本發(fā)明涉及光刻領(lǐng)域，尤其涉及一種曝光裝置。

背景技術(shù)：
先進(jìn)的超大規(guī)模集成電路的制造過程是一個龐大的系統(tǒng)工程，它包括五個制造階段：硅片制備、硅片制造、硅片測試、裝配與封裝、終測。硅片制造階段是將一整套集成電路永久刻蝕在硅片上的過程，它包括硅片清洗、成膜、光刻、刻蝕、摻雜等工序，其中光刻被認(rèn)為是大規(guī)模集成電路制造中的核心步驟。光刻機(jī)即是硅片制造階段用于光刻的一種曝光裝置，它是利用光學(xué)投影成像的原理將掩模版上的高分辨率圖形成像在涂膠硅片上。隨著大規(guī)模集成電路器件集成度的提高，光刻工作分辨力要求愈來愈高，即要求光刻機(jī)整機(jī)機(jī)械系統(tǒng)及曝光系統(tǒng)的穩(wěn)定性越來越高，測量系統(tǒng)和運動平臺的精度也越來越高，同時工作波長也愈來愈短。提高光刻工作分辨率的同時，不能造成產(chǎn)率的損失，以免影響設(shè)備的經(jīng)濟(jì)性能。于2005年公開的公開號為CN1617048A的發(fā)明專利公布了一種曝光裝置，該曝光裝置通過使用一種特殊的材料，比如具有高熱膨脹系數(shù)、高可制造性、低成本、短加工周期的鋁合金，同時在曝光裝置的框架結(jié)構(gòu)內(nèi)增加冷卻循環(huán)管路，增加溫度控制環(huán)路等措施，實現(xiàn)對框架溫度變化的高精度控制，從而提高整機(jī)機(jī)械系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性、曝光系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性及測量系統(tǒng)的精度，但該曝光裝置只是通過增加其熱穩(wěn)定性來提高其曝光精度，而沒有從曝光裝置的其他方面著手來對曝光裝置的曝光精度進(jìn)行補(bǔ)償，也沒有提供可增加其曝光效率的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是提供一種曝光裝置，在增大曝光視場、減小框架穩(wěn)定時間、提高產(chǎn)率等方面提供了一些解決方案，以提高曝光裝置的曝光精度，增加曝光裝置的曝光效率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種曝光裝置，其用于將電路圖形投影于涂有光刻膠的硅片上，所述曝光裝置包括整機(jī)框架系統(tǒng)、傳輸系統(tǒng)以及設(shè)置在所述整機(jī)框架系統(tǒng)內(nèi)部的曝光系統(tǒng)、運動臺系統(tǒng)、測量系統(tǒng)和對準(zhǔn)系統(tǒng)，所述曝光系統(tǒng)用于將電路圖形投影于所述硅片上，包括照明模塊、物鏡及燈室，所述物鏡采用放大倍率，所述運動臺系統(tǒng)包括掩模臺和工件臺，所述掩模臺和工件臺分別用于承載掩模版和硅片，所述掩模臺長行程采用粗微動結(jié)構(gòu)，所述工件臺上還設(shè)有反力外引機(jī)構(gòu)，所述測量系統(tǒng)用于測量工件臺及掩模臺長行程的相對運動距離，所述對準(zhǔn)系統(tǒng)用于測量所述掩模版、掩模臺和工件臺三者之間的相對位置，所述傳輸系統(tǒng)用于所述掩模版及硅片的交換工作。進(jìn)一步的，所述物鏡的放大倍率為1：2。進(jìn)一步的，所述曝光裝置還包括環(huán)境控制系統(tǒng)，所述環(huán)境控制系統(tǒng)用于控制該曝光裝置中的其他系統(tǒng)的溫度、濕度、壓力和潔凈度。進(jìn)一步的，所述燈室提供的光源經(jīng)所述照明模塊濾波、勻光、擴(kuò)束后，照射到所述掩模版上，光束接收所述掩模版上的掩模信息后經(jīng)所述物鏡照射到所述硅片上。進(jìn)一步的，所述整機(jī)框架系統(tǒng)包括減振器系統(tǒng)以及由所述減振器系統(tǒng)分隔開的內(nèi)部框架和外部框架。進(jìn)一步的，所述運動臺系統(tǒng)還包括工件臺長行程電機(jī)定子，所述反力外引機(jī)構(gòu)包括兩個工件臺反力外引支架、彈簧和緩沖器，所述兩個工件臺反力外引支架間隔設(shè)置于所述整機(jī)框架系統(tǒng)的外部框架上，所述工件臺長行程電機(jī)定子的兩端分別通過所述彈簧和緩沖器與所述兩個工件臺反力外引支架連接，所述工件臺在所述工件臺長行程電機(jī)定子上運動。進(jìn)一步的，所述內(nèi)部框架包括吊框、主基板、掩模臺支架和照明支架，所述減振器系統(tǒng)設(shè)置于所述外部框架上，所述吊框設(shè)置于所述減振器系統(tǒng)上，所述主基板設(shè)置于所述吊框上，所述掩模臺支架設(shè)置于所述主基板上，所述照明支架設(shè)置于所述掩模臺支架上，所述吊框用于承載所述工件臺，所述物鏡穿設(shè)于所述掩模臺支架與主基板中，所述掩模臺支架用于承載所述掩模臺，所述照明支架用于承載所述照明模塊。進(jìn)一步的，所述主基板為“橋”式結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述主基板部分鏤空。進(jìn)一步的，所述主基板的鏤空處填充阻尼材料。進(jìn)一步的，所述阻尼材料為樹脂或橡膠。進(jìn)一步的，所述減振器系統(tǒng)包括四個減振器，分別設(shè)置于所述外部框架的四角。進(jìn)一步的，所述減振器系統(tǒng)根據(jù)所述工件臺及掩模臺提供的水平向加速信號和位置信號對所述內(nèi)部框架做前饋補(bǔ)償。進(jìn)一步的，所述運動臺系統(tǒng)還包括調(diào)平墊鐵，所述調(diào)平墊鐵設(shè)置于所述外部框架下，所述調(diào)平墊鐵用于調(diào)平所述運動臺系統(tǒng)。進(jìn)一步的，所述測量系統(tǒng)包括掩模臺激光干涉儀和工件臺激光干涉儀，所述掩模臺激光干涉儀和工件臺激光干涉儀分別用于測量所述掩模臺和工件臺的長行程相對運動距離。進(jìn)一步的，所述測量系統(tǒng)還包括掩模臺參考光激光干涉儀，所述掩模臺參考光激光干涉儀輔助所述掩模臺激光干涉儀進(jìn)行掩模臺長行程的相對運動距離測量。進(jìn)一步的，所述對準(zhǔn)系統(tǒng)包括同軸對準(zhǔn)傳感器、離軸對準(zhǔn)傳感器、調(diào)平調(diào)焦傳感器和掩模臺垂向電容傳感器，所述同軸對準(zhǔn)傳感器用于確定所述工件臺相對于所述掩模臺的水平向位置關(guān)系，所述離軸對準(zhǔn)傳感器用于確定所述工件臺相對于所述硅片的位置關(guān)系，所述調(diào)平調(diào)焦傳感器用于檢測所述硅片的垂向位置，所述掩模臺垂向電容傳感器用于檢測所述掩模版的垂向位置。進(jìn)一步的，所述傳輸系統(tǒng)包括掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)和硅片傳輸系統(tǒng)，所述掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)用于所述掩模版的上下片交換，所述硅片傳輸系統(tǒng)用于所述硅片的上下片交換。進(jìn)一步的，所述掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)包括掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手和掩模版庫，所述掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手將所述掩模臺上的掩模版與所述掩模版庫中的掩模版進(jìn)行交換。進(jìn)一步的，所述硅片傳輸系統(tǒng)包括硅片傳輸機(jī)械手、硅片預(yù)對準(zhǔn)臺和硅片庫，所述硅片預(yù)對準(zhǔn)臺使所述硅片傳輸機(jī)械手對準(zhǔn)所述工件臺上的硅片，所述硅片傳輸機(jī)械手將所述工件臺上的硅片與所述硅片庫中的硅片進(jìn)行交換。進(jìn)一步的，所述對準(zhǔn)系統(tǒng)還包括掩模版預(yù)對準(zhǔn)傳感器，所述掩模版預(yù)對準(zhǔn)傳感器用于檢測交換掩模版時所述掩模版相對于所述掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手的位置關(guān)系。進(jìn)一步的，所述對準(zhǔn)系統(tǒng)還包括硅片二次預(yù)對準(zhǔn)傳感器，所述硅片二次預(yù)對準(zhǔn)傳感器用于檢測交換硅片時所述硅片相對于所述硅片傳輸機(jī)械手的位置關(guān)系。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明提供的曝光裝置相對于現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于：(1)該曝光裝置采用框架結(jié)構(gòu)，具備高剛度、輕量化的特點，能夠提供該曝光裝置所需的精度及穩(wěn)定度；(2)該曝光裝置的曝光視場更大，同等照度下可以大幅度提高曝光效率進(jìn)而提高產(chǎn)率；(3)該曝光裝置采用工件臺反力外引方案，能夠更快速地消減裝置的振動，減小減震器的穩(wěn)定時間；(4)該曝光裝置采用調(diào)平墊鐵進(jìn)行裝置的調(diào)平，其調(diào)平時間更短，調(diào)平精度更高。附圖說明下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明：圖1為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置的主視圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置的側(cè)視圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置中工件臺反力外引結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置中減震器的布局結(jié)構(gòu)圖；圖5為現(xiàn)有技術(shù)中曝光裝置的內(nèi)部框架的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置中內(nèi)部框架的結(jié)構(gòu)示意圖。在圖1至圖6中，1：硅片；2：掩模版；101：照明模塊；102：掩模臺；103：物鏡；104：調(diào)平調(diào)焦傳感器；105：離軸對準(zhǔn)傳感器；106：硅片二次預(yù)對準(zhǔn)傳感器；107：硅片預(yù)對準(zhǔn)臺；108：硅片傳輸機(jī)械手；109：硅片庫；110：調(diào)平墊鐵；111：減振器；112：地基；113：外部框架；114：吊框；115：工件臺；116：工件臺激光干涉儀；117：主基板；118：掩模臺支架；119：掩模臺參考光激光干涉儀；120：掩模臺激光干涉儀；121：照明支架；122：燈室；123：同軸對準(zhǔn)傳感器；124：環(huán)境控制系統(tǒng)；201：掩模版預(yù)對準(zhǔn)傳感器；202：掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手；203：掩模版?zhèn)鬏斁彌_臺；204：掩模傳輸開鎖機(jī)構(gòu)；205：掩模版庫；206：掩模臺垂向電容傳感器；301：彈簧；302：工件臺長行程電機(jī)定子；304：工件臺大理石；305：緩沖器；307：工件臺反力外引支架；501：主基板；502：支撐腿；503：吊框；602：主基板工藝孔。具體實施方式以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的曝光裝置作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。本發(fā)明的核心思想在于，提供一種曝光裝置，其用于將電路圖形投影于涂有光刻膠的硅片上，所述曝光裝置包括曝光系統(tǒng)、運動臺系統(tǒng)、測量系統(tǒng)、對準(zhǔn)系統(tǒng)及傳輸系統(tǒng)，所述曝光系統(tǒng)用于將電路圖形投影于所述硅片上，所述運動臺系統(tǒng)包括掩模版、掩模臺和工件臺，所述掩模臺和工件臺分別用于承載所述掩模版和硅片，所述掩模臺和工件臺均具備快速步進(jìn)、定位及微調(diào)能力，所述運動臺系統(tǒng)采用框架結(jié)構(gòu)以支撐與穩(wěn)定所述掩模臺和工件臺，所述測量系統(tǒng)用于測量工件臺及掩模臺長行程的相對運動距離，所述對準(zhǔn)系統(tǒng)用于測量所述掩模版、掩模臺和工件臺三者之間的相對位置，所述傳輸系統(tǒng)用于所述掩模版及硅片的交換工作，本發(fā)明提供的曝光裝置相對于現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別在于：(1)該曝光裝置采用框架結(jié)構(gòu)，具備高剛度、輕量化的特點，能夠提供該曝光裝置所需的精度及穩(wěn)定度；(2)該曝光裝置的曝光視場更大，同等照度下可以大幅度提高曝光效率進(jìn)而提高產(chǎn)率；(3)該曝光裝置采用工件臺反力外引方案，能夠更快速地消減裝置的振動，減小減震器的穩(wěn)定時間；(4)該曝光裝置采用調(diào)平墊鐵進(jìn)行裝置的調(diào)平，其調(diào)平時間更短，調(diào)平精度更高。請參考圖1至圖6，圖1為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置的主視圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置的側(cè)視圖；圖3為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置中工件臺反力外引結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置中減震器的布局結(jié)構(gòu)圖；圖5為現(xiàn)有技術(shù)中曝光裝置的內(nèi)部框架的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的曝光裝置中內(nèi)部框架的結(jié)構(gòu)示意圖。實施例一請重點參考圖1和圖2，如圖1和圖2所示，本發(fā)明實施例提供一種曝光裝置，用于將電路圖形投影于涂有光刻膠的硅片上，所述曝光裝置包括整機(jī)框架系統(tǒng)、傳輸系統(tǒng)以及設(shè)置在所述整機(jī)框架系統(tǒng)內(nèi)部的曝光系統(tǒng)、運動臺系統(tǒng)、測量系統(tǒng)和對準(zhǔn)系統(tǒng)，所述曝光系統(tǒng)用于將電路圖形投影于所述硅片1上，所述曝光系統(tǒng)包括照明模塊101、物鏡103及燈室，所述物鏡103采用放大倍率，所述運動臺系統(tǒng)包括掩模臺102和工件臺115，所述掩模臺102和工件臺115分別用于承載掩模版2和硅片1，所述掩模臺長行程采用粗微動結(jié)構(gòu)，所述工件臺115上還設(shè)有反力外引機(jī)構(gòu)，所述測量系統(tǒng)用于測量工件臺115及掩模臺102長行程的相對運動距離，所述對準(zhǔn)系統(tǒng)用于測量所述掩模版2、掩模臺102和工件臺115三者之間的相對位置，所述傳輸系統(tǒng)用于所述掩模版2及硅片1的交換工作。進(jìn)一步的，所述曝光裝置還包括環(huán)境控制系統(tǒng)124，所述環(huán)境控制系統(tǒng)124用于控制該曝光裝置中的其他系統(tǒng)的溫度、濕度、壓力和潔凈度。曝光是用一定波長和強(qiáng)度的光波透過掩模，有選擇地照射光刻膠，使受照射部分的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。本發(fā)明實施例提供的曝光裝置中曝光系統(tǒng)主要由三部分組成：照明模塊101、物鏡103及燈室122。燈室122提供的光源經(jīng)照明模塊101濾波、勻光、擴(kuò)束后，均勻照射到掩模版上，承載掩模信息的光束經(jīng)物鏡103均勻照射到涂有光刻膠的硅片上。分系統(tǒng)性能中影響產(chǎn)率的主要因素包括物鏡視場、硅片面照度、工件臺與掩模臺的運動速度及加速度、減振器穩(wěn)定時間、上下版時間、上下片時間、對準(zhǔn)時間、調(diào)平調(diào)焦時間等一系列因素，本發(fā)明實施例即從提高物鏡103的倍率，增大其物鏡視場的角度出發(fā)在保持精度的同時提高該曝光裝置的曝光效率。本發(fā)明實施例提供的物鏡103采用1：2的放大比例，即物鏡像面處視場為物鏡物面處視場的2倍，其提供的硅片面視場直徑超過200mm，同等照度下可以大幅度提高曝光效率，即單位時間內(nèi)曝的區(qū)域更多，對產(chǎn)率提高有很大貢獻(xiàn)。由于本發(fā)明實施例中物鏡103的倍率為放大倍率，掩模臺102上的圖案水平向可以2倍放大到工件臺115上，因此相對于等比例及縮小比例的光刻機(jī)，同等曝光質(zhì)量下，掩模臺102的控制精度要求需要提高很多，故本發(fā)明的掩模臺結(jié)構(gòu)精度要求較高，基于這個原因，本發(fā)明實施例提供的掩模臺102長行程運動需采用粗微動結(jié)構(gòu)，即粗動完成掩模版的長行程掃描運動，微動完成其水平向微調(diào)。工件臺115長行程運動采用一步到位的方式，整機(jī)控制采用掩模臺102跟隨工件臺115的策略。進(jìn)一步的，所述整機(jī)框架系統(tǒng)包括減振器系統(tǒng)以及由所述減振器系統(tǒng)分隔開的內(nèi)部框架和外部框架113。請重點參考圖3，如圖3所示，所述運動臺系統(tǒng)還包括工件臺長行程電機(jī)定子302，所述反力外引機(jī)構(gòu)包括兩個工件臺反力外引支架307、彈簧和301緩沖器305，所述兩個工件臺反力外引支架307間隔設(shè)置于所述整機(jī)框架系統(tǒng)的外部框架113上，所述工件臺長行程電機(jī)定子302的兩端分別通過所述彈簧301和緩沖器305與所述兩個工件臺反力外引支架307連接，所述工件臺115在所述工件臺長行程電機(jī)定子302上運動。進(jìn)一步的，所述內(nèi)部框架包括吊框114、主基板117、掩模臺支架118和照明支架121，所述減振器系統(tǒng)設(shè)置于所述外部框架113上，所述吊框114設(shè)置于所述減振器系統(tǒng)上，所述主基板117設(shè)置于所述吊框114上，所述掩模臺支架118設(shè)置于所述主基板117上，所述照明支架121設(shè)置于所述掩模臺支架118上，所述吊框114用于承載所述工件臺115，所述物鏡103穿設(shè)于所述掩模臺支架118與主基板117中，所述掩模臺支架117用于承載所述掩模臺102，所述照明支架121用于承載所述照明模塊101。為了提高曝光效率，精密運動臺系統(tǒng)需要具備高速運動能力，但高速運動的工件臺115勢必給內(nèi)部框架和工件臺115引入擾動力及傾覆力矩。本發(fā)明實施例提供的曝光裝置采用主動式減振器111來平衡此擾動力和傾覆力矩，但為了減小減振器11的穩(wěn)定時間、減小減振器11的制振需求、提高產(chǎn)率，有必要將電機(jī)的反作用力從內(nèi)部框架和工件臺115中引出。如圖3所示，工件臺長行程電機(jī)定子302上產(chǎn)生的力通過彈簧301和緩沖器305傳遞到工件臺反力外引支架307上，經(jīng)外部框架113傳遞到地基112中，這大大減小了因工件臺115運動對內(nèi)部框架所產(chǎn)生的沖擊。由于本發(fā)明物鏡采用1：2的放大比例，掩模臺102相對于工件臺115，無論從運動部件質(zhì)量還是運動速度方面都要小很多，故掩模臺102設(shè)計反力外引意義不大且會增加結(jié)構(gòu)難度，因此本發(fā)明實施例只針對工件臺長行程設(shè)計了反力外引方案。工件臺115的長行程采用一步到位的方式，相對于粗微動結(jié)構(gòu)，同樣的精度指標(biāo)需要更高的控制帶寬，這對該曝光裝置的內(nèi)部框架的模態(tài)提出了更高的要求。請重點參考圖6，圖6為本發(fā)明實施例提供的內(nèi)部框架的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，所述主基板117為“橋”式結(jié)構(gòu)，所述主基板117冗余部分鏤空，形成主基板工藝孔602，所述主基板117的主基板工藝孔602中填充阻尼材料，所述阻尼材料為樹脂或橡膠。請重點參考圖5，圖5為現(xiàn)有技術(shù)中曝光裝置的內(nèi)部框架的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，現(xiàn)有技術(shù)中的內(nèi)部框架包括主基板501、四個支撐腿502和吊框503，所述四個支撐腿502設(shè)置于所述吊框503的四角上，所述四個支撐腿502用于支撐所述主基板501，工件臺置于所述支撐腿502支撐留出的空間內(nèi)。本發(fā)明實施例中的主基板117設(shè)計采用全封閉“橋”式結(jié)構(gòu)，省去了現(xiàn)有技術(shù)中所用的支撐腿502，進(jìn)行這樣的結(jié)構(gòu)優(yōu)化后，減輕了框架重量、減少了接口剛度損失、提高了內(nèi)部框架的模態(tài)質(zhì)量，同時也提高了裝配精度、減少了裝配時間。仿真計算表明，該全封閉“橋”式結(jié)構(gòu)的主基板117框架模態(tài)顯著高于現(xiàn)有技術(shù)中的傳統(tǒng)框架，框架的整機(jī)自由模態(tài)一階大于200HZ，主基板117內(nèi)部通過筋板進(jìn)行加強(qiáng)，冗余部分鏤空減重，腔體內(nèi)可以填充阻尼材料(如樹脂、橡膠等)以吸收內(nèi)部框架振動。請重點參考圖4，如圖4所示，所述減振器系統(tǒng)包括四個減振器111，分別設(shè)置于所述外部框架113的四角。進(jìn)一步的，所述減震器系統(tǒng)根據(jù)所述工件臺115及掩模臺102提供的水平向加速信號和位置信號對所述內(nèi)部框架做前饋補(bǔ)償。本發(fā)明實施例提供的減振器111采用四點布局方式，其優(yōu)于三點布局方式的地方在于四點布局可以使整機(jī)主體單元分配到每個減振器111的承載力基本相同，從而給減振器111的選型、減振器111的控制、減振器111的使用壽命、內(nèi)部框架靜力學(xué)變形量控制及減振器111層面安裝部件的維修維護(hù)方面帶來優(yōu)勢，四點布局還能使減振器111可以進(jìn)一步減小地面?zhèn)鬟f到內(nèi)部框架的振動、平衡運動臺系統(tǒng)運動產(chǎn)生的擾動力及傾覆力矩，減振器111還設(shè)計具備運動臺前饋功能，即減振器111根據(jù)工件臺115和掩模臺102提供的水平向加速度信號與位置信號作為前饋補(bǔ)償輸入，減小了減振器111的穩(wěn)定時間。進(jìn)一步的，所述運動臺系統(tǒng)還包括調(diào)平墊鐵110，所述調(diào)平墊鐵110設(shè)置于所述外部框架113下，所述調(diào)平墊鐵110用于調(diào)平所述運動臺系統(tǒng)。該曝光裝置中運動臺系統(tǒng)的框架采用調(diào)平墊鐵110進(jìn)行調(diào)平，調(diào)平分辨率優(yōu)于0.1mm。調(diào)平墊鐵110相對于塞墊片調(diào)平可以有效減少裝配工作量、節(jié)約裝配時間、提高調(diào)平精度。進(jìn)一步的，所述測量系統(tǒng)主要由掩模臺激光干涉儀120、掩模臺參考光激光干涉儀119和工件臺激光干涉儀116組成，所述掩模臺激光干涉儀120設(shè)置于所述掩模臺支架118上，所述工件臺激光干涉儀116設(shè)置于所述主基板117與吊框114所圍成的空間內(nèi)，工件臺激光干涉儀116主要用于測量工件臺115的長行程相對運動距離，掩模臺激光干涉儀120主要用于測量掩模臺102的長行程相對運動距離，因為掩模臺102的外力及工件臺115的部分外力沒有引出，為了提高掩模臺激光干涉儀120相對于工件臺激光干涉儀116的測量精度，在掩模臺120上增加了掩模臺參考光激光干涉儀119。掩模臺激光干涉儀120及工件臺激光干涉儀116均采用零位傳感器進(jìn)行清零工作。進(jìn)一步的，所述對準(zhǔn)系統(tǒng)主要包括同軸對準(zhǔn)傳感器123、離軸對準(zhǔn)傳感器105、掩模版預(yù)對準(zhǔn)傳感器201、調(diào)平調(diào)焦傳感器104和掩模臺垂向電容傳感器206，其中離軸對準(zhǔn)傳感器105和調(diào)平調(diào)焦傳感器104均安裝于主基板117上，掩模版預(yù)對準(zhǔn)傳感器201和掩模臺垂向電容傳感器206均安裝于物鏡103上，同軸對準(zhǔn)傳感器123安裝于工件臺115上。掩模版(圖中未示出)設(shè)置在掩模臺102上，硅片(圖中未示出)設(shè)置在工件臺115上，曝光時，掩模版預(yù)對準(zhǔn)傳感器201用于確定掩模臺102相對于掩模版的水平向位置關(guān)系，同軸對準(zhǔn)傳感器123用于確定工件臺115相對于掩模版或工件臺115相對于掩模臺102的水平向位置關(guān)系，離軸對準(zhǔn)傳感器105用于確定工件臺115相對于硅片的位置關(guān)系，這樣就得到了掩模版相對于硅片的水平向位置關(guān)系。調(diào)平調(diào)焦傳感器104用于檢測硅片的垂向位置，掩模臺垂向電容傳感器206用于檢測掩模版的垂向位置，通過調(diào)整硅片與掩模版的的位置可以使掩模面與物鏡物面在垂直方向上“重合”、硅片面與物鏡像面在垂直方向上“重合”。進(jìn)一步的，所述傳輸系統(tǒng)包括掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)和硅片傳輸系統(tǒng)，所述掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)用于所述掩模版的上下片交換，所述硅片傳輸系統(tǒng)用于所述硅片的上下片交換。進(jìn)一步的，所述掩模版?zhèn)鬏斚到y(tǒng)包括掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手202、掩模版?zhèn)鬏斁彌_臺203、掩模傳輸開鎖機(jī)構(gòu)204和掩模版庫205，所述掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手202將所述掩模臺102上的掩模版與所述掩模版庫205中的掩模版進(jìn)行交換。進(jìn)一步的，所述硅片傳輸系統(tǒng)包括硅片傳輸機(jī)械手108、硅片預(yù)對準(zhǔn)臺107和硅片庫109，所述硅片預(yù)對準(zhǔn)臺107使所述硅片傳輸機(jī)械手108對準(zhǔn)所述工件臺115上的硅片，所述硅片傳輸機(jī)械手108將所述工件臺115上的硅片與所述硅片庫109中的硅片進(jìn)行交換。進(jìn)一步的，所述掩模版預(yù)對準(zhǔn)傳感器201還用于檢測交換掩模版時所述掩模版相對于所述掩模版?zhèn)鬏敊C(jī)械手202的位置關(guān)系，以達(dá)到精確上下版的目的。進(jìn)一步的，所述對準(zhǔn)系統(tǒng)還包括硅片二次預(yù)對準(zhǔn)傳感器106，所述硅片二次預(yù)對準(zhǔn)傳感器106用于檢測交換硅片時所述硅片相對于所述硅片傳輸機(jī)械手108的位置關(guān)系，以起到精確上下片的目的。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變形而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。