專利名稱：陣列基板、陣列基板制備方法及顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、陣列基板制備方法及顯示器件。
背景技術(shù)：
對于液晶顯示器件，由于提供液晶顯示的光源經(jīng)折射和反射后輸出時已有一定的方向性，在超出一定范圍觀看時會產(chǎn)生色彩失真現(xiàn)象，因而可視角度是評價液晶顯示器件性能的重要參數(shù)?？梢暯嵌仁侵赣脩艨梢詮牟煌姆较蚯逦赜^察屏幕上所有內(nèi)容的角度。液晶顯示器件的可視角度包括水平可視角度和垂直可視角度兩個指標(biāo)，最大可視角度越大，可正常觀看液晶顯示器件圖像的范圍越大。傳統(tǒng)技術(shù)中液晶顯示器件的最大可視角度通常為120°，一直是制約液晶顯示器件顯示效果的瓶頸。
為實現(xiàn)液晶顯示器件的寬視角顯示，現(xiàn)有技術(shù)中首先出現(xiàn)了 IPS (In-Plane-Switching,平面方向轉(zhuǎn)換)技術(shù)，IPS面板中的電極結(jié)構(gòu)如圖I所示，IPS面板最大的特點就是它的像素電極3和公共電極4這兩類電極都在形成TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)基板的下基板I的同一個面上,形成CF (Color Filter,彩膜)基板的上基板2上沒有制作電極，而不像其他液晶模式的電極是在TFT基板的上下兩面立體排列。但由于電極在同一平面上，不管在何種狀態(tài)下液晶分子始終都與屏幕平行，會使開口率降低，減少透光率，所以當(dāng)IPS應(yīng)用在大尺寸液晶顯示器件(如液晶電視等)上時會需要更多的背光燈，增加背光模組的結(jié)構(gòu)復(fù)雜度以及液晶顯示器件的成本。發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何提高液晶顯示器件的開口率、透光率、響應(yīng)速度， 以及降低其成本。
(二)技術(shù)方案
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明具體采用如下方案進行
首先，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括形成在基板上的TFT和設(shè)置在基板上的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置有柵絕緣層，所述柵絕緣層的一側(cè)表面上交替排列設(shè)置第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側(cè)表面上交替排列設(shè)置第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應(yīng)設(shè)置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應(yīng)設(shè)置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
其中，所述柵絕緣層兩端邊緣處分別設(shè)置有像素電極連接線和公共電極連接線。
其中，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設(shè)有過孔，設(shè)置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導(dǎo)通，設(shè)置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導(dǎo)通。
其中，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。
其中，面積較小的電極對應(yīng)設(shè)置在面積較大的電極的中部。
本發(fā)明還提供了一種陣列基板制備方法，包括以下過程
在基板上形成TFT以及像素區(qū)域，所述像素區(qū)域?qū)?yīng)形成有柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層的一側(cè)表面上交替排列形成第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側(cè)表面上交替排列形成第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應(yīng)設(shè)置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應(yīng)設(shè)置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
其中，在所述柵絕緣層兩端邊緣處分別形成有像素電極連接線和公共電極連接線，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設(shè)有過孔，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導(dǎo)通，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導(dǎo)通。
其中，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。
其中，面積較小的電極對應(yīng)設(shè)置在面積較大的電極的中部。
本發(fā)明進一步提供了一種顯示器件，所述顯示器件包括上述陣列基板或上述陣列基板制備方法所制備的陣列基板。
(三)有益效果
本發(fā)明中，通過在陣列基板柵絕緣層兩側(cè)表面上分別設(shè)置交替排列的像素電極和公共電極，并使像素電極和公共電極極性相反，且兩面上像素電極和公共電極上下對應(yīng)，實現(xiàn)該電極結(jié)構(gòu)在加電壓的情況下既有邊緣場又有平面電場，可以直接使用現(xiàn)有的IPS模式中的驅(qū)動方式來進行驅(qū)動，不會增加驅(qū)動電路的復(fù)雜度，并且所形成的顯示器件響應(yīng)速度快，成本低，在不增加設(shè)計難度的情況下提高了開口率和透光率。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中IPS模式電極結(jié)構(gòu)的示意圖2為本發(fā)明實施例中陣列基板所采用的電極結(jié)構(gòu)的截面示意圖3為本發(fā)明實施例中陣列基板所采用的電極結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
實施例I
本實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括形成在基板上的TFT和設(shè)置在基板上的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置有柵絕緣層，其中陣列基板所采用的電極結(jié)構(gòu)如圖2和圖3所示，具體為，所述柵絕緣層的一側(cè)表面上交替排列設(shè)置第一像素電極3-1和第一公共電極4-1，所述柵絕緣層的另一側(cè)表面上交替排列設(shè)置第二公共電極4-2和第二像素電極3-2，位于不同面上的所述第一像素電極3-1和第二公共電極4-2上下對應(yīng)設(shè)置，位于不同面上的所述第一公共電極4-1和第二像素電極3-2上下對應(yīng)設(shè)置；其中，像素電極與公共電極極性相反。在圖2所示優(yōu)選的實施例中，像素電極極性為+、公共電極極性為-;當(dāng)然，本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員也能理解，采用與圖2完全相反的設(shè)置也同樣適用于本發(fā)明中。
采用上述方式，由于像素電極和公共電極交替排列且極性相反，因而在加電時位于同一面的相鄰電極之間可以形成平面電場；又由于在兩面都對應(yīng)形成有極性相反的電極，因而在加電時兩面的對應(yīng)電極間又能獲得邊緣場，從而使得本發(fā)明的電極結(jié)構(gòu)在具備 IPS模式的優(yōu)點的前提下，能夠通過同一平面內(nèi)像素間電極產(chǎn)生邊緣電場，使電極間以及電極正上方的取向液晶分子都能在(平行于基板)平面方向發(fā)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高液晶層的開口率和透光效率。
進一步參見圖3的平面圖，本實施例中的電極結(jié)構(gòu)還包括分別設(shè)置在所述柵絕緣層兩端邊緣處的像素電極連接線6和公共電極連接線7。其中，所述像素電極連接線6和所述公共電極連接線7上分別對應(yīng)設(shè)有第一過孔8和第二過孔9，設(shè)置在所述柵絕緣層的不同面上且極性相同的像素電極(第一像素電極3-1和第二像素電極3-2)通過所述第一過孔8與像素電極連接線6相連接，不同面上的公共電極(第一公共電極4-1和第二公共電極 4-2)通過第二過孔9與公共電極連接線7相連接。
優(yōu)選地，本發(fā)明中的像素電極和公共電極均為條狀電極。更優(yōu)選地，設(shè)置在柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，且其中一面上的電極的面積大于另一面上的電極的面積。面積較小的電極對應(yīng)設(shè)置(即投影位置有重疊，但兩者之間被絕緣層隔開) 在面積較大的電極的中部。
通過上述各實施方式中的設(shè)置，本發(fā)明的電極結(jié)構(gòu)在加電壓的情況下形成的電場既有邊緣場又有平面電場，屬于FFS模式和IPS模式的組合，因而可以直接使用現(xiàn)有的驅(qū)動方式來進行驅(qū)動，即只需要像普通的顯示模式一樣的單TFT單像素電極驅(qū)動即可，從而降低了驅(qū)動的實現(xiàn)復(fù)雜度，在不增加設(shè)計難度的情況下提高了透光率，成本得到了降低。
實施例2
本實施例提供了一種陣列基板制備方法，該制備方法針對實施例2中的陣列基板來實施，具體地，該制備方法包括以下過程
在基板上形成TFT以及像素區(qū)域，所述像素區(qū)域?qū)?yīng)形成有柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層的一側(cè)表面上交替排列形成第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側(cè)表面上交替排列形成第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應(yīng)設(shè)置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應(yīng)設(shè)置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
根據(jù)實施例I中電極結(jié)構(gòu)的設(shè)置，在所述柵絕緣層兩端邊緣處分別形成有像素電極連接線和公共電極連接線，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設(shè)有過孔，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導(dǎo)通，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導(dǎo)通。進一步地，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積；面積較小的電極對應(yīng)設(shè)置在面積較大的電極的中部。5
實施例3
本實施例提供了一種顯示器件，其包括實施例I中所述的陣列基板或?qū)嵤├?中所制備的陣列基板，所述顯示器件可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
由上述實施例可知，本發(fā)明通過在陣列基板柵絕緣層兩側(cè)表面上分別設(shè)置交替排列的像素電極和公共電極，并使像素電極和公共電極極性相反，且兩面上像素電極和公共電極上下對應(yīng)，實現(xiàn)該電極結(jié)構(gòu)在加電壓的情況下既有邊緣場又有平面電場，可以直接使用現(xiàn)有的IPS模式中的驅(qū)動方式來進行驅(qū)動，不會增加驅(qū)動電路的復(fù)雜度，并且所形成的顯示器件響應(yīng)速度快，成本低，在不增加設(shè)計難度的情況下提高了開口率和透光率。
以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的實際保護范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括形成在基板上的TFT和設(shè)置在基板上的像素區(qū)域，所述像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置有柵絕緣層，其特征在于，所述柵絕緣層的ー側(cè)表面上交替排列設(shè)置第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另ー側(cè)表面上交替排列設(shè)置第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應(yīng)設(shè)置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應(yīng)設(shè)置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層兩端邊緣處分別設(shè)置有像素電極連接線和公共電極連接線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設(shè)有過孔，設(shè)置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導(dǎo)通，設(shè)置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導(dǎo)通。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，面積較小的電極對應(yīng)設(shè)置在面積較大的電極的中部。
6.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括以下過程 在基板上形成TFT以及像素區(qū)域，所述像素區(qū)域?qū)?yīng)形成有柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層的ー側(cè)表面上交替排列形成第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另ー側(cè)表面上交替排列形成第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第ニ公共電極上下對應(yīng)設(shè)置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應(yīng)設(shè)置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在所述柵絕緣層兩端邊緣處分別形成有像素電極連接線和公共電極連接線，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設(shè)有過孔，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導(dǎo)通，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導(dǎo)通。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板制備方法，其特征在于，面積較小的電極對應(yīng)設(shè)置在面積較大的電極的中部。
10.一種顯示器件，其特征在于，所述顯示器件包括權(quán)利要求1-5任ー項所述陣列基板或權(quán)利要求6-9任ー項所述陣列基板制備方法所制備的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種陣列基板、陣列基板制備方法及顯示器件。所述陣列基板包括形成在基板上的TFT和設(shè)置在基板上的像素區(qū)域，像素區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置有柵絕緣層，柵絕緣層的一側(cè)表面上交替排列設(shè)置第一像素電極和第一公共電極，柵絕緣層的另一側(cè)表面上交替排列設(shè)置第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的第一像素電極和第二公共電極上下對應(yīng)設(shè)置，位于不同面上的第一公共電極和第二像素電極上下對應(yīng)設(shè)置；其中，像素電極與公共電極極性相反。本發(fā)明實現(xiàn)電極結(jié)構(gòu)在加電壓的情況下既有邊緣場又有平面電場，可以直接使用IPS驅(qū)動方式來進行驅(qū)動，降低了驅(qū)動的實現(xiàn)復(fù)雜度，響應(yīng)速度快，成本低，在不增加設(shè)計難度的情況下提高了透光率。
文檔編號G02F1/1362GK102981320SQ20121045465
公開日2013年3月20日 申請日期2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月13日
發(fā)明者秦廣奎, 柳在健 申請人:京東方科技集團股份有限公司