薄膜晶體管陣列面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管（TFT）陣列面板及其制造方法?？梢孕纬捎|孔接以暴露設(shè)置在TFT陣列面板的基板上的焊盤。連接構(gòu)件的第一層用與第一場產(chǎn)生電極相同的層形成且設(shè)置在接觸孔中。第二鈍化層設(shè)置在TFT陣列面板中，但是在形成接觸孔的區(qū)域被去除并且第二鈍化層的覆蓋連接構(gòu)件的第一層的部分被去除。連接構(gòu)件的第二層形成在連接構(gòu)件的第一層上。
【專利說明】薄膜晶體管陣列面板【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的示范性實(shí)施例涉及一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(IXD)是最廣泛使用的平板顯示器之一。IXD具有兩個顯示面板以及插設(shè)在這兩個面板之間的液晶層，諸如像素電極和公共電極的場產(chǎn)生電極形成在這兩個顯示面板上。電壓施加到場產(chǎn)生電極以在液晶層中產(chǎn)生電場。液晶層中的液晶分子的排列由電場決定。因此，入射光的偏振被控制以在IXD中顯示圖像。在液晶層中產(chǎn)生電場的像素電極和公共電極可以形成在薄膜晶體管陣列面板上。
[0003]此外，在IXD中，可以形成焊盤部分以將驅(qū)動電路連接到IXD的場產(chǎn)生電極從而施加?xùn)艠O電壓和數(shù)據(jù)電壓。如果LCD中的鈍化層的厚度不正常地大，則暴露焊盤部分的接觸孔的高度會很大，使得連接驅(qū)動電路和焊盤部分的連接構(gòu)件可能斷開。
[0004]連接構(gòu)件可以形成在由接觸孔暴露的焊盤部分上。在某些情況下，凸塊也可以設(shè)置在連接構(gòu)件和驅(qū)動電路之間以將驅(qū)動信號從驅(qū)動電路傳輸?shù)胶副P部分。如果接觸孔的高度增加，則難以使凸塊接觸接觸孔中的連接構(gòu)件和驅(qū)動電路。因此，驅(qū)動信號不能被正常地傳輸。
[0005]此外，隨著LCD的分辨率增加，焊盤部分之間的間隔變得較窄，使得形成在接觸孔上的連接構(gòu)件之間的間隔也變窄。因此，當(dāng)在用于形成連接構(gòu)件的曝光工藝中部分地產(chǎn)生錯誤時，相鄰的連接構(gòu)件可能被連接，使得期望大小的驅(qū)動信號不能被傳輸?shù)胶副P。
[0006]在本【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對本發(fā)明的【背景技術(shù)】的理解，因此它可能包含不形成本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的示范性實(shí)施例提供一種薄膜晶體管陣列面板及其制造方法，其減小信號線的焊盤單元與連接構(gòu)件之間的高度差以易于連接焊盤單元和連接構(gòu)件，降低暴露焊盤的接觸孔的高度以利用凸塊接觸驅(qū)動電路，并在高分辨率液晶顯示器中防止形成在焊盤上的相鄰連接構(gòu)件之間的不必要的接觸。
[0008]本發(fā)明的其它特征將在以下的描述中闡述，并將部分地從該描述而變得明顯，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)施而掌握。
[0009]本發(fā)明的示范性實(shí)施例公開了一種薄膜晶體管陣列面板。該薄膜晶體管陣列面板包括:絕緣基板；柵極線和柵極焊盤，設(shè)置在基板上；柵極絕緣層，設(shè)置在柵極線和柵極焊盤上；數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，設(shè)置在柵極絕緣層上；第一鈍化層，設(shè)置在數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤上；有機(jī)層，設(shè)置在第一鈍化層上；第一場產(chǎn)生電極，設(shè)置在有機(jī)層上；以及第二鈍化層，設(shè)置在第一場產(chǎn)生電極上。有機(jī)層設(shè)置在包括柵極焊盤的第一區(qū)域中。有機(jī)層設(shè)置在包括數(shù)據(jù)焊盤的第二區(qū)域中。第二鈍化層不設(shè)置在第一區(qū)域和第二區(qū)域中。
[0010]柵極絕緣層、第一鈍化層和有機(jī)層可以具有暴露柵極焊盤的第一接觸孔，并且薄膜晶體管陣列面板還可以包括形成在通過第一接觸孔暴露的柵極焊盤上的第一連接構(gòu)件。
[0011]薄膜晶體管陣列面板還可以包括設(shè)置在第二鈍化層上的第二場產(chǎn)生電極，并且第一連接構(gòu)件可以包括用與第一場產(chǎn)生電極相同的層形成的下層以及用與第二場產(chǎn)生電極相同的層形成的上層。
[0012]有機(jī)層可以具有與第一連接構(gòu)件的下層重疊的第一部分以及不與第一連接構(gòu)件的下層重疊的第二部分，并且有機(jī)層的第一部分的高度可以高于有機(jī)層的第二部分的高度。
[0013]第一場產(chǎn)生電極和第二場產(chǎn)生電極中的一個可以具有板狀，并且另一個可以包括分支電極。
[0014]第一鈍化層和有機(jī)層可以具有暴露數(shù)據(jù)焊盤的第二接觸孔，并且薄膜晶體管陣列面板還可以包括形成在通過第二接觸孔暴露的數(shù)據(jù)焊盤上的第二連接構(gòu)件。
[0015]薄膜晶體管陣列面板還可以包括設(shè)置在第二鈍化層上的第二場產(chǎn)生電極，并且第一連接構(gòu)件可以包括用與第一場產(chǎn)生電極相同的層形成的下層以及用與第二場產(chǎn)生電極相同的層形成的上層。
[0016]有機(jī)層可以具有與第二連接構(gòu)件的下層重疊的第三部分以及不與第二連接構(gòu)件的下層重疊的第四部分，并且有機(jī)層的第三部分的高度可以高于有機(jī)層的第四部分的高度。
[0017]本發(fā)明的示范性實(shí)施例還公開了一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法。該方法包括:在基板上形成柵極線和柵極焊盤；在柵極線和柵極焊盤上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤；在數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤上形成第一鈍化層；在第一鈍化層上形成有機(jī)層；在有機(jī)層上形成第一場產(chǎn)生電極；以及在第一場產(chǎn)生電極上形成第二鈍化層。形成第二鈍化層包括在其中形成柵極焊盤的第一區(qū)域以及其中形成數(shù)據(jù)焊盤的第二區(qū)域中去除第二鈍化層。形成有機(jī)層包括在第一區(qū)域和第二區(qū)域中形成有機(jī)層。
[0018]薄膜晶體管陣列面板的制造方法還可以包括:在柵極絕緣層、第一鈍化層和有機(jī)層中形成暴露柵極焊盤的第一接觸孔以及在通過第一接觸孔暴露的柵極焊盤上形成第一連接構(gòu)件。
[0019]薄膜晶體管陣列面板的制造方法還可以包括在第二鈍化層上形成第二場產(chǎn)生電極，并且形成第一連接構(gòu)件可以包括在形成第一場產(chǎn)生電極的同時形成第一連接構(gòu)件的下層以及在形成第二場產(chǎn)生電極的同時形成第一連接構(gòu)件的上層。
[0020]在其中設(shè)置柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的區(qū)域中去除第二鈍化層時，可以去除有機(jī)層的不與第一連接構(gòu)件的下層重疊的部分。
[0021]第一場產(chǎn)生電極和第二場產(chǎn)生電極中的一個可以形成為板狀，并且另一個可以由分支電極形成。
[0022]薄膜晶體管陣列面板的制造方法還可以包括在第一鈍化層和有機(jī)層中形成暴露數(shù)據(jù)焊盤的第二接觸孔以及在通過第二接觸孔暴露的數(shù)據(jù)焊盤上形成第二連接構(gòu)件。
[0023]薄膜晶體管陣列面板的制造方法還可以包括在第二鈍化層上形成第二場產(chǎn)生電極，并且形成第二連接構(gòu)件可以包括在形成第一產(chǎn)生電極的同時形成第二連接構(gòu)件的下層以及在形成第二產(chǎn)生電極的同時形成第二連接構(gòu)件的上層。
[0024]在其中設(shè)置柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的區(qū)域中去除第二鈍化層時，可以去除有機(jī)層的不與第二連接構(gòu)件的下層重疊的部分。
[0025]應(yīng)當(dāng)理解，之前的總體性描述和下面的詳細(xì)描述都是示范性和說明性的，并旨在提供如要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]附圖被包括以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并被并入本說明書中且構(gòu)成其一部分，附圖示出本發(fā)明的示范性實(shí)施例，并與文字描述一起用于說明本發(fā)明的原理。
[0027]圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的布局圖。
[0028]圖2是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖1的薄膜晶體管陣列面板沿線I1-1I剖取的截面圖。
[0029]圖3是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖1的薄膜晶體管陣列面板沿線II1-1II剖取的截面圖。
[0030]圖4是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖1的薄膜晶體管陣列面板沿線IV-1V剖取的截面圖。
[0031]圖5、圖9和圖13是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的、根據(jù)薄膜晶體管陣列面板的制造方法的薄膜晶體管陣列面板的布局圖。
[0032]圖6、圖7和圖8是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖5的薄膜晶體管陣列面板分別沿線V1-V1、VI1-VII和VII1-VIII剖取的截面圖。
[0033]圖10、圖11和圖12是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖9的薄膜晶體管陣列面板分別沿線X-X、X1-XI和XI1-XII剖取的截面圖。
[0034]圖14、圖15和圖16是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖5的薄膜晶體管陣列面板分別沿線XIV-XIV、XV-XV和XV1-XVI剖取的截面圖。
[0035]圖17和圖18是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的、根據(jù)薄膜晶體管陣列面板的制造方法的一部分制造工藝的截面圖。
[0036]圖19和圖20是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的、根據(jù)薄膜晶體管陣列面板的制造方法的一部分制造工藝的截面圖。
[0037]圖21是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的布局圖。
[0038]圖22是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖21的薄膜晶體管陣列面板沿線XXI1-XXII剖取的截面圖。
[0039]圖23是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖21的薄膜晶體管陣列面板沿線XXII1-XXI11剖取的截面圖。
[0040]圖24是根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的圖21的薄膜晶體管陣列面板沿線XXIV-XXIV剖取的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]在下文參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示范性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以很多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的示范性實(shí)施例。而是，提供這些示范性實(shí)施例以使得本公開透徹，并將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸可以被夸大。附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0042]將理解，當(dāng)稱一元件或?qū)釉诹硪粋€元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“耦接到”另一個元件或?qū)訒r，它可以直接在另一個元件或?qū)由?、直接連接或耦接到另一個元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诓迦氲脑驅(qū)?。相反，?dāng)稱一個元件“直接在”另一個元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”或“直接耦接到”另一個元件或?qū)訒r，沒有插入元件或?qū)哟嬖?。相同的附圖標(biāo)記始終表示相同的元件。如這里所用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個所列相關(guān)項(xiàng)目的任意和全部的組
口 ο
[0043]將理解，盡管這里可以使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受到這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。還可以理解的是，為了本公開的目的，“x、Y和Z中的至少一個”能夠被解釋為僅X、僅Y、僅Z或者X、Y和Z的兩項(xiàng)或更多項(xiàng)的任何組合(例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、TL、ΖΖ)。
[0044]為了描述的方便，這里可以使用空間相對性術(shù)語諸如“下面”、“下”、“之下”、“上面”、“上”等來描述如附圖所示的一個元件或特征與另一個元件或特征的關(guān)系。將理解，空間相對性術(shù)語旨在涵蓋附圖所示的取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)過來，被描述為在另一個元件或特征“下面”或“之下”的元件將會取向?yàn)樵诹硪粋€元件或特征“之上”。因此，示范性術(shù)語“之下”能夠涵蓋之上和之下兩種取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它的取向)，這里所用的空間相對描述被相應(yīng)地進(jìn)行解釋。
[0045]這里所用的術(shù)語僅用于描述示范性實(shí)施例的目的，而不旨在限制本發(fā)明。如這里所用的，單數(shù)形式“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地表示。還將理解的是，術(shù)語“包括”和/或“包含”，當(dāng)在本說明書中使用時，指定所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組合的存在或添加。
[0046]這里參照截面圖描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，這些圖是本發(fā)明的理想化實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，由例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示形狀的變化將是可能發(fā)生的。因此，本發(fā)明的示范性實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限于這里示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括由例如制造引起的形狀偏差。
[0047]在下文，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
[0048]將參照圖1至圖4來描述薄膜晶體管(TFT)陣列面板。圖1是本發(fā)明的示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的布置圖。圖2是圖1的TFT陣列面板沿線I1-1I剖取的截面圖。圖3是圖1的TFT陣列面板沿線II1-1II剖取的截面圖。圖4是圖1的TFT陣列面板沿線IV-1V剖取的截面圖。
[0049]參照圖1、2、3和4，多個柵極導(dǎo)體，包括多條柵極線121和多條參考電壓線125，形成在絕緣基板110上。
[0050]每條柵極線121包括向上突出的多個柵極電極124以及具有寬的區(qū)域用于與另一層或外部驅(qū)動電路連接的柵極焊盤129。用于產(chǎn)生柵極信號的柵極驅(qū)動電路(未示出)可以安裝在附接于基板110上的柔性印刷電路膜(未示出)上或直接安裝在基板110上。[0051]參考電壓線125可以傳送預(yù)定的電壓，例如公共電壓Vcom，可以在橫向方向上延伸，并可以基本上平行于柵極線121。每個參考電壓線125可以包括多個擴(kuò)展部126。
[0052]柵極導(dǎo)體121、125和129可以具有單層或包括至少兩個導(dǎo)電層的多層。
[0053]柵極絕緣層140形成在柵極導(dǎo)體121、125和129上。柵極絕緣層140可以由任何適合的材料制成，包括例如無機(jī)絕緣體諸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)。
[0054]多個半導(dǎo)體151形成在柵極絕緣層140上。半導(dǎo)體151可以具有朝向柵極電極124延伸的擴(kuò)展部154。在某些情況下，歐姆接觸161可以設(shè)置在半導(dǎo)體151上。在某些情況下，可以省略歐姆接觸161。
[0055]數(shù)據(jù)導(dǎo)體，包括多條數(shù)據(jù)線171和多個漏極電極175，形成在歐姆接觸161上。
[0056]數(shù)據(jù)線171可以傳輸數(shù)據(jù)信號并可以在縱向方向上延伸，從而與柵極線121和參考電壓線125相交。每條數(shù)據(jù)線171可以包括朝向柵極電極124延伸的多個源極電極173以及具有寬的區(qū)域以與不同層或外部驅(qū)動電路連接的數(shù)據(jù)焊盤179。產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路(未示出)可以設(shè)置在附接到基板110的柔性印刷電路膜(未示出)上，或者可以直接設(shè)置在基板110上。
[0057]漏極電極175包括桿型的一端和具有寬區(qū)域的另一端，該桿型的一端相對于柵極電極124面對源極電極173。
[0058]第一半導(dǎo)體159、第一輔助接觸169和數(shù)據(jù)焊盤179設(shè)置在柵極絕緣層140上(如圖4所示)。在某些情況下，可以省略第一半導(dǎo)體159和第一輔助接觸169。
[0059]數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175和179可以形成為單層或包括至少兩個導(dǎo)體層的多層。
[0060]柵極電極124、源極電極173、漏極電極175和半導(dǎo)體151的擴(kuò)展部154可以形成可用作開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)。半導(dǎo)體151可以具有與數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175和179相同或幾乎相同的平面形狀，除了 TFT的溝道區(qū)域之外。
[0061]第一鈍化層ISOx可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和半導(dǎo)體151的暴露的擴(kuò)展部154上。第一鈍化層180x可以由任何適合的材料制成，包括有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料。
[0062]有機(jī)層80可以設(shè)置在第一鈍化層180x上且可以包括有機(jī)材料。有機(jī)層80可以具有平坦的表面，并可以覆蓋數(shù)據(jù)線171。
[0063]盡管沒有示出，但是在某些情況下，有機(jī)層80可以為濾色器，并且設(shè)置在有機(jī)層80 (包括濾色器)上的層可以被進(jìn)一步設(shè)置。例如，外覆層(蓋層)可以設(shè)置在濾色器上以防止濾色器的顏料流動到液晶層中。外覆層可以由絕緣材料諸如硅氮化物(SiNx)制成。
[0064]第一鈍化層180x、有機(jī)層80和柵極絕緣層140可以具有暴露柵極焊盤129的第一接觸孔181。
[0065]第一鈍化層180x和有機(jī)層80具有暴露數(shù)據(jù)焊盤179的第二接觸孔182。
[0066]第一鈍化層180x、有機(jī)層80和柵極絕緣層140具有暴露參考電壓線125的第三接觸孔183。
[0067]參考電極131可以形成在有機(jī)層80上。參考電極131可以由透明導(dǎo)電材料制成，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)。參考電極131可以通過第三接觸孔183電連接到參考電壓線125以從參考電壓線125接收預(yù)定的電壓，諸如公共電壓Vcom。參考電極131可以具有平面形狀，并可以形成為在基板110的表面上的一個板。參考電極131具有開口 138，開口 138形成在暴露漏極電極175的第四接觸孔184所形成的位置處。
[0068]第一連接構(gòu)件81的下層81a可以通過第一接觸孔181形成在柵極焊盤129上。第二連接構(gòu)件82的下層82a可以通過第二接觸孔182形成在數(shù)據(jù)焊盤179上。第一連接構(gòu)件81的下層81a和第二連接構(gòu)件82的下層82a可以用與參考電極131相同的層形成。
[0069]第二鈍化層180y可以形成在參考電極131上，并且像素電極191可以形成在第二鈍化層180y上。像素電極191可以由任何適合的材料制成，例如包括透明導(dǎo)電材料諸如ITO 或 IZO0
[0070]第一鈍化層180x、有機(jī)層80和第二鈍化層180y具有暴露漏極電極175的一部分的多個第四接觸孔184。像素電極191可以通過第四接觸孔184電連接到漏極電極175以接收數(shù)據(jù)電壓。像素電極191包括多個分支電極193以及連接分支電極193的上端和下端的上和下橫向部分192。像素電極191的分支電極193可以在每個分支電極193的中心部分處彎曲。多個分支電極193可以彼此分隔且可以彼此平行。
[0071]第一連接構(gòu)件81的上層81b可以設(shè)置在第一連接構(gòu)件81的下層81a上包括在第一接觸孔181中，并且第二連接構(gòu)件82的上層82b可以設(shè)置在第二連接構(gòu)件82的下層82a上包括在第二接觸孔182中。第一連接構(gòu)件81的上層81b和第二連接構(gòu)件82的上層82b可以用與像素電極191相同的層形成。
[0072]數(shù)據(jù)電壓可以施加到像素電極191，并且參考電壓可以施加到參考電極。所施加的數(shù)據(jù)電壓和參考電壓導(dǎo)致在液晶層中產(chǎn)生電場。
[0073]在某些情況下，如圖2所示，參考電極131可以設(shè)置在第二鈍化層180y下，并且像素電極191可以設(shè)置在第二鈍化層180y上。然而，在某些情況下，像素電極191可以設(shè)置在第二鈍化層180y下，并且參考電極131可以設(shè)置在第二鈍化層180y上。通常，參考電極131和像素電極191中的一個可以包括分支電極，并且另一個可以具有平面形狀。
[0074]通常，根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例，兩個場產(chǎn)生電極，包括公共電極和像素電極193，設(shè)置在TFT陣列面板上。
[0075]接下來，將參照圖3和圖4描述TFT陣列面板的焊盤單元。
[0076]參照圖3，柵極焊盤129可以設(shè)置在基板110上，并且柵極絕緣層140、第一鈍化層180x和有機(jī)層80可以設(shè)置在柵極焊盤129上。
[0077]柵極絕緣層140、第一鈍化層180x和有機(jī)層80可以具有暴露柵極焊盤129的至少一部分的第一接觸孔181。可以形成一個或多個第一接觸孔181。第一接觸孔181可以具有各種形狀，包括例如平面形狀、四邊形形狀、圓形形狀和橢圓形狀。
[0078]第一連接構(gòu)件81的下層81a可以在第一接觸孔181中設(shè)置在柵極焊盤129上，并且第一連接構(gòu)件81的上層81b可以設(shè)置在第一連接構(gòu)件81的下層81a上。
[0079]第二鈍化層180y可以在形成柵極焊盤129的區(qū)域中去除。在某些情況下，第二鈍化層180y可以采用掩模來設(shè)置，使得第二鈍化層180y的在其中形成柵極焊盤129的區(qū)域中的部分沒有被設(shè)置。有機(jī)層80的被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第一部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第二部分的高度。因此，可以存在有機(jī)層80的第一部分和第二部分之間的高度差dhl。
[0080]參照圖4，柵極絕緣層140可以設(shè)置在基板110上，并且第一半導(dǎo)體159、第一輔助接觸169和數(shù)據(jù)焊盤179可以設(shè)置在柵極絕緣層140上。在某些情況下，第一半導(dǎo)體159和第一輔助接觸169可以被省略。
[0081]第一鈍化層ISOx可以設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤179上，并且有機(jī)層80可以設(shè)置在第一鈍化層180x1。
[0082]第一鈍化層180x和有機(jī)層80具有暴露數(shù)據(jù)焊盤179的至少一部分的第二接觸孔182?？梢孕纬梢粋€或多個第二接觸孔182。第二接觸孔182可以具有各種形狀，包括例如平面形狀、四邊形形狀、圓形形狀和橢圓形狀。
[0083]第二連接構(gòu)件82的下層82a可以在第二接觸孔182中設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤179上，并且第二連接構(gòu)件82的上層82b可以設(shè)置在第二連接構(gòu)件82的下層82a上。
[0084]第二鈍化層180y可以在其中形成數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中被去除。在某些情況下，第二鈍化層180y可以利用掩模來設(shè)置，使得第二鈍化層180y的在其中形成數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中的部分沒有被設(shè)置。有機(jī)層80的被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第三部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第四部分的高度。因此，可以存在有機(jī)層80的第三部分和第四部分之間的高度差dh2。
[0085]如上所述，第一連接構(gòu)件81和第二連接構(gòu)件82可以包括下層81a和82a以及上層81b和82b。下層81a和82a可以用與參考電極131相同的層形成，并且上層81b和82b可以用與像素電極191相同的層形成。在某些情況下(未示出)，像素電極191可以設(shè)置在有機(jī)層80上且在參考電極131下，并且下層81a和82a可以用與像素電極191相同的層形成。在同樣的情況下，當(dāng)參考電極131形成在有機(jī)層80和像素電極191之上時，上層81b和82b可以用與參考電極131相同的層形成。因此，下層81a和82a可以用與場產(chǎn)生電極131和191中的設(shè)置在相對較低層處的場產(chǎn)生電極相同的層形成，并且上層81b和82b可以用與場產(chǎn)生電極131和191中的設(shè)置在相對較高層處的另一個場產(chǎn)生電極相同的層形成。
[0086]如上所述，第二鈍化層180y可以不設(shè)置在其中形成柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中。因此，與常規(guī)的TFT陣列面板(其中第二鈍化層180y設(shè)置在其中形成柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中)相比，在本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，分別暴露柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的第一接觸孔181和第二接觸孔182的高度可以較小。
[0087]如上所述，第一連接構(gòu)件81和第二連接構(gòu)件82可以分別形成在柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179上，柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179分別通過第一接觸孔181和第二接觸孔182暴露。
[0088]因此，可以防止柵極焊盤129與第一連接構(gòu)件81斷開，并可以防止數(shù)據(jù)焊盤179與第二連接構(gòu)件82斷開。由于暴露柵極焊盤129的第一接觸孔181和暴露數(shù)據(jù)焊盤179的第二接觸孔182的高度減小，所以容易在第一接觸孔181和第二接觸孔182中設(shè)置凸塊(未示出)以接觸驅(qū)動電路。
[0089]此外，有機(jī)層80的被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第一部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第二部分的高度。有機(jī)層80的被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第三部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第四部分的高度。因此，可以存在有機(jī)層80的臺階差dhl和dh2，并可以防止多個第一連接構(gòu)件81或多個第二連接構(gòu)件82之間的連接。因此，可以防止取決于多個第一連接構(gòu)件81或多個第二連接構(gòu)件82的連接的信號串?dāng)_。
[0090]根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例，彼此重疊的兩個場產(chǎn)生電極131和191中的一個可以具有板狀，另一個可以具有分支形狀(例如，分支電極)。然而，兩個場產(chǎn)生電極可以具有各種適合的形狀，而不限于板狀和/或分支形狀。
[0091]接下來，將參照圖5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 和 20 描述根據(jù)本
發(fā)明示范性實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法。圖5、圖9和圖13是根據(jù)TFT陣列面板的制造方法的TFT陣列面板的布局圖。圖6、圖7和圖8是圖5的TFT陣列面板沿線V1-V1、VI1-VII和VII1-VIII剖取的截面圖。圖10、圖11和圖12是圖9的TFT陣列面板沿線X-X、X1-XI和XI1-XII剖取的截面圖。圖14、圖15和圖16是圖5的TFT陣列面板沿線XIV-XIV、XV-XV和XV1-XVI剖取的截面圖。圖17和圖18是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的、根據(jù)TFT陣列面板的制造方法的一部分制造工藝的截面圖。圖19和圖20是示出根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的、根據(jù)TFT陣列面板的制造方法的一部分制造工藝的截面圖。
[0092]參照圖5、6、7和8，包括柵極線121、參考電壓線125和柵極焊盤129的柵極導(dǎo)體可以形成在絕緣基板110上。柵極絕緣層140可以形成在柵極導(dǎo)體上。具有擴(kuò)展部154的半導(dǎo)體151、第一半導(dǎo)體159、歐姆接觸161、第一輔助接觸169以及包括數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和數(shù)據(jù)焊盤179的數(shù)據(jù)導(dǎo)體可以形成在柵極絕緣層140上。
[0093]第一鈍化層180x可以設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體以及半導(dǎo)體151的暴露的擴(kuò)展部154上。有機(jī)層80可以形成在第一鈍化層180x上。
[0094]接下來，暴露柵極焊盤129的第一接觸孔181可以形成在第一鈍化層180x、有機(jī)層80和柵極絕緣層140中；暴露數(shù)據(jù)焊盤179的第二接觸孔182可以形成在第一鈍化層ISOx和有機(jī)層80中；并且暴露參考電壓線125的一部分的第三接觸孔183可以形成在第一鈍化層180x、有機(jī)層80和柵極絕緣層140中。
[0095]接下來，如圖9、10、11和12所示，參考電極131可以形成在有機(jī)層80上，第一連接構(gòu)件81的下層81a可以在第一接觸孔181中形成在柵極焊盤129上，并且第二連接構(gòu)件82的下層82a可以在第二接觸孔182中形成在數(shù)據(jù)焊盤179上。第一連接構(gòu)件81的下層81a和第二連接構(gòu)件82的下層82a可以用與參考電極131相同的層形成。
[0096]接下來，如圖13、14、15和16所示，第二鈍化層180y可以形成在參考電極131上，并且暴露漏極電極175的至少一部分的第四接觸孔184可以形成在第一鈍化層180x、有機(jī)層80和第二鈍化層180y中。
[0097]第二鈍化層180y沒有設(shè)置在其中形成柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中。此夕卜，有機(jī)層80的被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第一部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第二部分的高度。有機(jī)層80的被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第三部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第四部分的高度。因此，可以形成有機(jī)層80的臺階差dhl和dh2。
[0098]接下來，如圖1、2、3和4所示，像素電極191可以形成在第二鈍化層ISOy上，第一連接構(gòu)件81的上層81b可以形成在下層81a上，并且第二連接構(gòu)件82的上層82b可以形成在下層82a上。第一連接構(gòu)件81的上層81b和第二連接構(gòu)件82的上層82b可以用與像素電極191相同的層一起形成。
[0099]將參照圖17、18、19和20詳細(xì)描述第二鈍化層180y和第四接觸孔184的形成。
[0100]參照圖17和圖18，第二鈍化層180y可以設(shè)置在參考電極131上。第二鈍化層ISOy也可以設(shè)置在其中形成柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中。接下來，在形成第四接觸孔184時，可以通過蝕刻去除在其中形成柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域處設(shè)置的第二鈍化層180y。在用于去除第二鈍化層180y的蝕刻工藝中，有機(jī)層80的沒有被第一連接構(gòu)件81的下層81a和第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第二部分和第四部分被一起部分地去除。因此，產(chǎn)生有機(jī)層80的臺階差dhl和dh2，如圖15和圖16所示。
[0101]接下來，將參照圖19和圖20描述有機(jī)層80的臺階差dhl和dh2。
[0102]參照圖19和圖20，多個柵極焊盤129可以形成在基板110上。柵極絕緣層140、第一鈍化層180x、有機(jī)層80和第二鈍化層180y可以形成在柵極焊盤129上。柵極絕緣層140、第一鈍化層180x、有機(jī)層80和第二鈍化層180y可以具有暴露柵極焊盤129的多個第一接觸孔181。第一連接構(gòu)件81的下層81a可以通過第一接觸孔181形成在柵極焊盤129上。如上所述，臺階差dhl可以形成在有機(jī)層80的形成有第一連接構(gòu)件81的下層81a的第一部分和有機(jī)層80的沒有形成該下層的第二部分之間。
[0103]導(dǎo)體層800可以然后設(shè)置在設(shè)置有第一連接構(gòu)件81的下層81a的第一部分上以及沒有設(shè)置第一連接構(gòu)件81的下層81a的第二部分上。
[0104]在某些情況下，當(dāng)利用導(dǎo)體層800通過光刻工藝形成第一連接構(gòu)件81的上層81b時，可能局部地產(chǎn)生錯誤，盡管導(dǎo)體層800的部分(A)可能沒有被去除(如圖20所示)，但是彼此相鄰的第一連接構(gòu)件81的上層81b沒有被連接到彼此。類似地，由于設(shè)置在其中設(shè)置數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中的有機(jī)層80的臺階差dh2，可以防止第二連接構(gòu)件82的上層82b的連接。
[0105]通過防止形成在多個相鄰的柵極焊盤129上的多個第一連接構(gòu)件81或形成在多個相鄰的數(shù)據(jù)焊盤179上的多個第二連接構(gòu)件82的連接，不發(fā)生取決于多個第一連接構(gòu)件81或多個第二連接構(gòu)件82的連接的信號串?dāng)_。
[0106]接下來，將參照圖21、22、23和24描述根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板。圖21是TFT陣列面板的布局圖。圖22是圖21的TFT陣列面板沿線XXI1-XXII剖取的截面圖。圖23是圖21的TFT陣列面板沿線XXII1-XXIII剖取的截面圖。圖24是圖21的TFT陣列面板沿線XXIV-XXIV剖取的截面圖。
[0107]參照圖21、22、23和24，包括多條柵極線121和多條參考電壓線125的多個柵極導(dǎo)體可以形成在絕緣基板110上。
[0108]每條柵極線121可以包括向上突出的多個柵極電極124以及具有寬區(qū)域用于與另一層或外部驅(qū)動電路連接的柵極焊盤129。
[0109]柵極絕緣層140可以形成在柵極導(dǎo)體上。
[0110]多個半導(dǎo)體151可以形成在柵極絕緣層140上。半導(dǎo)體151可以每個具有朝向柵極電極124延伸的擴(kuò)展部154。在某些情況下，歐姆接觸161可以設(shè)置在半導(dǎo)體151上。在某些情況下，可以省略歐姆接觸。
[0111]包括多條數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和數(shù)據(jù)焊盤179的數(shù)據(jù)導(dǎo)體可以形成在歐姆接觸161上。如果省略歐姆接觸161，則數(shù)據(jù)導(dǎo)體可以形成在半導(dǎo)體151上。數(shù)據(jù)線171可以包括源極電極173。
[0112]第一鈍化層180x可以形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175和179以及半導(dǎo)體151的暴露的擴(kuò)展部154上。有機(jī)層80可以形成在第一鈍化層180x1。
[0113]第一鈍化層180x、有機(jī)層80和柵極絕緣層140具有暴露柵極焊盤129的第一接觸孔 181。
[0114]第一鈍化層180x和有機(jī)層80具有暴露數(shù)據(jù)焊盤179的第二接觸孔182以及暴露漏極電極175的一部分的第五接觸孔185。
[0115]多個像素電極191形成在有機(jī)層80上。像素電極191可以具有平面形狀，占據(jù)由柵極線121和數(shù)據(jù)線171圍繞的像素區(qū)域的大部分。像素電極191的總體形狀可以為多邊形，該多邊形具有基本上平行于柵極線121和數(shù)據(jù)線171的邊。像素電極191的設(shè)置有薄膜晶體管的下側(cè)的兩個邊緣可以被切角，但是該形狀不限于此。像素電極191可以由透明導(dǎo)電材料制成，諸如ITO或ΙΖ0。像素電極191可以通過接觸孔185從漏極電極175接收數(shù)據(jù)電壓。
[0116]第一連接構(gòu)件81的下層81a可以在第一接觸孔181中形成在柵極焊盤129上，并且第二連接構(gòu)件82的下層82a可以在第二接觸孔182中形成在數(shù)據(jù)焊盤179上。第一連接構(gòu)件81的下層81a和第二連接構(gòu)件82的下層82a可以用與像素電極191相同的層形成。
[0117]第二鈍化層180y可以形成在像素電極191上，并且參考電極131可以形成在第二鈍化層180y上。
[0118]參考電極131可以包括覆蓋數(shù)據(jù)線171的一對垂直部分135、設(shè)置在兩個垂直部分135之間且彼此分開的多個分支電極133以及連接多個分支電極133的端部的下水平部分132a和上水平部分132b。垂直部分135可以基本上平行于數(shù)據(jù)線171，并可以與數(shù)據(jù)線171重疊同時覆蓋數(shù)據(jù)線171。下和上水平部分132a和132b可以基本上平行于柵極線121。多個分支電極133可以基本上彼此平行，并可以與柵極線121的延伸方向形成傾斜角。該傾斜角可以為45度或更大。上分支電極133和下分支電極133可以基于參考電極131的虛擬水平中心線而基本上具有翻轉(zhuǎn)對稱性。相鄰的參考電極131共用一個垂直部分135且彼此連接。
[0119]柵極絕緣層140、第一鈍化層180x、有機(jī)層80和第二鈍化層180y具有暴露公共電壓線125 —部分(例如，擴(kuò)展部126 —部分)的多個第六接觸孔186。
[0120]參考電極131可以通過第六接觸孔186從公共電壓線125接收預(yù)定的電壓，諸如公共電壓。參考電極131可以與像素電極191重疊。參考電極131中的彼此相鄰的至少兩個分支電極133與一個像素電極191 (其可以具有平面形狀)重疊。
[0121]第一連接構(gòu)件81的上層81b可以形成在第一連接構(gòu)件81的下層81a上包括在第一接觸孔181中。第二連接構(gòu)件82的上層82b可以形成在第二連接構(gòu)件82的下層82a上包括在第二接觸孔182中。第一連接構(gòu)件81的上層81b和第二連接構(gòu)件82的上層82b可以用與參考電極131相同的層形成。
[0122]當(dāng)數(shù)據(jù)電壓施加到像素電極191并且參考電壓施加到參考電極131時，可以在液晶層3中產(chǎn)生電場。
[0123]將參照圖23和圖24描述TFT陣列面板的焊盤單元。
[0124]參照圖23，柵極焊盤129可以設(shè)置在基板110上，并且柵極絕緣層140、第一鈍化層ISOx和有機(jī)層80可以設(shè)置在柵極焊盤129上。
[0125]第一接觸孔181可以形成在柵極絕緣層140、第一鈍化層180x和有機(jī)層80中以暴露柵極焊盤129的至少一部分。一個或多個第一接觸孔181可以形成為各種適合的形狀，諸如平面形狀、四邊形形狀、圓形形狀和橢圓形狀。[0126]第一連接構(gòu)件81的下層81a可以形成在通過第一接觸孔181暴露的柵極焊盤129上，并且第一連接構(gòu)件81的上層81b可以形成在第一連接構(gòu)件81的下層81a上。
[0127]第二鈍化層180y可以在其中形成柵極焊盤129的區(qū)域中被去除。有機(jī)層80的被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第一部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第二部分的高度。因此，可以存在有機(jī)層80的第一部分和第二部分之間的高度差dhl。
[0128]參照圖24，柵極絕緣層140可以設(shè)置在基板110上。第一半導(dǎo)體159和第一輔助接觸169可以設(shè)置在柵極絕緣層140上，并且數(shù)據(jù)焊盤179可以設(shè)置在第一輔助接觸169上。在某些情況下，第一半導(dǎo)體159和第一輔助接觸169可以被省略。
[0129]第一鈍化層ISOx可以設(shè)置在數(shù)據(jù)焊盤179上，并且有機(jī)層80可以設(shè)置在第一鈍化層180x上。
[0130]第二接觸孔182可以形成在第一鈍化層180x和有機(jī)層80中以暴露數(shù)據(jù)焊盤179的至少一部分。一個或多個第二接觸孔182可以形成為各種合適的形狀，諸如平面形狀、四邊形形狀、圓形形狀和橢圓形狀。
[0131]第二連接構(gòu)件82的下層82a可以形成在通過第二接觸孔182暴露的數(shù)據(jù)焊盤179上，并且第二連接構(gòu)件82的上層82b可以形成在第二連接構(gòu)件82的下層82a上。
[0132]第二鈍化層180y可以在其中形成數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中被去除。有機(jī)層80的被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第三部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第四部分的高度。因此，可以存在有機(jī)層80的第三部分和第四部分之間的高度差dh2。
[0133]如上所述，第一連接構(gòu)件81和第二連接構(gòu)件82可以包括下層81a和82a以及上層81b和82b。下層81a和82a可以用與參考電極131 (其設(shè)置在場產(chǎn)生電極當(dāng)中的相對較低側(cè))相同的層形成，并且上層81b和82b可以用與像素電極191 (其設(shè)置在場產(chǎn)生電極當(dāng)中的相對較高側(cè))相同的層形成。
[0134]因此,下層81a和82a可以用與場產(chǎn)生電極當(dāng)中的設(shè)置在相對較低側(cè)的場產(chǎn)生電極相同的層形成，并且上層81b和82b可以用與場產(chǎn)生電極當(dāng)中的設(shè)置在相對較高側(cè)的場產(chǎn)生電極相同的層形成。
[0135]如上所述，第二鈍化層180y沒有設(shè)置在其中形成柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中。因此，與其中第二鈍化層180y設(shè)置在其中形成柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的區(qū)域中的TFT陣列面板相比，可以降低分別暴露柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的第一接觸孔181和第二接觸孔182的高度。
[0136]第一連接構(gòu)件81和第二連接構(gòu)件82可以包括用與第一場產(chǎn)生電極相同的層形成的下層81a和82a，并可以包括用與第二場產(chǎn)生電極相同的層形成的上層81b和82b。
[0137]因此，可以防止柵極焊盤129與第一連接構(gòu)件81斷開，并可以防止數(shù)據(jù)焊盤179與第二連接構(gòu)件82斷開。由于分別暴露柵極焊盤129和數(shù)據(jù)焊盤179的第一接觸孔181和第二接觸孔182的高度被減小，所以設(shè)置在第一接觸孔181和第二接觸孔182中的凸塊(未示出)可以接觸驅(qū)動電路。
[0138]此外，有機(jī)層80的被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第一部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第一連接構(gòu)件81的下層81a覆蓋的第二部分的高度。有機(jī)層80的被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第三部分的高度高于有機(jī)層80的沒有被第二連接構(gòu)件82的下層82a覆蓋的第四部分的高度。因此，產(chǎn)生有機(jī)層80的臺階差dhl和dh2。因此，可以防止形成在多個相鄰的柵極焊盤129上的多個第一連接構(gòu)件81或形成在多個的相鄰數(shù)據(jù)焊盤179上的多個第二連接構(gòu)件82之間的連接。因此，可以防止取決于多個第一連接構(gòu)件81或多個第二連接構(gòu)件82的連接的信號串?dāng)_。
[0139]根據(jù)本發(fā)明示范性實(shí)施例，彼此重疊的兩個場產(chǎn)生電極131和191中的一個可以具有平面形狀，并且兩個場產(chǎn)生電極131和191中的另一個具有分支形狀。應(yīng)當(dāng)理解，兩個場產(chǎn)生電極可以具有各種適合的形狀，而不限于平面形狀或分支形狀。
[0140]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯然的，可以在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變化，而沒有脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明旨在覆蓋本發(fā)明的修改和變化，只要它們落在在權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括: 基板； 柵極線和柵極焊盤，設(shè)置在所述基板上； 柵極絕緣層，設(shè)置在所述柵極線和所述柵極焊盤上； 數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤，設(shè)置在所述柵極絕緣層上； 第一鈍化層，設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)焊盤上； 有機(jī)層，設(shè)置在所 述第一鈍化層上； 第一場產(chǎn)生電極，設(shè)置在所述有機(jī)層上；以及 第二鈍化層，設(shè)置在所述第一場產(chǎn)生電極上， 其中所述有機(jī)層設(shè)置在包括所述柵極焊盤的第一區(qū)域中，并且所述有機(jī)層設(shè)置在包括所述數(shù)據(jù)焊盤的第二區(qū)域中，并且 其中所述第二鈍化層不設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 第一接觸孔，在所述柵極絕緣層、所述第一鈍化層和所述有機(jī)層中，所述第一接觸孔暴露所述第一區(qū)域中的所述柵極焊盤；以及 第一連接構(gòu)件，設(shè)置在所述柵極焊盤上并在所述第一接觸孔中。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 第二場產(chǎn)生電極，設(shè)置在所述第二鈍化層上， 其中所述第一連接構(gòu)件包括用與所述第一場產(chǎn)生電極相同的層形成的下層以及用與所述第二場產(chǎn)生電極相同的層形成的上層。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，其中: 所述有機(jī)層包括與所述第一連接構(gòu)件的下層重疊的第一部分和不與所述第一連接構(gòu)件的下層重疊的第二部分，并且 所述有機(jī)層的所述第一部分的高度高于所述有機(jī)層的所述第二部分的高度。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列面板，其中: 所述第一場產(chǎn)生電極和所述第二場產(chǎn)生電極中的一個具有板狀，并且所述第一場產(chǎn)生電極和所述第二場產(chǎn)生電極中的另一個包括分支電極。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 第二接觸孔，在所述第一鈍化層和所述有機(jī)層中，所述第二接觸孔暴露所述數(shù)據(jù)焊盤；以及 第二連接構(gòu)件，設(shè)置在所述數(shù)據(jù)焊盤上并且在所述第二接觸孔中。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括: 第二場產(chǎn)生電極，設(shè)置在所述第二鈍化層上， 其中所述第二連接構(gòu)件包括用與所述第一場產(chǎn)生電極相同的層形成的下層以及用與所述第二場產(chǎn)生電極相同的層形成的上層。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中: 所述有機(jī)層包括與所述第二連接構(gòu)件的下層重疊的第三部分以及不與所述第二連接構(gòu)件的下層重疊的第四部分；并且 所述有機(jī)層的所述第三部分的高度高于所述有機(jī)層的所述第四部分的高度。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中: 所述第一場產(chǎn)生電極和所述第二場產(chǎn)生電極中的一個具有板狀，并且所述第一場產(chǎn)生電極和所述第二場產(chǎn)生電極中的另一個包括分支電極。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中: 所述第一場產(chǎn)生電極和所述第二場產(chǎn)生電極中的一個具有板狀，并且所述第一場產(chǎn)生電極和所述第二場產(chǎn)生電極中的另一個包括分支電極。
【文檔編號】G02F1/1362GK103972240SQ201410037715
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年1月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月25日
【發(fā)明者】樸廷敏, 樸成均, 李政洙, 金智賢, 田俊 申請人:三星顯示有限公司