技術(shù)特征：

1.一種對極紫外線輻射透射的膜，其包括：

一個或更多個高摻雜區(qū)，其中在所述一個或更多個高摻雜區(qū)所述膜被以高摻雜劑濃度而摻雜；和

一個或更多個低摻雜區(qū)，在所述一個或更多個低摻雜區(qū)中所述膜未摻雜或具有低摻雜劑濃度；

其中高摻雜劑濃度被限定為大于10¹⁷cm^-3的摻雜劑濃度，低摻雜劑濃度被限定為小于10¹⁷cm^-3的摻雜劑濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其包括多個層，所述多個層包括主襯底和一個或更多個附加層，其中：

所述主襯底具有低摻雜劑濃度且形成低摻雜區(qū)；和

所述高摻雜區(qū)被包括在所述附加層中的一些或全部內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜，其中所述附加層包括一個或更多個覆蓋層，所述一個或更多個覆蓋層用于隔離所述膜與蝕刻劑或反應(yīng)劑，且所述摻雜區(qū)被包括在所述覆蓋層內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜，其中所述附加層包括一個或更多個覆蓋層和一個或更多個中間層，被布置成使得一中間層位于一覆蓋層與所述主襯底之間；所述覆蓋層用于隔離所述膜與蝕刻劑或反應(yīng)劑材料，且所述中間層具有介于所述主襯底的晶格尺寸與所述覆蓋層的晶格尺寸之間的中間晶格尺寸以便減少所述膜內(nèi)的應(yīng)力；和

其中所述高摻雜區(qū)被包括在所述覆蓋層和/或所述中間層內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2、3或4所述的膜，其中所述主襯底包括多晶Si材料。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，其中所述膜、或所述膜的層包括中心區(qū)和圍繞所述中心區(qū)的周緣區(qū)，其中所述高摻雜區(qū)包括所述中心區(qū)且所述低摻雜區(qū)包括所述周緣區(qū)。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，其中所述膜、或所述膜的層包括由所述低摻雜區(qū)分離的多個所述高摻雜區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜，其中位于相鄰的高摻雜區(qū)之間的所述分離介于1μm與5μm之間。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，其中所述摻雜濃度逐漸變化，且朝向所述膜的中心或所述膜的一層增加。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，其中所述高摻雜區(qū)以大于10¹⁸cm^-3的摻雜劑濃度被摻雜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的膜，其中所述高摻雜區(qū)被以大于10¹⁹cm^-3的摻雜劑濃度摻雜。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的膜，其中所述高摻雜區(qū)被以大于10²⁰cm^-3的摻雜劑濃度摻雜。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，其中所述低摻雜區(qū)以小于10¹⁶cm^-3的摻雜劑濃度被摻雜。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的膜，其中所述低摻雜區(qū)被以小于10¹⁵cm^-3的摻雜劑濃度摻雜。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的膜，其中所述低摻雜區(qū)被以小于10¹⁴cm^-3的摻雜劑濃度摻雜。

16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，其中所述膜具有小于100nm的厚度。

17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，包括位于所述膜的一個或兩個表面上的多個附加特征，所述附加特征能夠操作以增加橫向熱傳遞。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的膜，其中所述附加特征包括從所述膜表面法向延伸的肋或線。

19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的膜，其中介于附加特征之間的距離≤1μm。

20.根據(jù)權(quán)利要求17、18或19所述的膜，其中所述附加特征被構(gòu)造成類似小階梯光柵。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的膜，其中所述附加特征包括重復(fù)組的線或肋，其中每組包括高度逐漸降低或增加的線/肋。

22.根據(jù)權(quán)利要求6、7或8所述的膜，其包括僅單一層。

23.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，其中所述高摻雜區(qū)被摻雜有包括如下?lián)诫s劑材料中的一個或更多個：S、Te、As、O、Al、Sn、Sb、In、Ga、Br、Cl、I、C、B和N。

24.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，其中所述摻雜劑被選擇用于N型摻雜，且所述高摻雜劑濃度包括從(2至3)×10²⁰n/cm³的施主原子。

25.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜，其中所述摻雜劑被選擇用于P型摻雜，且所述高摻雜劑濃度是至少4×10²⁰n/cm³受主原子。

26.一種用于光刻設(shè)備的膜，所述膜具有至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對EUV輻射基本上透射，所述膜包括：

具有60nm或更小的厚度的核心層，所述核心層包括對EUV輻射基本上透明的選自來自根據(jù)如下所列的材料：(多晶)Si、Si₃N₄、SiC、ZrN、ZrB₂、ZrC、MoB₂、MoC、RuB₂、LaB₂、LaC、TiB₂、TiC、(多)晶釔、(多)晶Zr、Be、C、B和B₄C；和

用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的蓋層，包括吸收IR輻射且具有為20nm或更小的厚度的材料。

27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的膜，其中所述膜具有蓋層-核心層-蓋層的夾層狀構(gòu)造。

28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的膜，其中所述膜具有核心層-蓋層-核心層的夾層狀構(gòu)造。

29.根據(jù)權(quán)利要求26至28中任一項所述的膜，其還包括一個或更多個其它中間層或蓋層。

30.根據(jù)權(quán)利要求26至29中任一項所述的膜，其中所述核心層是包括一層或更多層以下材料的多層堆疊：(多晶)Si、Si₃N₄、SiC、ZrN、ZrB₂、ZrC、MoB₂、MoC、RuB₂、LaB₂、LaC、TiB₂、TiC、(多)晶釔、(多)晶Zr、Be、C、B及B₄C。

31.根據(jù)權(quán)利要求26至29中任一項所述的膜，其中所述核心層材料是包括金屬及分散于其中的非金屬EUV透明雜質(zhì)的復(fù)合材料。

32.根據(jù)權(quán)利要求26至31中任一項所述的膜，其中用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層是金屬層。

33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的膜，其中金屬蓋層具有比IR輻射中的所述金屬的集膚深度小的厚度。

34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的膜，其中金屬蓋層具有厚度D＝nλ/2，其中n為等于3或更大的整數(shù)，且λ為用于光刻曝光的所述EUV輻射的波長。

35.根據(jù)權(quán)利要求26所述的膜，其中所述EUV膜包括由核心層分離的用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的兩個金屬蓋層，所述蓋層及核心層被布置成使得在所述兩個金屬蓋層上發(fā)生EUV輻射的相消干涉且由此所得EUV反射為零。

36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的膜，其中所述每一金屬蓋層包括2nm厚的Ru或Mo層，且其中所述核心層包括具有選自8.4nm、15.1nm、21.9nm、28.6nm、35.4nm、41.5nm、48.7nm及55.7nm的厚度的(多晶)硅層。

37.根據(jù)權(quán)利要求33至36中任一項所述的膜，其中在IR輻射中所述金屬的所述集膚深度為約10nm。

38.根據(jù)權(quán)利要求26至37中任一項所述的膜，其中用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層的所述材料包括選自Ru、Ti、Nd、Pr、Mo、Nb、La、Zr、B、Y及Be的金屬，其中所述蓋層具有與所述核心層不同的材料。

39.根據(jù)權(quán)利要求26至37中任一項所述的膜，其中用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層的所述材料包括B₄C、SiNx、ZrO₂或MoSi₂且具有與所述核心層不同的材料。

40.根據(jù)權(quán)利要求26至37中任一項所述的膜，其中用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層的所述材料是不同于所述核心層的硅化物，諸如ZrSi₂或NbSi₂。

41.根據(jù)權(quán)利要求28至40中任一項所述的膜，其中所述核心層包括(多晶)Si，且用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層是具有5nm或更小的厚度的Mo或Ru層。

42.根據(jù)權(quán)利要求26至37中任一項所述的膜，其中所述核心層包括(多晶)Si，且用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層包括Ti、Nd、Pr、Nb、La、Zr、B、Y、Be、ZrO₂、MoSi₂、ZrSi₂及NbSi₂中的至少一個。

43.根據(jù)權(quán)利要求26至40中任一項所述的膜，其中所述核心層包括B、B₄C或Be，且具有為25nm或小于25nm的厚度。

44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的膜，其中用于改進(jìn)的發(fā)射率的所述蓋層為具有1nm至10nm厚度的金屬層。

45.根據(jù)權(quán)利要求26所述的膜，其中所述核心層為包括高達(dá)20對B或B₄C及石墨烯的多層核心，其中所述層厚度比率是10nm B或B₄C/3nm石墨烯。

46.根據(jù)權(quán)利要求26所述的膜，其中所述核心層為包括高達(dá)20對SiNx和石墨烯的多層核心，其中所述層厚度比率是10nm SiNx/2nm石墨烯。

47.根據(jù)權(quán)利要求43或44所述的膜，其中所述核心層為厚度為5nm至15nm的B或B₄C層，且其中用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層為厚度是1nm至3nm的(多)晶Y、Ru或Mo層。

48.根據(jù)權(quán)利要求26至40中任一項所述的膜，其中所述核心層具有16nm或更小的厚度，且包括碳基材料。

49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的膜，其中所述碳基材料是結(jié)晶層、非晶層或石墨碳層。

50.根據(jù)權(quán)利要求48或49所述的膜，其中所述蓋層包括選自Be、La、Te、Ti、Pr、Rh、Eu、In、Ru、V、Pd、Al、Mo、Zr、Nb和Ag的金屬。

51.根據(jù)權(quán)利要求26至40中任一項所述的膜，其中所述核心層包括氮化硅，且具有為15nm或更小的厚度。

52.根據(jù)權(quán)利要求51的膜，其中用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層為具有3nm或更小的厚度的Ru或Mo層。

53.根據(jù)權(quán)利要求26至40中任一項所述的膜.，其中所述核心層包括(多)晶釔，且具有50nm或更小的厚度、優(yōu)選35nm或更小的厚度。

54.根據(jù)權(quán)利要求26至40中任一項所述的膜，其中所述核心層包括多晶Zr，且具有25nm或更小的厚度。

55.根據(jù)權(quán)利要求53或54所述的膜，其中用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層是Ru層。

56.根據(jù)權(quán)利要求26至55中任一項所述的膜，其中用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述蓋層用保護(hù)蓋層保護(hù)，所述保護(hù)蓋層由保護(hù)免受氧化和/或蝕刻的材料制成，所述材料選自以下材料的氧化物、碳化物或氮化物：Zr、Ti、Hf、Si、Rh和Ru。

57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的膜，其中所述保護(hù)蓋層厚度在1nm至3nm之間。

58.根據(jù)權(quán)利要求26至40中任一項所述的膜，其中所述膜對于具有13.5nm波長的EUV輻射透射，且其中所述核心層包括ZrB₂、ZrC、MoB₂、MoC、RuB₂或SiC中的至少一個。

59.根據(jù)權(quán)利要求26至40中任一項所述的膜，其中所述膜對于具有6.7nm波長的EUV輻射透射，且其中所述核心層包括ZrB2、ZrC、LaB₂、LaC、TiB₂、TiC、MoB₂或MoC中的至少一個。

60.根據(jù)權(quán)利要求26至40中任一項所述的膜，其中所述膜對于具有4.37nm波長的EUV輻射透射，且其中所述核心層包括TiC。

61.一種用于光刻設(shè)備的膜，所述膜具有為至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對于6.7nm波長的EUV輻射基本上透射，所述膜包括源自包括硼的材料的核心層，其中所述核心層具有從20nm至150nm的厚度。

62.一種用于光刻設(shè)備的膜，所述膜具有為至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對EUV輻射基本上透射，所述膜包括由包括Ru的材料形成的核心層，其中所述核心層的厚度在20nm至30nm之間。

63.一種用于光刻設(shè)備的膜組件，所述膜組件具有為至少0.1的IR輻射發(fā)射率且對EUV輻射基本上透射，所述膜組件包括用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的至少兩個金屬蓋層，所述金屬蓋層包括吸收IR輻射且具有20nm或更小的層厚度的金屬，其中用于改進(jìn)的IR發(fā)射率的所述金屬蓋層被具有10μm或更小厚度的間隙分離開。

64.根據(jù)權(quán)利要求63所述的膜組件，其中每個所述金屬蓋層由提供進(jìn)一步的機(jī)械強(qiáng)度的支撐層支撐。

65.一種掩模組件，包括光刻掩模和耦接至所述掩模的框架，所述框架被布置成支撐根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜或膜組件。

66.一種光刻設(shè)備，其包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的膜或膜組件。

67.根據(jù)權(quán)利要求66所述的光刻設(shè)備，其中所述膜中的至少一個作為保護(hù)部件免受污染的表膜而操作。

68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的光刻設(shè)備，其還包括支撐件，所述支撐件被構(gòu)造成用以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠在輻射束的橫截面賦予所述輻射束圖案以形成經(jīng)圖案化的輻射束；其中所述膜中的至少一個用作保護(hù)所述圖案形成裝置免受污染的表膜。

69.根據(jù)權(quán)利要求67或68所述的光刻設(shè)備，其還包括投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)能夠操作以將經(jīng)圖案化的輻射束投影至晶片上，其中所述膜中的至少一個用作保護(hù)所述投影系統(tǒng)內(nèi)的光學(xué)部件免受污染的表膜。

70.根據(jù)權(quán)利要求66至69中任一項所述的光刻設(shè)備，其中所述膜中的至少一個用作用于阻擋不希望的輻射波長的光譜濾光片膜。

71.根據(jù)權(quán)利要求70所述的光刻設(shè)備，其中所述光譜濾光片膜是在所述光刻設(shè)備的掃描方向上以一定角度而布置，使得由所述膜反射的輻射并未被反射返回至所述投影系統(tǒng)內(nèi)。

72.根據(jù)權(quán)利要求70或71所述的光刻設(shè)備，其中用于阻擋不希望的輻射波長的所述光譜濾光片膜包括具有比用于IR輻射的所述集膚深度小且大于5nm的厚度的金屬層。

73.根據(jù)權(quán)利要求72所述的光刻設(shè)備，其中所述光譜濾光片膜包括對EUV輻射實質(zhì)上透明的選自Ru、Mo、La、Rh、Be、Y、Zr、Ce、Nb和Pr的金屬。

74.根據(jù)權(quán)利要求73所述的光刻設(shè)備，其中所述光譜濾光片膜包括(多晶)Si核心層及厚度在5.5nm至10nm之間的Ru或Mo蓋層。