專利名稱：反射式電光裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及反射式電光裝置，和使用該電光裝置的電子設(shè)備。更具體地說，涉及反射式電光裝置的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
液晶裝置等的電光裝置，可以用作各種設(shè)備的直視型顯示裝置。在這樣的電光裝置中，例如，在作為像素切換用的非線性元件使用TFT的有源矩陣型的液晶裝置中，如圖25和圖26所示，在挾持作為電光物質(zhì)的液晶50的TFT陣列基板10和對向基板20中，在TFT陣列基板10上，形成有像素切換用的TFT(薄膜晶體管)30，和電氣連接到該TFT30上的由ITO膜等的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的像素電極9a。
另外，在液晶裝置中，在反射型的裝置中，在像素電極9a的下層一側(cè)形成有用來將對向基板20側(cè)入射的外界光線向?qū)ο蚧?0側(cè)反射的光反射膜8a，在TFT陣列基板10側(cè)反射從對向基板20側(cè)入射的光，用從對向基板20側(cè)出射的光顯示圖象(反射模式)。
但是，在反射式的液晶裝置中，當(dāng)在光反射膜8a處反射的光的方向性強時，就會顯著地表現(xiàn)出在觀看圖象的角度處亮度不同等的視野角依賴性。于是，在制造液晶裝置時，就要通過在層間絕緣膜4或在形成于其表面上的表面保護膜14的表面上，涂敷800nm到1500nm的聚丙烯樹脂等感光性樹脂之后，用光刻技術(shù)，形成凹凸形成層13a來將凹凸圖形8g賦予在光反射膜8a的表面上。
在這里所示的例子中，如圖27所示，通過借助曝光掩模200對感光性樹脂13進行半曝光，使之感光至感光性樹脂13的厚度的中間位置后，進行顯影，進而進行加熱使感光性樹脂13熔融，以形成在表面上具備與平緩的膜厚變化對應(yīng)的凹凸的凹凸形成層13a，故凹凸形成層13a的上層上直接形成有光反射膜8a。
即，當(dāng)對感光性樹脂13進行半曝光時，感光性樹脂13由于僅僅被曝光到厚度方向的中間位置為止，故當(dāng)使感光性樹脂13顯影時，被曝光的部分將形成凹部13b，而未曝光的部分就保持原來的厚度。因此，在感光性樹脂13顯影后，當(dāng)對感光性樹脂13進行加熱處理，以使感光性樹脂13熔融時，感光性樹脂13的膜厚就會平緩地變化，對應(yīng)該膜厚變化而成為在表面上具備平緩的凹凸的凹凸形成層13a。因此，即便是在凹凸形成層13a的上層上直接形成光反射膜8a，也會將沒有邊沿的平緩的凹凸圖形8g賦予在光反射膜8a的表面上。
但是，在以往的液晶裝置中，由于在凹凸形成層13a的下層側(cè)形成有構(gòu)成各種布線和TFT30的導(dǎo)電膜，例如掃描線3a、電容線3b、數(shù)據(jù)線6a、漏電極6b等，因構(gòu)成它們的導(dǎo)電膜的有無而造成高低差。即，在像素區(qū)內(nèi)雖然存在多層地形成有半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b的第1區(qū)域10a，和雖然已形成漏電極6b，但卻未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f或電容線3b的第2區(qū)域10b，及未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b中的任何一方的第3區(qū)域10c，在這些區(qū)域中，具有相當(dāng)于導(dǎo)電膜的形成層數(shù)差的高低差。因此，如圖27所示，在對感光性樹脂13進行曝光時，在臺階的高處部分和低處部分之間，由于距光源的距離不同，故存在著產(chǎn)生聚焦偏差，發(fā)生曝光不均勻這樣的問題。
另外，還存在著這樣的問題在對感光性樹脂13進行曝光時，在下層側(cè)具有導(dǎo)電膜的區(qū)域(第1區(qū)域10a，第2區(qū)域10b)和下層側(cè)沒有導(dǎo)電膜的區(qū)域(第3區(qū)域10c)之間，會產(chǎn)生來自導(dǎo)電膜的反射光的有無或強度所造成的曝光不均勻。
若發(fā)生這樣的曝光不均勻，則在低處部分處，由于凹凸形成層13a的凹部13b變淺等原因，不能象預(yù)料的那樣形成凹凸形成層13a，也不能在光反射膜8a的表面上形成所希望的凹凸圖形，故是不理想的。
而且，由于有時使凹凸形成層13a完全曝光，將凹凸形成層13a以規(guī)定的圖形剩下，并借助凹凸形成層13a的有無將凹凸圖形8g賦予在光反射膜8a的表面上，在這樣的情況下，由于凹凸形成層13a上會產(chǎn)生邊沿，故要在凹凸形成層13a上涂敷、形成另外一層由流動性高的感光性樹脂構(gòu)成的上層絕緣膜后，在其上層側(cè)形成光反射膜8a，但是，即便是在這種情況下，如果在凹凸形成層13a的下層側(cè)存在著高低差，仍會發(fā)生曝光不均勻。
還有，若在具有高低差的區(qū)域上涂敷感光性樹脂，如圖27所示，由于平坦化作用，使得高的區(qū)域上感光性樹脂形成得薄，而低的區(qū)域上感光性樹脂就形成得厚。因此，在曝光和顯影之后，加熱感光性樹脂13，使之熔融，以在表面上形成具備平緩的凹凸的凹凸形成層13a時，由于在高的區(qū)域中感光性樹脂薄，樹脂的下垂小，故可以形成比較大的凹凸。相對于此，在低的區(qū)域中，由于感光性樹脂厚，樹脂的下垂大，故凹凸形成得小，因而存在著凹凸的大小不均一的問題。
實用新型內(nèi)容有鑒于以上的問題，本實用新型的課題在于，提供借助于預(yù)先使凹凸形成層的下層側(cè)的狀態(tài)均一化的辦法，利用光刻技術(shù)形成凹凸形成層時，在凹凸形狀方面不發(fā)生不均一的反射式電光裝置和電子設(shè)備。同時，還提供借助反射區(qū)的臺階的消除，可以提高反射部分單元間隙均一性，提高對比度等的顯示品位的反射式電光裝置和電子設(shè)備。
為解決上述課題，本實用新型中，在挾持電光物質(zhì)的基板上，每個像素至少具有電連到一個或多個布線上的像素切換用的有源元件和光反射膜，在該光反射膜的下層側(cè)中，與該光反射膜平面重疊的區(qū)域上，形成有將規(guī)定的凹凸圖形賦予上述光反射膜的表面的凹凸形成層的反射式電光裝置中，其特征在于在上述凹凸形成層的下層側(cè)，與該凹凸形成層平面性地重疊的區(qū)域內(nèi)，形成用來消除由于形成上述有源元件的導(dǎo)電膜的有無所造成的高低差的高低差消除膜，在該高低差消除膜中，形成有構(gòu)成上述布線的導(dǎo)電膜、構(gòu)成上述有源元件的導(dǎo)電膜、和絕緣膜中的至少一層。
在反射式的電光裝置中，雖然構(gòu)成各種布線或有源元件的導(dǎo)電膜的形成層數(shù)存在差時，就會形成與其膜厚相當(dāng)?shù)母叩筒罨蚺_階，但是，在本實用新型中，在導(dǎo)電膜的形成層數(shù)少的區(qū)域形成高低差消除膜，借助該高低差消除膜，在凹凸形成層的下層側(cè)就可以消除高低差。因此，在對感光性樹脂進行曝光以形成凹凸形成層時，由于在高處部分和低處部分之間不存在顯著的高低差，故不會產(chǎn)生曝光不均勻。還有，若在具有高低差的區(qū)域上涂敷感光性樹脂，由于在高的區(qū)域內(nèi)感光性樹脂形成得薄，而在低的區(qū)域內(nèi)感光性樹脂形成得厚，故在曝光和顯影之后，加熱感光性樹脂，使之熔融以形成在表面上具備平緩凹凸的凹凸形成層時，由于在高的區(qū)域內(nèi)感光性樹脂薄，樹脂的下垂小，故存在著形成比較大的凹凸的傾向，但是，在本實用新型中，這樣的問題也可以消除。因此，由于可以形成預(yù)料那樣的凹凸形成層，故可以在光反射膜的表面上形成所希望的凹凸圖形。另外，由于高低差消除膜可以由構(gòu)成布線的導(dǎo)電膜、構(gòu)成有源元件的導(dǎo)電膜、或絕緣膜形成，故在形成高低差消除膜時不需要追加制造工序。再有，雖然若像素電極的下層側(cè)存在高低差，則液晶等的電光物質(zhì)的層厚在每一個區(qū)域內(nèi)就都不同，但是在本實用新型中，由于已消除了高低差，故還具有提高顯示品位的優(yōu)點。
在本實用新型中，上述高低差消除膜，最好是由構(gòu)成上述布線的導(dǎo)電膜、構(gòu)成上述有源元件的導(dǎo)電膜和絕緣膜中的至少1層形成。若為這樣的結(jié)構(gòu)，則即便具有導(dǎo)電膜存在的區(qū)域和導(dǎo)電膜不存在的區(qū)域，而且在曝光時，因從導(dǎo)電膜反射過來的光的有無或強度不均一而導(dǎo)致曝光不均勻，在本實用新型中，由于遍及像素的基本上整個區(qū)域形成有導(dǎo)電膜，故不會發(fā)生曝光不均勻。而且，在導(dǎo)電膜存在的區(qū)域和導(dǎo)電膜不存在的區(qū)域，雖然因在熱傳導(dǎo)性上存在著差別而易于產(chǎn)生溫度不均一，但是，如果預(yù)先在大致全體上形成導(dǎo)電膜，由于可以壓縮溫度不均一，故可以使感光性樹脂的硬化速度均一化。因此，由于可以形成預(yù)料那樣的凹凸形成層，故可以在光反射膜的表面上形成所希望的凹凸圖形。再有，由于高低差消除膜與構(gòu)成布線、或有源元件的導(dǎo)電膜在同層上形成，故在形成高低差消除膜時不需要追加制造工序。
在本實用新型中，上述高低差消除膜，例如通過被選擇性地形成于形成上述有源元件的導(dǎo)電膜的形成層數(shù)少的區(qū)域，以消除上述高低差。
在本實用新型中，在上述有源元件是與作為上述布線的掃描線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管的情況下，作為上述高低差消除膜，例如，形成有與上述掃描線同時形成于同層的導(dǎo)電膜、或與上述數(shù)據(jù)線同時形成于同層的導(dǎo)電膜中的至少一層。
另外，在本實用新型中，在上述有源元件是與作為上述掃描線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管，并且，在上述像素中連通有用來構(gòu)成存儲電容的電容線的情況下，作為上述高低差消除膜，例如，形成有與上述掃描線同層的導(dǎo)電膜、與上述電容線同層的導(dǎo)電膜或與上述數(shù)據(jù)線同層的導(dǎo)電膜中的至少一方。
在本實用新型中，上述高低差消除膜，最好是被構(gòu)成上述布線或上述有源元件的導(dǎo)電膜分離開來形成為島狀。若為這種結(jié)構(gòu)，則可以防止在其它的層與高低差消除膜平面重疊的區(qū)域上產(chǎn)生寄生電容。
還有，在本實用新型中，上述高低差消除膜，也可以是從構(gòu)成上述布線或上述有源元件的導(dǎo)電膜延伸設(shè)置的結(jié)構(gòu)。例如，也可以延伸設(shè)置電容部分的上電極，以構(gòu)成上述高低差消除膜。
再有，在本實用新型的另外一個實施例中，在挾持電光物質(zhì)的基板上，每個像素至少具有電連到一個或多個布線上的像素切換用的有源元件和光反射膜，在該光反射膜的下層側(cè)中，與該光反射膜平面重疊的區(qū)域上，形成將規(guī)定的凹凸圖形賦予上述光反射膜的表面的凹凸形成層的反射式電光裝置中，其特征在于在上述凹凸形成層的下層側(cè)，與該凹凸形成層平面重疊的區(qū)域上，形成與其它的區(qū)域電絕緣的島狀圖形，該島狀圖形，由構(gòu)成上述布線的導(dǎo)電膜、及構(gòu)成上述有源元件的導(dǎo)電膜中的至少一層形成。
在本實用新型中，上述凹凸形成層，有時由表面上具備與平緩的膜厚變化對應(yīng)的凹凸的感光性樹脂構(gòu)成。在這種情況下，上述光反射膜的表面上，反映形成于上述凹凸形成層的表面上的凹凸地形成有上述凹凸圖形。這樣的方式，可以通過對感光性樹脂的曝光掩模進行半曝光和顯影，來形成上述凹凸形成層。
本實用新型中，有時上述凹凸形成層由選擇性地形成規(guī)定的圖形的感光性樹脂構(gòu)成，在這種情況下，上述光反射膜的表面上，對應(yīng)上述凹凸形成層的有無而形成有上述凹凸圖形。這種方式是通過對感光性樹脂的曝光掩膜進行曝光和顯影來形成上述凹凸形成層的。
在這里，凹凸形成層中存在邊沿的情況下，在上述凹凸形成層的上層形成有上層絕緣膜。若為這樣地構(gòu)成，在上述光反射膜的表面上通過該上層絕緣膜反映上述凹凸形成層所構(gòu)成的凹凸地形成有上述凹凸圖形。
在本實用新型中，在電光裝置為全反射式結(jié)構(gòu)的情況下，上述凹凸形成層形成于遍及上述像素的基本上整個區(qū)域。
相對于此，本實用新型相關(guān)的電光裝置為半透射反射式結(jié)構(gòu)的情況下，在上述光反射膜上形成有光透過窗口即可。在這種情況下，為了防止光透射率降低，最好是在上述光透過窗口的區(qū)域上不形成上述高低差消除膜或上述島狀圖形。若為這種結(jié)構(gòu)，即使在光透過窗口的區(qū)域上存在曝光不均勻的情況，由于在該區(qū)域上沒有形成由感光性樹脂形成凹凸形狀的必要，故不會產(chǎn)生任何問題。
在本實用新型中，上述電光物質(zhì)為，例如，液晶。
應(yīng)用本實用新型的電光裝置，可以用做便攜計算機或移動電話等電子設(shè)備的顯示裝置。


圖1是從對向基板側(cè)看本實用新型相關(guān)的電光裝置時的平面圖。
圖2是圖1的H-H’線剖面圖。
圖3是在電光裝置中，矩陣狀配置的多個像素中形成的各種元件、布線等的等效電路圖。
圖4是本實用新型實施例相關(guān)TFT陣列基板的像素結(jié)構(gòu)平面圖。
圖5是從圖4所示的TFT陣列基板的像素群中僅僅抽出構(gòu)成布線和TFT的導(dǎo)電膜的平面圖。
圖6是在相當(dāng)于圖4的A-A’線的位置處的電光裝置的剖面圖。
圖7(A)到(C)是圖5所示的TFT陣列基板的制造方法的工序剖面圖。
圖8(D)到(G)的工序剖面圖示出了圖5所示的TFT陣列基板的制造方法。
圖9(H)到(J)的工序剖面圖示出了圖5所示的TFT陣列基板的制造方法。
圖10(K)到(L)的工序剖面圖示出了圖5所示的TFT陣列基板的制造方法。
圖11是本實用新型的實施例2相關(guān)的TFT陣列的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖12是在相當(dāng)于11的B-B’線的位置處的電光裝置的剖面圖。
圖13是本實用新型的實施例3相關(guān)的TFT陣列的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖14是在相當(dāng)于13的C-C’線的位置處的電光裝置的剖面圖。
圖15是本實用新型的實施例4相關(guān)的TFT陣列的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖16是在相當(dāng)于15的D-D’線的位置處的電光裝置的剖面圖。
圖17是本實用新型的實施例5相關(guān)的TFT陣列的像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖18是在相當(dāng)于17的E-E’線的位置處的電光裝置的剖面圖。
圖19(A)、(B)都是本實用新型的實施例6相關(guān)的電光裝置的剖面圖。
圖20是本實用新型的實施例7相關(guān)的電光裝置的剖面圖。
圖21是本實用新型的實施例8相關(guān)的電光裝置的剖面圖。
圖22表示的是將本實用新型相關(guān)的電光裝置用作顯示裝置的電子設(shè)備的電路結(jié)構(gòu)框圖。
圖23是作為使用本實用新型相關(guān)的電光裝置的電子設(shè)備的一個實施例的便攜式個人計算機的說明圖。
圖24是作為使用本實用新型相關(guān)的電光裝置的電子設(shè)備的一個實施例的行動電話的說明圖。
圖25是以往的TFT陣列基板的像素結(jié)構(gòu)。
圖26是相當(dāng)于圖25的G-G’線的位置處的電光裝置的剖面圖。
圖27是在以往的TFT陣列基板上形成凹凸形成層用的感光性樹脂的曝光工序的說明圖。
符號說明1a半導(dǎo)體膜；2柵極絕緣膜；3a掃描線；3b電容線；3f、6f高低差消除膜；4層間絕緣膜；6a數(shù)據(jù)線；6b漏電極；8a光反射膜；8b凹凸圖形的凸部；8c凹凸圖形的凹部；8d光透過窗；8g光反射膜表面的凹凸圖形；9a像素電極；10TFT陣列基板；11基底保護膜；11f高低差消除膜；13感光性樹脂；13a凹凸形成層；20對向基板；21對向電極；30像素開關(guān)用TFT；50液晶；60存儲電容；100電光裝置；10a像素。
具體實施方式
參照附圖，對本實用新型的實施例進行說明。
實施例1(反射式電光裝置的基本構(gòu)成)圖1是與各構(gòu)成要素一起從對向電極一側(cè)看使用本實用新型的電光裝置時的平面圖，圖2是圖1的H-H’線處的剖面圖，圖3是在電光裝置的圖像顯示區(qū)域中，矩陣狀的多個像素中的各種元件、布線等的等效電路圖。而且，本實施例的說明中所使用的各圖中，為將各層或各個構(gòu)件作成在圖面上可以識別程度的大小，將各層或各構(gòu)件均都不同程度地進行了縮小。
在圖1和圖2中，本實施例的電光裝置100，在用密封劑52粘貼起來的TF陣列基板10和對向基板20之間，挾持有作為電光物質(zhì)的液晶50，在密封劑52形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)區(qū)域上，形成有由遮光性材料構(gòu)成的周邊分型劑53。在密封劑52的外側(cè)區(qū)域上，沿TFT陣列基板10的一邊形成有數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101和裝配端子102，沿與該邊相鄰的2邊形成有掃描線驅(qū)動電路104。在TFT陣列基板10的剩下一邊上，設(shè)置有多條用來將在圖象顯示區(qū)域的兩側(cè)設(shè)置的掃描線驅(qū)動電路104連接起來的布線105，還有，有時也利用周邊分型劑53的下邊等，設(shè)置預(yù)充電電路或檢查電路。再有，在對向基板20拐角部分的至少一處，形成有用來在TFT陣列基板10與對向基板20之間形成電導(dǎo)通的上下導(dǎo)通構(gòu)件106。
而且，取代在TFT陣列基板10的上邊形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101和掃描線驅(qū)動電路104，例如通過各向異性導(dǎo)電膜使已裝配上驅(qū)動用LSI的TAB(帶載自動鍵合)基板，與形成于TFT陣列基板10的周邊部分上的端子群進行電氣連接和機械連接也可以。另外，在電光裝置100中，雖然可以根據(jù)所使用的液晶50的種類，即，根據(jù)TN(扭曲向列)模式、STN(超TN)模式等等動作模式，或常態(tài)白色模式/常態(tài)黑色模式的分類，把偏振薄膜、相位差薄膜、偏振光板等配置在規(guī)定的方向上，但是在這里都省略了圖示。還有，在將電光裝置100作成彩色顯示用的顯示裝置的情況下，對向基板20中，在與TFT陣列基板10的各像素電極(將在后邊講述)對向的區(qū)域上，要與其保護膜一起形成RGB的彩色濾光片。
在具有這種結(jié)構(gòu)的電光裝置100的畫面顯示區(qū)域10a中，如圖3所示，多個像素100a構(gòu)成矩陣狀，同時，在這些像素100a中的每一個像素上都形成有像素電極9a和用來驅(qū)動該像素電極9a的開關(guān)用的TFT30，提供像素信號S1、S2、…、Sn的數(shù)據(jù)線6a已被電氣連接到該TFT30的源極上。寫入數(shù)據(jù)線6a的像素信號S1、S2、…、Sn既可以按照該順序提供，也可以向相鄰的多條數(shù)據(jù)線6a的每一組提供。再有，使得掃描線3a被電氣連接到TFT30的柵極上，并以規(guī)定的時度脈沖式地把掃描信號G1、G2、…、Gm，按照該順序依次加到掃描線3a上。將電極9a電氣連接到TFT30的漏極上，由于僅僅在恒定期間內(nèi)使TFT30變成為ON狀態(tài)，以規(guī)定的定時將由數(shù)據(jù)線6a提供的像素信號S1、S2、…、Sn寫入各個像素中。象這樣通過像素電極9a寫入到液晶內(nèi)的規(guī)定電平的像素信號S1、S2、…、Sn，在與圖2所示的對向基板20的對向電極21之間可以被維持一個恒定期間。
另外，液晶50，借助所要施加的電壓電平使分子集合的取向或秩序發(fā)生變化，對光進行調(diào)制，使灰度等級顯示成為可能。若是常態(tài)白色模式，則入射光將根據(jù)所施加的電壓降低通過該液晶50的部分的光量，若是常態(tài)黑色模式，則入射光將根據(jù)所施加的電壓增大通過該液晶50的部分的光量。其結(jié)果是，作為整體從電光裝置100射出具有與像素信號S1、S2、…、Sn對應(yīng)的對比度的光。
而且，為了防止所保持的像素信號S1、S2、…、Sn發(fā)生漏泄，要與在像素電極9a和對向電極之間形成的液晶電容并聯(lián)地附加上存儲電容60。通過采用這種結(jié)構(gòu)，像素電極9a的電壓例如，可以用存儲電容60保持比施加源極電壓多3個數(shù)量級的時間。由此，可以改善電荷的保持特性，可以實現(xiàn)對比度高的電光裝置100。作為形成存儲電容60的方法，如圖3所示，在與作為形成存儲電容60用的布線的電容線3b之間形成，或在與前級的掃描線3a之間形成，哪種情況都可以。
(TFT陣列基板的結(jié)構(gòu))圖4是在本實施例的電光裝置中所使用的TFT陣列基板的相鄰的多個像素群的平面圖，圖5是從圖4所示的TFT陣列基板的像素群中僅僅抽出構(gòu)成布線、和TFT的導(dǎo)電膜時的平面圖，在該圖中，用實線表示本實施例的特征部分。圖6是在相當(dāng)于圖4的A-A’線的位置處剖開電光裝置的像素的一部分時的剖面圖。
在圖4和圖5中，TFT陣列基板10上邊，矩陣狀地形成多個透明的、由ITO(氧化銦錫)膜構(gòu)成的像素電極9a，這些像素電極9a分別連接到像素切換用的TFT30上。另外，沿像素電極9a的縱橫邊界形成數(shù)據(jù)線6a、掃描線3a和電容線3b，將TFT30連接到數(shù)據(jù)線6a和掃描線3a上。即，數(shù)據(jù)線6a通過接觸孔15與TFT30的高濃度源極區(qū)1d電氣連接，掃描線3a的突出部分則構(gòu)成TFT30的柵極電極。而且，存儲電容60的結(jié)構(gòu)為將用來形成像素切換用的TFT30的半導(dǎo)體膜1的延長部分1f導(dǎo)電化的膜當(dāng)作下電極，將電容線3b作為上電極重疊到該下電極41上。
這樣構(gòu)成的像素區(qū)的A-A’線的剖面，如圖6所示，在屬于TFT陣列基板10基體的透明基板10’的表面上，形成由厚度300nm到500nm的硅氧化膜(絕緣膜)構(gòu)成的基底保護膜11，在該基底保護膜11的表面上，形成厚度30nm到100nm的島狀的半導(dǎo)體膜1a。在半導(dǎo)體膜1a的表面上，形成由厚度約50到150nm的硅氧化膜構(gòu)成的柵極絕緣膜2，在該柵極絕緣膜2的表面上形成厚度300nm到800nm的掃描線3a。半導(dǎo)體膜1a中通過柵極絕緣膜2與掃描線3a對峙的區(qū)域成為溝道區(qū)1a’。相對該溝道區(qū)1a’的一側(cè)形成具備低濃度源極區(qū)1b和高濃度源極區(qū)1d的源極區(qū)，在另一側(cè)形成具備低濃度漏極區(qū)1c和高濃度漏極區(qū)1e的漏極區(qū)。
在掃描線3a的表面?zhèn)?，形成由厚?00nm到800nm的硅氧化膜構(gòu)成的層間絕緣膜4。該層間絕緣膜4的表面則形成厚度300nm到800nm的數(shù)據(jù)線6a，該數(shù)據(jù)線6a通過在層間絕緣膜4上形成的接觸孔15電氣連接到高濃度源極區(qū)1d上。在層間絕緣膜4的表面上形成與數(shù)據(jù)線6a同時形成的漏電極6b，該漏電極6b通過層間絕緣膜4上所形成的接觸孔16與高濃度漏極區(qū)1e電氣連接。再有，在數(shù)據(jù)線6a和漏電極6b的表面上，形成由厚度100到300nm的硅氮化膜構(gòu)成的表面保護膜14。
在表面保護膜14的表面上，形成由透光性的感光性樹脂構(gòu)成的凹凸形成層13a。還有，在該凹凸形成層13a的表面上，形成由鋁膜等構(gòu)成的光反射膜8a。由此，在光反射膜8a的表面上，反映構(gòu)成凹凸形成層13a的凹凸，從而形成凹凸圖形8g。
另外，在光反射膜8a的上層上，形成由ITO膜構(gòu)成的像素電極9a。像素電極9a直接疊層到光反射膜8a的表面上，像素電極9a和光反射膜8a電氣連接。再有，像素電極9a，通過在感光性樹脂層7a和層間絕緣膜4上形成的接觸孔17與漏電極6b電氣連接。
在這里，漏電極6b從與TFT30的高濃度源極區(qū)1e重疊的位置開始與電容線3b交叉地一直延伸到像素區(qū)的大致中央處，漏電極6b和像素電極9a在像素區(qū)的大致中央處，通過接觸孔17電氣連接。
在像素電極9a的表面?zhèn)壬闲纬捎删埘啺纺?gòu)成的取向膜12。該取向膜12是對聚酰亞胺膜施行了摩擦處理的膜。
而且，對于從高濃度漏極區(qū)1e延伸出來的延伸設(shè)置部分1f(下電極)來說，可以通過與柵極絕緣膜2a同時形成的絕緣膜(電介質(zhì)膜)與作為上電極的電容線3b對向，來構(gòu)成存儲電容60。
另外，TFT30最好是如上所述具有LDD結(jié)構(gòu)，但是也可以具有不向相當(dāng)于低濃度源極區(qū)1b和低濃度漏極區(qū)1c的區(qū)域內(nèi)注入雜質(zhì)的偏移(offset)結(jié)構(gòu)。還有，TFT30，也可以是將柵極電極(掃描線3a的一部分)作為掩模，高濃度注入雜質(zhì)離子，自我匹配地形成高濃度的源極區(qū)和漏極區(qū)的單元自對準(zhǔn)型的TFT。
再有，在本實施例中，雖然為在源極區(qū)-漏極區(qū)間只配置1個TFT30的柵極電極(掃描線3a)的單柵極結(jié)構(gòu)，但也可以在它們之間配置2個以上的柵極電極。此時，要對每一個柵極電極都加上同一信號。如果這樣用雙柵極(兩個柵極)或三柵極以上來構(gòu)成TFT30，則可以防止在溝道與源-漏區(qū)的接合部分處產(chǎn)生反向漏流，可以降低OFF時的電流。如果把這些柵極電極中的至少一個作成LDD結(jié)構(gòu)或偏移結(jié)構(gòu)，則可以進一步減小OFF電流，可以得到穩(wěn)定的開關(guān)元件。
(凹凸圖形的詳細結(jié)構(gòu))如圖6所示，在TFT陣列基板10中，在光反射膜8a的表面上形成具備凸部8b和凹部8c的凹凸圖形8g，在本實施例中，如圖4所示，將凹部8c和構(gòu)成該凹部8c的凹凸形成層13a表示為圓形的平面形狀。但是對于凹部8c和構(gòu)成該凹部8c的凹凸形成層13a來說，并不限于圓形，也可以采用橢圓形或多邊形等各種形狀。
在形成這樣的凹凸圖形8g時，本實施例的TFT陣列基板10中，如圖5所示，光反射膜8a的下層側(cè)內(nèi)，相當(dāng)于凹凸圖形8g的凸部8b的區(qū)域上，由透光性的感光性樹脂13構(gòu)成的凹凸形成層13a形成的較厚，而在相當(dāng)于凹部8c的區(qū)域上，則形成凹凸形成層13a薄的凹部13b，把光散射用的凹凸圖形8g賦予在其上層側(cè)形成的光反射膜8a的表面上。
在這里，凹凸形成層13a，表面變成沒有邊沿的、平緩的形狀。由此，即使直接將光反射膜8a疊層到凹凸形成層13a的上層上，也可以在光反射膜8a的表面上形成沒有邊沿的、平緩狀的凹凸圖形8g。
這樣的凹凸形成層13a，如后所述，是在涂敷正型的感光性樹脂13之后，通過曝光掩模對該感光性樹脂13進行半曝光、顯影和加熱的層。因此，在相當(dāng)于凹凸圖形8g的凹部8c的區(qū)域中，構(gòu)成凹凸形成層13a的感光性樹脂13一直到厚度的中間位置為止，進行曝光、顯影，其結(jié)果是變成感光性樹脂13未被完全除去且殘留的較薄的凹部13b。相對于此，在相當(dāng)于凹凸圖形8g的凸部8b的區(qū)域中，構(gòu)成凹凸形成層13a的感光性樹脂13未被曝光，厚度不變地殘留下來。另外，由于對進行了半曝光、顯影后的感光性樹脂13實施加熱處理，借助于該加熱處理，而將感光性樹脂13熔融的結(jié)果是，凹凸形成層13a就變成為沒有棱角部分、沒有邊沿的、平緩的形狀。
在這里，TFT陣列基板10中，在像素100a內(nèi)，存在著多層地形成有半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b的第1區(qū)10a，和雖然形成有漏電極6b，但未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f或電容線3b的第2區(qū)10b，及未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b中的任何一者的第3區(qū)10c，這些區(qū)域中，在第3區(qū)10c中，在2個地方，島狀地形成有與電容線3b或掃描線3b同層的高低差消除膜3f。即，在本實施例中，在挾持電容線3b兩側(cè)的2個地方(電容線3b和漏電極6b都未形成的區(qū)域)上形成有高低差消除膜3f。由此，由電容線3b和漏電極6b的有無所造成的高低差，就可以用高低差消除膜3f消除。另外，第1區(qū)10a、第2區(qū)10b和第3區(qū)10c，只存在著與半導(dǎo)體膜1a(延長部分1f)的膜厚相當(dāng)?shù)母叩筒?，由于該高低差顯著地小，故在第1區(qū)10a和第2區(qū)10b和第3區(qū)10c中幾乎沒有高低差。
(對向基板的結(jié)構(gòu))而且，對向基板20中，在與TFT陣列基板10上所形成的像素電極9a的縱橫邊界區(qū)域?qū)ο虻膮^(qū)域內(nèi)，形成被稱之為黑色矩陣，或者黑色條帶等的遮光膜23，在其上層側(cè)形成由ITO構(gòu)成的對向電極21。還有，在對向電極21的上層側(cè)，形成由聚酰亞胺膜構(gòu)成的取向膜22，該取向膜22是對聚酰亞胺膜施行了摩擦處理的膜。
(本實施例的作用、效果)在這種結(jié)構(gòu)的半透射反射式電光裝置100中，由于在像素電極9a的下層側(cè)形成有光反射膜8a，故在TFT陣列基板10側(cè)反射從對向基板20側(cè)入射的光，并用從對向基板20側(cè)出射的光顯示圖象(反射模式)。
此處，在TFT陣列基板10中，由于已選擇性地形成了與掃描線3a同層的電容線3b以及構(gòu)成柵極電極、TDT30的半導(dǎo)體膜1a，其延長部分1f、與數(shù)據(jù)線6a同層的漏電極6b，故如果在這些導(dǎo)電膜的形成層數(shù)中存在著差，就會形成相當(dāng)于其膜厚的高低差。然而，在本實施例中，在導(dǎo)電膜形成層數(shù)較少的區(qū)域中，即，在第3區(qū)10c中，形成與掃描線3a和電容線3b同層的高低差消除膜3f，借助于該高低差消除膜3f就可以在凹凸形成層13a的下層側(cè)消除高低差。因此，在后述的工序中，在對感光性樹脂13進行曝光以形成凹凸形成層13時，在第1區(qū)10a和第2區(qū)10b和第3區(qū)10c中的任何一個區(qū)域內(nèi)，也不會對感光性樹脂13產(chǎn)生曝光不均勻。
另外，若在具有高低差的區(qū)域上涂敷感光性樹脂13，則在高的區(qū)域內(nèi)感光性樹脂13形成得薄，而在低的區(qū)域內(nèi)感光性樹脂13形成得厚。因此，在曝光和顯影之后，加熱感光性樹脂，使之熔融以形成表面上具備凹凸的凹凸形成層13a時，存在著由于在高的區(qū)域內(nèi)感光性樹脂13薄，樹脂的下垂力小，形成比較大的凹凸；而在低的區(qū)域中，由于感光性樹脂13厚，樹脂的下垂力大，形成小的凹凸的傾向，但是，在本實施例中，這樣的問題也可以解決。
再有，在導(dǎo)電膜存在的區(qū)域和導(dǎo)電膜不存的區(qū)域存在的情況下，曝光時，雖然由于從導(dǎo)電膜反射過來的光的有無或強度而導(dǎo)致曝光不均勻，但是，在本實施例中，由于遍及像素的基本上整個區(qū)域形成有導(dǎo)電膜，故從這一點來說也不會發(fā)生曝光不均勻。另外，在導(dǎo)電膜存在的區(qū)域和導(dǎo)電膜不存在的區(qū)域同時存在的情況下，雖然因在熱傳導(dǎo)性上存在著差異而容易產(chǎn)生溫度不均一，但是，如果基本上整個區(qū)域形成導(dǎo)電膜，由于可以壓縮溫度不均一，故可以使感光性樹脂13的硬化速度均一化。
因此，根據(jù)實施例，由于可以象預(yù)料的那樣形成凹凸形成層13a，故可以在光反射膜8a的表面上形成所希望的凹凸圖形8g。
而且，如果像素電極9a的下層側(cè)存在高低差，雖然結(jié)果為液晶50的層厚在每一個區(qū)域中都不同，但是在本實施例中，由于可以消除高低差，故還具有提高顯示品位的優(yōu)點。
還有，在本實施例中，雖然說要形成高低差消除膜3f，但是由于與掃描線3a和電容線3b處于同一層，故可以與掃描線3a和電容線3b同時形成高低差消除膜3f，不需要追加新的工序。
再有，在本實施例中，凹凸形成層13a，由于膜厚平緩地變化，故其本身在表面上具備平緩的凹凸，即使不形成用來消除凹凸形成層13a邊沿的上層絕緣膜，也可以把沒有邊沿的、平緩的光散射用的凹凸圖形8g賦予在凹凸形成層13a的表面上。因此，如后所述，僅僅對感光性樹脂13進行一次曝光、顯影來形成凹凸形成層13a，就可以把具備平緩的表面形狀的光散射用的凹凸圖形賦予在光反射膜8a的表面上，所以可以提高電光裝置100的生產(chǎn)效率。
還有，在本實施例中，由于像素電極9a疊層到光反射膜8a的上層上，故可以顯示品位高的圖象。即，作為光反射膜8a，可以使用金屬膜，而在對向基板20側(cè)則可以用ITO等的透明導(dǎo)電膜形成對向電極21。因此，若在不同種類的材料之間配置液晶50，則在液晶50中會存在著產(chǎn)生極化取向的可能性，但是如果在光反射膜8a的上層上形成由ITO膜構(gòu)成的像素電極9a，由于可以防止在液晶50中產(chǎn)生極化取向，故可以提高所顯示的圖象的品位。
(TFT的制造方法)在這種結(jié)構(gòu)的電光裝置100的制造工序中，參照圖7～圖10對TFT陣列基板10的制造工序進行說明。圖7、圖8、圖9和圖10中的不論哪一個圖，都是本實施例的TFT陣列基板10的制造方法的工序剖面圖，不論在哪一個圖中，都相當(dāng)于圖4的A-A’線處的剖面。
首先，如圖7(A)所示，在準(zhǔn)備好用超聲波清洗等清洗后的玻璃等制的基板10’之后，在基板溫度為150到450℃的溫度條件下，利用CVD法，在基板10’的整個面上，形成由厚度300到500nm的硅氧化膜構(gòu)成的基底保護膜11。作為這時的原料氣體，例如，可以使用單硅烷與笑氣的混合氣體或TEOS與氧氣或乙硅烷與氨的混合氣體。
其次，在基底保護膜11的表面上形成島狀的半導(dǎo)體膜1a(有源層)。因此，在基板溫度為150到450℃的溫度條件下，在基板10’的整個面上，用等離子體CVD法形成由厚度為30到100nm的無定形的硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體膜之后，對半導(dǎo)體膜照射激光施行激光退火，在使無定形的半導(dǎo)體膜暫時熔融后，經(jīng)由冷卻固化過程使之結(jié)晶。此時，由于激光對各個區(qū)域的照射時間非常短，且照射區(qū)域相對整個基板來說也是局部的，故整個基板不會同時地被加熱到高溫。因此，作為基板10’即便是使用玻璃基板等，也不會因熱而產(chǎn)生變形或裂痕。其次，用光刻技術(shù)在半導(dǎo)體膜的表面上形成光刻膠掩模，利用該光刻膠掩模刻蝕半導(dǎo)體膜，來形成島狀的半導(dǎo)體膜1a。而且，作為形成半導(dǎo)體膜1a時的原料氣體，例如，可以使用乙硅烷或單硅烷。
再次，如圖7(B)所示，在350℃以下的溫度條件下，在基板10’的整個面上形成由厚度50到150nm的硅氧化膜構(gòu)成的柵極絕緣膜1。這時的原料氣體，例如，可以使用TEOS和氧氣的混合氣體。此處形成的柵極絕緣膜2，也可以是硅氮化膜而不是硅氧化膜。
再其次，雖然省略了圖示，但是通過規(guī)定的光刻膠掩模向半導(dǎo)體膜1a的延伸部分1f中注入雜質(zhì)離子，在與電容線3b之間形成用來構(gòu)成存儲電容60的下電極。
接著，如圖7(C)所示，形成掃描線3a(柵極電極)和電容線3b。而且，利用濺射法等在基板10’的整個面上形成厚度為300到800nm的鋁膜、鈦膜、鉬膜或以這些金屬為主要成分的合金膜構(gòu)成的導(dǎo)電膜之后，用光刻技術(shù)形成光刻膠掩模，通過光刻膠掩模干法刻蝕導(dǎo)電膜。
這時，在本實施例中，要將與掃描線3a和電容線3b同層的高低差消除膜3f形成為與掃描線3a和電容線3b分離開來的島狀。
其次，在像素TFT部和驅(qū)動電路的N溝道TFT部(未圖示)側(cè)，以掃描線3a(柵極電極)為掩模，以大約0.1×1013/cm2到10×1013/cm2的劑量注入低濃度的雜質(zhì)離子(磷離子)，自我匹配地形成低濃度源極區(qū)1b和低濃度的漏極區(qū)1c。在這里，由于位于掃描線3a的正下方，故那些未導(dǎo)入雜質(zhì)離子的部分就變成保持半導(dǎo)體膜1a的原狀的溝道區(qū)1a’。
再次，如圖8(D)所示，形成比掃描線3a(柵極電極)的寬度寬的光刻膠掩模555，以大約0.5×1015/cm2到10×1015/cm2的劑量注入高濃度的雜質(zhì)離子(磷離子)，形成高濃度源極區(qū)1d和高濃度漏極區(qū)1e。
也可以不用這些雜質(zhì)導(dǎo)入工序，不進行低濃度的雜質(zhì)注入，而代之以在形成寬度比柵極電極的寬度寬的光刻膠掩模的狀態(tài)下注入高濃度的雜質(zhì)(磷離子)，形成偏移結(jié)構(gòu)的源極區(qū)和漏極區(qū)。另外，當(dāng)然也可以以掃描線3a為掩模進行高濃度的離子注入，形成自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的源極區(qū)和漏極區(qū)。
而且，雖然省略了圖示，但利用這種工序可以形成周邊驅(qū)動電路部的N溝道TFT部。另外，形成周邊驅(qū)動電路部分的P溝道TFT部時，用光刻膠被覆保護像素部和N溝道TFT部，以柵極電極為掩模，以大約0.1×1015/cm2到10×1015/cm2的劑量注入硼離子，自我匹配地形成P溝道的源極、漏極區(qū)。此時，也可以與形成N溝道TFT部時相同，以柵極電極為掩模，以大約0.1×1013/cm2到10×1013/cm2的劑量注入低濃度的雜質(zhì)(硼離子)，在多晶硅膜中形成低濃度區(qū)后，形成寬度比柵極電極寬的掩模，以約0.1×1015/cm2到10×1015/cm2的劑量注入高濃度的雜質(zhì)(硼離子)，形成LDD結(jié)構(gòu)(輕摻雜漏極結(jié)構(gòu))的源極區(qū)和漏極區(qū)。再有，也可以不注入低濃度的雜質(zhì)，而在形成寬度比柵極電極寬的掩模的狀態(tài)下注入高濃度的雜質(zhì)(磷離子)，形成偏移結(jié)構(gòu)的源極區(qū)和漏極區(qū)。借助這些離子注入工序，CMOS化成為可能，周邊驅(qū)動電路內(nèi)置于同一基板內(nèi)成為可能。
接著，如圖8(E)所示，借助CVD法等在掃描線3a的表面?zhèn)刃纬捎珊穸?00到800nm的硅氧化膜構(gòu)成的層間絕緣膜4后，用光刻技術(shù)形成光刻膠掩模，通過該光刻膠掩模地對層間絕緣膜4進行刻蝕以形成接觸孔15、16。形成層間絕緣膜4時的原料氣體，例如，可以使用例如TEOS和氧氣之間的混合氣體。
再次，如8(F)所示，在層間絕緣膜4的表面?zhèn)刃纬蓴?shù)據(jù)線6a和漏電極6b。而且，用濺射法等形成厚度為300到800nm的鋁膜、鈦膜、鉬膜或以這些金屬為主要成分的合金膜構(gòu)成的導(dǎo)電膜后，用光刻技術(shù)形成光刻膠掩模，通過光刻膠掩模地對導(dǎo)電膜進行干法刻蝕。
在進行到到此為止的工序的時刻，TFT陣列基板10的表面，可以象圖5所示的那樣表示。
接下來，如圖8(G)所示，在數(shù)據(jù)線6a和漏電極6b上形成由厚度100到300nm的硅氮化膜構(gòu)成的表面保護膜14。而且，在該表面保護膜14上雖然也預(yù)先形成接觸孔17，但是，對于該接觸孔17來說，也可以在以后的工序中形成。
再次，如圖9(H)所示，采用旋轉(zhuǎn)涂敷法等，在表面保護膜14的表面上涂敷正型的感光性樹脂13后，通過曝光掩模200使感光性樹脂13曝光。此處，在曝光掩模200上，相當(dāng)于參照圖4和圖5說明的凹凸圖形8g的凹部8c的區(qū)域變?yōu)橥腹獠糠?10，在感光性樹脂13中，相當(dāng)于凹凸圖形8g的凹部8c的區(qū)域被選擇性地進行曝光。但是，此處進行的曝光，與一般曝光條件比較起來曝光時間短。因此，感光性樹脂13，曝光深度如用虛線所示的那樣，被曝光的僅僅是到厚度方向的中間位置。
其次，如圖9(I)所示，對感光性樹脂13進行顯影，除去感光性樹脂13中已曝光的部分。結(jié)果是，感光性樹脂13，在相當(dāng)于凹凸圖形8g的凹部8c的區(qū)域(已曝光的部分)內(nèi)形成凹部13b，而相當(dāng)于凹凸圖形8g的凸部8b的區(qū)域(未曝光的區(qū)域)則保持原來的厚度。
進行這種曝光時，在TFT陣列基板10上，雖然存在多層地形成了半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b的第1區(qū)域10a，和雖然形成漏電極6b，卻未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f或電容線3b的第2區(qū)域10b，和未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b中的任何一方的第3區(qū)域10c，但是，在這些區(qū)域中，在第3區(qū)域10c上，島狀地形成有與電容線3b或掃描線3a同層的高低差消除膜3f。因此，由于在第1區(qū)域10a、第2區(qū)域10b和第3區(qū)域10c之間不存在大的高低差，故對感光性樹脂13進行曝光時，在第1區(qū)域10a、第2區(qū)域10b和第3區(qū)域10c中的任何一個區(qū)域中，對于感光性樹脂13來說也不會發(fā)生曝光不均勻。另外，由于第1區(qū)域10a、第2區(qū)域10b和第3區(qū)域10c中，在下層側(cè)都具有導(dǎo)電膜，故在曝光時，也不會因從光反射膜反射過來的光的有無或強度的不均一而造成曝光不均勻。因此，感光性樹脂13中已曝光的深度，在第1區(qū)域10a、第2區(qū)域10b和第3區(qū)域10c中沒有不均一。
如此使感光性樹脂13顯影之后，對感光性樹脂13進行加熱處理，使感光性樹脂13熔融。其結(jié)果是如圖9(J)所示，感光性樹脂13的膜厚平緩地變化，對應(yīng)于該膜厚，在表面上形成具備平緩的凹凸的凹凸形成層13a。
而且，在凹凸形成層13a上，必須形成用來電氣連接像素電極9a和漏電極6b的接觸孔17。在形成這種接觸孔17的過程中，例如，在圖9(H)所示的曝光工序中，對于要形成接觸孔17的部分來說，可以采用交換曝光掩模200以延長曝光時間等的方法。
其次，如圖10(K)所示，在凹凸形成層13a的表面上形成光反射膜8a。而且，在凹凸形成層13a的表面上形成鋁等的金屬膜后，在其表面上，用光刻技術(shù)形成光刻膠掩模，通過該光刻膠掩模使金屬膜圖形化。
在這樣形成的光反射膜8a上，由于可以反映凹凸形成層13a的表面形狀，故在光反射膜8a的表面上，可以形成沒有邊沿的平緩的凹凸圖形8g。
接下來，如圖10(L)所示，在光反射膜8a的表面上形成像素電極9a。而且，用濺射法等在光反射膜8a的表面?zhèn)刃纬珊穸?0到200nm的ITO膜后，用光刻技術(shù)形成光刻膠掩模，通過該光刻膠掩模使ITO膜圖形化。
然后，如圖5所示，在像素電極9a的表面?zhèn)刃纬删埘啺纺?取向膜12)。而且，將乙二醇單丁醚(butyl cellusolve)或N-甲基吡咯烷酮(n-methylpyrrolidone)等的溶媒中溶解了5到10重量％的聚酰亞胺或聚酰胺酸的聚酰亞胺清漆苯胺印刷后，進行加熱、硬化(燒結(jié))。之后，用人造絲系纖維構(gòu)成的拋光布向恒定方向摩擦已形成聚酰亞胺膜的基板，使聚酰亞胺分子在表面附近排列在恒定方向上。其結(jié)果是，之后填充進來的液晶分子借助其與聚酰亞胺分子之間的相互作用排列在恒定方向上。
實施例2圖11是與在實施例2的電光裝置中使用的TFT陣列相鄰的多個像素群的平面圖。在該圖中用實線表示本實施例的特征部分。圖12是在相當(dāng)于11的B-B’線的位置處剖開電光裝置的一部分時的剖面圖。而且，本實施例的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)，由于與實施例1是相同的，故對那些具有共同功能的部分賦予同一符號進行圖示并省略其詳細說明。
如圖11和圖12所示，本實施例的TFT陣列基板10中，在光反射膜8a的表面上，也形成有具備凸部8b和凹部8c的凹凸圖形8g。另外，在構(gòu)成凹凸圖形8g時，在本實施例中，在光反射膜8a的下層側(cè)中，相當(dāng)于凹凸圖形8g的凸部8b的區(qū)域內(nèi)，也將由透光性的感光性樹脂13構(gòu)成的凹凸形成層13a形成得厚，而在相當(dāng)于凹部8c的區(qū)域內(nèi)，也形成凹凸形成層13a薄的凹部13b，將光散射用的凹凸圖形8g賦予在其上層側(cè)形成的光反射膜8a的表面上。還有，凹凸形成層13a，表面則變成為沒有邊沿的、平緩的形狀。因此，即使將光反射膜8a直接疊層到凹凸形成層13a的上層上，在光反射膜8a的表面上，也會形成沒有邊沿且平緩的形狀的凹凸圖形8g。這種凹凸形成層13a，就如在實施例1中所說明的那樣，是在涂敷正型的感光性樹脂13后，通過曝光掩模對該感光性樹脂13進行半曝光、顯影和加熱的層。
在本實施例中，TFT陣列基板10中，在像素100a內(nèi)，也存在著多層地形成了半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b的第1區(qū)10a，和雖然已形成漏電極6b，卻未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f或電容線3b的第2區(qū)10b，和未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b中的任何一者的第3區(qū)10c，在這些區(qū)域中，高低差消除膜朝向第3區(qū)10c地3f從電容線3b向兩側(cè)延伸設(shè)置。即，電容線3b通常要帶狀地通過像素區(qū)，而在本實施例中，電容線3b和高低差消除膜3f卻在盡可能地避開已形成漏電極6b的區(qū)域的同時，一體地在像素群100a的基本上整個區(qū)域內(nèi)形成。因此，因電容線3b或漏電極6b的有無所造成的高低差，就可以用高低差消除膜3f消除，在第1區(qū)10a、第2區(qū)10b和第3區(qū)10c之間沒有大的高低差。
而且，在本實施例中，漏電極6b向像素中央延伸的中途，與電容線3b進行交叉的部分處，由于電容線3b一部分已被切掉，故漏電極6b與電容線3b重疊的部分極窄。因此，多層地形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b的第1區(qū)10a較狹窄。由此，像素的基本上整個區(qū)域就被第2區(qū)10b和第3區(qū)10c占據(jù)，而且，在第2區(qū)10b和第3區(qū)10c之間沒有高低差。
再有，導(dǎo)電膜存在的區(qū)域和導(dǎo)電膜不存在的區(qū)域同時存在的情況下，曝光時，雖然因?qū)щ娔し瓷溥^來的光的有無或強度而造成曝光不均勻，但是，在本實施例中，由于遍及像素區(qū)域100a的基本上整個區(qū)域形成有導(dǎo)電膜，故從這一點來說也不會發(fā)生曝光不均勻。
因此，根據(jù)本實施例，在對感光性樹脂13進行半曝光以形成凹凸形成層13a時，在第1區(qū)10a、第2區(qū)10b和第3區(qū)10c中的任何一個區(qū)域內(nèi)感光性樹脂13都不會發(fā)生曝光不均勻。因此，由于可以象預(yù)料的那樣形成凹凸形成層13a，故可以在光反射膜8a的表面上形成所希望的凹凸圖形8g。
還有，在本實施例中，雖然要形成高低差消除膜3f，但是由于與掃描線3a和電容線3b處于同一層，故可以與掃描線3a和電容線3b同時形成高低差消除膜3f，不需要追加新的工序。
實施例3圖13是與在實施例3的電光裝置中使用的TFT陣列相鄰的多個像素群的平面圖。在該圖中用實線表示本實施例的特征部分。圖14是在相當(dāng)于13的C-C’線的位置處剖開電光裝置的一部分時的剖面圖。另外，本實施例的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)，由于與實施例1是相同的，故對那些具有共同功能的部分賦予同一符號進行圖示并省略其詳細說明。
如圖13和圖14所示，本實施例的TFT陣列基板10中，在光反射膜8a的表面上，也形成有具備凸部8b和凹部8c的凹凸圖形8g。另外，在構(gòu)成凹凸圖形8g時，在本實施例中，在光反射膜8a的下層側(cè)中，相當(dāng)于凹凸圖形8g的凸部8b的區(qū)域內(nèi)，也將由透光性的感光性樹脂13構(gòu)成的凹凸形成層13a形成得厚，而在相當(dāng)于凹部8c的區(qū)域內(nèi)，也形成凹凸形成層13a薄的凹部13b，將光散射用的凹凸圖形8g賦予在其上層側(cè)形成的光反射膜8a的表面上。還有，凹凸形成層13a，表面則變成為沒有邊沿且平緩的形狀。因此，即使將光反射膜8a直接疊層到凹凸形成層13a的上層上，在光反射膜8a的表面上，也會形成沒有邊沿且平緩的形狀的凹凸圖形8g。這種凹凸形成層13a，就如在實施例1中所說明的那樣，是在涂敷正型的感光性樹脂13后，通過曝光掩模對該感光性樹脂13進行半曝光、顯影和加熱的層。
在本實施例中，TFT陣列基板10中，在像素100a內(nèi)，也存在著多層地形成了半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b的第1區(qū)10a，和雖然形成漏電極6b，卻未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f或電容線3b的第2區(qū)10b，和未形成半導(dǎo)體膜1a的延長部分1f、電容線3b、漏電極6b中的任何一者的第3區(qū)10c，在這些區(qū)域中，在第3區(qū)10c內(nèi)，在2個地方島狀地形成了與數(shù)據(jù)線6a或漏電極6b同層的高低差消除膜6f。即，在本實施例中，在挾持電容線3b的兩側(cè)2個地方(電容線3b和漏電極6b都未形成的區(qū)域)上形成有高低差消除膜6f。因此，因電容線3b和漏電極6b的有無所造成的高低差，就可以用高低差消除膜6f消除掉，在第1區(qū)10a和第2區(qū)10b和第3區(qū)10c中幾乎沒有高低差。
另外，在導(dǎo)電膜存在的區(qū)域和導(dǎo)電膜不存在的區(qū)域同時存在的情況下，曝光時，雖然因?qū)щ娔し瓷溥^來的光的有無或強度而造成曝光不均勻，但是，在本實施例中，由于遍及像素區(qū)域100a的基本上整個區(qū)域形成有導(dǎo)電膜，故從這一點來說也不會發(fā)生曝光不均勻。
因此，根據(jù)本實施例，在對感光性樹脂13進行半曝光以形成凹凸形成層13a時，在第1區(qū)10a、第2區(qū)10b和第3區(qū)10c中的任何一個區(qū)域內(nèi)感光性樹脂13都不會發(fā)生曝光不均勻。因此，由于可以象預(yù)料的那樣形成凹凸形成層13a，故可以在光反射膜8a的表面上形成所希望的凹凸圖形8g。
還有，在本實施例中，雖然要形成高低差消除膜6f，但是由于與數(shù)據(jù)線6a和漏電極6處于同一層，故可以與數(shù)據(jù)線6a和漏電極6同時形成高低差消除膜6f，不需要追加新的工序。
實施例4圖15是與在實施例4的電光裝置中所使用的TFT陣列相鄰的多個像素群的平面圖。在該圖中用實線表示本實施例的特征部分。圖16是在相當(dāng)于15的D-D’線的位置處剖開電光裝置的一部分時的剖面圖。另外，本實施例的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)，由于與實施例1是相同的，故其對那些具有共同功能的部分賦予同一符號進行圖示并省略其詳細說明。
如圖15和圖16所示，在本實施例的TFT陣列基板10中，雖然TFT30的漏電極6b通過在層間絕緣膜4上形成的接觸孔16被電氣連接到高濃度漏極區(qū)1e上，但是，該漏電極6b和像素電極9a，卻通過與接觸孔16大體重疊的位置上形成的接觸孔17進行電氣連接。因此，漏電極6b，與實施例1不同的是，在極窄的區(qū)域內(nèi)形成，且與電容線3b不進行交叉。
另外，在本實施例中，在光反射膜8a的表面上，也形成有具備凸部8b和凹部8c的凹凸圖形8g。在構(gòu)成凹凸圖形8g時，在本實施例中，在光反射膜8a的下層側(cè)中，相當(dāng)于凹凸圖形8g的凸部8b的區(qū)域內(nèi)，也將由透光性的感光性樹脂13構(gòu)成的凹凸形成層13a形成得厚，而在相當(dāng)于凹部8c的區(qū)域內(nèi)，也形成凹凸形成層13a薄的凹部13b，并將光散射用的凹凸圖形8g賦予在其上層側(cè)形成的光反射膜8a的表面上。還有，凹凸形成層13a，表面則變成為沒有邊沿且平緩的形狀。因此，即使將光反射膜8a直接疊層到凹凸形成層13a的上層上，在光反射膜8a的表面上，也會形成沒有邊沿且平緩的形狀的凹凸圖形8g。這樣的凹凸形成層13a，就如在實施例1中所說明的那樣，是在涂敷正型的感光性樹脂13后，通過曝光掩模對該感光性樹脂13進行半曝光、顯影和加熱的層。
在本實施例的TFT陣列基板10中，由于漏電極6b在極其狹窄的區(qū)域內(nèi)形成，且不與電容線3b進行交叉，故不存在多層地形成了電容線3b和漏電極6b的區(qū)域。另外，朝向未形成漏電極3b和電容線3b中任何一者的區(qū)域10d，高低差消除膜3f從電容線3b向兩側(cè)延伸設(shè)置。即，電容線3b通常帶狀地通過像素區(qū)，而在本實施例中，電容線3b和高低差消除膜3f，在盡可能地避開已形成漏電極6b的區(qū)域的同時，一體地在像素群100a的基本上整個區(qū)域內(nèi)形成。因此，由電容線3的有無所造成的高低差，就可以用高低差消除膜3f消除，在大體上整個區(qū)域內(nèi)沒有大的高低差。
另外，在導(dǎo)電膜存在的區(qū)域和導(dǎo)電膜不存在的區(qū)域同時存在的情況下，曝光時，雖然因?qū)щ娔し瓷溥^來的光的有無或強度而造成曝光不均勻，但是，在本實施例中，由于遍及像素區(qū)域100a的基本上整個區(qū)域形成有導(dǎo)電膜，故從這一點來說也不會發(fā)生曝光不均勻。
因此，根據(jù)本實施例，在對感光性樹脂13進行半曝光以形成凹凸形成層13a時，在任何一個區(qū)域內(nèi)感光性樹脂13都不會發(fā)生曝光不均勻。因此，由于可以象預(yù)料的那樣形成凹凸形成層13a，故可以在光反射膜8a的表面上形成所希望的凹凸圖形8g。
還有，在本實施例中，雖然要形成高低差消除膜3f，但是由于與掃描線3a和電容線3b處于同一層，故可以與掃描線3a和電容線3b同時形成高低差消除膜3f，不需要追加新的工序。
實施例5圖17是與在實施例5的電光裝置中使用的TFT陣列相鄰的多個像素群的平面圖。在該圖中用實線表示本實施例的特征部分。圖18是在相當(dāng)于17的E-E’線的位置處剖開電光裝置的一部分時的剖面圖。另外，本實施例的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)，由于與實施例1相同，故對那些具有共同功能的部分賦予同一符號進行圖示并省略其詳細說明。
如圖17和圖18所示，在本實施例的TFT陣列基板10中，也是TFT30的漏電極6B通過在層間絕緣膜4上形成的接觸孔16被電氣連接到高濃度漏極區(qū)1e上，而該漏電極6b和像素電極9a，卻通過與接觸孔16大體重疊的位置上形成的接觸孔17進行電氣連接。因此，漏電極6b，與實施例1不同的是，在極窄的區(qū)域內(nèi)形成，且與電容線3b不進行交叉。
另外，在本實施例中，在光反射膜8a的表面上，也形成有具備凸部8b和凹部8c的凹凸圖形8g。在構(gòu)成凹凸圖形8g時，在本實施例中，也是在光反射膜8a的下層側(cè)中，相當(dāng)于凹凸圖形8g的凸部8b的區(qū)域內(nèi)，也將由透光性的感光性樹脂13構(gòu)成的凹凸形成層13a形成得厚，而在相當(dāng)于凹部8c的區(qū)域內(nèi)，也形成凹凸形成層13a薄的凹部13b，并將光散射用的凹凸圖形8g賦予在其上層側(cè)形成的光反射膜8a的表面上。還有，凹凸形成層13a，表面則變成為沒有邊沿的、平緩的形狀。因此，即使將光反射膜8a直接疊層到凹凸形成層13a的上層上，在光反射膜8a的表面上，也會形成沒有邊沿的、平緩的形狀的凹凸圖形8g。這樣的凹凸形成層13a，就如在實施例1中所說明的那樣，是在涂敷正型的感光性樹脂13后，通過曝光掩模對該感光性樹脂13進行半曝光、顯影和加熱的層。
在本實施例的TFT陣列基板10中，由于漏電極6b在極其狹窄的區(qū)域內(nèi)形成，且不與電容線3b進行交叉，故不存在多層地形成了電容線3b和漏電極6b的區(qū)域。另外，在未形成漏電極3b和電容線3b中任何一者的區(qū)域10d中，在2個地方，島狀地形成有與數(shù)據(jù)線6a或漏電極6b同層的高低差消除膜6f。即，在本實施例中，在把挾持電容線3b的兩側(cè)2個地方(電容線3b和漏電極6b都未形成的區(qū)域)上形成有高低差消除膜6f。因此，由電容線3的有無所造成的高低差，就可以用高低差消除膜6f消除，，在大體上整個區(qū)域中沒有大的高低差。
另外，在存在導(dǎo)電膜的區(qū)域和不存在導(dǎo)電膜的區(qū)域同時存在的情況下，曝光時，雖然因?qū)щ娔し瓷溥^來的光的有無或強度而導(dǎo)致曝光不均勻，但是，在本實施例中，由于遍及像素區(qū)域100a的基本上整個區(qū)域形成有導(dǎo)電膜，故從這一點來說也不會發(fā)生曝光不均勻。
因此，根據(jù)本實施例，在對感光性樹脂13進行半曝光以形成凹凸形成層13a時，在任何一個區(qū)域內(nèi)感光性樹脂13都不會發(fā)生曝光不均勻。因此，由于可以象預(yù)料的那樣形成凹凸形成層13a，故可以在光反射膜8a的表面上形成所希望的凹凸圖形8g。
再有，在本實施例中，雖然要形成高低差消除膜6f，但是由于與掃描線3a和電容線3b處于同一層，故可以與掃描線3a和電容線3b同時形成高低差消除膜6f，不需要追加新的工序。
實施例6圖19(A)、(B)中的任何一者，都是剖開本實用新型的實施例6的電光裝置的像素的一部分時的剖面圖。另外，本實施例的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)，由于與實施例1相同，故對那些具有共同功能的部分賦予同一符號進行圖示并省略其詳細說明。
在實施例1到5中，是形成作為高低差消除膜的導(dǎo)電膜的例子，而在本實施例中，如圖19(A)所示，作為高低差消除膜利用的是絕緣膜。
即，在本實施例中，也和實施例1相同，在光反射膜8a的表面上，也形成有具備凸部8b和凹部8c的凹凸圖形8g，而且，還選擇性地形成與掃描線3a同層的電容線3b以及構(gòu)成柵極電極、TFT30的半導(dǎo)體膜1a、其延長部分1f、與數(shù)據(jù)線6a同層的漏電極6b。因此，當(dāng)這些導(dǎo)電膜的形成層數(shù)存在差時，就會形成與導(dǎo)電膜的膜數(shù)或膜厚相當(dāng)?shù)母叩筒?。然而，在本實施例中，在?dǎo)電膜形成層數(shù)較少的區(qū)域，即，在第3區(qū)10c內(nèi)形成有與基底絕緣膜11同層的高低差消除膜11f，而在導(dǎo)電膜形成層數(shù)比第3區(qū)10c多的第2區(qū)10b內(nèi)，則不形成與基底保護膜11同層的絕緣膜。因此，在第2區(qū)10b和第3區(qū)10c中，借助于高低差消除膜11f，就可以消除凹凸形成層13a的下層側(cè)的高低差。
因此，在對感光性樹脂13進行曝光以形成凹凸形成層13a時，由于在第1區(qū)10a、第1區(qū)10b、和第3區(qū)10c中的任何一個區(qū)域內(nèi)，感光性樹脂13都不會發(fā)生曝光不均勻，故可以收到可以形成所希望的凹凸形成層13a等與實施例1同樣的效果。
其它的結(jié)構(gòu)，由于和實施例1是相同，故對那些具有共同功能的部分賦予同一符號進行圖示并省略其詳細說明。
而且，在圖19(A)中，作為高低差消除膜11f，雖然表示的是利用與基底保護膜11同層的絕緣膜的例子，但是，如圖19(B)所示，在不形成基底保護膜11的情況下，也可以形成作為高低差消除膜11f的絕緣膜。此外，另形成由絕緣膜構(gòu)成的高低差消除膜時，例如，也可以選擇性地形成層間絕緣膜4。
實施例7圖20是剖開本實用新型的實施例7的電光裝置的像素的一部分時的剖面圖。另外，本實施例的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)，由于與實施例1相同，故對那些具有共同功能的部分賦予同一符號進行圖示并省略其詳細說明。
如圖20所示，在本實施例中，也可以在光反射膜8a的表面上，在構(gòu)成具備凸部8b和凹部8c的凹凸圖形8g時，用規(guī)定的圖形使感光性樹脂13完全曝光并選擇性地剩下凹凸形成層13a，借助凹凸形成層13a的有無，把凹凸圖形8g賦予在光反射膜8a的表面上。在這種情況下，由于凹凸形成層13a上會產(chǎn)生邊沿，故在凹凸形成層13a的層上再涂敷并形成另外1層由流動性高的感光性樹脂構(gòu)成的上層絕緣膜7a后，在其上層一側(cè)形成光反射膜8a。
在這種實施例中，也可以應(yīng)用本實用新型。即，雖然圖示和說明被省略，但是若凹凸形成層13a的下層側(cè)存在高低差就會產(chǎn)生曝光不均勻，故要形成在實施例1到5中所說明的高低差消除膜。
實施例8圖21是剖開本實用新型的實施例7的電光裝置的像素的一部分時的剖面圖。另外，本實施例的電光裝置的基本結(jié)構(gòu)，由于與實施例1相同，故對那些具有共同功能的部分賦予同一符號進行圖示并省略其詳細說明。
實施例1到7，是在像素的基本上整個區(qū)域上形成光反射膜8a的全反射型的電光裝置100的例子，如圖21所示，只要在光反射膜8上形成光透過窗口8d，而且，對凹凸形成層13a來說，只要避開光透過窗口8d而形成，就可以構(gòu)成半透射反射式的電光裝置100。即，由于在相當(dāng)于光透過窗口8d的部分上，雖然存在由ITO膜構(gòu)成的像素電極9a，但卻不存在光反射膜8a，故只要把背光源裝置(未畫出來)配置在TFT陣列基板10側(cè)，使從該背光源裝置射出的光從TFT陣列基板10側(cè)入射，則向未形成光反射膜8a的光透過窗口8d前進的光，就通過光透過窗口8d在對向基板20側(cè)透過，而參與顯示(透過模式)。
在這種實施例中，也可以應(yīng)用本實用新型。即，雖然省略了圖示和說明，但是若凹凸形成層13a的下層側(cè)存在高低差就會產(chǎn)生曝光不均勻，故要形成在實施例1到5中所說明的高低差消除膜。但是，就如先前也說明過的那樣，理想的是在光透過窗口的區(qū)域不形成高低差消除膜。
其它實施例在上述實施例中，雖然將像素電極9a疊層到光反射膜8a的上層，但在液晶50的極化取向不會成為問題的情況下，也可以把像素電極9a疊層到光反射膜8a的下層側(cè)。
另外，在全反射型的電光裝置100中，也可以僅僅把光反射膜8a用做像素電極而不形成像素電極9a。
再有，在上述實施例中，雖然說明的是作為像素切換用的有源元件而使用TFT的例子，但是，在作為有源元件使用MIM(金屬-絕緣體-金屬)元件等的薄膜二極管元件(TFD元件)的情況下，也是同樣的。
電子設(shè)備中電光裝置的應(yīng)用這樣構(gòu)成的半透射反射式的電光裝置100，可以用做各種電子設(shè)備的顯示部分，參照圖22、圖23和圖24說明其中一個例子。
圖22表示的是將本實用新型的電光裝置用做顯示裝置的電子設(shè)備的電路結(jié)構(gòu)框圖。
在圖22中，電子設(shè)備具有顯示信息輸出源70，顯示信息處理電路71，電源電路72，定時產(chǎn)生器73，和液晶裝置74。另外，液晶裝置74具有液晶顯示面板75及驅(qū)動電路76。作為液晶裝置74，可以使用上述電光裝置100。
顯示信息輸出源70具備ROM(唯讀存儲器)、RAM(讀寫存儲器)等存儲器，各種磁盤(disk)等存儲單元、同步輸出數(shù)字圖象的同步電路等，根據(jù)定時產(chǎn)生器73產(chǎn)生的各種時鐘信號，向顯示信息處理電路71提供規(guī)定格式的圖象信號等顯示信息。
顯示信息處理電路71，具備串-并變換電路。放大、反轉(zhuǎn)電路、旋轉(zhuǎn)電路、灰度系數(shù)修正電路、箝位電路等各種眾所周知的電路，執(zhí)行所輸入的顯示信息的處理，將該圖象信號與時鐘信號CLK一起提供給驅(qū)動電路76。電源電路72則向各構(gòu)成元件提供規(guī)定的電壓。
圖23表示的是作為本實用新型相關(guān)的電子設(shè)備的一個實施例的便攜式個人計算機。這里所示的個人計算機80，具有具備鍵盤81的本體部分82和液晶顯示單元83。液晶顯示單元83的結(jié)構(gòu)中含有上述電光裝置100。
圖24表示的是作為本實用新型的電子設(shè)備的另一個例子的行動電話。這里所示的行動電話90具有由多個操作按鍵91和上述電光裝置100構(gòu)成的顯示部分。
如上所述，本實用新型相關(guān)的反射式電光裝置中，如果構(gòu)成各種布線和有源元件的導(dǎo)電膜的形成層數(shù)存在差，則會形成相當(dāng)于該膜厚的高低差、臺階，但是，在本實用新型中，由于在導(dǎo)電膜的形成層數(shù)較少的區(qū)域上形成高低差消除膜，故借助該高低差消除膜，在凹凸形成層的下層側(cè)，就可以消除高低差、臺階。因此，在對感光性樹脂進行曝光以形成凹凸形成層時，由于在高處部分和低處部分之間不存在顯著的高低差，故不會發(fā)生曝光不均勻。另外，若在具有高低差的區(qū)域上涂敷感光性樹脂，由于在高的區(qū)域內(nèi)感光性樹脂形成得薄，而在低的區(qū)域內(nèi)感光性樹脂形成得厚，故曝光和顯影后，加熱感光性樹脂，使之熔融以形成在表面上具備凹凸的凹凸形成層時，由于高的區(qū)域內(nèi)感光性樹脂薄，樹脂的下垂力小，故存在形成比較大的凹凸的傾向，但在本實用新型中，這樣的問題也可以消除。因此，由于可以形成預(yù)料的凹凸形成層，故可以在光反射膜的表面上形成所希望的凹凸圖形。還有，由于高低差消除膜可以由構(gòu)成布線的導(dǎo)電膜、構(gòu)成有源元件的導(dǎo)電膜、或絕緣膜形成，故形成高低差消除膜時不需要追加制造工序。再有，雖然像素電極的下層側(cè)若存在高低差，則結(jié)果就成為液晶等電光物質(zhì)的層厚在每一個區(qū)域內(nèi)都不同，但是在本實用新型中，由于已消除了高低差，故還具有提高顯示品位的優(yōu)點。
權(quán)利要求1.一種反射式電光裝置，在挾持電光物質(zhì)的基板上，按每個像素至少形成有電連到一個或多個布線上的象素切換用的有源元件和光反射膜，在該光反射膜的下層側(cè)、與該光反射膜平面重疊的區(qū)域上，形成了將規(guī)定的凹凸圖形賦予上述光反射膜的表面的凹凸形成層的反射式電光裝置中，其特征在于在上述凹凸形成層的下層側(cè)、與該凹凸形成層平面重疊的區(qū)域內(nèi)，形成用來消除由于形成上述有源元件的導(dǎo)電膜的有無所造成的高低差的高低差消除膜，在該高低差消除膜中，形成有構(gòu)成上述布線的導(dǎo)電膜、構(gòu)成上述有源元件的導(dǎo)電膜、和絕緣膜中的至少一層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式電光裝置，其特征在于上述高低差消除膜，與構(gòu)成上述布線的導(dǎo)電膜、或構(gòu)成上述有源元件的導(dǎo)電膜同時形成于同一層內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式電光裝置，其特征在于上述高低差消除膜，通過被選擇性地形成于形成上述有源元件的導(dǎo)電膜的形成層數(shù)少的區(qū)域內(nèi)，消除了上述高低差。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式電光裝置，其特征在于上述有源元件是與作為上述布線的掃描線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；在上述高低差消除膜中，含有與上述掃描線同時形成于同一層的導(dǎo)電膜、和與上述數(shù)據(jù)線同時形成于同一層的導(dǎo)電膜中的至少一層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式電光裝置，其特征在于上述有源元件是與作為上述布線的掃描線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管，并且，在上述象素中，形成有用來構(gòu)成存儲電容的電容線，在上述高低差消除膜中，含有與上述掃描線同時形成于同一層的導(dǎo)電膜、與上述電容線同時形成于同一層的導(dǎo)電膜，和與上述數(shù)據(jù)線同時形成于同一層的導(dǎo)電膜中的至少一層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反射式電光裝置，其特征在于上述高低差消除膜，被與構(gòu)成上述布線或上述有源元件的導(dǎo)電膜分離開來形成為島狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反射式電光裝置，其特征在于上述高低差消除膜，被從構(gòu)成上述布線或上述有源元件的導(dǎo)電膜延伸設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層，由在表面上具備與平緩的膜厚變化對應(yīng)的凹凸的感光性樹脂構(gòu)成，在上述光反射膜的表面上，反映形成于上述凹凸形成層的表面上的凹凸地形成有上述凹凸圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層是通過對感光性樹脂的曝光掩模的半曝光和顯影來形成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層，由選擇性地形成規(guī)定的圖形的感光性樹脂構(gòu)成，在上述光反射膜的表面上，對應(yīng)上述凹凸形成層的有無形成有上述凹凸圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層是通過對感光性樹脂的曝光掩模的半曝光和顯影來形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的反射式電光裝置，其特征在于在上述凹凸形成層的上層上形成有上層絕緣膜，在上述光反射膜的表面上，使該上層絕緣膜介于中間反映上述凹凸形成層所構(gòu)成的凹凸地形成有上述凹凸圖形。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層，形成于上述象素的基本上整個區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式電光裝置，其特征在于在上述光反射膜上形成有光透過窗口。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式電光裝置，其特征在于在上述光反射膜上形成有光透過窗口，避開與該光透過窗口平面重疊的區(qū)域形成有上述高低差消除膜。
16.一種反射式電光裝置，在挾持電光物質(zhì)的基板上，按每個像素至少形成有電連到一個或多個布線上的象素切換用的有源元件和光反射膜，在該光反射膜的下層側(cè)、與該光反射膜平面重疊的區(qū)域上，形成了將規(guī)定的凹凸圖形賦予上述光反射膜的表面的凹凸形成層的反射式電光裝置中，其特征在于在上述凹凸形成層的下層側(cè)、與該凹凸形成層平面重疊的區(qū)域內(nèi)，形成有與其它的區(qū)域電絕緣的島狀圖形，該島狀圖形，由構(gòu)成上述布線的導(dǎo)電膜、和構(gòu)成上述有源元件的導(dǎo)電膜之中的至少一層形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層，是由在表面上具備與平緩的膜厚變化對應(yīng)的凹凸的感光性樹脂構(gòu)成的，在上述光反射膜的表面上，反映形成于上述凹凸形成層的表面上形成的凹凸地形成有上述凹凸圖形。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層是通過對感光性樹脂的曝光掩模的半曝光和顯影來形成的。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層，由選擇性地形成為規(guī)定的圖形上的感光性樹脂構(gòu)成，在上述光反射膜的表面上，對應(yīng)上述凹凸形成層的有無形成有上述凹凸圖形。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層是通過對感光性樹脂的曝光掩模的半曝光和顯影來形成的。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的反射式電光裝置，其特征在于在上述凹凸形成層的上層上形成有上層絕緣膜，在上述光反射膜的表面上，通過該上層絕緣膜反映上述凹凸形成層所構(gòu)成的凹凸地形成有上述凹凸圖形。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的反射式電光裝置，其特征在于上述凹凸形成層，形成于遍及上述象素的基本上整個區(qū)域。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的反射式電光裝置，其特征在于在上述光反射膜上形成有光透過窗口。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的反射式電光裝置，其特征在于在上述光反射膜上形成有光透過窗口，避開與該光透過窗口平面重疊的區(qū)域形成有上述島狀圖形。
25.根據(jù)權(quán)利要求1-24中的任一項所述的反射式電光裝置，其特征在于上述電光物質(zhì)為液晶。
26.一種電子設(shè)備，其特征在于作為顯示裝置具有權(quán)利要求1-24中的任一項所規(guī)定的反射式電光裝置。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的反射式電光裝置，其特征在于上述電光物質(zhì)為液晶。
專利摘要提供借助預(yù)先使凹凸形成層的下層側(cè)的狀態(tài)均一化，在利用光刻技術(shù)形成凹凸形成層時，凹凸形狀上不會產(chǎn)生不均一的反射式電光裝置和電子設(shè)備。在反射式電光裝置的TFT陣列基板(10)中，用來把凹凸圖形賦予在光反射膜(8a)上的凹凸形成層(13a)，采用對感光性樹脂(13)進行半曝光、顯影和加熱的辦法形成。由于在凹凸形成層(13a)的下層側(cè)，高低差、臺階已借助高低差消除膜(3f)被消除，故可以適當(dāng)?shù)貙Ω泄庑詷渲?13)進行曝光。另外，由于高低差已消除，感光性樹脂(13)的厚度不均一度小，故凹凸形狀的不均一度也較小。
文檔編號G02F1/13GK2685924SQ0323634
公開日2005年3月16日 申請日期2003年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月23日
發(fā)明者二村徹 申請人:精工愛普生株式會社