技術(shù)特征：
1.一種曝光裝置，用于將電路圖形投影于涂有光刻膠的硅片上，其特征在于，包括整機(jī)框架系統(tǒng)、傳輸系統(tǒng)以及設(shè)置在所述整機(jī)框架系統(tǒng)內(nèi)部的曝光系統(tǒng)、運(yùn)動(dòng)臺(tái)系統(tǒng)、測(cè)量系統(tǒng)和對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，所述曝光系統(tǒng)用于將電路圖形投影于所述硅片上，包括照明模塊、物鏡及燈室，所述物鏡采用放大倍率，所述運(yùn)動(dòng)臺(tái)系統(tǒng)包括掩模臺(tái)和工件臺(tái)，所述掩模臺(tái)和工件臺(tái)分別用于承載掩模版和硅片，所述掩模臺(tái)的長(zhǎng)行程采用粗微動(dòng)結(jié)構(gòu)，所述工件臺(tái)上還設(shè)有反力外引機(jī)構(gòu)，所述測(cè)量系統(tǒng)用于測(cè)量工件臺(tái)及掩模臺(tái)長(zhǎng)行程的相對(duì)運(yùn)動(dòng)距離，所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)用于測(cè)量所述掩模版、掩模臺(tái)和工件臺(tái)三者之間的相對(duì)位置，所述傳輸系統(tǒng)用于所述掩模版及硅片的交換工作；所述整機(jī)框架系統(tǒng)包括減振器系統(tǒng)以及由所述減振器系統(tǒng)分隔開的內(nèi)部框架和外部框架；所述運(yùn)動(dòng)臺(tái)系統(tǒng)還包括工件臺(tái)長(zhǎng)行程電機(jī)定子，所述反力外引機(jī)構(gòu)包括兩個(gè)工件臺(tái)反力外引支架、彈簧和緩沖器，所述兩個(gè)工件臺(tái)反力外引支架間隔設(shè)置于所述整機(jī)框架系統(tǒng)的外部框架上，所述工件臺(tái)長(zhǎng)行程電機(jī)定子的一端通過所述彈簧與一工件臺(tái)反力外引支架連接，另一端通過所述緩沖器與另一工件臺(tái)反力外引支架連接，所述工件臺(tái)在所述工件臺(tái)長(zhǎng)行程電機(jī)定子上運(yùn)動(dòng)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述曝光裝置，其特征在于，所述物鏡的放大倍率為1：2。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述曝光裝置，其特征在于，還包括環(huán)境控制系統(tǒng)，所述環(huán)境控制系統(tǒng)用于控制該曝光裝置中整機(jī)框架系統(tǒng)、傳輸系統(tǒng)、曝光系統(tǒng)、運(yùn)動(dòng)臺(tái)系統(tǒng)、測(cè)量系統(tǒng)和對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的溫度、濕度、壓力和潔凈度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述曝光裝置，其特征在于，所述燈室提供的光源經(jīng)所述照明模塊濾波、勻光和擴(kuò)束后，照射到所述掩模版上，光束接收所述掩模版上的掩模信息后經(jīng)所述物鏡照射到所述硅片上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述曝光裝置，其特征在于，所述內(nèi)部框架包括吊框、主基板、掩模臺(tái)支架和照明支架，所述減振器系統(tǒng)設(shè)置于所述外部框架上，所述吊框設(shè)置于所述減振器系統(tǒng)上，所述主基板設(shè)置于所述吊框上，所述掩模臺(tái)支架設(shè)置于所述主基板上，所述照明支架設(shè)置于所述掩模臺(tái)支架上，所述吊框用于承載所述工件臺(tái)，所述物鏡穿設(shè)于所述掩模臺(tái)支架與主基板中，所述掩模臺(tái)支架用于承載所述掩模臺(tái)，所述照明支架用于承載所述照明模塊。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述曝光裝置，其特征在于，所述主基板為“橋”式結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述曝光裝置，其特征在于，所述主基板部分鏤空。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述曝光裝置，其特征在于，所述主基板的鏤空處填充阻尼材料。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述曝光裝置，其特征在于，所述阻尼材料為樹脂或橡膠。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述曝光裝置，其特征在于，所述減振器系統(tǒng)包括四個(gè)減振器，分別設(shè)置于所述外部框架的四角。11.根據(jù)權(quán)利要求5所述曝光裝置，其特征在于，所述減振器系統(tǒng)根據(jù)所述工件臺(tái)及掩模臺(tái)提供的水平向加速信號(hào)和位置信號(hào)對(duì)所述內(nèi)部框架做前饋補(bǔ)償。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述曝光裝置，其特征在于，還包括調(diào)平墊鐵，所述調(diào)平墊鐵設(shè)置于所述外部框架下，所述調(diào)平墊鐵用于調(diào)平所述運(yùn)動(dòng)臺(tái)系統(tǒng)。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述曝光裝置，其特征在于，所述測(cè)量系統(tǒng)包括掩模臺(tái)激光干涉儀和工件臺(tái)激光干涉儀，所述掩模臺(tái)激光干涉儀和工件臺(tái)激光干涉儀分別用于測(cè)量所述掩模臺(tái)和工件臺(tái)的長(zhǎng)行程相對(duì)運(yùn)動(dòng)距離。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述曝光裝置，其特征在于，所述測(cè)量系統(tǒng)還包括掩模臺(tái)參考光激光干涉儀，所述掩模臺(tái)參考光激光干涉儀輔助所述掩模臺(tái)激光干涉儀進(jìn)行掩模臺(tái)長(zhǎng)行程的相對(duì)運(yùn)動(dòng)距離測(cè)量。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述曝光裝置，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)包括同軸對(duì)準(zhǔn)傳感器、離軸對(duì)準(zhǔn)傳感器、調(diào)平調(diào)焦傳感器和掩模臺(tái)垂向電容傳感器，所述同軸對(duì)準(zhǔn)傳感器用于確定所述工件臺(tái)相對(duì)于所述掩模臺(tái)的水平向位置關(guān)系，所述離軸對(duì)準(zhǔn)傳感器用于確定所述工件臺(tái)相對(duì)于所述硅片的位置關(guān)系，所述調(diào)平調(diào)焦傳感器用于檢測(cè)所述硅片的垂向位置，所述掩模臺(tái)垂向電容傳感器用于檢測(cè)所述掩模版的垂向位置。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述曝光裝置，其特征在于，所述傳輸系統(tǒng)包括掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)和硅片傳輸系統(tǒng)，所述掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)用于所述掩模版的上下片交換，所述硅片傳輸系統(tǒng)用于所述硅片的上下片交換。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述曝光裝置，其特征在于，所述掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)包括掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手和掩模版庫，所述掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手將所述掩模臺(tái)上的掩模版與所述掩模版庫中的掩模版進(jìn)行交換。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述曝光裝置，其特征在于，所述硅片傳輸系統(tǒng)包括硅片傳輸機(jī)械手、硅片預(yù)對(duì)準(zhǔn)臺(tái)和硅片庫，所述硅片預(yù)對(duì)準(zhǔn)臺(tái)使所述硅片傳輸機(jī)械手對(duì)準(zhǔn)所述工件臺(tái)上的硅片，所述硅片傳輸機(jī)械手將所述工件臺(tái)上的硅片與所述硅片庫中的硅片進(jìn)行交換。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述曝光裝置，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)還包括掩模版預(yù)對(duì)準(zhǔn)傳感器，所述掩模版預(yù)對(duì)準(zhǔn)傳感器用于檢測(cè)交換掩模版時(shí)所述掩模版相對(duì)于所述掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手的位置關(guān)系。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述曝光裝置，其特征在于，所述對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)還包括硅片二次預(yù)對(duì)準(zhǔn)傳感器，所述硅片二次預(yù)對(duì)準(zhǔn)傳感器用于檢測(cè)交換硅片時(shí)所述硅片相對(duì)于所述硅片傳輸機(jī)械手的位置關(guān)系。