發(fā)光裝置、超輻射發(fā)光二極管、以及投影儀的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、超輻射發(fā)光二極管、以及投影儀，所述發(fā)光裝置包含具有活性層、第一包層以及第二包層的層疊體，上述活性層構(gòu)成光波導，上述光波導包含將第一出射部與第一反射部連接的第一部分、將上述第一反射部與第二反射部連接的第二部分、以及將上述第二反射部與第二出射部連接的第三部分，上述第一部分的電流密度、上述第三部分的電流密度比上述第二部分的電流密度大。
【專利說明】發(fā)光裝置、超輻射發(fā)光二極管、以及投影儀
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光裝置、超輻射發(fā)光二極管、以及投影儀。
【背景技術(shù)】
[0002]為了實現(xiàn)小型且高亮度的投影儀，需要提高光源的發(fā)光效率以及減少光學系統(tǒng)的損失、削減部件件數(shù)等。通過使用超福射發(fā)光二極管(Super Luminescent Diode,以下也稱為“SLD”)作為光源，能夠削減顏色分離光學系統(tǒng)所需要的二向色鏡、確保半導體激光器的安全性以及降低斑點噪聲所需要的旋轉(zhuǎn)擴散板。
[0003]進而，為了減少光學系統(tǒng)的損失和削減部件件數(shù)，還提出了一種將SLD配置于光閥的正下方，并使用微透鏡同時進行聚光和均勻照明的方式(背光燈方式)。在背光燈方式的情況下，需要考慮微透鏡的制作精度，以數(shù)百ym?數(shù)_前后的間隔配置出射面。這例如可通過專利文獻I所記載的具有大致呈“〕”字形狀的光波導的SLD來實現(xiàn)。
[0004]專利文獻1:日本特開2011 - 155103號公報
[0005]然而，在上述那樣的SLD中，在活性層內(nèi)傳導的光朝向出射部側(cè)(反射率較小的一偵D以指數(shù)函數(shù)被放大。因此，在出射部側(cè)，與光相比載流子相對不足。由此，有時發(fā)生增益飽和，光輸出降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的幾個方式的目的之一在于，提供一種能夠抑制由于增益飽和而引起光輸出降低的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的幾個方式的目的之一在于，提供一種能夠抑制由于增益飽和而引起光輸出降低的超輻射發(fā)光二極管。另外，本發(fā)明的幾個方式的目的之一在于，提供一種包含上述發(fā)光裝置或者上述超輻射發(fā)光二極管的投影儀。
[0007]本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置包含:
[0008]層疊體，其具有通過被注入電流而產(chǎn)生光的活性層、夾持上述活性層的第一包層以及第二包層；
[0009]第一電極，其與上述第一包層電連接；以及
[0010]與上述第二包層電連接的第二電極、第三電極及第四電極，
[0011]上述活性層構(gòu)成使光傳導的光波導，
[0012]上述光波導包含:
[0013]第一部分，其具有將設(shè)置在上述活性層的第一側(cè)面的第一出射部和設(shè)置在上述活性層的第二側(cè)面的第一反射部連接的帶狀的形狀；
[0014]第二部分，其具有將上述第一反射部和設(shè)置在上述活性層的第三側(cè)面的第二反射部連接的帶狀的形狀；以及
[0015]第三部分，其具有將上述第二反射部和設(shè)置在上述第一側(cè)面的第二出射部連接的帶狀的形狀，
[0016]上述第一部分由上述第一電極以及上述第二電極注入電流，[0017]上述第二部分由上述第一電極以及上述第三電極注入電流，
[0018]上述第三部分由上述第一電極以及上述第四電極注入電流，
[0019]由上述第一電極及上述第二電極注入的上述第一部分的電流密度、以及由上述第一電極及上述第四電極注入的上述第三部分的電流密度比由上述第一電極及上述第三電極注入的上述第二部分的電流密度大。
[0020]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠抑制由于增益飽和而光輸出降低。并且，根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠不增大與第一側(cè)面正交的方向的大小地通過第二部分來調(diào)整第一出射部以及第二出射部的間隔。由此，在將這樣的發(fā)光裝置作為投影儀的光源來使用的情況下，例如能夠配合微透鏡(透鏡陣列)的大小容易地調(diào)整第一出射部以及第二出射部的間隔。
[0021]其中，在本發(fā)明的記載中，將“電連接”這樣的說法例如用作“與特定的部件(以下稱為“A部件”)“電連接”的其他特定的部件(以下稱為“B部件”)”等。在本發(fā)明的記載中，該例這樣的情況包含A部件與B部件直接相接而電連接那樣的情況、和A部件與B部件經(jīng)由其他的部件電連接那樣的情況來使用“電連接”這一說法。
[0022]在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，
[0023]作為上述第二電極與上述層疊體電接觸的部分的第一接觸部、作為上述第三電極與上述層疊體電接觸的部分的第二接觸部、以及作為上述第四電極與上述層疊體電接觸的部分的第三接觸部從上述層疊體的層疊方向觀察可以與上述第一反射部以及上述第二反射部分離。
[0024]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠抑制載流子由于第一反射部以及第二反射部所產(chǎn)生的載流子密度之差而移動。結(jié)果，能夠抑制光輸出降低。
[0025]在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，
[0026]上述第一部分還由上述第一電極以及上述第三電極注入電流，
[0027]上述第三部分還由上述第一電極以及上述第三電極注入電流。
[0028]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠抑制由于增益飽和而光輸出降低。
[0029]在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，
[0030]由上述第一電極以及上述第二電極注入的上述第一部分的電流密度與由上述第一電極以及上述第四電極注入的上述第三部分的電流密度相等。
[0031]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠容易地進行發(fā)光裝置的驅(qū)動時的電流控制。
[0032]在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，
[0033]上述第二電極與上述第四電極電連接。
[0034]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠容易地使由第一電極以及第二電極向第一部分注入的電流密度和由第一電極以及第四電極向第三部分注入的電流密度相等。
[0035]在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，
[0036]上述層疊體包含:
[0037]第一槽部，從上述層疊體的層疊方向觀察時，其被設(shè)置于作為上述第二電極與上述層疊體電接觸的部分的第一接觸部和作為上述第三電極與上述層疊體電接觸的部分的第二接觸部之間并與上述光波導重疊的位置；和
[0038]第二槽部，從上述層疊體的層疊方向觀察時，其被設(shè)置于上述第二接觸部和作為上述第四電極與上述層疊體電接觸的部分的第三接觸部之間并與上述光波導重疊的位置。[0039]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠抑制由于第一反射部以及第二反射部所產(chǎn)生的載流子密度之差而使得載流子發(fā)生移動。
[0040]在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，
[0041]上述層疊體包含形成在上述第二包層上的接觸層，
[0042]上述第一槽部以及上述第二槽部被設(shè)置在上述接觸層。
[0043]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠抑制載流子由于第一反射部以及第二反射部所產(chǎn)生的載流子密度之差而發(fā)生移動。
[0044]在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，
[0045]上述第一槽部以及上述第二槽部貫通上述接觸層而到達上述第二包層。
[0046]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠更加可靠地抑制載流子由于第一反射部以及第二反射部所產(chǎn)生的載流子密度之差而發(fā)生移動。
[0047]在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，
[0048]上述第一槽部以及上述第二槽部貫通上述接觸層以及上述第二包層。
[0049]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠更加可靠地抑制載流子由于第一反射部以及第二反射部所產(chǎn)生的載流子密度之差而發(fā)生移動。
[0050]在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，
[0051]從上述層疊體的層疊方向觀察，上述第一部分以及上述第三部分相對于上述第一側(cè)面的垂線傾斜地與上述第一側(cè)面連接。
[0052]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠降低使光波導中產(chǎn)生的光在第一出射部與第二出射部之間直接多重反射。由此，能夠不構(gòu)成直接的共振器，可抑制在光波導中產(chǎn)生的光的激光振蕩。因此，在這樣的發(fā)光裝置中，能夠減少斑點噪聲。
[0053]本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置包含通過被注入電流而產(chǎn)生光的活性層，
[0054]上述活性層包含:
[0055]射出光的第一出射部以及第二出射部；
[0056]光波導，其將上述第一出射部以及上述第二出射部連接；以及
[0057]使在上述光波導中傳導的光的行進方向變化的第一彎曲部及第二彎曲部，
[0058]向位于上述第一出射部與上述第一彎曲部之間的光波導注入的電流密度比向位于上述第一彎曲部與上述第二彎曲部之間的光波導注入的電流密度大，
[0059]向位于上述第二出射部與上述第二彎曲部之間的光波導注入的電流密度比向位于上述第一彎曲部與上述第二彎曲部之間的光波導注入的電流密度大。
[0060]根據(jù)這樣的發(fā)光裝置，能夠抑制由于增益飽和而光輸出降低。
[0061]本發(fā)明涉及的投影儀包含:
[0062]本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置；
[0063]光調(diào)制裝置，其根據(jù)圖像信息來調(diào)制從上述發(fā)光裝置射出的光；以及
[0064]投射裝置，其投射由上述光調(diào)制裝置形成的圖像。
[0065]根據(jù)這樣的投影儀，能夠包含可抑制由于增益飽和而光輸出降低的發(fā)光裝置。
[0066]本發(fā)明涉及的超輻射發(fā)光二極管包含:
[0067]層疊體，其具有通過被注入電流而產(chǎn)生光的活性層、夾持上述活性層的第一包層以及第二包層；[0068]第一電極，其與上述第一包層電連接；以及
[0069]與上述第二包層電連接的第二電極、第三電極及第四電極，
[0070]上述活性層構(gòu)成使光傳導的光波導，
[0071]上述光波導包含:
[0072]第一部分，其具有將設(shè)置在上述活性層的第一側(cè)面的第一出射部與設(shè)置在上述活性層的第二側(cè)面的第一反射部連接的帶狀的形狀；
[0073]第二部分，其具有將上述第一反射部與設(shè)置在上述活性層的第三側(cè)面的第二反射部連接的帶狀的形狀；以及
[0074]第三部分，其具有將上述第二反射部與設(shè)置在上述第一側(cè)面的第二出射部連接的帶狀的形狀，
[0075]上述第一部分由上述第一電極以及上述第二電極注入電流，
[0076]上述第二部分由上述第一電極以及上述第三電極注入電流，
[0077]上述第三部分由上述第一電極以及上述第四電極注入電流，
[0078]由上述第一電極及上述第二電極注入的上述第一部分的電流密度、以及由上述第一電極及上述第四電極注入的上述第三部分的電流密度比由上述第一電極及上述第三電極注入的上述第二部分的電流密度大。
[0079]根據(jù)這樣的超輻射發(fā)光二極管，能夠抑制由于增益飽和而光輸出降低。并且，根據(jù)這樣的超輻射發(fā)光二極管，能夠不增大與第一側(cè)面正交的方向的大小地通過第二部分調(diào)整第一出射部以及第二出射部的間隔。由此，在將這樣的超輻射發(fā)光二極管作為投影儀的光源來使用的情況下，例如能夠配合微透鏡(透鏡陣列)的大小容易地調(diào)整第一出射部以及第二出射部的間隔。
[0080]本發(fā)明涉及的投影儀包含:
[0081]本發(fā)明涉及的超輻射發(fā)光二極管；
[0082]光調(diào)制裝置，其根據(jù)圖像信息來調(diào)制從上述超輻射發(fā)光二極管射出的光；以及
[0083]投射裝置，其投射由上述光調(diào)制裝置形成的圖像。
[0084]根據(jù)這樣的投影儀，能夠包含可抑制由于增益飽和而光輸出降低的超輻射發(fā)光二極管。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0085]圖1是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0086]圖2是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置的剖視圖。
[0087]圖3是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置的剖視圖。
[0088]圖4是示意性地表示光波導的延伸方向上的位置與光密度以及注入電流密度的關(guān)系的圖。
[0089]圖5是示意性地表示光波導的延伸方向上的位置與光密度以及注入電流密度的關(guān)系的圖。
[0090]圖6是示意性地表示光波導的延伸方向中的位置與光密度以及增益的關(guān)系的圖。
[0091]圖7是示意性地表示光波導的延伸方向上的位置與光密度以及增益的關(guān)系的圖。
[0092]圖8是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造工序的剖視圖。[0093]圖9是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造工序的剖視圖。
[0094]圖10是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造工序的剖視圖。
[0095]圖11是示意性地表示第一實施方式的第一變形例涉及的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0096]圖12是示意性地表示第一實施方式的第二變形例涉及的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0097]圖13是示意性地表示第二實施方式涉及的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0098]圖14是示意性地表示第二實施方式的變形例涉及的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0099]圖15是示意性地表示第三實施方式涉及的投影儀的圖。
[0100]圖16是示意性地表示第三實施方式涉及的投影儀的圖。
【具體實施方式】
[0101]以下，使用附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。其中，以下說明的實施方式并不對權(quán)利要求書所記載的本發(fā)明的內(nèi)容不當限定。另外，以下說明的構(gòu)成的全部未必是本發(fā)明的必需構(gòu)成要件。
[0102]1.第一實施方式
[0103]1.1.發(fā)光裝置
[0104]首先，參照附圖對第一實施方式涉及的發(fā)光裝置進行說明。圖1是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100的俯視圖。圖2是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100的圖1的II 一 II線剖視圖。圖3是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100的圖1的II1-1II線剖視圖。
[0105]以下，對發(fā)光裝置100是InGaAlP系(紅色)的SLD的情況進行說明。SLD與半導體激光器不同，能夠通過抑制由于端面反射引起的共振器的形成，來防止激光振蕩。因此，能夠降低斑點噪聲。
[0106]如圖1?圖3所示，發(fā)光裝置100包含層疊體101、第一電極120、第二電極122、第三電極124、以及第四電極126。并且，發(fā)光裝置100可以包含絕緣層116、118。
[0107]層疊體101可具有基板102、第一包層104、活性層106、第二包層108、以及接觸層110。在圖示的例子中，層疊體101的平面形狀(從層疊體101的層疊方向觀察到的形狀)是長方形。
[0108]基板102例如是第一導電型(例如η型)的GaAs基板。
[0109]第一包層104形成在基板102上。第一包層104例如是η型的InGaAlP層。此外，雖然未圖示，但也可以在基板102與第一包層104之間形成有緩沖層。緩沖層例如是η型的GaAs層、AlGaAs層、InGaP層。緩沖層能夠提高形成在其上方的層的結(jié)晶性。
[0110]活性層106形成在第一包層104上。活性層106例如具有將由InGaP阱層與InGaAlP阻擋層構(gòu)成的量子阱結(jié)構(gòu)重疊三個而成的多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)。
[0111]活性層106的平面形狀例如與層疊體101的平面形狀相同。如圖1所示，活性層106具有第一側(cè)面131、第二側(cè)面132、第三側(cè)面133、第四側(cè)面134、第五側(cè)面135、以及第六側(cè)面136。側(cè)面131?136是不與活性層106的面中的第一包層104或者第二包層108面狀連接的面。側(cè)面131?136例如是平坦的面。
[0112]活性層106的側(cè)面132、133相對于側(cè)面131傾斜。在圖示的例子中，側(cè)面134、135與側(cè)面131、136正交。側(cè)面136與側(cè)面131對置。側(cè)面131、134?136例如是通過解理而形成的解理面。
[0113]活性層106的第二側(cè)面132通過對層疊體101設(shè)置第一開口部140來形成。第三側(cè)面133通過對層疊體101設(shè)置第二開口部142來形成。S卩，側(cè)面132、133是規(guī)定開口部140,142的活性層106的面。開口部140、142例如通過蝕刻來形成。S卩，側(cè)面132、133是通過蝕刻形成的蝕刻面。開口部140、142到達第一包層104。S卩，由第一包層104的面來規(guī)定開口部140、142的底面。此外，雖然未圖示，但開口部140、142也可以到達基板102。該情況下，可以說由基板102的面來規(guī)定開口部140、142的底面。
[0114]此外，雖然未圖示，但也可以對開口部140、142填充絕緣層。該絕緣層例如可以是SiN層、SiO2層、SiON層、Al2O3層、聚酸亞胺層。
[0115]活性層106的一部分構(gòu)成了光波導160。光波導160能夠使光進行傳導。在圖不的例子中，從層疊體101的層疊方向觀察(以下也稱為“俯視下”)，光波導160具有與電極122、124、126重疊的部分、和不與電極122、124、126重疊的部分。光波導160的與電極122、124、126重疊的部分是被電極120以及電極122、124、126注入電流的部分。
[0116]光波導160的被注入電流的部分能夠產(chǎn)生光。在光波導160內(nèi)進行傳導的光能夠在光波導160的被注入電流的部分接受增益。具體而言，光波導160的被注入電流的部分是位于基板102與第一電極120的接觸面103、和接觸層110與電極122、124、126的接觸面112a、112b、112c之間的部分。
[0117]如圖1所不,光波導160具有第一部分162、第二部分164、以及第三部分166。
[0118]第一部分162在俯視下從第一側(cè)面131延伸到第二側(cè)面132。換言之，第一部分162在俯視下將第一側(cè)面131與第二側(cè)面132連接。第一部分162在俯視下具有規(guī)定的寬度，并具有沿著第一部分162的延伸方向的帶狀且直線狀的長條形狀。第一部分162具有設(shè)置在與第一側(cè)面131的連接部分的第一端面181、和設(shè)置在與第二側(cè)面132的連接部分的第二端面182。第一端面181能夠作為出射部發(fā)揮作用。
[0119]其中，第一部分162的延伸方向例如是俯視下通過第一端面181的中心與第二端面182的中心的直線的延伸方向。另外，第一部分162的延伸方向也可以是第一部分162(與除去第一部分162的區(qū)域)的分界線的延伸方向。同樣，在光波導160的其他部分，延伸方向例如也是俯視下通過兩個端面的中心的直線的延伸方向。另外，延伸方向也可以是該其他部分(與除去該其他部分的區(qū)域)的分界線的方向。
[0120]第一部分162在俯視下相對于第一側(cè)面131的垂線Pl以角度α傾斜而與第一側(cè)面131連接。換言之，可以說第一部分162的延伸方向相對于垂線Pl具有α的角度。角度α是大于0°的銳角且小于臨界角的角度。
[0121]第一部分162在俯視下相對于第二側(cè)面132的垂線Ρ2以角度β傾斜而與第二側(cè)面132連接。換言之，可以說第一部分162的延伸方向相對于垂線Ρ2具有β的角度。
[0122]第二部分164在俯視下從第二側(cè)面132延伸到第三側(cè)面133。換言之，第二部分164在俯視下將第二側(cè)面132與第三側(cè)面133連接。第二部分164在俯視下具有規(guī)定的寬度，并具有沿著第二部分164的延伸方向的帶狀且直線形的長條形狀。第二部分164具有設(shè)置在與第二側(cè)面132的連接部分的第三端面183、和設(shè)置在與第三側(cè)面133的連接部分的第四端面184。在圖示的例子中，第二部分164的延伸方向在俯視下相對于第一側(cè)面131傾斜，但也可以與第一側(cè)面131平行。[0123]第二部分164的第三端面183在第二側(cè)面132中與第一部分162的第二端面182重疊。在圖示的例子中，第二端面182與第三端面183在重疊面190中完全重疊。
[0124]第二部分164在俯視下相對于第二側(cè)面132的垂線P2以角度β傾斜而與第二側(cè)面132連接。換言之，可以說第二部分164的延伸方向相對于垂線Ρ2具有β的角度。即，第一部分162相對于垂線Ρ2的角度、和第二部分164相對于垂線Ρ2的角度在制造偏差的范圍內(nèi)相同。角度β例如是銳角且為臨界角以上。由此，第二側(cè)面132能夠使在光波導160中產(chǎn)生的光全反射。
[0125]其中，“一個角度與另一個角度在制造偏差的范圍內(nèi)相同”是指考慮蝕刻等制造偏差，兩個角度之差例如在±2°左右以內(nèi)。
[0126]第二部分164在俯視下相對于第三側(cè)面133的垂線Ρ3以角度Y傾斜而與第三側(cè)面133連接。換言之，可以說第二部分164的延伸方向相對于垂線Ρ3具有Y的角度。
[0127]第二部分164的延伸方向的長度比第一部分162的延伸方向的長度以及第三部分166的延伸方向的長度大。第二部分164的延伸方向的長度也可以是第一部分162的延伸方向的長度與第三部分166的延伸方向的長度之和以上。
[0128]其中，“第二部分164的延伸方向的長度”也可以說是第三端面183的中心與第四端面184的中心之間的距離。對于其他部分也相同，延伸方向的長度也可以說是兩個端面的中心間的距離。
[0129]第三部分166在俯視下從第三側(cè)面133延伸到第一側(cè)面131。換言之，第三部分166在俯視下將第三側(cè)面133與第一側(cè)面131連接。第三部分166在俯視下例如具有規(guī)定的寬度，并具有沿著第三部分166的延伸方向的帶狀且直線狀的長條形狀。第三部分166具有設(shè)置在與第三側(cè)面133的連接部分的第五端面185、和設(shè)置在與第一側(cè)面131的連接部分的第六端面186。第六端面186能夠作為出射部發(fā)揮作用。
[0130]第三部分166的第五端面185在第三側(cè)面133中與第二部分164的第四端面184重疊。在圖示的例子中，第四端面184與第五端面185在重疊面192中完全重疊。
[0131]第三部分166與第一部分162遠離。在圖1所示的例子中，第一部分162的第一端面181與第三部分166的第六端面186分離間隔D。間隔D由從端面181、186射出的光20、22所入射的微透鏡(透鏡陣列)的大小適當決定，例如，是數(shù)百μπι以上5mm以下。更具體而言，間隔D為2mm左右。其中，光波導160的全長(延伸方向的長度)例如為4mm左右。
[0132]第三部分166在俯視下相對于第三側(cè)面133的垂線P3以角度Y傾斜而與第三側(cè)面133連接。換言之，可以說第三部分166的延伸方向相對于垂線P3具有Y的角度。即，第二部分164相對于垂線P3的角度、與第三部分166相對于垂線P3的角度在制造偏差的范圍內(nèi)相同。角度Y例如是銳角且為臨界角以上。由此，第三側(cè)面133能夠使在光波導160中產(chǎn)生的光全反射。
[0133]第三部分166在俯視下相對于垂線Pl以角度α傾斜而與第一側(cè)面131連接。換言之，可以說第三部分166的長邊方向相對于垂線Pl具有α的角度。S卩，第一部分162與第三部分166在俯視下以相同的朝向與第一側(cè)面131連接，相互平行。更具體而言，第一部分162的延伸方向與第三部分166的延伸方向相互平行。由此,從第一端面181射出的光20與從第六端面186射出的光22能夠向相同的方向射出。此外，第一部分162的延伸方向與第三部分166的延伸方向也可以相互不平行。[0134]其中，“第一部分162的延伸方向與第三部分166的延伸方向相互平行”是指考慮制造偏差等，在俯視下第三部分166的延伸方向相對于第一部分162的延伸方向的傾斜角為±1°以內(nèi)。
[0135]如以上所述，通過將角度β、Y設(shè)為臨界角以上，將角度α設(shè)為比臨界角小，由此在光波導160產(chǎn)生的光中，可使第一側(cè)面131的反射率低于第二側(cè)面132的反射率以及第三側(cè)面133的反射率。即，設(shè)置在第一側(cè)面131的第一端面181成為使在光波導160中產(chǎn)生的光射出的第一出射部(第一出射部181)。設(shè)置在第一側(cè)面131的第六端面186成為使在光波導160中產(chǎn)生的光射出的第二出射部(第二出射部186)。設(shè)置在第二側(cè)面132的端面182、183的重疊面190成為使在光波導160中產(chǎn)生的光反射的第一反射部(第一反射部190)。設(shè)置在第三側(cè)面133的端面184、185的重疊面192成為使在光波導160中產(chǎn)生的光反射的第二反射部(第二反射部192)。
[0136]S卩，第一部分162從設(shè)置在第一側(cè)面131的第一出射部181延伸到設(shè)置在第二側(cè)面132的第一反射部190 (將第一出射部181與第一反射部190連接)。第二部分164從第一反射部190延伸到設(shè)置在第三側(cè)面133的第二反射部192 (將第一反射部190與第二反射部192連接)。第三部分166從第二反射部192延伸到設(shè)置在第一側(cè)面131的第二出射部186 (將第二反射部192與第二出射部186連接)。如圖1所示，可以說光波導160在俯視下具有“〕”字(具有角部的U字型)形狀。在圖示的例子中，第一部分162的寬度(與延伸方向正交的方向的大小)、第二部分164的寬度以及第三部分166的寬度相同，光波導160的寬度恒定。
[0137]換言之，光波導160將第一出射部181以及第二出射部186連接，在反射部190、192中，在光波導160中進行波導的光的行進方向發(fā)生變化。即，可以說第一反射部190是在光波導160中進行波導的光的行進方向發(fā)生變化的第一彎曲部，第二反射部192是在光波導160中進行波導的光的行進方向發(fā)生變化的第二彎曲部。
[0138]另外，可以說第一部分162是位于第一出射部181與第一反射部(第一彎曲部)190之間的光波導，第二部分164是位于第一反射部(第一彎曲部)190與第二反射部(第二彎曲部)192之間的光波導，第三部分166是位于第二出射部186與第二反射部(第二彎曲部)192之間的光波導。
[0139]此外，在圖示的例子中，出射部181、186以及反射部190、192露出，但例如也可以利用防反射膜(未圖示)覆蓋第一側(cè)面131，利用反射膜(未圖示)覆蓋第二側(cè)面132以及第三側(cè)面133。由此，光波導160中產(chǎn)生的光在反射部190、192中，即使在不發(fā)生全反射那樣的入射角度、折射率等條件下，也能夠使光波導160中產(chǎn)生的光的波段中的第一側(cè)面131的反射率低于第二側(cè)面132的反射率以及第三側(cè)面133的反射率。另外，通過利用防反射膜覆蓋第一側(cè)面131,能夠減少使光波導160中產(chǎn)生的光在第一端面181與第六端面186之間直接多重反射。因此，能夠不構(gòu)成直接的共振器，可抑制在光波導160中產(chǎn)生的光的激光振蕩。
[0140]作為上述的反射I旲以及防反射I旲，使用例如SiO2層、Ta2O5層、Al2O3層、TiN層、TiO2層、SiON層、SiN層或這些的多層膜。另外，作為通過蝕刻而形成了側(cè)面132、133的DBR(Distributed Bragg Reflector:分布布拉格反射),可以得到較高的反射率。
[0141]如圖2以及圖3所示，第二包層108形成在活性層106上。即，第一包層104以及第二包層108夾持活性層106。第二包層108例如是第二導電型(例如P型)的InGaAlP層。
[0142]例如，由P型的第二包層108、未摻雜雜質(zhì)的活性層106、以及η型的第一包層104構(gòu)成pin 二極管。第一包層104以及第二包層108分別是與活性層106相比帶隙大、折射率小的層?；钚詫?06具有通過被電極120、122、124、126注入電流而產(chǎn)生光，在對光進行放大的同時進行傳導的功能。第一包層104以及第二包層108夾持活性層106，具有將注入載流子(電子以及空穴)以及光封閉的功能(抑制光的泄露的功能)。
[0143]對發(fā)光裝置100而言，若在電極120與電極122、124、126之間施加pin 二極管的正向偏置電壓(注入電流)，則在活性層106產(chǎn)生光波導160，并在光波導160中發(fā)生載流子即電子與空穴的再結(jié)合。通過該再結(jié)合而發(fā)光。以該生成的光為起點，連鎖地引起受激發(fā)射，在光波導160的被注入電流的部分內(nèi)，光的強度被放大。光波導160例如由活性層106和包層104、108構(gòu)成。
[0144]例如，如圖1所示，在光波導160的第一部分162中產(chǎn)生并朝向第二側(cè)面132側(cè)的光10在第一部分162的被注入電流的部分內(nèi)被放大后，在第一反射部190中發(fā)生反射，朝向第三側(cè)面133在第二部分164內(nèi)行進。而且，進而在第二反射部192中發(fā)生反射而在第三部分166內(nèi)行進并作為光22從第二出射部186射出。此時，在第二部分164以及第三部分166的被注入電流的部分內(nèi)，光強度也被放大。
[0145]同樣,在第三部分166中產(chǎn)生并朝向第三側(cè)面133側(cè)的光在第三部分166的被注入電流的部分內(nèi)被放大后，在第二反射部192中發(fā)生反射，朝向第二側(cè)面132在第二部分164內(nèi)行進。而且，進而在第一反射部190中發(fā)生反射而在第一部分162內(nèi)行進并作為光20從第一出射部181射出。此時，在第一部分162以及第二部分164的被注入電流的部分內(nèi)，光強度也被放大。
[0146]其中，第一部分162中產(chǎn)生的光也存在直接作為光20從第一出射部181射出的光。同樣，第三部分166中產(chǎn)生的光也存在直接作為光22從第二出射部186射出的光。這些光也同樣在第一部分162以及第三部分166的被注入電流的部分內(nèi)強度被放大。
[0147]如圖2以及圖3所示，接觸層110形成在第二包層108上。接觸層110能夠與電極122、124、126歐姆接觸。接觸層110的上表面112具有與第二電極122的第一接觸面(層疊體101的與第二電極122的第一接觸面)112a、與第三電極124的第二接觸面(層疊體101的與第三電極124的第二接觸面)112b、以及與第四電極126的第三接觸面(層疊體101的與第四電極126的第三接觸面)112c。第一接觸面112a可稱為第二電極122以及層疊體101電接觸的第一接觸部。第二接觸面112b可稱為第三電極124以及層疊體101電接觸的第二接觸部。第三接觸面112c可稱為第四電極126以及層疊體101電接觸的第三接觸部。接觸層110例如是P型的GaAs層。
[0148]接觸層110的接觸面112a、112b、112c在俯視下與反射部190、192分離。S卩，第一部分162的被注入電流的部分(位于電極120、122間的部分)、第二部分164的被注入電流的部分(位于電極120、124間的部分)、以及第三部分166的被注入電流的部分(位于電極120、126間的部分)與反射部190、192分離。在圖示的例子中，電極122、124、126在俯視下與反射部190、192分尚。
[0149]接觸層110與第二包層108的一部分構(gòu)成了柱狀部114。柱狀部114的平面形狀例如與光波導160的平面形狀相同。例如，根據(jù)柱狀部114的平面形狀來決定電極120與電極122、124、126之間的電流路徑，結(jié)果，可決定光波導160的平面形狀。此外，雖然未圖示，但柱狀部114的側(cè)面可以傾斜。
[0150]層疊體101可包含第一槽部170以及第二槽部172。更具體而言，槽部170、172被設(shè)置在接觸層110以及第二包層108。S卩，槽部170、172貫通接觸層110而到達第二包層108，槽部170、172的底面由第二包層108的面規(guī)定。此外，雖然未圖示，但槽部170、172也可以不到達第二包層108，槽部170、172的底面由接觸層110的面規(guī)定。另外，槽部170、172也可以貫通第二包層108，槽部170、172的底面由活性層106的上表面來規(guī)定。
[0151]第一槽部170在俯視下被設(shè)置在與光波導160重疊的位置的第一接觸面112a與第二接觸面112b之間。更具體而言，第一槽部170在俯視下被設(shè)置在光波導160的延伸方向(光的傳播方向)上的第一接觸面112a與第二接觸面112b之間。如圖3所示，第一槽部170也可以與第一開口部140連續(xù)，被設(shè)置在俯視下與第一部分162以及第二部分164重疊的位置。此外，雖然未圖示，但第一槽部170也可以設(shè)置在俯視下僅與第一部分162重疊的位置，還可以設(shè)置在俯視下僅與第二部分164重疊的位置。
[0152]同樣，第二槽部172在俯視下被設(shè)置在與光波導160重疊的位置的第二接觸面112b與第三接觸面112c之間。更具體而言，第二槽部172在俯視下被設(shè)置在光波導160的延伸方向上的第二接觸面112b與第三接觸面112c之間。第二槽部172與第二開口部142連續(xù)，被設(shè)置在俯視下與第二部分164以及第三部分166重疊的位置。此外，雖然未圖示，但第二槽部172也可以設(shè)置在俯視下僅與第二部分164重疊的位置，還可以設(shè)置在俯視下僅與第三部分166重疊的位置。
[0153]第一槽部170以及第二槽部172的平面形狀并不特別限定，在圖1所示的例子中是長方形。槽部170、172在光波導160的延伸方向上的大小例如是第二包層108的厚度的一半以上，與光波導160的全長相比十分小。具體而言,是250nm以上500 μ m以下。這樣，由于槽部170、172的延伸方向上的大小較小，所以光能夠基本不受槽部170、172的影響地在光波導160內(nèi)傳導。
[0154]此外，也可以如圖3所示，對槽部170、172填充絕緣層118。絕緣層118例如可以是SiN層、SiO2層、SiON層、Al2O3層、聚酸亞胺層。
[0155]如圖2所示，絕緣層116形成在第二包層108上的柱狀部114的側(cè)方(俯視下的柱狀部114的周圍)。絕緣層116與柱狀部114的側(cè)面相接。絕緣層116的上表面例如與接觸層110的上表面112連續(xù)。
[0156]絕緣層116例如是SiN層、SiO2層、SiON層、Al2O3層、聚酰亞胺層。在使用上述的材料作為絕緣層116的情況下，電極120與電極122、124、126間的電流能夠避開絕緣層116，在被電極120與電極122、124、126夾持的柱狀部114中流動。
[0157]絕緣層116可以具有比第二包層108的折射率小的折射率。該情況下，形成有絕緣層116的部分的垂直剖面的有效折射率變得比未形成絕緣層116的部分、即形成有柱狀部114的部分的垂直剖面的有效折射率小。由此，能夠在平面方向(與上下方向正交的方向)，高效地將光封閉在光波導160內(nèi)。此外，雖然未圖示，但也可以不設(shè)置絕緣層116。S卩，可以將絕緣層116作成空氣層。
[0158]第一電極120形成在基板102之下的整個面。更具體而言，與和第一電極120歐姆接觸的層(在圖示的例子中是基板102)的下表面103相接地形成第一電極120。第一電極120經(jīng)由基板102與第一包層104電連接。第一電極120是用于驅(qū)動發(fā)光裝置100的一個電極。作為第一電極120，例如使用從基板102側(cè)開始按照Cr層、AuGe層、Ni層、Au層的順序?qū)盈B而成的電極。
[0159]此外，也可以在第一包層104與基板102之間設(shè)置第二接觸層(未圖示)，通過從與基板102相反側(cè)開始的干式蝕刻等使該第二接觸層在與基板102相反側(cè)露出，在第二接觸層上設(shè)置第一電極120。由此，能夠得到單片電極構(gòu)造。該方式在基板102是絕緣性的情況下特別有效。
[0160]第二電極122形成在接觸層110上的、俯視下與第一部分162重疊的位置。第二電極122具有沿著第一部分162延伸的形狀。第二電極122是在光波導160的延伸方向上，電極122、124、126中到第一出射部181的距離最小的電極。第一部分162在俯視下具有與第二電極122重疊的部分、和不與第二電極122重疊的部分。第一部分162的與第二電極122重疊的部分被電極120、122注入電流。第一部分162的不與第二電極122重疊的部分的大小(第一部分162的延伸方向的大小)和第一部分162的與第二電極122重疊的部分的大小(第一部分162的延伸方向的大小)相比十分小。因此，第一部分162在不與第二電極122重疊的部分也能夠傳導光。
[0161]第三電極124形成在接觸層110上的俯視下與第二部分164重疊的位置。第三電極124具有沿著第二部分164延伸的形狀。第三電極124是在光波導160的延伸方向上位于第二電極122與第四電極126之間的電極。第二部分164在俯視下具有與第三電極124重疊的部分、和不與第三電極124重疊的部分。通過電極120、124向第二部分164的與第三電極124重疊的部分注入電流。第二部分164的不與第三電極124重疊的部分的大小(第二部分164的延伸方向的大小)和第二部分164的與第三電極124重疊的部分的大小(第二部分164的延伸方向的大小)相比十分小。因此，第二部分164在不與第三電極124重疊的部分也能夠傳導光。
[0162]第四電極126形成在接觸層110上的俯視下與第三部分166重疊的位置。第四電極126具有沿著第三部分166延伸的形狀。第四電極126是在光波導160的延伸方向上，電極122、124、126中到第二出射部186的距離最小的電極。第三部分166在俯視下具有與第四電極126重疊的部分、和不與第四電極126重疊的部分。通過電極120、126向第三部分166的與第四電極126重疊的部分注入電流。第三部分166的不與第四電極126重疊的部分的大小(第三部分166的延伸方向的大小)和第三部分166的與第四電極126重疊的部分的大小(第三部分166的延伸方向的大小)相比十分小。因此，第三部分166在不與第四電極126重疊的部分也能夠傳導光。
[0163]具體而言，第一部分162的不與第二電極122重疊的部分的大小、第二部分164的不與第三電極124重疊的部分的大小、以及第三部分166的不與第四電極126重疊的部分的大小例如是250nm以上500 μ m以下。
[0164]第二電極122、第三電極124、以及第四電極126相互分離。即，可以說形成在接觸層110上的電極被分割為多個。更具體而言，形成在接觸層110上的電極以俯視下不與反射部190、192相接的方式被分割。
[0165]由第一電極120及第二電極122注入的第一部分162的電流密度、以及由第一電極120及第四電極126注入的第三部分166的電流密度比由第一電極120及第三電極124注入的第二部分164的電流密度大。這里，“電流密度”是指單位面積中在垂直的方向上單位時間內(nèi)流入的電量(電荷，即載流子)。因此，由電極120、122注入的第一部分162的載流子密度、以及由電極120、126注入的第三部分166的載流子密度比由電極120、124注入的第二部分164的載流子密度大。
[0166]第二電極122、第三電極124、以及第四電極126經(jīng)由接觸層110與第二包層108電連接。電極122、124、126是用于驅(qū)動發(fā)光裝置100的另一個電極。作為電極122、124、126，例如科使用從接觸層110側(cè)開始按照Cr層、AuZn層、Au層的順序?qū)盈B而成的電極等。
[0167]其中，在圖1所示的例子中，電極122、124、126具有沿著光波導160的各部分162、164,166的形狀且相互分離，但例如第二電極122以及第四電極126也可以相互連接而連續(xù)。
[0168]另外，第二電極122以及第四電極126也可以相互是等電位。S卩，電極122、126也可以通過布線(未圖示)電連接，還可以與獨立的電源(未圖示)電連接，被各電源設(shè)定為等電位。
[0169]以上，作為第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100，對InGaAlP系的情況進行了說明，但本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置能夠使用可形成光波導的所有材料系。如果是半導體材料，則能夠使用例如 AlGaN 系、GaN 系、InGaN 系、GaAs 系、AlGaAs 系、InGaAs 系、InGaAsP 系、InP 系、GaP系、AlGaP系、ZnCdSe系等半導體材料。
[0170]另外，在上述說明中，將第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100作為在形成有絕緣層116的區(qū)域與未形成有絕緣層116的區(qū)域、即形成有柱狀部114的區(qū)域之間設(shè)置折射率差來封閉光的、所謂折射率傳導型進行了說明。雖然未圖示，但本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置也可以是通過形成柱狀部114而不設(shè)置折射率差且光波導160直接成為傳導區(qū)域的所謂增益?zhèn)鲗汀?br> [0171]另外，在上述說明中，作為第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100，對包含與第二包層108電連接的多個電極122、124、126，各電極122、124、126沿著光波導160形成的例子進行了說明，但本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置也可以包含與第一包層104電連接的多個電極，且該電極沿著光波導160形成。
[0172]另外，在上述說明中，作為第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100，對包含與第二包層108電連接并沿著光波導160設(shè)置的三個電極122、124、126的例子進行了說明，但本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置也可以包含四個以上與第二包層108電連接的電極，這四個以上的電極相互分離且沿著光波導160設(shè)置。
[0173]第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100例如能夠應(yīng)用于投影儀、顯示器、照明裝置、測量裝置等的光源。
[0174]發(fā)光裝置100例如具有以下的特征。
[0175]根據(jù)發(fā)光裝置100，由第一電極120及第二電極122注入的第一部分162的電流密度、以及由第一電極120及第四電極126注入的第三部分166的電流密度比由第一電極120及第三電極124注入的第二部分164的電流密度大。即，由電極120、122注入的第一部分162的載流子密度、以及由電極120、126注入的第三部分166的載流子密度比由電極120、124注入的第二部分164的載流子密度大。并且，第一部分162以及第三部分166分別具有出射部181、186。因此，在發(fā)光裝置100中，可抑制由于增益飽和而光輸出降低。以下，對其理由進行具體說明。
[0176]圖4 (A)以及圖5 (A)是示意性地表示光波導的延伸方向上的位置與光密度的關(guān)系的圖。圖4 (B)以及圖5 (B)是示意性地表示光波導的延伸方向上的位置與注入電流密度的關(guān)系的圖。圖4表示光波導的延伸方向上的注入電流密度為恒定的情況，圖5表示使光波導的延伸方向上的注入電流密度變化的情況。這里，“光密度”是指在光波導的延伸方向的位置，單位時間通過與光波導的延伸方向相垂直的剖面的光子的數(shù)量。
[0177]其中，在圖4以及圖5中，假定寬度(與光波導的延伸方向正交的方向的大小)為恒定的光波導。另外，在圖4以及圖5中，僅考慮從橫軸的位置O朝向箭頭方向的光。
[0178]在SLD中，光朝向射出光的出射部(反射率較小的一側(cè))呈指數(shù)函數(shù)地被放大。因此，如圖4所示，光密度在光波導的延伸方向具有不均勻的分布，在光密度較大的出射部偵牝發(fā)生增益飽和。即，當在光波導的延伸方向注入電流密度(即載流子密度)恒定時，在出射部側(cè)，與光(與光子相比)相比載流子相對不足。即，在想要放大光時，轉(zhuǎn)換成光的載流子不足。結(jié)果，發(fā)生增益飽和，相應(yīng)地導致光輸出降低。
[0179]這里，光密度較小的部分(與出射部側(cè)相反一側(cè))是與出射部側(cè)相比載流子較多的狀態(tài)，載流子沒有被充分轉(zhuǎn)換成光而剩余載流子。如圖5所示，通過將這樣的多余載流子注入到載流子不足的出射部側(cè)，能夠進行高輸出且高效率的驅(qū)動。即，通過使電流密度變化，能夠?qū)⒐獠▽дw的注入電流的大小保持為恒定，并且降低增益飽和，增大最終的光輸出。
[0180]在發(fā)光裝置100中，通過如上述那樣使具有出射部181、186的第一部分162以及第三部分166的電流密度(載流子密度)大于第二部分164的電流密度，能夠?qū)⒆⑷氲焦獠▽?60整體的電流的大小保持為恒定，并抑制由于增益飽和而光輸出降低。S卩，在發(fā)光裝置100中，即便使注入光波導160整體的電流的大小與在光波導的延伸方向上使電流密度恒定的情況下的注入到光波導整體的電流的大小相同，也能夠?qū)崿F(xiàn)更高輸出化。結(jié)果，在發(fā)光裝置100中，能夠進行高輸出且高效率的驅(qū)動。
[0181]并且，根據(jù)發(fā)光裝置100，俯視下層疊體101的與第二電極122的第一接觸面112a、層疊體101的與第三電極124的第二接觸面112b、以及層疊體101的與第四電極126的第三接觸面112c分別分離。并且，俯視下在第一接觸面112a與第二接觸面112b之間的和光波導160重疊的位置設(shè)置有第一槽部170，在第二接觸面112b與第三接觸面112c之間的和光波導160重疊的位置上設(shè)置有第二槽部172。由此，能夠抑制由于在第一部分162以及第三部分166與第二部分164之間產(chǎn)生的載流子密度之差而使得載流子移動(詳細內(nèi)容后述)。結(jié)果，能夠抑制光輸出降低。
[0182]并且，在發(fā)光裝置100中,光波導160具有:第一部分162,其具有從設(shè)置在第一側(cè)面131的第一出射部181延伸到設(shè)置在第二側(cè)面132的第一反射部190的帶狀的形狀；第二部分164，其具有從第一反射部190延伸到設(shè)置在第三側(cè)面133的第二反射部192的帶狀的形狀；以及第三部分166，其具有從第二反射部192延伸到設(shè)置在第一側(cè)面131的第二出射部186的帶狀的形狀。因此，在發(fā)光裝置100中，不會增大俯視下與第一側(cè)面131正交的方向的大小，通過第二部分164能夠調(diào)整出射部181、186的間隔D (參照圖1)。由此，在將發(fā)光裝置100作為投影儀的光源來使用的情況下，例如能夠配合微透鏡(透鏡陣列)的大小，容易地調(diào)整出射部181、186的間隔。
[0183]根據(jù)發(fā)光裝置100，俯視下層疊體101的與第二電極122的第一接觸面112a、層疊體101的與第三電極124的第二接觸面112b、以及層疊體101的與第四電極126的第三接觸面112c和第一反射部190以及第二反射部192分離。因此，能夠抑制由電極120、122產(chǎn)生的載流子、以及由電極120、126產(chǎn)生的載流子因反射部190、192所引起的光損失而被注入到光波導160的第二部分164。即，能夠抑制由于反射部190、192所產(chǎn)生的載流子密度之差而使得載流子移動。結(jié)果，能夠抑制光輸出降低。以下，對其理由進行具體說明。
[0184]圖6 (A)以及圖7 (A)是示意性地表示光波導的延伸方向上的位置與光密度的關(guān)系的圖。圖6 (B)以及圖7 (B)是示意性地表示光波導的延伸方向上的位置與增益(載流子密度)的關(guān)系的圖。圖6表示由于載流子密度之差而載流子發(fā)生移動前的狀態(tài)。圖7表示由于載流子密度之差而載流子發(fā)生移動后的狀態(tài)。
[0185]其中，在圖6中，也以虛線表示了在反射部中設(shè)想為沒有光損失的情況下的曲線。另外，在圖7中，也以虛線表示了由于載流子密度之差而載流子發(fā)生移動前的狀態(tài)。另外，在圖6以及圖7中，設(shè)想了寬度(與光波導的延伸方向正交的方向的大小)恒定的光波導。另外，在圖6以及圖7中，僅考慮從橫軸的位置O朝向箭頭的前端(外側(cè))的光。
[0186]使光反射的反射部的光損失與光波導的直線部分中的光損失相比較大。因此，如圖6所示，在反射部的位置光密度降低。由于在光密度降低的位置不消耗載流子，所以相應(yīng)地在反射部的位置上載流子密度(載流子濃度)變高。由此，以反射部的位置為邊界，在載流子密度上產(chǎn)生差(在載流子的分布上產(chǎn)生不均)。結(jié)果，如圖7所示，從載流子密度較高的部分向載流子密度較低的部分載流子發(fā)生移動。由此，在反射部的近前(例如光波導的中央部)載流子密度變高，光的放大率增加。然而，在作為光的損失部的反射部的近前，由于將光放大，所以反射部中的光損失增大，導致最終的光輸出降低。其中，對光波導的直線部分中的光損失而言，傳播損失占大部分，可認為該光損失實際上是傳播損失。
[0187]在發(fā)光裝置100中，如上述那樣，俯視下接觸面112a、112b、112c與反射部190、192分離。并且，俯視下在第一接觸面112a與第二接觸面112b之間的和光波導160重疊的位置設(shè)置有第一槽部170，在第二接觸面112b與第三接觸面112c之間的和光波導160重疊的位置設(shè)置有第二槽部172。因此，在發(fā)光裝置100中，能夠抑制由于在反射部190、192的前后(反射部190、192在光波導160的延伸方向上的前后)產(chǎn)生的載流子密度之差而使得載流子發(fā)生移動。結(jié)果，在發(fā)光裝置100中，能夠避免上述的問題，并能夠抑制光輸出降低。
[0188]并且，在發(fā)光裝置100中，能夠通過第一槽部170提高第二電極122與第三電極124之間的絕緣性。同樣，能夠通過第二槽部172提高第三電極124與第四電極126之間的絕緣性。
[0189]根據(jù)發(fā)光裝置100，第一槽部170以及第二槽部172貫通接觸層110而到達第二包層108。因此，能夠更加可靠地抑制由于在反射部190、192的前后產(chǎn)生的載流子密度之差而使得載流子發(fā)生移動。此外，雖然未圖示，但第一槽部170以及第二槽部172也可以貫通接觸層110以及第二包層108。由此，能夠更可靠地抑制由于在反射部190、192的前后產(chǎn)生的載流子密度之差而使得載流子發(fā)生移動。
[0190]根據(jù)發(fā)光裝置100，俯視下第一部分162相對于第一側(cè)面131的垂線Pl傾斜地與第一側(cè)面131連接，第三部分166相對于第一側(cè)面131的垂線Pl傾斜地與第一側(cè)面131連接。因此，在發(fā)光裝置100中，能夠減少使光波導160中產(chǎn)生的光在第一端面181與第六端面186之間直接多重反射。由此，能夠不構(gòu)成直接的共振器，可抑制光波導160中產(chǎn)生的光的激光振蕩。因此，在發(fā)光裝置100中，能夠減少斑點噪聲。
[0191]1.2.發(fā)光裝置的制造方法
[0192]接下來，參照附圖對第一實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法進行說明。圖8?圖10是示意性地表示第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100的制造工序的剖視圖，與圖2對應(yīng)。
[0193]如圖8所示，在基板102上，按照第一包層104、活性層106、第二包層108、接觸層110的順序使它們外延生長。作為外延生長的方法，例如使用MOCVD (Metal OrganicChemical Vapor Deposition:金屬有機化學氣相沉積)法、MBE (Molecular Beam Epitaxy:分子束外延)法。
[0194]如圖9所示，對接觸層110以及第二包層108進行圖案化。圖案化例如使用光刻以及蝕刻來進行。通過本工序,能夠形成柱狀部114。另外，在本工序中，能夠形成槽部170、172(參照圖1、3)。此外，也可以利用其他的工序來進行形成柱狀部114的工序和形成槽部170、172的工序。
[0195]如圖10所示，以覆蓋柱狀部114的側(cè)面的方式形成絕緣層116。具體而言，首先例如利用CVD (Chemical Vapor Deposition:化學氣相沉積)法、涂覆法等,在第二包層108的上方(包含接觸層110上)使絕緣部件(未圖示)成膜。接下來，例如通過蝕刻，使接觸層110的上表面112露出。通過以上的工序，能夠形成絕緣層116。另外，在本工序中，可在槽部170、172形成絕緣層118 (參照圖3)。此外，也可以利用其他的工序來進行形成絕緣層116的工序和形成絕緣層118的工序。
[0196]如圖1以及圖3所示，對層疊體101形成開口部140、142，使側(cè)面132、133露出。開口部140、142通過利用光刻以及蝕刻的圖案化來形成。此外，并不特別限定形成開口部140、142的工序和形成后述的電極120、122、124、126的工序的順序。
[0197]如圖1以及圖2所示，在接觸層110上形成電極122、124、126。例如，通過真空蒸鍍法來形成電極122、124、126。電極122、124、126也可以在形成未圖示的規(guī)定形狀的掩模層并使電極層成膜之后，通過除去掩模層而形成(剝離)。之后，也可以進行用于合金化的熱處理。
[0198]接下來，在基板102的下表面形成第一電極120。例如，利用真空蒸鍍法來形成第一電極120。也可以在利用真空蒸鍍法進行的成膜后，進行用于合金化的熱處理。此外，并不特別限定形成電極120的工序和形成電極122、124、126的工序的順序。另外，在形成了電極120、122、124、126之后，也可以通過解理來使活性層106的側(cè)面131、134、135、136露出。
[0199]通過以上的工序，能夠制造發(fā)光裝置100。
[0200]根據(jù)發(fā)光裝置100的制造方法，能夠得到可抑制由于增益飽和而光輸出降低的發(fā)光裝置100。
[0201]1.3.發(fā)光裝置的變形例
[0202]1.3.1.第一變形例
[0203]接下來，參照附圖對第一實施方式的第一變形例涉及的發(fā)光裝置進行說明。圖11是示意性地表示第一實施方式的第一變形例涉及的發(fā)光裝置200的俯視圖。
[0204]以下，在第一實施方式的第一變形例涉及的發(fā)光裝置200中，對于具有與第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100的構(gòu)成部件相同的功能的部件標記相同的符號，并省略其詳細的說明。這一點對于以下所示的第一實施方式的第二變形例涉及的發(fā)光裝置300也相同。
[0205]如圖1所示，在發(fā)光裝置100中，光波導160的第一部分162僅由電極120、122注入電流，第二部分164僅由電極120、124注入電流，第三部分166僅由電極120、126注入電流。
[0206]與此相對，如圖11所示,在發(fā)光裝置200中，第一部分162由電極120、122、124注入電流，第三部分166由電極120、124、126注入電流。
[0207]具體而言，第一部分162具有位于電極120、122間的部分和位于電極120、124間的部分。在圖示的例子中，第一槽部170在俯視下被設(shè)置在電極122、124間的與第一部分162重疊的位置。第一槽部170在光波導160的延伸方向上與第一反射部190相比位于第一出射部181側(cè)。
[0208]第三部分166具有位于電極120、124間的部分和位于電極120、126間的部分。在圖示的例子中，第二槽部172在俯視下被設(shè)置在電極124、126間的俯視下與第三部分166重疊的位置。第二槽部172在光波導160的延伸方向上與第二反射部192相比位于第二出射部186側(cè)。
[0209]第三電極124在俯視下與第二部分164整體重疊。并且，第三電極124在俯視下與第一部分162的一部分以及第三部分166的一部分重疊。在圖示的例子中，第三電極124在俯視下與反射部190、192連接。
[0210]根據(jù)發(fā)光裝置200，通過使俯視下不與反射部190、192相接的電極122、126和電極120之間的電流密度大于與反射部190、192相接的電極124和電極120之間的電流密度，能夠減少增益飽和，并且減少反射部190、192中的光損失。例如，若使與反射部相接的一個電極和另一個電極之間的電流密度大于不與反射部相接的一個電極和另一個電極之間的電流密度，則有時反射部中的光的損失增加而不能夠?qū)崿F(xiàn)高效率化。
[0211]1.3.2.第二變形例
[0212]接下來，參照附圖對第一實施方式的第二變形例涉及的發(fā)光裝置進行說明。圖12是示意性地表示第一實施方式的第二變形例涉及的發(fā)光裝置300的俯視圖。
[0213]如圖1所示，在發(fā)光裝置100中，設(shè)置有一個光波導160。與此相對，如圖12所示，在發(fā)光裝置300中，設(shè)置有多個光波導160。在圖示的例子中，設(shè)置有兩個光波導160，但也可以是多個，其數(shù)量并不特別限定。多個光波導160被排列在與第一側(cè)面131的垂線Pl正交的方向上。在圖示的例子中，在一個光波導160中，第一出射部181與第二出射部186分離間隔D，并且，一個光波導160的第一出射部181與另一個光波導160的第二出射部186分尚間隔D。
[0214]根據(jù)發(fā)光裝置300，與發(fā)光裝置100的例子相比，能夠?qū)崿F(xiàn)高輸出化。
[0215]2.第二實施方式
[0216]2.1.發(fā)光裝置
[0217]接下來，參照附圖對第二實施方式涉及的發(fā)光裝置進行說明。圖13是示意性地表示第二實施方式涉及的發(fā)光裝置400的俯視圖。
[0218]以下，在第二實施方式涉及的發(fā)光裝置400中，對于具有與第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100的構(gòu)成部件相同的功能的部件標注相同的符號，并省略其詳細的說明。[0219]發(fā)光裝置100如圖1所示，光波導160的第一部分162以及第三部分166在俯視下相對于第一側(cè)面131的垂線Pl以角度α (角度α是大于0°的銳角)傾斜而與第一側(cè)面131連接。
[0220]與此相對，在發(fā)光裝置400中，如圖13所示，光波導160的第一部分162以及第三部分166在俯視下與第一側(cè)面131正交。S卩，在發(fā)光裝置400中，第一部分162以及第三部分166的延伸方向與第一側(cè)面131的垂線Pl平行。即，角度α是0°，角度β以及角度Y均為45°。
[0221]在發(fā)光裝置400中，第一側(cè)面131被防反射膜431覆蓋。作為防反射膜431，例如使用SiO2層、Ta2O5層、Al2O3層、TiN層、TiO2層、SiON層、SiN層或這些的多層膜。在發(fā)光裝置400中，通過防反射膜431能夠減少使光波導160中產(chǎn)生的光在第一端面181與第六端面186之間直接多重反射。因此，能夠不構(gòu)成直接的共振器，可抑制在光波導160中產(chǎn)生的光的激光振蕩。因此，在發(fā)光裝置400中，能夠減少斑點噪聲。
[0222]在發(fā)光裝置400中，俯視下第二電極122的面積與第四電極126的面積也可以相同。該情況下，由于例如第一部分162中的光密度與第三部分166中的光密度相同，所以由電極120、122向第一部分162注入的電流密度的大小與由電極120、126向第三部分166注入的電流密度的大小也可以相同。由此，與由電極120、122向第一部分162注入的電流密度、和由電極120、126向第三部分166注入的電流密度不同的情況相比，能夠容易地進行驅(qū)動時的電流控制。另外，第二電極122與第四電極126也可以電連接。另外，第二電極122與第四電極126也可以由共用電極來構(gòu)成。由此，能夠容易地使由電極120、122向第一部分162注入的電流密度的大小和由電極120、126向第三部分166注入的電流密度的大小相同(相等)。結(jié)果，能夠容易地進行發(fā)光裝置400的驅(qū)動時的電流控制。此外，雖然未圖示，但在俯視下第二電極122的面積與第四電極126的面積也可以不同。
[0223]根據(jù)發(fā)光裝置400，與發(fā)光裝置100相同，能夠抑制由于增益飽和而光輸出降低。
[0224]2.2.發(fā)光裝置的制造方法
[0225]接下來，對第二實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法進行說明。第二實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法除了例如利用CVD法在第一側(cè)面131形成防反射膜431以外，與第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100的制造方法基本相同。因此，省略其詳細的說明。
[0226]2.3.發(fā)光裝置的變形例
[0227]接下來，參照附圖對第二實施方式的變形例涉及的發(fā)光裝置進行說明。圖14是示意性地表示第二實施方式的變形例涉及的發(fā)光裝置500的俯視圖。
[0228]以下，在第二實施方式的變形例涉及的發(fā)光裝置500中，對于具有與第一實施方式涉及的發(fā)光裝置100以及第二實施方式涉及的發(fā)光裝置400的構(gòu)成部件相同的功能的部件標注相同的符號，并省略其詳細的說明。
[0229]在發(fā)光裝置400中，如圖13所示，光波導160的第一部分162僅由電極120、122注入電流，第二部分164僅由電極120、124注入電流，第三部分166僅由電極120、126注入電流。
[0230]與此相對，在發(fā)光裝置500中，如圖14所示，第一部分162由電極120、122、124注入電流，第三部分166由電極120、124、126注入電流。
[0231]具體而言，第一部分162具有位于電極120、122間的部分和位于電極120、124間的部分。在圖示的例子中，第一槽部170在俯視下被設(shè)置在電極122、124間的與第一部分162重疊的位置。第一槽部170在光波導160的延伸方向上與第一反射部190相比位于第一出射部181側(cè)。
[0232]第三部分166具有位于電極120、124間的部分和位于電極120、126間的部分。在圖示的例子中，第二槽部172在俯視下被設(shè)置在電極124、126間的俯視下與第三部分166重疊的位置。第二槽部172在光波導160的延伸方向上與第二反射部192相比位于第二出射部186側(cè)。
[0233]第三電極124在俯視下與第二部分164整體重疊。并且，第三電極124在俯視下與第一部分162的一部分以及第三部分166的一部分重疊。在圖示的例子中，第三電極124在俯視下與反射部190、192相接。
[0234]根據(jù)發(fā)光裝置500，與發(fā)光裝置200相同，能夠減少反射部190、192中的光損失。
[0235]3.第三實施方式
[0236]接下來，參照附圖對第三實施方式涉及的投影儀進行說明。圖15是示意性地表示第三實施方式涉及的投影儀800的圖。圖16是示意性地表示第三實施方式涉及的投影儀800的一部分的圖。
[0237]此外，為了方便起見，在圖15中省略了構(gòu)成投影儀800的殼體，并且簡化圖示了光源300。另外，在圖16中，為了方便起見，對光源300、透鏡陣列802、以及液晶光閥804進行圖示，并且簡化圖示了光源300。
[0238]如圖15以及圖16所示，投影儀800包含射出紅色光、綠色光、藍色光的紅色光源300R、綠色光源300G、藍色光源300B。紅色光源300R、綠色光源300G、藍色光源300B是本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置。以下，對使用發(fā)光裝置300作為本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置的例子進行說明。
[0239]投影儀800還包含透鏡陣列802R、802G、802B、透射式的液晶光閥(光調(diào)制裝置)804R、804G、804B、和投射鏡頭(投射裝置)808。
[0240]從光源300R、300G、300B射出的光入射至各透鏡陣列802R、802G、802B。如圖16所示，透鏡陣列802在光源300側(cè)具有從出射部181、186射出的光20、22所入射的平坦面801。與多個光出射部181、186對應(yīng)地設(shè)置且以等間隔配置有多個平坦面801。平坦面801的法線(未圖示)相對于光20、22的光軸傾斜。因此，通過平坦面801，能夠使光20、22的光軸與液晶光閥804的照射面805正交。
[0241]透鏡陣列802在液晶光閥804側(cè)具有凸曲面803。與多個平坦面801對應(yīng)地設(shè)置且以等間隔配置有多個凸曲面803。在平坦面801中光軸被變換后的光20、22通過凸曲面803而匯聚或者減小擴散角，能夠重疊(一部分重疊)。由此，能夠均勻性較好地對液晶光閥804進行照射。
[0242]如以上那樣，透鏡陣列802能夠控制從光源300射出的光20、22的光軸來使光20、
22匯聚。
[0243]如圖15所示，被各透鏡陣列802R、802G、802B匯聚后的光入射至各液晶光閥804R、804G、804B。各液晶光閥804R、804G、804B分別根據(jù)圖像信息來調(diào)制入射的光。而且，投射鏡頭808對由液晶光閥804R、804G、804B形成的像進行放大并投射至屏幕(顯示面)810。
[0244]另外，投影儀800可包含對從液晶光閥804R、804G、804B射出的光進行合成并導入投射鏡頭808的交叉分色棱鏡(色光合成單元)806。
[0245]被各液晶光閥804R、804G、804B調(diào)制后的三種色光入射至交叉分色棱鏡806。該棱鏡通過貼合四個直角棱鏡而形成并在其內(nèi)面將反射紅色光的電介質(zhì)多層膜與反射藍色光的電介質(zhì)多層膜配置成十字狀。三種色光被這些電介質(zhì)多層膜合成而形成表示彩色圖像的光。而且，合成后的光被作為投射光學系統(tǒng)的投射鏡頭808投射到屏幕810上,并顯不放大后的圖像。
[0246]根據(jù)投影儀800，能夠包含可抑制由于增益飽和而光輸出降低的發(fā)光裝置300。
[0247]根據(jù)投影儀800，包含能夠不增大與第一側(cè)面131正交的方向的長度地通過第二部分164來調(diào)整出射部181、186的間隔D的發(fā)光裝置300 (參照圖12)。由此，能夠配合透鏡陣列802的大小容易地調(diào)整出射部181、186的間隔D。因此，在投影儀800中，透鏡陣列802的對準很容易，能夠均勻性較好地對液晶光閥804進行照射。
[0248]根據(jù)投影儀800，由于是在液晶光閥804的正下方配置光源300且使用透鏡陣列802同時進行聚光和均勻照明的方式(背光燈方式)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)光學系統(tǒng)的損失減少和部件件數(shù)的減少。
[0249]此外，在上述的例子中，使用了透射式的液晶光閥作為光調(diào)制裝置，但也可以使用液晶以外的光閥，還可以使用反射型的光閥。作為這樣的光閥，例如可舉出反射型的液晶光閥、數(shù)字微鏡器件(DigitalMicromirror Device)。另外,投射光學系統(tǒng)的構(gòu)成可根據(jù)所使用的光閥的種類適當?shù)刈兏?br> [0250]另外，也可將光源300應(yīng)用于具有通過在屏幕上掃描來自光源300的光而在顯示面上顯示所希望的大小的 圖像的圖像形成裝置即掃描單元那樣的掃描式圖像顯示裝置(投影儀)的光源裝置。
[0251]上述的實施方式以及變形例只是一個例子，并不限定于這些。例如，也可適當?shù)亟M合各實施方式以及各變形例。
[0252]本發(fā)明包含與在實施方式中說明的構(gòu)成實質(zhì)相同的構(gòu)成(例如功能、方法以及結(jié)果相同的構(gòu)成，或者目的以及效果相同的構(gòu)成)。另外，本發(fā)明包含將在實施方式中說明的不是構(gòu)成的本質(zhì)部分進行了置換后的構(gòu)成。另外，本發(fā)明包含能夠起到與在實施方式中說明的構(gòu)成相同的作用效果的構(gòu)成或者實現(xiàn)相同目的的構(gòu)成。另外，本發(fā)明包含在實施方式中說明的構(gòu)成上附加了公知技術(shù)的構(gòu)成。
[0253]附圖標記說明
[0254]10、20、22…光;100…發(fā)光裝置;101…層疊體;102…基板;103…接觸面;104…第一包層；106…活性層；108…第二包層；110…接觸層；112…上表面；112a...第一接觸面；112b…第二接觸面；112c…第三接觸面；114…柱狀部；116、118…絕緣層；120…第一電極；122…第二電極；124…第三電極；126…第四電極；131…第一側(cè)面；132…第二側(cè)面；133…第三側(cè)面；134…第四側(cè)面；135…第五側(cè)面；136…第六側(cè)面;140…第一開口部;142…第二開口部；160…光波導；162…第一部分；164…第二部分；166…第三部分；170…第一槽部；172…第二槽部;181…第一端面；182…第二端面；183…第三端面；184…第四端面；185…第五端面；186…第六端面;190…第一反射部；192…第二反射部;200、300、400…發(fā)光裝置；431…防反射膜；500…發(fā)光裝置;800…投影儀;801…平坦面；802…透鏡陣列;803...凸曲面；804…液晶光閥；805…照射面；806…交叉分色棱鏡；808…投射鏡頭；810…屏幕。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包含: 層疊體，其具有通過被注入電流而產(chǎn)生光的活性層、夾持所述活性層的第一包層以及第二包層； 第一電極，其與所述第一包層電連接；以及 與所述第二包層電連接的第二電極、第三電極及第四電極， 所述活性層構(gòu)成使光傳導的光波導， 所述光波導包含: 第一部分，其具有將設(shè)置在所述活性層的第一側(cè)面的第一出射部與設(shè)置在所述活性層的第二側(cè)面的第一反射部連接的帶狀的形狀； 第二部分，其具有將所述第一反射部與設(shè)置在所述活性層的第三側(cè)面的第二反射部連接的帶狀的形狀；以及 第三部分，其具有將所述第二反射部與設(shè)置在所述第一側(cè)面的第二出射部連接的帶狀的形狀， 所述第一部分由所述第一電極以及所述第二電極注入電流， 所述第二部分由所述第一電極以及所述第三電極注入電流， 所述第三部分由所述第一電極以及所述第四電極注入電流， 由所述第一電極及所述第二電極注入的所述第一部分的電流密度、以及由所述第一電極及所述第四電極注入的所述第三部分的電流密度比由所述第一電極及所述第三電極注入的所述第二部分的電流密度大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 作為所述第二電極與所述層疊體電接觸的部分的第一接觸部、作為所述第三電極與所述層疊體電接觸的部分的第二接觸部、以及作為所述第四電極與所述層疊體電接觸的部分的第三接觸部從所述層疊體的層疊方向觀察與所述第一反射部以及所述第二反射部分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一部分還由所述第一電極以及所述第三電極注入電流， 所述第三部分還由所述第一電極以及所述第三電極注入電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 由所述第一電極以及所述第二電極注入的所述第一部分的電流密度與由所述第一電極以及所述第四電極注入的所述第三部分的電流密度相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第二電極與所述第四電極電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述層疊體包含: 第一槽部，從所述層疊體的層疊方向觀察時，其被設(shè)置于作為所述第二電極與所述層疊體電接觸的部分的第一接觸部和作為所述第三電極與所述層疊體電接觸的部分的第二接觸部之間且與所述光波導重疊的位置；和 第二槽部，從所述層疊體的層疊方向觀察時，其被設(shè)置于所述第二接觸部和作為所述第四電極與所述層疊體電接觸的部分的第三接觸部之間且與所述光波導重疊的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述層疊體包含形成在所述第二包層上的接觸層， 所述第一槽部以及所述第二槽部被設(shè)置在所述接觸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一槽部以及所述第二槽部貫通所述接觸層而到達所述第二包層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一槽部以及所述第二槽部貫通所述接觸層以及所述第二包層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 從所述層疊體的層疊方向觀察， 所述第一部分以及所述第三部分相對于所述第一側(cè)面的垂線傾斜地與所述第一側(cè)面連接。
11.一種發(fā)光裝置，其特征在于， 包含通過被注入電流而產(chǎn)生光的活性層， 所述活性層包含: 射出光的第一出射部以及第二出射部； 光波導，其將所述第一出射部以及所述第二出射部連接；以及 使在所述光波導中傳導的光的行進方向變化的第一彎曲部以及第二彎曲部， 向位于所述第一出射部與所述第一彎曲部之間的光波導注入的電流密度比向位于所述第一彎曲部與所述第二彎曲部之間的光波導注入的電流密度大， 向位于所述第二出射部與所述第二彎曲部之間的光波導注入的電流密度比向位于所述第一彎曲部與所述第二彎曲部之間的光波導注入的電流密度大。
12.一種投影儀，其特征在于，包含: 權(quán)利要求1~11中任意一項所述的發(fā)光裝置； 光調(diào)制裝置，其根據(jù)圖像信息來調(diào)制從所述發(fā)光裝置射出的光；以及 投射裝置，其投射由所述光調(diào)制裝置形成的圖像。
13.一種超輻射發(fā)光二極管，其特征在于，包含: 層疊體，其具有通過被注入電流而產(chǎn)生光的活性層、夾持所述活性層的第一包層以及第二包層； 第一電極，其與所述第一包層電連接；以及 與所述第二包層電連接的第二電極、第三電極及第四電極， 所述活性層構(gòu)成使光傳導的光波導， 所述光波導包含: 第一部分，其具有將設(shè)置在所述活性層的第一側(cè)面的第一出射部與設(shè)置在所述活性層的第二側(cè)面的第一反射部連接的帶狀的形狀； 第二部分，其具有將所述第一反射部與設(shè)置在所述活性層的第三側(cè)面的第二反射部連接的帶狀的形狀；以及 第三部分，其具有將所述第二反射部與設(shè)置在所述第一側(cè)面的第二出射部連接的帶狀的形狀， 所述第一部分由所述第一電極以及所述第二電極注入電流， 所述第二部分由所述第一電極以及所述第三電極注入電流，所述第三部分由所述第一電極以及所述第四電極注入電流， 由所述第一電極及所述第二電極注入的所述第一部分的電流密度、以及由所述第一電極及所述第四電極注入的所述第三部分的電流密度比由所述第一電極及所述第三電極注入的所述第二部分的電流密度大。
14.一種投影儀，其特征在于，包含: 權(quán)利要求13所述的超輻射發(fā)光二極管； 光調(diào)制裝置，其根據(jù)圖像信息來調(diào)制從所述超輻射發(fā)光二極管射出的光；以及 投射裝置，其投 射由所述光調(diào)制裝置形成的圖像。
【文檔編號】G03B21/14GK103972333SQ201410037442
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年1月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月1日
【發(fā)明者】西岡大毅 申請人:精工愛普生株式會社