一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法，涉及液晶顯示【技術領域】，為減小像素充電的負擔，有利于節(jié)省電能而發(fā)明。所述陣列基板，包括：位于像素區(qū)域內的像素電極，和對應于像素區(qū)域的公共電極；在公共電極和像素電極之間具有第一鈍化層；其中所述像素電極為多個呈條形且間隔地交替分布的第一像素電極和第二像素電極；所述公共電極為多個相互間隔地分布的條形公共電極；其中，多個條形的第一像素電極的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極的一端相連形成梳狀；梳狀的第一像素電極與梳狀的第二像素電極相間隔。所述顯示裝置中采用前述的陣列基板。本發(fā)明適用于顯示裝置的制作。
【專利說明】一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板、顯示裝置以及陣列基板的制造方法。
【背景技術】
[0002]目前，隨著液晶顯示技術的發(fā)展，液晶顯示裝置對高透過率、寬視角等特性的要求越來越高。
[0003]高級超維場轉換技術(ADvanced Super Dimension S陣列基板itch, AD-SDS,簡稱ADS)，其核心技術特性描述為:通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-1XD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有ADS模式的液晶顯示裝置中包括公共電極I和與公共電極I相對應的像素電極2，公共電極I和像素電極2之間具有絕緣層3。其中的公共電極I為板狀電極，像素電極2為多個呈條形且間隔地交替分布的正電極和負電極。工作時，相鄰的像素電極之間存在電壓差，像素電極2與公共電極I之間也存在電壓差。
[0005]現(xiàn)有ADS模式的液晶顯示裝置中，由于公共電極I與像素電極2相對應，且公共電極I為板狀電極，這樣公共電極I與像素電極2之間的作為存儲電容Cst值較大。在Cst值較大的情況下，會對像素的充電帶來負擔。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法，能夠減小像素充電的負擔，有利于節(jié)省電能。
[0007]為解決上述技術問題，本發(fā)明的實施例一種陣列基板采用如下技術方案:
[0008]一種陣列基板，包括:位于像素區(qū)域內的像素電極，和對應于像素區(qū)域的公共電極；在公共電極和像素電極之間具有第一鈍化層；所述像素電極為多個呈條形且間隔地交替分布的第一像素電極和第二像素電極；所述公共電極為多個相互間隔地分布的條形公共電極；其中，多個條形的第一像素電極的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極的一端相連形成梳狀；梳狀的第一像素電極與梳狀的第二像素電極相間隔。
[0009]其中，所述條形公共電極的布置方向與條形的第一像素電極和第二像素電極的布置方向相同；并且
[0010]每個條形公共電極與相鄰的條形的第一像素電極和條形的第二像素電極之間的間隙相對應，每個條形的第一像素電極或條形的第二像素電極與相鄰的兩個條形公共電極之間的間隙相對應。
[0011]優(yōu)選的，所述陣列基板還包括數(shù)據(jù)線；[0012]所述公共電極位于數(shù)據(jù)線上方，并且多個條形公共電極中的一條對應設置于數(shù)據(jù)線的上方；
[0013]在所述條形公共電極和所述數(shù)據(jù)線之間具有第二鈍化層。
[0014]優(yōu)選的，所述第二鈍化層為樹脂材料。
[0015]優(yōu)選的，對應設置于數(shù)據(jù)線上方的條形公共電極的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
[0016]優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)線上方的條形公共電極的寬度大于其它條形公共電極的寬度。
[0017]優(yōu)選的，所述像素電極設置于所述公共電極的上方或者下方。
[0018]本發(fā)明的實施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括:
[0019]在形成有薄膜晶體管的基板上形成第一鈍化層；
[0020]在形成有所述第一鈍化層的基板上形成公共電極層；
[0021]將所述公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極。
[0022]優(yōu)選的，上述方法中，在形成有所述第一鈍化層的基板上形成公共電極層后還包括:
[0023]在形成有所述條形公共電極的基板上形成第二鈍化層；
[0024]在形成有第二鈍化層的基板上形成呈條形且間隔地交替排列的第一像素電極和第二像素電極的圖形；其中
[0025]多個條形的第一像素電極的圖形的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極的圖形的一端相連形成梳狀；梳狀的第一像素電極的圖形與梳狀的第二像素電極的圖形相間隔。
[0026]優(yōu)選的，所述在形成有所述第一鈍化層的基板上形成公共電極層前還包括:
[0027]在形成有所述第一鈍化層的基板上形成呈條形且間隔地交替排列的第一像素電極和第二像素電極的圖形；其中，多個條形的第一像素電極的圖形的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極的圖形的一端相連形成梳狀，梳狀的第一像素電極的圖形與梳狀的第二像素電極的圖形相間隔；
[0028]在形成有所述呈條形且間隔地交替排列的第一像素電極和第二像素電極的圖形的基板上，形成第三鈍化層；
[0029]在形成有所述第三鈍化層的基板上形成所述公共電極層。
[0030]優(yōu)選的，所述條形公共電極的布置方向與條形的第一像素電極和第二像素電極的布置方向相同；并且
[0031]每個條形公共電極與相鄰的條形的第一像素電極和條形的第二像素電極之間的間隙相對應，每個條形的第一像素電極或條形的第二像素電極與相鄰的兩個條形公共電極之間的間隙相對應。
[0032]優(yōu)選的，所述將所述公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極包括:
[0033]將所述公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極，其中一條公共電極對應設置于陣列基板的數(shù)據(jù)線的上方；
[0034]在所述條形公共電極和所述數(shù)據(jù)線之間具有第二鈍化層。
[0035]本發(fā)明的實施例一種顯示裝置，包括前述任一項所述的陣列基板。
[0036]本發(fā)明的上述技術方案的有益效果如下:[0037]上述方案中，相對于與像素區(qū)域相對應的公共電極為板狀電極的現(xiàn)有技術中而言，本發(fā)明實施例一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法中，由于對應于像素區(qū)域的公共電極為多個相互間隔地分布的條形公共電極，這樣能夠減小所述公共電極與像素電極之間的存儲電容Cst，從而能夠減小像素充電的負擔，有利于節(jié)省電能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1為現(xiàn)有技術中公共電極與像素電極的布置結構示意圖；
[0039]圖2為本發(fā)明陣列基板一實施例中公共電極與像素電極的布置結構示意圖；
[0040]圖3為本發(fā)明陣列基板另一實施例中公共電極與像素電極的布置結構示意圖。
【具體實施方式】
[0041]為使本發(fā)明要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0042]如圖2及圖3所示，本發(fā)明實施例一種陣列基板，包括:位于像素區(qū)域內的像素電極2，和對應于像素區(qū)域的公共電極I ;在公共電極I和像素電極2之間具有第一鈍化層3 ；其中所述像素電極2為多個呈條形且間隔地交替分布的第一像素電極2a和第二像素電極2b ;所述公共電極I為多個相互間隔地分布的條形公共電極；其中，多個條形的第一像素電極2a的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極2b的一端相連形成梳狀；梳狀的第一像素電極與梳狀的第二像素電極相間隔。
[0043]相對于基板而言，公共電極可以制作在像素電極的下方，也可以制作在像素電極的上方。圖2示例性地給出了公共電極制作在像素電極下方的情況。
[0044]本發(fā)明實施例陣列基板中，由于對應于像素區(qū)域的公共電極為多個相互間隔地分布的條形公共電極，這樣能夠減小所述公共電極與像素電極之間的存儲電容Cst，從而能夠減小像素充電的負擔，有利于節(jié)省電能。
[0045]在前述陣列基板的實施例中，為了盡可能地減小所述公共電極與像素電極之間的存儲電容Cst，優(yōu)選地，所述條形公共電極的布置方向與條形的第一像素電極和第二像素電極的布置方向相同；并且每個條形公共電極與相鄰的條形的第一像素電極和條形的第二像素電極之間的間隙(即條形的第一像素電極與條形的第二像素電極之間的狹縫區(qū)域對應的位置)相對應，每個條形的第一像素電極或條形的第二像素電極與相鄰的兩個條形公共電極之間的間隙相對應。這樣在像素電極的下部或上部區(qū)域不形成重疊的公共電極。在這情況下，像素電極和公共電極之間不發(fā)生直接的重疊(cap)，而只發(fā)生條紋狀的交錯重疊(fringe cap),因此條紋狀的交錯重疊相比直接的重疊來講，使得公共電極與像素電極之間的存儲電容Cst值變得很小。
[0046]如圖3所示，在前述陣列基板的實施例中，所述陣列基板還包括數(shù)據(jù)線5 ;為了既能防止數(shù)據(jù)線部的電場的漏光，又能夠增大開口率，優(yōu)選地，所述公共電極位于數(shù)據(jù)線5上方，并且多個條形公共電極中的一條，即條形公共電極6對應設置于數(shù)據(jù)線的上方，在所述條形公共電極6和所述數(shù)據(jù)線5之間具有第二鈍化層4。優(yōu)選地，所述第二鈍化層4為樹脂材料。在數(shù)據(jù)線5上部重疊公共電極6的結構，由于數(shù)據(jù)線部的電場被公共電極6遮擋從而減少漏光，由此能夠使用較窄的黑矩陣，使開口率上升從而增加整體面板透過率。另外，由于條形公共電極6的存在，數(shù)據(jù)線對像素電極的影響，被該條形公共電極6屏蔽，從而使數(shù)據(jù)線對像素電極的影響降到最低。而樹脂層的存在有利于降低數(shù)據(jù)線與公共電極之間的耦合電容Cdc，為此所述的樹脂層優(yōu)選適用電容率低的樹脂層，進一步的，還可以根據(jù)實際情況，將樹脂層制作的更厚一些。
[0047]在前述陣列基板的實施例中，優(yōu)選地，所述對應設置于數(shù)據(jù)線5上方的條形公共電極6的寬度大于所述數(shù)據(jù)線5的寬度，能夠使用更窄的黑矩陣，使開口率進一步上升從而進一步增加整體面板透過率。
[0048]在前述陣列基板的實施例中，優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線上方的條形公共電極的寬度大于其它條形公共電極的寬度。
[0049]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括步驟:
[0050]S10、在形成有薄膜晶體管的基板上形成第一鈍化層；
[0051]S20、在形成有所述第一鈍化層的基板上形成公共電極層；
[0052]S30、將所述公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極。
[0053]本發(fā)明陣列基板的制造方法實施例中，由于公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極，這樣能夠減小所述公共電極與像素電極之間的Cst，從而能夠減小像素充電的負擔，有利于節(jié)省電能。
[0054]在前述陣列基板的制造方法一實施例中，所述的陣列基板的制造方法，S30后還包括步驟:
[0055]S40、在形成有所述條形公共電極的基板上形成第二鈍化層；
[0056]S50、在形成有所述第二鈍化層的基板上形成呈條形且間隔地交替排列的第一像素電極和第二像素電極的圖形；其中
[0057]多個條形的第一像素電極的圖形的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極的圖形的一端相連形成梳狀；梳狀的第一像素電極的圖形與梳狀的第二像素電極的圖形相間隔。
[0058]在前述陣列基板的制造方法另一實施例中，所述步驟S20:在形成有所述第一鈍化層的基板上形成公共電極層前包括:
[0059]在形成有所述第一鈍化層的基板上形成呈條形且間隔地交替排列的第一像素電極和第二像素電極的圖形；其中，多個條形的第一像素電極的圖形的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極的圖形的一端相連形成梳狀，梳狀的第一像素電極的圖形與梳狀的第二像素電極的圖形相間隔；
[0060]在形成有所述呈條形且間隔地交替排列的第一像素電極和第二像素電極的圖形的基板上，形成第三鈍化層；
[0061 ] 在形成有所述第三鈍化層的基板上形成公共電極層。
[0062]在前述陣列基板的制造方法實施例中，優(yōu)選地，所述條形公共電極的布置方向與條形的第一像素電極和第二像素電極的布置方向相同；并且，每個條形公共電極與相鄰的條形的第一像素電極和條形的第二像素電極之間的間隙相對應，每個條形的第一像素電極或條形的第二像素電極與相鄰的兩個條形公共電極之間的間隙相對應。
[0063]這樣在像素電極的下部區(qū)域不形成重疊的公共電極。在這情況下，像素電極和公共電極之間不發(fā)生直接的重疊(cap)，而只發(fā)生條紋狀的交錯重疊(fringe cap)，因此條紋狀的交錯重疊相比直接的重疊來講，使得公共電極與像素電極之間的存儲電容Cst值變得很小。
[0064]在前述陣列基板的制造方法實施例中，所述步驟S30:將所述公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極包括；
[0065]將所述公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極，其中一條公共電極對應設置于陣列基板的數(shù)據(jù)線的上方；在所述條形公共電極和所述數(shù)據(jù)線之間具有第二鈍化層。
[0066]其中，所述第二鈍化層為樹脂材料。
[0067]進一步地，所述對應設置于數(shù)據(jù)線上方的條形公共電極的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的覽度。
[0068]進一步地，所述數(shù)據(jù)線上方的條形公共電極的寬度大于其它條形公共電極的寬度。
[0069]在前述陣列基板的制造方法實施例中，將其中一條公共電極對應設置于陣列基板的數(shù)據(jù)線的上方，以及該條公共電極的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度的優(yōu)點，在前述陣列基板實施例的相關描述相同，為簡便起見，在此不再贅述。
[0070]需要說明的是:上述第一鈍化層、第二鈍化層以及第三鈍化層并不用來對鈍化層的順序和個數(shù)做限定，只在是不同的實施例中，用于區(qū)分不同的鈍化層。下面對本發(fā)明陣列基板的制造方法一實施例做更為詳細的說明具體可以包括如下步驟:
[0071]步驟SI，在基板上形成柵電極和柵線；
[0072]首先，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在基板上面形成柵金屬層，柵金屬層可以米用Cr、Mo、Al、Cu、W、Nd及其合金,并且,柵金屬層可以為一層或多層；然后，在柵金屬層上涂覆光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩模板對光刻膠進行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應柵電極和柵線區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域對應所述光刻膠完全保留區(qū)域之外的區(qū)域；再次，利用刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬層；最后，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成柵電極和柵線的圖形。
[0073]步驟S2，在形成有柵電極和柵線的基板上形成柵絕緣層；
[0074]可以采用PECVD等方法，在完成步驟SI的基板上沉積柵絕緣層，柵絕緣層可以選用氧化物(例如SiOx)或者氮化物(例如SiNx)等材料。
[0075]步驟S3，在柵絕緣層上形成半導體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；
[0076]其中，步驟S3可以采用一次構圖工藝完成，也可以采用兩次構圖工藝完成。
[0077]采用一次構圖工藝則可包括如下步驟:
[0078]在柵絕緣層上依次形成半導體薄膜和源漏金屬薄膜；在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用灰色調或半色調掩模板對光刻膠進行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應源電極和漏電極區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域對應TFT溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域對應所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的的源漏金屬薄膜及下方的半導體薄膜，形成半導體層的圖形；利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬薄膜，形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和TFT溝道的圖形。
[0079]采用兩次構圖工藝則可包括如下步驟:
[0080]第一次構圖工藝:在柵絕緣層上形成半導體薄膜；在半導體薄膜上涂覆光刻膠；采用刻畫有圖形的掩模板對光刻膠進行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應半導體層圖形區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域對應所述光刻膠完全保留區(qū)域之外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的半導體薄膜；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成半導體層的圖形。
[0081]第二次構圖工藝:在形成有半導體層圖形的基板上形成源漏金屬薄膜；在金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用刻畫有圖形的掩模板對光刻膠進行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域對應所述光刻膠完全保留區(qū)域之外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形。
[0082]其中，半導體薄膜可以為普通硅半導體(本征半導體+摻雜半導體)，也可以為有機半導體，還可以為氧化物半導體。
[0083]為了提高薄膜晶體管的特性，步驟S3中還可以包括:在源電極、漏電極和半導體層之間設置歐姆接觸層，以改善源電極、漏電極和半導體層的接觸電阻。
[0084]步驟S4，在形成有半導體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上形成樹脂層和公共電極；其中，所述公共電極包括位于顯示區(qū)域多個相互間隔地分布的條形公共電極，和位于所述數(shù)據(jù)線上方的條形公共電極；
[0085]首先，在形成有半導體層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上形成樹脂層；
[0086]其次，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在完成上述步驟的基板上形成透明導電層，透明導電層可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；
[0087]再次，在透明導電層上涂覆光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩模板對光刻膠進行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應公共電極區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域對應所述光刻膠完全保留區(qū)域之外的區(qū)域；
[0088]然后，利用刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的采透明導電層，形成公共電極的圖形；最后，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。
[0089]步驟S5，在形成有樹脂層和公共電極的基板上形成鈍化層；
[0090]可以采用PECVD等方法，在完成步驟S4的基板上沉積鈍化層，鈍化層可以采用SiNx或SiOx等材料。
[0091]步驟S6，在鈍化層上形成像素電極，像素電極通過鈍化層過孔以及樹脂層過孔與漏電極電連接；其中，所述像素電極包括多個呈條形且間隔地交替分布的正像素電極和負像素電極；
[0092]首先，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在形成有鈍化層的基板上形成透明導電層，透明導電層可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；
[0093]然后，在透明導電層上涂覆光刻膠；其次，采用刻畫有圖形的掩模板對光刻膠進行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域對應像素電極區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域對應所述光刻膠完全保留區(qū)域之外的區(qū)域；再次，利用刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的透明導電層，并剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠后，形成像素電極的圖形。
[0094]本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，在該顯示裝置中包括前述任一陣列基板實施例所述的陣列基板。其中，該顯示裝置使用了如上述實施例所述的任意一種陣列基板。所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0095]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括:位于像素區(qū)域內的像素電極，和對應于像素區(qū)域的公共電極；在公共電極和像素電極之間具有第一鈍化層；其特征在于:所述像素電極為多個呈條形且間隔地交替分布的第一像素電極和第二像素電極；所述公共電極為多個相互間隔地分布的條形公共電極；其中，多個條形的第一像素電極的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極的一端相連形成梳狀；梳狀的第一像素電極與梳狀的第二像素電極相間隔。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述條形公共電極的布置方向與條形的第一像素電極和第二像素電極的布置方向相同；并且 每個條形公共電極與相鄰的條形的第一像素電極和條形的第二像素電極之間的間隙相對應，每個條形的第一像素電極或條形的第二像素電極與相鄰的兩個條形公共電極之間的間隙相對應。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括數(shù)據(jù)線； 所述公共電極位于數(shù)據(jù)線上方，并且多個條形公共電極中的一條對應設置于數(shù)據(jù)線的上方； 在所述條形公共電極和所述數(shù)據(jù)線之間具有第二鈍化層。
4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二鈍化層為樹脂材料。
5.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，對應設置于數(shù)據(jù)線上方的條形公共電極的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
6.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線上方的條形公共電極的寬度大于其它條形公共電極的寬度。
7.根據(jù)權利要求1所述的`陣列基板，其特征在于，所述像素電極設置于所述公共電極的上方或者下方。
8.—種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括: 在形成有薄膜晶體管的基板上形成第一鈍化層； 在形成有所述第一鈍化層的基板上形成公共電極層； 將所述公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極。
9.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述第一鈍化層的基板上形成公共電極層后還包括: 在形成有所述條形公共電極的基板上形成第二鈍化層； 在形成有第二鈍化層的基板上形成呈條形且間隔地交替排列的第一像素電極和第二像素電極的圖形；其中 多個條形的第一像素電極的圖形的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極的圖形的一端相連形成梳狀；梳狀的第一像素電極的圖形與梳狀的第二像素電極的圖形相間隔。
10.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述第一鈍化層的基板上形成公共電極層前還包括: 在形成有所述第一鈍化層的基板上形成呈條形且間隔地交替排列的第一像素電極和第二像素電極的圖形；其中，多個條形的第一像素電極的圖形的一端相連形成梳狀，多個條形的第二像素電極的圖形的一端相連形成梳狀，梳狀的第一像素電極的圖形與梳狀的第二像素電極的圖形相間隔；在形成有所述呈條形且間隔地交替排列的第一像素電極和第二像素電極的圖形的基板上,形成第三鈍化層； 在形成有所述第三鈍化層的基板上形成所述公共電極層。
11.根據(jù)權利要求9或10所述的陣列基板的制造方法，其特征在于， 所述條形公共電極的布置方向與條形的第一像素電極和第二像素電極的布置方向相同；并且 每個條形公共電極與相鄰的條形的第一像素電極和條形的第二像素電極之間的間隙相對應，每個條形的第一像素電極或條形的第二像素電極與相鄰的兩個條形公共電極之間的間隙相對應。
12.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述將所述公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極包括: 將所述公共電極層制作成多個相互間隔地分布的條形公共電極，其中一條公共電極對應設置于陣列基板的數(shù)據(jù)線的上方； 在所述條形公共電極和所述數(shù)據(jù)線之間具有第二鈍化層。
13.—種顯示裝置 ，其特征在于，包括前述權利要求1-7任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1333GK103439840SQ201310389337
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月30日 優(yōu)先權日:2013年8月30日
【發(fā)明者】崔賢植, 李會, 徐智強, 嚴允晟 申請人:京東方科技集團股份有限公司