本文所述的實施方案整體涉及光學(xué)器件，并且具體地講，涉及用于密封衍射光學(xué)元件的方法和系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

微型光學(xué)投影儀在各種應(yīng)用中使用。例如，此類投影儀可以用于將編碼或結(jié)構(gòu)光的圖案投射到對象上，以實現(xiàn)投影對象的三維(3d)映射(也稱為深度映射)。

在一些應(yīng)用中，光學(xué)投影儀可以使用一個或多個衍射光學(xué)元件(doe)來投射光。例如，其公開內(nèi)容以引用方式并入本文的美國專利申請公布2009/0185274描述了一種用于投射圖案的設(shè)備，該設(shè)備包括被配置為衍射輸入光束以便在表面的第一區(qū)域上生成第一衍射圖案的第一doe，該第一衍射圖案包括零級光束。第二doe被配置為衍射零級光束以便在該表面的第二區(qū)域上生成第二衍射圖案，使得第一區(qū)域和第二區(qū)域一起至少部分地覆蓋該表面。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本文所述的一個實施方案提供了一種用于制造光學(xué)裝置的方法，該方法包括提供一對玻璃晶片并在所述玻璃晶片中的一個或多個玻璃晶片上形成一個或多個衍射光學(xué)元件(doe)。將間隔物定位在所述玻璃晶片之間以便限定包含所述doe的腔，并且形成將所述玻璃晶片鍵合在一起并密封所述腔的氣密密封件。

在一些實施方案中，形成doe包括在聚合物層中模制衍射圖案。在其他實施方案中，形成doe包括在玻璃晶片中的至少一個玻璃晶片中圖案化衍射圖案。在一個實施方案中，形成氣密密封件包括用第一金屬層來涂覆間隔物。在另一個實施方案中，間隔物包括聚合物。在另一個實施方案中，間隔物包括玻璃。

在一些實施方案中，間隔物定位包括通過在一個或多個玻璃晶片中形成腔來產(chǎn)生間隔物。在其他實施方案中，形成氣密密封件包括鍵合共晶金屬合金。在其他實施方案中，形成氣密密封件包括執(zhí)行直接氧化物鍵合。

在一個實施方案中，該方法還包括在執(zhí)行直接氧化物鍵合之前，將玻璃晶片中的至少一個玻璃晶片的鍵合表面和間隔物的鍵合表面拋光并清潔。在另一個實施方案中，執(zhí)行直接氧化物鍵合包括將玻璃晶片加熱并朝彼此壓制。在另一個實施方案中，執(zhí)行直接氧化物鍵合包括在室溫下將玻璃晶片朝彼此壓制。

在一些實施方案中，間隔物包括具有第一表面的玻璃間隔物，玻璃晶片中的每個玻璃晶片具有第二表面，并且形成氣密密封件包括焊接第一表面和第二表面。在其他實施方案中，焊接表面包括執(zhí)行激光輔助微焊接。在其他實施方案中，形成氣密密封件包括形成涂覆有第二金屬層的導(dǎo)電聚合物。

根據(jù)本文所述的一個實施方案，另外提供了一種光學(xué)裝置，其包括一對玻璃晶片、一個或多個衍射光學(xué)元件(doe)、間隔物和氣密密封件。doe在所述玻璃晶片中的一個或多個玻璃晶片上形成，間隔物定位在所述玻璃晶片之間以限定包含doe的腔，并且氣密密封件將所述玻璃晶片鍵合在一起并密封該腔。

根據(jù)本文所述的一個實施方案，另外提供了一種光學(xué)裝置，其包括光源和衍射光學(xué)元件(doe)組件。光源被配置為發(fā)射光。doe組件被配置為響應(yīng)于光源發(fā)射的光來投射光圖案。doe組件包括一對玻璃晶片、一個或多個doe、間隔物和氣密密封件。doe在所述玻璃晶片中的一個或多個玻璃晶片上形成，間隔物定位于所述玻璃晶片之間以限定包含doe的腔，并且氣密密封件將所述玻璃晶片鍵合在一起并密封該腔。

結(jié)合附圖根據(jù)下文對本發(fā)明的實施方案的詳細描述將更加完全地理解這些和其他實施方案，在附圖中：

附圖說明

圖1是根據(jù)本文所述的一個實施方案的集成光子模塊(ipm)的示意性橫截面圖；并且

圖2至圖5是根據(jù)本文所述的若干實施方案的用于制造衍射光學(xué)元件(doe)疊層的氣密密封封裝的方法順序的示意性橫截面圖。

具體實施方式

概述

緊湊型光學(xué)圖案投影儀可以用于例如三維(3d)映射。基于衍射光學(xué)元件(doe)器件的光學(xué)投影儀可能表現(xiàn)出“零級問題”，其中doe僅衍射輸入光束的一部分，并且光束的非衍射部分可以繼續(xù)直通到投影體積。此外，doe效率隨時間和使用的降低，連同伴零級強度的增大，可能導(dǎo)致doe沿除預(yù)期方向之外的方向衍射光束，并可能導(dǎo)致眼睛受傷和/或降低系統(tǒng)的光學(xué)性能。

doe表面通常包括非常精細的衍射表面。在系統(tǒng)運轉(zhuǎn)(或生產(chǎn))期間，水分或其他污染物可能粘附到doe的有效表面，并且可能導(dǎo)致doe效率損失，在嚴重情況下甚至損害整個doe的功能。將doe組件氣密密封可以用于保護doe。然而，doe元件通常由對此類氣密密封方法中所需的高溫敏感的聚合物制成。

下面描述的實施方案提供了用于在低溫下氣密密封doe組件的改進的器件和方法。在一些實施方案中，本文所公開的方法包括以下主要步驟：在一個或多個給定的玻璃晶片上形成一個或多個doe；將間隔物定位在玻璃晶片之間以便限定包含doe的腔；以及形成將玻璃晶片鍵合在一起并密封腔的氣密密封件。

在示例性實施方案中，該方法包括將環(huán)氧間隔物放置在包含doe元件的兩個晶片之間，以及在低溫方法期間用金屬層諸如金和銦或金和錫涂覆該間隔物以形成將doe組件氣密密封的共晶化合物。

在其他實施方案中，首先使用環(huán)氧間隔物來形成非密封doe組件。金屬鍵合環(huán)沉積在每個doe組件的周邊處，并且doe被放置在金屬環(huán)之間。最后切割晶片以形成單個doe組件的陣列。該方法還包括在doe組件之間用導(dǎo)電聚合物模制陣列，切割導(dǎo)電模具，并用導(dǎo)電層(該層通常由銅和/或鎳制成)來電鍍模具以便形成氣密密封的doe組件。

在一個實施方案中，該方法包括在兩個玻璃晶片中蝕刻腔，使上表面圍繞這些玻璃晶片(或者在兩個晶片之間放置玻璃間隔物而不進行蝕刻，以便形成腔)；在腔的水平表面中復(fù)制doe；拋光并清潔上表面(或間隔物)；使用低溫直接氧化物鍵合技術(shù)(或激光焊接)來鍵合晶片，以及切割晶片以形成單個doe組件的陣列。

在另一個實施方案中，制造密封的doe包括在兩個玻璃晶片上沉積圍繞每個預(yù)期doe疊層的金屬環(huán)(通常由金和銦或金和錫制成)，從而在每個晶片中形成用于每個預(yù)期doe組件的腔(通過蝕刻到晶片中或通過在晶片之間使用玻璃間隔物)。如上所述，doe元件在每個相應(yīng)腔的水平表面中復(fù)制，并且使用低溫金屬鍵合技術(shù)將晶片鍵合。然后切割晶片疊層以形成單個doe組件的陣列。

上述技術(shù)使doe制造商能夠使用低溫方法來制造和復(fù)制密封doe元件。因此，doe制造商可以靈活選擇doe材料，而不用損害doe器件的安全性和性能。在另選實施方案中，doe元件可以直接在玻璃晶片的表面中被圖案化，而不是在晶片上設(shè)置環(huán)氧doe。此類doe元件不易受到高溫的影響，因此可以使用常規(guī)的高溫密封技術(shù)來執(zhí)行對doe組件的氣密密封。此外，氣密密封的doe組件允許在高水分和/或氣載顆粒環(huán)境中使用光學(xué)圖案投影儀，而不會使用戶眼睛受傷和/或降低投影儀的光學(xué)性能。

系統(tǒng)描述

圖1的示意性橫截面圖示出了根據(jù)本文所述的一個實施方案的集成光子模塊(ipm)20的細節(jié)。如圖所示，ipm20包括光源，在本示例中，該光源是放置在硅光學(xué)臺架34形式的基板上的垂直腔表面發(fā)射激光器(vcsel)22。vcsel22電氣和機械地接合到光學(xué)臺架34，并且沿著與光學(xué)臺架正交的軸線發(fā)射近紅外范圍(例如，900nm和1000nm之間或任何其他合適的波長)的光輻射。

另選地，光源可以包括其他合適類型的相干或非相干固態(tài)發(fā)射器。例如，ipm20可以包括邊緣發(fā)射光源，諸如gaas激光二極管，其沿著平行于光學(xué)臺架的軸線發(fā)射光輻射?？梢栽诠鈱W(xué)臺架中形成45°鏡面反射器(未示出)或者將其制造為分立元件，從而使激光輻射以相對于光學(xué)臺架表面的所需角度向上反射(在這種情況下為90°)。

透鏡26收集并準直來自vcsel22的光，并且引導(dǎo)該光穿過衍射光學(xué)元件(doe)疊層30，后者在本文中也稱為doe組件。該疊層包括一對玻璃板28和29，它們通?；旧舷嗨?。板28和29通常從相應(yīng)的玻璃晶片切割，如將在下文詳細描述的那樣。在下文的描述中，為了清楚起見，術(shù)語“晶片”(切割前)和“板”(切割后)可互換使用。

一個或多個doe44形成在玻璃板中的一個玻璃板上(通常在切割之前的晶片上)或在兩者上。在一些實施方案中，通過在沉積在玻璃晶片中的一個玻璃晶片上的聚合物層(諸如環(huán)氧聚合物層)中復(fù)制(模制)衍射圖案來制備doe44。通常將間隔物36放置在板28和29之間，以在這板之間(并且在一些實施方案中，在放置在相對的晶片上的doe44之間)形成腔40，以便形成doe疊層30。間隔物36通常與板28和29一起從間隔晶片切割。同樣，為了清楚起見，術(shù)語“間隔物”和“間隔晶片”可互換使用。

在一些實施方案中，ipm20被配置為將結(jié)構(gòu)光投射到場景的一個或多個對象上。光從對象反射到一個或多個傳感器(未示出)，以便形成對象的一組三維(3d)和/或二維(2d)映射。利用間隔物32將接收和發(fā)射來自vcsel22的光的光學(xué)元件(透鏡26和doe疊層30)安裝在臺架34上。

應(yīng)當(dāng)注意，圖1的ipm僅包括描述ipm工作原理所需的元件。實際的ipm通常包括與vecsel和光路相關(guān)的附加部件。

本文描述的實施方案主要關(guān)注doe疊層30。圖1中的ipm20的配置是以舉例的方式提供的，以便示出可以在其中集成和使用doe疊層30的示例性系統(tǒng)或器件。另選地，也可以使用任何其他合適的配置。doe疊層諸如疊層30可以在除結(jié)構(gòu)光投射之外的各種其他應(yīng)用中使用，例如在分束器、光纖應(yīng)用、激光加工應(yīng)用、圖案發(fā)生器和各種投影應(yīng)用中使用。

doe疊層的低溫氣密密封

在基于doe的光學(xué)圖案投影儀中，輸入激光束的一部分(被稱為零衍射級部分)可能不按照設(shè)計的那樣被doe衍射，而是繼續(xù)直通到投影體積。在doe的形成有非常精細的衍射圖案的有效表面上附著有少量水分或其他污染物可能導(dǎo)致精細衍射圖案發(fā)生改變，并且可能降低doe的效率。此類改變可能產(chǎn)生安全問題(例如，由于暴露于偏轉(zhuǎn)的激光而導(dǎo)致眼睛受傷)和/或系統(tǒng)性能降低。

在一些實施方案中，doe疊層30被氣密地密封，以便防止水分或其他污染物滲透到腔40中。本領(lǐng)域已知的氣密密封方法通常在300℃或更高的溫度下應(yīng)用密封方法。此類高溫可能損壞已復(fù)制的環(huán)氧聚合物的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)通常耐受短時間施加的高達250℃至270℃的溫度。

下面描述的實施方案提供適于與復(fù)制的環(huán)氧doe或者與在玻璃晶片上具有圖案化doe的器件一起使用的低溫氣密密封技術(shù)。圖1至圖5具體示出了其中一對互補doe在形成在兩個玻璃晶片之間的腔中面對面地密封在一起的具體實施。然而，在另選實施方案中，doe疊層可以包括任何數(shù)量的玻璃晶片，例如具有互補doe的兩對或更多對玻璃晶片，或奇數(shù)個玻璃晶片，其中一些晶片布置成面對背配置。然而，在這些實施方案中使用的原理可以同樣地應(yīng)用于密封和保護單個doe或任何其他合適的doe配置。

圖2的圖示意性地示出根據(jù)本文所述的一個實施方案的用于制造doe疊層30的氣密密封封裝的方法順序的橫截面圖。該方法在第1步從一對玻璃晶片42開始。(為了清楚起見，圖2以及下面的圖3至圖5僅示出了這對晶片的一小部分。晶片42通常包括此類部分的周期性二維大陣列。)晶片可以是正方形，其邊長在150mm至200mm的范圍內(nèi)(或任何其他合適的尺寸)。另選地，晶片具有直徑在上述范圍內(nèi)的圓形形狀。

晶片的厚度為大約200μm。在另選實施方案中，晶片可以具有其他合適的形狀、尺寸和/或厚度以符合器件規(guī)范和/或基礎(chǔ)制造技術(shù)的要求和功能。每個晶片42包括doe疊層30(未示出)陣列，其通過切割區(qū)域51的十字形網(wǎng)分開以用于將晶片切割成多個doe疊層。

第1步包括在每個doe疊層30的邊緣周圍沉積金屬鍵合線46。在一些實施方案中，鍵合線46由金制成并具有1至3μm的典型厚度。金層可以包括亞微米晶種層，本體金濺射在該亞微米晶種層上。在另選實施方案中，鍵合線46可以包括涂覆有相同或相似厚度的金的銦層。在其他實施方案中，鍵合線46可以包括通常包含80％金和20％錫的合金。第1步的最后是在至少一個晶片的表面上形成一個或多個doe44。在一些實施方案中，在一個晶片42上僅形成一個doe，而另一個晶片僅包括鍵合線46。這種配置通常導(dǎo)致激光束朝向場景中的對象的單一反射。在其他實施方案中，兩個晶片42都包括一個或多個doe。通常，每個doe可以包括具有精細衍射圖案輪廓的光學(xué)表面，以產(chǎn)生所需的結(jié)構(gòu)光。

在第2步，該方法包括制造用于插入玻璃晶片之間的間隔晶片50。間隔晶片在doe的位置處具有開口。間隔晶片50具有100μm的典型厚度，并且可以由諸如環(huán)氧樹脂、fr4或聚酰亞胺的聚合物材料制成。另選地，間隔晶片可以由任何合適的金屬(或金屬合金)或玻璃制成。在一個實施方案中，間隔晶片50中的開口與doe44的位置對準，以便在玻璃晶片之間形成腔40，從而留下用于放置doe的空間。

在一個實施方案中，該方法通過(例如，使用電鍍或化學(xué)鍍技術(shù))用堿金屬膜(例如，銅和/或鎳)52對整個間隔晶片50進行鍍覆，然后制造低溫共晶合金54(諸如金銦、金錫或銅錫合金)薄層(通常2至3μm厚)繼續(xù)進行。

在第3步，將涂覆的間隔晶片插入兩個玻璃晶片之間，然后將它們壓制在一起并加熱到足夠高的溫度(通常約200℃)。參考插圖38，合金54在金屬膜52(位于間隔物50上)和鍵合線46(位于玻璃晶片42上)之間形成共晶鍵合。共晶鍵合在間隔晶片50和玻璃晶片42之間形成氣密密封，從而氣密地包封包括doe的腔40。在一些實施方案中，該鍵合方法可以在大氣環(huán)境中進行，或者另選地在真空中或在干氣沖洗下進行。

在第4步，該方法包括使用任何合適的切割技術(shù)(例如鋸切、激光切割)在切割區(qū)域51處切割(玻璃晶片42和間隔晶片50的)鍵合的疊層。切割操作形成doe疊層30的多個單元。每個doe疊層30包括密封封裝，其保護駐留在腔40中的doe44免受水分或污染物的影響。

圖3的圖示意性地示出根據(jù)本文所述的一個實施方案的用于制造doe疊層31的氣密密封封裝的方法順序的橫截面圖。doe疊層31可以用作例如上文圖1的ipm20中的doe30。該方法在第1步從在一對玻璃晶片60的每一個的外側(cè)上鍍覆金屬鍵合環(huán)層62(例如銅、鎳和/或金)開始。該方法還包括在至少一個晶片的表面上形成一個或多個doe44，以及通過在玻璃晶片之間插入合適的聚合物間隔晶片63來將兩個玻璃晶片鍵合(不將腔40氣密密封)，以便形成晶片級doe疊層25。聚合物間隔晶片在doe位置處包括開口，如圖2所示。

在第2步，該方法包括在區(qū)域63處切割疊層25以形成多個單個組件的陣列，以及將疊層25裝配到模具(未示出)中。在第3步，該方法包括用合適的導(dǎo)電二次成型模具66填充該模具，以便形成重構(gòu)的晶片級doe疊層27。二次成型模具66通常由填充有金屬小粒的導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或碳制成。二次成型模具66適于填充單個doe組件的邊緣之間的區(qū)域并且在doe44上方留下光學(xué)孔徑。參見插圖33，需注意，金屬化鍵合線62比二次成型模具66的邊緣寬，因此輕微突出到透明光學(xué)孔徑中。

在第4步，該方法包括通過垂直切穿二次成型模具66來切割晶片級doe疊層27，以便產(chǎn)生多個單個doe疊層27的陣列。在第5步，該方法包括用導(dǎo)電層68鍍覆每個單個doe疊層，以便形成氣密密封的doe疊層31。層68包括具有10至20μm的典型厚度的銅和/或鎳層，并且使用化學(xué)鍍膜方法來實現(xiàn)。在化學(xué)鍍膜方法期間，只有導(dǎo)電表面涂覆有層68。因此，涂覆二次成型模具66和線62并且留下未涂覆的玻璃晶片60，為vcsel22的激光束保留清晰的光學(xué)孔徑。

圖4的圖示意性地示出根據(jù)本文所述的另一個實施方案的用于制造doe疊層71的氣密密封封裝的方法順序的橫截面圖。doe疊層71可以用作例如上文圖1的ipm20中的doe30。該方法包括玻璃對玻璃封裝方法，并且在第1步從第一玻璃晶片70開始，該第一玻璃晶片通常為300μm厚(比圖2至圖3所示的晶片42和60更厚，后兩者通常為200μm厚)。

晶片70包括doe疊層陣列，并且在晶片級執(zhí)行后續(xù)方法順序。為了清楚起見，圖4描繪了制造單個doe疊層71的方法順序。

在第2步，該方法包括將晶片70中心區(qū)域處的腔蝕刻至50μm的典型深度。因此，經(jīng)蝕刻的晶片包括300μm厚的周邊環(huán)，以及由50μm厚的間隔物72圍繞的250μm厚的腔74。在一個另選實施方案中，該方法包括將間隔物72放置在晶片70的表面上以代替對晶片進行蝕刻。間隔物72的形狀的功能類似于如圖2的第2步所示的間隔物50的功能。然而，在該實施方案中，間隔物由玻璃制成，并且晶片70可以更薄(例如，為250μm)。在第3步，該方法包括使用圖1中所述的復(fù)制技術(shù)，在晶片70的水平表面上在腔74內(nèi)模制一個或多個doe44，以及為第二基本相似玻璃晶片重復(fù)與圖4的第1步至第3步中描述的基本類似的方法。

在第4步，該方法包括拋光并清潔每個晶片的表面76，以及將晶片面對面地定位，使得每個晶片的腔和doe44彼此面對。在第5步，該方法包括通過在接觸表面76處將晶片朝彼此壓制來將晶片鍵合，從而在間隔物72之間形成氣密密封腔40。在一些實施方案中，鍵合晶片包括直接氧化物鍵合技術(shù)，例如ziptronix(northcarolina,us)的技術(shù)，其中晶片的壓制在室溫下進行，或者在150℃至200℃的范圍內(nèi)的典型溫度下壓制晶片。

在另選實施方案中，可以使用激光輔助微焊接技術(shù)來鍵合晶片(以及在放置玻璃間隔物而不是蝕刻晶片以形成腔的情況下，將玻璃間隔物鍵合到晶片)。焊接激光僅加熱表面76之間的界面，使晶片的其他區(qū)域保持相對較低的溫度，因此使doe44在整個焊接方法期間保持在室溫(例如，25℃)。此類技術(shù)例如由primoceler(tampere,finland)提供。在第6步，該方法包括在位于兩個相鄰腔40之間的區(qū)域73處切割已鍵合的晶片，以便產(chǎn)生doe疊層71的多個單個氣密密封組件的陣列。

圖5的圖示意性地示出根據(jù)本文所述的另一個實施方案的用于制造doe疊層81的氣密密封封裝的方法順序的橫截面圖。doe疊層81可以用作例如上文圖1的ipm20中的doe30。該技術(shù)包括通過在玻璃晶片80中蝕刻腔來形成玻璃間隔物(類似于圖4的方法)，結(jié)合在間隔物上沉積和焊接金屬層，如圖2所示。整個方法制造doe疊層81的氣密密封封裝。該方法首先提供一對玻璃晶片80，每個晶片通常為300μm厚。

在第1步，該方法包括在晶片80上沉積金屬層82。層82限定區(qū)域，在這些區(qū)域中，可以將doe疊層81定位在兩個晶片80上。層82包括典型厚度為2至3μm的金膜，其覆蓋有典型厚度為2至3μm的銦層，以形成如上所述的共晶層。在另選實施方案中，層82可以包括80％金和20％錫的典型混合物。在第2步，該方法包括在晶片80上形成間隔物84的十字交叉，從而為doe疊層81留出空間。在一個實施方案中，通過在兩個晶片中蝕刻出50μm的腔86來形成間隔物，如圖4所示。在一個另選實施方案中，該方法包括將間隔物82放置在晶片80的表面上以代替對晶片進行蝕刻。間隔物82的形狀類似于如圖2的第2步所示的間隔物50的形狀。然而，在該實施方案中，間隔物由玻璃制成，并且晶片80可以更薄(例如，為250μm)。

在第3步，該方法包括使用圖1中描述的復(fù)制技術(shù)，在晶片80的水平表面上在腔86內(nèi)模制一個或多個doe44。在第4步，該方法包括定位玻璃晶片，使得一個晶片的腔和doe44面對另一個晶片的腔和doe。該方法還包括在層82的位置處將玻璃晶片朝彼此壓制，以形成金和銦(或金和錫)的共晶鍵合。該步在200℃的典型溫度下進行。共晶鍵合在晶片之間形成腔40的氣密密封。在第6步，該方法包括在位于兩個相鄰腔40之間的區(qū)域83處切割已鍵合的晶片，以便產(chǎn)生doe疊層81的多個單個氣密密封組件的陣列。

以上圖2至圖5的配置純粹是以舉例的方式進行描述的。在另選實施方案中，可以采用任何其他合適的方式并且使用任何其他合適類型的間隔和/或氣密密封來從一對晶片組裝doe疊層。

因此，應(yīng)當(dāng)理解，上述實施方案以舉例的方式進行引用，并且以下權(quán)利要求并不限于上文具體示出并描述的內(nèi)容。相反地，本發(fā)明的范圍包括上文所描述的各種特征的組合和子組合兩者，以及本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀前述描述時將想到的并且在現(xiàn)有技術(shù)中未公開的所述各種特征的變型形式和修改形式。在本專利申請中以引用方式并入的文獻被認為是本申請不可分割的一部分，但如果任何術(shù)語在這些并入的文獻中被定義成與本說明書中明確地或隱含地作出的定義相沖突，應(yīng)僅考慮本說明書中的定義。

權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)

1.一種用于制造光學(xué)裝置的方法，包括：

提供一對玻璃晶片；

在所述玻璃晶片中的一個或多個玻璃晶片上形成一個或多個衍射光學(xué)元件(doe)；

將間隔物定位在所述玻璃晶片之間以便限定包含所述doe的腔；以及

在不超過200℃的溫度下形成將所述玻璃晶片鍵合在一起并密封所述腔的氣密密封件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述doe包括在聚合物層中模制衍射圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述doe包括在所述玻璃晶片中的至少一個玻璃晶片中圖案化衍射圖案。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中形成所述氣密密封件包括用第一金屬層來涂覆所述間隔物。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述間隔物包括聚合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述間隔物包括玻璃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中定位所述間隔物包括通過在所述玻璃晶片中的一個或多個玻璃晶片中形成腔來產(chǎn)生所述間隔物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中形成所述氣密密封件包括鍵合共晶金屬合金。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中形成所述氣密密封件包括執(zhí)行直接氧化物鍵合。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，包括在執(zhí)行所述直接氧化物鍵合之前，將所述玻璃晶片中的至少一個玻璃晶片的鍵合表面和所述間隔物的鍵合表面拋光并清潔。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中執(zhí)行所述直接氧化物鍵合包括將所述玻璃晶片加熱并朝彼此壓制。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中執(zhí)行所述直接氧化物鍵合包括在室溫下將所述玻璃晶片朝彼此壓制。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述間隔物包括具有第一表面的玻璃間隔物，其中所述玻璃晶片中的每個玻璃晶片具有第二表面，并且其中形成所述氣密密封件包括焊接所述第一表面和所述第二表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中焊接所述表面包括執(zhí)行激光輔助微焊接。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中形成所述氣密密封件包括形成涂覆有第二金屬層的導(dǎo)電聚合物。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述氣密密封件包括在室溫下保持所述doe。

17.一種光學(xué)裝置，包括：

一對玻璃晶片；

一個或多個衍射光學(xué)元件(doe)，所述doe形成在所述玻璃晶片中的一個或多個玻璃晶片上；

間隔物，所述間隔物定位在所述玻璃晶片之間以便限定包含所述doe的腔；和

氣密密封件，所述氣密密封件在不超過200℃的溫度下形成，所述氣密密封件將所述玻璃晶片鍵合在一起并密封所述腔。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光學(xué)裝置，其中所述氣密密封件包括涂覆有第一金屬層的所述間隔物。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光學(xué)裝置，其中所述氣密密封件包括鍵合的共晶金屬合金。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光學(xué)裝置，其中所述氣密密封件包括直接鍵合的氧化物。

21.一種光學(xué)裝置，包括：

光源，所述光源被配置為發(fā)射光；和

衍射光學(xué)元件(doe)組件，所述doe組件被配置為響應(yīng)于由所述光源發(fā)射的所述光而投射光圖案，所述doe組件包括：

一對玻璃晶片；

形成在所述玻璃晶片中的一個或多個玻璃晶片上的一個或多個doe；

定位于所述晶片之間以便限定包含所述doe的腔的間隔物；和

在不超過200℃的溫度下形成的氣密密封件，所述氣密密封件將所述晶片鍵合在一起并密封所述腔。