電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備。一種電子照相感光構(gòu)件,其中電荷輸送層為表面層,電荷輸送層包含特定的電荷輸送化合物和特定的粘結(jié)劑樹脂,并且電荷輸送層滿足以下表達(dá)式(4-1)。XP1<XP5--?(4-1)。
【專利說明】電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為安裝到電子照相設(shè)備的電子照相感光構(gòu)件,使用采用有機(jī)光導(dǎo)電性物質(zhì)(電荷產(chǎn)生物質(zhì))的電子照相感光構(gòu)件。特別是,通常使用具有依次層壓電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層的層壓型感光構(gòu)件的電子照相感光構(gòu)件。
[0003]隨著電子照相設(shè)備重復(fù)形成圖像,重復(fù)使用的電子照相感光構(gòu)件的表面直接經(jīng)受如充電、曝光、顯影、轉(zhuǎn)印和清潔等電外力,因此要求感光構(gòu)件具有電位穩(wěn)定性(電位變化的抑制)。
[0004]對(duì)于電位穩(wěn)定性的問題,日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2002-23395和日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2009-186967已提出增強(qiáng)重復(fù)使用電子照相感光構(gòu)件時(shí)的電位穩(wěn)定性的方法,其包括引入特定的電荷輸送物質(zhì)至電荷輸送層。然而,當(dāng)特定的電荷輸送物質(zhì)在高溫高濕環(huán)境下使用時(shí),可容易發(fā)生圖像缺失(image deletion)。
[0005]認(rèn)為圖像缺失的原因如下:電子照相感光構(gòu)件的表面的結(jié)露和包含在轉(zhuǎn)印材料中的滑石粉附著在電子照相感光構(gòu)件的表面,和由充電設(shè)備產(chǎn)生的臭氧與氮氧化物(以下,也稱為“充電生成物”)也附著于其上。這些引起電子照相感光構(gòu)件的表面的表面電阻的降低,導(dǎo)致潛像模糊的現(xiàn)象(圖像缺失)。
[0006]對(duì)于抑制圖像缺失的問題,已提出將容易磨耗的樹脂用于表面層(電荷輸送層),由此通過清潔容易刮去附著在表面層上的充電生成物的方法。日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_S62-160458中提出將具有1.5 X IO4以下的數(shù)均分子量的聚碳酸酯樹脂和具有4.5 X IO4以上的數(shù)均分子量的聚碳酸酯樹脂以一定比例以上的量引入至電子照相感光構(gòu)件的電荷輸送層,由此使得表面層更容易磨耗的方法。日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2000-19765提出使用包含具有特定范圍內(nèi)的分子量的聚碳酸酯樹脂或聚芳酯樹脂和氟細(xì)顆粒的電荷輸送層,由此抑制由于施加交流電流引起的圖像缺失的方法。
[0007]作為本發(fā)明人的研究的結(jié)果,日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2002-23395和日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2009-186967中描述的電子照相感光構(gòu)件,對(duì)于同時(shí)滿足電子照相感光構(gòu)件重復(fù)使用時(shí)的電位穩(wěn)定性和圖像缺失的抑制具有改進(jìn)空間。對(duì)于日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_S62-160458和日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2000-19765中所述的電子照相感光構(gòu)件,盡管表面層容易磨耗由此抑制圖像缺失的發(fā)生,但是表面層的厚度可變化從而容易導(dǎo)致電位穩(wěn)定性的降低。此外,對(duì)于日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2000-19765中描述的電子照相感光構(gòu)件,氟細(xì)顆??扇菀讓?dǎo)致電位穩(wěn)定性的降低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]本發(fā)明的目的是提供一種具有電荷輸送層作為表面層、可以高水平實(shí)現(xiàn)抑制重復(fù)使用后的圖像缺失和電位變化的電子照相感光構(gòu)件。本發(fā)明的另一目的是提供具有上述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
[0009]本發(fā)明涉及一種電子照相感光構(gòu)件,其包括支承體、在支承體上形成的電荷產(chǎn)生層和在電荷產(chǎn)生層上形成的電荷輸送層,其中電荷輸送層為電子照相感光構(gòu)件的表面層,電荷輸送層包含:選自由下式(2)表示的化合物和下式(3)表示的化合物組成的組的至少一種電荷輸送物質(zhì),和選自由具有由下式(IA)表示的結(jié)構(gòu)單元的聚碳酸酯樹脂與具有由下式(IB)表示的結(jié)構(gòu)單元的聚酯樹脂組成的組的至少一種粘結(jié)劑樹脂,并且電荷輸送層滿足以下表達(dá)式(4-1)。
[0010]XP1〈XP5 (4-1)
[0011]表達(dá)式(4-1)中,
[0012]Xpi表示基于在Pl處測(cè)量的紅外光譜得到的電荷輸送物質(zhì)⑶與粘結(jié)劑樹脂(B)的質(zhì)量比(D/B),
[0013]Xp5表示基于在P5處測(cè)量的紅外光譜得到的電荷輸送物質(zhì)⑶與粘結(jié)劑樹脂(B)的質(zhì)量比(D/B),
[0014]Pl為電荷輸送層的表面的位置,和
[0015]P5為當(dāng)將電荷輸送層的厚度指定為T時(shí),距電荷輸送層的表面的距離為4T/5的位置。
[0016]
【權(quán)利要求】
1.一種電子照相感光構(gòu)件,其包括:支承體;在所述支承體上形成的電荷產(chǎn)生層;和在所述電荷產(chǎn)生層上形成的電荷輸送層; 其中所述電荷輸送層為所述電子照相感光構(gòu)件的表面層, 所述電荷輸送層包含: 選自由下式(2)表示的化合物和下式(3)表示的化合物組成的組的至少一種電荷輸送物質(zhì);和 選自由具有由下式(IA)表示的結(jié)構(gòu)單元的聚碳酸酯樹脂和具有由下式(IB)表示的結(jié)構(gòu)單元的聚酯樹脂組成的組的至少一種粘結(jié)劑樹脂;和所述電荷輸送層滿足以下表達(dá)式(4-1):
XF1<Xp5 (4-1) 其中,Xp1表示基于在Pl處測(cè)量的紅外光譜得到的所述電荷輸送物質(zhì)(D)與所述粘結(jié)劑樹脂⑶的質(zhì)量比(D/B), Xp5表示基于在P5處測(cè)量的紅外光譜得到的所述電荷輸送物質(zhì)(D)與所述粘結(jié)劑樹脂(B)的質(zhì)量比(D/B), Pl為所述電荷輸送層的表面的位置,和 P5為當(dāng)將所述電荷輸送層的厚度指定為T時(shí),距所述電荷輸送層的表面的距離為4T/5的位置;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件,其中所述電荷輸送層滿足以下表達(dá)式(4-2)~(4-5):
XP1〈XP2 (4-2)
XP2<XP3 (4-3)
XP3<XP4 (4-4)
Xp4<Xp5 (4-5) 其中,XP2表示基于在P2處測(cè)量的紅外光譜得到的所述電荷輸送物質(zhì)(D)與所述粘結(jié)劑樹脂⑶的質(zhì)量比(D/B), Xp3表示基于在P3處測(cè)量的紅外光譜得到的所述電荷輸送物質(zhì)(D)與所述粘結(jié)劑樹脂(B)的質(zhì)量比(D/B), Xp4表示基于在P4處測(cè)量的紅外光譜得到的所述電荷輸送物質(zhì)(D)與所述粘結(jié)劑樹脂(B)的質(zhì)量比(D/B), P2為當(dāng)將所述電荷輸送層的厚度指定為T時(shí),距所述電荷輸送層的表面的距離為T/5的位置, P3為當(dāng)將所述電荷輸送層的厚度指定為T時(shí),距所述電荷輸送層的表面的距離為2T/5的位置,和 P4為當(dāng)將所述電荷輸送層的厚度指定為T時(shí),距所述電荷輸送層的表面的距離為3T/5的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子照相感光構(gòu)件,其中所述電荷輸送層進(jìn)一步滿足以下表達(dá)式(5):
0.020 ( (Xpmtl-Xpm) / (mT/5 - (m_l)T/5) ( 0.060 (5) 其中為1-4的整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件,其中所述電荷輸送物質(zhì)為由式(3)表示的化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件,其中所述電荷輸送層的厚度為ΙΟμπι以上且35 μ m以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件,其中所述電荷輸送物質(zhì)為由下式(CTM-2)或(CTM-3)表示的化合物,
7.—種處理盒,其可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體,其中所述處理盒一體化地支承:根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件,和選自由充電裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置組成的組的至少一種裝置。
8.一種電子照相設(shè)備,其包括根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的電子照相感光構(gòu)件、充電裝置、曝光裝置、顯影裝置和轉(zhuǎn)印裝置。
【文檔編號(hào)】G03G5/06GK103969972SQ201410037706
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年1月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月28日
【發(fā)明者】三浦大祐, 田中大介, 杉山和道 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社