一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及陣列基板及其制作方法、顯示裝置。該陣列基板包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括源極和漏極，還包括：位于薄膜晶體管上方的彩色濾光層和平坦層，所述像素電極通過平坦層上的第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該陣列基板包括彩色濾光層，設(shè)置像素電極通過平坦層上的第一過孔與漏極電連接起來，可有效減小為了遮擋漏光而所需的源漏極的長度（或面積），進(jìn)而可有效增大開口率，提高面板的透過率，減小功耗。
【專利說明】一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)由于具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)而備受關(guān)注，在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位，被廣泛的應(yīng)用到各行各業(yè)中。該液晶顯示器通常由彩膜基板和陣列基板對盒而成，但在實(shí)際生產(chǎn)中，經(jīng)常會出現(xiàn)由于對盒不準(zhǔn)確導(dǎo)致漏光進(jìn)而影響顯示品質(zhì)的問題。為了避免該問題，現(xiàn)有技術(shù)中公開了一種將彩膜基板位于陣列基板結(jié)構(gòu)(C0A, CF on Array),該結(jié)構(gòu)不需要對盒工藝，可有效消除由于對盒工藝導(dǎo)致的漏光問題，并且可有效減少黑矩陣寬度，可提聞光率。
[0003]如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)COA結(jié)構(gòu)示意圖。該結(jié)構(gòu)包括基板、在基板上依次形成的柵極2’、柵絕緣層3’、半導(dǎo)體層4’、源極5’和漏極6’，在源極5’和漏極6’上設(shè)有黑矩陣7’和彩色濾光層8’及位于兩者上的保護(hù)層9’，該保護(hù)層9’上設(shè)有像素電極10’，該像素電極10’通過貫穿保護(hù)層9’和彩色濾光層8，的過孔與漏極6’連接，該像素電極上設(shè)有鈍化層11’和公共電極12’。
[0004]從圖1中可以看出，為了設(shè)置像素電極10’和漏極6’實(shí)現(xiàn)過孔電連接，必須將過孔貫穿保護(hù)層9’和彩色濾光層8’，這樣導(dǎo)致彩色濾光層8，的坡度距離較大，保護(hù)層9’的坡腳距離較大以及鈍化層11’的坡腳距離較大。由于過孔位置處，液晶排列會出現(xiàn)不規(guī)則現(xiàn)象并導(dǎo)致漏光現(xiàn)象問題，因此，需要加長源極5’和漏極6’的長度來進(jìn)行遮光，(由于源極5’、漏極6’為金屬層，其自身不透光，可防止過孔附近液晶取向不均引發(fā)的漏光問題)但源極5’和漏極6’長度的增加將導(dǎo)致開口率降低，增加產(chǎn)品功耗。
[0005]同時，由于各層的坡度距離過大，將可能引起斷線現(xiàn)象，導(dǎo)致像素電極無法充電，進(jìn)而影響顯不品質(zhì)。
[0006](一)要解決的技術(shù)問題
[0007]本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，以克服現(xiàn)有技術(shù)中采用加長源漏極的長度造成開口率低下的缺陷。
[0008](二)技術(shù)方案
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一方面提供一種陣列基板，包括:薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括源極和漏極，還包括:位于薄膜晶體管上方的彩色濾光層和平坦層，所述像素電極通過平坦層上的第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0010]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管源極和漏極上還設(shè)有黑矩陣，所述黑矩陣與所述彩色濾光層間隔設(shè)置。
[0011]優(yōu)選地，所述第一過孔位于黑矩陣和彩色濾光層之間。
[0012]優(yōu)選地，所述黑矩陣上設(shè)有連接電極。
[0013]優(yōu)選地，所述連接電極由金屬材料制成。[0014]優(yōu)選地，還包括公共電極和鈍化層，鈍化層位于公共電極和像素電極之間；
[0015]所述鈍化層上設(shè)有第二過孔，所述公共電極通過第二過孔與連接電極電連接。
[0016]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。
[0017]另一方面，本發(fā)明還包括一種顯示裝置，包括上述的陣列基板和透明基板，所述陣列基板和透明基板之間設(shè)有隔墊物。
[0018]再一方面，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟:
[0019]在基板上形成包括薄膜晶體管源極和漏極的圖案；
[0020]在薄膜晶體管上形成彩色濾光層的圖形；
[0021]在彩色濾光層的圖形上形成平坦層的圖形，所述平坦層上形成第一過孔；
[0022]形成像素電極的圖形，所述像素電極通過第一過孔與薄膜晶體管漏極連接。
[0023]優(yōu)選地，在形成平坦層的圖形之前，還包括在所述薄膜晶體管源極和漏極上形成有黑矩陣的圖形，所述黑矩陣的圖形與彩色濾光層的圖形間隔設(shè)置。
[0024]優(yōu)選地，在黑矩陣上形成連接連接的圖形。
[0025]優(yōu)選地，還包括形成鈍化層，并形成第二過孔；
[0026]在鈍化層上形成公共電極的圖形；
[0027]所述鈍化層位于公共電極和像素電極之間；所述公共電極通過第二過孔與連接電極電連接。
[0028](三)有益效果
[0029]本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，該陣列基板包括彩色濾光層，設(shè)置像素電極通過平坦層上的第一過孔與漏極電連接起來，可有效減小為了遮擋漏光而所需的源漏極的長度(或面積)，進(jìn)而可有效增大開口率，提高面板的透過率，減小功耗。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1為現(xiàn)有技術(shù)COA結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖3為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明提供方案做詳細(xì)的描述。本發(fā)明所提到的方向用語，如表示方向的“上”、“下”，僅是參考附圖的方向以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括源極和漏極，還包括:位于薄膜晶體管上方的彩色濾光層和平坦層，所述像素電極通過平坦層上的第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
[0035]本發(fā)明提供的陣列基板，像素電極通過第一過孔和漏極電連接起來，最大程度地減小了為了遮擋漏光而所需的源漏極的長度(或面積)，進(jìn)而可有效增大開口率，提高面板的透過率，減小功耗。
[0036]如圖2所示，該陣列基板結(jié)構(gòu)例如可以包括基板、在基板上依次形成的柵極2、柵絕緣層3、半導(dǎo)體層4、源極5、漏極6，源極5和漏極6上設(shè)有黑矩陣7和彩色濾光層8，該黑矩陣7和彩色濾光層8間隔設(shè)置。該黑矩陣7和彩色濾光層8上設(shè)有平坦層9和像素電極10，該平坦層9上設(shè)有第一過孔，該第一過孔位于黑矩陣7和彩色濾光層8之間，該像素電極10通過第一過孔與漏極6連接。
[0037]具體的，該彩色濾光層8包括紅色濾光層、綠色濾光層和藍(lán)色濾光層，為了豐富色彩和亮度，該彩色濾光層8例如還可以包括黃色濾光層和白色濾光層。
[0038]本實(shí)施例中像素電極10通過第一過孔和漏極6電連接起來，最大程度地減小了為了遮擋漏光而所需的源漏極的長度(或面積)，進(jìn)而可有效增大開口率，提高面板的透過率，減小功耗。
[0039]另外，該黑矩陣I上還設(shè)有連接電極11、鈍化層12和公共電極13，該鈍化層12上設(shè)有第二過孔，該第二過孔的位置與連接電極的位置相對應(yīng)。公共電極13通過第二過孔與連接電極11相連，實(shí)現(xiàn)電連接，可有效降低公共電壓不均，解決串?dāng)_等電學(xué)現(xiàn)象。
[0040]其中，第二過孔不僅穿過鈍化層12，還穿過平坦層9，從而使公共電極13與連接電極11連接。
[0041]本實(shí)施例通過在黑矩陣7上增設(shè)連接電極11，設(shè)置連接電極11與公共電極13電連接，從而可降低公共電壓不均，解決串?dāng)_等電學(xué)現(xiàn)象。
[0042]需要說明的是，本實(shí)施例中的陣列基板為中的薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。當(dāng)然，該薄膜晶體管還可以是頂柵型薄膜晶體管或其他類型的薄膜晶體管。當(dāng)頂柵型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)時，柵極可以位于彩色濾光層的上部。
[0043]本發(fā)明提供的陣列基板，通過連接電極將像素電極和漏極電連接起來，減小了為了遮擋漏光而所需的源漏極的長度(或面積)，進(jìn)而可有效增大開口率，提高面板的透過率，減小功耗。
[0044]為了更好地說明本發(fā)明技術(shù)方案，本實(shí)施例中以底柵型薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行介紹。如圖3所示，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，其包括如下步驟:
[0045]S1、在基板上形成包括薄膜晶體管源極和漏極的圖案。
[0046]在基板上形成柵極金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖案。
[0047]在形成有柵極的基板上依次形成柵極絕緣層薄膜和半導(dǎo)體層薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成柵極絕緣層和半導(dǎo)體層圖案。
[0048]在形成有半導(dǎo)體層的基板上形成源漏金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成源極和漏極圖案。
[0049]當(dāng)然，步驟SI還可以采用其他方式實(shí)現(xiàn)，不局限于上述方式。例如:柵極絕緣層、半導(dǎo)體圖案和源漏電極圖案可以在同一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0050]其中，構(gòu)圖工藝可以包括成膜、曝光、顯影和刻蝕等部分或全部步驟。成膜的方法可包括涂布、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition, PECVD)、磁控濺射等常規(guī)工藝方法。
[0051]柵極金屬薄膜材料、源漏金屬薄膜材料通?？梢圆捎描€、鋁、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體層選用非晶硅、低溫多晶硅或氧化物半導(dǎo)體等材料；柵絕緣層薄膜采用的材料通常是氮化硅，也可以是氧化硅和氮氧化硅等。
[0052]步驟S2、在薄膜晶體管源極和漏極上形成有黑矩陣的圖形和彩色濾光層的圖形，所述黑矩陣的圖形與彩色濾光層間隔設(shè)置。[0053]具體的，沉積黑色樹脂材料，形成黑矩陣的圖形，該黑矩陣的圖形為間隔設(shè)置。彩色濾光層可以包括紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)等
[0054]步驟S3、在黑矩陣上形成連接電極。
[0055]具體的，在完成步驟S2的基礎(chǔ)上沉積金屬層，通過構(gòu)圖工藝形成連接電極的圖形。
[0056]步驟S4、在完成上述步驟的基板上形成平坦層，并在平坦層上形成第一過孔。
[0057]具體的，在完成步驟S3的基板上沉積絕緣層，形成平坦層，并在平坦層上形成第一過孑L。
[0058]步驟S5、在完成上述步驟的基板上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過第一過孔與漏極連接。
[0059]具體的，在完成步驟S3的基板上沉積透明導(dǎo)電材料，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖形，通過第一過孔與漏極連接。
[0060]步驟S6、在完成上述步驟的基板上形成鈍化層，并在鈍化層上形成第二過孔。
[0061 ] 步驟S7、形成公共電極的圖形，所述公共電極通過第二過孔與連接電極連接。
[0062]具體的，在完成步驟S6基板的基礎(chǔ)上，沉積透明導(dǎo)電材料，例如ΙΤΟ、ΙΖ0，形成公共電極，該公共電極通過鈍化層上的第二過孔與連接電極電連接。
[0063]而本發(fā)明中并不只限于底柵型薄膜晶體管，其他類型的薄膜晶體管均可適用于本方案。本說明書雖然把底柵型薄膜晶體管作為實(shí)施例進(jìn)行了說明，但不限于此，底柵型薄膜晶體管應(yīng)該被解釋為底柵薄膜晶體管的統(tǒng)稱，所謂底柵薄膜晶體管:薄膜晶體管的柵極位于薄膜晶體管半導(dǎo)體層下方的這一類薄膜晶體管。依據(jù)同一理由，頂柵型薄膜晶體管應(yīng)該被解釋為頂柵薄膜晶體管的統(tǒng)稱，所謂頂柵薄膜晶體管:薄膜晶體管的柵極位于薄膜晶體管半導(dǎo)體層上方的這一類薄膜晶體管。
[0064]本實(shí)施例中米用的是ADS (ADvanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)，簡稱ADS)結(jié)構(gòu)，即位于不同層的公共電極與像素電極均在陣列基板上。
[0065]所謂高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimension Switch),簡稱ADS,其核心技術(shù)特性描述為:通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開□率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。針對不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0066]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該可以理解，上述實(shí)施例的公共電極可以為板狀或者狹縫狀，像素電極也是如此，像素電極和公共電極的上下順序可顛倒，而且上下電極均可以為狹縫狀；而且公共電極的設(shè)置也可以多種變化，只要保證公共電極與像素電極之間形成多維電場即可，例如:公共電極與柵極位于同層。
[0067]當(dāng)然,在傳統(tǒng)的TN (Twisted Nemati,扭曲向列)模式和IPS的結(jié)構(gòu)中，也可適用本發(fā)明中的方案。
[0068]另外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述實(shí)施例中的陣列基板和透明基板，所述陣列基板和透明基板之間設(shè)有隔墊物。所述顯示裝置，具體可以是液晶顯示器、OLED顯示器、電子紙以及其他使用陣列基板驅(qū)動的顯示裝置。
[0069]上述描述是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無遺漏的或者將本發(fā)明限于所公開的形式。很多修改和變化對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言是顯然的。選擇和描述實(shí)施例是為了更好說明本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，并且使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明從而設(shè)計(jì)適于特定用途的帶有各種修改的各種實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括源極和漏極，其特征在于，還包括:位于薄膜晶體管上方的彩色濾光層和平坦層，所述像素電極通過平坦層上的第一過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管源極和漏極上還設(shè)有黑矩陣，所述黑矩陣與所述彩色濾光層間隔設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔位于黑矩陣和彩色濾光層之間。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述黑矩陣上設(shè)有連接電極。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述連接電極由金屬材料制成。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括公共電極和鈍化層，鈍化層位于公共電極和像素電極之間； 所述鈍化層上設(shè)有第二過孔，所述公共電極通過第二過孔與連接電極電連接。
7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板和透明基板，所述陣列基板和透明基板之間設(shè)有隔墊物。
9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 在基板上形成包括薄膜晶體管源極和漏極的圖案； 在薄膜晶體管上形成彩色濾光層的圖形； 在彩色濾光層的圖形上形成平坦層的圖形，所述平坦層上形成第一過孔； 形成像素電極的圖形，所述像素電極通過第一過孔與薄膜晶體管漏極連接。
10.如權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，在形成平坦層的圖形之前，還包括在所述薄膜晶體管源極和漏極上形成有黑矩陣的圖形，所述黑矩陣的圖形與彩色濾光層的圖形間隔設(shè)置。
11.如權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，還包括: 在黑矩陣上形成連接電極的圖形。
12.如權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，還包括形成鈍化層，并形成第二過孔； 在鈍化層上形成公共電極的圖形； 所述鈍化層位于公共電極和像素電極之間；所述公共電極通過第二過孔與連接電極電連接。
【文檔編號】G02F1/1368GK103676390SQ201310752921
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】王強(qiáng)濤, 崔賢植, 張鋒 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司