專利名稱：一種tft-lcd陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種TFT-1XD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)陣列基板及顯示裝置。
背景技術：
目前，液晶顯示器已經廣泛應用于電腦、電視、手機等各種電子顯示產品上，人們對液晶顯示器在顯示過程中存在的問題也越來越關注。液晶顯示器在顯示過程中可能存在很多問題，其中出現(xiàn)殘像是問題之一。當液晶顯示器進行圖像轉換或關機時，由于存儲電容的耦合和floating(懸浮)電極等原因會使像素電極上積累很多電荷，這些電荷會使所述像素電極和公共電極之間形成電場，使所述像素電極和公共電極之間的液晶保持翻轉狀態(tài)，顯示屏還有上一時刻殘留的影像即殘像，隨著這些電荷慢慢消失，液晶狀態(tài)逐漸改變，顯示屏上的殘像也會慢慢消失；殘像的出現(xiàn)嚴重影響了液晶顯示器的顯示品質。
實用新型內容本實用新型的實施例提供一種TFT-1XD陣列基板及顯示裝置，可以改善殘像現(xiàn)象，提聞液晶顯不器的顯不品質。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案:本實用新型實施例提供了一種TFT-1XD陣列基板，透明基板，設置在所述透明基板上的公共電極線，交叉設置在所述透明基板上的柵線及數(shù)據線，設置在所述柵線及數(shù)據線限定的像素區(qū)域內的像素電極、公共電極和第一薄膜晶體管；其中所述像素電極和所述公共電極在加電后形成多維電場；所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極，所述第一柵極與所述柵線連接，所述第一源極與所述數(shù)據線連接，所述第一漏極與所述像素電極連接；所述陣列基板還包括:第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極和第二漏極；所述第二柵極與第η行柵線電連接，所述第η行柵線為除最后一行柵線之外的任一行柵線；所述第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極電連接；所述第二源極與所述公共電極線電連接；其中，在所述陣列基板的一幀柵線掃描過程中，所述第η行柵線比所述第η+1行柵線先掃描。優(yōu)選的，所述第η行柵線驅動的第二薄膜晶體管的個數(shù)與所述第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的個數(shù)相同；所述第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極電連接包括:所述第η行柵線驅動的每個所述第二薄膜晶體管的第二漏極一一對應地與第η+1行柵線驅動的每個第一薄膜晶體管對應的像素電極電連接?？蛇x的，所述第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極電連接包括:所述第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的第一漏極連接，或者對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極連接。[0010]可選的，所述陣列基板還包括:與所述公共電極線電連接的公共電極；所述第二源極與所述公共電極線電連接包括:所述第二源極與公共電極連接。本實用新型實施例提供了一種顯示裝置，包括對盒后的彩膜基板、液晶層和陣列基板，所述陣列基板為上述的TFT-LCD陣列基板。本實用新型實施例提供的TFT-1XD陣列基板及顯示裝置，通過第二薄膜晶體管的第二柵極與所述第η行柵線的電連接，使得顯示裝置在掃描第η行柵線時可以驅動所述第二薄膜晶體管工作，導通所述第二薄膜晶體管的源極和漏極；然后再通過所述第二薄膜晶體管的源極和漏極分別與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管對應的像素電極和公共電極線的電連接，從而導通所述第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管對應的像素電極和公共電極，使所述像素電極和公共電極之間的電勢差為0，抑制了像素電極上由于電荷積累引起的液晶偏轉，有效地改善了殘像現(xiàn)象，提高了顯示裝置的顯示品質。
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的一種TFT-1XD陣列基板的俯視圖；圖2為本實用新型實施例提供的一種TFT-LCD陣列基板的剖面結構示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的另一種TFT-LCD陣列基板的剖面結構示意圖；圖4為本實用新型實施例提供的一種TFT-LCD陣列基板的等效電路圖。附圖標記:1-第一薄膜晶體管，2-第二薄膜晶體管，3-像素電極，4-公共電極，51-第一鈍化層，52-第二鈍化層，6-柵絕緣層，7-有源層，8-柵線，9-數(shù)據線；11-第一柵極，12-第一源極，13-第一漏極,21-第二柵極，22-第二源極，23-第二漏極，81-第η行柵線，82-第η+1行柵線。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖1、圖2所示，本實用新型實施例提供了一種TFT-LCD陣列基板，所述陣列基板包括:透明基板，設置在所述透明基板上的公共電極線，交叉設置在所述透明基板上的柵線8及數(shù)據線9，設置在所述柵線8及數(shù)據線9限定的像素區(qū)域內的像素電極3，公共電極4和第一薄膜晶體管I ;其中，所述像素電極3和所述公共電極4在加電后形成多維電場；所述第一薄膜晶體管I包括第一柵極11、第一源極12和第一漏極13，所述第一柵極11與所述柵線8連接，所述第一源極12與所述數(shù)據線9連接，所述第一漏極13與所述像素電極3連接。另外，如圖2所示，所述陣列基板還包括:柵絕緣層6，有源層7。[0022]所述陣列基板還包括:第二薄膜晶體管2，所述第二薄膜晶體管2包括第二柵極21、第二源極22和第二漏極23。其中，所述第二柵極21與第η行柵線電連接，所述第η行柵線為除最后一行柵線之外的任一行柵線。所述第二漏極23對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管對應的像素電極3電連接；所述第二源極22與所述公共電極線(圖中未示出)電連接。通常而言，公共電極線可以和柵線、柵極由同一層金屬薄膜，通過構圖工藝形成；當然，公共電極線也可以和數(shù)據線、源極、漏極由同一層金屬薄膜，通過構圖工藝形成。在這里需要說明的是，薄膜晶體管有三個電極，其中一個施加開啟電壓的電極為柵極，另兩個分別為源極和漏極，由于源極和漏極的作用相同，故源極和漏極不做區(qū)分。為方便描述在本實用新型實施例中，將與像素電極連接的稱為漏極，例如:第一漏極13、第二漏極23 ;將另一電極稱為源極，例如與數(shù)據線連接的第一源極12、與公共電極線電連接的第二源極22。在本實用新型所有實施例中，兩圖案“連接”是指:兩圖案直接接觸，兩圖案“電連接”是指:在通電時，兩圖案連通，這兩個圖案可以直接接觸，也可以通過其他導電體連在一起。顯示裝置上每顯示一幀圖像都需要柵線掃描裝置依次掃描顯示裝置上的每行柵線，即進行一幀柵線掃描過程，例如，柵線掃描裝置的掃描頻率為64Hz，即每秒需要進行64幀的柵線掃描過程，顯示裝置每秒可以顯示64幀圖像。在本實用新型實施例中，第η+1行柵線是第η行柵線的下一行柵線，且在每一幀柵線掃描過程中，所述第η行柵線總比所述第η+1行柵線先掃描。如圖4所示，為所述TFT-LCD陣列基板的等效電路圖，所述第二薄膜晶體管2與所述第η行柵線81連接，掃描第η行柵線時，所述第二薄膜晶體管工作，導通所述第二薄膜晶體管2的源極和漏極；所述第二薄膜晶體管2的源極和漏極分別與第η+1行柵線82驅動的第一薄膜晶體管I對應的公共電極和像素電極電連接，V.為公共電極的電壓，Vpixel為像素電極的電壓。所述第二薄膜晶體管2的源極和漏極的導通使得Vpijrel = V.，所述第η+1行柵線82驅動的第一薄膜晶體管I對應的公共電極和像素電極之間的電勢差為O。這樣就抑制了像素電極上由于電荷積累引起的液晶偏轉，有效地改善了殘像現(xiàn)象，提高了顯示裝置的顯示品質。在本實用新型實施例中，除最后一行柵線之外的第η行柵線上都連接有第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管的第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極電連接。優(yōu)選的，如圖1所示，所述第η行柵線驅動的第二薄膜晶體管的個數(shù)與所述第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的個數(shù)相同；所述第η行柵線驅動的每個所述第二薄膜晶體管的第二漏極一一對應地與第η+1行柵線驅動的每個第一薄膜晶體管對應的像素電極電連接。這樣，顯示裝置在掃描第η行柵線時，第η+1行柵線驅動的所有第一薄膜晶體管對應的所有像素電極都與公共電極導通，所述像素電極上積累的電荷都釋放到公共電極上，從而使第η+1行柵線對應的像素電極和公共電極之間的電勢差為零，實現(xiàn)像素電極“清零”，抑制第η+1行柵線對應的像素電極上的電荷積累，這樣使得所述顯示裝置在掃描當前行柵線的同時，將下一行柵線對應的所有像素電極上累積的電荷都“清零”，更好地改善了殘像，提高了顯示裝置的顯示品質。所述第二漏極23對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極3電連接的方式:可選的(圖中未示出)，第η行柵線驅動的第二薄膜晶體管的第二漏極23對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的第一漏極13連接；由于所述第一漏極13與所述像素電極3 —般通過第二鈍化層52上的過孔連接，故所述第二漏極23通過所述第一漏極13與所述像素電極3電連接?；蛘呖蛇x的，如圖1所示，第η行柵線驅動的第二薄膜晶體管的第二漏極23對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管I對應的像素電極3連接；示例的，如圖2所示，所述第二漏極23可以直接通過第二鈍化層52上的過孔與像素電極3連接，只需運用構圖工藝在第二鈍化層52上做個過孔即可。本實用新型實施例提供的TFT-1XD陣列基板可以適用于AD-SDS (Advanced-SuperDimensional Switching,簡稱為 ADS,高級超維場開關)型、IPS (In Plane Switch,橫向電場效應)型等類型的液晶顯示裝置的生產。AD-SDS技術通過同一平面內像素電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。無論上述哪種液晶顯示裝置都包括對盒成形的彩膜基板和陣列基板。ADS型顯示裝置和IPS型顯示裝置的公共電極和像素電極均設置在陣列基板上。其中，附圖1、2中是以應用于ADS型顯示裝置中的陣列基板為例繪示的，圖3是以IPS型顯示裝置中的陣列基板為例繪示的。上述TFT-1XD陣列基板在應用于IPS型顯示裝置和ADS型顯示裝置的情況下，所述TFT-LCD陣列基板還包括:與所述公共電極線電連接的公共電極；所述第二源極與所述公共電極線電連接包括:所述第二源極與公共電極連接。如圖1或2所示，在所述ADS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極4和所述像素電極3異層設置,其中位于上層的電極包含多個條形電極,位于下層的電極包含多個條形電極或為平板形。需要說明的是，無論位于上層還是下層，只要與公共電極線電連接的電極就為公共電極，第一薄膜晶體管的漏極電連接的電極就為像素電極，也就是說，位于上層的電極可以是像素電極(或公共電極)，位于下層的電極可以是公共電極(或像素電極)。示例的，如圖2所示，位于上層的包含多個條形電極的電極為像素電極3，位于下層的平板形電極為公共電極4。異層設置是針對至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設置是指，分別將至少兩層薄膜通過構圖工藝形成至少兩種圖案。對于兩種圖案異層設置是指，通過構圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設置是指:由第一層透明導電薄膜通過構圖工藝形成下層電極，由第二層透明導電薄膜通過構圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。如圖3所示，在所述IPS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極4和所述像素電極3同層設置，所述公共電極4包含多個第一條形電極，所述像素電極3包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設置。同層設置是針對至少兩種圖案而言的；至少兩種圖案同層設置是指:將同一薄膜通過構圖工藝形成至少兩種圖案。例如，公共電極和像素電極同層設置是指:由同一透明導電薄膜通過構圖工藝形成像素電極和公共電極。其中，像素電極是指通過開關單元(例如，可以是薄膜晶體管)與數(shù)據線電連接的電極，公共電極是指和公共電極線電連接的電極。本實用新型實施例還提供了一種TFT-LCD陣列基板的制作方法，包括:在透明基板上制作形成公共電極線，柵線及數(shù)據線，像素電極，公共電極，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；其中所述像素電極和所述公共電極在加電后形成多維電場；形成的所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極；形成的所述第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極和第二漏極；形成的所述第二柵極與第η行柵線電連接，形成的所述第η行柵線為除最后一行柵線之外的任一行柵線；形成的所述第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極電連接；所述第二源極與所述公共電極線電連接；其中，在所述陣列基板的一幀柵線掃描過程中，所述第η行柵線比所述第η+1行柵線先掃描?？蛇x的，以圖2所示的ADS型顯示裝置的陣列基板為例，其制作方法可以參考以下步驟:S1、在透明基板上制作柵金屬薄膜，通過構圖工藝至少形成柵線以及第一柵極11和第二柵極21 ;其中，所述第二柵極21與第η行柵線電連接。示例的，形成上述圖案的同時，還可以進一步形成公共電極線(圖中未示出)。S2、在至少所述形成柵線、第一柵極11和第二柵極21的透明基板上制作柵絕緣層6。S3、在所述形成柵絕緣層6的透明基板上制作半導體薄膜，并通過構圖工藝形成有源層7。S4、在所述形成有源層7的透明基板上制作透明導電薄膜，通過構圖工藝形成公共電極4。S5、在所述形成公共電極4的透明基板上制作鈍化層薄膜，并通過構圖工藝形成帶有過孔的第一鈍化層51，該過孔位于公共電極4的上方。S6、在所述形成第一鈍化層51的透明基板上制作源漏金屬薄膜，通過構圖工藝至少形成第一源極12、第一漏極13、第二源極22、第二漏極23以及數(shù)據線；所述第二源極22通過所述第一鈍化層51的過孔與公共電極4連接。S7、在至少所述形成源漏極及數(shù)據線的透明基板上制作鈍化層薄膜，并通過構圖工藝形成帶有兩個過孔的第二鈍化層52，所述第二鈍化層52的兩個過孔分別位于第一漏極13、第二漏極23上方。S8、在所述形成第二鈍化層52的透明基板上制作透明導電薄膜，通過構圖工藝形成像素電極3，所述像素電極3通過所述第二鈍化層52上的過孔分別與所述第一漏極13和所述第二漏極23相連。上述制作方法是以一種ADS型顯示裝置的陣列基板為例，本實用新型實施例中所述的陣列基板還可以是其他ADS型的，并不限于圖2所示的結構類型，其他ADS型的陣列基板的制作工藝可以參考上述步驟?？蛇x的，以圖3所示的IPS型顯示裝置的陣列基板為例，其制作方法可以參考以下步驟:Q1、在透明基板上制作柵金屬薄膜，通過構圖工藝至少形成柵線以及第一柵極11和第二柵極21 ;其中，所述第二柵極21與第η行柵線電連接。示例的，形成上述圖案的同時，還可以進一步形成公共電極線(圖中未示出)。Q2、在所述至少形成柵線、公共電極線、第一柵極11和第二柵極21的透明基板上制作柵絕緣層6和有源層7。Q3、在所述形成有源層7的透明基板上制作鈍化層薄膜，并通過構圖工藝形成第一鈍化層51。Q4、在所述形成第一鈍化層51的透明基板上制作源漏金屬薄膜，通過構圖工藝至少形成第一源極12、第一漏極13、第二源極22、第二漏極23以及數(shù)據線。Q5、在所述至少形成源、漏極及數(shù)據線的透明基板上制作鈍化層薄膜，并通過構圖工藝形成帶有三個過孔的第二鈍化層52，所述第二鈍化層的三個過孔分別位于第二漏極23、第二源極22以及第一漏極13的上方。Q6、在所述形成第二鈍化層52的透明基板上制作透明導電薄膜，通過構圖工藝形成間隔設置的像素電極3和公共電極4，所述像素電極3通過所述第二鈍化層上的過孔分別與所述第二漏極23和第一漏極13相連，所述公共電極4通過所述第二鈍化層52上的過孔與所述第二源極22相連。上述制作方法是以一種IPS型顯示裝置的陣列基板為例，本實用新型實施例中所述的陣列基板還可以是其他IPS型的，并不限于圖3所示的結構類型，其他IPS型的陣列基板的制作工藝可以參考上述步驟。本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，包括對盒后的彩膜基板、液晶層和陣列基板，其中，所述陣列基板可以是上述的任一種TFT-LCD陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相機、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產品或者部件。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
權利要求1.一種TFT-LCD陣列基板，其特征在于，包括:透明基板，設置在所述透明基板上的公共電極線，交叉設置在所述透明基板上的柵線及數(shù)據線，設置在所述柵線及數(shù)據線限定的像素區(qū)域內的像素電極、公共電極和第一薄膜晶體管；其中所述像素電極和所述公共電極在加電后形成多維電場；所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、第一源極和第一漏極，所述第一柵極與所述柵線連接，所述第一源極與所述數(shù)據線連接，所述第一漏極與所述像素電極連接； 而且，所述陣列基板還包括:第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極和第二漏極； 所述第二柵極與第η行柵線電連接，所述第η行柵線為除最后一行柵線之外的任一行柵線； 所述第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極電連接； 所述第二源極與所述公共電極線電連接；其中，在所述陣列基板的一幀柵線掃描過程中，所述第η行柵線比所述第η+1行柵線先掃描。
2.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第η行柵線驅動的第二薄膜晶體管的個數(shù)與所述第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的個數(shù)相同； 所述第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極電連接包括: 所述第η行柵線驅動的每個所述第二薄膜晶體管的第二漏極一一對應地與第η+1行柵線驅動的每個第一薄膜晶體管對應的像素電極電連接。
3.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極電連接包括: 所述第二漏極對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的第一漏極連接，或者對應的與第η+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極連接。
4.根據權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，還包括:與所述公共電極線電連接的公共電極； 所述第二源極與所述公共電極線電連接包括:所述第二源極與所述公共電極連接。
5.根據權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述公共電極和所述像素電極同層設置，所述公共電極包含多個第一條形電極，所述像素電極包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設置。
6.根據權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述公共電極和所述像素電極異層設置，其中位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極包含多個條形電極或為平板形。
7.一種顯示裝置，包括對盒后的彩膜基板和陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為上述權利要求1 6任一項所述的TFT-1XD陣列基板。
專利摘要本實用新型實施例提供了一種TFT-LCD陣列基板及顯示裝置，涉及液晶顯示技術領域，可以改善殘像現(xiàn)象，提高液晶顯示裝置的顯示品質。TFT-LCD陣列基板包括透明基板，設置在透明基板上的公共電極線，柵線和數(shù)據線，像素電極、公共電極、第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；其中像素電極和公共電極在加電后形成多維電場；第二薄膜晶體管包括第二柵極、第二源極和第二漏極；其中，第二柵極與第n行柵線電連接，第n行柵線為除最后一行柵線之外的任一行柵線；第二漏極對應的與第n+1行柵線驅動的第一薄膜晶體管的像素電極電連接；第二源極與公共電極線電連接；其中，在陣列基板的一幀柵線掃描過程中，第n行柵線比第n+1行柵線先掃描。
文檔編號G02F1/1368GK202929336SQ201220669139
公開日2013年5月8日 申請日期2012年12月6日 優(yōu)先權日2012年12月6日
發(fā)明者王驍, 曹昆 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司