專利名稱：電光裝置、投影型顯示裝置、電子設備及電光裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶裝置等的電光裝置、投影型顯示裝置及電子設備。更詳細地，涉及電光裝置中的像素電極周邊的構成。
背景技術：
在用于液晶裝置和/或有機電致發(fā)光裝置等的電光裝置的元件基板中，具備像素電極的像素配置為矩陣狀，像素電極介由形成于絕緣膜的接觸孔導通于下層側的導電層(例如，參照專利文獻I)。在如此的電光裝置中，若接觸孔的平面尺寸大，則顯示質(zhì)量下降。例如，在液晶裝置中，若接觸孔的平面尺寸大，在像素電極的表面會形成大的凹凸，則無法適當?shù)匦纬扇∠蚰?。并且，在透射型的液晶裝置的情況下，因為在接觸孔中，光不透射，所以顯示光量減少。并且，在反射型的液晶裝置的情況下，若在像素電極的表面形成大的凹凸，則在產(chǎn)生凹凸的部位處，光的反射方向紊亂的結果，形成凹凸的部分不參與顯示。另一方面，存在采用以下構成的情況在層間絕緣膜的接觸孔內(nèi)埋入插頭，介由如此的插頭使像素電極與下層側的電極導通(例如，參照專利文獻2)。根據(jù)如此的構成，接觸孔的平面尺寸小亦無妨，并且在像素電極的表面不形成大的凹凸。專利文獻I特開2006-317903號公報專利文獻2特開2011-64849號公報可是，在利用插頭的導通結構的情況下，為了形成插頭，必需重新準備在電光裝置中通常不使用的鎢等的金屬材料，所以成本增大。并且，在采用通過插頭產(chǎn)生的導通結構的情況下，必需進行直到接觸孔填滿為止對插頭用的金屬膜進行濺射成膜得厚的工序和以化學機械拋光等的方法使層間絕緣膜平坦化的工序，因為在這些工序之中的對插頭用的金屬膜進行濺射成膜得厚時必需很多的時間，所以生產(chǎn)率降低。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上的問題點，本發(fā)明的目的在于提供即使不用插頭用的特殊的金屬，利用以其他目的形成于電光裝置的膜，也能夠不占用大的面積且在像素電極的表面不產(chǎn)生大的凹凸地形成像素電極的導通部分的電光裝置、投影型顯示裝置及電子設備。用于解決所述問題，本發(fā)明涉及的電光裝置特征為具有多個像素電極、第I絕緣膜、導電層和第2絕緣膜，所述多個像素電極設置于基板的一方的面?zhèn)?，所述第I絕緣膜設置于所述基板與所述像素電極之間，在俯視與所述像素電極重疊的位置具備朝向所述像素電極突出的柱狀凸部，所述導電層設置于該第I絕緣膜與所述像素電極之間，具備俯視重疊于所述柱狀凸部的頂端面的導通部，所述第2絕緣膜設置于所述導電層與所述像素電極之間，在所述像素電極側的面使所述導通部露出；所述像素電極疊層于所述第2絕緣膜的該像素電極側的面而與所述導通部導通。
并且，本發(fā)明涉及的電光裝置的制造方法特征為包括第I絕緣膜形成工序、柱狀凸部形成工序、導電層形成工序、第2絕緣膜形成工序、導通部露出工序和像素電極形成工序，所述第I絕緣膜形成工序在基板的一方的面?zhèn)刃纬傻贗絕緣膜；所述柱狀凸部形成工序?qū)λ龅贗絕緣膜的表面部分性地進行蝕刻而在所述第I絕緣膜形成朝向上方突出的柱狀凸部；所述導電層形成工序在包括所述柱狀凸部的形成區(qū)域的所述第I絕緣膜上形成導電層；所述第2絕緣膜形成工序在該導電層上形成第2絕緣膜；所述導通部露出工序從表面?zhèn)热コ龅?絕緣膜而在所述導電層中使俯視重疊于所述柱狀凸部的頂端面的部分作為導通部露出；所述像素電極形成工序在包括所述導通部的露出區(qū)域的所述第2絕緣膜上形成像素電極。
在本發(fā)明中，在設置于像素電極與基板之間的第I絕緣膜，在與像素電極重疊的位置形成朝向像素電極突出的柱狀凸部，導電層的導通部重疊于如此的柱狀凸部的頂端面。并且，雖然在導電層與像素電極之間設置第2絕緣膜，但是在如此的第2絕緣膜的像素電極側的面上導通部露出。因此，若將像素電極疊層于第2絕緣膜，則像素電極與導通部導通。因此，相比于利用形成于絕緣膜的接觸孔而使像素電極與導電層導通的結構，接觸部的平面尺寸小亦無妨，并且在像素電極的表面也不會產(chǎn)生大的凹凸。并且，能夠利用以其他目的形成于所謂的導電層和/或絕緣膜等的電光裝置的膜而進行像素電極的導通，不必厚厚地蒸鍍插頭用的特殊的金屬。在本發(fā)明中，優(yōu)選所述導通部的所述像素電極側的面與所述第2絕緣膜的所述像素電極側的面形成連續(xù)的平坦面。根據(jù)如此的構成，能夠?qū)⑾袼仉姌O形成于平坦面上。在本發(fā)明中，優(yōu)選具備設置于所述導電層與所述基板之間的電容電極層和設置于所述電容電極層與所述導電層之間的電介質(zhì)層；通過所述電容電極層、所述電介質(zhì)層及所述導電層構成存儲電容。即，優(yōu)選利用構成存儲電容的電極層(導電層)而進行像素電極的導通。在本發(fā)明中，優(yōu)選所述第I絕緣膜設置于所述電容電極層與所述導電層之間；在所述電容電極層與所述導電層俯視重疊的區(qū)域設置開口部。根據(jù)如此的構成，即使電介質(zhì)層薄，也能夠通過第I絕緣膜防止第I絕緣膜的端部與電容電極層的短路。在本發(fā)明中，能夠采用在俯視與所述多個像素電極之中的相鄰的像素電極之間重疊的區(qū)域設置所述導電層及所述電容電極層的構成。因為即便是如此的構成，在本發(fā)明中，導電層也處于比電容電極層靠近像素電極的位置，所以液晶的取向不會由于產(chǎn)生于像素電極與電容電極層之間的電位而紊亂。在本發(fā)明中，優(yōu)選所述柱狀凸部設置于俯視重疊于所述電容電極層的位置。根據(jù)如此的構成，因為能夠按電容電極層的膜厚，將柱狀凸部及導通部設置于上方，所以與像素電極的導通變得容易。在本發(fā)明中，在將電光裝置構成為液晶裝置的情況下，所述基板成為在與對置配置于所述一方的面?zhèn)鹊膶χ没逯g對液晶層進行保持的構成。應用本發(fā)明的電光裝置能夠在各種電子設備中用于直視型顯示裝置等的各種顯示裝置。并且，應用本發(fā)明的電光裝置能夠用于投影型顯示裝置。如此的投影型顯示裝置具有出射照射于應用本發(fā)明的電光裝置的照明光的光源部和對通過所述電光裝置調(diào)制的光進行投影的投影光學系統(tǒng)。


圖I是表示應用本發(fā)明的電光裝置的電構成的框圖。圖2是用于應用本發(fā)明的電光裝置的液晶面板的說明圖。圖3是應用本發(fā)明的電光裝置的像素的說明圖。圖4是表示應用本發(fā)明的電光裝置的制造工序的要部的說明圖。圖5是表示應用本發(fā)明的電光裝置的制造工序的要部的說明圖。圖6是表示應用本發(fā)明的電光裝置的效果的說明圖。圖7是應用本發(fā)明的投影型顯示裝置及光學單元的概略構成圖。 符號的說明7a· 第2電極層(導電層)，7s · 導通部的表面，7t· 導通部，9a· 像素電極，9t · ·接觸部分，10 · ·元件基板，IOf · ·像素間區(qū)域，IOw · ·基板主體,30 · ·像素晶體管，44· 絕緣膜(第I絕緣膜)，45· 層間絕緣膜(第2絕緣膜)，100· 電光裝置，110,1000 · 投影型顯示裝置，440 · 柱狀凸部，450 · 層間絕緣膜的表面
具體實施例方式參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行說明。還有，在以下的說明中，在各種電光裝置之中的液晶裝置及其制造方法中，以在使像素電極9a與第2電極層7a (導電層)導通的情況下應用本發(fā)明的例為中心進行說明。并且，在以下的說明中參照的附圖中，為了使各層和/或各構件在圖面上成為可以識別的程度的大小，使比例尺按層和/或構件而異示出。并且，雖然在流過像素晶體管的電流的方向反轉(zhuǎn)的情況下，源與漏可替換，但是在本說明中，以連接像素電極側(像素側源漏區(qū)域)為漏，以連接數(shù)據(jù)線側(數(shù)據(jù)線側源漏區(qū)域)為源。并且，當對形成于元件基板的層進行說明時，所謂上層側或者表面?zhèn)仁侵概c元件基板的基板主體所處之側相反側(對置基板所處之側)，并且所謂下層側是指元件基板的基板主體所處之側(與對置基板所處之側的相反側)。(電光裝置(液晶裝置)的說明)(整體構成)圖I是表示應用本發(fā)明的電光裝置的電構成的框圖。還有，圖I因為到底是表示電構成的框圖，所以關于電容電極層等延伸的方向等、布置示意性地示出。在圖I中，本方式的電光裝置100 (液晶裝置)具有TN (Twisted Nematic，扭曲向列)模式和/或VA (Vertical Alignment,垂直對齊)模式的液晶面板IOOp,液晶面板IOOp在其中央?yún)^(qū)域具備矩陣狀地排列多個像素IOOa的圖像顯示區(qū)域IOa (像素區(qū)域)。在液晶面板IOOp中，在后述的元件基板10 (參照圖2等)中，在圖像顯示區(qū)域IOa的內(nèi)側多條數(shù)據(jù)線6a及多條掃描線3a縱橫地延伸，在對應于它們的交點的位置構成像素100a。在多個像素IOOa的各自，形成包括場效應型晶體管的像素晶體管30及后述的像素電極9a。在像素晶體管30的源電連接數(shù)據(jù)線6a，在像素晶體管30的柵電連接掃描線3a，在像素晶體管30的漏，電連接像素電極9a。在元件基板10中，在比圖像顯示區(qū)域IOa靠外周側設置掃描線驅(qū)動電路104和數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101。數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101電連接于各數(shù)據(jù)線6a，將從圖像處理電路供給的圖像信號依次供給于各數(shù)據(jù)線6a。掃描線驅(qū)動電路104電連接于各掃描線3a，將掃描信號依次供給于對各掃描線3a。在各像素IOOa中，像素電極9a與形成于后述的對置基板20 (參照圖2等)的共用電極介由液晶層而對置，并構成液晶電容50a。并且，在各像素100a，用于防止以液晶電容50a保持的圖像信號的變動，與液晶電容50a并聯(lián)地附加存儲電容55。在本方式中，用于構成存儲電容55，跨多個像素IOOa的第I電極層5a形成為電容電極層。在本方式中，第I電極層5a導通于施加共用電位Vcom的共用電位線5c。(液晶面板IOOp的構成)圖2是用于應用本發(fā)明的電光裝置100的液晶面板IOOp的說明圖，圖2 (a)、(b)分別是從對置基板側一起看各構成要件和液晶面板IOOp的俯視圖及其H-Hi剖視圖。如示于圖2 (a)、(b)地，在液晶面板IOOp中，元件基板10 (電光裝置用的元件基板)與對置基板20隔著預定的間隙通過密封材料107而貼合，密封材料107沿著對置基板20的外緣地設置為框狀。密封材料107為包括光固化樹脂和/或熱固化性樹脂等的粘接齊U，摻合用于使兩基板間的距離成為預定值的玻璃纖維，或者玻璃珠等的間隙材料。在如此的構成的液晶面板IOOp中，元件基板10及對置基板20均為四邊形，在液晶面板IOOp的基本中央，參照圖I進行了說明的圖像顯示區(qū)域IOa設置為四邊形的區(qū)域。對應于如此的形狀，密封材料107也設置為基本四邊形，在密封材料107的內(nèi)周緣與圖像顯示區(qū)域IOa的外周緣之間，基本四邊形的周邊區(qū)域IOb設置為框緣狀。在元件基板10中，在圖像顯示區(qū)域IOa的外側，沿著元件基板10的一條邊形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101及多個端子102，沿著相鄰于該一條邊的另一條邊形成掃描線驅(qū)動電路104。還有，在端子102，連接柔性布線基板(未圖示)，在元件基板10，介由柔性布線基板輸入各種電位和/或各種信號。雖然詳情后述，但是在元件基板10的一方的面IOs及另一方的面IOt之中的一方的面IOs側，在圖像顯示區(qū)域10a，矩陣狀地形成參照圖I進行了說明的像素晶體管30及電連接于像素晶體管30的像素電極9a，在如此的像素電極9a的上層側形成取向膜16。并且，在元件基板10的一方的面IOs側，在周邊區(qū)域10b，形成與像素電極9a同時形成的虛設像素電極9b (參照圖2 (b))。關于虛設像素電極9b，可采用與虛設的像素晶體管電連接的構成、不設置虛設的像素晶體管而直接電連接于配線的構成或者處于未施加電位的浮置狀態(tài)的構成。如此的虛設像素電極9b當在元件基板10中使形成取向膜16的面通過拋光平坦化時，對圖像顯示區(qū)域IOa與周邊區(qū)域IOb的高度位置進行壓縮，有助于使形成取向膜16的面成為平坦面。并且，如果將虛設像素電極9b設定為預定的電位，則能夠防止在圖像顯示區(qū)域IOa的外周側端部的液晶分子的取向的紊亂。在對置基板20中與元件基板10對置的一方的面?zhèn)刃纬晒灿秒姌O21，在共用電極21的上層形成取向膜26。共用電極21作為對置基板20的基本整面或者多個帶狀電極跨多個像素IOOa而形成。并且，在對置基板20中與元件基板10對置的一方的面?zhèn)?，在共用電極21的下層側形成遮光層108。在本方式中，遮光層108形成為沿著圖像顯示區(qū)域IOa的外周緣延伸的框緣狀，作為分隔件而起作用。在此，遮光層108的外周緣位于在與密封材料107的內(nèi)周緣之間隔開間隙的位置，遮光層108與密封材料107不相重疊。還有，在對置基板20中，遮光層108有時也在與通過相鄰的像素電極9a夾著的像素間區(qū)域重疊的區(qū)域等形成為黑矩陣部。
在如此地構成的液晶面板IOOp中，在元件基板10，在比密封材料107靠外側與對置基板20的角部分重疊的區(qū)域，形成用于在元件基板10與對置基板20之間取得電導通的基板間導通用電極109。在如此的基板間導通用電極109，配置包括導電微粒的基板間導通材料109a，對置基板20的共用電極21介由基板間導通材料109a及基板間導通用電極109電連接于元件基板10側。因此，共用電極21從元件基板10側被施加共用電位Vcom。密封材料107以基本相同的寬度尺寸沿著對置基板20的外周緣而設置。因此，密封材料107基本為四邊形。但是，密封材料107設置為，在與對置基板20的角部分重疊的區(qū)域中避開基板間導通用電極109而通過內(nèi)側，密封材料107的角部分基本為圓弧狀。在如此的構成的電光裝置100中，若通過ITO和/或IZO等的透光性的導電膜形成像素電極9a及共用電極21，則能夠構成透射型的液晶裝置。相對于此，若通過IT0( IndiumTin Oxide,氧化銦錫)和/或IZO (Indium Zinc Oxide,氧化銦鋅)等的透光性導電膜形成共用電極21，并通過鋁等的反射性導電膜形成像素電極9a，則能夠構成反射型的液晶裝置。在電光裝置100為反射型的情況下，從對置基板20側入射的光在元件基板10側的基板進行反射、出射的期間被調(diào)制而對圖像進行顯示。在電光裝置100為透射型的情況下，從元件基板10及對置基板20之中的一方側的基板入射的光在透射另一方側的基板、出射的期間被調(diào)制而對圖像進行顯示?！る姽庋b置100能夠用作移動電子計算機、便攜電話機等的電子設備的顏色顯示裝置，該情況下，在對置基板20，形成濾色器(未圖示)和/或保護膜。并且，在電光裝置100中，相應于使用的液晶層50的種類和/或常白模式/常黑模式的類別，相位差膜和/或偏振板等相對于液晶面板IOOp配置為預定的朝向。而且，電光裝置100在后述的投影型顯示裝置(液晶投影機)中，能夠用作RGB用的光閥。該情況下，因為在RGB用的各電光裝置100的各自，介由RGB色分解用的分色鏡分解后的各色的光作為投影光分別入射，所以不用形成濾色器。在本方式中，電光裝置100為在后述的投影型顯示裝置中用作RGB用的光閥的透射型的液晶裝置，以從對置基板20入射的光透射元件基板10而出射的情況為中心進行說明。并且，在本方式中，電光裝置100以具備作為液晶層50采用介電各向異性為負的向列液晶化合物的VA模式的液晶面板IOOp的情況為中心進行說明。(像素的具體性構成)圖3是應用本發(fā)明的電光裝置100的像素的說明圖，圖3 (a)、(b)分別是在元件基板10中相鄰的像素的俯視圖及在相當于圖3 (a)的F-F'線的位置對電光裝置100進行了剖切時的剖視圖。還有，在圖3 (a)中，用以下的線表示各區(qū)域。掃描線3a =粗的實線半導體層Ia =細而短的虛線數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b = —點劃線第I電極層5a及中繼電極5b =細而長的虛線第2電極層7a = 二點劃線像素電極9a =粗而短的虛線如示于圖3 (a)地，在元件基板10，在多個像素IOOa的各自形成矩形狀的像素電極9a，沿著與通過相鄰的像素電極9a夾著的縱橫的像素間區(qū)域IOf重疊的區(qū)域形成數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a。更具體地，沿著與像素間區(qū)域IOf之中延伸于第I方向(X方向)的第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域而掃描線3a延伸，并且沿著與延伸于第2方向(Y方向)的第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域而數(shù)據(jù)線6a延伸。數(shù)據(jù)線6a及掃描線3a分別直線性地延伸，在數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a相交叉的區(qū)域形成像素晶體管30。在元件基板10，與數(shù)據(jù)線6a重疊地，形成參照圖I進行了說明的第I電極層5a (電容電極層)。如示于圖3 (a)、(b)地，元件基板10以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主體10w、形成于基板主體IOw的液晶層50側的表面(一方的面IOs側)的像素電極9a、像素開關用的像素晶體管30及取向膜16為主體而構成。對置基板20以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主體20w、形成于其液晶層50側的表面(與元件基板10對置的一方的面?zhèn)?的共用電極21及取向膜26為主體而構成。在元件基板10中，在基板主體IOw的一方的面?zhèn)?，形成包括導電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導電膜的掃描線3a。在本方式中，掃描線3a由 鎢硅化物(WSix)等的遮光性導電膜構成，也作為對于像素晶體管30的遮光膜而起作用。在本方式中，掃描線3a由膜厚為200nm程度的硅化鎢構成。還有，在基板主體IOw與掃描線3a之間，有時也設置硅氧化膜等的絕緣膜。在基板主體IOw的一方的面IOs側，在掃描線3a的上層側，形成硅氧化膜等的絕緣膜12，在如此的絕緣膜12的表面，形成具備半導體層Ia的像素晶體管30。在本方式中，絕緣膜12例如具有通過采用四乙氧基硅烷(Si (OC2H5)4)的減壓CVD法和/或采用四乙氧基硅烷與氧氣的等離子CVD法等形成的硅氧化膜和通過高溫CVD法形成的硅氧化膜(HTO(High Temperature Oxide,高溫氧化物)膜)的2層結構。像素晶體管30具備半導體層Ia和柵電極3c，所述半導體層Ia在掃描線3a與數(shù)據(jù)線6a的交叉區(qū)域中使長邊方向朝向掃描線3a的延伸方向；所述柵電極3c延伸于與半導體層Ia的長度方向正交的方向而重疊于半導體層Ia的長度方向的中央部分。并且，像素晶體管30在半導體層Ia與柵電極3c之間具有透光性的柵絕緣層2。半導體層Ia具備相對于柵電極3c隔著柵絕緣層2對置的溝道區(qū)域lg，并且在溝道區(qū)域Ig的兩側具備源區(qū)域Ib及漏區(qū)域lc。在本方式中，像素晶體管30具有LDD結構。從而，源區(qū)域Ib及漏區(qū)域Ic分別在溝道區(qū)域Ig的兩側具備低濃度區(qū)域lbl、Icl，在相對于低濃度區(qū)域IblUcl與溝道區(qū)域Ig相反側相鄰的區(qū)域具備高濃度區(qū)域Ib2、lc2。半導體層Ia由多晶硅膜等構成。柵絕緣層2包括由使半導體層Ia熱氧化后的硅氧化膜構成的第I柵絕緣層2a和由通過CVD法等形成的硅氧化膜等構成的第2柵絕緣層2b的2層結構。柵電極3c包括導電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導電膜，在半導體層Ia的兩側，介由貫通第2柵絕緣層2b及絕緣膜12的接觸孔12a、12b導通于掃描線3a。在本方式中，柵電極3c具有膜厚為IOOnm程度的導電性的多晶硅膜和膜厚為IOOnm程度的硅化鎢膜的2層結構。還有，在本方式中，在透射電光裝置100之后的光在其他構件進行了反射時，以防止如此的反射光入射于半導體層Ia而在像素晶體管30產(chǎn)生起因于光電流的誤工作為目的，通過遮光膜形成掃描線3a，但是，也可以在柵絕緣層2的上層形成掃描線，并使其一部分成為柵電極3c。該情況下，示于圖3的掃描線3a僅以遮光為目而形成。在柵電極3c的上層側形成包括硅氧化膜等的透光性的層間絕緣膜41，在層間絕緣膜41的上層，通過相同類型的導電膜形成數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b。層間絕緣膜41例如包括通過采用硅烷(SH4)與一氧化二氮(N2O)的等離子CVD法等形成的硅氧化膜等。數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b包括導電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導電膜。在本方式中，數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b具有將膜厚為20nm的鈦(Ti)膜、膜厚為50nm的氮化鈦(TiN)膜、膜厚為350nm的鋁(Al)膜和膜厚為150nm的TiN膜按該順序進行疊層而形成的4層結構。數(shù)據(jù)線6a介由貫通層間絕緣膜41及第2柵絕緣層2b的接觸孔41a導通于源區(qū)域Ib (數(shù)據(jù)線側源漏區(qū)域)。漏電極6b在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域中形成為，一部分與半導體層Ia的漏區(qū)域Ic (像素電極側源漏區(qū)域)重疊，介由貫通層間絕緣膜41及第2柵絕緣層2b的接觸孔41b導通于漏區(qū)域lc。在數(shù)據(jù)線6a及漏電極6b的上層側形成包括硅氧化膜等的透光性的層間絕緣膜42。層間絕緣膜42例如包括通過采用四乙氧基硅烷與氧氣的等離子CVD法等形成的硅氧化月吳等。在層間絕緣膜42的上層側，第I電極層5a及中繼電極5b通過相同類型的導電膜 形成。第I電極層5a及中繼電極5b包括導電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導電膜。在本方式中，第I電極層5a及中繼電極5b具有膜厚為350nm程度的Al膜和膜厚為150nm程度的TiN膜的2層結構。第I電極層5a與數(shù)據(jù)線6a同樣，沿著與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸。中繼電極5b在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域中形成為，一部分與漏電極6b重疊，介由貫通層間絕緣膜42的接觸孔42a導通于漏電極6b ο在第I電極層5a及中繼電極5b的上層側形成硅氧化膜等的透光性的絕緣膜44(第I絕緣膜)作為蝕刻停止層，在如此的絕緣膜44，在與第I電極層5a重疊的區(qū)域形成開口部44b。在本方式中，絕緣膜44包括通過采用四乙氧基硅烷與氧氣的等離子CVD法等形成的硅氧化膜等。在此，開口部44b雖然在圖3 (a)中將圖示進行省略，但是形成為具備以數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域為起點沿著與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸的部分和以數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域為起點沿著與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸的部分的L字形狀。在絕緣膜44的上層側形成透光性的電介質(zhì)層40，在如此的電介質(zhì)層40的上層側形成第2電極層7a。第2電極層7a包括導電性的多晶硅膜、金屬硅化物膜、金屬膜或者金屬膜化合物等的導電膜。在本方式中，第2電極層7a包括膜厚為300nm程度的TiN膜。作為電介質(zhì)層40，除了能夠采用硅氧化膜和/或硅氮化膜等的硅化合物以外，還能夠采鋁氧化膜、鈦氧化膜、鉭氧化膜、鈮氧化膜、鉿氧化膜、鑭氧化膜和鋯氧化膜等的高介電系數(shù)的電介質(zhì)層。第2電極層7a形成為具備以數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域為起點沿著與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸的部分和以數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域為起點沿著與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸的部分的L字形狀。從而，第2電極層7a之中的沿著與第2像素間區(qū)域IOh重疊的區(qū)域延伸的部分在絕緣膜44的開口部44b中，介由電介質(zhì)層40重疊于第I電極層5a。如此地，在本方式中，第I電極層5a、電介質(zhì)層40及第2電極層7a在與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域構成存儲電容55。并且，在第2電極層7a中，沿著與第I像素間區(qū)域IOg重疊的區(qū)域延伸的部分與中繼電極5b部分性地重疊，介由貫通電介質(zhì)層40及絕緣膜44的接觸孔44a導通于中繼電極5b ο在第2電極層7a的上層側形成透光性的層間絕緣膜45，在層間絕緣膜45的上層偵牝形成包括膜厚為20nm程度的ITO膜等的透光性導電膜的像素電極9a。層間絕緣膜45例如包括通過采用四乙氧基硅烷與氧氣的等離子CVD法等形成的硅氧化膜等。像素電極9a在數(shù)據(jù)線6a與掃描線3a的交叉區(qū)域的附近與第2電極層7a部分性地重疊，在后述的接觸部分9t中，像素電極9a與第2電極層7a相導通。在像素電極9a的表面形成取向膜16。取向膜16包括聚酰亞胺等的樹脂膜或者硅氧化膜等的斜向蒸鍍膜。在本方式中，取向膜16為包括SiOx (X<2)、Si02、Ti02、Mg0、A1203、ln203、Sb2O3> Ta2O5等的斜向蒸鍍膜的無機取向膜(垂直取向膜)。在對置基板20中，在石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主體20w的液晶層50側的表面(對置于元件基板10側的面)，形成包括ITO膜等的透光性導電膜的共用電極21，覆蓋如此的共用電極21地形成取向膜26。取向膜26與取向膜16同樣， 包括聚酰亞胺等的樹脂膜、或者硅氧化膜等的斜向蒸鍍膜。在本方式中，取向膜26為包括SiOx(x < 2)、SiO2, TiO2, MgO、A1203、ln203、Sb2O3, Ta2O5等的斜向蒸鍍膜的無機取向膜(垂直取向膜)。如此的取向膜16、26使用于液晶層50的介電各向異性為負的向列液晶化合物垂直取向，液晶面板IOOp作為常黑的VA模式工作。還有，在參照圖I及圖2進行了說明的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101及掃描線驅(qū)動電路104，構成具備η溝道型的驅(qū)動用晶體管與P溝道型的驅(qū)動用晶體管的互補型晶體管電路等。在此，驅(qū)動用晶體管利用像素晶體管30的制造工序的一部分而形成。因此，在元件基板10中形成數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路101及掃描線驅(qū)動電路104的區(qū)域也具有與示于圖3 (b)的截面構成基本同樣的截面構成。(像素電極9a周邊的詳細構成)在本方式的電光裝置100中，在形成使像素電極9a與第2電極層7a導通的接觸部分9t時，首先，在絕緣膜44 (第I絕緣膜)中與像素電極9a重疊的位置形成朝向像素電極9a突出的柱狀凸部440。并且，第2電極層7a (導電層)直到與柱狀凸部440重疊的區(qū)域為止地形成，在第2電極層7a中俯視重疊于柱狀凸部440的部分成為與像素電極9a導通的導通部7t。在第2電極層7a上形成層間絕緣膜45 (第2絕緣膜)，在如此的層間絕緣膜45的表面450上,導通部7t的表面7s露出。從而，形成于層間絕緣膜45的表面450的像素電極9a與導通部7t的表面7s相接，導通于第2電極層7a。在此，層間絕緣膜45的表面450成為平坦面，并且，層間絕緣膜45的表面450與導通部7t的表面7s形成連續(xù)的平面。因此，像素電極9a形成于平坦面上，所以，像素電極9a的表面平坦。從而，取向膜16在像素電極9a的表面上形成于平坦面上。在本方式中，柱狀凸部440形成于俯視與第I電極層5a及數(shù)據(jù)線6a重疊的位置。因此，柱狀凸部440按第I電極層5a的膜厚量及數(shù)據(jù)線6a的膜厚量位于上方。并且，在本方式中，雖然在與在第I方向(X方向)上相鄰的像素電極9a之間(第2像素間區(qū)域IOh)重疊的區(qū)域，形成被施加共用電位Vcom的第I電極層5a及被施加與像素電極9a相同電位Vsig的第2電極層7a，但是第2電極層7a位置比第I電極層5a靠上層側(像素電極9a側)。并且，在與在第2方向(Y方向)上相鄰的像素電極9a之間(第I像素間區(qū)域IOg)重疊的區(qū)域，形成被施加掃描信號的掃描線3a及被施加與像素電極9a相同電位Vsig的第2電極層7a，但是第2電極層7a位置比掃描線3a靠上層側(像素電極9a側)。(電光裝置100的制造方法)圖4及圖5是表示應用本發(fā)明的電光裝置100的制造工序的要部的說明圖。還有，雖然說明于以下的工序在能夠取得多塊元件基板10的大型基板的狀態(tài)下進行，但是在以下的說明中，無關于尺寸地，作為元件基板10進行說明。并且，在以下的說明中，因為直到形成第I電極層5a為止能夠采用公知的方法，所以將說明進行省略。在本方式的電光裝置100的制造工序之中的形成元件基板10的工序中，通過公知的方法，如示于圖4 Ca)地，在形成第I電極層5a及中繼電極5b之后，在第I絕緣膜形成工序中，通過使用四乙氧基硅烷與氧氣的等離子CVD法等，形成包括膜厚為600nm程度的硅氧化膜的絕緣膜44 (第I絕緣膜)。第I電極層5a例如具有膜厚為350nm程度的Al膜和膜厚為150nm程度的TiN膜的2層結構。 接下來，在示于圖4 (b)的柱狀凸部形成工序中，在絕緣膜44之中的與應當形成像素電極9a的區(qū)域重疊的位置形成掩模44r，并在該狀態(tài)下，對絕緣膜44的表面進行蝕刻。其結果，在絕緣膜44形成朝向上方突出的柱狀凸部440。作為如此的蝕刻，能夠利用采用CF4 (四氟化碳)和/或CHF3 (三氟甲烷)等的氟族氣體的RIE (反應性離子蝕刻/ReactiveIon Etching)等，如此的蝕刻的蝕刻各向異性高，并且蝕刻量的控制變得容易。因此，能夠在絕緣膜44容易且可靠地形成柱狀凸部440。接下來，在示于圖4 (C)的開口部形成工序中，在絕緣膜44的表面形成在應當形成開口部44b的區(qū)域開口的掩模44s，并在該狀態(tài)下，對絕緣膜44進行蝕刻而形成開口部44b。接下來，在示于圖4 (d)的電介質(zhì)層形成工序中，在絕緣膜44的上層側形成電介質(zhì)層40。接下來，在示于圖4 Ce)的接觸孔形成工序中，在電介質(zhì)層40的表面形成在應當形成接觸孔44a的區(qū)域開口的掩模44t，并在該狀態(tài)下，對電介質(zhì)層40及絕緣膜44進行蝕亥Ij,在與中繼電極5b重疊的位置形成接觸孔44a。接下來，在導電層形成工序中，如示于圖4 (f)地，在電介質(zhì)層40的表面形成導電層7之后，如示于圖5 (a)地，在應當形成第2電極層7a的區(qū)域形成掩模7r，并在該狀態(tài)下對電介質(zhì)層40及導電層7進行蝕刻而形成第2電極層7a。此時，第2電極層7a之中的重疊于柱狀凸部440的前端面的部分為導通部7t。當進行如此的工序時，絕緣膜44在與第2電極層7a的端部重疊的位置作為蝕刻停止層存在。因此，即使電介質(zhì)層40薄，也能夠通過絕緣膜44防止在第I電極層5a與第2電極層7a之間的短路。在本方式中，第2電極層7a例如包括膜厚為300nm程度的TiN膜。接下來，在示于圖5 (b)的第2絕緣膜形成工序中，通過采用四乙氧基硅烷與氧氣的等離子CVD法等，形成包括膜厚為2000nm程度的硅氧化膜的層間絕緣膜45 (第2絕緣膜)。接下來，在示于圖5 (C)的導通部露出工序中，從表面450側去除層間絕緣膜45而使第2電極層7a的導通部7t的表面7s露出。在如此的導通部露出工序中，例如，對層間絕緣膜45的表面進行拋光。在如此的拋光工序，能夠利用化學機械拋光，在化學機械拋光中，通過包括于拋光液的化學成分的作用和拋光劑與元件基板10的相對移動，能夠以高速得到平滑的拋光面。更具體地，在拋光裝置中，邊使貼付有包括無紡布、發(fā)泡聚氨酯、多孔質(zhì)氟樹脂等的拋光布(墊)的固定盤和對元件基板10進行保持的保持器相對旋轉(zhuǎn)，邊進行拋光。此時，例如，將包括平均粒直徑為O. 01 20 μ m的氧化鈰微粒、作為分散劑的丙烯酸酯電介質(zhì)及水的拋光劑供給到拋光布與元件基板10之間。其結果，層間絕緣膜45的表面450成為平坦面，并且層間絕緣膜45的表面450與導通部7t的表面7s形成連續(xù)的平面。并且，在從表面450側去除層間絕緣膜45而使第2電極層7a的導通部7t的表面7s露出時，也可以采用所謂的凹蝕法(etch back)。在如此的凹蝕法中，在層間絕緣膜45的表面形成樹脂層之后，直到導通部7t的表面7s露出為止，對樹脂層與層間絕緣膜45以相同的蝕刻速度進行干蝕刻。接下來，在像素電極形成工序中，如示于圖5 (d)地，在通過濺射法等，在層間絕緣膜45的表面，形成膜厚為20nm程度的ITO膜等的像素電極用導電膜9之后，如示于圖5(e)地，在應當形成像素電極9a的區(qū)域形成掩模9r，并在該狀態(tài)下對像素電極用導電膜9進行蝕刻而形成像素電極9a。其結果，像素電極9a與第2電極層7a的導通部7t的表面7s相 接，并成為與第2電極層7a導通的狀態(tài)。然后，如示于圖3地形成取向膜16。還有，此以下的工序因為能夠利用公知的方法，所以將說明進行省略。(本方式的主要效果)如以上說明地，在本方式的電光裝置100及其制造方法中，在設置于像素電極9a的下層側(像素電極9a與基板主體IOw之間)的絕緣膜44 (第I絕緣膜)，在與像素電極9a重疊的位置形成朝向像素電極9a突出的柱狀凸部440，第2電極層7a (導電層)的導通部7t重疊于如此的柱狀凸部440的前端面。并且，雖然在第2電極層7a與像素電極9a之間設置層間絕緣膜45 (第2絕緣膜)，但是在如此的層間絕緣膜45的表面450上導通部7t露出。因此，若將像素電極9a疊層于層間絕緣膜45，則像素電極9a與導通部7t導通。因此，相比于利用形成于絕緣膜的接觸孔而使像素電極與導電層導通的結構，接觸部的平面尺寸小亦無妨，并且在像素電極9a的表面也不會產(chǎn)生大的凹凸。并且，能夠利用第2電極層7a和/或絕緣膜(絕緣膜44以及層間絕緣膜45)等的因其他目的形成于電光裝置100的膜而進行像素電極9a的導通。即，能夠利用構成存儲電容55的第2電極層7a和/或作為蝕刻停止層的絕緣膜44而進行像素電極9a的導通。因此，根據(jù)本方式，存在不必將插頭用的特殊的金屬蒸鍍得厚等的優(yōu)點。并且，在本方式中，因為導通部7t的表面7s與層間絕緣膜45的表面450形成連續(xù)的平坦面，所以能夠?qū)⑾袼仉姌O9a形成于平坦面上。因此，像素電極9a的表面平坦。從而，能夠?qū)⑷∠蚰?6在像素電極9a的表面中形成于平坦面上，能夠合適地形成取向膜16。并且，柱狀凸部440形成于俯視與第I電極層5a及數(shù)據(jù)線6a重疊的位置。因此，柱狀凸部440因為按第I電極層5a的膜厚量及數(shù)據(jù)線6a的膜厚量位于上方，所以在層間絕緣膜45的表面上容易使導通部7t露出等，適合形成像素電極9a的接觸部分9t。(本方式的另外的效果)圖6是表示應用本發(fā)明的電光裝置100的效果的說明圖，圖6 (a)、(b)是示意性地表示應用本發(fā)明的電光裝置100中的像素電極間的構成的說明圖及示意性地表示比較例中的像素電極間的構成的說明圖。
如示于圖3及圖6 (a)地，在本方式的電光裝置100中，雖然在與在X方向上相鄰的像素電極9a之間(第2像素間區(qū)域IOf)重疊的區(qū)域，設置第2電極層7a (導電層)及第I電極層5a (電容電極層)，但是在本方式中，第2電極層7a位置比第I電極層5a靠上層偵儀靠近像素電極9a的位置)。因此，液晶層50的取向不會由于產(chǎn)生于像素電極9a與第I電極層5a之間的電位而紊亂。更具體地，如示于圖6 (a)、(b)地，在電光裝置100中，通過形成于元件基板10側的像素電極9a和在對置基板20中被施加有共用電位Vcom的共用電極21之間的縱向方向的電場(以箭頭Vl表示的電場)對液晶層50的液晶分子的取向進行控制，并按每像素地進行光調(diào)制。在此，在第I電極層5a施加共用電位Vcom，在第2電極層7a，施加與像素電極9a相同的電位Vsig。因此,如在圖6 (b)表不比較例地,若第I電極層5a位置比第2電極層7a靠上層側(靠近像素電極9a的位置)，則在像素電極9a的端部與第I電極層5a之間產(chǎn)生多余的電場(以箭頭V2表示的電場)，并在與像素電極9a的端部附近產(chǎn)生電位分布的紊亂。 相對于此，在本方式中，第2電極層7a位于比第I電極層5a靠上層側(靠近像素電極9a的位置)。因此，因為并不產(chǎn)生如以箭頭V2表示的多余的電場，所以在像素電極9a的端部附近不會產(chǎn)生電位分布的紊亂，即使在像素電極9a的端部中也能夠?qū)σ壕Х肿拥娜∠蜻m當?shù)剡M行控制。還有，雖然在相對于像素電極9a位置相鄰的像素電極9a與第2電極層7a之間也產(chǎn)生電場,但是因為若與施加于第I電極層5a的電位(共用電位Vcom)進行比較，則電位差小，所以不會產(chǎn)生大的影響。(其他的實施方式)雖然在上述實施方式中，對在透射型的電光裝置100應用本發(fā)明的例進行了說明，但是也可以在反射型的電光裝置100應用本發(fā)明。并且，雖然在上述實施方式中，對在電光裝置100應用本發(fā)明的例進行了說明，但是也可以在有機電致發(fā)光裝置等電光裝置100以外的電光裝置應用本發(fā)明。(向電子設備的搭載例)(投影型顯示裝置及光學單元的構成例)圖7是應用本發(fā)明的投影型顯示裝置及光學單元的概略構成圖，圖7 (a)、(b)分別是采用透射型的電光裝置的投影型顯示裝置的說明圖及采用反射型的電光裝置的投影型顯示裝置的說明圖。相對于示于圖7 (a)的投影型顯示裝置110為采用透射型的液晶面板作為液晶面板的例，示于圖7 (b)的投影型顯示裝置1000為采用反射型的液晶面板作為液晶面板的例。但是，如在以下進行說明地，投影型顯示裝置110、1000都具有光源部130、1021、被供給來自光源部130、1021的互不相同的波長域的光的多個電光裝置100、對從多個電光裝置100出射的光進行合成而出射的十字分色棱鏡119、1027 (光合成光學系統(tǒng))和對通過光合成光學系統(tǒng)合成的光進行投影的投影光學系統(tǒng)118、1029。并且，在投影型顯示裝置110、1000中，采用具備電光裝置100及交十字分色棱鏡119、1027 (光合成光學系統(tǒng))的光學單元 200。(投影型顯示裝置的第I例)示于圖7 (a)的投影型顯示裝置110為將光照射到設置于觀察者側的屏幕111并對在該屏幕ill進行了反射的光進行觀察的所謂投影型的投影型顯示裝置。投影型顯示裝置110具備具備光源112的光源部130 ;分色鏡113、114 ;液晶光閥115 117 ;投影光學系統(tǒng)118 ;十字分色棱鏡119 (合成光學系統(tǒng))；和中繼系統(tǒng)120。光源112以供給包括紅色光R、綠色光G及藍色光B的光的超高壓水銀燈構成。分色鏡113構成為，使來自光源112的紅色光R透射，并對綠色光G及藍色光B進行反射。并且，分色鏡114構成為，使在分色鏡113反射的綠色光G及藍色光B之中的藍色光B透射并對綠色光G進行反射。如此地，分色鏡113、114構成將從光源112出射的光分離為紅色光R和綠色光G和藍色光B的色分離光學系統(tǒng)。在此，在分色鏡113與光源112之間，從光源112按順序配置積分器121及偏振變換元件122。積分器121構成為，使從光源112照射的光的照度分布均勻化。并且，偏振變換元件122構成為，使來自光源112的光成為例如具有s偏振的特定的振動方向的偏振。液晶光閥115為對透射分色鏡113在反射鏡123進行了反射的紅色光相應于圖像信號進行調(diào)制的透射型的電光裝置。液晶光閥115具備λ/2相位差板115a、第I偏振板115b、電光裝置100(紅色用液晶面板100R)及第2偏振板115d。在此，入射于液晶光閥115的紅色光R因為即使透射分色鏡113而光的偏振也不會發(fā)生變化，所以s偏振原封不動。λ/2相位差板115a為將入射于液晶光閥115的s偏振變換為p偏振的光學兀件。并且，第I偏振板115b為遮斷s偏振而使P偏振透射的偏振板。而且，電光裝置100 (紅色用液晶面板100R)構成為,將P偏振通過相應于圖像信號的調(diào)制變換為s偏振(如果為中間調(diào)則為圓偏振或橢圓偏振)。進而，第2偏振板115d為遮斷P偏振而使s偏振透射的偏振板。從而，液晶光閥115構成為，相應于圖像信號對紅色光R進行調(diào)制，并使調(diào)制過的紅色光R朝向十字分色棱鏡119出射。還有，λ /2相位差板115a及第I偏振板115b在與不使偏振變換的透光性的玻璃板115e相接的狀態(tài)下配置，能夠避免λ /2相位差板115a及第I偏振板115b由于發(fā)熱而變形。液晶光閥116為對在分色鏡113進行了反射之后在分色鏡114進行了反射的綠色光G相應于圖像信號進行調(diào)制的透射型的電光裝置。如此的液晶光閥116與液晶光閥115同樣地，具備第I偏振板116b、電光裝置100 (綠色用液晶面板100G)及第2偏振板116d。入射于液晶光閥116的綠色光G為在分色鏡113，114反射而入射的s偏振。第I偏振板116b為遮斷P偏振而使s偏振透射的偏振板。并且，電光裝置100 (綠色用液晶面板100G)構成為，將s偏振通過相應于圖像信號的調(diào)制變換為P偏振(如果為中間調(diào)則為圓偏振或橢圓偏振)。而且，第2偏振板116d為遮斷s偏振而使P偏振透射的偏振板。從而,液晶光閥116構成為，相應于圖像信號對綠色光G進行調(diào)制，并使調(diào)制過的綠色光G朝向十字分色棱鏡119出射。液晶光閥117為對在分色鏡113進行反射并透射分色鏡114之后經(jīng)由中繼系統(tǒng)120的藍色光B相應于圖像信號進行調(diào)制的透射型的電光裝置。如此的液晶光閥117與液晶光閥115、116同樣地，具備λ/2相位差板117a、第I偏振板117b、電光裝置100(藍色用液晶面板100B)及第2偏振板117d。在此，入射于液晶光閥117的藍色光B因為在分色鏡113進行反射而透射分色鏡114之后在中繼系統(tǒng)120的后述的2個反射鏡125a、125b進行反射，所以成為s偏振。
λ/2相位差板117a為將入射于液晶光閥117的s偏振變換為p偏振的光學兀件。并且，第I偏振板117b為遮斷s偏振而使P偏振透射的偏振板。并且，電光裝置100 (藍色用液晶面板100B)構成為,將P偏振通過相應于圖像信號的調(diào)制變換為s偏振(如果為中間調(diào)則為圓偏振或橢圓偏振)。進而，第2偏振板117d為遮斷P偏振而使s偏振透射的偏振板。從而，液晶光閥117構成為，相應于圖像信號對藍色光B進行調(diào)制，并使調(diào)制過的藍色光B朝向十字分色棱鏡119出射。還有，λ /2相位差板117a及第I偏振板117b在與玻璃板117e相接的狀態(tài)下配置。中繼系統(tǒng)120具備中繼透鏡124a、124b與反射鏡125a、125b。中繼透鏡124a、124b用于防止由于藍色光B的光路長引起的光損失而設置。在此，中繼透鏡124a配置于分色鏡114與反射鏡125a之間。并且，中繼透鏡124b配置與反射鏡125a、125b之間。反射鏡125a配置為，使透射分色鏡114從中繼透鏡124a出射的藍色光B朝向中繼透鏡124b進行反射。并且，反射鏡125b配置為，使從中繼透鏡124b出射的藍色光B朝向液晶光閥117進行反射。十字分色棱鏡119為將2個分色膜119a、119b正交配置為X字型而成的色合成光 學系統(tǒng)。分色膜119a為對藍色光B進行反射而使綠色光G透射的膜,分色膜119b為對紅色光R進行反射而使綠色光G透射的膜。從而,十字分色棱鏡119構成為，對在液晶光閥115 117的各自調(diào)制過的紅色光R和綠色光G和藍色光B進行合成，并朝向投影光學系統(tǒng)118出射。還有,從液晶光閥115、117入射于十字分色棱鏡119的光為s偏振,從液晶光閥116入射于十字分色棱鏡119的光為P偏振。通過如此地使入射于十字分色棱鏡119的光成為不相同的種類的偏振，能夠在十字分色棱鏡119中對從各液晶光閥115 117入射的光進行合成。在此，一般地，分色膜119a、119b的s偏振的反射晶體管特性優(yōu)異。因此，使在分色膜119a、119b反射的紅色光R及藍色光B成為s偏振，并使透射分色膜119a、119b的綠色光G成為P偏振。投影光學系統(tǒng)118構成為，具有投影透鏡(圖示省略)，將在十字分色棱鏡119合成后的光投影于屏幕111。(投影型顯示裝置的第2例)示于圖7 (b)的投影型顯示裝置1000具有產(chǎn)生光源光的光源部1021、將從光源部1021出射的光源光分離為紅色光R、綠色光G及藍色光B的3色的色光的色分離導光光學系統(tǒng)1023和通過從色分離導光光學系統(tǒng)1023出射的各色的光源光照明的光調(diào)制部1025。并且，投影型顯示裝置1000具備對從光調(diào)制部1025出射的各色的像光進行合成的十字分色棱鏡1027 (合成光學系統(tǒng))和將經(jīng)由十字分色棱鏡1027的像光投影于屏幕(未圖示)的投影光學系統(tǒng)1029。在如此的投影型顯示裝置1000中，光源部1021具備光源1021a、一對蠅眼光學系統(tǒng)1021d、1021e、偏振變換構件1021g和重疊透鏡1021i。在本方式中，光源部1021具備包括拋物面的反射器1021f，出射平行光。蠅眼光學系統(tǒng)1021d、1021e包括在與系統(tǒng)光軸正交的面內(nèi)配置為矩陣狀的多個要件透鏡，通過這些要件透鏡對光源光進行分割使之個別地聚光 發(fā)散。偏振變換構件1021g將從蜆眼光學系統(tǒng)1021e出射的光源光變換為例如平行于附圖的僅P偏振分量而供給于光路下流側光學系統(tǒng)。重疊透鏡1021i通過使經(jīng)由偏振變換構件1021g的光源光作為整體適當會聚，可以對設置于光調(diào)制部1025的多個電光裝置100分別均勻地進行重疊照明。色分離導光光學系統(tǒng)1023具備十字分色鏡1023a、分色鏡1023b和反射鏡1023 j、1023k。在色分離導光光學系統(tǒng)1023中，來自光源部1021的基本白色的光源光入射于十字分色鏡1023a。在構成十字分色鏡1023a的一方的第I分色鏡1031a反射后的紅色光R在反射鏡1023j反射而透射分色鏡1023b，介由入射側偏振板1037r、一方面使P偏振透射另一方面對s偏振進行反射的線柵偏振板1032r及光學補償板1039r，p偏振原封不動地，入射于電光裝置100 (紅色用液晶面板100R)。并且，在第I分色鏡1031a反射后的綠色光G在反射鏡1023j反射，然后，在分色鏡1023b也反射,介由入射側偏振板1037g、一方面使P偏振透射另一方面對s偏振進行反射的線柵偏振板1032g及光學補償板1039g，p偏振原封不動地，入射于電光裝置100(綠色用液晶面板100G)。相對于此，在構成十字分色鏡1023a的另一方的第2分色鏡1031b反射后的藍色 光B,在反射鏡1023k反射,介由入射側偏振板1037b、一方面使P偏振透射另一方面對s偏振進行反射的線柵偏振板1032b及光學補償板1039b, p偏振原封不動地,入射于電光裝置100(藍色用液晶面板100B)。還有，光學補償板1039r、1039g、1039b通過對向電光裝置100的入射光及出射光的偏振狀態(tài)進行調(diào)整，對液晶層的特性光學性地進行補償。在如此地構成的投影型顯示裝置1000中，經(jīng)由光學補償板1039r、1039g、1039b入射的3色的光分別在各電光裝置100中受調(diào)制。此時，從電光裝置100出射的調(diào)制光之中的s偏振的分量光在線柵偏振板1032r、1032g、1032b進行反射,并介由出射側偏振板1038r、1038g、1038b入射于十字分色棱鏡1027。在十字分色棱鏡1027，形成X字狀地相交叉的第I電介質(zhì)多層膜1027a及第2電介質(zhì)多層膜1027b，一方的第I電介質(zhì)多層膜1027a對紅色光R進行反射，并且另一方的第2電介質(zhì)多層膜1027b對藍色光B進行反射。從而，3色的光在十字分色棱鏡1027中合成，出射于投影光學系統(tǒng)1029。而且，投影光學系統(tǒng)1029將以十字分色棱鏡1027合成的彩色的像光以預期的倍率投影于屏幕(未圖示。)。(其他的投影型顯示裝置)還有，關于投影型顯示裝置，也可以構成為，作為光源部，采用出射各色的光的LED光源等，將從如此的LED光源出射的色光分別供給于不同的液晶裝置。(其他的電子設備)關于應用本發(fā)明的電光裝置100，除了上述的電子設備之外，也可以在便攜電話機、信息便攜終端(PDA Personal Digital Assistants,個人數(shù)字助理)、數(shù)字照相機、液晶電視機、汽車導航裝置、可視電話機、POS終端、具備觸摸屏的設備等的電子設備中用作直視型顯示裝置。
權利要求
1.一種電光裝置，其特征在于，具有 多個像素電極，其設置于基板的一方的面?zhèn)龋? 第I絕緣膜，其設置于所述基板與所述像素電極之間，在俯視與所述像素電極重疊的位置具備朝向所述像素電極突出的柱狀凸部； 導電層，其設置于該第I絕緣膜與所述像素電極之間，具備俯視重疊于所述柱狀凸部的頂端面的導通部；和 第2絕緣膜，其設置于所述導電層與所述像素電極之間，在所述像素電極側的面使所述導通部露出； 所述像素電極疊層于所述第2絕緣膜的該像素電極側的面而與所述導通部導通。
2.根據(jù)權利要求1所述的電光裝置，其特征在于 所述導通部的所述像素電極側的面與所述第2絕緣膜的所述像素電極側的面形成連續(xù)的平坦面。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于，具備 電容電極層，其設置于所述導電層與所述基板之間；和 電介質(zhì)層，其設置于所述電容電極層與所述導電層之間； 通過所述電容電極層、所述電介質(zhì)層及所述導電層構成存儲電容。
4.根據(jù)權利要求3所述的電光裝置，其特征在于 所述第1絕緣膜設置于所述電容電極層與所述導電層之間； 在所述電容電極層與所述導電層俯視重疊的區(qū)域設置開口部。
5.根據(jù)權利要求4所述的電光裝置，其特征在于 在俯視與所述多個像素電極之中的相鄰的像素電極之間重疊的區(qū)域設置所述導電層及所述電容電極層。
6.根據(jù)權利要求3 5中任一項所述的電光裝置,其特征在于 所述柱狀凸部設置于俯視重疊于所述電容電極層的位置。
7.根據(jù)權利要求1 6中任一項所述的電光裝置，其特征在于， 所述基板在與對置配置于所述一方的面?zhèn)鹊膶χ没逯g對液晶層進行保持。
8.一種電光裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序 第1絕緣膜形成工序，其在基板的一方的面?zhèn)刃纬傻贗絕緣膜； 柱狀凸部形成工序，其對所述第1絕緣膜的表面部分性地進行蝕刻而在所述第I絕緣膜形成朝向上方突出的柱狀凸部； 導電層形成工序，其在包括所述柱狀凸部的形成區(qū)域的所述第I絕緣膜上形成導電層； 第2絕緣膜形成工序，其在該導電層上形成第2絕緣膜； 導通部露出工序，其從表面?zhèn)热コ龅?絕緣膜而在所述導電層中使俯視重疊于所述柱狀凸部的頂端面的部分作為導通部露出；和 像素電極形成工序，其在包括所述導通部的露出區(qū)域的所述第2絕緣膜上形成像素電極。
9.一種投影型顯示裝置，其特征在于 具備權利要1 7中任一項所述的電光裝置；具有光源部和投影光學系統(tǒng)，所述光源部出射照射于所述電光裝置的照明光，所述投影光學系統(tǒng)對通過所述電光裝置調(diào)制后的光進行投影。
10.一種電子設備，其特征在于 具備權利要求I 7中任一項所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及電光裝置、投影型顯示裝置、電子設備及電光裝置的制造方法。提供即使不用插頭用的特殊的金屬，利用以其他目的形成于電光裝置的膜，也能夠不占用大的面積且在像素電極的表面不產(chǎn)生大的凹凸地形成像素電極的導通部分的電光裝置、投影型顯示裝置及電子設備。在電光裝置中，在設置于像素電極的下層側的絕緣膜(第1絕緣膜)形成柱狀凸部，第2電極層(導電層)的導通部重疊于如此的柱狀凸部的頂端面。雖然在第2電極層與像素電極之間設置層間絕緣膜(第2絕緣膜)，但是，在如此的層間絕緣膜的表面上導通部露出。因此，若將像素電極疊層于層間絕緣膜，則像素電極與導通部導通。
文檔編號G03B21/00GK102890376SQ20121024731
公開日2013年1月23日 申請日期2012年7月17日 優(yōu)先權日2011年7月21日
發(fā)明者伊藤智, 江上孝史, 曾我部英德 申請人:精工愛普生株式會社