具有鈍化層的照明設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本公開提供了用于通過(guò)使用光導(dǎo)（120）來(lái)散布光從而提供照明的系統(tǒng)、方法和裝置。在一個(gè)方面，將鈍化層（110）附著于照明設(shè)備的光導(dǎo)。該鈍化層可以是光學(xué)透明的濕氣屏障并且可具有允許其用作抗反射涂層的厚度和折射率。該鈍化層可保護(hù)濕氣敏感的底下特征，諸如可存在于光導(dǎo)中的金屬化的光轉(zhuǎn)向特征（140）。這些光轉(zhuǎn)向特征可被配置成將光重定向到該光導(dǎo)外部。在一些實(shí)現(xiàn)中，該重定向的光可被應(yīng)用于照明顯示器。
【專利說(shuō)明】具有鈍化層的照明設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及具有光導(dǎo)以散布光的照明設(shè)備，包括用于顯示器的照明裝置，并且本公開涉及機(jī)電系統(tǒng)。
[0002]相關(guān)技術(shù)描述
[0003]機(jī)電系統(tǒng)(EMS)包括具有電氣及機(jī)械元件、致動(dòng)器、換能器、傳感器、光學(xué)組件(例如，包括鏡子)以及電子器件的設(shè)備。機(jī)電系統(tǒng)可以在各種尺度上制造，包括但不限于微米尺度和納米尺度。例如，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件可包括具有范圍從大約一微米到數(shù)百微米或以上的大小的結(jié)構(gòu)。納米機(jī)電系統(tǒng)(NEMS)器件可包括具有小于一微米的大小(包括，例如小于幾百納米的大小)的結(jié)構(gòu)。機(jī)電元件可使用沉積、蝕刻、光刻和/或蝕刻掉基板和/或所沉積材料層的部分或添加層以形成電氣及機(jī)電器件的其它微機(jī)械加工工藝來(lái)制作。
[0004]一種類型的機(jī)電系統(tǒng)器件被稱為干涉測(cè)量(interferometric)調(diào)制器(IM0D)。如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)干涉測(cè)量調(diào)制器或干涉測(cè)量光調(diào)制器是指使用光學(xué)干涉原理來(lái)選擇性地吸收和/或反射光的器件。在一些實(shí)現(xiàn)中，干涉測(cè)量調(diào)制器可包括一對(duì)導(dǎo)電板，這對(duì)導(dǎo)電板中的一者或兩者可以是完全或部分透明的和/或反射性的，且能夠在施加恰適電信號(hào)時(shí)進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)。在一實(shí)現(xiàn)中，一塊板可包括沉積在基板上的靜止層，而另一塊板可包括與該靜止層相隔一氣隙的反射膜。一塊板相對(duì)于另一塊板的位置可改變?nèi)肷湓谠摳缮鏈y(cè)量調(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。干涉測(cè)量調(diào)制器器件具有范圍廣泛的應(yīng)用，且預(yù)期將用于改善現(xiàn)有產(chǎn)品以及創(chuàng)造新產(chǎn)品，尤其是具有顯示能力的那些產(chǎn)品。
[0005]經(jīng)反射的環(huán)境光被用于在一些顯示設(shè)備中形成圖像，諸如使用由干涉測(cè)量調(diào)制器形成的像素的那些圖像。這些顯示器的感知亮度取決于朝觀察者反射的光的量。在低環(huán)境光狀況下，來(lái)自人造光源的光被用于照明反射式像素，這些像素隨后朝觀察者反射光以生成圖像。為了滿足市場(chǎng)需求和設(shè)計(jì)準(zhǔn)`則，正不斷開發(fā)新的照明設(shè)備以滿足顯示設(shè)備(包括反射式和透射式顯示器)的需要。
[0006]概述
[0007]本公開的系統(tǒng)、方法和設(shè)備各自具有若干個(gè)創(chuàng)新性方面，其中并不由任何單個(gè)方面全權(quán)負(fù)責(zé)本文中所公開的期望屬性。
[0008]本公開中所描述的主題內(nèi)容的一個(gè)創(chuàng)新性方面可實(shí)現(xiàn)在照明系統(tǒng)中。該照明系統(tǒng)包括:光導(dǎo)；以及共形的光學(xué)透射介電鈍化層，其部署在該光導(dǎo)的第一主表面上方。該鈍化層是濕氣屏障。該鈍化層可具有約lg/m2/天或更小、或者約0.01g/m2/天或更小、或者約0.0001g/m2/天或更小的濕氣透過(guò)系數(shù)。該鈍化層可用作抗反射涂層。光學(xué)解耦層可部署在該鈍化層上方。該鈍化層的折射率可大于該光學(xué)解耦層的折射率。如權(quán)利要求3所述的照明系統(tǒng)，其中該鈍化層的折射率可由下式給出:
[0009]Rlrs =X Rloni
[0010]其中RIps是鈍化層的折射率；
[0011]RIlg是光導(dǎo)的折射率；以及
[0012]RIqdl是光學(xué)解耦層的折射率。[0013]在一些實(shí)現(xiàn)中，鈍化層的厚度為約50 - 125nm、約50 - llOnm、約75 - 125nm、或者約 275 - 325nm。
[0014]本公開中所描述的主題內(nèi)容的另一個(gè)創(chuàng)新性方面可實(shí)現(xiàn)在用于制造照明設(shè)備的方法中。該方法包括:提供光導(dǎo)。提供部署在該光導(dǎo)的主表面上方的共形的光學(xué)透射鈍化層。該鈍化層是濕氣屏障。在一些實(shí)現(xiàn)中，該光導(dǎo)可以是多層結(jié)構(gòu)并且可在這些層中的一層中形成光轉(zhuǎn)向特征。例如，該光導(dǎo)可包括旋涂式玻璃層或光可限定聚合物層，其中可限定用于形成光轉(zhuǎn)向特征的凹槽。在一些實(shí)現(xiàn)中，可在將光轉(zhuǎn)向膜附著于支撐層之前在該光轉(zhuǎn)向膜中分開地限定這些凹槽，其中該光轉(zhuǎn)向膜和支撐層一起形成該光導(dǎo)。
[0015]本公開中所描述的主題內(nèi)容的又一個(gè)創(chuàng)新性方面可實(shí)現(xiàn)在照明系統(tǒng)中。該照明系統(tǒng)包括:光導(dǎo)；以及用于阻擋濕氣滲透至該光導(dǎo)的主表面的至少一些部分的裝置。在一些實(shí)現(xiàn)中，該用于阻擋濕氣滲透的裝置可形成抗反射涂層。
[0016]本說(shuō)明書中所描述的主題內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)實(shí)現(xiàn)的詳情在附圖及以下描述中闡述。其它特征、方面和優(yōu)點(diǎn)將從該描述、附圖和權(quán)利要求書中變得明了。注意，以下附圖的相對(duì)尺寸可能并非按比例繪制。
[0017]附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明
[0018]圖1示出描繪了干涉測(cè)量調(diào)制器(IMOD)顯示設(shè)備的一系列像素中的兩個(gè)毗鄰像素的等軸視圖的示例。
[0019]圖2示出解說(shuō)納入了 3X3干涉測(cè)量調(diào)制器顯示器的電子設(shè)備的系統(tǒng)框圖的示例。
[0020]圖3示出解說(shuō)圖1的干涉測(cè)量調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置相對(duì)于所施加電壓的圖示的示例。
[0021]圖4示出解說(shuō)在施加各種共用電壓和分段電壓時(shí)干涉測(cè)量調(diào)制器各種狀態(tài)的表的示例。
[0022]圖5A示出解說(shuō)圖2的3X3干涉測(cè)量調(diào)制器顯示器中的一幀顯示數(shù)據(jù)的圖示的示例。
[0023]圖5B示出可用于寫圖5A中所解說(shuō)的該幀顯示數(shù)據(jù)的共用信號(hào)和分段信號(hào)的時(shí)序圖的示例。
[0024]圖6A示出圖1的干涉測(cè)量調(diào)制器顯示器的局部橫截面的示例。
[0025]圖6B - 6E示出干涉測(cè)量調(diào)制器的不同實(shí)現(xiàn)的橫截面的示例。
[0026]圖7示出解說(shuō)干涉測(cè)量調(diào)制器的制造過(guò)程的流程圖的示例。
[0027]圖8A - SE示出制作干涉測(cè)量調(diào)制器的方法中的各個(gè)階段的橫截面示意圖解的示例。
[0028]圖9A示出照明系統(tǒng)的橫截面的示例。
[0029]圖9B示出光轉(zhuǎn)向特征的橫截面的示例。
[0030]圖10示出設(shè)有部署在光導(dǎo)上方的鈍化層的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。
[0031]圖11示出設(shè)有光學(xué)解耦層的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。
[0032]圖12示出了反射率相對(duì)于直接位于光導(dǎo)上的鈍化層的厚度的標(biāo)繪。
[0033]圖13示出了反射率相對(duì)于直接位于光轉(zhuǎn)向特征上的鈍化層的厚度的標(biāo)繪。
[0034]圖14示出具有多個(gè)鈍化層的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。
[0035]圖15A和15B示出具有上覆鈍化層的光轉(zhuǎn)向特征和光導(dǎo)的橫截面的示例。[0036]圖16A和16B示出帶有具有上覆圖案化的鈍化層的光轉(zhuǎn)向特征和光導(dǎo)的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。
[0037]圖17示出設(shè)有多層光導(dǎo)的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。
[0038]圖18A-18F示出了用于制造照明系統(tǒng)的工藝序列中的各個(gè)階段處的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。
[0039]圖19示出解說(shuō)用于照明系統(tǒng)的制造過(guò)程的流程圖的示例。
[0040]圖20A和20B示出解說(shuō)包括多個(gè)干涉測(cè)量調(diào)制器的顯示設(shè)備的系統(tǒng)框圖的示例。
[0041]各個(gè)附圖中相似的附圖標(biāo)記和命名指示相似要素。
[0042]詳細(xì)描述
[0043]以下詳細(xì)描述針對(duì)旨在用于描述創(chuàng)新性方面的某些實(shí)現(xiàn)。然而，本文的教示可用眾多不同方式來(lái)應(yīng)用。所描述的實(shí)現(xiàn)可在配置成顯示圖像的任何設(shè)備中實(shí)現(xiàn)，無(wú)論該圖像是運(yùn)動(dòng)的(例如，視頻)還是不動(dòng)的(例如，靜止圖像)，且無(wú)論其是文本的、圖形的還是畫面的。更具體而言，構(gòu)想了這些實(shí)現(xiàn)可在各種各樣的電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)或與各種各樣的電子設(shè)備相關(guān)聯(lián)，這些電子設(shè)備諸如但不限于:移動(dòng)電話、具有因特網(wǎng)能力的多媒體蜂窩電話、移動(dòng)電視接收機(jī)、無(wú)線設(shè)備、智能電話、藍(lán)牙設(shè)備、個(gè)人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無(wú)線電子郵件接收器、手持式或便攜式計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本、智能本、平板電腦、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)、掃描儀、傳真設(shè)備、GPS接收機(jī)/導(dǎo)航儀、相機(jī)、MP3播放器、攝錄像機(jī)、游戲控制臺(tái)、手表、鐘表、計(jì)算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀設(shè)備(例如，電子閱讀器)、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、駕駛座艙控件和/或顯示器、相機(jī)取景顯示器(例如，車輛中的后視相機(jī)的顯示器)、電子照片、電子告示牌或招牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、微波爐、冰箱、立體音響系統(tǒng)、卡式錄音機(jī)或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無(wú)線電、便攜式存儲(chǔ)器芯片、停車計(jì)時(shí)器、洗衣機(jī)、烘干機(jī)、洗衣機(jī)/烘干機(jī)、封裝(例如，機(jī)電系統(tǒng)(EMS )、MEMS和肖_ MEMS )、美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，關(guān)于一件珠寶的圖像的顯示)以及各種各樣的機(jī)電系統(tǒng)設(shè)備。本文中的教示還可用在非顯示器應(yīng)用中，諸如但不限于:電子交換設(shè)備、射頻濾波器、傳感器、加速計(jì)、陀螺儀、運(yùn)動(dòng)感測(cè)設(shè)備、磁力計(jì)、用于消費(fèi)者電子設(shè)備的慣性組件、消費(fèi)者電子產(chǎn)品的部件、可變電抗器、液晶設(shè)備、電泳設(shè)備、驅(qū)動(dòng)方案、制造工藝、電子測(cè)試裝備。因此，這些教示無(wú)意被局限于只是在附圖中描繪的實(shí)現(xiàn)，而是具有如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易明白的廣泛應(yīng)用性。
[0044]在一些實(shí)現(xiàn)中，照明系統(tǒng)設(shè)有光導(dǎo)以散布光。該光導(dǎo)可具有主表面，該主表面具有變化的高度。例如，該主表面可具有凹槽，諸如用于形成光轉(zhuǎn)向特征。這些凹槽可包含金屬層(例如，反射金屬層)或?qū)Νh(huán)境氣體或濕氣敏感或與其反應(yīng)的其它層。在一些實(shí)現(xiàn)中，在該光導(dǎo)和這些凹槽上方提供鈍化層。該鈍化層可以是基本上共形的。在一些實(shí)現(xiàn)中，該鈍化層是光學(xué)透明的濕氣屏障并且可具有允許其用作抗反射涂層的厚度和折射率。該鈍化層可在該光導(dǎo)的主表面上方且跨凹槽之間的區(qū)域延伸。在一些其他實(shí)現(xiàn)中，該鈍化層可被圖案化。例如，該鈍化層可僅蓋在這些凹槽上，或者可以其它方式被圖案化以暴露底下的材料，諸如導(dǎo)電材料。在其中至少一些凹槽形成光轉(zhuǎn)向特征的一些實(shí)現(xiàn)中，這些光轉(zhuǎn)向特征可被配置成將在該光導(dǎo)內(nèi)傳播的光重定向至該光導(dǎo)的外部。在一些實(shí)現(xiàn)中，該重定向的光可被應(yīng)用于照明顯示器。
[0045]可實(shí)現(xiàn)本公開中所描述的主題內(nèi)容的具體實(shí)現(xiàn)以達(dá)成以下潛在優(yōu)點(diǎn)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)。該鈍化層可提供濕氣或氣體屏障以保護(hù)濕氣敏感的底下特征，諸如可存在于光導(dǎo)中的含金屬的光轉(zhuǎn)向特征。因此，可減輕或避免對(duì)光轉(zhuǎn)向特征的腐蝕或其它不期望改變。另夕卜，在一些實(shí)現(xiàn)中，該鈍化層可用作抗反射涂層。例如，通過(guò)共形地遵循光導(dǎo)的主表面上的凹槽的輪廓，該鈍化層也可被形成為其厚度允許其用作該鈍化層所覆蓋的基本上整個(gè)區(qū)域(包括在凹槽中)上方的干涉抗反射涂層。減少反射可提高顯示器的對(duì)比度。另外，組合鈍化及抗反射功能可簡(jiǎn)化光導(dǎo)結(jié)構(gòu)，這可具有各種優(yōu)點(diǎn)，包括降低制造復(fù)雜度和成本，同時(shí)提高產(chǎn)量和/或吞吐量。
[0046]可應(yīng)用所描述的方法和實(shí)現(xiàn)的合適MEMS或機(jī)電系統(tǒng)(EMS)器件的一個(gè)不例是反射式顯示設(shè)備。反射式顯示設(shè)備可納入干涉測(cè)量調(diào)制器(IMOD)以使用光學(xué)干涉原理來(lái)選擇性地吸收和/或反射入射到其上的光。IMOD可包括吸收體、可相對(duì)于該吸收體移動(dòng)的反射體、以及在該吸收體與該反射體之間限定的光學(xué)諧振腔。該反射體可被移至兩個(gè)或更多個(gè)不同位置，這可以改變光學(xué)諧振腔的大小并由此影響該干涉測(cè)量調(diào)制器的反射。IMOD的反射譜可創(chuàng)建相當(dāng)廣的譜帶，這些譜帶可跨可見波長(zhǎng)移位以產(chǎn)生不同顏色。譜帶的位置可通過(guò)改變光學(xué)諧振腔的厚度(即，通過(guò)改變反射體的位置)來(lái)調(diào)整。
[0047]圖1示出描繪了干涉測(cè)量調(diào)制器(IMOD)顯示設(shè)備的一系列像素中的兩個(gè)毗鄰像素的等軸視圖的示例。該IMOD顯示設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)干涉測(cè)量MEMS顯示元件。在這些設(shè)備中，MEMS顯示元件的像素可處于亮狀態(tài)或暗狀態(tài)。在亮(“松弛”、“打開”或“接通”)狀態(tài)，顯示元件將入射可見光的很大部分反射(例如，去往用戶)。相反，在暗(“致動(dòng)”、“關(guān)閉”或“關(guān)斷”)狀態(tài)，顯示元件幾乎不反射所入射的可見光。在一些實(shí)現(xiàn)中，可顛倒接通和關(guān)斷狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可配置成主導(dǎo)性地在特定波長(zhǎng)上發(fā)生反射，從而除了黑白以外還允許彩色顯示。
[0048]IMOD顯示設(shè)備可包括MOD的行/列陣列。每個(gè)頂OD可包括一對(duì)反射層，即，可移動(dòng)反射層和固定的部分反射(partially reflective)層,這些反射層定位在彼此相距可變且可控的距離處以形成氣隙(也稱為光學(xué)間隙或腔)?？梢苿?dòng)反射層可在至少兩個(gè)位置之間移動(dòng)。在第一位置(即，松弛位置)，可移動(dòng)反射層可定位在離該固定的部分反射層有相對(duì)較大距離處。在第二位置(即，致動(dòng)位置)，該可移動(dòng)反射層可定位成更靠近該部分反射層。取決于可移動(dòng)反射層的位置，從這兩個(gè)層反射的入射光可相長(zhǎng)地或相消地干涉，從而產(chǎn)生每個(gè)像素總體上的反射或非反射的狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，MOD在未致動(dòng)時(shí)可處于反射狀態(tài)，此時(shí)反射可見譜內(nèi)的光，并且在致動(dòng)時(shí)可處于暗狀態(tài)，此時(shí)反射在可見范圍之外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其它實(shí)現(xiàn)中，MOD可在未致動(dòng)時(shí)處于暗狀態(tài)，而在致動(dòng)時(shí)處于反射狀態(tài)。在一些實(shí)現(xiàn)中，所施加電壓的引入可驅(qū)動(dòng)像素改變狀態(tài)。在一些其它實(shí)現(xiàn)中，所施加電荷可驅(qū)動(dòng)像素改變狀態(tài)。
[0049]圖1中所描繪的像素陣列部分包括兩個(gè)毗鄰的干涉測(cè)量調(diào)制器12。在左側(cè)(如圖所示)的IM0D12中，可移動(dòng)反射層14圖解為處于離光學(xué)堆棧16有預(yù)定距離的松弛位置，光學(xué)堆棧16包括部分反射層?？缱髠?cè)的IM0D12施加的電壓Vtl不足以引起對(duì)可移動(dòng)反射層14的致動(dòng)。在右側(cè)的IM0D12中，可移動(dòng)反射層14圖解為處于靠近或毗鄰光學(xué)堆棧16的致動(dòng)位置。跨右側(cè)的M0D12施加的電壓Vila足以將可移動(dòng)反射層14維持在致動(dòng)位置。
[0050]在圖1中，像素12的反射性質(zhì)用指示入射在像素12上的光的箭頭13、以及從左側(cè)的像素12反射的光的箭頭15來(lái)一般化地解說(shuō)。盡管未詳細(xì)地解說(shuō)，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，入射在像素12上的光13的絕大部分將透射穿過(guò)透明基板20去往光學(xué)堆棧16。入射在光學(xué)堆棧16上的光的一部分將透射穿過(guò)光學(xué)堆棧16的部分反射層，且一部分將被反射回去穿過(guò)透明基板20。光13透射穿過(guò)光學(xué)堆棧16的那部分將在可移動(dòng)反射層14處朝向透明基板20反射回去(且穿過(guò)透明基板20)。從光學(xué)堆棧16的部分反射層反射的光與從可移動(dòng)反射層14反射的光之間的干涉(相長(zhǎng)的或相消的)將決定從像素12反射的光15的波長(zhǎng)。
[0051]光學(xué)堆棧16可包括單層或若干層。該(些)層可包括電極層、部分反射且部分透射層以及透明介電層中的一者或多者。在一些實(shí)現(xiàn)中，光學(xué)堆棧16是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，并且可以例如通過(guò)將上述層中的一者或多者沉積在透明基板20上來(lái)制造。電極層可由各種各樣的材料形成，諸如各種金屬，例如氧化銦錫(ΙΤ0)。部分反射層可由各種各樣的部分反射的材料形成，諸如各種金屬，例如鉻(Cr)、半導(dǎo)體以及電介質(zhì)。部分反射層可由一層或多層材料形成，且每一層可由單種材料或由材料組合形成。在一些實(shí)現(xiàn)中，光學(xué)堆棧16可包括單個(gè)半透明的金屬或半導(dǎo)體厚層，其既用作光吸收體又用作導(dǎo)體，而(例如，IMOD的光學(xué)堆棧16或其它結(jié)構(gòu)的)不同的、更導(dǎo)電的層或部分可用于在IMOD像素之間匯流信號(hào)。光學(xué)堆棧16還可包括覆蓋一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層或?qū)щ?吸收層的一個(gè)或多個(gè)絕緣或介電層。
[0052]在一些實(shí)現(xiàn)中，光學(xué)堆棧16的(諸)層可被圖案化為平行條帶，并且可如下文進(jìn)一步描述地形成顯示設(shè)備中的行電極。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的，術(shù)語(yǔ)“圖案化”在本文中用于指掩模以及蝕刻工藝。在一些實(shí)現(xiàn)中，可將高傳導(dǎo)且高反射的材料(諸如，鋁(Al))用于可移動(dòng)反射層14，且這些條帶可形成顯示設(shè)備中的列電極?？梢苿?dòng)反射層14可形成為一個(gè)或數(shù)個(gè)沉積金屬層的一系列平行條帶(與光學(xué)堆棧16的行電極正交)，以形成沉積在柱子18以及各個(gè)柱子18之間所沉積的居間犧牲材料頂上的(諸)列。當(dāng)該犧牲材料被蝕刻掉時(shí)，便可在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆棧16之間形成限定的間隙19或即光學(xué)腔。在一些實(shí)現(xiàn)中，各個(gè)柱子18之間的間距可近似為1- lOOOum，而間隙19可小于10，000埃(A)。
[0053]在一些實(shí)現(xiàn)中，頂OD的每個(gè)像素(無(wú)論處于致動(dòng)狀態(tài)還是松弛狀態(tài))實(shí)質(zhì)上是由該固定反射層和移動(dòng)反射層形成的電容器。在無(wú)電壓被施加時(shí)，可移動(dòng)反射層14保持在機(jī)械松弛狀態(tài)，如由圖1中左側(cè)的像素12所解說(shuō)的，其中在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆棧16之間存在間隙19。然而，當(dāng)將電位差(例如，電壓)施加至所選行和列中的至少一者時(shí)，在對(duì)應(yīng)像素處的該行電極和列電極的交叉處形成的電容器變?yōu)閹щ姷?，且靜電力將這些電極拉向一起。若所施加電壓超過(guò)閾值，則可移動(dòng)反射層14可形變并且移動(dòng)到靠近或靠倚光學(xué)堆棧
16。光學(xué)堆棧16內(nèi)的介電層(未示出)可防止短路并控制層14與層16之間的分隔距離，如圖1中右側(cè)的致動(dòng)像素12所解說(shuō)的。不管所施加電位差的極性如何，行為都是相同的。雖然陣列中的一系列像素在一些實(shí)例中可被稱為“行”或“列”，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易理解，將一個(gè)方向稱為“行”并將另一方向稱為“列”是任意的。要重申的是，在一些取向中，行可被視為列，而列被視為行。此外，顯示元件可均勻地排列成正交的行和列(“陣列”)，或排列成非線性配置，例如關(guān)于彼此具有某些位置偏移(“馬賽克”)。術(shù)語(yǔ)“陣列”和“馬賽克”可以指任一種配置。因此，雖然將顯示器稱為包括“陣列”或“馬賽克”，但在任何實(shí)例中，這些元件本身不一定要彼此正交地排列、或部署成均勻分布，而是可包括具有非對(duì)稱形狀以及不均勻分布的元件的布局。[0054]圖2示出解說(shuō)納入了 3X3干涉測(cè)量調(diào)制器顯示器的電子設(shè)備的系統(tǒng)框圖的示例。該電子設(shè)備包括處理器21，其可配置成執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)，處理器21還可配置成執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)軟件應(yīng)用，包括web瀏覽器、電話應(yīng)用、電子郵件程序、或任何其它軟件應(yīng)用。
[0055]處理器21可配置成與陣列驅(qū)動(dòng)器22通信。陣列驅(qū)動(dòng)器22可包括例如向顯示陣列或面板30提供信號(hào)的行驅(qū)動(dòng)器電路24和列驅(qū)動(dòng)器電路26。圖1中所解說(shuō)的MOD顯示設(shè)備的橫截面由圖2中的線1-1示出。盡管圖2為清晰起見解說(shuō)了 3X3的IMOD陣列，但顯示陣列30可包含很大數(shù)目的M0D，并且可在行中具有與列中不同的數(shù)目的MOD，反之亦然。
[0056]圖3示出解說(shuō)圖1的干涉測(cè)量調(diào)制器的可移動(dòng)反射層位置相對(duì)于所施加電壓的圖示的示例。對(duì)于MEMS干涉測(cè)量調(diào)制器，行/列(即，共用/分段)寫規(guī)程可利用這些器件的如圖3中所解說(shuō)的滯后性質(zhì)。干涉測(cè)量調(diào)制器可使用例如約10伏的電位差以使可移動(dòng)反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變?yōu)橹聞?dòng)狀態(tài)。當(dāng)電壓從該值減小時(shí)，可移動(dòng)反射層隨電壓降回至(在此示例中為)10伏以下而維持其狀態(tài)，然而，可移動(dòng)反射層并不完全松弛，直至電壓降至2伏以下。因此，如圖3中所示，存在一電壓范圍(大約為3至7伏)，在此電壓范圍中有該器件要么穩(wěn)定于松弛狀態(tài)要么穩(wěn)定于致動(dòng)狀態(tài)的所施加電壓窗口。該窗口在本文中稱為“滯后窗”或“穩(wěn)定態(tài)窗”。對(duì)于具有圖3的滯后特性的顯示陣列30，行/列寫規(guī)程可被設(shè)計(jì)成每次尋址一行或多行，以使得在對(duì)給定行尋址期間，被尋址行中要被致動(dòng)的像素暴露于在此示例中約10伏的電壓差，而要被松弛的像素暴露于接近O伏的電壓差。在尋址之后，這些像素暴露于在此示例中約5伏的穩(wěn)態(tài)或偏置電壓差，以使得它們保持在先前的閘選狀態(tài)中。在該示例中，在被尋址之后，每個(gè)像素都經(jīng)受落在約3-7伏的“穩(wěn)定態(tài)窗”內(nèi)的電位差。該滯后性質(zhì)特征使得像素設(shè)計(jì)(諸如圖1中所解說(shuō)的像素設(shè)計(jì))能夠在相同的所施加電壓條件下保持穩(wěn)定在要么致動(dòng)要么松弛的事先存在的狀態(tài)中。由于每個(gè)MOD像素(無(wú)論是處于致動(dòng)狀態(tài)還是松弛狀態(tài))實(shí)質(zhì)上是由固定反射層和移動(dòng)反射層形成的電容器，因此該穩(wěn)定狀態(tài)在落在該滯后窗內(nèi)的平穩(wěn)電壓下可得以保持，而基本上不消耗或損失功率。此外，若所施加電壓電位保持基本上固定，則實(shí)質(zhì)上很少或沒(méi)有電流流入MOD像素中。
[0057]在一些實(shí)現(xiàn)中，可根據(jù)對(duì)給定行中像素的狀態(tài)所期望的改變(若有)，通過(guò)沿該組列電極施加“分段”電壓形式的數(shù)據(jù)信號(hào)來(lái)創(chuàng)建圖像的幀?？奢喠鲗ぶ吩撽嚵械拿恳恍校允沟妹看螌懺搸囊恍?。為了將期望數(shù)據(jù)寫到第一行中的像素，可在諸列電極上施加與該第一行中的像素的期望狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的分段電壓，并且可向第一行電極施加特定的“共用”電壓或信號(hào)形式的第一行脈沖。該組分段電壓隨后可被改變?yōu)閷?duì)應(yīng)于對(duì)第二行中像素的狀態(tài)所期望的改變(若有)，且可向第二行電極施加第二共用電壓。在一些實(shí)現(xiàn)中，第一行中的像素不受沿諸列電極施加的分段電壓的改變的影響，而是保持于它們?cè)诘谝还灿秒妷盒忻}沖期間被設(shè)定的狀態(tài)?？砂错樞蚍绞綄?duì)整個(gè)行系列(或替換地對(duì)整個(gè)列系列)重復(fù)此過(guò)程以產(chǎn)生圖像幀。通過(guò)以每秒某個(gè)期望數(shù)目的幀來(lái)不斷地重復(fù)此過(guò)程，便可用新圖像數(shù)據(jù)來(lái)刷新和/或更新這些幀。
[0058]跨每個(gè)像素施加的分段信號(hào)和共用信號(hào)的組合(S卩，跨每個(gè)像素的電位差)決定每個(gè)像素結(jié)果所得的狀態(tài)。圖4示出解說(shuō)在施加各種共用電壓和分段電壓時(shí)干涉測(cè)量調(diào)制器各種狀態(tài)的表的示例。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易理解的，可將“分段”電壓施加于列電極或行電極，并且可將“共用”電壓施加于列電極或行電極中的另一者。
[0059]如圖4中(以及圖5B中所示的時(shí)序圖中)所解說(shuō)的，當(dāng)沿共用線施加有釋放電壓VCeel時(shí)，沿該共用線的所有干涉測(cè)量調(diào)制器元件將被置于松弛狀態(tài)，替換地稱為釋放狀態(tài)或未致動(dòng)狀態(tài)，不管沿各分段線所施加的電壓如何(即，高分段電壓VSh和低分段電壓VSJ。具體而言，當(dāng)沿共用線施加釋放電壓VC.時(shí)，在沿該像素的對(duì)應(yīng)分段線施加高分段電壓VSh和低分段電壓VSL這兩種情況下，跨該調(diào)制器的電位電壓(替換地稱為像素電壓)皆落在松弛窗(參見圖3，也稱為釋放窗)內(nèi)。
[0060]當(dāng)在共用線上施加有保持電壓時(shí)(諸如高保持電壓VC_ H或低保持電壓VC_>該干涉測(cè)量調(diào)制器的狀態(tài)將保持恒定。例如，松弛的IMOD將保持在松弛位置，而致動(dòng)的IMOD將保持在致動(dòng)位置。保持電壓可被選擇成使得在沿對(duì)應(yīng)的分段線施加高分段電壓VSh和低分段電壓這兩種情況下，像素電壓皆將保持落在穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)。因此，分段電壓擺幅(即，高分段電壓VSh與低分段電壓VSlj之差)小于正穩(wěn)定態(tài)窗或負(fù)穩(wěn)定態(tài)窗任一者的寬度。
[0061]當(dāng)在共用線上施加有尋址或即致動(dòng)電壓(諸如高尋址電壓VCaddh或低尋址電壓VCadd J時(shí)，通過(guò)沿各自相應(yīng)的分段線施加分段電壓，就可選擇性地將數(shù)據(jù)寫到沿該線的各調(diào)制器。分段電壓可被選擇成使得致動(dòng)是取決于所施加的分段電壓。當(dāng)沿共用線施加有尋址電壓時(shí)，施加一個(gè)分段電壓將結(jié)果得到落在穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)的像素電壓，從而使該像素保持未致動(dòng)。相反，施加另一個(gè)分段電壓將結(jié)果得到超出該穩(wěn)定態(tài)窗的像素電壓，從而導(dǎo)致該像素的致動(dòng)。引起致動(dòng)的特定分段電壓可取決于使用了哪個(gè)尋址電壓而變化。在一些實(shí)現(xiàn)中，當(dāng)沿共用線施加有高尋址電壓VCadd H時(shí)，施加高分段電壓VSh可使調(diào)制器保持在其當(dāng)前位置，而施加低分段電壓V&可引起該調(diào)制器的致動(dòng)。作為推論，當(dāng)施加有低尋址電壓VCadd 時(shí)，分段電壓的效果可以是相反的，其中高分段電壓VSh引起該調(diào)制器的致動(dòng)，而低分段電壓對(duì)該調(diào)制器的狀態(tài)無(wú)影響(即，保持穩(wěn)定)。
[0062]在一些實(shí)現(xiàn)中，可使用產(chǎn)生相同極性的跨調(diào)制器電位差的保持電壓、尋址電壓和分段電壓。在一些其它實(shí)現(xiàn)中，可使用使調(diào)制器的電位差的極性交變的信號(hào)?？缯{(diào)制器極性的交變(即，寫規(guī)程極性的交變)可減少或抑制在反復(fù)的單極性寫操作之后可能發(fā)生的電荷累積。
[0063]圖5A示出解說(shuō)圖2的3X3干涉測(cè)量調(diào)制器顯示器中的一幀顯示數(shù)據(jù)的圖示的示例。圖5B示出可用于寫圖5A中所解說(shuō)的該幀顯示數(shù)據(jù)的共用信號(hào)和分段信號(hào)的時(shí)序圖的示例。可將這些信號(hào)施加于例如圖2的3X3陣列，這將最終結(jié)果導(dǎo)致圖5B中所解說(shuō)的線時(shí)間60e的顯示布局。圖5A中的致動(dòng)調(diào)制器處于暗狀態(tài)，即，其中所反射光的大體部分在可見譜之外，從而給例如觀看者造成暗觀感。在寫圖5A中所解說(shuō)的幀之前，這些像素可處于任何狀態(tài)，但圖5B的時(shí)序圖中所解說(shuō)的寫規(guī)程假設(shè)了在第一線時(shí)間60a之前，每個(gè)調(diào)制器皆已被釋放且駐留在未致動(dòng)狀態(tài)中。
`[0064]在第一線時(shí)間60a期間:在共用線I上施加有釋放電壓70 ;在共用線2上施加的電壓始于高保持電壓72且移向釋放電壓70 ;并且沿共用線3施加有低保持電壓76。因此，沿共用線I的調(diào)制器(共用1，分段I)、(共用1，分段2)和(共用1，分段3)在第一線時(shí)間60a的歷時(shí)里保持在松弛或即未致動(dòng)狀態(tài)，沿共用線2的調(diào)制器(2，I)、(2，2)和(2，3)將移至松弛狀態(tài)，而沿共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3，2)和(3，3)將保持在其先前狀態(tài)中。參考圖4，沿分段線1、2和3施加的分段電壓將對(duì)諸干涉測(cè)量調(diào)制器的狀態(tài)沒(méi)有影響，這是因?yàn)樵诰€時(shí)間60a期間，共用線1、2或3皆不暴露于引起致動(dòng)的電壓水平(即，VC.-松弛和VChold l -穩(wěn)定)。
[0065]在第二線時(shí)間60b期間，共用線I上的電壓移至高保持電壓72，并且由于沒(méi)有尋址或即致動(dòng)電壓施加在共用線I上，因此沿共用線I的所有調(diào)制器皆保持在松弛狀態(tài)中，不管所施加的分段電壓如何。沿共用線2的諸調(diào)制器由于釋放電壓70的施加而保持在松弛狀態(tài)中，而當(dāng)沿共用線3的電壓移至釋放電壓70時(shí)，沿共用線3的調(diào)制器(3，I)、(3，2)和(3，3)將松弛。
[0066]在第三線時(shí)間60c期間，通過(guò)在共用線I上施加高尋址電壓74來(lái)尋址共用線I。由于在該尋址電壓的施加期間沿分段線I和2施加了低分段電壓64，因此跨調(diào)制器(1，I)和(1,2)的像素電壓大于這些調(diào)制器的正穩(wěn)定態(tài)窗的高端(即，電壓差分超過(guò)了預(yù)定義閾值)，并且調(diào)制器(1，I)和(1，2)被致動(dòng)。相反，由于沿分段線3施加了高分段電壓62，因此跨調(diào)制器(1，3)的像素電壓小于調(diào)制器(1，I)和(1，2)的像素電壓，并且保持在該調(diào)制器的正穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)；調(diào)制器(1，3)因此保持松弛。同樣在線時(shí)間60c期間，沿共用線2的電壓減小至低保持電壓76，且沿共用線3的電壓保持在釋放電壓70，從而使沿共用線2和3的調(diào)制器留在松弛位置。
[0067]在第四線時(shí)間60d期間，共用線I上的電壓返回至高保持電壓72，從而使沿共用線I的調(diào)制器留在其各自相應(yīng)的被尋址狀態(tài)中。共用線2上的電壓減小至低尋址電壓78。由于沿分段線2施加了高分段電壓62，因此跨調(diào)制器(2，2)的像素電壓低于該調(diào)制器的負(fù)穩(wěn)定態(tài)窗的下端，從而導(dǎo)致調(diào)制器(2，2)致動(dòng)。相反，由于沿分段線I和3施加了低分段電壓64，因此調(diào)制器(2，I)和(2，3)保持在松弛位置。共用線3上的電壓增大至高保持電壓72，從而使沿共用線3的調(diào)制器留在松弛狀態(tài)中。
[0068]最終，在第五線時(shí)間60e期間，共用線I上的電壓保持在高保持電壓72，且共用線2上的電壓保持在低保持電壓76，從而使沿共用線I和2的調(diào)制器留在其各自相應(yīng)的被尋址狀態(tài)中。共用線3上的電壓增大至高尋址電壓74以尋址沿共用線3的調(diào)制器。由于在分段線2和3上施加了低分段電壓64，因此調(diào)制器(3，2)和(3，3)致動(dòng)，而沿分段線I施加的高分段電壓62使調(diào)制器(3，I)保持在松弛位置。因此，在第五線時(shí)間60e結(jié)束時(shí)，該3X3像素陣列處于圖5A中所示的狀態(tài)，且只要沿這些共用線施加有保持電壓就將保持在該狀態(tài)中，而不管在沿其它共用線(未示出)的調(diào)制器正被尋址時(shí)可能發(fā)生的分段電壓變化如何。
[0069]在圖5B的時(shí)序圖中，給定的寫規(guī)程(即，線時(shí)間60a_60e)可包括使用高保持和尋址電壓或使用低保持和尋址電壓。一旦針對(duì)給定的共用線已完成該寫規(guī)程(且該共用電壓被設(shè)為與致動(dòng)電壓具有相同極性的保持電壓)，該像素電壓就保持在給定的穩(wěn)定態(tài)窗內(nèi)且不會(huì)穿越松弛窗，直至在該共用線上施加了釋放電壓。此外，由于每個(gè)調(diào)制器在被尋址之前作為該寫規(guī)程的一部分被釋放，因此可由調(diào)制器的致動(dòng)時(shí)間而非釋放時(shí)間來(lái)決定線時(shí)間。具體地，在調(diào)制器的釋放時(shí)間大于致動(dòng)時(shí)間的實(shí)現(xiàn)中，釋放電壓的施加可長(zhǎng)于單個(gè)線時(shí)間，如圖5B中所描繪的。在一些其它實(shí)現(xiàn)中，沿共用線或分段線施加的電壓可變化以計(jì)及不同調(diào)制器(諸如不同顏色的調(diào)制器)的致動(dòng)電壓和釋放電壓的差異。
[0070]根據(jù)上文闡述的原理來(lái)操作的干涉測(cè)量調(diào)制器的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)可以廣泛地變化。例如，圖6A-6E示出包括可移動(dòng)反射層14及其支承結(jié)構(gòu)的干涉測(cè)量調(diào)制器的不同實(shí)現(xiàn)的橫截面的示例。圖6A示出圖1的干涉測(cè)量調(diào)制器顯示器的局部橫截面的示例，其中金屬材料條帶(即，可移動(dòng)反射層14)沉積在從基板20正交延伸出的支承18上。在圖6B中，每個(gè)MOD的可移動(dòng)反射層14為大致方形或矩形的形狀，且在拐角處或拐角附近靠系帶32附連至支承。在圖6C中，可移動(dòng)反射層14為大致方形或矩形的形狀且懸掛于可形變層34，可形變層34可包括柔性金屬。可形變層34可圍繞可移動(dòng)反射層14的周界直接或間接連接至基板20。這些連接在本文中稱為支承柱。圖6C中所示的實(shí)現(xiàn)具有源自可移動(dòng)反射層14的光學(xué)功能與其機(jī)械功能(這由可形變層34實(shí)施)解耦的附加益處。這種解耦允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料與用于可形變層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料被彼此獨(dú)立地優(yōu)化。
[0071]圖6D示出IMOD的另一示例,其中可移動(dòng)反射層14包括反射子層14a。可移動(dòng)反射層14支托在支承結(jié)構(gòu)(諸如，支承柱18)上。支承柱18提供了可移動(dòng)反射層14與下靜止電極(即，所解說(shuō)MOD中的光學(xué)堆棧16的部分)的分離，從而使得(例如當(dāng)可移動(dòng)反射層14處在松弛位置時(shí))在可移動(dòng)反射層14與光學(xué)堆棧16之間形成間隙19?？梢苿?dòng)反射層14還可包括傳導(dǎo)層14c和支承層14b，傳導(dǎo)層14c可配置成用作電極。在此示例中，傳導(dǎo)層14c部署在支承層14b的在基板20遠(yuǎn)端的一側(cè)上，而反射子層14a部署在支承層14b的在基板20近端的另一側(cè)上。在一些實(shí)現(xiàn)中，反射子層14a可以是傳導(dǎo)性的并且可部署在支承層14b與光學(xué)堆棧16之間。支承層14b可包括一層或多層介電材料，例如氧氮化硅(SiON)或二氧化硅(Si02)。在一些實(shí)現(xiàn)中，支承層14b可以是諸層的堆棧，諸如舉例而言Si02/Si0N/SiO2三層堆棧。反射子層14a和傳導(dǎo)層14c中的任一者或這兩者可包括例如具有約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金、或其它反射性金屬材料。在介電支承層14b上方和下方采用傳導(dǎo)層14a、14c可平衡應(yīng)力并提供增強(qiáng)的傳導(dǎo)性。在一些實(shí)現(xiàn)中，反射子層14a和傳導(dǎo)層14c可由不同材料形成以用于各種各樣的設(shè)計(jì)目的，諸如達(dá)成可移動(dòng)反射層14內(nèi)的特定應(yīng)力分布。
[0072]如圖6D中所解說(shuō)的，一些實(shí)現(xiàn)還可包括黑色掩模結(jié)構(gòu)23。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可形成于光學(xué)非活躍區(qū)域中(例如，在各像素之間或在柱子18下方)以吸收環(huán)境光或雜散光。黑色掩模結(jié)構(gòu)23還可通過(guò)抑制光從顯示器的非活躍部分反射或透射穿過(guò)顯示器的非活躍部分以由此提高對(duì)比率來(lái)改善顯示設(shè)備的光學(xué)性質(zhì)。另外，黑色掩模結(jié)構(gòu)23可以是傳導(dǎo)性的并且配置成用作電匯流層。在一些實(shí)現(xiàn)中，行電極可連接至黑色掩模結(jié)構(gòu)23以減小所連接的行電極的電阻。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可使用各種各樣的方法來(lái)形成，包括沉積和圖案化技術(shù)。黑色掩模結(jié)構(gòu)23可包括一層或多層。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，黑色掩模結(jié)構(gòu)23包括用作光學(xué)吸收體的鑰鉻(MoCr)層、一層、以及用作反射體和匯流層的鋁合金，其厚度分別在約30 - 80 A 500 - 1000 A和500 - 6000 A的范圍內(nèi)。這一層或多層可使用各種各樣的技術(shù)來(lái)圖案化，鈕括光刻和干法蝕刻，包括例如用于MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4P /或氧氣
(O2),以及用于鋁合金層的氯(Cl2)和/或三氯化硼(BC13)。在一些實(shí)現(xiàn)中，黑色掩模23可以是標(biāo)準(zhǔn)具(etalon)或干涉測(cè)量堆棧結(jié)構(gòu)。在此類干涉測(cè)量堆棧黑色掩模結(jié)構(gòu)23中，傳導(dǎo)性的吸收體可用于在每行或每列的光學(xué)堆棧16中的下靜止電極之間傳送或匯流信號(hào)。在一些實(shí)現(xiàn)中，分隔層35可用于將吸收體層16a與黑色掩模23中的傳導(dǎo)層大體上電隔離。
[0073]圖6E示出MOD的另一示例，其中可移動(dòng)反射層14是自支承的。不同于圖6D，圖6E的實(shí)現(xiàn)不包括支承柱18。作為代替，可移動(dòng)反射層14在多個(gè)位置接觸底下的光學(xué)堆棧16，且可移動(dòng)反射層14的曲度提供足夠的支承以使得在跨該干涉測(cè)量調(diào)制器的電壓不足以引起致動(dòng)時(shí)，可移動(dòng)反射層14 返回至圖6E的未致動(dòng)位置。出于清晰起見，可包含多個(gè)(若干)不同層的光學(xué)堆棧16在此處被不為包括光學(xué)吸收體16a和電介質(zhì)16b。在一些實(shí)現(xiàn)中，光學(xué)吸收體16a既可用作固定電極又可用作部分反射層。
[0074]在諸實(shí)現(xiàn)中，諸如圖6A-6E中所示的那些實(shí)現(xiàn)中，MOD用作直視設(shè)備，其中是從透明基板20的前側(cè)(即，與布置調(diào)制器的一側(cè)相對(duì)的那側(cè))來(lái)觀看圖像。在這些實(shí)現(xiàn)中，可對(duì)該設(shè)備的背部(即，該顯示設(shè)備的在可移動(dòng)反射層14后面的任何部分，包括例如圖6C中所解說(shuō)的可形變層34)進(jìn)行配置和操作而不沖突或不利地影響該顯示設(shè)備的圖像質(zhì)量，因?yàn)榉瓷鋵?4在光學(xué)上屏蔽了該設(shè)備的那些部分。例如，在一些實(shí)現(xiàn)中，在可移動(dòng)反射層14后面可包括總線結(jié)構(gòu)(未圖解)，這提供了將調(diào)制器的光學(xué)性質(zhì)與該調(diào)制器的機(jī)電性質(zhì)(諸如，電壓尋址和由此類尋址所導(dǎo)致的移動(dòng))分離的能力。另外，圖6A - 6E的實(shí)現(xiàn)可簡(jiǎn)化處理(諸如，圖案化)。
[0075]圖7示出解說(shuō)用于干涉測(cè)量調(diào)制器的制造過(guò)程80的流程圖的示例，并且圖8A - SE示出此類制造過(guò)程80的相應(yīng)階段的橫截面示意圖解的示例。在一些實(shí)現(xiàn)中，可實(shí)現(xiàn)制造過(guò)程80加上圖7中未示出的其它框以制造例如圖1和6中所解說(shuō)的一般類型的干涉測(cè)量調(diào)制器。參考圖1、6和7，過(guò)程80在框82處開始以在基板20上方形成光學(xué)堆棧16。圖8A解說(shuō)了在基板20上方形成的此類光學(xué)堆棧16?；?0可以是透明基板(諸如，玻璃或塑料)，其可以是柔性的或是相對(duì)堅(jiān)硬且不易彎曲的，并且可能已經(jīng)歷了在先制備工藝(例如，清洗)以便于高效地形成光學(xué)堆棧16。如上文所討論的，光學(xué)堆棧16可以是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，并且可以是例如通過(guò)將具有期望性質(zhì)的一層或多層沉積在透明基板20上來(lái)制造的。在圖8A中，光學(xué)堆棧16包括具有子層16a和16b的多層結(jié)構(gòu)，但在一些其它實(shí)現(xiàn)中可包括更多或更少的子層。在一些實(shí)現(xiàn)中，子層16a、16b中的一者可配置成具有光學(xué)吸收和傳導(dǎo)性質(zhì)兩者，諸如組合式導(dǎo)體/吸收體子層16a。另外，子層16a、16b中的一者或多者可被圖案化成平行條帶，并且可形成顯示設(shè)備中的行電極。此類圖案化可通過(guò)掩模和蝕刻工藝或本領(lǐng)域已知的另一合適工藝來(lái)執(zhí)行。在一些實(shí)現(xiàn)中，子層16a、16b中的一者可以是絕緣層或介電層，諸如沉積在一個(gè)或多個(gè)金屬層(例如，一個(gè)或多個(gè)反射和/或傳導(dǎo)層)上方的子層16b。另外，光學(xué)堆棧16可被圖案化成形成顯示器的諸行的個(gè)體且平行的條帶。
[0076]過(guò)程80在框84處繼續(xù)以在光學(xué)堆棧16上方形成犧牲層25。犧牲層25稍后被移除(例如，在框90處)以形成腔19，且因此在圖1中所解說(shuō)的結(jié)果所得的干涉測(cè)量調(diào)制器12中未示出犧牲層25。圖SB解說(shuō)包括形成在光學(xué)堆棧16上方的犧牲層25的經(jīng)部分制造的器件。在光學(xué)堆棧16上方形成犧牲層25可包括以所選厚度來(lái)沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料(諸如，鑰(Mo)或非晶硅(a-Si))，該厚度被選擇成在后續(xù)移除之后提供具有期望設(shè)計(jì)大小的間隙或腔19 (也參見圖1和SE)。沉積犧牲材料可使用諸如物理汽相沉積(PVD，例如濺鍍)、等離子體增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(PECVD)、熱化學(xué)汽相沉積(熱CVD)、或旋涂等沉積技術(shù)來(lái)實(shí)施。
[0077]過(guò)程80在框86處繼續(xù)以形成支承結(jié)構(gòu)(例如，圖1、6和8C中所解說(shuō)的柱子18)。形成柱子18可包括:圖案化犧牲層25以形成支承結(jié)構(gòu)孔，然后使用沉積方法(諸如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂)將材料(例如，聚合物或無(wú)機(jī)材料，例如氧化硅)沉積至該孔中以形成柱子18。在一些實(shí)現(xiàn)中，在犧牲層中形成的支承結(jié)構(gòu)孔可延伸穿過(guò)犧牲層25和光學(xué)堆棧16兩者到達(dá)底下的基板20，從而柱子18的下端接觸基板20，如圖6A中所解說(shuō)的。替換地，如圖SC中所描繪的，在犧牲層25中形成的孔可延伸穿過(guò)犧牲層25，但不穿過(guò)光學(xué)堆棧16。例如，圖8E解說(shuō)了支承柱18的下端與光學(xué)堆棧16的上表面接觸?？赏ㄟ^(guò)在犧牲層25上方沉積支承結(jié)構(gòu)材料層并將該支承結(jié)構(gòu)材料的位于遠(yuǎn)離犧牲層25中的孔的部分圖案化來(lái)形成柱子18或其它支承結(jié)構(gòu)。這些支承結(jié)構(gòu)可位于這些孔內(nèi)(如圖SC中所解說(shuō)的)，但是也可至少部分地延伸在犧牲層25的一部分上方。如上所述，對(duì)犧牲層25和/或支承柱18的圖案化可通過(guò)圖案化和蝕刻工藝來(lái)執(zhí)行，但也可通過(guò)替換的蝕刻方法來(lái)執(zhí)行。
[0078]過(guò)程80在框88處繼續(xù)以形成可移動(dòng)反射層或膜，諸如圖1、6和8D中所解說(shuō)的可移動(dòng)反射層14?？梢苿?dòng)反射層14可通過(guò)采用一個(gè)或多個(gè)沉積步驟(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)連同一個(gè)或多個(gè)圖案化、掩模和/或蝕刻步驟來(lái)形成?？梢苿?dòng)反射層14可以是導(dǎo)電的，且被稱為導(dǎo)電層。在一些實(shí)現(xiàn)中，可移動(dòng)反射層14可包括如圖8D中所示的多個(gè)子層14a、14b、14c。在一些實(shí)現(xiàn)中，這些子層中的一者或多者(諸如子層14a、14c)可包括為其光學(xué)性質(zhì)所選擇的高反射子層，且另一子層14b可包括為其機(jī)械性質(zhì)所選擇的機(jī)械子層。由于犧牲層25仍存在于在框88處形成的經(jīng)部分制造的干涉測(cè)量調(diào)制器中，因此可移動(dòng)反射層14在此階段通常是不可移動(dòng)的。包含犧牲層25的經(jīng)部分制造的MOD在本文也可稱為“未脫?！表?D。如上文結(jié)合圖1所描述的，可移動(dòng)反射層14可被圖案化成形成顯示器的諸列的個(gè)體且平行的條帶。
[0079]過(guò)程80在框90處繼續(xù)以形成腔，例如圖1、6和SE中所解說(shuō)的腔19。腔19可通過(guò)將(在框84處沉積的)犧牲材料25暴露于蝕刻劑來(lái)形成。例如,可蝕刻的犧牲材料(諸如Mo或非晶Si )可通過(guò)干法化學(xué)蝕刻來(lái)移除，例如通過(guò)將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸氣蝕刻劑(諸如，由固態(tài)XeF2得到的蒸氣)長(zhǎng)達(dá)能有效地移除期望量的材料(通常是相對(duì)于圍繞腔19的結(jié)構(gòu)選擇性地移除)的一段時(shí)間來(lái)移除。還可使用其他蝕刻方法，例如濕法蝕刻和/或等離子蝕刻。由于在框90期間移除了犧牲層25，因此可移動(dòng)反射層14在此階段之后通常是可移動(dòng)的。在移除犧牲材料25之后，結(jié)果所得的已完全或部分制造的MOD在本文中可被稱為“已脫模”頂OD。
[0080]由于反射式顯示器(諸如具有干涉測(cè)量調(diào)制器像素的那些反射式顯示器)使用反射光來(lái)形成圖像，因此可能期望在某些環(huán)境下增強(qiáng)環(huán)境光以提高顯示器的亮度。此增強(qiáng)可由照明系統(tǒng)提供，其中來(lái)自光源的光被定向至反射式顯示器，該反射式顯示器然后將該光朝觀察者反射回去。
[0081]圖9A不出照明系統(tǒng)的橫截面的不例。光導(dǎo)120接收來(lái)自光源130的光。光導(dǎo)120中的多個(gè)光轉(zhuǎn)向特征121被配置成將來(lái)自光源130的光(例如，光線150)重定向成反向朝著底下的反射式顯示器160。反射式顯示器160中的反射式像素將該經(jīng)重定向的光向前反射成朝向觀察者170。在一些實(shí)現(xiàn)中，這些反射式像素可以是IM0D12 (圖1)。
[0082]繼續(xù)參考圖9A，光導(dǎo)120可以是平坦的光學(xué)透射面板，其部署成面向且平行于顯不器160的主表面以使得入射光穿過(guò)光導(dǎo)120到達(dá)顯不器160,且從顯不器160反射的光也反向穿過(guò)光導(dǎo)120到達(dá)觀察者170。
[0083]光源130可包括任意合適的光源，例如，白熾燈泡、邊緣條、發(fā)光二極管(“LED”)、熒光燈、LED燈條、LED陣列和/或另一光源。在某些實(shí)現(xiàn)中，來(lái)自光源130的光注入到光導(dǎo)120中以使得一部分光在跨光導(dǎo)120的至少一部分以相對(duì)于光導(dǎo)120的與顯示器160對(duì)準(zhǔn)的表面成低掠射角的方向上傳播，以使得該光在光導(dǎo)120內(nèi)通過(guò)全內(nèi)反射(“TIR”)被反射。在一些實(shí)現(xiàn)中，光源130包含燈條。從發(fā)光設(shè)備(例如，LED)進(jìn)入該燈條的光可沿該等條的一些或全部長(zhǎng)度傳播并在該燈條的一部分或全部長(zhǎng)度上離開該燈條的表面或邊緣。離開該燈條的光可進(jìn)入光導(dǎo)120的邊緣，并隨后在光導(dǎo)120內(nèi)傳播。
[0084]光導(dǎo)120中的光轉(zhuǎn)向特征121以足夠使得至少一些光穿出光導(dǎo)120到達(dá)反射式顯不器160的角度引導(dǎo)光朝向顯不器160中的顯不兀件。光轉(zhuǎn)向特征121可包括一層或多層，其被配置成提高轉(zhuǎn)向特征121面向遠(yuǎn)離觀察者170的反射率和/或用作從觀察者側(cè)的黑色掩模。這些層可統(tǒng)稱為涂層140。
[0085]圖9B示出其中涂層140包括多個(gè)層的光轉(zhuǎn)向特征的橫截面的示例。在某些實(shí)現(xiàn)中，轉(zhuǎn)向特征121的涂層140可配置成干涉測(cè)量堆棧，其具有:反射層122，其重定向在光導(dǎo)120內(nèi)傳播的光；間隔層123 ;以及覆蓋在間隔層123上的部分反射層124。間隔層123部署在反射層122與部分反射層124之間并通過(guò)其厚度來(lái)限定一光學(xué)諧振腔。
[0086]該干涉測(cè)量堆?？杀慌渲贸山o予涂層140暗外觀，如觀察者170所看到的。例如，光可從反射層122和部分反射層124中的每一者反射，其中間隔123的厚度被選擇成使得反射光相消地干涉，從而涂層140呈現(xiàn)黑色或暗色，如觀察者170從上方所看到的(圖9A)。
[0087]反射層122可例如包括金屬層，例如，鋁(Al)、鎳(Ni)、銀(Ag)、鑰(Mo)、金(Au)、
以及鉻(Cr)。反射層122的厚度可以在約100 A與約700 A之間。在一種實(shí)現(xiàn)中，反射層
122是大約300 A厚。間隔層123可包括各種光學(xué)透射材料，例如，空氣、氮氧化硅(SiOxN)、二氧化娃(SiO2)、氧化招(Al2O3)、二氧化鈦(TiO2)、氟化鎂(MgF2)、氧化鉻(III) (Cr3O2)、氮化硅(Si3N4)、透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、氧化銦錫(ITO)、以及氧化鋅(ZnO)。在一些實(shí)現(xiàn)中，間隔層123的厚度在約500 A與約1500 A之間。在一種實(shí)現(xiàn)中，間隔層123是大約800 A厚。部分反射層124可包括各種材料，例如，鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、鉻(Cr)等，以及合金(例如，MoCr)ο在一些實(shí)現(xiàn)中，部分反射層124的厚度可以在約20與約300 A之間。在一種實(shí)現(xiàn)中，部分反射層124是大約80 A厚。
[0088]繼續(xù)參考圖9B，由于光主要從光轉(zhuǎn)向特征121的側(cè)面126和127重定向至顯示器160，因此在一些實(shí)現(xiàn)中，在這些側(cè)面之間的區(qū)域中，涂層140可設(shè)有光可穿過(guò)的開口 125。開口 125可便于環(huán)境光傳播至顯示器160和/或反射光傳播至觀察者170。
[0089]已發(fā)現(xiàn)，在一些實(shí)現(xiàn)中，金屬層(諸如反射涂層140和部分反射層124)可腐蝕或以其它方式進(jìn)行不期望的反應(yīng)。在不受理論限制的情況下，相信這些不期望的反應(yīng)是由于從環(huán)境擴(kuò)散至反射涂層140和/或?qū)?24并與其反應(yīng)的濕氣或氣體(例如，氧化劑)而發(fā)生的。這些反應(yīng)可改變反射涂層140的材料性質(zhì)(例如，使這些涂層和層的反射率降級(jí))并由此使涂層140和/或?qū)?24的期望功能性降級(jí)。
[0090]圖10示出設(shè)有部署在光導(dǎo)120上方的鈍化層110的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。光源130被配置成將光注入光導(dǎo)120中。在一些實(shí)現(xiàn)中，鈍化層110直接部署在光導(dǎo)120的部分(諸如，該光導(dǎo)在各光轉(zhuǎn)向特征121之間延伸的諸部分)上。鈍化層110也可直接部署在光轉(zhuǎn)向特征121的涂層140上。如圖所示，光轉(zhuǎn)向特征121可形成為光導(dǎo)120中的凹槽，并且鈍化層110可基本上共形地在光導(dǎo)120的頂部主表面上方延伸。在一些實(shí)現(xiàn)中，共形鈍化層110在光轉(zhuǎn)向特征121底部處的厚度與共形鈍化層110在光轉(zhuǎn)向特征121側(cè)壁處的厚度之比可以是約5:1、約3:1、約2:1、約1.5:1、或約1:1。這些水平的厚度均勻性可提供用于形成抗反射涂層同時(shí)提供鈍化的優(yōu)點(diǎn)，如本文中所討論的。
[0091]繼續(xù)參考圖10，鈍化層110可以是濕氣屏障。在一些實(shí)現(xiàn)中，鈍化層110具有約lg/m2/天或更小、約0.0 lg/m2/天或更小、或者約0.000 lg/m2/天或更小的濕氣透過(guò)系數(shù)。鈍化層110可具有合適的厚度以提供抵御濕氣和/或環(huán)境氣體的屏障性質(zhì)。已發(fā)現(xiàn)約50nm或更大、或者約75nm或更大的厚度提供了用于環(huán)境隔離以及增加光學(xué)功能性(例如，抗反射性質(zhì))的優(yōu)點(diǎn)。
[0092]在一些實(shí)現(xiàn)中，當(dāng)暴露于具有85%相對(duì)濕度的85° C環(huán)境時(shí)，鈍化層110防止反射涂層140的腐蝕達(dá)至少約200小時(shí)、或至少約500小時(shí)、或至少約1000小時(shí)的歷時(shí)。在一些實(shí)現(xiàn)中，防腐蝕處于使設(shè)備操作不受損害的水平，以使得該設(shè)備滿足其操作規(guī)范。例如，當(dāng)涂層140中的部分反射層124腐蝕時(shí)，涂層140的黑色掩模性質(zhì)下降并且可能發(fā)生從涂層140的環(huán)境反射增加(例如，由于從層122反射)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在以下程度上防止層124的腐蝕:在具有85%相對(duì)濕度的85° C環(huán)境中，從涂層140的所察覺(jué)反射增加在500小時(shí)之后為約20%或更小、約10%或更小、或者約5%或更小。在一些實(shí)現(xiàn)中，對(duì)于在IOum寬的光轉(zhuǎn)向特征中包括50nm的Al反射層122、72nm的二氧化硅間隔層123、以及5nm的MoCr部分反射層124 (圖9B)的反射涂層140達(dá)成這些益處。
[0093]鈍化層110可由光學(xué)透射材料形成，包括可有利于電隔離鈍化層110底下的電學(xué)結(jié)構(gòu)的光學(xué)透射介電材料。用于鈍化層110的合適材料的示例包括二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、MgF2、CaF2、Al2O3或其混合物。在一些實(shí)現(xiàn)中，鈍化層110由旋涂式玻璃形成。
[0094]參考圖11，可提供一個(gè)或多個(gè)光學(xué)解耦層以便于光在光導(dǎo)120內(nèi)傳播。圖11示出設(shè)有光學(xué)解耦層的照明系統(tǒng)的橫截面的示例。例如，光學(xué)解耦層180a可設(shè)在鈍化層110上方。在一些實(shí)現(xiàn)中，光學(xué)解稱層180a的折射率低于鈍化層110和光導(dǎo)120的折射率。該較低折射率促使從鈍化層110與光學(xué)解耦層180a之間的界面的全內(nèi)反射，由此便于光通過(guò)全內(nèi)反射而跨光導(dǎo)120傳播。在一些實(shí)現(xiàn)中，光學(xué)解耦層180a可提供額外功能性。例如，層180a可由提供對(duì)鈍化層110和光導(dǎo)120的機(jī)械保護(hù)的材料形成。用于光學(xué)解耦層180a的合適材料的示例包括MgF2、CaF2、UV可固化環(huán)氧樹脂、聚合涂層、有機(jī)硅氧烷涂層、硅樹脂黏合劑、以及在可見光譜中具有小于約1.48、或小于約1.45、或小于約1.42的折射率的其它類似材料。
[0095]繼續(xù)參考圖11，在一些實(shí)現(xiàn)中，可在光導(dǎo)120底下提供另一光學(xué)解耦層180b。此另一光學(xué)解耦層180b也可具有低于光導(dǎo)120的折射率，由此促成層180b與光導(dǎo)120的界面處的全內(nèi)反射。層180b可由與層180a相同或不同的材料形成。在一些其它實(shí)現(xiàn)中，層180b可省略并且間隙(例如，空氣間隙)提供低折射率介質(zhì)以促成光導(dǎo)120的下部主表面處的全內(nèi)反射。
[0096]繼續(xù)參考圖11，在一些實(shí)現(xiàn)中，鈍化層110被配置成提供抗反射性質(zhì)。例如，鈍化層110的折射率和厚度可被選擇成允許層110用作干涉抗反射涂層。在一些實(shí)現(xiàn)中，鈍化層110的折射率在光學(xué)解耦層180a的折射率與光導(dǎo)120 (或緊鄰鈍化層110的光導(dǎo)120層，其中光導(dǎo)120包括多個(gè)層)的折射率之間。例如，鈍化層110的折射率可使用下式來(lái)推導(dǎo):
【權(quán)利要求】
1.一種照明系統(tǒng)，包括: 光導(dǎo)；以及 共形的光學(xué)透射介電鈍化層，其部署在所述光導(dǎo)的第一主表面上方，其中所述鈍化層是濕氣屏障。
2.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層的折射率小于所述光導(dǎo)的折射率。
3.如權(quán)利要求2所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述鈍化層上方的光學(xué)解耦層，其中所述光學(xué)解耦層的折射率小于所述鈍化層的折射率。
4.如權(quán)利要求3 所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層形成干涉抗反射涂層。
5.如權(quán)利要求3所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層的折射率約為RIPS，其中:
其中RIui是所述光導(dǎo)的折射率；以及 R1dl是所述光學(xué)解耦層的折射率。
6.如權(quán)利要求3所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層具有約50nm或更大的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述厚度為約75- 125nm。
8.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述光導(dǎo)包括多個(gè)光轉(zhuǎn)向特征，所述多個(gè)光轉(zhuǎn)向特征被限定為所述光導(dǎo)的所述第一主表面上的凹槽的部分。
9.如權(quán)利要求8所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述光轉(zhuǎn)向特征包括直接部署在所述凹槽的表面上的一個(gè)或多個(gè)金屬層。
10.如權(quán)利要求9所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述一個(gè)或多個(gè)金屬層包括通過(guò)光學(xué)透射間隔層與反射金屬層分開的部分反射金屬層。
11.如權(quán)利要求9所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層是毯覆鈍化層，其跨所述主表面且在光轉(zhuǎn)向特征之間連續(xù)延伸。
12.如權(quán)利要求9所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層是經(jīng)圖案化的鈍化層，其具有基本上位于所述光轉(zhuǎn)向特征處的經(jīng)圖案化部分。
13.如權(quán)利要求12所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層覆蓋所述一個(gè)或多個(gè)反射層的頂部，同時(shí)暴露所述一個(gè)或多個(gè)反射層的側(cè)面。
14.如權(quán)利要求12所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述光導(dǎo)是多層結(jié)構(gòu)，其具有基板和上覆玻璃層，所述上覆玻璃層中形成所述光轉(zhuǎn)向特征。
15.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層具有約為0.01g/m2/天或更小的濕氣透過(guò)系數(shù)。
16.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層由二氧化硅形成。
17.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述光導(dǎo)的與所述第一主表面相對(duì)的第二主表面上的第二鈍化層。
18.如權(quán)利要求1所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括顯示器，所述顯示器的主表面面向所述光導(dǎo)的所述第一主表面。
19.如權(quán)利要求18所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述顯示器包括干涉測(cè)量調(diào)制器顯示元件陣列。
20.如權(quán)利要求18所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括: 處理器，其被配置成與所述顯示器通信，所述處理器被配置成處理圖像數(shù)據(jù)；以及 存儲(chǔ)器設(shè)備，其配置成與所述處理器通信。
21.如權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 驅(qū)動(dòng)器電路，其配置成將至少一個(gè)信號(hào)發(fā)送給所述顯示器。
22.如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 控制器，其配置成將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送給所述驅(qū)動(dòng)器電路。
23.如權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 圖像源模塊，其配置成將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送給所述處理器。
24.如權(quán)利要求23所述的裝置，其特征在于，所述圖像源模塊包括接收器、收發(fā)器和發(fā)射器中的至少一者。
25.如權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 輸入設(shè)備，其配置成接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳達(dá)給所述處理器。
26.一種用于制造照明設(shè)備的方法，包括: 提供光導(dǎo)；以及 提供共形的光學(xué)透射 介電鈍化層，其部署在所述光導(dǎo)的主表面上方，其中所述鈍化層是濕氣屏障。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，提供所述共形的光學(xué)透射介電鈍化層包括執(zhí)行毯覆沉積以形成毯覆鈍化層。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，提供所述光導(dǎo)包括: 通過(guò)以下操作在所述光導(dǎo)中形成多個(gè)光轉(zhuǎn)向特征: 在所述光導(dǎo)中限定多個(gè)凹槽；以及 在所述光轉(zhuǎn)向特征上沉積反射金屬層。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括圖案化所述鈍化層以移除所述鈍化層在所述光轉(zhuǎn)向特征之間延伸的部分。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，所述光導(dǎo)是多層結(jié)構(gòu)，其具有基板和上覆玻璃層，所述上覆玻璃層中形成所述光轉(zhuǎn)向特征。
31.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，圖案化所述鈍化層包括同時(shí)圖案化所述鈍化層和所述金屬層，其中所述金屬層位于所述鈍化層之下。
32.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，提供所述共形的光學(xué)透射介電鈍化層包括在所述光導(dǎo)上沉積所述共形的光學(xué)透射介電鈍化層達(dá)約50 - 125nm的總厚度。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述鈍化層上方形成光學(xué)解耦層，所述光學(xué)解耦層的折射率低于所述鈍化層的折射率，所述鈍化層的折射率小于所述光導(dǎo)的折射率。
34.—種照明系統(tǒng),包括: 光導(dǎo)；以及 用于阻擋濕氣滲透至所述光導(dǎo)的主表面的至少一些部分的裝置。
35.如權(quán)利要求34所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述光導(dǎo)包括在所述用于阻擋濕氣滲透的裝置底下的多個(gè)光轉(zhuǎn)向特征，其中所述用于阻擋濕氣滲透的裝置是配置成阻擋濕氣滲透至所述光轉(zhuǎn)向特征的共形鈍化層。
36.如權(quán)利要求35所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述共形鈍化層是經(jīng)圖案化的鈍化層，其具有基本上位于所述光轉(zhuǎn)向特征處的經(jīng)圖案化部分。
37.如權(quán)利要求36所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述光導(dǎo)是多層結(jié)構(gòu)，其具有基板和上覆玻璃層，所述上覆玻璃層中形成所述光轉(zhuǎn)向特征。
38.如權(quán)利要求35所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層具有約為lg/m2/天或更小的濕氣透過(guò)系數(shù)。
39.如權(quán)利要求38所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層形成抗反射涂層。
40.如權(quán)利要求39所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述鈍化層具有約50- 125nm的厚度。
41.如權(quán)利要求40所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述抗反射涂層的折射率小于所述光導(dǎo)的折射率。
42.如權(quán)利要求41所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述抗反射涂層上方且與所述抗反射涂層接觸的光學(xué)解耦層，所述光學(xué)解耦層的折射率低于所述抗反射涂層的折射率。 ·
【文檔編號(hào)】G02B6/00GK103443670SQ201180054945
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2011年11月2日 優(yōu)先權(quán)日:2010年11月16日
【發(fā)明者】I·比塔, K·李, R·勞, T·笹川, B·W·阿拉布科勒, W·卡明斯 申請(qǐng)人:高通Mems科技公司