陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種陣列基板、顯示裝置、以及陣列基板的制作方法，用于減小陣列基板包含的相鄰第一透明電極之間的電場干擾。本發(fā)明實施例的陣列基板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線、以及位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的第一透明電極，其中：還包括絕緣部件；所述絕緣部件位于兩相鄰第一透明電極之間，所述絕緣部件的上表面高于所述第一透明電極的上表面，并且所述絕緣部件的下表面低于所述第一透明電極的上表面。本發(fā)明實施例可以減小相鄰第一透明電極之間的電場干擾。
【專利說明】陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種陣列基板、顯示裝置、以及陣列基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置的陣列基板包括襯底基板、位于所述襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線、以及位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的電極。以圖1為例，如圖1所示，兩條柵線10和三條數(shù)據(jù)線20相互交叉界定了兩個像素區(qū)域，并且每個像素區(qū)域內(nèi)設置有電極30，其中，以電極30是像素電極為例，圖2所述的結(jié)構(gòu)圖為圖1所示的陣列基板在AA'方向的截面圖，如圖2所示，兩相鄰電極30位于同一層、且二者之間具有一定間距。
[0003]目前高分辨率是陣列基板的一大發(fā)展趨勢，其中，目前的陣列基板的分辨率已經(jīng)從 200 個像素 / 每英寸(pixels per inch,以下簡稱 ppi)提升至 300pp1、400pp1、500ppi或500ppi以上。對于高分辨率陣列基板，隨著分辨率的提高，陣列基板的每個像素區(qū)域尺寸會越來越小，以400ppi陣列基板為例，其每個像素區(qū)域在與柵線平行的方向上的尺寸只有21um (微米)。當像素區(qū)域尺寸越來越小時，為了保持像素區(qū)域具有一定的開口率，目前相鄰電極之間的間距(即，圖1和圖2中的d)變得越來越小，使得當驅(qū)動包含陣列基板的顯示裝置時，相鄰電極之間的電場會相互干擾，從而使得顯示裝置的液晶偏轉(zhuǎn)混亂，可能會造成顯示裝置漏光和混色，嚴重影響顯示裝置的顯示質(zhì)量；比如，如圖3所示，以位于數(shù)據(jù)線20上方的電極30是像素電極、且相鄰像素電極之間的間距為10微米(B卩，d=10微米)為例，對陣列基板的漏光性進行測試，根據(jù)測試結(jié)果可以看出本來應該不偏轉(zhuǎn)的液晶a發(fā)生了偏轉(zhuǎn)，使得陣列基板在液晶a對應位置發(fā)生了漏光問題。
[0004]綜上所述，目前對于高分辨率陣列基板，其包含的相鄰電極之間的電場會相互干擾，使得包含陣列基板的顯示裝置的液晶偏轉(zhuǎn)混亂，可能會造成顯示裝置漏光和混色，嚴重影響顯示裝置的顯示質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示裝置、以及陣列基板的制作方法，用于減小陣列基板包含的相鄰第一透明電極之間的電場干擾。
[0006]第一方面,本發(fā)明實施例提供了 一種陣列基板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線、以及位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的第一透明電極，其中:還包括絕緣部件；
[0007]所述絕緣部件位于兩相鄰第一透明電極之間，所述絕緣部件的上表面高于所述第一透明電極的上表面，并且所述絕緣部件的下表面低于所述第一透明電極的上表面。
[0008]在本發(fā)明實施例中，陣列基板還包括位于兩相鄰第一透明電極之間、上表面高于所述第一透明電極的上表面、且下表面低于所述第一透明電極的上表面的絕緣部件，當驅(qū)動包含陣列基板的顯示裝置時，絕緣部件能夠?qū)Φ谝煌该麟姌O的電場起到一定的阻擋作用，因而可以減小相鄰第一透明電極之間的電場干擾，從而在一定程度上避免由于相鄰第一透明電極之間的電場干擾引起的漏光和混色問題，提高包含陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0009]較佳地，所述第一透明電極為狹縫狀。
[0010]在本發(fā)明實施例中，提供了第一透明電極形狀的【具體實施方式】，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案。需要說明的是，本發(fā)明實施例中的所述第一透明電極形狀只用于解釋本發(fā)明，而并不用于限制本發(fā)明，其它可以用于實現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)方案的實施方式也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0011]較佳地，本發(fā)明實施例提供的陣列基板還包括位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的第二透明電極；其中，所述第二透明電極為板狀或者狹縫狀。
[0012]較佳地，在所述第二透明電極為板狀時，所述第二透明電極與所述第一透明電極位于不同層。
[0013]較佳地，本發(fā)明實施例提供的陣列基板還包括位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的絕緣層；
[0014]所述絕緣層位于所述第一透明電極與所述第二透明電極之間，并且，所述絕緣部件位于所述絕緣層的上方或者下方。
[0015]較佳地，在所述第二透明電極為狹縫狀時，
[0016]所述第二透明電極與所述第一透明電極位于不同層，或者
[0017]所述第二透明電極與所述第一透明電極位于同一層、且所述第二透明電極和所述第一透明電極交叉排列。
[0018]在本發(fā)明實施例中，提供了陣列基板結(jié)構(gòu)的多種【具體實施方式】，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案。需要說明的是，本發(fā)明實施例中的所述陣列基板結(jié)構(gòu)只用于解釋本發(fā)明，而并不用于限制本發(fā)明，其它可以用于實現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)方案的實施方式也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0019]較佳地，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；或者，所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極。
[0020]在本發(fā)明實施例中，提供了第一透明電極和第二透明電極的【具體實施方式】，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案。需要說明的是，本發(fā)明實施例中的所述第一透明電極和第二透明電極的【具體實施方式】只用于解釋本發(fā)明，而并不用于限制本發(fā)明，其它可以用于實現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)方案的實施方式也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0021]較佳地，所述絕緣部件位于所述柵線和數(shù)據(jù)線的對應位置。
[0022]在本發(fā)明實施例中，提供了絕緣部件位置的【具體實施方式】，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案。需要說明的是，本發(fā)明實施例中的所述絕緣部件的具體位置只用于解釋本發(fā)明，而并不用于限制本發(fā)明，其它可以用于實現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)方案的實施方式也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0023]較佳地，所述絕緣部件為長條形，并且所述絕緣部件的橫截面為矩形或者正梯形。
[0024]在本發(fā)明實施例中，提供了絕緣部件形狀的【具體實施方式】，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案。需要說明的是，本發(fā)明實施例中的所述絕緣部件的具體形狀只用于解釋本發(fā)明，而并不用于限制本發(fā)明，其它可以用于實現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)方案的實施方式也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0025]較佳地，所述絕緣部件的材料為不透光材料，并且將所述絕緣部件作為黑矩陣。
[0026]在本發(fā)明實施例中，在減小陣列基板包含的相鄰像素電極之間的電場干擾的同時，還可以將原先位于彩膜基板上的黑矩陣制作到陣列基板上，以增加陣列基板的功能和降低彩膜基板的復雜度。
[0027]較佳地，所述絕緣部件的上表面與所述第一透明電極的上表面之間的距離值不小于I微米。
[0028]在本發(fā)明實施例中，提供了絕緣部件厚度的【具體實施方式】，以便本領(lǐng)域技術(shù)人員可以很容易地實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)方案。需要說明的是，本發(fā)明實施例中的所述絕緣部件的具體厚度只用于解釋本發(fā)明，而并不用于限制本發(fā)明，其它可以用于實現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)方案的實施方式也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0029]較佳地，本發(fā)明實施例的陣列基板還包括彩色濾光層，其中所述彩色濾光層位于所述絕緣部件所在的膜層下方。
[0030]在本發(fā)明實施例中，將原先位于彩膜基板上的彩色濾光層制作到陣列基板上，以實現(xiàn)像素位置的自對準、簡化加工過程、增大開口率、提高透過率、提高產(chǎn)品質(zhì)量、以及降低成本；并且可以實現(xiàn)增加陣列基板的功能和降低彩膜基板的復雜度。
[0031]第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種顯示裝置，包括所述的陣列基板。
[0032]在本發(fā)明實施例中，顯示裝置包括的陣列基板的絕緣部件能夠?qū)Φ谝煌该麟姌O的電場起到一定的阻擋作用，因而顯示裝置包括的陣列基板的相鄰第一透明電極之間的電場干擾可以有效減小，從而在一定程度上避免由于相鄰第一透明電極之間的電場干擾引起的漏光和混色問題，提高包含陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0033]第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0034]形成位于襯底基板上的每個像素區(qū)域內(nèi)的第一透明電極、以及形成位于兩相鄰第一透明電極之間、上表面高于所述第一透明電極的上表面、且下表面低于所述第一透明電極的上表面的絕緣部件；
[0035]其中，位于襯底基板上的多條柵線和數(shù)據(jù)線通過相互交叉以界定像素區(qū)域。
[0036]在本發(fā)明實施例中，陣列基板還包括位于兩相鄰第一透明電極之間、上表面高于所述第一透明電極的上表面、且下表面低于所述第一透明電極的上表面的絕緣部件，當驅(qū)動包含陣列基板的顯示裝置時，絕緣部件能夠?qū)Φ谝煌该麟姌O的電場起到一定的阻擋作用，因而可以減小相鄰第一透明電極之間的電場干擾，從而在一定程度上避免由于相鄰第一透明電極之間的電場干擾引起的漏光和混色問題，提高包含陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0037]較佳地，所述絕緣部件的材料為不透光材料，并且將所述絕緣部件作為黑矩陣。
[0038]在本發(fā)明實施例中，在減小陣列基板包含的相鄰像素電極之間的電場干擾的同時，還可以將原先位于彩膜基板上的黑矩陣制作到陣列基板上，以增加陣列基板的功能和降低彩膜基板的復雜度。
[0039]較佳地，在形成所述像素電極和絕緣部件之前，還包括:
[0040]形成位于所述絕緣部件所在的膜層下方的彩色濾光層。
[0041]在本發(fā)明實施例中，將原先位于彩膜基板上的彩色濾光層制作到陣列基板上，以實現(xiàn)像素位置的自對準、簡化加工過程、增大開口率、提高透過率、提高產(chǎn)品質(zhì)量、以及降低成本；并且可以實現(xiàn)增加陣列基板的功能和降低彩膜基板的復雜度。
[0042]與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明實施例中，陣列基板還包括位于兩相鄰第一透明電極之間、上表面高于所述第一透明電極的上表面、且下表面低于所述第一透明電極的上表面的絕緣部件，當驅(qū)動包含陣列基板的顯示裝置時，絕緣部件能夠?qū)Φ谝煌该麟姌O的電場起到一定的阻擋作用，因而可以減小相鄰第一透明電極之間的電場干擾，從而在一定程度上避免由于相鄰第一透明電極之間的電場干擾引起的漏光和混色問題，提高包含陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的俯視圖；
[0044]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的截面圖；
[0045]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板漏光性測試結(jié)果示意圖；
[0046]圖4A?圖4D為本發(fā)明實施例中陣列基板的截面圖；
[0047]圖5A?圖51為本發(fā)明實施例中陣列基板的俯視圖；
[0048]圖6為本發(fā)明實施例中絕緣部件的橫截面圖；
[0049]圖7為本發(fā)明實施例中陣列基板漏光性測試結(jié)果示意圖。
【具體實施方式】
[0050]在本發(fā)明實施例中，陣列基板包括襯底基板、位于所述襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線、以及位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的第一透明電極，其中:還包括絕緣部件，所述絕緣部件位于兩相鄰第一透明電極之間，所述絕緣部件的上表面高于所述第一透明電極的上表面，并且所述絕緣部件的下表面低于所述第一透明電極的上表面；
[0051]由于陣列基板還包括位于兩相鄰第一透明電極之間、上表面高于所述第一透明電極的上表面、且下表面低于所述第一透明電極的上表面的絕緣部件，當驅(qū)動包含陣列基板的顯示裝置時，絕緣部件能夠?qū)Φ谝煌该麟姌O的電場起到一定的阻擋作用，因而可以減小相鄰第一透明電極之間的電場干擾，從而在一定程度上避免由于相鄰第一透明電極之間的電場干擾引起的漏光和混色問題，提高包含陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0052]為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例進行詳細的描述。
[0053]較佳地，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板包括襯底基板、位于所述襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線、以及位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的第一透明電極，其中:還包括絕緣部件；
[0054]所述絕緣部件位于兩相鄰第一透明電極之間，所述絕緣部件的上表面高于所述第一透明電極的上表面，并且所述絕緣部件的下表面低于所述第一透明電極的上表面。
[0055]實施中，陣列基板還包括位于兩相鄰第一透明電極之間、上表面高于所述第一透明電極的上表面、且下表面低于所述第一透明電極的上表面的絕緣部件，當驅(qū)動包含陣列基板的顯示裝置時，絕緣部件能夠?qū)Φ谝煌该麟姌O的電場起到一定的阻擋作用，因而可以減小相鄰第一透明電極之間的電場干擾，從而在一定程度上避免由于相鄰第一透明電極之間的電場干擾引起的漏光和混色問題，提高包含陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量；
[0056]另外，由于本發(fā)明實施例的陣列基板的相鄰第一透明電極之間的電場干擾可以有效減小，因此，本發(fā)明實施例的陣列基板的相鄰第一透明電極之間的距離還可以進一步減小，以增大開口率和提高透過率；而且，本發(fā)明實施例的陣列基板的像素區(qū)域的面積可以進一步減小，以便于開發(fā)更高分辨率的陣列基板。
[0057]較佳地，第一透明電極為像素電極或者公共電極。
[0058]較佳地，本發(fā)明實施例的陣列基板還包括位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的第二透明電極。
[0059]較佳地，在所述第一透明電極為像素電極時，所述第二透明電極為公共電極；或者，在所述第一透明電極為公共電極時，所述第二透明電極為像素電極。
[0060]下面將對第一透明電極和第二透明電極的幾種較佳的形狀和位置連接關(guān)系的實施方式進行介紹，需要說明的是，本發(fā)明所提到的方向用語，如表示方向的“上”、“下”，僅是參考附圖的方向以說明及理解本發(fā)明，而不用于限制本發(fā)明實施例。
[0061]實施方式一
[0062]較佳地，第一透明電極為狹縫狀，第二透明電極為板狀。
[0063]較佳地，所述第二透明電極與所述第一透明電極位于不同層。
[0064]比如，對于ADS (Advanced Smart Display System,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式，在第一透明電極為狹縫狀時，第二透明電極可以為板狀；并且，第二透明電極與第一透明電極位于不同層。
[0065]ADS技術(shù)即通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。針對不同應用，ADS技術(shù)的改進技術(shù)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0066]較佳地，本發(fā)明實施例的陣列基板還包括位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的絕緣層；
[0067]所述絕緣層位于所述第一透明電極與所述第二透明電極之間，并且，所述絕緣部件位于所述絕緣層的上方或者下方。
[0068]比如，以第一透明電極為像素電極，第二透明電極為公共電極為例，
[0069]如圖4A所示，第一透明電極30為狹縫狀，第二透明電極500為板狀；第一透明電極30和第二透明電極500位于不同層，第一透明電極30位于第二透明電極500的上方；第二絕緣層600位于第一透明電極30和第二透明電極500之間，并且，絕緣部件40位于第二絕緣層600的上方、且與第一透明電極30同層設置；
[0070]如圖4B所示，第一透明電極30為狹縫狀，第二透明電極500為板狀；第一透明電極30和第二透明電極500位于不同層，第二透明電極500位于第一透明電極30的上方；第二絕緣層600位于第一透明電極30和第二透明電極500之間，并且，絕緣部件40位于第二絕緣層600的下方、且與第一透明電極30同層設置；
[0071]如圖4C所示，第一透明電極30為狹縫狀，第二透明電極500為板狀；第一透明電極30和第二透明電極500位于不同層；第二絕緣層600位于第一透明電極30和第二透明電極500之間，并且，絕緣部件40位于第二絕緣層600的下方、且位于第二透明電極500的上方。
[0072]實施方式二
[0073]較佳地，第一透明電極為狹縫狀，第二透明電極為狹縫狀。
[0074]較佳地，所述第二透明電極與所述第一透明電極位于不同層，或者
[0075]所述第二透明電極與所述第一透明電極位于同一層、且所述第二透明電極和所述第一透明電極交叉排列。
[0076]具體實施中，在所述第二透明電極與所述第一透明電極位于不同層時，相鄰第二透明電極之間可以設置絕緣部件，也可以不設置該絕緣部件。
[0077]較佳地，在所述第二透明電極與所述第一透明電極位于不同層時，所述絕緣部件位于兩相鄰第二透明電極之間，所述絕緣部件的上表面高于所述第二透明電極的上表面，并且所述絕緣部件的下表面低于所述第二透明電極的上表面。
[0078]實施中，在兩相鄰第二透明電極之間也設置絕緣部件，可以進一步減小相鄰第二透明電極之間的電場干擾，在一定程度上避免由于電場干擾引起的漏光和混色問題，提高包含陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0079]較佳地，在所述第二透明電極與所述第一透明電極位于不同層時，所述第二透明電極和所述第一透明電極交叉排列。
[0080]如，對于IPS (In-Plane Switching,平面轉(zhuǎn)換)模式,每個像素區(qū)域內(nèi)狹縫狀的像素電極和公共電極會不同層交叉排列；
[0081]而對于ADS模式，對每個像素區(qū)域內(nèi)狹縫狀的像素電極和公共電極的排列方式無交叉排列的要求。
[0082]較佳地，在所述第二透明電極與所述第一透明電極位于同一層、且所述第二透明電極和所述第一透明電極交叉排列時，所述絕緣部件位于分別設置于兩相鄰像素區(qū)域內(nèi)且相鄰的第一透明電極和第二透明電極之間，所述絕緣部件的上表面高于所述第一透明電極和第二透明電極的上表面，并且所述絕緣部件的下表面低于所述第一透明電極和第二透明電極的上表面。
[0083]比如，對于IPS模式，每個像素區(qū)域內(nèi)狹縫狀的像素電極和公共電極會同層交叉排列，因而需要在分別位于兩相鄰像素區(qū)域內(nèi)且相鄰的像素電極和公共電極之間設置絕緣部件。
[0084]較佳地，絕緣部件的材料為絕緣材料。
[0085]具體實施中，絕緣部件的材料可以為不透光材料，比如，鉻及其化合物材料、以及黑色樹脂等可以用于制作黑矩陣的材料；絕緣部件的材料也可以為透光材料，比如，光刻膠材料、非黑色樹脂和PMMA (Polymethyl Methacrylate,聚甲基丙烯酸甲酯)等。
[0086]較佳地，本發(fā)明實施例中的絕緣部件的位置連接關(guān)系只要滿足下列條件即可:絕緣部件位于兩相鄰第一透明電極之間、絕緣部件的上表面高于所述第一透明電極的上表面，并且絕緣部件的下表面低于所述第一透明電極的上表面。
[0087]下面以第一透明電極為像素電極為例，對本發(fā)明實施例中的絕緣部件的位置連接關(guān)系進行說明，需要說明的是，在第一透明電極為公共電極時，本發(fā)明實施例中的絕緣部件的位置連接關(guān)系的實施方式與在第一透明電極為像素電極時，本發(fā)明實施例中的絕緣部件的位置連接關(guān)系的實施方式類似，在此不再贅述。
[0088]下面將以絕緣部件的位置與柵線和數(shù)據(jù)線的位置之間的關(guān)系為分類依據(jù)，對本發(fā)明實施例的絕緣部件位于兩相鄰像素電極之間的實施方式進行分類介紹。
[0089]一、絕緣部件位于柵線和數(shù)據(jù)線的對應位置。
[0090]實施中，由于在絕緣部件位于柵線和數(shù)據(jù)線的對應位置時，可以依據(jù)柵線和數(shù)據(jù)線的位置設置絕緣部件，因此與將絕緣部件制作于其他位置的工藝難度相比，將絕緣部件制作于所述柵線和數(shù)據(jù)線的對應位置在工藝上相對比較容易實現(xiàn)。
[0091]較佳地，在至少兩層絕緣部件需要交叉設置時，在交叉點處至少存在一層絕緣部件。
[0092]較佳地，所述絕緣部件的材料為不透光材料，并且將所述絕緣部件作為黑矩陣。
[0093]實施中，在絕緣部件位于柵線和數(shù)據(jù)線的對應位置，且所述絕緣部件的材料為不透光材料時，可以將該絕緣部件直接作為用于遮擋外界光的黑矩陣，因此無需額外的工藝步驟形成黑矩陣，可以減少工藝步驟和節(jié)省成本；并且，
[0094]在減小陣列基板包含的相鄰像素電極之間的電場干擾的同時，還可以將原先位于彩膜基板上的黑矩陣制作到陣列基板上，以增加陣列基板的功能和降低彩膜基板的復雜度。
[0095]具體實施中，絕緣部件位于所述柵線和數(shù)據(jù)線的對應位置的任意一種實施方式均適用于本發(fā)明實施例，下面將對幾種比較典型的情況進行介紹，需要說明的是，下面幾種典型的情況只是用于說明本發(fā)明實施例，而不用于限制本發(fā)明實施例。
[0096]1、絕緣部件與柵線和數(shù)據(jù)線完全重合。
[0097]較佳地，在與柵線完全重合的絕緣部件和與數(shù)據(jù)線完全重合的絕緣部件相互交叉時，與柵線完全重合的絕緣部件和與數(shù)據(jù)線完全重合的絕緣部件的交叉點處至少存在一層絕緣部件，即，與柵線完全重合的絕緣部件和與數(shù)據(jù)線完全重合的絕緣部件的交叉點處存在與柵線完全重合的絕緣部件和/或與數(shù)據(jù)線完全重合的絕緣部件。
[0098]比如，如圖5A所示，S1、s2和s3為柵線，dl、d2和d3為數(shù)據(jù)線，s1、s2和s3與dl、d2和d3相互交叉界定了像素區(qū)域A、B、C和D，像素電極a位于像素區(qū)域A中，像素電極b位于像素區(qū)域B中，像素電極c位于像素區(qū)域C中，像素電極d位于像素區(qū)域D中；
[0099]其中，為了減小相鄰像素電極a和b之間的電場干擾、以及為了減小相鄰像素電極c和d之間的電場干擾，絕緣部件m位于像素電極a和b之間(B卩，像素電極c和d之間)、且與像素電極a、b、c和d位于同一層，并且絕緣部件m與數(shù)據(jù)線d2完全重合；
[0100]為了減小相鄰像素電極a和c之間的電場干擾、以及為了減小相鄰像素電極b和d之間的電場干擾，絕緣部件η位于像素電極a和c之間(S卩，像素電極b和d之間)、且與像素電極a、b、c和d位于同一層，并且絕緣部件η與柵線s2完全重合；
[0101]在絕緣部件m和絕緣部件η的交叉點處存在絕緣部件m和/或絕緣部件η。
[0102]實施中，絕緣部件與柵線和數(shù)據(jù)線完全重合時，若將絕緣部件直接作為黑矩陣，可以保證其具有很好的遮光效果和保護作用；而且，可以采用制作柵線和數(shù)據(jù)線的掩模板和類似工藝流程，制作絕緣部件，可以降低制作絕緣部件的復雜度和成本。
[0103]2、絕緣部件全面覆蓋柵線和數(shù)據(jù)線。[0104]比如，如圖5B所示，S1、s2和s3為柵線，dl、d2和d3為數(shù)據(jù)線，s1、s2和s3與dl、d2和d3相互交叉界定了像素區(qū)域A、B、C和D，像素電極a位于像素區(qū)域A中，像素電極b位于像素區(qū)域B中，像素電極c位于像素區(qū)域C中，像素電極d位于像素區(qū)域D中；
[0105]其中，為了減小相鄰像素電極a和b之間的電場干擾、以及為了減小相鄰像素電極c和d之間的電場干擾，絕緣部件m位于像素電極a和b之間(B卩，像素電極c和d之間)、且與像素電極a、b、c和d位于同一層，并且絕緣部件m全面覆蓋數(shù)據(jù)線d2 ；
[0106]為了減小相鄰像素電極a和c之間的電場干擾、以及為了減小相鄰像素電極b和d之間的電場干擾，絕緣部件η位于像素電極a和c之間(S卩，像素電極b和d之間)、且與像素電極a、b、c和d位于同一層，并且絕緣部件η全面覆蓋柵線s2。
[0107]實施中，絕緣部件全面覆蓋柵線和數(shù)據(jù)線時，若將絕緣部件直接作為黑矩陣，可以保證其具有很好的遮光效果和保護作用。
[0108]3、絕緣部件與柵線完全交疊、且絕緣部件的面積小于柵線的面積，以及絕緣部件與數(shù)據(jù)線完全交疊、且絕緣部件的面積小于數(shù)據(jù)線的面積。
[0109]比如，如圖5C所示，S1、s2和s3為柵線，dl、d2和d3為數(shù)據(jù)線，s1、s2和s3與dl、d2和d3相互交叉界定了像素區(qū)域A、B、C和D，像素電極a位于像素區(qū)域A中，像素電極b位于像素區(qū)域B中，像素電極c位于像素區(qū)域C中，像素電極d位于像素區(qū)域D中；
[0110]其中，為了減小相鄰像素電極a和b之間的電場干擾、以及為了減小相鄰像素電極c和d之間的電場干擾，絕緣部件m位于像素電極a和b之間(B卩，像素電極c和d之間)、且與像素電極a、b、c和d位于同一層，并且絕緣部件m與數(shù)據(jù)線d2完全交疊、且絕緣部件m的面積小于數(shù)據(jù)線d2的面積；
[0111]為了減小相鄰像素電極a和c之間的電場干擾、以及為了減小相鄰像素電極b和d之間的電場干擾，絕緣部件η位于像素電極a和c之間(S卩，像素電極b和d之間)、且與像素電極a、b、c和d位于同一層，并且絕緣部件η與柵線s2完全交疊、且絕緣部件η的面積小于柵線s2的面積。
[0112]實施中，在采用本第3點中的絕緣部件時，可以依據(jù)柵線和數(shù)據(jù)線的位置設置絕緣部件，以降低制作絕緣部件的工藝難度。
[0113]4、絕緣部件與柵線和數(shù)據(jù)線部分交疊。
[0114]比如，如圖所示，S1、s2和s3為柵線，dl、d2和d3為數(shù)據(jù)線，s1、s2和s3與dl、d2和d3相互交叉界定了像素區(qū)域A、B、C和D，像素電極a位于像素區(qū)域A中，像素電極b位于像素區(qū)域B中，像素電極c位于像素區(qū)域C中，像素電極d位于像素區(qū)域D中；
[0115]其中，為了減小相鄰像素電極a和b之間的電場干擾、以及為了減小相鄰像素電極c和d之間的電場干擾，絕緣部件m位于像素電極a和b之間(B卩，像素電極c和d之間)、且與像素電極a、b、c和d位于同一層，并且絕緣部件m與數(shù)據(jù)線d2部分交疊、且與像素區(qū)域A和C部分交疊；
[0116]為了減小相鄰像素電極a和c之間的電場干擾、以及為了減小相鄰像素電極b和d之間的電場干擾，絕緣部件η位于像素電極a和c之間(S卩，像素電極b和d之間)、且與像素電極a、b、c和d位于同一層，并且絕緣部件η與柵線s2部分交疊、且與像素區(qū)域A和B部分交疊。
[0117]需要說明的是，絕緣部件m也可以與數(shù)據(jù)線d2部分交疊、且與像素區(qū)域B和D部分交疊，另外，絕緣部件η也可以與柵線s2部分交疊、且與像素區(qū)域C和D部分交疊。
[0118]實施中，在采用本第4點中的絕緣部件時，可以依據(jù)柵線和數(shù)據(jù)線的位置設置絕緣部件，以降低制作絕緣部件的工藝難度。
[0119]5、絕緣部件分段設置于柵線和數(shù)據(jù)線的對應位置。
[0120]比如，如圖5E所示，Si和s2為柵線，dl、d2和d3為數(shù)據(jù)線，si和s2與dl、d2和d3相互交叉界定了像素區(qū)域A和B，像素電極a位于像素區(qū)域A中，像素電極b位于像素區(qū)域B中；
[0121]為了減小相鄰像素電極a和b之間的電場干擾，絕緣部件m與像素電極a和b位于同一層、且位于數(shù)據(jù)線d2的對應位置；
[0122]其中，絕緣部件m包括3個子段，絕緣部件m的3個子段均勻設置于數(shù)據(jù)線d2的
對應位置。
[0123]需要說明的是，圖5E是對絕緣部件分段設置于數(shù)據(jù)線的對應位置的實施方式進行的介紹，絕緣部件分段設置于柵線的對應位置的實施方式與絕緣部件分段設置于數(shù)據(jù)線的對應位置的實施方式類似，在此不再贅述。
[0124]實施中，在絕緣部件分段設置于柵線和數(shù)據(jù)線的對應位置時，可以節(jié)省制作絕緣部件的成本和增加制作絕緣部件方法的靈活性。
[0125]二、絕緣部件位于像素區(qū)域內(nèi)。
[0126]具體實施中，絕緣部件位于像素區(qū)域內(nèi)的任意一種實施方式均適用于本發(fā)明實施例，下面將對幾種比較典型的情況進行介紹，需要說明的是，下面幾種典型的情況只是用于說明本發(fā)明實施例，而不用于限制本發(fā)明實施例。
[0127]1、絕緣部件位于像素區(qū)域內(nèi)、且位于像素電極的周圍。
[0128]比如，如圖5F所示，Si和s2為柵線，dl、d2和d3為數(shù)據(jù)線，si和s2與dl、d2和d3相互交叉界定了像素區(qū)域A和B，像素電極a位于像素區(qū)域A中，像素電極b位于像素區(qū)域B中；
[0129]為了減小相鄰像素電極a和b之間的電場干擾，絕緣部件m與像素電極a和b位于同一層、分別位于像素區(qū)域A和B內(nèi)、且分別位于像素電極a和b的周圍；從而實現(xiàn)了在相鄰像素電極a和b之間設置了兩層絕緣部件。
[0130]2、絕緣部件位于像素區(qū)域內(nèi)、位于像素電極的兩側(cè)、且位于像素電極兩側(cè)的絕緣部件相互垂直。
[0131]比如，如圖5G所示，S1、s2和s3為柵線，dl、d2和d3為數(shù)據(jù)線，s1、s2和s3與dl、d2和d3相互交叉界定了像素區(qū)域A、B、C和D，像素電極a位于像素區(qū)域A中，像素電極b位于像素區(qū)域B中，像素電極c位于像素區(qū)域C中，像素電極d位于像素區(qū)域D中；
[0132]為了減小相鄰像素電極a和b之間的電場干擾、以及為了減小相鄰像素電極a和c之間的電場干擾，位于像素區(qū)域A中的絕緣部件m包括第一部分ml和第二部分m2，ml和m2相互垂直，其中，ml位于像素電極a與像素電極c相鄰的一側(cè)，m2位于像素電極a與像素電極b相鄰的一側(cè)。
[0133]具體實施中，位于像素區(qū)域B、C和D中的絕緣部件的實施方式與位于像素區(qū)域A中的絕緣部件的實施方式類似，在此不再贅述。
[0134]3、絕緣部件位于像素區(qū)域內(nèi)、位于像素電極的三側(cè)。[0135]比如，如圖5H所示，S1、s2、s3和s4為柵線，dl、d2和d3為數(shù)據(jù)線，s1、s2、s3和s4與dl、d2和d3相互交叉界定了像素區(qū)域A、B、C、D、E和F，像素電極a位于像素區(qū)域A中，像素電極b位于像素區(qū)域B中，像素電極c位于像素區(qū)域C中，像素電極d位于像素區(qū)域D中，像素電極e位于像素區(qū)域E中，像素電極f位于像素區(qū)域F中；
[0136]以位于像素區(qū)域C中的絕緣部件為例，絕緣部件m包括第一部分ml、第二部分m2和第三部分m3，ml位于像素電極c與像素電極a相鄰的一側(cè)，m2位于像素電極c與像素電極d相鄰的一側(cè)，m3位于像素電極c與像素電極e相鄰的一側(cè)；其中:ml能夠減小相鄰像素電極c和a之間的電場干擾，m2能夠減小相鄰像素電極c和d之間的電場干擾，m3能夠減小相鄰像素電極c和e之間的電場干擾；
[0137]其中，位于像素區(qū)域A、B、D、E和F中的絕緣部件的實施方式與位于像素區(qū)域C中的絕緣部件的實施方式類似，在此不再贅述。
[0138]下面將以絕緣部件的下表面與像素電極的下表面的位置連接關(guān)系為分類依據(jù)，對本發(fā)明實施例的絕緣部件的上表面高于所述像素電極的上表面，并且所述絕緣部件的下表面低于所述像素電極的上表面的實施方式進行分類介紹。需要說明的是，下面幾種情況只是用于說明本發(fā)明實施例，而不用于限制本發(fā)明實施例。
[0139]一、絕緣部件的下表面與像素電極的下表面平齊。
[0140]比如，如圖4A所示，絕緣部件40位于像素電極30之間、絕緣部件40的上表面高于像素電極30的上表面、絕緣部件40的下表面低于像素電極30的上表面、并且絕緣部件40的下表面與像素電極30的下表面平齊。
[0141]較佳地，絕緣部件和像素電極可以位于任一絕緣膜層上。
[0142]比如，如圖4A所示，絕緣部件40和像素電極30位于第二絕緣層600上；或者，如圖4B所示，絕緣部件40和像素電極30位于樹脂平坦層400上。
[0143]二、絕緣部件的下表面低于像素電極的下表面。
[0144]比如，如圖4C所示，絕緣部件40位于像素電極30之間、絕緣部件40的上表面高于像素電極30的上表面、絕緣部件40的下表面低于像素電極30的上表面、并且絕緣部件40的下表面也低于像素電極30的下表面。
[0145]三、絕緣部件的下表面高于像素電極的下表面。
[0146]比如，如圖4D所示，絕緣部件40位于像素電極30之間、絕緣部件40的上表面高于像素電極30的上表面、絕緣部件40的下表面低于像素電極30的上表面、并且絕緣部件40的下表面高于像素電極30的下表面。
[0147]下面以第一透明電極為像素電極為例，對本發(fā)明實施例中的絕緣部件的形狀進行說明，需要說明的是，在第一透明電極為公共電極時，本發(fā)明實施例中的絕緣部件的形狀的實施方式與在第一透明電極為像素電極時，本發(fā)明實施例中的絕緣部件的形狀的實施方式類似，在此不再贅述。
[0148]較佳地，本發(fā)明實施例中的絕緣部件的形狀可以為任意形狀，比如，規(guī)則形狀或者不規(guī)則形狀。
[0149]比如，如圖51所示，S1、s2和s3為柵線，dl、d2和d3為數(shù)據(jù)線，s1、s2和s3與dl、d2和d3相互交叉界定了像素區(qū)域A、B、C和D，像素電極a位于像素區(qū)域A中，像素電極b位于像素區(qū)域B中，像素電極c位于像素區(qū)域C中，像素電極d位于像素區(qū)域D中；[0150]其中，位于像素電極a和b之間的絕緣部件ml的形狀為規(guī)則的長條形，而位于像素電極a和c之間的絕緣部件m2的形狀為不規(guī)則形狀。
[0151]較佳地，絕緣部件為長條形，并且所述絕緣部件的橫截面為矩形或者正梯形。
[0152]比如，如圖5A所示，絕緣部件m為沿著數(shù)據(jù)線d2分布的長條形，如圖6所示，絕緣部件m的橫截面(B卩，圖5A所示的陣列基板在BB'方向的截面圖)為上底邊短、下底邊長的正梯形。
[0153]實施中，與將絕緣部件制作為其他形狀的工藝難度相比，將絕緣部件制作為長條形在工藝上相對比較容易實現(xiàn)。
[0154]較佳地，絕緣部件的上表面與第一透明電極的上表面之間的距離值不小于I微米，則絕緣部件的厚度不小于I微米。
[0155]需要說明的是，本發(fā)明實施例中的絕緣部件的具體厚度只用于解釋本發(fā)明，而并不用于限制本發(fā)明，其它可以用于實現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)方案的實施方式也在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0156]實施中，在絕緣部件的上表面與第一透明電極的上表面之間的距離值不小于I微米時，可以提高減小相鄰第一透明電極之間的電場干擾的效果。
[0157]較佳地，本發(fā)明實施例的陣列基板還包括彩色濾光層，其中所述彩色濾光層位于所述絕緣部件所在的膜層下方。
[0158]實施中，將原先位于彩膜基板上的彩色濾光層制作到陣列基板上，可以實現(xiàn)像素位置的自對準，從而實現(xiàn)簡化加工過程、增大開口率、提高透過率、提高產(chǎn)品質(zhì)量、以及降低成本；并且可以實現(xiàn)增加陣列基板的功能和降低彩膜基板的復雜度。
[0159]較佳地，本發(fā)明實施例同時還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案所提的陣列基板。
[0160]該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述實施例，重復之處不再贅述。
[0161]實施中，顯示裝置包括的陣列基板的絕緣部件能夠?qū)Φ谝煌该麟姌O的電場起到一定的阻擋作用，因而顯示裝置包括的陣列基板的相鄰第一透明電極之間的電場干擾可以有效減小，從而在一定程度上避免由于相鄰第一透明電極之間的電場干擾引起的漏光和混色問題，提高包含陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。
[0162]較佳地，本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制作方法，包括:
[0163]形成位于襯底基板上的每個像素區(qū)域內(nèi)的第一透明電極、以及形成位于兩相鄰第一透明電極之間、上表面高于所述第一透明電極的上表面、且下表面低于所述第一透明電極的上表面的絕緣部件；
[0164]其中，位于襯底基板上的多條柵線和數(shù)據(jù)線通過相互交叉以界定像素區(qū)域。
[0165]實施中，陣列基板還包括位于兩相鄰第一透明電極之間、上表面高于所述第一透明電極的上表面、且下表面低于所述第一透明電極的上表面的絕緣部件，當驅(qū)動包含陣列基板的顯示裝置時，絕緣部件能夠?qū)Φ谝煌该麟姌O的電場起到一定的阻擋作用，因而可以減小相鄰第一透明電極之間的電場干擾，從而在一定程度上避免由于相鄰第一透明電極之間的電場干擾引起的漏光和混色問題，提高包含陣列基板的顯示裝置的顯示質(zhì)量。[0166]較佳地，所述絕緣部件的材料為不透光材料，并且將所述絕緣部件作為黑矩陣。
[0167]實施中，在減小陣列基板包含的相鄰像素電極之間的電場干擾的同時，還可以將原先位于彩膜基板上的黑矩陣制作到陣列基板上，以增加陣列基板的功能和降低彩膜基板的復雜度。
[0168]較佳地，在形成所述像素電極和絕緣部件之前，還包括:
[0169]形成位于所述絕緣部件所在的膜層下方的彩色濾光層。 [0170]實施中，將原先位于彩膜基板上的彩色濾光層制作到陣列基板上，以實現(xiàn)像素位置的自對準、簡化加工過程、增大開口率、提高透過率、提高產(chǎn)品質(zhì)量、以及降低成本；并且可以實現(xiàn)增加陣列基板的功能和降低彩膜基板的復雜度。
[0171]為了對本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法進行詳細地說明，下面以一個具體的實施例對本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法進行介紹。
[0172]實施例一
[0173]在本發(fā)明實施例一中，第一透明電極為像素電極，第二透明電極為公共電極，并且，第一透明電極為狹縫狀，第二透明電極為板狀。
[0174]較佳地，本發(fā)明實施例的陣列基板的制作方法，包括:
[0175]步驟Al、在襯底基板上形成柵極和柵線；
[0176]其中，如圖5A所示，形成的柵極I與柵線10相互連接。
[0177]步驟A2、在所述襯底基板上形成覆蓋所述柵極和柵線的柵極絕緣層；
[0178]步驟A3、在所述柵極絕緣層上形成有源層；
[0179]其中，如圖5A所示，形成的柵極I全部覆蓋有源層2。
[0180]步驟A4、在所述有源層上形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線；
[0181]其中，如圖5A所示，形成的源極3和漏極4分別位于有源層兩側(cè)，并且源極3與數(shù)據(jù)線20相互連接。
[0182]步驟A5、形成覆蓋源極、漏極和數(shù)據(jù)線的第一絕緣層；
[0183]上述步驟Al~步驟A5的具體制作過程為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，這里不再詳細描述了。
[0184]步驟A6、在所述第一絕緣層上形成彩色濾光層；
[0185]具體實施中，可以采用制作位于彩膜基板上的彩色濾光層的類似方法，在陣列基板的第一絕緣層上制作彩色濾光層。
[0186]其中，圖5A中AA '向(即，相鄰像素區(qū)域)截面圖如圖4A所示，柵極絕緣層200位于襯底基板100上，數(shù)據(jù)線20位于柵極絕緣層200上，第一絕緣層300位于數(shù)據(jù)線20上且全面覆蓋數(shù)據(jù)線20，彩色濾光層700位于第一絕緣層300上。
[0187]步驟A7、在彩色濾光層上形成樹脂平坦層；
[0188]其中，圖5A中AA ^向(即，相鄰像素區(qū)域)截面圖如圖4A所示，樹脂平坦層400位于彩色濾光層700上。
[0189]步驟AS、在樹脂平坦層上形成公共電極層；
[0190]其中，圖5A中AA7向(即，相鄰像素區(qū)域)截面圖如圖4A所示，公共電極層500位于樹脂平坦層400上。
[0191]步驟A9、在公共電極層上形成第二絕緣層；[0192]其中，圖5A中AA '向(即，相鄰像素區(qū)域)截面圖如圖4A所示，第二絕緣層600位于公共電極層500上。
[0193]上述步驟A7?步驟A9的具體制作過程為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，這里不再詳細描述了。
[0194]步驟A10、在第二絕緣層上形成像素電極、以及位于相鄰像素電極之間的絕緣部件。
[0195]其中，圖5A中AA7向(即，相鄰像素區(qū)域)截面圖如圖4A所示，像素電極30和絕緣部件40位于同一層，并且絕緣部件40位于相鄰像素電極30之間。
[0196]具體實施中，如圖5A所示，像素電極30通過過孔5與漏極4連接。
[0197]實施中，以相鄰像素電極之間的間距為9.2微米(S卩，d=9.2微米)為例，對本發(fā)明實施例中兩相鄰像素電極30之間設置有絕緣部件40，絕緣部件40與像素電極30同層，并且絕緣部件40位于數(shù)據(jù)線20的對應位置的陣列基板的漏光性進行測試，測試結(jié)果如圖7所示，可以看出本來應該不偏轉(zhuǎn)的液晶a未發(fā)生偏轉(zhuǎn)，使得陣列基板在液晶a對應位置不漏光，即，本發(fā)明實施例的陣列基板的兩相鄰像素電極之間的電場干擾幾乎可以忽略。
[0198]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0199]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的多條相互交叉以界定像素區(qū)域的柵線和數(shù)據(jù)線、以及位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的第一透明電極，其特征在于，還包括絕緣部件； 所述絕緣部件位于兩相鄰第一透明電極之間，所述絕緣部件的上表面高于所述第一透明電極的上表面，并且所述絕緣部件的下表面低于所述第一透明電極的上表面。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為狹縫狀。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的第二透明電極；其中，所述第二透明電極為板狀或者狹縫狀。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在所述第二透明電極為板狀時，所述第二透明電極與所述第一透明電極位于不同層。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于每個所述像素區(qū)域內(nèi)的絕緣層； 所述絕緣層位于所述第一透明電極與所述第二透明電極之間，并且，所述絕緣部件位于所述絕緣層的上方或者下方。
6.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在所述第二透明電極為狹縫狀時， 所述第二透明電極與所述第一透明電極位于不同層，或者 所述第二透明電極與所述第一透明電極位于同一層、且所述第二透明電極和所述第一透明電極交叉排列。
7.如權(quán)利要求3~6任一所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；或者，所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極。
8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣部件位于所述柵線和數(shù)據(jù)線的對應位置。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣部件為長條形，并且所述絕緣部件的橫截面為矩形或者正梯形。
10.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣部件的材料為不透光材料，并且將所述絕緣部件作為黑矩陣。
11.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣部件的上表面與所述第一透明電極的上表面之間的距離值不小于I微米。
12.如權(quán)利要求1~6或8~11任一所述的陣列基板，其特征在于，還包括彩色濾光層，其中所述彩色濾光層位于所述絕緣部件所在的膜層下方。
13.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1~12任一所述的陣列基板。
14.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 形成位于襯底基板上的每個像素區(qū)域內(nèi)的第一透明電極、以及形成位于兩相鄰第一透明電極之間、上表面高于所述第一透明電極的上表面、且下表面低于所述第一透明電極的上表面的絕緣部件； 其中，位于襯底基板上的多條柵線和數(shù)據(jù)線通過相互交叉以界定像素區(qū)域。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述絕緣部件的材料為不透光材料，并且將所述絕緣部件作為黑矩陣。
16.如權(quán)利要求14或15所述的方法，其特征在于，在形成所述像素電極和絕緣部件之前，還包括: 形成位于所述絕緣 部件所在的膜層下方的彩色濾光層。
【文檔編號】G02F1/1333GK103777395SQ201410039889
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年1月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月27日
【發(fā)明者】張鋒, 曹占鋒, 姚琪 申請人:京東方科技集團股份有限公司