如，濾色器可以顯示但不限于基色中的一個，諸如紅色、綠色以及藍色。在可替換的示例性實施方式中，例如，濾色器可以顯示青色、洋紅色、黃色以及白色(或發(fā)白顏色)中的一個。響應(yīng)于絕緣層230包括顏色顏料，絕緣層230可以與數(shù)據(jù)線171上的相鄰像素的絕緣層231至少部分地重疊，但是本發(fā)明不限于此。就是說，絕緣層230可以不包括任何顏色顏料。在可替換的示例性實施方式中，濾色器可以額外地設(shè)置在第一基板10或第二基板20上。

盡管在附圖中沒有具體示出，但是響應(yīng)于絕緣層230作為濾色器，覆蓋層(未示出)可以額外地布置在絕緣層230上。覆蓋層可以防止濾色器的成分滲透到布置在濾色器上的元件(例如液晶層30)中。覆蓋層可以是可選的。

像素電極190可以布置在絕緣層230的與像素區(qū)域PEA對應(yīng)的一部分上。像素電極190可包括第一子像素電極191、第二子像素電極193以及第三子像素電極195。

第一子像素電極191可以布置在絕緣層230上。在示例性實施方式中，第一子像素電極191可包括透明導(dǎo)電材料，例如ITO或IZO。

圖6是包括在圖1的第一基板10中的第一子像素電極191的平面圖。

參考圖1至圖4以及圖6，第一子像素電極191可包括第一平板電極191a和第一連接電極191b，第一平板電極191a位于像素區(qū)域PEA內(nèi)，第一連接電極191b連接至第一平板電極191a并且延伸到像素區(qū)域PEA的外部。

例如，第一平板電極191a可以是平板狀的。如本文中所使用的，術(shù)語“平板”可以表示尚未分割的平板。在示例性實施方式中，例如，第一平板電極191a在平面圖中可以是六邊形的，但是本發(fā)明不限于此。就是說，第一平板電極191a可以是多邊形的并且可以占據(jù)像素區(qū)域PEA的一部分。在示例性實施方式中，第一平板電極191a可以不包括精細分支電極，并且狹縫可以不限定在這些精細分支電極之間。

連接至第一平板電極191a的第一連接電極191b可以延伸到像素區(qū)域PEA的外部。第一連接電極191b可以物理和電連接至第二子像素電極193，并且可以電連接至漏極電極175。在示例性實施方式中，第一連接電極191b在像素區(qū)域PEA中的一部分可以與數(shù)據(jù)線171大致平行。

返回參考圖1至圖4，鈍化層180c可以布置在絕緣層230和第一子像素電極191上。在示例性實施方式中，鈍化層180c可包括無機絕緣材料，諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。鈍化層180c可以防止絕緣層230從下面的層(underlying layer)剝離，并且可以抑制液晶層30受到來自絕緣層230的有機材料(諸如溶劑)的污染，從而防止在顯示裝置1的驅(qū)動期間可能發(fā)生的缺陷(諸如殘像)。

可以在下鈍化層180a、絕緣層230以及鈍化層180c中限定接觸孔CH，以穿過其中至少部分地暴露TFT(例如漏極電極175的一部分)。第一子像素電極191的一部分，并且具體地，第一子像素電極191的第一連接電極191b(參見圖6)的一部分也可以通過接觸孔CH暴露。

第二子像素電極193以及與第二子像素電極193隔離的第三子像素電極195可以布置在鈍化層180c上。在示例性實施方式中，第二子像素電極193和第三子像素電極195可包括透明導(dǎo)電材料，例如ITO或IZO。在示例性實施方式中，第二子像素電極193和第三子像素電極195可以通過單掩模工藝包括相同的材料。

第二子像素電極193可以經(jīng)由接觸孔CH，物理連接和電連接至漏極電極175和第一子像素電極191。第一子像素電極191可以物理連接和電連接至第二子像素電極193，并且第一子像素電極191可以經(jīng)由第二子像素電極193電連接至漏極電極175。如本文中所使用的表述“一個元件物理連接至另一個元件”可以表示兩個元件通過放置成彼此直接接觸而連接。

第二子像素電極193可以經(jīng)由接觸孔CH物理連接和電連接至漏極電極175，并且因此可以從漏極電極175接收數(shù)據(jù)電壓。如以上已經(jīng)提到的，由于第二子像素電極193和第一子像素電極191被物理連接和電連接，所以數(shù)據(jù)電壓也可以施加至第一子像素電極191。就是說，相同的電壓可以被施加至第一子像素電極191和第二子像素電極193。

第二子像素電極193可包括第一部分1931和第二部分1933。第一部分1931可以是第二子像素電極193的與突出部SP重疊的一部分，以便相對于第二部分1933向著第二基板20突出，并且第二部分1933可以是第二子像素電極193的與突出部SP不重疊的一部分。從第一基底基板110的第一表面110a到第一部分1931的第一表面的第一距離H1可以大于從第一基底基板110的第一表面110a到第二部分1933的第一表面的第二距離H2。就是說，可以在第一部分1931和第二部分1933之間設(shè)置高度差。在示例性實施方式中，例如，第一部分1931和第二部分1933之間的高度差，即第一距離H1和第二距離H2之間的差值H3，可以在從大約0.3μm到大約1.5μm的范圍內(nèi)。

由于第一部分1931相對于第二部分1933向著第二基板20突出，所以第一部分1931和共用電極270的第一表面270a之間的第一距離D1可以小于第二部分1933和共用電極270的第一表面270a之間的第二距離D2。在示例性實施方式中，例如，第一距離D1和第二距離D2之間的差值D3可以在從大約0.3μm到大約1.5μm的范圍內(nèi)。

第三子像素電極195可以與第二子像素電極193物理隔離，并且可以在平面圖中布置為鄰近于第二子像素電極193。在示例性實施方式中，第三子像素電極195可以不物理連接至任何電極。就是說，第三子像素電極195可以是浮置電極。

第二子像素電極193的面積和第三子像素電極195的面積可以彼此不同。在示例性實施方式中，與第二子像素電極193相比，第三子像素電極195可以具有更大的面積?？紤]顯示裝置1的可視性和透射率，可以適當(dāng)?shù)卮_定第三子像素電極195的面積和第二子像素電極193的面積。在示例性實施方式中，例如，第二子像素電極193的面積可以是第三子像素電極195的面積的大約百分之40(％)到大約80％，但是本發(fā)明不限于此。

圖7是包括在圖1的第一基板10中的第二子像素電極193和第三子像素電極195的平面圖。

參考圖1至圖4以及圖7，第二子像素電極193可包括第二平板電極193a和第二連接電極193b，第二平板電極193a位于像素區(qū)域PEA內(nèi)，第二連接電極193b連接至第二平板電極193a并且延伸到像素區(qū)域PEA的外部。

在示例性實施方式中，例如，第二平板電極193a的中心可以大致與像素區(qū)域PEA的中心一致。在示例性實施方式中，第二平板電極193a可以是平板狀的，而沒有具體的狹縫或分支電極。在示例性實施方式中，例如，第二平板電極193a可以在平面圖中是多邊形的，并且可以占據(jù)像素區(qū)域PEA的一部分。如在圖1中示出的，第二平板電極193a可以與突出部SP的中心SC重疊。

連接至第二平板電極193a的第二連接電極193b可以延伸到像素區(qū)域PEA的外部。第二連接電極193b可以物理連接和電連接至漏極電極175。另外，第二連接電極193b可以物理連接和電連接至第一子像素電極191的第一連接電極191b(參見圖6)。在示例性實施方式中，第二連接電極193b在像素區(qū)域PEA中的一部分可以與數(shù)據(jù)線171大致平行。

第三子像素電極195可包括多個浮置電極。在示例性實施方式中，第三子像素電極195可包括第一浮置電極195a、第二浮置電極195b以及第三浮置電極195c，并且第一浮置電極195a、第二浮置電極195b以及第三浮置電極195c可以互相隔離。

第二浮置電極195b和第三浮置電極195c可以布置在第二平板電極193a和第二連接電極193b的外部，并且第一浮置電極195a可以相對于第二平板電極193a位于第二浮置電極195b和第三浮置電極195c的相對側(cè)上。

在示例性實施方式中，第一浮置電極195a、第二浮置電極195b以及第三浮置電極195c可以是平板狀的，而沒有具體的狹縫或精細分支電極。第一浮置電極195a、第二浮置電極195b以及第三浮置電極195c在平面圖中可以是多邊形的，并且占據(jù)像素區(qū)域PEA的一部分。第一浮置電極195a、第二浮置電極195b以及第三浮置電極195c可以包圍第二子像素電極193的周邊的一部分。

在示例性實施方式中，第二浮置電極195b和第三浮置電極195c可以相對于第二連接電極193b對稱。

在下文中將參考圖8至圖10，描述突出部SP、第一子像素電極191、第二子像素電極193以及第三子像素電極195如何互相重疊。

圖8是示出包括在圖1的第一基板10中的第一子像素電極191和突出部SP如何彼此重疊的平面圖。

參考圖1至圖4以及圖8，第一子像素電極191可以具有與突出部SP重疊的一部分(在下文中，第一重疊部OL1a)。在示例性實施方式中，響應(yīng)于第一子像素電極191包括第一平板電極191a和第一連接電極191b，例如，第一重疊部OL1a可以設(shè)置在第一平板電極191a和第一連接電極191b中。換言之，第一平板電極191a可以與突出部SP至少部分地重疊，并且第一連接電極191b也可以與突出部SP重疊。然而，本發(fā)明不限于此。就是說，第一重疊部OL1a的位置可以根據(jù)突出部SP的形狀或大小而變化。在示例性實施方式中，例如，第一重疊部OL1a可以不設(shè)置在第一連接電極191b中。換言之，突出部SP可以與第一平板電極191a重疊，但是不與第一連接電極191b重疊。第一子像素電極191的第一重疊部OL1a可以相對于第一子像素電極191的其余部分向著第二基板20突出。

圖9是示出包括在圖1的第一基板10中的第一子像素電極191和第二子像素電極193如何彼此重疊，以及包括在圖1的第一基板10中的第一子像素電極191和第三子像素電極195如何彼此重疊的平面圖。

參考圖1至圖4以及圖9，第一子像素電極191可以具有與第二子像素電極193重疊的一部分(在下文中，第二重疊部OL1b)。

在示例性實施方式中，響應(yīng)于第一子像素電極191包括第一平板電極191a和第一連接電極191b以及第二子像素電極193包括第二平板電極193a和第二連接電極193b，例如，第二重疊部OL1b可以設(shè)置在第一平板電極191a和第一連接電極191b中。第二重疊部OL1b在第一平板電極191a中的一部分可以是與第二平板電極193a和第二連接電極193b部分地重疊的一部分。換言之，第一平板電極191a和第二平板電極193a可以彼此部分地重疊，并且第一平板電極191a和第二連接電極193b可以彼此部分地重疊。

第二重疊部OL1b在第一連接電極191b中的一部分可以是與第二連接電極193b部分地重疊的一部分。換言之，第一連接電極191b與第二連接電極193b可以彼此重疊。然而，本發(fā)明不限于此。就是說，第二重疊部OL1b的位置可以根據(jù)第一子像素電極191和第二子像素電極193的形狀和布置而變化。

第一子像素電極191可以具有與第三子像素電極195重疊的一部分(在下文中，第三重疊部OL1c、OL1d以及OL1e)。

在示例性實施方式中，例如，響應(yīng)于第一子像素電極191包括第一平板電極191a和第一連接電極191b以及第三子像素電極195包括第一浮置電極195a、第二浮置電極195b以及第三浮置電極195c，第三重疊部OL1c、OL1d以及OL1e可包括第一子重疊部OL1c、第二子重疊部OL1d以及第三子重疊部OL1e。第一子重疊部OL1c可以是第一平板電極191a與第一浮置電極195a重疊的一部分，第二子重疊部OL1d可以是第一平板電極191a與第二浮置電極195b重疊的一部分，并且第三子重疊部OL1e可以是第一平板電極191a與第三浮置電極195c重疊的一部分。換言之，第一平板電極191a與第一浮置電極195a、第二浮置電極195b以及第三浮置電極195c中的每一個可以彼此部分地重疊。在示例性實施方式中，第三重疊部OL1c、OL1d以及OL1e可以不設(shè)置在第一連接電極191b中。換言之，第一連接電極191b可以不與第三子像素電極195重疊。

可以以各種方式確定第三子像素電極195的整個面積與第三重疊部OL1c、OL1d和OL1e的整個面積的比例，并且通過這樣做，可以調(diào)節(jié)提供給第三子像素電極195的電壓的電平。

圖10是示出包括在圖1的第一基板10中的第二子像素電極193、第三子像素電極195以及突出部SP如何互相重疊的平面圖。

參考圖1至圖4以及圖10，第二子像素電極193可以具有與突出部SP重疊的一部分(在下文中，第四重疊部OL3)。在示例性實施方式中，例如，響應(yīng)于第二子像素電極193包括第二平板電極193a和第二連接電極193b，第四重疊部OL3可以設(shè)置在第二平板電極193a和第二連接電極193b中。換言之，第二平板電極193a可以與突出部SP至少部分地重疊，并且第二連接電極193b可以與突出部SP重疊。然而，本發(fā)明不限于此。就是說，第四重疊部OL3的位置可以根據(jù)突出部SP的形狀或大小而變化。在示例性實施方式中，例如，第四重疊部OL3可以不設(shè)置在第二連接電極193b中。換言之，突出部SP可以與第二平板電極193a重疊，但是不與第二連接電極193b重疊。第二子像素電極193的第四重疊部OL3可以相對于第二子像素電極193的其余部分向著第二基板20突出。就是說，第二子像素電極193的第一部分1931(參見圖4)可以與第四重疊部OL3大致相同或可包括第四重疊部OL3。在示例性實施方式中，響應(yīng)于突出部SP在平面圖中是十字形的，第一部分1931(參見圖4)在平面圖中也可以是十字形的，如在圖10中示出的。

第三子像素電極195可以具有與突出部SP重疊的一部分(在下文中，第五重疊部OL5a)。響應(yīng)于第三子像素電極195包括第一浮置電極195a、第二浮置電極195b以及第三浮置電極195c，第五重疊部OL5a可以僅設(shè)置在第一浮置電極195a中，但是不設(shè)置在第二浮置電極195b以及第三浮置電極195c中。換言之，第一浮置電極195a與突出部SP可以彼此重疊，并且突出部SP與第二浮置電極195b和第三浮置電極195c中的每一個可以彼此不重疊。

第三子像素電極195的第五重疊部OL5a可以相對于第三子像素電極195的其余部分向著第二基板20突出。

返回參考圖1至圖4，屏蔽電極SH可以進一步設(shè)置在絕緣層230和鈍化層180c之間。屏蔽電極SH可以與第一子像素電極191物理隔離，并且可以布置在與第一子像素電極191相同的層上。在示例性實施方式中，響應(yīng)于第一子像素電極191直接布置在絕緣層230上，屏蔽電極SH也會直接布置在絕緣層230上，并且因此可以被放置成與絕緣層230直接接觸。在可替換的示例性實施方式中，響應(yīng)于額外的覆蓋層布置在絕緣層230上，第一子像素電極191和屏蔽電極SH可以直接布置在覆蓋層上，并且因此可以被放置成與覆蓋層直接接觸。屏蔽電極SH可以包含透明導(dǎo)電材料，并且可包括與第一子像素電極191的材料相同的材料。在示例性實施方式中，通過使用單個掩模，可以同時設(shè)置屏蔽電極SH和第一子像素電極191。

屏蔽電極SH可以布置在絕緣層230的對應(yīng)于數(shù)據(jù)線171的一部分上，并且可以與數(shù)據(jù)線171重疊。就是說，屏蔽電極SH可以布置在數(shù)據(jù)線171上方以與數(shù)據(jù)線171重疊，并且可以沿數(shù)據(jù)線171延伸的方向(例如圖1中的垂直方向或Y軸方向)延伸。

在示例性實施方式中，屏蔽電極SH在平面圖中可以完全覆蓋數(shù)據(jù)線171。在示例性實施方式中，具有與施加至共用電極270的共用電壓的電平相同的電平的電壓可以施加到屏蔽電極SH。

在像素電極190和共用電極270之間生成的電場在數(shù)據(jù)線171和像素電極190之間的區(qū)域內(nèi)會相對弱，并且可能有液晶分子的未對準(misalignment)。

在顯示裝置1中，電平與共用電壓的電平相同的電壓(例如共用電壓)可以施加至屏蔽電極SH。因此，在共用電極270和屏蔽電極SH之間不會生成電場。因此，可以降低液晶分子在數(shù)據(jù)線171附近區(qū)域內(nèi)未對準的概率，并且可以減少漏光。另外，可以減少用于防止漏光的光屏蔽構(gòu)件220的面積，或甚至可以不需要光屏蔽構(gòu)件220。因此，可以進一步提高顯示裝置1的開口率。

另外，可以通過屏蔽電極SH減弱在數(shù)據(jù)線171和像素電極190之間生成的電場，并且因此，可以抑制串?dāng)_。

可以在鈍化層180c、第二子像素電極193以及第三子像素電極195上進一步設(shè)置第一取向?qū)覣LM1。在示例性實施方式中，第一取向?qū)覣LM1可以是垂直取向?qū)硬⑶铱砂ü饷舨牧稀?/p>

在下文中將描述第二基板20。

第二基板20可包括第二基底基板210、光屏蔽構(gòu)件220、保護層250以及共用電極270。

類似于第一基底基板110，第二基底基板210可以是絕緣基板。第二基底基板210可以包含具有高耐熱性的聚合物或塑料材料。在示例性實施方式中，第二基底基板210可以具有柔性。

光屏蔽構(gòu)件220可以布置在第二基底基板210的面向第一基底基板110的第一表面上。在示例性實施方式中，光屏蔽構(gòu)件220可以與柵極線121和TFT重疊，并且還可以與接觸孔CH重疊。光屏蔽構(gòu)件220可包括光屏蔽顏料(諸如碳黑)或不透明的材料(諸如Cr)。然而，本發(fā)明不限于此。就是說，在可替換的示例性實施方式中，光屏蔽構(gòu)件220可以設(shè)置在第一基板10上。

保護層250可以布置在第二基底基板210的第一表面上并且可以覆蓋光屏蔽構(gòu)件220。保護層250可以使由光屏蔽構(gòu)件220提供的高度差平坦化。在示例性實施方式中，可以不設(shè)置保護層250。

共用電極270可以布置在保護層250上。在示例性實施方式中，響應(yīng)于沒有設(shè)置保護層250，共用電極270可以布置在第二基底基板210和光屏蔽構(gòu)件220上。在示例性實施方式中，共用電極270可包括透明導(dǎo)電材料，諸如ITO或IZO。在示例性實施方式中，共用電極270可以布置在第二基底基板210的整個表面上。響應(yīng)于共用電壓施加到共用電極270，共用電極270可以與像素電極190一起生成電場。液晶層30中的液晶分子的取向可以根據(jù)電場的強度而變化，并且結(jié)果，可以控制顯示裝置1的光透射率。

間隔構(gòu)件CS可以布置在共用電極270的面向第一基板10的第一表面上。間隔構(gòu)件CS可以向著第一基板10突出，并且可以通過被放置成接觸第一基板10來保持第一基板10和第二基板20之間的間隙，但是本發(fā)明不限于此。在可替換的示例性實施方式中，間隔構(gòu)件CS可設(shè)置在第一基板10上。在示例性實施方式中，間隔構(gòu)件CS可包括有機絕緣材料并且可以具有感光性。

第二取向?qū)覣LM2可以布置在共用電極270的面向第一基板10的第一表面上以及間隔構(gòu)件CS上。在示例性實施方式中，第二取向?qū)覣LM2可以是垂直取向?qū)硬⑶铱砂ü饷舨牧稀?/p>

響應(yīng)于像素電極190包括以幾微米的間隔隔開的并且限定在像素電極190中的多個分支電極或狹縫，用于提供分支電極或狹縫的精細圖案化工藝會不可避免地被執(zhí)行。在精細的圖案化工藝期間，應(yīng)力會施加至像素電極190的下面的層(例如鈍化層180c)，并且像素電極190的下面的層(例如鈍化層180c)的折射率或透射率會由于應(yīng)力而部分地改變。結(jié)果，顯示裝置1的顯示質(zhì)量可能降低。在示例性實施方式中，包括第一子像素電極191和第二子像素電極193的像素電極190不具有限定在第二子像素電極193中的以幾微米的間隔隔開的分支電極或狹縫，并且施加到像素電極190的下面的層(例如鈍化層180c)的應(yīng)力可以降低。結(jié)果，可以防止顯示裝置1的顯示質(zhì)量下降。

圖11是示出使用預(yù)聚物使液晶分子具有預(yù)傾斜角的處理的截面圖，預(yù)聚物可以通過諸如紫外(“UV”)光的光來聚合。

參考圖11，在第一基板10(參見圖2和圖3)和第二基板20(參見圖2和圖3)之間注入預(yù)聚物33和液晶材料，并且具體地，預(yù)聚物33與液晶材料一起注入共用電極270和像素電極190之間。預(yù)聚物33可以是反應(yīng)性介晶，反應(yīng)性介晶一旦暴露于光(諸如UV光)就引起聚合反應(yīng)。

此后，數(shù)據(jù)電壓施加至像素電極190，并且共用電壓施加至共用電極270，從而在像素電極190和共用電極270之間生成電場。在像素電極190和共用電極270之間生成的電場會施加至液晶層30，并且響應(yīng)于該電場，液晶層30中的液晶分子31會沿特定方向傾斜。

如果光(諸如UV光)照射液晶層30中沿特定方向傾斜的液晶分子31，預(yù)聚物33會引起聚合反應(yīng)，并且結(jié)果，可以提供預(yù)傾斜設(shè)置聚合物(pretilt-providing polymer)35。由于預(yù)傾斜設(shè)置聚合物35，液晶分子31的取向方向可被確定使得液晶分子31可以具有沿特定方向(例如向著突出部SP的方向)的預(yù)傾斜角。因此，即使在沒有電壓施加至像素電極190和共用電極270時，液晶分子31也可以被取向為具有預(yù)傾斜角。

圖12是沿著圖1的線C-C'截取的具有圖1的第一基板10的顯示裝置1的截面圖。

參考圖1至圖4以及圖12，像素區(qū)域PEA可以被突出部SP分為四個區(qū)(或四個域)。四個區(qū)可包括：其中相對于第三子像素電極195，第一子像素電極191和第三子像素電極195彼此不重疊的區(qū)(在下文中，第一區(qū)SA1)、其中第一子像素電極191和第三子像素電極195彼此重疊的區(qū)(在下文中，第二區(qū)SA2)、以及占據(jù)除了第一區(qū)SA1和第二區(qū)SA2之外的像素區(qū)域PEA的區(qū)(在下文中，第三區(qū)SA3)。第三區(qū)SA3可包括其中第一子像素電極191與第二子像素電極193彼此重疊的區(qū)SA3b以及其中相對于第一子像素電極191第二子像素電極193和第三子像素電極195彼此不重疊的區(qū)SA3a。

共用電壓施加至共用電極270。響應(yīng)于包括柵極電極124、半導(dǎo)體層154、源極電極173和漏極電極175的TFT導(dǎo)通，相同的數(shù)據(jù)電壓被施加至第一子像素電極191和第二子像素電極193。浮置的第三子像素電極195與第一子像素電極191部分地重疊，并且因此，電容可以在第二區(qū)SA2中設(shè)置在第三子像素電極195和第一子像素電極191之間。就是說，電容器布置在第二區(qū)SA2中，并且電容器具有彼此重疊的第三子像素電極195和第一子像素電極191作為其的兩個端子并且具有鈍化層180c作為其的介電元件。因此，在電容器中充電的電壓可以提供至第二區(qū)SA2中的第三子像素電極195。

由于第三子像素電極195在第一區(qū)SA1中與第一子像素電極191不重疊，與第三子像素電極195在第二區(qū)SA2中的部分相比，更低的電壓提供給第三子像素電極195在第一區(qū)SA1中的部分。因此，提供給第三子像素電極195在第二區(qū)域SA2中的部分的電壓低于施加至第一子像素電極191和第二子像素電極193的數(shù)據(jù)電壓，并且提供給第三子像素電極195在第一區(qū)SA1中的部分的電壓低于提供給第三子像素電極195在第二區(qū)SA2中的部分的電壓。

在共用電極270和像素電極190之間生成的電場在第一區(qū)SA1中可以是最弱的并且在第三區(qū)SA3中可以是最強的。在第二區(qū)SA2中的電場可以強于在第一區(qū)SA1中的電場，并且可弱于在第三區(qū)SA3中的電場。就是說，在第一區(qū)SA1、第二區(qū)SA2以及第三區(qū)SA3中提供給液晶分子31的電場的強度可以互不相同。因此，在第一區(qū)SA1中的液晶分子31的傾斜角θ1、在第二區(qū)SA2中的液晶分子31的傾斜角θ2以及在第三區(qū)SA3中的液晶分子31的傾斜角θ3可以互不相同。更具體地，在第一區(qū)SA1中的液晶分子31的傾斜角θ1可以小于在第二區(qū)SA2中的液晶分子31的傾斜角θ2，并且在第二區(qū)SA2中的液晶分子31的傾斜角θ2可以小于在第三區(qū)SA3中的液晶分子31的傾斜角θ3。由于液晶分子31的傾斜角從第一區(qū)SA1到第二區(qū)SA2到第三區(qū)SA3變化，所以像素區(qū)域PEA的亮度會從第一區(qū)SA1到第二區(qū)SA2到第三區(qū)SA3變化。由于像素區(qū)域PEA被分成了多個域，并且每一個域被分成了具有不同亮度的區(qū)，所以顯示裝置1的側(cè)面可視性可被改善到接近顯示裝置1的正面可視性。

在第一子像素電極191與第二子像素電極193彼此重疊的第三區(qū)SA3的區(qū)SA3b中，在第二子像素電極193和共用電極270之間生成電場，并且在第一子像素電極191與第二子像素電極193和第三子像素電極195不重疊的第三區(qū)SA3的區(qū)SA3a中，在第一子像素電極191和共用電極270之間生成電場。相同的數(shù)據(jù)電壓可以被施加至第二子像素電極193和第一子像素電極191，但是由于第二子像素電極193和共用電極270之間的距離小于第一子像素電極191和共用電極270之間的距離，所以在第一子像素電極191與第二子像素電極193彼此重疊的第三區(qū)SA3的區(qū)SA3b中的電場，比在第一子像素電極191與第二子像素電極193和第三子像素電極195不重疊的第三區(qū)SA3的區(qū)SA3a中的電場更強。因此，第三區(qū)SA3的區(qū)SA3a與區(qū)SA3b中的液晶分子31的傾斜角可以彼此不同。因此，顯示裝置1的側(cè)面可視性可以得到進一步提高。

由于在顯示裝置1中，施加相同的數(shù)據(jù)電壓至第一子像素電極191和第二子像素電極193，所以不需要第一子像素電極191和第二子像素電極193在平面圖中彼此隔離。因此，可以防止當(dāng)在第一子像素電極191和第二子像素電極193之間有間隙時可能發(fā)生的顯示裝置1的透射率降低。

在隨后的描述中，與在上述示例性實施方式中相同的部分或元件被給予相同的參考標號，并且將省略其詳細描述，以更關(guān)注與上述示例性實施方式的差別。

圖13是圖3的顯示裝置1的示例性實施方式的截面圖。

參考圖13，除了第一基板10a，并且具體地除了突出部SP1之外，顯示裝置2可以與從圖1至圖4的顯示裝置1大致相同或至少相似。

突出部SP1可以布置在第一基底基板110和絕緣層230之間。在示例性實施方式中，突出部SP1可以直接布置在柵極絕緣層140上，并且介于柵極絕緣層140和下鈍化層180a之間。

突出部SP1可包括第一突出圖案177、第二突出圖案167以及第三突出圖案157。第三突出圖案157可以直接布置在柵極絕緣層140上，第二突出圖案167可以直接布置在第三突出圖案157上，并且第一突出圖案177可以直接布置在第二突出圖案167上。在示例性實施方式中，例如，第一突出圖案177、第二突出圖案167以及第三突出圖案157在平面圖中可以是十字形的。

第一突出圖案177可以布置在與布置數(shù)據(jù)線171、源極電極173以及漏極電極175的層相同的層上，并且可包括與數(shù)據(jù)線171、源極電極173以及漏極電極175的材料相同的材料。在示例性實施方式中，第一突出圖案177、數(shù)據(jù)線171、源極電極173以及漏極電極175可以通過單掩模工藝設(shè)置。在示例性實施方式中，第一突出圖案177可以與數(shù)據(jù)線171、源極電極173以及漏極電極175電隔離和物理隔離。換言之，第一突出圖案177可以不電連接至數(shù)據(jù)線171、源極電極173以及漏極電極175，并且還可以在不接觸數(shù)據(jù)線171、源極電極173以及漏極電極175的情況下與數(shù)據(jù)線171、源極電極173以及漏極電極175物理隔離。

類似地，第二突出圖案167可以布置在與布置源極歐姆接觸構(gòu)件163(參見圖2)、漏極歐姆接觸構(gòu)件165(參見圖2)以及數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161的層相同的層上，并且可包括與源極歐姆接觸構(gòu)件163、漏極歐姆接觸構(gòu)件165以及數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161的材料相同的材料。在示例性實施方式中，第二突出圖案167、源極歐姆接觸構(gòu)件163、漏極歐姆接觸構(gòu)件165以及數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161可以通過單掩模工藝設(shè)置，并且第二突出圖案167可以與源極歐姆接觸構(gòu)件163、漏極歐姆接觸構(gòu)件165以及數(shù)據(jù)歐姆接觸構(gòu)件161電隔離和物理隔離。

類似地，第三突出圖案157可以布置在與布置半導(dǎo)體層154(參見圖2)以及半導(dǎo)體圖案151的層相同的層上，并且可包括與半導(dǎo)體層154和半導(dǎo)體圖案151的材料相同的材料。在示例性實施方式中，第三突出圖案157、半導(dǎo)體層154以及半導(dǎo)體圖案151可以通過單掩模工藝設(shè)置。在示例性實施方式中，第三突出圖案157可以與半導(dǎo)體層154和半導(dǎo)體圖案151電隔離和物理隔離。響應(yīng)于第三突出圖案157包括氧化物半導(dǎo)體，可以不設(shè)置第二突出圖案167。

突出部SP1中包括的第一突出圖案177、第二突出圖案167以及第三突出圖案157中的至少一個可以是可選的。在示例性實施方式中，例如，突出部SP1可以僅包括選自于第一突出圖案177、第二突出圖案167以及第三突出圖案157之中的一個或兩個。

圖14是圖3的顯示裝置1的示例性實施方式的截面圖。

參考圖14，除了第一基板10b并且具體地除了突出部SP2之外，顯示裝置3可以與從圖1至圖4的顯示裝置1大致相同或至少相似。

突出部SP2可以布置在第一基底基板110和絕緣層230之間。在示例性實施方式中，突出部SP2可以直接布置在下鈍化層180a上并且介于下鈍化層180a和絕緣層230之間。

突出部SP2可包括突出圖案187，并且突出圖案187在平面圖中可以是十字形的。

突出圖案187可包括絕緣材料，并且該絕緣材料可以是有機絕緣材料或無機絕緣材料。

在示例性實施方式中，突出圖案187可包括有機絕緣材料并且可包括顏色顏料。在示例性實施方式中，例如，響應(yīng)于絕緣層230包括第一顏色顏料，突出圖案187可包括不同于第一顏色顏料的第二顏色顏料。在示例性實施方式中，例如，第二顏色顏料可以與在相鄰絕緣層231中包括的顏色顏料相同，在這種情況下，相鄰絕緣層231和突出圖案可以通過單掩模工藝設(shè)置。然而，本發(fā)明不限于此。就是說，在可替換的示例性實施方式中，響應(yīng)于絕緣層230包括第一顏色顏料，突出圖案187也可包括第一顏色顏料。

在其他示例性實施方式中，突出圖案187可包括與下鈍化層180a的材料相同的材料，并且可以與下鈍化層180a設(shè)置在一個主體中。用于提供突出圖案187的材料沒有具體限制，但是可以改變。

圖15是圖3的顯示裝置1的示例性實施方式的截面圖。

參考圖15，除了第一基板10c，并且具體地除了突出部SP3之外，顯示裝置4可以與從圖1至圖4的顯示裝置1大致相同或至少相似。

突出部SP3可以布置在絕緣層230上。在示例性實施方式中，突出部SP3可以直接布置在絕緣層230上，并且介于鈍化層180c和絕緣層230之間。

突出部SP3可包括突出圖案237，并且突出圖案237在平面圖中可以是十字形的。

突出圖案237可包括絕緣材料，并且該絕緣材料可以是有機絕緣材料或無機絕緣材料。

在示例性實施方式中，突出圖案237可包括有機絕緣材料并且可包括顏色顏料。在示例性實施方式中，例如，響應(yīng)于絕緣層230包括第一顏色顏料，突出圖案237也可包括第一顏色顏料。在示例性實施方式中，突出圖案237可包括與絕緣層230的材料相同的材料，并且可以與絕緣層230設(shè)置在一個主體中。絕緣層230和突出圖案237可以通過使用單掩模(諸如狹縫掩?；虬肷{(diào)掩模)的單光刻工藝來設(shè)置。

圖16是圖3的顯示裝置1的示例性實施方式的截面圖。

參考圖16，除了第一基板10d，并且具體地除了突出部SP4之外，顯示裝置5可以與從圖1至圖4的顯示裝置1大致相同或至少相似。

突出部SP4可以布置在鈍化層180c上。在示例性實施方式中，突出部SP4可以直接布置在鈍化層180c上，并且介于鈍化層180c和第二子像素電極193之間。

突出部SP4可包括突出圖案257，并且突出圖案257在平面圖中可以是十字形的。

突出圖案257可包括絕緣材料，并且該絕緣材料可以是有機絕緣材料或無機絕緣材料。在可替換的示例性實施方式中，突出圖案257可包括透明導(dǎo)電材料。在示例性實施方式中，突出圖案257可包括與鈍化層180c的材料相同的材料，并且可以與鈍化層180c設(shè)置在一個主體中。

圖17是圖3的顯示裝置1的示例性實施方式的截面圖。

參考圖17，除了第一基板10e，并且具體地除了突出部SP5之外，顯示裝置6可以與從圖1至圖4的顯示裝置1大致相同或至少相似。

突出部SP5可以是圖3的突出部SP和圖13的突出部SP1的組合。在示例性實施方式中，例如，突出部SP5可包括選自于布置在柵極絕緣層140和下鈍化層180a之間的第一突出圖案177、第二突出圖案167以及第三突出圖案157之中的至少一個以及布置在第一基底基板110和柵極絕緣層140之間的突出圖案127。

除了本文中所闡述的那些形狀外，顯示裝置1的突出部SP可以具有各種形狀。在示例性實施方式中，例如，顯示裝置1的突出部SP可以是選自于圖3的突出部SP、圖13的突出部SP1、圖14的突出部SP2、圖15的突出部SP3以及圖16的突出部SP4之中的至少兩個的組合。

圖18是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式的顯示裝置的第一基板(并且具體地，像素)的平面圖。

參考圖18，除了在第三子像素電極195中限定開口OP之外，顯示裝置7可以與從圖1至圖12的顯示裝置1大致相同或至少相似，并且因此在下文描述中，將主要關(guān)注與圖1至圖12的顯示裝置1的差別。

開口OP可以沿著布置在像素區(qū)域PEA中的像素電極190的邊緣來限定，并且具體地沿著第三子像素電極195的邊緣來限定?？梢韵薅ǘ嘤谝粋€的開口OP，以提供相對于十字形的突出部SP的對稱性。在示例性實施方式中，每一個開口OP中的內(nèi)邊(inner sides)OPE可以在平面圖中限定閉環(huán)。

響應(yīng)于共用電壓被施加至共用電極270以及電壓被施加至第三子像素電極195，在限定了開口OP所在的區(qū)域中不會生成邊緣場。因此，可以通過開口OP控制施加至像素電極190的邊緣的邊緣場的強度。當(dāng)沿著像素電極190的邊緣的液晶分子垂直于像素電極190的邊緣傾斜時，顯示裝置7的顯示質(zhì)量可能劣化。然而，由于在顯示裝置7中，限定了開口OP，所以可以控制施加至像素電極190的邊緣的邊緣場的強度，并且結(jié)果，可以防止顯示裝置7的顯示質(zhì)量的劣化。

圖19是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的顯示裝置的第一基板(并且具體地，像素)的平面圖，圖20是包括在圖19的第一基板中的第一子像素電極的平面圖，圖21是示出包括在圖19的第一基板中的第一子像素電極與突出部如何彼此重疊的平面圖，并且圖22是示出包括在圖19的第一基板中的第一子像素電極與第二子像素電極如何彼此重疊，以及包括在圖19的第一基板中的第一子像素電極與第三子像素電極如何彼此重疊的平面圖。

參考圖19至圖22，除了像素電極190-1，并且具體地除了第一子像素電極191-1之外，顯示裝置8可以與從圖1至圖12的顯示裝置1大致相同或至少相似，并且因此在下文描述中，將主要關(guān)注與圖1至圖12的顯示裝置1的差別。

第一子像素電極191-1可包括第一子平板電極191-1a、第一連接電極191-1b、第二子平板電極191-1c以及第一主干電極191-1d。第一子平板電極191-1a、第二子平板電極191-1c以及第一主干電極191-1d可以布置在像素區(qū)域PEA中，并且第一連接電極191-1b可以部分布置在像素區(qū)域PEA中并且可以延伸到像素區(qū)域PEA的外部。

第一主干電極191-1d是連接第一子平板電極191-1a與第二子平板電極191-1c的電極。在示例性實施方式中，第一主干電極191-1d可以與數(shù)據(jù)線171大致平行。

第一子平板電極191-1a可以連接至第一主干電極191-1d的第一端部。第一子平板電極191-1a可以相對于第一主干電極191-1d對稱。在示例性實施方式中，第一子平板電極191-1a可以成兩個平行四邊形的組合的形狀。

第二子平板電極191-1c可以連接至第一主干電極191-1d的第二端部。第二子平板電極191-1c可以相對于第一主干電極191-1d對稱。在示例性實施方式中，第二子平板電極191-1c可以成兩個平行四邊形的組合的形狀。

在示例性實施方式中，第一子平板電極191-1a與第二子平板電極191-1c可以相對于突出部SP的水平主干部對稱。

連接至第一子平板電極191-1a的第一連接電極191-1b可以延伸到像素區(qū)域PEA的外部。第一連接電極191-1b可以物理連接和電連接至第二子像素電極193，并且可以電連接至漏極電極175。在示例性實施方式中，第一連接電極191-1b在像素區(qū)域PEA中的一部分可以與數(shù)據(jù)線171大致平行。

第一子像素電極191-1可以具有與突出部SP重疊的一部分(在下文中，第一重疊部OL11a)。在示例性實施方式中，例如，響應(yīng)于第一子像素電極191-1包括第一子平板電極191-1a、第一連接電極191-1b、第二子平板電極191-1c以及第一主干電極191-1d，第一重疊部OL11a可以設(shè)置在第一子平板電極191-1a、第一連接電極191-1b、第二子平板電極191-1c以及第一主干電極191-1d中。換言之，第一子平板電極191-1a和第二子平板電極191-1c可以與突出部SP至少部分地重疊，并且第一連接電極191-1b和第一主干電極191-1d可以與突出部SP重疊。然而，本發(fā)明不限于此。就是說，第一重疊部OL11a的位置可以根據(jù)突出部SP的形狀或大小而變化。

第一子像素電極191-1可以具有與第二子像素電極193重疊的一部分(在下文中，第二重疊部OL11b)。

在示例性實施方式中，例如，響應(yīng)于第一子像素電極191-1包括第一子平板電極191-1a、第一連接電極191-1b、第二子平板電極191-1c和第一主干電極191-1d且第二子像素電極193包括第二平板電極193a和第二連接電極193b，第二重疊部OL11b可以設(shè)置在第一子平板電極191-1a、第一連接電極191-1b、第二子平板電極191-1c以及第一主干電極191-1d中。第二重疊部OL11b在第一子平板電極191-1a和第二子平板電極191-1c中的部分可以是與第二平板電極193a部分地重疊的部分。換言之，第一子平板電極191-1a與第二平板電極193a可以彼此部分地重疊，并且第二子平板電極191-1c與第二平板電極193a可以彼此部分地重疊。

第二重疊部OL11b在第一連接電極191-1b和第一主干電極191-1d中的部分可以是與第二連接電極193b部分地重疊的部分。換言之，第一連接電極191-1b與第二連接電極193b可以彼此部分地重疊，并且第一主干電極191-1d與第二連接電極193b可以彼此部分地重疊。

第一子像素電極191-1可以具有與第三子像素電極195重疊的一部分(在下文中，第三重疊部OL11c、OL11d以及OL11e)。

在示例性實施方式中，例如，響應(yīng)于第一子像素電極191-1包括第一子平板電極191-1a、第一連接電極191-1b、第二子平板電極191-1c和第一主干電極191-1d且第三子像素電極195包括第一浮置電極195a、第二浮置電極195b和第三浮置電極195c，第三重疊部OL11c、OL11d以及OL11e可包括第一子重疊部OL1c、第二子重疊部OL1d以及第三子重疊部OL1e。

第一子重疊部OL1c可以是第二子平板電極191-1c的與第一浮置電極195a重疊的一部分，第二子重疊部OL1d可以是第一子平板電極191-1a的與第二浮置電極195b重疊的一部分，并且第三子重疊部OL1e可以是第一子平板電極191-1a的與第三浮置電極195c重疊的一部分。換言之，第一浮置電極195a與第二子平板電極191-1c可以彼此部分地重疊，并且第二浮置電極195b和第三浮置電極195c中的每一個與第一子平板電極191-1a可以彼此部分地重疊。

可以以各種方式確定第三子像素電極195的整個面積與第三重疊部OL11c、OL11d以及OL11e的整個面積的比例，并且通過這樣做，可以調(diào)節(jié)提供給第三子像素電極195的電壓的電平。

圖23是根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施方式的顯示裝置的第一基板(并且具體地，像素)的平面圖。

參考圖23，除了在第三子像素電極195中限定開口OP之外，顯示裝置9與從圖19至圖22中的顯示裝置8大致相同或至少相似。

開口OP可以沿著布置在像素區(qū)域PEA中的像素電極190-1的邊緣來限定，并且具體地沿著第三子像素電極195的邊緣來限定?？梢韵薅ǘ嘤谝粋€的開口OP，以提供相對于十字形的突出部SP的對稱性。在示例性實施方式中，每一個開口OP的內(nèi)邊OPE可以在平面圖中限定閉環(huán)。

如以上參考圖23所討論的，由于在顯示裝置9中，限定了開口OP，可以控制施加至像素電極190-1的邊緣的邊緣場的強度，并且結(jié)果，可以防止顯示裝置9的顯示質(zhì)量的劣化。

除本文中所闡述的那些形狀以外，圖19至圖22或圖23的顯示裝置8或顯示裝置9的突出部SP可以具有各種形狀。在示例性實施方式中，例如，顯示裝置8或顯示裝置9的突出部SP可以與圖3的突出部SP具有相同的結(jié)構(gòu)，或可以與圖13的突出部SP1、圖14的突出部SP2、圖15的突出部SP3以及圖16的突出部SP4中的一個突出部具有相同的結(jié)構(gòu)。在可替換的示例性實施方式中，顯示裝置8或顯示裝置9的突出部SP可以是選自于圖3的突出部SP、圖13的突出部SP1、圖14的突出部SP2、圖15的突出部SP3以及圖16的突出部SP4之中的至少兩個的組合。

參考附圖已描述了本發(fā)明的示例性實施方式。然而，本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將理解的是，可以對所公開的實施方式做出許多變化以及變形而實質(zhì)上不背離本發(fā)明的原理。因此，本發(fā)明的所公開的實施方式僅在一般和描述性的意義上使用，并且不用于限制的目的。