技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明披露一種對極紫外線(EUV)輻射透射的膜，所述膜可用作光刻設(shè)備中的表膜或光譜濾光片。該膜包括：一個或更多個高摻雜區(qū)，其中所述膜是以大于1017cm?3的摻雜劑濃度而摻雜；及具有低摻雜(或未摻雜)的一個或更多個區(qū)。所述膜可具有具備低摻雜的主襯底和一個或更多個附加層，其中所述高摻雜區(qū)被包括于所述附加層中的一些或全部內(nèi)。

技術(shù)研發(fā)人員：安德雷·亞歷山德羅維奇·尼基佩洛夫;V·Y·班尼恩;約瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普;阿爾揚·布格阿德;弗洛里安·迪迪?！ぐ枮I·達魯因;阿列克謝·謝爾蓋耶維奇·庫茲涅佐夫;瑪麗亞·皮特;L·斯卡克卡巴拉茲;威廉·瓊·范德贊德;彼得-詹·范茲沃勒;A·M·雅庫尼恩
受保護的技術(shù)使用者：ASML荷蘭有限公司
文檔號碼：201580036687
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.02
技術(shù)公布日：2017.03.08