專利名稱：陣列基板及陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板及陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著科技的不斷進(jìn)步，用戶對顯示設(shè)備的需求日益增加，TFT-IXD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)也成為了手機(jī)、平板電腦等產(chǎn)品中使用的主流顯示器。此外，隨著顯示設(shè)備的普及，用戶對高色彩質(zhì)量、高對比度、高可視角度、高響應(yīng)速度且低功耗的需求越來越普遍，OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器也開始逐漸進(jìn)入用戶的視野。對于當(dāng)今顯示設(shè)備行業(yè)，顯示設(shè)備的窄邊框化已經(jīng)是一種發(fā)展趨勢。窄邊框技術(shù)要求陣列基板的扇出(Fanout)區(qū)域面積盡可能的小，也就是要求扇出線路的線間距盡可能的小，其中，扇出區(qū)域位于顯示設(shè)備的面板(Panel)的周邊位置。然而，采用現(xiàn)有技術(shù)制作而成的扇出線路的線間距最小為7 10 μ m左右，并不能滿足窄邊框的技術(shù)要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法，能夠減小陣列基板的扇出線路的線間距，制備出滿足窄邊框技術(shù)要求的陣列基板。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案本發(fā)明提供一種陣列基板，包括基板；設(shè)置于所述基板上的柵絕緣層；設(shè)置于所述柵絕緣層上的扇出線路，所述扇出線路包括多條扇出導(dǎo)線，所述扇出導(dǎo)線包括設(shè)置于所述柵絕緣層上的非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層，所述扇出導(dǎo)線是通過在所述源漏極層上形成第一光刻膠，并對所述第一光刻膠進(jìn)行半曝光顯影工藝后，對所述非晶硅層、歐姆接觸層、源漏極層、第一光刻膠采用刻蝕工藝，然后剝離第一光刻膠，形成第二光刻膠，對所述第二光刻膠進(jìn)行全曝光顯影工藝，以及對非晶硅層采用刻蝕工藝所形成的。相鄰的所述扇出導(dǎo)線之間的距離在3至5微米的范圍內(nèi)。所述基板的材料為無堿玻璃。本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括對盒設(shè)置的彩膜基板和具有上述任意特征的陣列基板，以及填充于所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶。本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括具有上述任意特征的陣列基板，以及形成于所述陣列基板之上的有機(jī)發(fā)光材料。本發(fā)明還提供一種陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法，包括在基板的扇出區(qū)域上形成柵絕緣層、非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層；
在所述源漏極層上形成第一光刻膠；對所述第一光刻膠進(jìn)行半曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)與扇出導(dǎo)線之間的間隔區(qū)域；
采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，以及光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的、光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層，其中，保留部分所述非晶硅層；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，在所述柵絕緣層、有源層、非晶硅層上形成第二光刻膠；對所述第二光刻膠進(jìn)行全曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全曝光區(qū)域以及光刻膠未曝光區(qū)域；采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的所述非晶硅層，以形成多條扇出導(dǎo)線。所述采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，以及光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的、光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層，其中，保留部分所述非晶硅層，包括采用濕法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層；采用干法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述歐姆接觸層及非晶娃層;采用干法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；采用濕法刻蝕或干法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層；采用干法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述歐姆接觸層及非晶硅層，其中，保留部分所述非晶硅層。相鄰的所述扇出導(dǎo)線之間的距離在3至5微米的范圍內(nèi)。所述基板的材料為無堿玻璃。本發(fā)明提供的陣列基板及陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法，陣列基板包括基板，設(shè)置于基板上的柵絕緣層，以及設(shè)置于柵絕緣層上的扇出線路，扇出線路包括多條扇出導(dǎo)線，扇出導(dǎo)線包括設(shè)置于柵絕緣層上的非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層，扇出導(dǎo)線是通過在源漏極層上形成第一光刻膠，并對第一光刻膠進(jìn)行半曝光顯影工藝后，對非晶硅層、歐姆接觸層、源漏極層、第一光刻膠采用刻蝕工藝，然后剝離第一光刻膠，形成第二光刻膠，對第二光刻膠進(jìn)行全曝光顯影工藝，以及對非晶硅層采用刻蝕工藝所形成的。通過該方案，由于在刻蝕源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層之前，先對第一光刻膠采用了半曝光顯影技術(shù)，再采用刻蝕技術(shù)刻蝕所述第一光刻膠的部分保留區(qū)域，因此使得刻蝕源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層所形成的扇出導(dǎo)線的間距能夠減小至3至5微米，從而制備出了滿足窄邊框技術(shù)要求的陣列基板。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明提供的一種陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明提供的一種陣列基板制作方法流程圖；圖3為本發(fā)明提供的陣列基板制作過程中的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖一；圖4為本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線制作過程中的陣列基板上扇出導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)示意圖二；圖5為本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線制作過程中的陣列基板上扇出導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)示意圖三；圖6為本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線制作過程中的陣列基板上扇出導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)示意圖四；圖7為本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線制作過程中的陣列基板上扇出導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)示意圖五；圖8為本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線制作過程中的陣列基板上扇出導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)不意圖7K ;圖9為本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線制作過程中的陣列基板上扇出導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)示意圖七；圖10為本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線制作過程中的陣列基板上扇出導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)示意圖八；圖11為本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線制作過程中的陣列基板上扇出導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)示意圖九；圖12為本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線制作過程中的陣列基板上扇出導(dǎo)線結(jié) 構(gòu)示意圖十。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。需要說明的是本發(fā)明實施例的“上” “下”只是參考附圖對本發(fā)明實施例進(jìn)行說 明，不作為限定用語。本發(fā)明實施例提供的陣列基板，包括基板；設(shè)置于所述基板上的柵絕緣層；設(shè)置于所述柵絕緣層上的扇出線路，所述扇出線路包括多條扇出導(dǎo)線，所述扇出 導(dǎo)線包括設(shè)置于所述柵絕緣層上的非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層，所述扇出導(dǎo)線是 通過在所述源漏極層上形成第一光刻膠，并對所述第一光刻膠進(jìn)行半曝光顯影工藝后，對 所述非晶硅層、歐姆接觸層、源漏極層、第一光刻膠采用刻蝕工藝，然后剝離第一光刻膠，形CN 102945854 A
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成第二光刻膠，對所述第二光刻膠進(jìn)行全曝光顯影工藝，以及對非晶硅層采用刻蝕工藝所形成的。如圖I所示，本發(fā)明實施例提供的陣列基板1，其扇出區(qū)域可以包括基板10;·
設(shè)置于基板10上的柵絕緣層11 ；設(shè)置于柵絕緣層11上的非晶硅層121 ；設(shè)置于非晶硅層121上的歐姆接觸層122 ；設(shè)置于歐姆接觸層122上的源漏極層123 ；其中，非晶硅層121、歐姆接觸層122以及源漏極層123構(gòu)成扇出導(dǎo)線12，扇出導(dǎo)線12是通過在源漏極層123上形成第一光刻膠(圖I中未畫出)，并對第一光刻膠進(jìn)行半曝光顯影工藝后，對非晶硅層121、歐姆接觸層122、源漏極層123、第一光刻膠采用刻蝕工藝，然后剝離第一光刻膠，形成第二光刻膠(圖I中未畫出)，對第二光刻膠進(jìn)行全曝光顯影工藝，以及對非晶硅層121采用刻蝕工藝所形成的。進(jìn)一步地，相鄰的扇出導(dǎo)線12之間的距離在3至5微米的范圍內(nèi)。進(jìn)一步地，基板10的材料為無堿玻璃。需要補(bǔ)充的是，無堿玻璃是指，在不明顯提高應(yīng)變點(diǎn)的前提下能夠減少加熱處理時產(chǎn)生的收縮的玻璃。無堿玻璃的特征在于，從退火點(diǎn)(Tan)附近至應(yīng)變點(diǎn)(Tst)附近的溫度范圍內(nèi)的平衡密度曲線的梯度Aan-st(ppm/°C )與50 350°C的平均線膨脹系數(shù)a 50-350( X 10-6/°C )的比值(Λ an_st/α 50-350)大于等于 O 未滿 3· 64。本發(fā)明提供的一種陣列基板，包括基板，設(shè)置于基板上的柵絕緣層，以及設(shè)置于柵絕緣層上的扇出線路，扇出線路包括多條扇出導(dǎo)線，扇出導(dǎo)線包括設(shè)置于柵絕緣層上的非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層，扇出導(dǎo)線是通過在源漏極層上形成第一光刻膠，并對第一光刻膠進(jìn)行半曝光顯影工藝后，對非晶硅層、歐姆接觸層、源漏極層、第一光刻膠采用刻蝕工藝，然后剝離第一光刻膠，形成第二光刻膠，對第二光刻膠進(jìn)行全曝光顯影工藝，以及對非晶硅層采用刻蝕工藝所形成的。通過該方案，由于在刻蝕源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層之前，先對第一光刻膠采用了半曝光顯影技術(shù)，再采用刻蝕技術(shù)刻蝕所述第一光刻膠的部分保留區(qū)域，因此使得刻蝕源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層所形成的扇出導(dǎo)線的間距能夠減小至3至5微米，從而制備出了滿足窄邊框技術(shù)要求的陣列基板。本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法，包括在基板的扇出區(qū)域上形成柵絕緣層、非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層；在所述源漏極層上形成第一光刻膠；需要補(bǔ)充的是，本發(fā)明實施例中在源漏極層上形成第一光刻膠的方法具體為在源漏極層上采用沉積或涂覆等方式形成第一光刻膠。對所述第一光刻膠進(jìn)行半曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)與扇出導(dǎo)線之間的間隔區(qū)域；需要說明的是，本申請實施例中僅對扇出區(qū)域的光刻膠完全保留或者部分保留區(qū)域做了限定描述，對顯示區(qū)域未作說明。顯示區(qū)域可以采用現(xiàn)有技術(shù)的光刻工藝，在此不做贅述。
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采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，以及光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的、光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層，其中，保留部分所述非晶硅層；具體的，可以通過控制刻蝕時間或者刻蝕氣體量即可達(dá)到保留部分所述非晶硅層的結(jié)構(gòu)。剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，在所述柵絕緣層、有源層、非晶硅層上形成第二光刻膠；需要補(bǔ)充的是，本發(fā)明實施例中在柵絕緣層、有源層、非晶硅層上形成第二光刻膠的方法具體為在柵絕緣層、有源層、非晶硅層上采用沉積或涂覆等方式形成第二光刻膠。對所述第二光刻膠進(jìn)行全曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全曝光區(qū)域以及光刻膠未曝光區(qū)域；采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的所述非晶硅層，以形成多條扇出導(dǎo)線。示例性的，如圖2所示，陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法包括SlOl、提供基板。需要補(bǔ)充的是，基板可以為無堿玻璃。S102、在基板的扇出區(qū)域上形成柵絕緣層、非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層。如圖3所示，在經(jīng)過預(yù)先清洗的基板10的扇出區(qū)域上，形成柵絕緣層11、非晶硅層121、歐姆接觸層122以及源漏極層123。S103、在源漏極層上形成第一光刻膠。如圖4所不,在源漏極層123上形成一層第一光刻膠13。S104、對第一光刻膠進(jìn)行半曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域。具體地，如圖5所示，通過雙色調(diào)掩膜板對第一光刻膠13進(jìn)行一次曝光，灰化后形成光刻膠完全保留區(qū)域130，光刻膠部分保留區(qū)域131及光刻膠完全去除區(qū)域132。S105、采用濕法刻蝕工藝，刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的源漏極層。具體地，如圖6所示，對圖5所示的光刻膠完全去除區(qū)域132對應(yīng)的源漏極層123進(jìn)行刻蝕，去除源漏極層123的部分區(qū)域。這里，對濕法刻蝕工藝進(jìn)行簡單介紹濕法刻蝕是一種刻蝕方法，刻蝕可用稀釋的鹽酸等，濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。簡單來說，就是化學(xué)溶液腐蝕的概念，它是一種純化學(xué)刻蝕，具有優(yōu)良的選擇性，刻蝕完當(dāng)前薄膜就會停止，而不會損壞下面一層其他材料的薄膜。所有的半導(dǎo)體濕法刻蝕都具有各向同性，所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。S106、采用干法刻蝕工藝，刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的歐姆接觸層及非晶硅層。具體地，如圖7所示，對圖5所示的光刻膠完全去除區(qū)域132對應(yīng)的歐姆接觸層122及非晶硅層121進(jìn)行刻蝕，去除歐姆接觸層122及非晶硅層121的部分區(qū)域。這里，對干法刻蝕工藝進(jìn)行簡單介紹干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時，它具備兩個特點(diǎn)一方面等離子體中的這些氣體化學(xué)活性比常態(tài)下時要強(qiáng)很多，根據(jù)被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進(jìn)行反應(yīng)，實現(xiàn)刻蝕去除的目的 ’另一方面，還可以利用電場對等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使其具備一定能量，當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時，會將被刻蝕物材料的原子擊出，從而達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來實現(xiàn)刻蝕的目的。S107、采用干法刻蝕工藝，刻蝕光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠。具體地，如圖8所示，對圖5所示的光刻膠部分保留區(qū)域131進(jìn)行干法刻蝕灰化處理，將光刻膠部分保留區(qū)域131的光刻膠去除掉此時，由于先采用半曝光顯影技術(shù)形成光刻膠部分保留區(qū)域131，再采用刻蝕工藝刻蝕該光刻膠部分保留區(qū)域131，因此相鄰的第一光刻膠島之間的距離小于3至5微米。S108、采用濕法刻蝕或干法刻蝕工藝，刻蝕光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的源漏極層。具體地，如圖9所示，對圖5所示的光刻膠部分保留區(qū)域131對應(yīng)的源漏極層123進(jìn)行刻蝕，去除源漏極層123的部分區(qū)域。S109、采用干法刻蝕工藝，刻蝕光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的歐姆接觸層及非晶硅層，其中，保留部分非晶硅層。具體地，如圖10所示，對圖5所示的光刻膠部分保留區(qū)域131對應(yīng)的歐姆接觸層122及非晶硅層121進(jìn)行刻蝕，去除歐姆接觸層122及非晶硅層121的部分區(qū)域，其中，保留部分非晶硅層，形成非晶硅部分保留區(qū)域1210，這是由于制作TFT的工藝在此處需留有部分非晶硅層，以保證源極和漏極能夠相連，因此，本發(fā)明實施例提出的制作方法可以配合制作TFT的工藝來進(jìn)行。S110、剝離光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，在柵絕緣層、有源層、非晶硅層上形成第二光刻膠。如圖11所示，將圖10中剩余的光刻膠完全保留區(qū)域130的光刻膠剝離，并在柵絕緣層11、有源層123、非晶硅層121的非晶硅部分保留區(qū)域1210上形成第二光刻膠14。S111、對第二光刻膠進(jìn)行全曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全曝光區(qū)域以及光刻膠未曝光區(qū)域。具體地，如圖12所示，采用掩膜板對第二光刻膠14進(jìn)行全曝光工藝，灰化后形成光刻膠未曝光區(qū)域140和光刻膠完全曝光區(qū)域141。S112、采用刻蝕工藝，刻蝕光刻膠完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的非晶硅層，以形成多條扇出導(dǎo)線。采用刻蝕工藝，刻蝕非晶硅層121的非晶硅部分保留區(qū)域1210，以形成多條扇出導(dǎo)線，至此，制成了如圖I所示的陣列基板，其中，扇出導(dǎo)線之間的間距能夠減小至3至5微米的范圍內(nèi)。這里，對曝光顯影工藝進(jìn)行簡單介紹曝光顯影工藝是在一片平整的娃片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS (Metal-Oxide-Semi conductor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體)管和電路的基礎(chǔ)，這其中包含有很多步驟與流程。首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，隨后讓強(qiáng)光通過一±夾刻有電路圖案的鏤空掩膜板照射在硅片上。被照射到的部分(如源極區(qū)和漏極區(qū))光刻膠會發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑柵極區(qū)的地方不會被照射到，所以光刻膠會仍舊粘連在上面。接下來就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除去，露出下面的硅片，而柵極區(qū)在光刻膠的保護(hù)下不會受到影響。本發(fā)明提供的陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法，通過在基板的扇出區(qū)域上形成柵絕緣層、非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層，在源漏極層上形成第一光刻膠，對第一光刻膠進(jìn)行半曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域，采用刻蝕工藝，刻蝕光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，以及光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的、光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層，其中，保留部分非晶硅層，剝離光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，在柵絕緣層、有源層、非晶硅層上形成第二光刻膠，對第二光刻膠進(jìn)行全曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全曝光區(qū)域以及光刻膠未曝光區(qū)域，采用刻蝕工藝，刻蝕光刻膠未曝光區(qū)域?qū)?yīng)的非晶硅層，以形成多條扇出導(dǎo)線，進(jìn)而制成陣列基板。通過該方案，由于在刻蝕源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層之前，先對第一光刻膠采用了半曝光顯影技術(shù)，再采用刻蝕技術(shù)刻蝕所述第一光刻膠的部分保留區(qū)域，因此使得刻蝕源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層所形成的扇出導(dǎo)線的間距能夠減小至3至5微米，從而制備出了滿足窄邊框技術(shù)要求的陣列基板。本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，可以為液晶顯示裝置，包括對盒設(shè)置的彩膜基板和上述實施例所提出的陣列基板，以及填充于所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶，此處不再贅述。本發(fā)明實施例提供的液晶顯示裝置，所述液晶顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦、電子紙等具有顯示功能的產(chǎn)品或者部本發(fā)明不做限制。本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，可以為OLED顯示裝置，包括上述實施例所提出的陣列基板，以及形成于該陣列基板之上的有機(jī)發(fā)光材料。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，其特征在于，包括基板；設(shè)置于所述基板上的柵絕緣層；設(shè)置于所述柵絕緣層上的扇出線路，所述扇出線路包括多條扇出導(dǎo)線，所述扇出導(dǎo)線包括設(shè)置于所述柵絕緣層上的非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層，所述扇出導(dǎo)線是通過在所述源漏極層上形成第一光刻膠，并對所述第一光刻膠進(jìn)行半曝光顯影工藝后，對所述非晶硅層、歐姆接觸層、源漏極層、第一光刻膠采用刻蝕工藝，然后剝離第一光刻膠，形成第二光刻膠，對所述第二光刻膠進(jìn)行全曝光顯影工藝，以及對非晶硅層采用刻蝕工藝所形成的。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，相鄰的所述扇出導(dǎo)線之間的距離在3至5微米的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的陣列基板，其特征在于，所述基板的材料為無堿玻璃。
4.一種顯示裝置，其特征在于，包括對盒設(shè)置的彩膜基板和如權(quán)利要求1-3任意一項所述的陣列基板，以及填充于所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3任意一項所述的陣列基板，以及形成于所述陣列基板之上的有機(jī)發(fā)光材料。
6.一種陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法，其特征在于，包括在基板的扇出區(qū)域上形成柵絕緣層、非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層；在所述源漏極層上形成第一光刻膠；對所述第一光刻膠進(jìn)行半曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于扇出導(dǎo)線，所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)與扇出導(dǎo)線之間的間隔區(qū)域；采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，以及光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的、光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層，其中，保留部分所述非晶硅層；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，在所述柵絕緣層、有源層、非晶硅層上形成第二光刻膠；對所述第二光刻膠進(jìn)行全曝光工藝，灰化后形成光刻膠完全曝光區(qū)域以及光刻膠未曝光區(qū)域；采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)的所述非晶硅層，以形成多條扇出導(dǎo)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法，其特征在于，所述采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，以及光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的、光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層、歐姆接觸層、非晶硅層，其中，保留部分所述非晶硅層，包括采用濕法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層；采用干法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述歐姆接觸層及非晶硅層；采用干法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；采用濕法刻蝕或干法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述源漏極層；采用干法刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述歐姆接觸層及非晶硅層，其中，保留部分所述非晶硅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法，其特征在于，相鄰的所述扇出導(dǎo)線之間的距離在3至5微米的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法，其特征在于，所述基板的材料為無堿玻璃。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供陣列基板及陣列基板上扇出導(dǎo)線的制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠減小陣列基板的扇出線路的線間距，制備出滿足窄邊框技術(shù)要求的陣列基板。本發(fā)明的陣列基板包括基板；設(shè)置于基板上的柵絕緣層；設(shè)置于柵絕緣層上的扇出線路，扇出線路包括多條扇出導(dǎo)線，扇出導(dǎo)線包括設(shè)置于柵絕緣層上的非晶硅層、歐姆接觸層以及源漏極層，扇出導(dǎo)線是通過在源漏極層上形成第一光刻膠，并對第一光刻膠進(jìn)行半曝光顯影工藝后，對非晶硅層、歐姆接觸層、源漏極層、第一光刻膠采用刻蝕工藝，然后剝離第一光刻膠，形成第二光刻膠，對第二光刻膠進(jìn)行全曝光顯影工藝，以及對非晶硅層采用刻蝕工藝所形成的。
文檔編號G03F7/00GK102945854SQ20121045464
公開日2013年2月27日 申請日期2012年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月13日
發(fā)明者白金超, 孫亮, 丁向前, 李梁梁, 劉耀 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司