專利名稱：一種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微投影技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及ー種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片。
背景技術(shù)：
微型投影機(jī)最早出現(xiàn)在2005年末，由美國(guó)德州儀器展示出的第一款微型投影機(jī)，當(dāng)時(shí)體積只有袖珍字典般大小。到了 2008年末，一款手機(jī)大小的微型投影機(jī)問(wèn)世，從此開(kāi)始標(biāo)志著真正的微型投影機(jī)時(shí)代到來(lái)。在短短的3年時(shí)間內(nèi)，微型投影機(jī)的體積已經(jīng)從袖珍字典般大小縮減到了當(dāng)前的手機(jī)大小。到了 2009年，微型投影機(jī)開(kāi)始走向了大眾視線中。從2005末，第一代掌上型投影機(jī)由三菱和三星分別推出后，改變了一直以來(lái)，投影機(jī)被當(dāng)作教學(xué)、辦公會(huì)議等場(chǎng)合的演示產(chǎn)品，因?yàn)楫嬅娲?，可以與更多人分享內(nèi)容，但因?yàn)轶w積 大，它也只能被局限于有限的空間內(nèi)?；谘芯咳藛T的不斷拓展，到了 08年由奧圖碼推出的全球第一款PK-101手持投影開(kāi)始，整個(gè)微型投影機(jī)市場(chǎng)進(jìn)入了高潮期。2010年內(nèi)嵌微投影機(jī)的手機(jī)/相機(jī)出貨量超過(guò)20萬(wàn)臺(tái)。2011年各手機(jī)廠商紛紛退出了內(nèi)嵌微投影機(jī)的手機(jī)規(guī)格。預(yù)估至2014年，內(nèi)嵌式手機(jī)市場(chǎng)將大舉突破1000萬(wàn)臺(tái)，達(dá)到1433萬(wàn)臺(tái)，而相機(jī)/錄像機(jī)將突破300萬(wàn)臺(tái)，其他內(nèi)嵌式產(chǎn)品也將突破200萬(wàn)臺(tái)，整體微投影產(chǎn)品將達(dá)到3521萬(wàn)臺(tái)。目前微投影機(jī)市場(chǎng)主要以DLP和LCOS為兩大技術(shù)陣營(yíng)。LCOS微投影機(jī)成本較低但亮度不能滿足用戶需要(光利用率小于5% )。在現(xiàn)有的LCD投影及LCOS(硅上液晶)投影技術(shù)中，背光源發(fā)出的光要經(jīng)過(guò)偏光片、彩色膜、液晶層以及多個(gè)光學(xué)透鏡之后才能投射到屏幕上。整個(gè)系統(tǒng)的光利用率小于5%，也就是說(shuō)上述各層材料和透鏡會(huì)消耗掉95%以上的光。這就是為何目前微投影機(jī)難以滿足消費(fèi)者要求的主要原因-亮度不足。DLP技術(shù)有較高的光利用率(約33% )，但其成本較高，且該技術(shù)為美國(guó)德州儀器(TI)所壟斷。在DLP投影機(jī)結(jié)構(gòu)中，某一時(shí)刻背光源的光只能轉(zhuǎn)化成紅綠藍(lán)三種顏色中的ー種，這樣導(dǎo)致光利用率最大只有1/3，其余的2/3都被色輪過(guò)濾棹。另外，在現(xiàn)有的無(wú)源尋址的LED陣列技術(shù)中，顯示屏尺寸和像素的亮度受限于同一行或者同一列中的像素?cái)?shù)目多少而引起“負(fù)載效應(yīng)”。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明g在解決微投影機(jī)的亮度、功耗、易集成度、成本以及只能發(fā)単色光的問(wèn)題。因此，本發(fā)明提出ー種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，可充分地消除由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷導(dǎo)致的ー個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。本發(fā)明另外的優(yōu)點(diǎn)、目的和特性，一部分將在下面的說(shuō)明書中得到闡明，而另一部分對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通過(guò)對(duì)下面的說(shuō)明的考察將是明顯的或從本發(fā)明的實(shí)施中學(xué)到。通過(guò)在文字的說(shuō)明書和權(quán)利要求書及附圖中特別地指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明目的和優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明提供了 ー種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，包括電源、數(shù)據(jù)線、掃描線、多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路和多個(gè)LED像素，其特征在干，所述像素驅(qū)動(dòng)電路和所述LED像素的數(shù)量相同，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路為對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述LED像素提供驅(qū)動(dòng)電流；其中，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括掃描晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)電容，所述掃描晶體管的柵極與所述掃描線相連，漏極與所述數(shù)據(jù)線相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間連接所述電容，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述電源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極作為所述像素驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，LED像素的P電極連接到所述輸出端，LED像素的N電極連接在一起接到公共接地端；其中，所述LED像素發(fā)射波長(zhǎng)為紫外光，并且所述有源選址單色硅基LED微顯示芯 片還包括紅綠藍(lán)三種顏色轉(zhuǎn)換材料，這三種顔色轉(zhuǎn)換材料分別放置在紫外光LED像素的頂部，當(dāng)受到紫外光的激發(fā)時(shí)，紅色材料發(fā)出紅色的光，緑色材料會(huì)發(fā)出綠色的光，藍(lán)色材料發(fā)出藍(lán)色的光。本發(fā)明還提供了ー種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，包括電源、數(shù)據(jù)線、掃描線、多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路和多個(gè)LED像素，其特征在干，所述像素驅(qū)動(dòng)電路和所述LED像素的數(shù)量相同，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路為對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述LED像素提供驅(qū)動(dòng)電流；其中，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括掃描晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)電容，所述掃描晶體管的柵極與所述掃描線相連，漏極與所述數(shù)據(jù)線相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間連接所述電容，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述電源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極作為所述像素驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，LED像素的P電極連接到所述輸出端，LED像素的N電極連接在一起接到公共接地端；其中，所述LED像素發(fā)射波長(zhǎng)為藍(lán)色光，并且所述有源選址單色硅基LED微顯示芯片還包括紅綠兩種顏色轉(zhuǎn)換材料，這兩種顔色轉(zhuǎn)換材料分別放置在藍(lán)色光LED像素的頂部，當(dāng)受到藍(lán)色光的激發(fā)時(shí)，紅色材料發(fā)出紅色的光，緑色材料發(fā)出綠色的光。優(yōu)選的，所述掃描晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管是N型M0SFET、P型M0SFET、n型TFT、p型TFT、HEMT 或者 M0SHEMT。優(yōu)選的，所述LED像素包括LED像素基板、N型氮化鎵層、多量子阱(MQW)、P型氮化鎵層、電流擴(kuò)散層、P和n電極和鈍化層。優(yōu)選的，所述LED像素基板的材料為藍(lán)寶石、氮化鎵、碳化硅、石英、硅、神化鎵或者磷化銦；所述多量子阱的周期數(shù)目為5個(gè)周期，所述電流擴(kuò)散層的材料為鎳、金、銀、氧化銦錫、氧化鋅以及上述材料的組合；所述P和n電極材料為鋁、鈦、金、鉬、鎳、或者銀。優(yōu)選的，所述顏色轉(zhuǎn)換材料通過(guò)旋涂，點(diǎn)膠或者粘貼的方法沉積在在所述LED像素基板的背面。優(yōu)選的，所述顏色轉(zhuǎn)換材料為熒光粉、磷粉、量子點(diǎn)材料或者轉(zhuǎn)換薄膜，并且其厚度優(yōu)選為10um。本發(fā)明還提供了ー種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影裝置，其特征在干，所述全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影裝置包括三個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，光學(xué)引擎和投影屏幕；每個(gè)所述單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片結(jié)構(gòu)相同，均包括電源、數(shù)據(jù)線、掃描線、多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路和多個(gè)LED像素，所述像素驅(qū)動(dòng)電路和所述LED像素的數(shù)量相同，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路為對(duì)應(yīng)的ー個(gè)所述LED像素提供驅(qū)動(dòng)電流；其中，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括掃描晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)電容，所述掃描晶體管的柵極與所述掃描線相連，漏極與所述數(shù)據(jù)線相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間連接所述電容，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述電源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極作為所述像素驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，LED像素的P電極連接到所述輸出端，LED像素的N電極連接在一起接到公共接地端；其中，光學(xué)引擎把所述三個(gè)単色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片發(fā)出的光整合在一起，然后投射到所述投影屏幕?！?yōu)選的，每個(gè)所述單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片的發(fā)射波長(zhǎng)不同，分別為61Onm的紅色光、550nm的綠色光和440nm的藍(lán)色光。優(yōu)選的，所述三個(gè)単色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片的發(fā)射波長(zhǎng)均為380nm的紫外光，并且所述三個(gè)単色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片中的第一個(gè)單色有源選址發(fā)光ニ極管微投影芯片包括發(fā)出紅光的顔色轉(zhuǎn)換材料，第二個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片包括發(fā)出綠光的顔色轉(zhuǎn)換材料，第三個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片包括發(fā)出藍(lán)光的顔色轉(zhuǎn)換材料，這三種顔色轉(zhuǎn)換材料分別放置在每個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片中的紫外光LED像素的頂部，當(dāng)受到紫外光的激發(fā)時(shí)，紅色材料發(fā)出紅色的光，緑色材料會(huì)發(fā)出緑色的光，藍(lán)色材料發(fā)出藍(lán)色的光。優(yōu)選的，所述三個(gè)単色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片的發(fā)射波長(zhǎng)均為440nm的藍(lán)色光，并且所述三個(gè)単色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片中的第一個(gè)單色有源選址發(fā)光ニ極管微投影芯片包括發(fā)出紅光的顔色轉(zhuǎn)換材料，第二個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片包括發(fā)出綠光的顔色轉(zhuǎn)換材料，這兩種顔色轉(zhuǎn)換材料分別放置在藍(lán)色光LED像素的頂部，當(dāng)受到藍(lán)色光的激發(fā)時(shí)，紅色材料發(fā)出紅色的光，緑色材料發(fā)出綠色的光。本發(fā)明提出的全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片完全摒棄了傳統(tǒng)的LCD投影機(jī)中的背光源模組、偏光片和彩色膜，由自發(fā)光的LEDoS芯片直接投影，從而把LED芯片的光利用率由IXD投影機(jī)的小于5%提高到接近100%。這樣顯著的提高了投影亮度并降低了整機(jī)功耗，同時(shí)由于摒棄復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)而節(jié)省了大量的體積，整個(gè)系統(tǒng)可以做的更小、更輕、更加方便于集成到筆記本電腦、IPAD、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、MP4、GPS等等便攜式電子產(chǎn)品中。并且本技木立足于成熟的IC集成電路技術(shù)和目前日益廣泛應(yīng)用的LED技術(shù)，易于以極低的成本進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。


圖I為無(wú)源選址單色發(fā)光二極管(LED)微顯示芯片的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為有源選址單色硅基發(fā)光二極管微顯示芯片的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為有源選址單色硅基發(fā)光二極管微顯示芯片的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為有源選址單色發(fā)光二極管微顯示芯片的剖面圖。圖5為有源選址和無(wú)源選址兩種單色發(fā)光二極管微顯示芯片中的發(fā)光二極管像素的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為無(wú)源選址單色發(fā)光二極管微顯示芯片中硅基板的顯微鏡圖片。圖7為有源選址硅基發(fā)光二極管微顯示芯片中的硅基板的顯微鏡照片。圖8為全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片的俯視圖。圖9為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的、全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片的截面圖。圖10為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的、全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片的俯視圖。圖11為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的、全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片的截面圖。 圖12為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的、全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片的示意圖。
具體實(shí)施例方式本項(xiàng)發(fā)明的關(guān)鍵技術(shù)即為CMOS集成電路驅(qū)動(dòng)的主動(dòng)發(fā)光的LEDoS(LED onSilicon)微投影技術(shù)。LEDoS投影機(jī)整合了硅基CMOS集成電路和LED微投影技術(shù)，克服了傳統(tǒng)LCD投影機(jī)以及LCOS投影機(jī)光利用率低的問(wèn)題。本發(fā)明的另外ー個(gè)關(guān)鍵技術(shù)是在發(fā)光二極管的頂部放置了紅綠藍(lán)三種顏色轉(zhuǎn)換材料，從而實(shí)現(xiàn)了全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片。另外，本發(fā)明的ニ極管投影芯片還采用了有源尋址技術(shù)，從而克服了無(wú)源尋址的“負(fù)載效應(yīng)”。下面參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述，其中說(shuō)明本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如圖I所示，單色硅基有源選址發(fā)光二極管投影芯片002包括基板100和多個(gè)LED像素101。多個(gè)LED像素101按照陣列排列并具有特定的分辨率。LED像素101的結(jié)構(gòu)是相同的。LED像素101放置在基板100的上方。圖I的進(jìn)ー步說(shuō)明，基板100為多個(gè)LED像素101提供制備材料和機(jī)械支撐。單色硅基有源選址發(fā)光二極管投影芯片002的發(fā)射波長(zhǎng)跨度從350nm(紫外線)至IOOOnm (紅外線)。例如，發(fā)射波長(zhǎng)為440nm處的藍(lán)色、發(fā)射波長(zhǎng)為550nm的綠色、發(fā)射波長(zhǎng)為610nm紅色或者發(fā)射波長(zhǎng)380nm的紫外光。圖I的進(jìn)ー步說(shuō)明，單色硅基有源選址發(fā)光二極管投影芯片002擁有足夠的分辨率以顯示電影，圖片或字符。例如，8X8的分辨率可以顯示字段，800X480的分辨率可顯示電影和圖片。LED像素101尺寸應(yīng)足夠小，以保持LED微型顯示面板足夠小以及保持整個(gè)投影系統(tǒng)的大小。例如，LED像素101可以是ー個(gè)直徑為100微米的圓形、100微米X 100微米的方形、300微米X300微米或300微米X 100微米的矩形。圖I的進(jìn)ー步說(shuō)明，基板100的材料可以是藍(lán)寶石，氮化鎵，碳化硅，石英，單晶硅，神化鎵，磷化鎵或其他的發(fā)光材料。圖2為無(wú)源選址單色發(fā)光二極管(LED)微顯示芯片001的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該無(wú)源選址LED微顯示器包含一定數(shù)目的LED像素101，且LED像素101排列為ー個(gè)具有特定分辨率的LED像素陣列。每個(gè)LED像素101的結(jié)構(gòu)是相同的。同一行中的LED像素的N電極連接到行公共主線1002，同一列中LED像素的P電極連接到列公共主線1003。當(dāng)電流流過(guò)特定的行和列的時(shí)候，處于這一行和這一列的交叉點(diǎn)的LED像素101就會(huì)發(fā)光。LED微顯示芯片001擁有足夠分辨率以顯示電影，圖片或字符的決議。例如，8X8的分辨率可以顯示字段，800X480的分辨率可以顯示電影和圖片。LED像素101的形狀是但不限于圓形，方形，矩形，六角形的形狀。LED像素101尺寸足夠小，以保持LED微型顯示面板足夠小以及整個(gè)微投影系統(tǒng)的大小。例如，LED像素101可以是ー個(gè)直徑為100微米的圓形、100微米X 100微米的方形、300微米X300微米或300微米X 100微米的矩形。LED微顯示芯片001的基板的材料可以是藍(lán)寶石，氮化鎵，碳化硅，石英，單晶硅，神化鎵，磷化鎵或其他的發(fā)光材料。無(wú)源選址的LED微型顯示器受“負(fù)載效應(yīng)”的限制，即外圍驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)能力是恒定的，比如對(duì)每一行的驅(qū)動(dòng)能力為100毫安電流。如果某一行有8個(gè)LED像素點(diǎn)亮，則每個(gè)LED像素的電流為100毫安/8 = 12. 5毫安；然而,假如另外一行有4個(gè)LED像素點(diǎn)亮，則每個(gè)LED像素的電流為100毫安/4 = 24毫安。LED本身是電流型器件，流過(guò)的電流大小直接決定LED的發(fā)光亮度。這樣就造成點(diǎn)亮像素?cái)?shù)目不同的行之間的亮度不均勻。圖3為有源選址單色硅基發(fā)光二極管微顯示芯片002的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該有源 選址單色硅基LED微顯示芯片002包括電源207、數(shù)據(jù)線203、掃描線202、多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路、多個(gè)LED像素101和公共接地端208，所述像素驅(qū)動(dòng)電路和所述LED像素的數(shù)量相同，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路為對(duì)應(yīng)的ー個(gè)所述LED像素提供驅(qū)動(dòng)電流。其中，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括掃描晶體管204、驅(qū)動(dòng)晶體管205和一個(gè)電容206，所述掃描晶體管204的柵極與所述掃描線202相連，漏極與所述數(shù)據(jù)線203相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管205的柵極相連，所述驅(qū)動(dòng)晶體管205的柵極和源極之間連接所述電容，所述驅(qū)動(dòng)晶體管205的源極連接所述電源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管205的漏極作為所述像素驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，LED像素101的P電極連接到所述輸出端，LED像素101的N電極連接在一起接到公共接地端208。該有源選址單色硅基LED微顯示芯片002的工作原理如下掃描線202接收掃描信號(hào)，然后打開(kāi)掃描晶體管204。之后，數(shù)據(jù)線203的數(shù)據(jù)信號(hào)將通過(guò)掃描晶體管204，將開(kāi)啟驅(qū)動(dòng)晶體管205并同時(shí)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器206內(nèi)。驅(qū)動(dòng)晶體管205開(kāi)啟后，將提供電流從電源207流向LED像素101再到208接地端子，此時(shí)LED像素101會(huì)發(fā)出光，像素將被定義為“開(kāi)啟”狀態(tài)。掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)消失時(shí)，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容206內(nèi)的信號(hào)將在該顯示周期的剰余時(shí)間內(nèi)繼續(xù)保持驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓和流經(jīng)LED像素101的電流。根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施方式，所述有源選址單色硅基發(fā)光二極管微顯示芯片002由LED陣列和硅基有源驅(qū)動(dòng)基板組成，所述LED陣列包括多個(gè)LED像素，例如，可為8 X 8的LED陣列，每一行LED像素的N電極均連接到總線，所述總線連接到每一行最右端的公共陰極，所述每一行LED像素的P電極相互獨(dú)立；所述硅基有源驅(qū)動(dòng)基板包括電源、數(shù)據(jù)線、掃描線和多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路，在本實(shí)施方式中，像素驅(qū)動(dòng)電路為8X8的像素驅(qū)動(dòng)電路。在本發(fā)明中，所述LED陣列和硅基有源驅(qū)動(dòng)基板通過(guò)倒裝芯片技術(shù)鍵合在一起。倒裝芯片技術(shù)是微電子行業(yè)中較為成熟的ー種鍵合技術(shù)，其利用焊球和焊盤的互相連接來(lái)實(shí)現(xiàn)頂部芯片和底部芯片的互聯(lián)。在本發(fā)明中，在LED陣列的每ー個(gè)LED像素的P電極上面制作金屬焊盤。同時(shí)在硅基有源驅(qū)動(dòng)基板的每ー個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路的輸出端制作金屬焊球。然后把LED陣列翻轉(zhuǎn)使其金屬焊盤的一面對(duì)準(zhǔn)硅基有源驅(qū)動(dòng)基板制備焊球的一面。對(duì)準(zhǔn)后進(jìn)行回流處理，金屬焊球融化從而和金屬焊盤鍵合在一起。這樣LED陣列和硅基有源驅(qū)動(dòng)基板就鍵合在一起了。
倒裝芯片技術(shù)的步驟如下首先把LED陣列芯片的藍(lán)寶石襯底減薄至80微米左右，然后進(jìn)行拋光處理直到藍(lán)寶石沉底變至透明。然后再硅基有源選址基板上沉積ー層較厚(如I微米)的ニ氧化硅作為鈍化層并在其上開(kāi)出通孔。然后沉積ー層鈦鎢銅作為仔晶層，鈦鎢厚度為30納米，銅厚度為500納米。然后旋涂光刻膠AZ4903到硅基有源選址基板表面并按照倒裝焊凸點(diǎn)的分布開(kāi)出相對(duì)應(yīng)的圖形。然后利用電鍍的方法在硅基有源選址基板表面沉積8微米后的銅和22微米厚的焊料層。由于光刻膠AZ4903的保護(hù)，只有特定區(qū)域才有電鍍層出現(xiàn)。電鍍完成后去掉光刻膠以及多余的仔晶層，并把基板放進(jìn)回流爐進(jìn)行回流。回流之后焊料層就會(huì)變成球狀的凸點(diǎn)。然后把LED陣列倒扣在硅基板上進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，對(duì)準(zhǔn)之后再做一次回流。這樣硅基板上的凸點(diǎn)就會(huì)和LED陣列上的焊盤鍵合在一起。倒裝芯片エ藝至此完成。附圖3的進(jìn)ー步說(shuō)明，有源選址單色硅基發(fā)光二極管微顯示芯片002擁有足夠分辨率以顯示電影，圖片或字符。例如，8X8的分辨率可以顯示字段，800X480的分辨率可以顯示電影和圖片。LED像素101的形狀是但不限于圓形，方形，矩形，六角形的形狀。LED像素101尺寸足夠小，以保持LED微型顯示面板足夠小以及整個(gè)微投影系統(tǒng)的大小。例如，LED像素101可以是ー個(gè)直徑為100微米的圓形、100微米X 100微米的方形、300微米X300 微米或300微米X 100微米的矩形。附圖3的進(jìn)ー步說(shuō)明，掃描晶體管204和驅(qū)動(dòng)晶體管205可能是N型M0SFET，P型MOSFET, n型TFT，p型TFT，HEMT, M0SHEMT以及其他類型的電子開(kāi)關(guān)器件。附圖4為有源選址單色發(fā)光二極管微顯示芯片的剖面圖。如圖4所示，所述有源選址單色發(fā)光二極管微顯示芯片001包括LED襯底100，LED像素101，硅襯底102和一定數(shù)目的凸點(diǎn)103。凸點(diǎn)103的尺寸與LED像素大小相匹配，并通過(guò)倒裝焊的方式把LED像素101和硅襯底102集成到一起。附圖5為有源選址和無(wú)源選址兩種單色發(fā)光二極管微顯示芯片中的發(fā)光二極管像素101的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述發(fā)光二極管像素101包括LED像素基板100，N型氮化鎵層105，多量子阱(MQW) 106，P型氮化鎵層107，電流擴(kuò)散層108，P和n電極109和鈍化層110。附圖5的進(jìn)ー步說(shuō)明，LED像素基板100材料可以但不限于藍(lán)寶石，氮化鎵，碳化硅，石英，硅，神化鎵，磷化銦等。多量子阱105的周期數(shù)目為但不限于5個(gè)周期。電流擴(kuò)散層108的材料可以但不限于鎳，金，銀，氧化銦錫，氧化鋅，以及上述材料的組合。p和n電極材料可以但不限于鋁，鈦，金，鉬，鎳，銀或任何其他低電阻材料。圖6為無(wú)源選址單色發(fā)光二極管微顯示芯片中硅基板的顯微鏡圖片。在硅襯底102上制備多個(gè)凸點(diǎn)103，并使凸點(diǎn)103排列為對(duì)應(yīng)LED像素的陣列。每個(gè)凸點(diǎn)103都具有相同的結(jié)構(gòu)并分為兩組，111和112。111組的凸點(diǎn)連接同一列中每個(gè)LED像素101的N電極，而112組的凸點(diǎn)連接同一行中每個(gè)LED像素101的P電極。附圖6的進(jìn)一步說(shuō)明，所不娃襯底102,包含有多個(gè)凸點(diǎn)103。同一行中的LED像
素101的P電極互相獨(dú)立并--對(duì)應(yīng)的連接到硅襯底102上提供的凸點(diǎn)。凸點(diǎn)103的尺寸
與LED像素大小相匹配，并通過(guò)倒裝焊的方式把LED像素103和硅襯底102集成到一起。例如，如果LED像素101是ー個(gè)圓形，直徑為100微米，凸點(diǎn)103應(yīng)該是直徑80微米或更小。如果LED像素101是正方形，尺寸為300微米X 300微米，凸點(diǎn)的直徑應(yīng)該為250微米或更小。凸點(diǎn)的高度應(yīng)足夠高，以保持LED像素101和硅襯底102的間隙足夠大，以防止短路的問(wèn)題，并提供足夠的散熱空間。附圖6的進(jìn)ー步說(shuō)明，制作凸點(diǎn)103的材料可以是鉛，錫，金，銀或其他任何上述材料的合金。圖7為有源選址硅基發(fā)光二極管微顯示芯片中的硅基板的顯微鏡照片。如圖7所示，該有源選址硅基發(fā)光二極管微顯示芯片中的硅基板包括像素驅(qū)動(dòng)電路210，電源VDD207，接地端208，數(shù)據(jù)線204和掃描線202。與圖6對(duì)比可知，圖6中的無(wú)源選址硅基板，多有凸點(diǎn)均放置在金屬線條(白色部分)之上，沒(méi)有對(duì)應(yīng)的CMOS控制電路。圖7中的有源選址硅基板，每個(gè)凸點(diǎn)均放置在相對(duì)應(yīng)的像素驅(qū)動(dòng)電路之上。在本發(fā)明中，硅基CMOS集成電路技術(shù)和氮化鎵基LED技術(shù)通過(guò)倒裝焊技術(shù)相結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)了硅基CMOS集成電路有源尋址LED微顯示技木。本發(fā)明中，CMOS有源尋址驅(qū) 動(dòng)電路的設(shè)計(jì)為每ー個(gè)LEDoS像素提供了足夠的驅(qū)動(dòng)電流和，并且每個(gè)LED像素的亮度都可通過(guò)由CMOS像素驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制。圖8為全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片003的俯視圖，利用紫外光發(fā)光二極管激發(fā)紅綠藍(lán)三種顏色轉(zhuǎn)換材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。如圖8所示，LED微顯示芯片003包括發(fā)射波長(zhǎng)為紫外光的LED像素101以及紅綠藍(lán)三種顏色轉(zhuǎn)換材料301，302和303。這三種顏色轉(zhuǎn)換材料分別放置在紫外光LED像素101的頂部。當(dāng)受到紫外光的激發(fā)吋，紅色材料301會(huì)發(fā)出紅色的光，綠色材料302會(huì)發(fā)出綠色的光，藍(lán)色材料303會(huì)發(fā)出藍(lán)色的光。圖9為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的、全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片003的截面圖，利用紫外光發(fā)光二極管激發(fā)紅綠藍(lán)三種顔色的磷粉來(lái)實(shí)現(xiàn)。全彩色的LED微型顯示003包括LED像素基板100，LED像素101，硅襯底102和一定數(shù)目的焊球103。三種顏色轉(zhuǎn)換材料301，302和303放置在LED像素基板100的背面。當(dāng)受到紫外光的激發(fā)吋，紅色材料301會(huì)發(fā)出紅色的光，緑色材料302會(huì)發(fā)出綠色的光，藍(lán)色材料303會(huì)發(fā)出藍(lán)色的光。附圖9的進(jìn)ー步說(shuō)明，LED像素101有適當(dāng)?shù)陌l(fā)射波長(zhǎng)，以激發(fā)色彩轉(zhuǎn)換材料301，302和303。例如，LED像素101發(fā)射波長(zhǎng)480nm波長(zhǎng)(紫外光)，該波長(zhǎng)的紫外光可以激發(fā)顏色彩轉(zhuǎn)換材料301，302和303，分別發(fā)出紅光，綠光和藍(lán)光。附圖9的進(jìn)ー步說(shuō)明，顔色轉(zhuǎn)換材料301，302和303可以是但不限于熒光粉，磷粉，量子點(diǎn)材料，轉(zhuǎn)換薄膜和其他的顏色轉(zhuǎn)換材料。顏色轉(zhuǎn)換材料301，302和303可通過(guò)旋涂，點(diǎn)膠或者粘貼的方法沉積在LED像素基板100的背面。顏色彩轉(zhuǎn)換材料，301，302和303必須有足夠的厚度，以滿足對(duì)色彩質(zhì)量的要求。例如，厚度為IOum的，但不局限于此值。圖10為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的、全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片004的俯視圖，利用藍(lán)光發(fā)光二極管激發(fā)紅綠兩種顏色轉(zhuǎn)換來(lái)實(shí)現(xiàn)。全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片004包括基板100和一定數(shù)量的LED像素101。兩個(gè)顏色轉(zhuǎn)換材料402和403放置在LED像素基板100的背面。如圖10所示，在本發(fā)明的ー實(shí)施方式中，發(fā)出紅光的顔色轉(zhuǎn)換材料放置在第一列LED像素基板100的背面，發(fā)出綠光的顏色轉(zhuǎn)換材料放置在第二列LED像素基板100的背面，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要來(lái)設(shè)定。當(dāng)受到藍(lán)光的激發(fā)時(shí)，紅色材料402會(huì)發(fā)出紅色的光，綠色材料403會(huì)發(fā)出綠色的光。藍(lán)色光由LED像素101直接發(fā)出，無(wú)需轉(zhuǎn)換。附圖10的進(jìn)ー步說(shuō)明，顔色轉(zhuǎn)換材料402和403可以是但不限于熒光粉，磷粉，量子點(diǎn)材料，轉(zhuǎn)換薄膜和其他的顔色轉(zhuǎn)換材料。顔色轉(zhuǎn)換材料402和403可通過(guò)旋涂，點(diǎn)膠或者粘貼的方法沉積在LED像素基板100的背面。顏色彩轉(zhuǎn)換材料402和403必須有足夠的厚度，以滿足對(duì)色彩質(zhì)量的要求。例如，厚度為IOum的，但不局限于此值。附圖11為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的、全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片004的截面圖，利用藍(lán)光發(fā)光二極管激發(fā)紅綠三種顏色轉(zhuǎn)換材料來(lái)實(shí)現(xiàn)。全彩色的LED微型顯示器004包括LED像素基板100和和一定數(shù)量的LED像素101。兩個(gè)顏色轉(zhuǎn)換材料402和403放置在LED像素基板100的背面。當(dāng)受到藍(lán)光的激發(fā)吋，紅色材料402會(huì)發(fā)出紅色的光，綠色材料403會(huì)發(fā)出綠色的光。藍(lán)色光由LED像素101直接發(fā)出，無(wú)需轉(zhuǎn)換。附圖11的進(jìn)ー步說(shuō)明，LED像素101有適當(dāng)?shù)陌l(fā)射波長(zhǎng)，以激發(fā)色彩轉(zhuǎn)換材料402，403。例如，LED像素101發(fā)射波長(zhǎng)為440nm(藍(lán)色)，顏色彩轉(zhuǎn)換材料402和403可以被激發(fā)波長(zhǎng)，分別發(fā)出紅色和緑色的色彩。附圖11的進(jìn)ー步說(shuō)明，顔色轉(zhuǎn)換材料402和403可以是但不限于熒光粉，磷粉，量子點(diǎn)材料，轉(zhuǎn)換薄膜和其他的顔色轉(zhuǎn)換材料。顔色轉(zhuǎn)換材料402和403可通過(guò)旋涂，點(diǎn)膠或者粘貼的方法沉積在LED像素基板100的背面。顏色彩轉(zhuǎn)換材料402和403必須有足夠的厚度，以滿足對(duì)色彩質(zhì)量的要求。例如，厚度為IOum的，但不局限于此值。
圖12為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的、全彩色發(fā)光二極管微顯示芯片005的示意圖，利用紅綠藍(lán)三種單色發(fā)光二極管微顯示芯片通過(guò)光學(xué)鏡頭組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。全彩色LED微型顯示005包括三個(gè)單色LED微型顯示屏，501，502和503，光學(xué)引擎504和投影屏幕505。附圖12的進(jìn)ー步說(shuō)明，單色LED微型顯示面板501，502和503的結(jié)構(gòu)是相同的，但發(fā)射波長(zhǎng)是不同的。例如有501發(fā)射波長(zhǎng)為610nm(紅色)，502具有發(fā)射波長(zhǎng)為550nm(綠色)和503發(fā)射波長(zhǎng)為440nm (藍(lán)色)。光學(xué)引擎可以把三個(gè)單色LED微型顯示面板504501，502和503發(fā)出的光整合在一起，然后投射到屏幕505。附圖12的進(jìn)ー步說(shuō)明，單色LED微型顯示面板501，502和503同附圖2至附圖6中提到的LED微型顯示面板具有相同的結(jié)構(gòu)。501，502和503的相對(duì)位置是等效的，可以互相交換位置。501發(fā)射波長(zhǎng)為紅色的光。502發(fā)射波長(zhǎng)為綠色的光,503發(fā)射波長(zhǎng)為藍(lán)色的光。附圖12的進(jìn)ー步說(shuō)明，單色微型LED顯示屏501，502和503可在利用附圖8中的方法制作。例如，501通過(guò)單色LED微顯示面板發(fā)射波長(zhǎng)為380nm(紫外光)加發(fā)出紅光的顔色轉(zhuǎn)換材料的方法制造。502通過(guò)單色LED微顯示面板發(fā)射波長(zhǎng)為380nm(紫外光)加發(fā)出綠光的顔色轉(zhuǎn)換材料的方法制造。503通過(guò)單色LED微顯示面板發(fā)射波長(zhǎng)為380nm(紫外光)加發(fā)出藍(lán)光的顔色轉(zhuǎn)換材料的方法制造。附圖12的進(jìn)ー步說(shuō)明，單色LED微型顯示屏501，502和503其中的任意兩個(gè)可以采用附圖11圖中提到的方法制作。例如，501通過(guò)單色LED微顯示面板發(fā)射波長(zhǎng)為440nm(藍(lán)光)加發(fā)出紅光的顔色轉(zhuǎn)換材料的方法制造。502通過(guò)單色LED微顯示面板發(fā)射波長(zhǎng)為440nm(藍(lán)光)加發(fā)出綠光的顏色轉(zhuǎn)換材料的方法制造。503初始發(fā)射波長(zhǎng)為440nm處(藍(lán)色)，無(wú)需轉(zhuǎn)換。附圖12的進(jìn)ー步說(shuō)明，微型單色LED顯示屏501，502和503有足夠分辨率以顯示電影，圖片或字符。例如，8X8的分辨率可以顯示字段；800X480的分辨率可以顯示普通電影和圖片；1920X1080的分辨率可以顯示全高清(Full-HD)電影。
附圖12的進(jìn)ー步說(shuō)明，光學(xué)引擎504應(yīng)有足夠的尺寸，可以把501，502和503發(fā)出的光整合在一起，并投射到屏幕505上。需要指出的是，本發(fā)明提出的實(shí)現(xiàn)全彩色顯示的方法不僅適用于有源選址，也同樣適用于無(wú)源選址。LEDoS會(huì)作為微投影機(jī)市場(chǎng)的新興力量而得到發(fā)展的良機(jī)。LEDoS微投影技術(shù)可以將光利用率提高到接近100%，降低了功耗，同時(shí)大大節(jié)省了體積，使得投影機(jī)更加便攜，更加適用于內(nèi)嵌手機(jī)/筆記本/相機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品。LEDoS微投影機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單(不需要背光源、偏光片和彩色膜)、光利用率高、成本低。LEDoS投影機(jī)的未來(lái)市場(chǎng)定位為高亮度低功耗便攜式LED投影機(jī)。可分為兩種不用的應(yīng)用ー種是獨(dú)立式微投影機(jī)，可通過(guò)驅(qū)動(dòng)接ロ把筆記本、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)相機(jī)、GPS等顯示終端的圖像投影到顯示屏上；另外一種是內(nèi)嵌式投影機(jī)，把LEDoS投影芯片內(nèi)嵌到筆記本電腦、平板電腦、手機(jī)以及數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品內(nèi)部作為擴(kuò)展功能模塊。
以上內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，包括電源、數(shù)據(jù)線、掃描線、多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路和多個(gè)LED像素，其特征在于， 所述像素驅(qū)動(dòng)電路和所述LED像素的數(shù)量相同，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路為對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述LED像素提供驅(qū)動(dòng)電流； 其中，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括掃描晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)電容，所述掃描晶體管的柵極與所述掃描線相連，漏極與所述數(shù)據(jù)線相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間連接所述電容，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述電源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極作為所述像素驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，LED像素的P電極連接到所述輸出端，LED像素的N電極連接在一起接到公共接地端； 其中，所述LED像素發(fā)射波長(zhǎng)為紫外光，并且所述有源選址單色硅基LED微顯示芯片還包括紅綠藍(lán)三種顏色轉(zhuǎn)換材料，這三種顏色轉(zhuǎn)換材料分別放置在紫外光LED像素的頂部，當(dāng)受到紫外光的激發(fā)時(shí)，紅色材料發(fā)出紅色的光，綠色材料會(huì)發(fā)出綠色的光，藍(lán)色材料發(fā)出藍(lán)色的光。
2.一種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，包括電源、數(shù)據(jù)線、掃描線、多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路和多個(gè)LED像素，其特征在于， 所述像素驅(qū)動(dòng)電路和所述LED像素的數(shù)量相同，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路為對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述LED像素提供驅(qū)動(dòng)電流； 其中，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括掃描晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)電容，所述掃描晶體管的柵極與所述掃描線相連，漏極與所述數(shù)據(jù)線相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間連接所述電容，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述電源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極作為所述像素驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，LED像素的P電極連接到所述輸出端，LED像素的N電極連接在一起接到公共接地端； 其中，所述LED像素發(fā)射波長(zhǎng)為藍(lán)色光，并且所述有源選址單色硅基LED微顯示芯片還包括紅綠兩種顏色轉(zhuǎn)換材料，這兩種顏色轉(zhuǎn)換材料分別放置在藍(lán)色光LED像素的頂部，當(dāng)受到藍(lán)色光的激發(fā)時(shí)，紅色材料發(fā)出紅色的光，綠色材料發(fā)出綠色的光。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，其特征在于，所述掃描晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管是N型MOSFET、P型MOSFET、η型TFT、p型TFT、HEMT或者 MOSHEMT。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，其特征在于，所述LED像素包括LED像素基板、N型氮化鎵層、多量子阱(MQW)、P型氮化鎵層、電流擴(kuò)散層、P和η電極和鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，其特征在于，所述LED像素基板的材料為藍(lán)寶石、氮化鎵、碳化硅、石英、硅、砷化鎵或者磷化銦；所述多量子阱的周期數(shù)目為5個(gè)周期，所述電流擴(kuò)散層的材料為鎳、金、銀、氧化銦錫、氧化鋅以及上述材料的組合；所述P和η電極材料為鋁、鈦、金、鉬、鎳、或者銀；并且，所述顏色轉(zhuǎn)換材料通過(guò)旋涂，點(diǎn)膠或者粘貼的方法沉積在在所述LED像素基板的背面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，其特征在于，所述顏色轉(zhuǎn)換材料為熒光粉、磷粉、量子點(diǎn)材料或者轉(zhuǎn)換薄膜，并且其厚度優(yōu)選為10um。
7.一種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影裝置，其特征在于，所述全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影裝置包括三個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，光學(xué)引擎和投影屏幕；每個(gè)所述單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片結(jié)構(gòu)相同，均包括 電源、數(shù)據(jù)線、掃描線、多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路和多個(gè)LED像素，所述像素驅(qū)動(dòng)電路和所述LED像素的數(shù)量相同，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路為對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述LED像素提供驅(qū)動(dòng)電流；其中，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括掃描晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管和一個(gè)電容，所述掃描晶體管的柵極與所述掃描線相連，漏極與所述數(shù)據(jù)線相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間連接所述電容，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極連接所述電源，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極作為所述像素驅(qū)動(dòng)電路的輸出端，LED像素的P電極連接到所述輸出端，LED像素的N電極連接在一起接到公共接地端； 其中，光學(xué)引擎把所述三個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片發(fā)出的光整合在一起，然后投射到所述投影屏幕。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影裝置，其特征在于，每個(gè)所述單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片的發(fā)射波長(zhǎng)不同，分別為610nm的紅色光、550nm的綠色光和440nm的藍(lán)色光。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影裝置，其特征在于，所述三個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片的發(fā)射波長(zhǎng)均為380nm的紫外光，并且所述三個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片中的第一個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片包括發(fā)出紅光的顏色轉(zhuǎn)換材料，第二個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片包括發(fā)出綠光的顏色轉(zhuǎn)換材料，第三個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片包括發(fā)出藍(lán)光的顏色轉(zhuǎn)換材料，這三種顏色轉(zhuǎn)換材料分別放置在每個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片中的紫外光LED像素的頂部，當(dāng)受到紫外光的激發(fā)時(shí)，紅色材料發(fā)出紅色的光，綠色材料會(huì)發(fā)出綠色的光，藍(lán)色材料發(fā)出藍(lán)色的光。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影裝置，其特征在于，所述三個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片的發(fā)射波長(zhǎng)均為440nm的藍(lán)色光，并且所述三個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片中的第一個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片包括發(fā)出紅光的顏色轉(zhuǎn)換材料，第二個(gè)單色有源選址發(fā)光二極管微投影芯片包括發(fā)出綠光的顏色轉(zhuǎn)換材料，這兩種顏色轉(zhuǎn)換材料分別放置在藍(lán)色光LED像素的頂部，當(dāng)受到藍(lán)色光的激發(fā)時(shí)，紅色材料發(fā)出紅色的光，綠色材料發(fā)出綠色的光。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種全彩色硅基有源選址發(fā)光二極管微投影芯片，包括電源、數(shù)據(jù)線、掃描線、多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路和多個(gè)LED像素，所述像素驅(qū)動(dòng)電路和所述LED像素的數(shù)量相同，每個(gè)所述像素驅(qū)動(dòng)電路為對(duì)應(yīng)的一個(gè)所述LED像素提供驅(qū)動(dòng)電流，所述LED像素發(fā)射波長(zhǎng)為紫外光，并且所述有源選址單色硅基LED微顯示芯片還包括紅綠藍(lán)三種顏色轉(zhuǎn)換材料。本發(fā)明完全摒棄了傳統(tǒng)的LCD投影機(jī)中的背光源模組、偏光片和彩色膜，由自發(fā)光的LEDoS芯片直接投影，從而有效提高了光利用率，節(jié)省了體積，并且本技術(shù)立足于成熟的IC集成電路技術(shù)和目前日益廣泛應(yīng)用的LED技術(shù)，易于以極低的成本進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
文檔編號(hào)G03B21/00GK102760419SQ20121024811
公開(kāi)日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月18日
發(fā)明者俞捷, 劉召軍, 劉紀(jì)美, 莊永漳, 黃嘉銘 申請(qǐng)人:劉紀(jì)美