薄膜圖案的制造方法、顯示基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供薄膜圖案的制造方法、顯示基板，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。在顯示基板的生產(chǎn)和加工過程中，能夠避免掩膜板的使用。通過在基板上形成待圖案化的第一薄膜層，并在該第一薄膜層的表面形成第一覆蓋層，通過光束熔損的方法形成第一覆蓋層圖案，然后將上述第一覆蓋層圖案未覆蓋的第一薄膜層去除掉，從而形成第一薄膜層圖案。
【專利說明】薄膜圖案的制造方法、顯示基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及薄膜圖案的制造方法、顯示基板。
【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點(diǎn)，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003]TFT-LCD由對盒成型的陣列基板和彩膜基板構(gòu)成。在陣列基板和彩膜基板之間充入液晶，通過控制液晶的偏轉(zhuǎn)控制光線的強(qiáng)弱，再通過彩膜基板的濾光作用，實(shí)現(xiàn)彩色圖像顯示?，F(xiàn)有技術(shù)中，通常采用掩膜曝光工藝在透明基板上制作各個膜層以形成陣列基板或彩膜基板。然而由于每一張掩膜板的成本較高，并且其精度一般屬于微米量級。這樣一來，在制作過程中會提高生產(chǎn)難度，同時增加了生產(chǎn)成本，從而降低了顯示基板的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供薄膜圖案的制造方法、顯示基板，在顯示基板的生產(chǎn)和加工過程中，能夠避免掩膜板的使用。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種薄膜圖案的制造方法，包括:
[0007]在基板上形成待圖案化的第一薄膜層；
[0008]在所述第一薄膜層的表面形成第一覆蓋層；
[0009]通過光束熔損形成第一覆蓋層圖案；
[0010]去除所述第一覆蓋層圖案未覆蓋的所述第一薄膜層，形成第一薄膜層圖案。
[0011]可選的，去除所述第一覆蓋層圖案。
[0012]可選的，在所述去除所述第一覆蓋層未覆蓋的所述第一薄膜層，形成第一薄膜層圖案之后，所述方法還包括:
[0013]形成待圖案化的第二薄膜層；
[0014]在所述第二薄膜層的表面形成第二覆蓋層；
[0015]通過光束熔損形成第二覆蓋層圖案；
[0016]去除所述第二覆蓋層圖案未覆蓋的所述第二薄膜層，形成第二薄膜層圖案；
[0017]去除所述第一覆蓋層圖案和所述第二覆蓋層圖案。
[0018]可選的，所述光束包括:固體激光器、氣體激光器、液態(tài)激光器或者半導(dǎo)體激光器發(fā)出的激光。
[0019]可選的，所述第一覆蓋層或所述第二覆蓋層的材料包括熔點(diǎn)為50°C?300°C的金屬材料。
[0020]可選的，所述第一薄膜層或所述第二薄膜層的材料包括:導(dǎo)電材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料中的任一種或多種。[0021]可選的，所述第一覆蓋層或所述第二覆蓋層的厚度為2000埃-5000埃，所述第一薄膜層或所述第二薄膜層的厚度為200埃-30000埃。
[0022]可選的，所述去除所述第一覆蓋層圖案未覆蓋的所述第一薄膜層，或者，所述去除所述第二覆蓋層圖案未覆蓋的所述第二薄膜層的方法包括:
[0023]通過濕法刻蝕工藝或者灰化工藝將所述第一覆蓋層圖案未覆蓋的所述第一薄膜層或者所述第二覆蓋層圖案未覆蓋的所述第二薄膜層去除。
[0024]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種顯示基板，包括多個薄膜圖案，所述多個薄膜圖案中的至少一個薄膜圖案采用如上所述的任意一種薄膜圖案的制造方法制作。
[0025]可選的，所述顯示基板為彩膜基板，所述第一薄膜層包括色阻層或者黑矩陣層；或者所述顯示基板為陣列基板，所述第一薄膜層包括柵極層、柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和像素電極層中的任意一層或多層。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供薄膜圖案的制造方法、顯示基板。該薄膜圖案的制造方法包括，通過在基板上形成待圖案化的第一薄膜層，并在該第一薄膜層的表面形成第一覆蓋層，通過光束熔損的方法形成第一覆蓋層圖案，然后將上述第一覆蓋層圖案未覆蓋的第一薄膜層去除掉，從而形成第一薄膜層圖案。這樣一來，在顯示基板的生產(chǎn)和加工過程中，可以利用高精度光束代替掩膜板，從而能夠提高顯示基板的精度和分辨率，提升產(chǎn)品質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜圖案的制造方法流程圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜圖案的制作過程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜圖案的制造方法流程圖；
[0031]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜圖案的制作過程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板制作過程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種顯示基板制作過程結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制作方法流程圖；
[0036]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0038]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖案的制造方法，如圖1所示，包括:[0039]S101、在如圖2所示的基板10上形成待圖案化的第一薄膜層11。其中，可以通過沉積、濺射、涂覆、印刷等方式在基板10上形成待圖案化的第一薄膜層11。
[0040]S102、在第一薄膜層11的表面形成第一覆蓋層20。
[0041]S103、通過光束熔損形成第一覆蓋層圖案201。
[0042]S104、去除第一覆蓋層圖案201未覆蓋的第一薄膜層11，形成第一薄膜層圖案101。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例提供薄膜圖案的制造方法。該方法包括，通過在基板上形成待圖案化的第一薄膜層，并在該第一薄膜層的表面形成第一覆蓋層，通過光束熔損的方法形成第一覆蓋層圖案，然后將上述第一覆蓋層圖案未覆蓋的第一薄膜層去除掉，從而形成第一薄膜層圖案。這樣一來，在顯示基板的生產(chǎn)和加工過程中，可以利用高精度光束代替掩膜板的使用，從而能夠提高顯示基板的精度和分辨率，提升產(chǎn)品質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。
[0044]進(jìn)一步地，在上述步驟S104之后，上述方法還可以包括:
[0045]去除上述第一覆蓋層圖案201。這樣一來，可以通過去除不需要的薄膜層，例如第一覆蓋層圖案201，從而完成制作具有第一薄膜層圖案101的基板。
[0046]進(jìn)一步地，當(dāng)基板10上需要制作多個圖案化的薄膜層時，在上述步驟S104之后，該方法如圖3所示，還可以包括:
[0047]S201、如圖4所示，形成待圖案化的第二薄膜層12。其中，可以通過沉積、濺射、涂覆、印刷等方式形成待圖案化的第二薄膜層12。
[0048]S202、在第二薄膜層12的表面形成第二覆蓋層21。
[0049]S203、通過光束熔損形成第二覆蓋層圖案202。
[0050]S204、去除第二覆蓋層圖案202未覆蓋的第二薄膜層12，形成第二薄膜層圖案102。
[0051]S205、去除第一覆蓋層圖案201和第二覆蓋層圖案202，從而形成同時具有第一薄膜層圖案101以及第二薄膜層圖案102的基板。這樣一來，在形成第一薄膜層圖案101和第二薄膜層圖案102之后將覆位于第一薄膜層圖案101表面的第一覆蓋層圖案201和位于第二薄膜層圖案102表面的第二薄膜層圖案102同時去除(例如通過濕法刻蝕工藝)。從而能夠簡化制造工藝，提高生產(chǎn)效率。并且，在形成第二薄膜層圖案102之前保留位于第一薄膜層圖案101表面的第一覆蓋層圖案201，可以保護(hù)已形成于基板10表面的第一薄膜層圖案101，使其在制作第二薄膜層圖案102的過程中不會受到制作工藝的破壞。
[0052]進(jìn)一步地，第一薄膜層11或第二薄膜層12的材料可以包括:導(dǎo)電材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料中的任一種或多種。導(dǎo)體材料包括金屬、合金、金屬氧化物等，例如，鉻、鈦、鋁、鑰、鎳等金屬單質(zhì)或合金、氧化銦錫(ΙΤ0)。絕緣材料包括氧化物、氮化物、氮氧化物、絕緣樹脂材料等，例如，氮化硅、氧化硅。半導(dǎo)體材料包括非晶硅、多晶硅、金屬氧化物，例如銦鎵鋅氧化物(IGZO)。
[0053]具體的，如圖5所示，第一薄膜層11或第二薄膜層12可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如，位于陣列基板30上的TFT的柵極層301 ;或者，第一薄膜層11或第二薄膜層12可以為由絕緣材料構(gòu)成，例如，位于陣列基板30上的柵極絕緣層310或者位于彩膜基板40上的色阻層410 ;或者，第一薄膜層11或第二薄膜層12可以是位于陣列基板30上的由導(dǎo)電材料制成的TFT的柵極層301 ;由絕緣材料制成的柵極絕緣層310、鈍化層313 ;有半導(dǎo)體材料制成的有源層311 ;由導(dǎo)電材料構(gòu)成的源漏金屬層312以及導(dǎo)體材料構(gòu)成的像素電極層314中的一層或多層薄膜層。以上僅僅是對構(gòu)成第一薄膜層11或第二薄膜層12的材料及薄膜圖案進(jìn)行舉例說明，其它類型的第一薄膜層11或第二薄膜層12在這里不再一一舉例，但都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。這樣一來，可以采用高能量光束熔損薄膜的方法制作陣列基板30或者彩膜基板40上的每一層薄膜圖案，或者在已經(jīng)制作好一部分薄膜圖案的基礎(chǔ)上采用高能量光束熔損薄膜的方法制作其他薄膜圖案。從而能夠?yàn)楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員提供更多的生產(chǎn)加工方式，使其可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)加工需要，靈活選擇薄膜圖案的制作方法。
[0054]此外，對于不同的基板過程中，例如陣列基板30或彩膜基板40，其中的每一層薄膜的厚度都有所不同。具體在制作過程中，可選的，第一覆蓋層20或第二覆蓋層21的厚度可以為2000埃-5000埃。由于，當(dāng)?shù)谝桓采w層20或第二覆蓋層21的厚度過薄，例如小于2000埃時，會因?yàn)樯鲜龈采w層的厚度太薄，而增加光束熔損工藝的控制難度；例如，在對第一覆蓋層20進(jìn)行光束熔損以形成第一覆蓋層圖案201的過程中，當(dāng)?shù)谝桓采w層20的厚度太薄時，可能會在第一覆蓋層圖案201未形成時,第一覆蓋層20已經(jīng)被完全熔損掉,這樣一來會使得被第一覆蓋層20覆蓋的第一薄膜層11的表面受到破壞?；蛘?，當(dāng)?shù)谝桓采w層20或第二覆蓋層21的厚度大于5000埃時，由于上述覆蓋層的厚度過厚，因此會增加光束熔損工藝的時間，從而增加能耗，造成能源的浪費(fèi)。因此，優(yōu)選的，第一覆蓋層20或第二覆蓋層21的厚度范圍在2000埃-5000埃之間。
[0055]此外，可選的，第一薄膜層11或第二薄膜層12的厚度可以為200埃-30000埃。由于，第一薄膜層11或第二薄膜層12可以用來構(gòu)成顯示基板例如陣列基板30或彩膜基板40上的一些薄膜圖案。例如，第一薄膜層11或第二薄膜層12可以構(gòu)成位于陣列基板30上的TFT的柵極層301。因此，當(dāng)?shù)谝槐∧?1或第二薄膜層12的厚度太薄時，例如小于200埃，會導(dǎo)致形成的薄膜圖案例如TFT的柵極層301在之后的生產(chǎn)加工過程中容易發(fā)生斷路現(xiàn)象，從而對TFT的質(zhì)量造成嚴(yán)重的影響；然而，當(dāng)?shù)谝槐∧?1或第二薄膜層12的厚度太厚時，例如大于30000埃，會導(dǎo)致形成的薄膜圖案例如色阻層的厚度增大，從而會增加生產(chǎn)成本，且不利于顯示基板超薄化的設(shè)計(jì)趨勢。因此，優(yōu)選的，第一薄膜層11或第二薄膜層12的厚度可以為200埃-30000埃。
[0056]需要說明的是，在制作具有多個膜層的基板的過程中，第一薄膜層11以及第二薄膜層12只是一種相對的概念，并不特制某種材質(zhì)的薄膜層。
[0057]具體的，例如制作如圖6所示的彩膜基板40時，可以以構(gòu)成黑矩陣層411 (BlackMatrix，簡稱BM)的膜層為第一薄膜層11，在基板10的表面形成第一薄膜層11，通過上述步驟SlOl至步驟S104形成黑矩陣層411 ;然后在形成黑矩陣層411的基板表面形成第二薄膜層12通過上述步驟S201至步驟S204形成紅色濾光結(jié)構(gòu)401 ;當(dāng)制作綠色濾光結(jié)構(gòu)402時，仍然可以以構(gòu)成黑矩陣層411的膜層為第一薄膜層11，則視構(gòu)成該綠色濾光結(jié)構(gòu)402的膜層為第二薄膜層12而采用步驟S201至步驟S204對綠色濾光結(jié)構(gòu)402進(jìn)行制作；之后，在制作藍(lán)色濾光結(jié)構(gòu)403時，還可以以構(gòu)成黑矩陣層411的膜層為第一薄膜層11，并視構(gòu)成該藍(lán)色濾光結(jié)構(gòu)403的膜層為第二薄膜層12而采用步驟S201至步驟S204對藍(lán)色濾光結(jié)構(gòu)403進(jìn)行制作。最后通過步驟S205將上述黑矩陣層411表面的第一覆蓋層圖案201與以及紅色濾光結(jié)構(gòu)401表面的第二覆蓋層圖案202、綠色濾光結(jié)構(gòu)402表面的第二覆蓋層圖案202以及藍(lán)色濾光結(jié)構(gòu)403表面的第二覆蓋層圖案202去除。從而完成了彩膜基板40的制作。
[0058]又例如，在形成如圖7所示的彩膜基板40時，可以以構(gòu)成黑矩陣層411的膜層為第一薄膜層11，在基板10的表面形成第一薄膜層、11，通過上述步驟SlOl至步驟S104形成黑矩陣層411 ;然后在形成黑矩陣層411的基板表面形成第二膜層12通過上述步驟S201至步驟S204形成紅色濾光結(jié)構(gòu)401 ;之后，在制作綠色濾光結(jié)構(gòu)402時，可以視構(gòu)成綠色濾光結(jié)構(gòu)402的膜層為第一薄膜層11通過步驟SlOl至步驟S104形成綠色濾光結(jié)構(gòu)402 ;然后可以視構(gòu)成該藍(lán)色濾光結(jié)構(gòu)403的膜層為第二薄膜層12，并通過步驟S201至步驟S204形成藍(lán)色濾光結(jié)構(gòu)403 ;最后可以通過步驟S205將上述黑矩陣層411表面的第一覆蓋層圖案201以及與紅色濾光結(jié)構(gòu)401表面的第二覆蓋層圖案202、綠色濾光結(jié)構(gòu)402表面的第一覆蓋層圖案201以及藍(lán)色濾光結(jié)構(gòu)403表面的第二覆蓋層圖案202去除。
[0059]進(jìn)一步地，去除第一覆蓋層圖案201未覆蓋的第一薄膜層11，或者，去除第二覆蓋層圖案202未覆蓋的第二薄膜層12的方法包括:
[0060]通過濕法刻蝕工藝或者灰化工藝將第一覆蓋層圖案201未覆蓋的第一薄膜層11或者第二覆蓋層圖案202未覆蓋的第二薄膜層12去除。
[0061]具體的，例如，在制作彩膜基板40的黑矩陣層411時，以構(gòu)成黑矩陣層411的膜層為第一薄膜層11，可以采用濕法刻蝕工藝將第一薄膜層11上覆蓋有第一覆蓋層圖案201的基板置于氫氧化鈉(KOH)刻蝕液中，由于上述刻蝕液對由金屬材料構(gòu)成的第一覆蓋層圖案201沒有腐蝕作用，因此可以通過氫氧化鈉刻蝕液將第一覆蓋層圖案201未覆蓋的第一薄膜層11去除。需要說明的是，當(dāng)采用上述濕法刻蝕工藝時，其刻蝕液不能對由金屬材料構(gòu)成的第一覆蓋層圖案201或第二覆蓋層圖案202產(chǎn)生腐蝕作用。
[0062]或者，
[0063]還可以通過灰化工藝，具體的通過離子轟擊的方式將第一覆蓋層圖案201未覆蓋的第一薄膜層11去除。
[0064]這樣一來，可以增加上述去除方法的可實(shí)現(xiàn)性，并且對于本領(lǐng)域技術(shù)員人員而言，可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)需要以及對生產(chǎn)成本和制作工藝難易程度的權(quán)衡，對上述去除方法進(jìn)行選擇。
[0065]進(jìn)一步地,光束包括:固體激光器、氣體激光器、液態(tài)激光器或者半導(dǎo)體激光器發(fā)出的激光。具體的，固體激光器可以是Nd:YAG (Neodymium-doped Yttrium AluminiumGarnet，釔鋁石榴石晶體)激光器(1064納米)。氣體激光器如準(zhǔn)分子激光器，具體的工作物質(zhì)可以是ArF (193納米)、KrF (248納米)、XeCl (308納米)或XeCl (351納米)；氮?dú)饧す馄?337納米);氬氣激光器(488納米、514納米);氦氖激光器(632.8納米)或二氧化碳激光器(10600納米)。液體激光器可以是染料激光器(400?700納米)。半導(dǎo)體激光器發(fā)出的激光的波長可以是390?1550納米。所使用的激光的波長，與欲熔損的第一覆蓋層20或第二覆蓋層21的材料與厚度有關(guān)，可以是一特定波長，或一波長范圍，例如是248納米，或是150納米至400納米。所使用的激光的能量與欲熔損的第一覆蓋層20或第二覆蓋層21的材料與厚度有關(guān)，第一覆蓋層20或第二覆蓋層21的厚度越厚，進(jìn)行熔損的激光所需要的能量越大。需要說明的是，熔損后的金屬會被激光濺射到空氣中形成固體粉塵類物質(zhì)，進(jìn)一步地，可以吸塵裝置將上述固體粉塵類物質(zhì)吸收，從而第一覆蓋層20或第二覆蓋層21在熔損后，能夠保證其曾覆蓋的第一薄膜層11或第二薄膜層12表面具有一定的光潔度。在形成上述結(jié)構(gòu)的基板表面形成的其他薄膜層時，能夠使得其他薄膜層的表面平坦化。
[0066]這樣一來,可以將上述激光光束制作成有圖案的光束,從而對部分第一覆蓋層20以及第二覆蓋層21進(jìn)行熔損，以形成第一覆蓋層圖案201以及第二覆蓋層圖案202。由于激光熔損薄膜的方法可以簡化圖案化制作工藝，不需要經(jīng)過復(fù)雜的曝光顯影等制作工序，并且激光的精度可以達(dá)到納米(nm)量級，可以提聞薄I旲圖案的精度，從而提聞顯不基板的分辨率。此外，激光光束在對第一覆蓋層20或第二覆蓋層21進(jìn)行熔損的過程中產(chǎn)生的熱效應(yīng)對位于第一覆蓋層20或第二覆蓋層21與基板10之間的第一薄膜層11或第二薄膜層12進(jìn)行烘烤，這樣一來可以使得該第一薄膜層11或第二薄膜層12更加均勻和穩(wěn)固，從而提聞廣品的質(zhì)量。
[0067]進(jìn)一步地，當(dāng)基板10為普通玻璃基板時，優(yōu)選的，第一覆蓋層20或第二覆蓋層21的材料包括熔點(diǎn)為50°C?300°C的金屬材料。具體的可以采用一些低熔點(diǎn)金屬。例如:錫(Sn)，熔點(diǎn)為232.06°C ;銦(In)，熔點(diǎn)為232.06°C中的至少一種。這樣一來，由于普通玻璃基板的熔點(diǎn)一般為500°C，因此當(dāng)光束在熔損熔點(diǎn)范圍在50°C?300°C的金屬材料構(gòu)成的第一覆蓋層20或第二覆蓋層21時，一方面，不會導(dǎo)致普通玻璃基板出現(xiàn)變形等不良現(xiàn)象；另一方面，在熔損過程中可以不需要很高的溫度就能夠完成第一覆蓋層圖案201或第二覆蓋層圖案202的制作，從而能夠節(jié)約能耗，且熔損過程中的熱效應(yīng)不會破壞位于第一覆蓋層20或第二覆蓋層21與基板10之間的第一薄膜層11或第二薄膜層12 ;又一方面，由于熔點(diǎn)小于50°C的金屬材料，其化學(xué)性質(zhì)較活潑，從而對其進(jìn)行激光熔損時，會增加控制熔損工藝的難度，因此低熔點(diǎn)金屬的熔點(diǎn)優(yōu)選大于50°C的金屬材料。此外，當(dāng)基板10采用石英玻璃時，由于石英玻璃的熔點(diǎn)為1200°C，因此構(gòu)成第一覆蓋層20或第二覆蓋層21的金屬材料可以相應(yīng)的選取一些熔點(diǎn)較高的金屬，然而在熔損熔點(diǎn)較高的金屬時，激光的能耗較大，因此第一覆蓋層20或第二覆蓋層21的材料優(yōu)選低熔點(diǎn)金屬。
[0068]顯示基板以下，采用上述薄膜圖案的制作方法對彩膜基板的制作過程進(jìn)行舉例說明，具體如圖8所示。
[0069]S301、在如圖2所示的基板10的表面通過涂覆、印刷等方式形成一層樹脂材料作為第一薄膜層11，例如光刻膠(Photo Resin，簡稱PR)用于形成黑矩陣層411。
[0070]S302、在完成上述步驟的基板表面沉積一層低熔點(diǎn)金屬，形成第一覆蓋層20,并米用激光按照預(yù)設(shè)的圖案熔損掉部分低熔點(diǎn)金屬形成第一覆蓋層圖案201，然后利用灰化工藝，灰化掉不需要的第一薄膜層11，形成第一薄膜層圖案101即黑矩陣層411的圖案。
[0071]S303、如圖4所示，在形成上述結(jié)構(gòu)的基板表面，形成一層PR(即紅色光刻膠層)作為第二薄膜層12，用于形成紅色濾光結(jié)構(gòu)401的材料層。
[0072]S304、在完成上述步驟的基板表面，沉積低熔點(diǎn)金屬，形成第二覆蓋層21，并采用激光按照預(yù)設(shè)的圖案熔損掉部分低熔點(diǎn)金屬形成第二覆蓋層圖案202，然后利用灰化工藝，灰化掉不需要的第二薄膜層12，形成紅色濾光結(jié)構(gòu)401的圖案。
[0073]S305、重復(fù)步驟S303、S304，如圖6或圖7所示，可以形成綠色濾光結(jié)構(gòu)402以及藍(lán)色濾光結(jié)構(gòu)403的圖案。
[0074]S306、在形成上述結(jié)構(gòu)的基板表面采用濕法刻蝕的方法，將第一覆蓋層圖案201或第二覆蓋層圖案202刻蝕掉，形成彩膜基板40的圖案。[0075]S307、在形成上述圖案的基板表面，如圖9所示，涂覆一層透明樹脂材料，形成透明保護(hù)層13 (Overcoat，簡稱0C)，使得彩膜基板40的圖案平坦化。
[0076]綜上所述，在上述制作彩膜基板40的過程中，采用激光器發(fā)射的高精度光束代替掩膜板來制作彩膜基板40的各個膜層圖案，相對于精度在微米(μ m)量級的掩膜板而言，上述光束的精度在納米(nm)量級。因此可以采用激光光束熔損低熔點(diǎn)金屬層的方法來制作顯示基板可以提高該顯示基板的精度和分辨率，從而能夠提升產(chǎn)品質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。
[0077]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板，包括多個薄膜圖案，上述多個薄膜圖案中的至少一個薄膜圖案采用如上所述的任意一種薄膜圖案的制造方法制成。具有與本發(fā)明前述實(shí)施例提供的薄膜圖案的制造方法相同的有益效果，由于薄膜圖案的制造方法在前述實(shí)施例中已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)說明，此處不再贅述。
[0078]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示基板，該顯示基板包括，在基板上形成的圖案化的第一薄膜層，并在該第一薄膜層的表面形成有第一覆蓋層，通過光束熔損形成的第一覆蓋層圖案。這樣一來，在顯示基板的生產(chǎn)和加工過程中，可以利用高精度光束代替掩膜板的使用，從而能夠提高顯示基板的精度和分辨率，提升產(chǎn)品質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本。
[0079]進(jìn)一步地，顯示基板如圖5所示，可以為彩膜基板40，第一薄膜層11包括色阻層410或者黑矩陣層411 ;或者顯示基板為陣列基板30，第一薄膜層11包括柵極層301、柵極絕緣層310、有源層311、源漏極層312、鈍化層313和像素電極層314中的任意一層或多層。這樣一來，可以采用高能量光束熔損薄膜的方法制作陣列基板30或者彩膜基板40等顯示基板上的每一層薄膜圖案，或者在已經(jīng)制作好一部分薄膜圖案的基礎(chǔ)上采用高能量光束熔損薄膜的方法制作其他薄膜圖案。從而使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)加工需要，靈活選擇薄膜圖案的制作方法。
[0080]本發(fā)明實(shí)施例中的顯示基板是用于顯示功能的基板，例如，液晶顯示面板中的陣列基板、彩膜基板；有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中的陣列基板；電子紙顯示器中的陣列基板
坐寸ο
[0081]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜圖案的制造方法，其特征在于，包括: 在基板上形成待圖案化的第一薄膜層； 在所述第一薄膜層的表面形成第一覆蓋層； 通過光束熔損形成第一覆蓋層圖案； 去除所述第一覆蓋層圖案未覆蓋的所述第一薄膜層，形成第一薄膜層圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜圖案的制造方法，其特征在于，在所述去除所述第一覆蓋層圖案未覆蓋的所述第一薄膜層，形成第一薄膜層圖案之后，所述方法還包括: 去除所述第一覆蓋層圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜圖案的制造方法，其特征在于，在所述去除所述第一覆蓋層未覆蓋的所述第一薄膜層，形成第一薄膜層圖案之后，所述方法還包括: 形成待圖案化的第二薄膜層； 在所述第二薄膜層的表面形成第二覆蓋層； 通過光束熔損形成第二覆蓋層圖案； 去除所述第二覆蓋層圖案未覆蓋的所述第二薄膜層，形成第二薄膜層圖案； 去除所述第一覆蓋層圖案和所述第二覆蓋層圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的薄膜圖案的制造方法，其特征在于，所述光束包括:固體激光器、氣體激光器、液態(tài)激光器或者半導(dǎo)體激光器發(fā)出的激光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的薄膜圖案的制造方法，其特征在于，所述第一覆蓋層或所述第二覆蓋層的材料包括熔點(diǎn)為50°C?300°C的金屬材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的薄膜圖案的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜層或所述第二薄膜層的材料包括:導(dǎo)電材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料中的任一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的薄膜圖案的制造方法，其特征在于，所述第一覆蓋層或所述第二覆蓋層的厚度為2000埃-5000埃，所述第一薄膜層或所述第二薄膜層的厚度為200 埃-30000 埃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的薄膜圖案的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一覆蓋層圖案未覆蓋的所述第一薄膜層，或者，所述去除所述第二覆蓋層圖案未覆蓋的所述第二薄膜層的方法包括: 通過濕法刻蝕工藝或者灰化工藝將所述第一覆蓋層圖案未覆蓋的所述第一薄膜層或者所述第二覆蓋層圖案未覆蓋的所述第二薄膜層去除。
9.一種顯示基板，包括多個薄膜圖案，其特征在于，所述多個薄膜圖案中的至少一個薄膜圖案采用如權(quán)利要求1-8任一所述的薄膜圖案的制造方法制作。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板為彩膜基板，所述第一薄膜層包括色阻層或者黑矩陣層；或者所述顯示基板為陣列基板，所述第一薄膜層包括柵極層、柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和像素電極層中的任意一層或多層。
【文檔編號】G03F7/00GK103760749SQ201410015561
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月14日
【發(fā)明者】徐利燕, 田明, 王俊偉 申請人:北京京東方顯示技術(shù)有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司