本發(fā)明涉及一種包含非導(dǎo)電區(qū)域和導(dǎo)電區(qū)域的透明導(dǎo)電層。本發(fā)明還涉及包含該層的圖案化透明導(dǎo)電膜和用于制造這種膜的方法。包含透明導(dǎo)電層的圖案化透明導(dǎo)電膜例如用于平面液晶顯示器、觸摸屏、電致發(fā)光器件、薄膜光伏電池、抗靜電層以及電磁波屏蔽層中。透明導(dǎo)電層通常是復(fù)合材料，其包括光學(xué)透明的連續(xù)固相和導(dǎo)電納米物的導(dǎo)電網(wǎng)，其延伸貫穿整個(gè)固相。固相也稱為基體，由一種或多種光學(xué)透明聚合物形成。基體結(jié)合層內(nèi)的導(dǎo)電納米物，填充導(dǎo)電納米物之間的空隙，為層提供機(jī)械完整性和穩(wěn)定性，并將層結(jié)合到基質(zhì)表面。導(dǎo)電納米物的導(dǎo)電網(wǎng)允許電流在層內(nèi)相鄰和重疊的導(dǎo)電納米物之間流動(dòng)。由于納米物的尺寸小，它們對復(fù)合材料的光學(xué)行為的影響非常小，從而允許形成光學(xué)透明的復(fù)合材料，即根據(jù)astmd1003測量在可見光區(qū)域(400至700nm)具有80％或更多透光性的復(fù)合材料。透明導(dǎo)電層及其生產(chǎn)方法例如在wo-a2013/095971中公開。為了制造透明電導(dǎo)體，將導(dǎo)電層設(shè)置在透明基質(zhì)上。導(dǎo)電層包括多個(gè)互連金屬納米線和聚合物外涂層。在導(dǎo)電層中形成圖案，其中圖案包括由電絕緣跡線分隔的導(dǎo)電區(qū)域。通過用激光照射產(chǎn)生跡線，其中去除導(dǎo)電層的材料。因此，跡線在導(dǎo)電層中作為谷形成。谷的深度在10至100nm的范圍內(nèi)，橫截面寬度在10至1000μm的范圍內(nèi)。谷還包括深度在50至100nm范圍內(nèi)的多個(gè)縫隙。在us-a2007/0074316或us-b8,018,568中公開了包含聚合物基體和導(dǎo)電納米線的其它透明導(dǎo)電層。在導(dǎo)電區(qū)域中，納米線互連。非導(dǎo)電區(qū)域通過使用光固化基體材料的蝕刻或光圖案化形成。然而，蝕刻非導(dǎo)電區(qū)域具有必須使用多步濕化學(xué)的缺點(diǎn)。此外，以及在光圖案化中，圖案可以是可見的。wo-a2013/095971中公開的方法的缺點(diǎn)在于納米線的金屬蒸發(fā)并再沉積在由激光照射的點(diǎn)的邊緣上，形成數(shù)十微米大小的高反射點(diǎn)或圓。因此，照射區(qū)域的濁度、透明度和反射度可能存在顯著變化，這意味著該圖案也是可見的。所有已知方法的另一個(gè)缺點(diǎn)是不可能由于生產(chǎn)過程而產(chǎn)生光滑的表面。因此，本發(fā)明的目的是提供一種透明導(dǎo)電層，其中圖案不可見，并且還具有光滑的表面。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種圖案化的透明膜和這種透明導(dǎo)電膜的制造方法。該目的通過包括非導(dǎo)電區(qū)域和導(dǎo)電區(qū)域的透明導(dǎo)電層來實(shí)現(xiàn)，其中導(dǎo)電區(qū)域包括導(dǎo)電納米物的互連網(wǎng)，并且在非導(dǎo)電區(qū)域中，納米物被轉(zhuǎn)化成顆粒，并且其中導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域的厚度差小于10nm。關(guān)于本發(fā)明，術(shù)語“顆?！笔侵讣{米線已被轉(zhuǎn)化到其中的納米線的球體或短段。本發(fā)明還涉及一種圖案化的透明導(dǎo)電膜，其包括基質(zhì)和基質(zhì)上的導(dǎo)電層。為了實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電膜，其上施用了油墨的基質(zhì)是光學(xué)透明的。基質(zhì)優(yōu)選由玻璃、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、環(huán)烯烴聚合物、聚酰亞胺或聚甲基丙烯酸甲酯制成。根據(jù)本發(fā)明，在非導(dǎo)電區(qū)域中已經(jīng)轉(zhuǎn)化為顆粒的納米物保留在該層中，其中在轉(zhuǎn)化期間產(chǎn)生的顆粒保持在納米線已經(jīng)存在的相同位置。這樣做的優(yōu)點(diǎn)在于不需要從形成非導(dǎo)電區(qū)域的透明導(dǎo)電層的那些部分去除材料。因此，導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域的光學(xué)特性在很大程度上是相似的。導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域由其薄層電阻限定。薄層電阻是厚度均勻的片材的電阻的量度。術(shù)語“薄層電阻”意味著電流是沿著薄片的平面而不是垂直于它。對于具有厚度t，長度l和寬度w的薄片，電阻r為其中rsh是薄層電阻。因此，薄層電阻rsh是在上述公式中，體積電阻r乘以無量綱(w/l)以獲得薄層電阻rsh，因此薄層電阻單位為歐姆。為了避免與體電阻r的混淆，薄層電阻的值通常表示為“歐姆每平方”，因?yàn)樵谔囟ㄇ闆r下，方形薄片應(yīng)用w＝l和rsh＝r。薄層電阻例如通過四點(diǎn)探針測量。在優(yōu)選實(shí)施方案中，非導(dǎo)電區(qū)域和導(dǎo)電區(qū)域中的薄層電阻的比大于1000。在特別優(yōu)選的實(shí)施方案中，非導(dǎo)電區(qū)域和導(dǎo)電區(qū)域中的薄層電阻的比大于10000。非導(dǎo)電區(qū)域的薄層電阻優(yōu)選大于100,000歐姆每平方(ops)，更優(yōu)選大于1,000,000ops，特別是大于10,000,000ops。導(dǎo)電區(qū)域的薄層電阻優(yōu)選小于1000ops，更優(yōu)選在5至500ops的范圍內(nèi)，特別是在10至100ops的范圍內(nèi)。在優(yōu)選實(shí)施方案中，非導(dǎo)電區(qū)域和導(dǎo)電區(qū)域的透光率差小于5％。特別優(yōu)選的是，非導(dǎo)電區(qū)域和導(dǎo)電區(qū)域的透光率差小于0.5％。透光率是指透過介質(zhì)的入射光的百分?jǐn)?shù)。根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電區(qū)域的透光率至少為80％，根據(jù)astmd1003測量(程序a)。更優(yōu)選地，透光率在每種情況下根據(jù)astmd1003(程序a)測量為至少85％，進(jìn)一步優(yōu)選至少90％，特別優(yōu)選至少95％。非導(dǎo)電區(qū)域和導(dǎo)電區(qū)域的濁度差優(yōu)選小于0.5％。特別優(yōu)選濁度差小于0.01％。透明導(dǎo)電層的導(dǎo)電區(qū)域的濁度優(yōu)選為2％或更低，更優(yōu)選為1.8％或更低，進(jìn)一步優(yōu)選為1.5％或更低，特別優(yōu)選為1.2％，每種情況下根據(jù)astmd1003(程序a)測量。通過濁度計(jì)測量濁度和透光率(在astmd1003中稱為光透射比，其是透過物體的光通量與入射到其上的光通量的比)在astmd1003中被定義為“程序a–濁度計(jì)”。在本發(fā)明上下文中給出的濁度和透光率值(對應(yīng)于astmd1003中定義的光透射比)是指該程序。通常，濁度是光擴(kuò)散的指標(biāo)。它是指從入射光分離出來的且在傳播過程中分散的光量的百分?jǐn)?shù)。它通常是由表面粗糙度和介質(zhì)中的嵌入顆粒或組成不均勻性導(dǎo)致的。根據(jù)astmd1003，在透射中，濁度是相比于通過所述試樣觀察的物體降低的樣品的光的散射，即散射使得其方向偏離入射光束方向大于指定角度(2.5°)的透射光的百分?jǐn)?shù)。關(guān)于本發(fā)明的納米物是具有一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)納米級外部尺寸的物體，即在大約1nm到100nm的尺寸范圍內(nèi)的物體。用于本發(fā)明的導(dǎo)電納米物是具有1nm至100nm范圍內(nèi)的兩個(gè)外部尺寸和1μm至100μm范圍內(nèi)的第三外部尺寸的導(dǎo)電納米物。通常，在1nm至100nm范圍內(nèi)的所述兩個(gè)外部尺寸相似，即它們的尺寸相差小于三倍。導(dǎo)電納米物的第三尺寸顯著更大，即，與其它兩個(gè)外部尺寸相差大于三倍。這樣的納米物也稱為納米纖維。本發(fā)明中使用的導(dǎo)電納米物優(yōu)選為納米線或納米管。納米線是導(dǎo)電納米纖維，納米管是空心納米纖維。用于本發(fā)明的導(dǎo)電納米物通常具有接近圓形的橫截面。所述橫截面垂直于在1μm至100μm范圍內(nèi)的所述外部尺寸延伸。因此，納米級的所述兩個(gè)外部尺寸被所述圓形橫截面的直徑所抵消。垂直于所述直徑延伸的所述第三外部尺寸被稱為長度。優(yōu)選導(dǎo)電納米物的長度為1μm-100μm，更優(yōu)選為3μm-50μm，特別優(yōu)選為10μm-50μm。導(dǎo)電納米物的直徑優(yōu)選為1nm-100nm，更優(yōu)選為2nm-50nm，特別優(yōu)選為3nm-30nm。為了提供足夠的導(dǎo)電性，導(dǎo)電納米物由金屬或碳制成。優(yōu)選地，導(dǎo)電納米物由銀、銅、金、鉑、鈀、鎳或碳制成。在導(dǎo)電納米物由金屬，優(yōu)選為銀、銅、金、鉑、鈀或鎳制成的情況下，納米物優(yōu)選為納米線。在導(dǎo)電納米物由碳制成的情況下，納米物優(yōu)選為納米管。特別優(yōu)選地，納米物是銀納米線、金納米線或銅納米線，特別是銀納米線。在透明導(dǎo)電層的導(dǎo)電區(qū)域中，納米物互連。納米物的量使得互連納米物接觸。由于納米物的接觸，電流可以在導(dǎo)電區(qū)域中流動(dòng)。另一方面，在非導(dǎo)電區(qū)域中，納米物轉(zhuǎn)化成顆粒。顆粒彼此不接觸，因此沒有電流可流動(dòng)。納米物轉(zhuǎn)化成的顆粒具有對應(yīng)于納米顆粒橫截面的橫截面。顆粒的橫截面的直徑在1至100nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在2至50nm的范圍內(nèi)。顆粒的長度在1nm至1μm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在2nm至500nm的范圍內(nèi)。為了提供透明導(dǎo)電層，將納米物嵌入透明基體中?；w材料通常是透明聚合物，例如羥丙基甲基纖維素、結(jié)晶纖維素、聚(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的共聚物、苯乙烯和(甲基)丙烯酸酯的共聚物、羧甲基纖維素、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯磺酸、葡聚糖或其混合物。本發(fā)明的另一個(gè)目的是通過制造圖案化透明導(dǎo)電膜的方法實(shí)現(xiàn)的，所述方法包括：(a)將包含導(dǎo)電納米物和粘合劑的油墨施加在基質(zhì)上，形成層；(b)將該層干燥；(c)通過用激光照射將層圖案化，圖案包括導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域，其中在非導(dǎo)電區(qū)域中，導(dǎo)電納米物轉(zhuǎn)化成顆粒。施加在基質(zhì)上的油墨包括如上所述的導(dǎo)電納米物、粘合劑和通常另外的溶劑。合適的導(dǎo)電納米物在本領(lǐng)域中是已知的并且可商購。由金屬制成的納米線例如銀納米線通常以水分散體的形式市售，其中聚乙烯吡咯烷酮吸附在納米線的表面上以使分散體穩(wěn)定。吸附在納米線表面上的任何物質(zhì)都不包括在上述規(guī)定的導(dǎo)電納米物的尺寸和組成中。包含在油墨中的粘合劑通過干燥形成透明導(dǎo)電層基體。為了提供可以施加到基質(zhì)上的油墨，選擇溶劑使得粘合劑可溶于溶劑中。由于納米線不溶，所以納米線分散在包含溶解的粘合劑的溶劑中。粘合劑對應(yīng)于如上所述的透明導(dǎo)電層的基體材料，優(yōu)選選自羥丙基甲基纖維素、結(jié)晶纖維素、聚(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的共聚物、苯乙烯和(甲基)丙烯酸酯的共聚物、羧甲基纖維素、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯磺酸、葡聚糖或其混合物。在粘合劑為聚(甲基)丙烯酸酯、包含(甲基)丙烯酸酯的共聚物如丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的共聚物或苯乙烯和(甲基)丙烯酸酯的共聚物的情況下，溶劑優(yōu)選為水。這里，術(shù)語“(甲基)丙烯酸酯”包括“丙烯酸酯”和“甲基丙烯酸酯”。然而，如果使用不溶于水的聚合物作為粘合劑，則溶劑優(yōu)選為有機(jī)溶劑。優(yōu)選地，溶劑選自水、醇、酮、醚、烴或芳族溶劑。合適的芳族溶劑是例如苯、甲苯或二甲苯。然而，特別優(yōu)選粘合劑選自水溶性聚合物且溶劑是水。施加到基質(zhì)上的油墨優(yōu)選含有0.01-1重量％、優(yōu)選0.05-0.5重量％的導(dǎo)電納米物，0.02-5重量％、優(yōu)選0.1-1.5重量％的粘合劑和溶劑。作為選擇或另外，油墨包含分散在溶劑中的粘合劑。在這種情況下，粘合劑為數(shù)均分子量為25000g/mol以上的聚合物顆粒的形式。分散顆粒的平均直徑在10nm至1000nm的范圍內(nèi)。在另一可選實(shí)施方案中，粘合劑包含分散于水中的結(jié)晶纖維素纖維。結(jié)晶纖維素纖維的長度為80nm至300nm，直徑在5nm至30nm的范圍內(nèi)。除了聚(甲基)丙烯酸酯、包含(甲基)丙烯酸酯的共聚物如丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯的共聚物或苯乙烯和(甲基)丙烯酸酯的共聚物之外，粘合劑可以作為選擇或另外包含一種或多種選自羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚苯乙烯磺酸和葡聚糖的水溶性聚合物。上述粘合劑各自可作為單一粘合劑使用或與至少一種其它粘合劑組合使用。例如可以使用聚(甲基)丙烯酸酯或包含(甲基)丙烯酸酯的共聚物和結(jié)晶纖維素的混合物。例如在美國申請?zhí)?2/037630和美國申請?zhí)?2/037635中公開了合適的油墨。為了將油墨施加到基質(zhì)上，可以使用任何合適的印刷方法。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，包含導(dǎo)電納米線和粘合劑的油墨通過旋涂、刮涂、輥涂、凹版印刷、微凹版印刷、絲網(wǎng)印刷、柔性印刷和槽模涂布施加。優(yōu)選地，將油墨以1μm至200μm，優(yōu)選為2μm至60μm的厚度施加到基質(zhì)的表面。該厚度也稱為“濕厚度”，涉及通過干燥除去油墨的液體成分之前的狀態(tài)。對于給定的目標(biāo)厚度(如上所述除去組合物的液體組分之后)以及因此給定的待制備導(dǎo)電層的目標(biāo)薄層電阻和透光率，在油墨中濕厚度越高，組合物中固體組分的濃度越低。當(dāng)不需要使用特定的低濕度厚度時(shí)，有助于施加油墨的方法。在將油墨施加到基質(zhì)之后，將通過施加油墨形成的層干燥以除去溶劑并得到固體層。通過干燥由油墨形成的固體層優(yōu)選具有10nm至1000nm，優(yōu)選50nm至500nm的厚度。層的干燥優(yōu)選在20-200℃的溫度下進(jìn)行0.5-30分鐘。特別優(yōu)選在100-150℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行干燥。干燥過程的持續(xù)時(shí)間特別優(yōu)選在1至15分鐘的范圍內(nèi)。進(jìn)行干燥處理的溫度取決于所使用的溶劑、納米線的熔點(diǎn)和涂布方法。對于銀納米線，上限約為200℃。如果使用容易蒸發(fā)的溶劑，則可以使用較低的溫度，例如環(huán)境溫度。另一方面，如果溶劑在低溫下不蒸發(fā)或僅少量溶劑蒸發(fā)，則必須使用較高的溫度進(jìn)行層的干燥。為了加速干燥過程，干燥優(yōu)選在至少100℃的較高溫度下進(jìn)行。然而，當(dāng)通過輥涂(例如凹版印刷、柔性印刷和槽模涂布)將油墨施加到基質(zhì)上時(shí)，可以在環(huán)境條件下進(jìn)行層的干燥。干燥過程的持續(xù)時(shí)間取決于干燥溫度。選擇持續(xù)時(shí)間使得在干燥過程結(jié)束時(shí)，油墨中的殘留含濕量在規(guī)定值以下。為了達(dá)到所需的殘留含濕量，蒸發(fā)持續(xù)時(shí)間隨著相同溶劑的溫度降低而增加。在使用水作為溶劑的情況下，通常在100-150℃的溫度下干燥1至15分鐘。優(yōu)選選擇進(jìn)行干燥的氣氛使得在大氣的任何組分和油墨之間不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。進(jìn)行層的干燥的氣氛優(yōu)選包括空氣、氮?dú)饣蚨栊詺怏w如氬氣。特別優(yōu)選空氣或氮?dú)狻Ｔ谑┘佑湍痈稍镏?，通過用激光照射在該層中形成導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域的圖案。選擇激光器的操作條件使得導(dǎo)電納米物轉(zhuǎn)化成顆粒，并且層的材料盡可能少的蒸發(fā)。通過該操作條件，層的材料保留在層中，并且導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域之間的厚度、透光率和濁度之差盡可能小。用于轉(zhuǎn)化導(dǎo)電納米物的激光器可以是允許將納米物轉(zhuǎn)化為顆粒的任何激光器。合適的激光器例如是ir激光器或uv激光器。優(yōu)選地，在該方法中使用的激光器是光纖激光器。激光器可以在脈沖模式或連續(xù)波模式下操作。該圖案包括非導(dǎo)電線和由非導(dǎo)電線包圍的導(dǎo)電區(qū)域。非導(dǎo)電線的寬度優(yōu)選在10-1000μm的范圍內(nèi)，特別是在50-500μm的范圍內(nèi)。通過用激光照射以使導(dǎo)電納米物轉(zhuǎn)化成顆粒并保留在導(dǎo)電透明層中的形式形成非導(dǎo)電區(qū)域，非導(dǎo)電區(qū)域與導(dǎo)電區(qū)域之間的厚度差是在1至10nm的范圍內(nèi)，特別是在2至5nm的范圍內(nèi)。由于導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域的厚度差小，可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電透明層的光滑表面。這種光滑表面也有助于不可見圖案化和任何需要平坦化的后續(xù)工藝。通過上述方法制造的導(dǎo)電透明層和圖案化導(dǎo)電透明膜的濁度和透光率之差如上所述。下面通過實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明。結(jié)果另外顯示在附圖中。在附圖中：圖1顯示網(wǎng)格圖案；圖2(a)顯示具有指示afm掃描區(qū)域的矩形的光學(xué)圖像；圖2(b)顯示100μm×100μm的afm高度圖像；圖2(c)顯示afm剖面分析。圖3顯示激光處理的銀納米線層的sem圖像；圖4顯示圖3的激光處理的銀納米線層的細(xì)節(jié)。實(shí)施例實(shí)施例1：在玻璃基質(zhì)上制備銀納米線層將羥丙基甲基纖維素以1重量％的濃度溶解在水中。將溶解的羥丙基甲基纖維素和銀納米線在水中的分散體(0.5重量％)在水中混合，分別使得銀納米線的最終濃度為0.25重量％，羥丙基甲基纖維素和銀納米線的質(zhì)量比為1:2。納米線可從例如seashelltechnologies(sandiego，ca)獲得。將混合物以2000rpm在玻璃基質(zhì)上旋涂30秒。然后將層在130℃下干燥5分鐘。薄層厚度由4點(diǎn)探針臺(lucaslabpro-4)測量，光學(xué)性質(zhì)由bykhazegardplus測量。實(shí)施例2：在聚碳酸酯基質(zhì)上制備銀納米線層將具有35％固體含量的苯乙烯丙烯酸共聚物水溶液(可由basfse以60得到)在水中稀釋至20重量％的濃度。將丙烯酸2-乙基己基酯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(可由basfse公司以lr9014得到)在水中稀釋至10重量％的濃度。將銀納米線在水中的分散體(0.5重量％)、稀釋的苯乙烯丙烯酸共聚物水溶液和稀釋的丙烯酸2-乙基己基酯-甲基丙烯酸甲酯共聚物在水中混合，分別使得銀納米線的最終濃度為0.4重量％且苯乙烯丙烯酸共聚物、丙烯酸2-乙基己基酯-甲基丙烯酸甲酯共聚物和銀納米線的質(zhì)量比為4:3:3。將混合物球磨3分鐘以實(shí)現(xiàn)均化。導(dǎo)電層印刷在光學(xué)聚碳酸酯箔上，例如由bayermaterialscience以商品規(guī)格de1-1175μm市售，使用刮涂棒(濕厚度t＝6μm，涂布速度v＝2”/秒)在135℃下干燥5分鐘。薄層電阻和光學(xué)性能如實(shí)施例1所述進(jìn)行測量。實(shí)施例3：玻璃-網(wǎng)格圖案上的銀納米線層的激光圖案化將根據(jù)實(shí)施例1制備的銀納米線層根據(jù)如圖1所示的網(wǎng)格圖案通過激光來圖案化。激光器是在l＝1070nm，脈沖重復(fù)率60khz和激光功率3w下操作的f20型。基質(zhì)上聚焦光束的寬度約為30μm。相鄰線之間的距離為1.5mm。激光以大約600mm/sec的速度掃描通過基質(zhì)。在掃描電子顯微鏡(sem)下檢查圖案層。sem圖像顯示在圖3和圖4中，其中圖4顯示圖3中標(biāo)記的矩形的細(xì)節(jié)。激光跡線1的寬度大約為30μm。未處理區(qū)域4中的銀納米線5是完整的，而激光跡線1中的那些轉(zhuǎn)化為銀顆粒6。顆粒6具有與銀納米線5相似的直徑，并且它們保持在激光處理之前納米線的位置。圖2(a)顯示具有表示100μm×100μm的afm掃描區(qū)域的矩形的光學(xué)圖像。圖2(b)和2(c)顯示afm高度圖像和輪廓分析，其中圖2(b)顯示圖2(a)中矩形標(biāo)記的細(xì)節(jié)。圖2(b)和2(c)中的紅色三角形表示測量膜高度的兩個(gè)位置。從圖2(c)可以看出，導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域的厚度差為3.8nm。實(shí)施例4：激光處理后玻璃上的銀納米線層的光學(xué)性質(zhì)變化為了測量激光處理后的光學(xué)性質(zhì)變化，根據(jù)實(shí)施例1在玻璃上制備25cm×25cm尺寸的銀納米線層，并且通過激光處理整個(gè)表面。使用紅外光纖激光器。通過使用不同的激光功率、脈沖重復(fù)率和速度來改變?nèi)肷浼す饽芰俊＜す馓幚砗?，按照?shí)施例1測量薄層電阻。結(jié)果示于表1.1和表1.2中。表1.1:表1.2:樣品#t之前(％)t之后(％)δt％h之前(％)h之后(％)δh192.191.70.40.750.75～0292.091.50.51.041.030.01392.191.30.80.830.850.02492.089.40.60.840.960.12592.191.60.50.830.820.01692.191.60.50.870.900.03樣品1至4以相同的激光功率和速度進(jìn)行處理，但脈沖重復(fù)率不同。較低的脈沖重復(fù)率導(dǎo)致更高的入射激光能量。樣品1顯示約1000ops的薄層電阻(rsh)，表明入射激光能量太低，不能完全破壞滲濾網(wǎng)。樣品2和3顯示超過測量范圍的薄層電阻并且太高而不能測量。激光處理后的光學(xué)性質(zhì)變化很小，滿足要求。樣品4的入射激光能量較高。結(jié)果，透射率t和濁度h變化也較高(分別為2.6％和0.12％)。樣品5和6以與樣品1相同的脈沖重復(fù)率但不同的速度和激光功率分別處理。較低的速度或更高的激光功率會(huì)導(dǎo)致更高的入射激光能量。因此，樣品5和6具有比樣品1更高的入射激光能量。兩個(gè)樣品在激光處理后均沒顯示出導(dǎo)電性，且光學(xué)性質(zhì)變化很小，滿足要求。實(shí)施例5：激光處理后聚碳酸酯上的銀納米線層的光學(xué)性質(zhì)變化根據(jù)實(shí)施例2制備聚碳酸酯片上的銀納米線層。為了測量激光處理后的光學(xué)性質(zhì)變化，切割25cm×25cm尺寸的片，并且用激光處理該片的整個(gè)表面。激光處理后，按照實(shí)施例1測量薄層電阻。結(jié)果示于表2.1和2.2中。表2.1:表2.2:樣品#t之前(％)t之后(％)δt％h之前(％)h之后(％)δh％790.389.40.91.161.140.02在這種入射激光能量下，樣品7在激光處理后沒有顯示出導(dǎo)電性，且光學(xué)性質(zhì)變化很小，滿足要求。當(dāng)前第1頁12