專利名稱：半導(dǎo)體層及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體層及其形成方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體層能控制導(dǎo)電性，被作為薄膜晶體管(Thin Film Transistor :TFT)的活性層使用。TFT設(shè)于例如有源矩陣型的液晶顯示裝置，這樣的液晶顯示裝置被利用于電視機(jī)、 計(jì)算機(jī)、便攜終端等的顯示器。半導(dǎo)體層利用薄膜的形成、光刻等與半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)同樣的制造技術(shù)與絕緣膜、電極以及配線等一起形成于支撐基板上。在例如頂柵結(jié)構(gòu)的TFT中，半導(dǎo)體層設(shè)于絕緣性表面上，另外，在半導(dǎo)體層上隔著柵極絕緣膜設(shè)有柵極電極。已知如下情況在頂柵結(jié)構(gòu)的TFT中，半導(dǎo)體層的邊緣部上的柵極絕緣膜比其它區(qū)域的柵極絕緣膜薄，半導(dǎo)體層的邊緣部與柵極電極之間的距離變短(參照專利文獻(xiàn)1)。 這樣，柵極絕緣膜越薄，柵極絕緣膜的厚度變得不均勻的傾向越顯著。在專利文獻(xiàn)1中記載了如下情況在柵極絕緣膜的厚度不均勻的情況下，由于邊緣效應(yīng)，在半導(dǎo)體層的邊緣部形成強(qiáng)電場而產(chǎn)生側(cè)電流，作為開關(guān)元件的特性降低。另外， 半導(dǎo)體的邊緣部與柵極電極之間的距離越短，由于在半導(dǎo)體配線的邊緣部的電場集中，TFT 的絕對耐壓越低，容易引起絕緣破壞。因此，在專利文獻(xiàn)1中公開了對半導(dǎo)體膜的邊緣部上的絕緣膜的厚度變化進(jìn)行抑制的結(jié)構(gòu)。在圖8中示出專利文獻(xiàn)1所公開的TFT500。TFT500具備半導(dǎo)體層600、覆蓋半導(dǎo)體層600的柵極絕緣膜510、隔著柵極絕緣膜510設(shè)于半導(dǎo)體層600上的柵極電極520、與半導(dǎo)體層600接觸的源極電極530和漏極電極M0。半導(dǎo)體層600在其邊緣部具有錐形形狀，抑制柵極絕緣膜510的厚度的變動(dòng)，并抑制了作為開關(guān)元件的特性的降低。在專利文獻(xiàn)1中說明了半導(dǎo)體層600的形成方法。下面，參照圖9說明半導(dǎo)體層 600的形成方法，首先，圖9(a)所示，沉積半導(dǎo)體膜S，然后，在半導(dǎo)體膜S上形成光致抗蝕劑層R。接著，利用光致抗蝕劑層R作為掩模進(jìn)行半導(dǎo)體膜S的蝕刻。如圖9(b)所示，利用蝕刻，半導(dǎo)體膜S中未用光致抗蝕劑層R覆蓋的部分被除去，形成島狀的半導(dǎo)體層。另外， 在該蝕刻時(shí)，光致抗蝕劑層R的一部分也從側(cè)面被除去。此時(shí)，當(dāng)光致抗蝕劑層R的側(cè)面被除去時(shí)，由于島狀半導(dǎo)體層中的光致抗蝕劑層R的除去而露出的部分從表面朝向底面漸漸地被蝕刻。因此，如圖9(c)所示，在蝕刻后，半導(dǎo)體層600的邊緣部成為錐形形狀。然后， 通過除去光致抗蝕劑層R，形成錐形形狀的半導(dǎo)體層600。另外，在專利文獻(xiàn)1中也公開了具有臺階形狀的半導(dǎo)體層的其它TFT。在圖10中示出專利文獻(xiàn)1所公開的TFT700。TFT700具備半導(dǎo)體層800、覆蓋半導(dǎo)體層800的柵極絕緣膜710、隔著柵極絕緣膜710設(shè)于半導(dǎo)體層800上的柵極電極720、與半導(dǎo)體層800接觸的源極電極730和漏極電極740。半導(dǎo)體層800在其邊緣部具有臺階形狀，抑制柵極絕緣膜 710的厚度的變動(dòng)，并抑制了作為開關(guān)元件的特性的降低。
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在專利文獻(xiàn)1中說明了半導(dǎo)體層800的形成方法。下面，參照圖11說明半導(dǎo)體層 800的形成方法。首先，如圖11(a)所示，沉積半導(dǎo)體膜S，然后，在半導(dǎo)體膜S上形成光致抗蝕劑層 R0接著，利用光致抗蝕劑層R作為掩模進(jìn)行半導(dǎo)體膜S的干式蝕刻。如圖11(b)所示，利用蝕刻，半導(dǎo)體膜S中未用光致抗蝕劑層R覆蓋的部分被除去，形成島狀半導(dǎo)體層S’。 此外，該蝕刻使用除去半導(dǎo)體膜S但不除去光致抗蝕劑層R的氣體來進(jìn)行。接著，如圖11(c)所示，通過使光致抗蝕劑層R灰化，除去光致抗蝕劑層R的一部分。由此，島狀半導(dǎo)體層S’的一部分露出?；一趯⒀b置內(nèi)的氣體變更為除去光致抗蝕劑層R但不除去島狀半導(dǎo)體層S’的氣體后進(jìn)行。接著，如圖11(d)所示，利用灰化的光致抗蝕劑層R作為掩模進(jìn)行島狀半導(dǎo)體層S’ 的蝕刻。在該蝕刻后，半導(dǎo)體層800的邊緣部成為臺階形狀。該蝕刻在將裝置內(nèi)的氣體變更為除去半導(dǎo)體膜S但不除去光致抗蝕劑層R的氣體后進(jìn)行。然后，如圖11(e)所示，除去光致抗蝕劑層R。如上所述，形成具有臺階形狀的半導(dǎo)體層800?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 特開2007498647號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題在參照圖9的上述形成方法中，蝕刻偏移量大，不能充分進(jìn)行半導(dǎo)體層的微細(xì)化。 下面，參照圖12說明該情況。在圖12(a)中示出蝕刻前的半導(dǎo)體膜S和光致抗蝕劑層R，在圖12(b)中示出蝕刻后的半導(dǎo)體層S’和光致抗蝕劑層R。此外，在專利文獻(xiàn)1中，將光致抗蝕劑層R沿著基板表面的法線方向的截面圖示為矩形形狀，但實(shí)際上光致抗蝕劑層R的邊緣部未必垂直，而以某種程度傾斜。如上所述，在通過蝕刻將光致抗蝕劑層R與半導(dǎo)體膜S —起除去的情況下，希望的半導(dǎo)體層S’的寬度變得比蝕刻前的光致抗蝕劑層R的寬度小。在下面的說明中，將蝕刻前的光致抗蝕劑層R與希望的半導(dǎo)體層S’的寬度之差也稱為蝕刻偏移。在專利文獻(xiàn)1所公開的形成方法中，因?yàn)楫a(chǎn)生這樣的蝕刻偏移，所以需要考慮蝕刻偏移量使蝕刻前的光致抗蝕劑層R的寬度比希望的半導(dǎo)體層S’的寬度大，難以以短的間隔形成多個(gè)半導(dǎo)體層S’。另外，當(dāng)蝕刻偏移量大時(shí)，半導(dǎo)體層S’的寬度的偏差也大，TFT的特性的偏差也變大。另外，半導(dǎo)體層S’的寬度越短，半導(dǎo)體層S’的邊緣部的錐形角越接近于垂直。參照圖13說明該情況。此外，半導(dǎo)體層S’的邊緣部的錐形形狀不受光致抗蝕劑層R的形狀的影響。如圖13(a)所示，在蝕刻后的光致抗蝕劑層R的寬度比較大的情況下，光致抗蝕劑層R的邊緣部的傾斜角比較小，所以半導(dǎo)體層S’的邊緣部的傾斜角也比較小，在半導(dǎo)體層 S’的邊緣部形成錐形形狀。
與此相對，如圖13(b)和圖13(c)所示，當(dāng)蝕刻后的光致抗蝕劑層R的寬度變小時(shí)，光致抗蝕劑層R的邊緣部的傾斜角變得比較大，伴隨于此，半導(dǎo)體層S’的邊緣部的傾斜角也接近于垂直。如上所述，半導(dǎo)體層S’的邊緣部的錐形角越接近于垂直，設(shè)于其上的絕緣膜的厚度越變化，容易產(chǎn)生絕緣破壞。另外，在參照圖11的上述形成方法中，在兩次蝕刻之間進(jìn)行灰化，需要根據(jù)灰化和蝕刻變更裝置內(nèi)的氣體。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種抑制絕緣破壞并且適合于微細(xì)化的半導(dǎo)體層及其簡便的形成方法。用于解決問題的方案本發(fā)明的半導(dǎo)體層具備上表面、下表面以及側(cè)面，上述側(cè)面中的與上述上表面的邊界附近部分的切線相對于上述下表面的法線傾斜，上述側(cè)面中的比上述邊界附近部分遠(yuǎn)離上述上表面的某部分的切線與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度比上述邊界附近部分的切線與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度大。在某實(shí)施方式中，上述側(cè)面中的從與上述半導(dǎo)體層的上述上表面的邊界附近到與上述下表面的邊界附近為止的各個(gè)部分的切線與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度呈單調(diào)增加。在某實(shí)施方式中，上述側(cè)面具有圓弧形狀。在某實(shí)施方式中，上述圓弧形狀具有大于等于20nm的曲率半徑。在某實(shí)施方式中，上述圓弧形狀具有與上述半導(dǎo)體層的厚度大致相等的曲率半徑。在某實(shí)施方式中，上述圓弧形狀位于上述側(cè)面的上方部分。在某實(shí)施方式中，上述圓弧形狀跨上述半導(dǎo)體層的厚度的1/3以上。在某實(shí)施方式中，上述側(cè)面具有傾斜平面。在某實(shí)施方式中，上述傾斜平面跨上述半導(dǎo)體層的厚度的1/3以上。在某實(shí)施方式中，上述側(cè)面進(jìn)一步具有垂直于上述下表面的平面。在某實(shí)施方式中，上述側(cè)面進(jìn)一步具有相對于上述下表面的角度與上述傾斜平面不同的其它傾斜平面，上述傾斜平面與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度比上述其它傾斜平面與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度小。在某實(shí)施方式中，上述半導(dǎo)體層具有大于等于30nm小于等于SOnm的厚度。本發(fā)明的薄膜晶體管具備基板，其具有絕緣性表面；半導(dǎo)體層，其是上述記載的半導(dǎo)體層，設(shè)于上述絕緣性表面上；柵極絕緣膜，其覆蓋上述半導(dǎo)體層；以及柵極電極，其隔著上述柵極絕緣膜與上述半導(dǎo)體層的一部分相對。本發(fā)明的半導(dǎo)體層的形成方法包含如下工序形成半導(dǎo)體膜；在上述半導(dǎo)體膜上形成光致抗蝕劑層；進(jìn)行第1蝕刻，即，利用上述光致抗蝕劑層作為掩模，除去上述半導(dǎo)體膜的一部分來形成島狀半導(dǎo)體層；在上述第1蝕刻后進(jìn)行第2蝕刻，即，除去上述島狀半導(dǎo)體層和上述光致抗蝕劑層各自的邊緣部的至少一部分；以及在上述第2蝕刻后除去上述光致抗蝕劑層。在某實(shí)施方式中，在上述第2蝕刻中，上述光致抗蝕劑層的蝕刻速度比上述島狀半導(dǎo)體層的蝕刻速度高。
在某實(shí)施方式中，在上述第1蝕刻中，上述半導(dǎo)體膜的蝕刻速度比上述光致抗蝕劑層的蝕刻速度高。在某實(shí)施方式中，上述第2蝕刻所進(jìn)行的時(shí)間比上述第1蝕刻所進(jìn)行的時(shí)間短。在某實(shí)施方式中，上述第2蝕刻中的上述島狀半導(dǎo)體層的蝕刻各向異性地進(jìn)行。在某實(shí)施方式中，在進(jìn)行上述第2蝕刻的工序中，在上述島狀半導(dǎo)體層的邊緣部形成圓弧形狀或傾斜平面。在某實(shí)施方式中，上述第1蝕刻包含使用混合氣體的干式蝕刻。在某實(shí)施方式中，上述第2蝕刻包含使上述混合氣體的混合比與上述第1蝕刻不同的工序。 在某實(shí)施方式中，上述混合氣體包含四氟甲烷和氧氣。在某實(shí)施方式中，進(jìn)行上述第2蝕刻的工序包含使上述氧氣的分壓比比上述第1 蝕刻增加的工序。本發(fā)明的薄膜晶體管的制造方法包含如下工序準(zhǔn)備具有絕緣性表面的基板；按照上述記載的形成方法在上述絕緣性表面上形成半導(dǎo)體層；形成覆蓋上述半導(dǎo)體層的柵極絕緣膜；以及隔著上述柵極絕緣膜在上述半導(dǎo)體層上形成柵極電極。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能提供一種抑制絕緣破壞并且適合于微細(xì)化的半導(dǎo)體層的簡便的形成方法。


圖1是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體層的實(shí)施方式的示意圖。圖2(a) (e)是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體層的形成方法的示意圖。圖3(a)是本發(fā)明的TFT的實(shí)施方式的示意性截面圖，(b)是TFT的其它示意性截面圖。圖4(a) (e)是示出本實(shí)施方式的TFT的制造方法的示意圖。圖5 (a)是示出比較例的TFT、以及本實(shí)施方式的TFT的絕緣耐壓的坐標(biāo)圖，(b)、 (c)是示出比較例的半導(dǎo)體層的照片，(d)是示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體層的照片。圖6(a)、(b)以及(d)是分別示出本實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體層的示意圖，(C) 是示出(b)的半導(dǎo)體層的照片。圖7(a)是本實(shí)施方式的液晶顯示裝置的示意圖，(b)是液晶顯示裝置的有源矩陣基板的示意性截面圖，(c)是有源矩陣基板的其它示意性截面圖。圖8是示出現(xiàn)有的TFT的示意圖。圖9是(a) (c)是示出圖8所示的TFT所包含的半導(dǎo)體層的形成方法的示意圖。圖10是示出現(xiàn)有的其它TFT的示意圖。圖11(a) (e)是示出圖10所示的TFT所包含的半導(dǎo)體層的形成方法的示意圖。圖12 (a)和(b)是示出蝕刻前的半導(dǎo)體膜和光致抗蝕劑層與蝕刻后的希望寬度的半導(dǎo)體層的關(guān)系的示意圖。圖13(a) (C)是示出寬度不同的光致抗蝕劑層和對應(yīng)的半導(dǎo)體層的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明并不限定于如下實(shí)施方式。(實(shí)施方式1)下面，參照圖1說明本發(fā)明的半導(dǎo)體層的實(shí)施方式。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體層100具有上表面100ο、下表面100u、側(cè)面100s，側(cè)面100s與上表面100ο的端部以及下表面IOOu 的端部連接。半導(dǎo)體層100的厚度t大于等于30nm小于等于80nm，優(yōu)選大于等于40nm小于等于60nm。在此，將半導(dǎo)體層100的厚度t設(shè)為50nm。在半導(dǎo)體層100的側(cè)面100s設(shè)有圓弧形狀100r，側(cè)面100s具有設(shè)有圓弧形狀 IOOr的部分和垂直于下表面IOOu的平面。圓弧形狀I(lǐng)OOr位于側(cè)面100s的上方。例如， 圓弧形狀I(lǐng)OOr的截面在理想上相當(dāng)于圓的一部分，其曲率半徑r為20nm。另外，半導(dǎo)體層 100的寬度為3 μ m。在此，半導(dǎo)體層100的厚度t大于曲率半徑r，圓弧形狀I(lǐng)OOr的曲率中心位于半導(dǎo)體層100內(nèi)。此外，在圖1中示意性地示出半導(dǎo)體層100，上表面IOOo和下表面 IOOu為相互平行的平面。在此，對側(cè)面100s中的與上表面IOOo的邊界附近部分的切線進(jìn)行討論。邊界線上的切線與下表面IOOu平行，兩者不相交，但邊界附近部分的切線以較小的角度與由下表面IOOu所規(guī)定的平面相交。在圖1中，直線Tl表示該切線。切線Tl與下表面IOOu的法線既不平行也不垂直，相對于下表面IOOu的法線以小于90°的角度相交。另外，著眼于切線Tl和下表面IOOu的關(guān)系，切線Tl與下表面IOOu不相交，與由下表面IOOu所規(guī)定的平面中的下表面IOOu以外的部分相交，切線Tl與由下表面IOOu所規(guī)定的平面形成的角度極其小。這樣，半導(dǎo)體層100的表面在邊緣部傾斜，由此在半導(dǎo)體層100上設(shè)置絕緣層的情況下，能抑制該絕緣層的厚度的變化，另外，在半導(dǎo)體層100上隔著絕緣層設(shè)置導(dǎo)電部件(例如柵極電極)的情況下，即使絕緣層較薄也能抑制絕緣破壞。另外，對側(cè)面100s中的圓弧形狀I(lǐng)OOr的下端部的切線進(jìn)行討論。在圓弧形狀I(lǐng)OOr 的下端部，側(cè)面100s的切線與下表面IOOu的法線平行，該切線相對于下表面IOOu形成的角度為90°，在圖1中，直線T2表示該切線。此外，上述的切線Tl與下表面IOOu不相交， 與由下表面IOOu所規(guī)定的平面中的下表面IOOu以外的部分相交，相對于此，切線T2與下表面IOOu的邊緣部相交。這樣，側(cè)面100s的切線T1、T2以不同的角度與由下表面IOOu所規(guī)定的平面相交， 具體地，切線Τ2和下表面IOOu形成的角度大于切線Tl和下表面IOOu的平面形成的角度。 因此，盡管上表面100ο和側(cè)面100s的邊界附近部的傾斜比較大，也能縮短從半導(dǎo)體層100 的上表面100ο、下表面IOOu的法線方向觀看的情況下的半導(dǎo)體層100的上表面IOOo的端部與下表面IOOu的端部之間的距離，如后所述，能抑制蝕刻偏移。另外，如上所述，在圖1所示的半導(dǎo)體層100中，側(cè)面100s具有設(shè)有圓弧形狀I(lǐng)OOr 的部分和垂直于下表面IOOu的平面。在此，考慮沿著側(cè)面100s從半導(dǎo)體層100的上表面 IOOo直到下表面IOOu的各個(gè)部分的切線和由下表面IOOu所規(guī)定的平面形成的角度。與邊界附近部分對應(yīng)的角度極其小，但角度隨著在圓弧形狀I(lǐng)OOr上前進(jìn)而增加，與圓弧形狀的下端部對應(yīng)，角度成為90°，然后，與垂直的平面對應(yīng)，角度維持90°。這樣，與沿著側(cè)面 100s從半導(dǎo)體層100的上表面IOOo直到下表面IOOu的各部分對應(yīng)的角度呈單調(diào)增加。此外，如上所述，側(cè)面100s和上表面IOOo的邊界附近部分的切線Tl相對于下表
8面IOOu的法線傾斜，另外，切線T2和下表面IOOu形成的角度大于切線Tl和下表面IOOu 的平面形成的角度。因此，當(dāng)假想考慮包含上表面IOOo的端部和下表面IOOu的端部的平面(將該平面稱為“假想平面”。)時(shí)，側(cè)面IOOs比假想平面突出。下面，參照圖2說明半導(dǎo)體層100的形成方法。首先，如圖2(a)所示，沉積半導(dǎo)體膜S。半導(dǎo)體膜S含有例如硅材料。此外，在半導(dǎo)體膜S沉積后，半導(dǎo)體膜S可以用低溫多晶硅(Low Temperature Poly Silicon :LPS)法或連續(xù)晶界結(jié)晶硅(Continuous Grain Silicon :CGS)法結(jié)晶。或者，也可以在沉積含有非晶硅的半導(dǎo)體膜S后以非晶態(tài)原樣使用而不使非晶硅結(jié)晶。接著，如圖2 (b)所示，形成含有光致抗蝕劑材料的光致抗蝕劑層R。作為光致抗蝕劑材料可以使用線型酚醛樹脂系抗蝕劑材料，或者也可以使用化學(xué)增幅型的光致抗蝕劑材料。在以覆蓋半導(dǎo)體膜S的方式涂敷光致抗蝕劑膜后按規(guī)定圖案進(jìn)行曝光，由此形成光致抗蝕劑層R。光致抗蝕劑層R選擇性地設(shè)于半導(dǎo)體膜S上，半導(dǎo)體膜S的一部分區(qū)域用光致抗蝕劑層R覆蓋，半導(dǎo)體膜S的其它區(qū)域不用光致抗蝕劑層R。接著，如圖2(c)所示，利用光致抗蝕劑層R進(jìn)行第1蝕刻。在第1蝕刻中，半導(dǎo)體膜S的蝕刻速度比光致抗蝕劑層R的蝕刻速度高。理想上光致抗蝕劑層R的蝕刻速度為零。在此，蝕刻為干式蝕刻，該蝕刻在反應(yīng)性離子蝕刻裝置內(nèi)進(jìn)行。例如，在第1蝕刻中使用CF4和O2的混合氣體作為蝕刻氣體，CF4和O2的分壓比為9 1，例如，CF4和O2的分壓為900sccm IOOsccm0另外，第1蝕刻所進(jìn)行的時(shí)間為例如60秒。在第1蝕刻中光致抗蝕劑層R的蝕刻速度低，相對于此，半導(dǎo)體膜S的蝕刻速度高。另外，該蝕刻以在垂直于半導(dǎo)體膜S的表面的方向高的蝕刻速度各向異性地進(jìn)行。因此，光致抗蝕劑層R幾乎不會(huì)被除去，而是半導(dǎo)體膜S中不被光致抗蝕劑層R覆蓋的部分被除去，被光致抗蝕劑層R覆蓋的部分殘留為島狀半導(dǎo)體層S’。在該情況下，在第1蝕刻中， 蝕刻偏移量小，另外，島狀半導(dǎo)體層S’的側(cè)面大致垂直。接著，如圖2 (d)所示，利用光致抗蝕劑層R作為掩模進(jìn)行第2蝕刻。在第2蝕刻中，光致抗蝕劑層R的蝕刻速度比半導(dǎo)體層S’的蝕刻速度高。但是，半導(dǎo)體層S’的蝕刻速度也不為零。從選擇比的觀點(diǎn)出發(fā)，第2蝕刻的選擇比低于第1蝕刻的選擇比，具體地，第 2蝕刻中半導(dǎo)體材料的蝕刻速度相對于光致抗蝕劑材料的蝕刻速度的比低于第1蝕刻中半導(dǎo)體材料的蝕刻速度相對于光致抗蝕劑材料的蝕刻速度的比。另外，第2蝕刻所進(jìn)行的時(shí)間比第1蝕刻短。第2蝕刻所進(jìn)行的時(shí)間為例如20秒。例如，在第2蝕刻中，與第1蝕刻同樣，使用CF4和&的混合氣體作為蝕刻氣體。但是，第2蝕刻與第1蝕刻相比在使O2的分壓比增加的狀態(tài)下進(jìn)行。具體地，將CF4和&的分壓比變更為6 4，例如，0 4和02的分壓為600sccm 400sccm。這樣，以O(shè)2的比例增加的方式變更CF4和&的分壓比，由此能變更半導(dǎo)體膜S、半導(dǎo)體層S，的蝕刻速度和光致抗蝕劑層R的蝕刻速度。此外，也可以在第1蝕刻后暫時(shí)中止蝕刻，變更分壓比，開始第2蝕刻?；蛘?，也可以每隔規(guī)定時(shí)間分步地使O2的分壓比增加，或者也可以伴隨時(shí)間的經(jīng)過而使O2的分壓比連續(xù)性地增加。在第2蝕刻中，因?yàn)楣庵驴刮g劑層R的蝕刻速度高，所以光致抗蝕劑層R的邊緣部的一部分被除去而露出島狀半導(dǎo)體層S’的邊緣部。而且，在第2蝕刻中，半導(dǎo)體層S’的蝕刻也是以在垂直于半導(dǎo)體層S’的表面的方向高的蝕刻速度各向異性地進(jìn)行，露出的島狀半導(dǎo)體層S’的邊緣部中的上表面部分被除去。這樣，島狀半導(dǎo)體層S’的邊緣部分被蝕刻而進(jìn)行圓弧處理，結(jié)果是形成具有圓弧形狀I(lǐng)OOr的半導(dǎo)體層100。接著，如圖2(e)所示，除去光致抗蝕劑層R。如上所述，形成具有圓弧形狀I(lǐng)OOr的半導(dǎo)體層100。如上所述，因?yàn)樵诘?蝕刻中光致抗蝕劑層R的蝕刻速度低，所以第1蝕刻中的蝕刻偏移小。另外，雖然在第2蝕刻中光致抗蝕劑層R的蝕刻速度比較高，但因?yàn)榈?蝕刻所進(jìn)行的時(shí)間短，所以在第2蝕刻中幾乎不引起蝕刻偏移。因此，半導(dǎo)體層S’的蝕刻偏移主要受第1蝕刻影響。這樣，能抑制蝕刻偏移，由此，能容易實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體層的微細(xì)化。另外，第 2蝕刻能用與第1蝕刻相同的裝置進(jìn)行，不必進(jìn)行支撐基板的移動(dòng)等。因此，除了使混合氣體的比率變化，不會(huì)增加實(shí)質(zhì)的制造工序數(shù)量，能簡便地形成半導(dǎo)體層100。而且，在第2蝕刻中同時(shí)進(jìn)行島狀半導(dǎo)體層S’和光致抗蝕劑層R的除去，能縮短處理工序和處理時(shí)間。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體層100被作為例如TFT的活性層使用。下面，參照圖3說明本發(fā)明的TFT的實(shí)施方式。在圖3(a)中示出本實(shí)施方式的 TFT200的示意性截面圖，在圖3(b)中示出TFT200的其它截面圖。TFT200具備半導(dǎo)體層100、柵極絕緣膜210、柵極電極220、源極電極230以及漏極電極對0。在此，TFT200具有頂柵結(jié)構(gòu)。柵極絕緣膜210的厚度為例如lOOnm。半導(dǎo)體層100具有圓弧形狀100r。半導(dǎo)體層100具有源極區(qū)域112、漏極區(qū)域114 以及位于它們之間的溝道區(qū)域116。溝道區(qū)域116隔著柵極絕緣膜210與柵極電極220相對。另外，也可以在半導(dǎo)體層100的源極區(qū)域112和漏極區(qū)域114中施加雜質(zhì)，源極區(qū)域 112和漏極區(qū)域114的載流子遷移率可以比溝道區(qū)域116高。柵極電極220用層間絕緣膜250覆蓋。通過形成于柵極絕緣膜210和層間絕緣膜 250中的接觸孔，源極電極230和漏極電極240與半導(dǎo)體層100的源極區(qū)域112和漏極區(qū)域 114分別電連接。在本實(shí)施方式的TFT200中，半導(dǎo)體層100具有圓弧形狀100r，實(shí)現(xiàn)絕緣破壞的抑制。因此，半導(dǎo)體層100能減薄柵極絕緣膜210，其結(jié)果是能降低柵極電壓的閾值，由此，能實(shí)現(xiàn)功耗減少和高速動(dòng)作。另外，考慮到當(dāng)單純地減薄柵極絕緣膜時(shí)，由于側(cè)電流等的影響而產(chǎn)生閾值偏差， 但在本實(shí)施方式的TFT200中，半導(dǎo)體層100具有圓弧形狀100r，由此能在抑制了偏差的狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)柵極電壓的閾值降低。半導(dǎo)體層100的圓弧形狀I(lǐng)OOr能在破壞了 TFT200后使用掃描型電子顯微鏡等進(jìn)行觀測。接著，參照圖4說明TFT200的形成方法。首先，如圖4(a)所示，形成具有圓弧形狀100r的半導(dǎo)體層100。參照圖2，如上所述形成半導(dǎo)體層100。接著，如圖4(b)所示，形成覆蓋半導(dǎo)體層100的柵極絕緣膜210。柵極絕緣膜210 由例如SiO2或SiN形成?；蛘?，柵極絕緣膜210也可以為SiN/Si02的層疊結(jié)構(gòu)。如上所述，半導(dǎo)體層100具有圓弧形狀100r，柵極絕緣膜210的包覆性良好。接著，如圖4(c)所示，在柵極絕緣膜210上形成柵極電極220。柵極電極220由例如Mo或MoW形成。或者，柵極電極220也可以為W/TaN或Ti/Al的層疊結(jié)構(gòu)。接著，如圖4(d)所示，形成覆蓋柵極絕緣膜210和柵極電極220的層間絕緣膜 250，然后，蝕刻柵極絕緣膜210和層間絕緣膜250形成接觸孔，使半導(dǎo)體層100的一部分露
10出。然后，根據(jù)需要在半導(dǎo)體層100中導(dǎo)入雜質(zhì)。接著，如圖4(e)所示，形成與半導(dǎo)體層100接觸的源極電極230和漏極電極Mo。 源極電極 230 和漏極電極 MO 為例如 Ti/Al/Ti、Ti/Al、TiN/Al/TiN、Mo/Al_Nd/Mo 或 Mo/ Al/M等的層疊結(jié)構(gòu)。如上所述形成TFT200。此外，半導(dǎo)體層100具有圓弧形狀100r，由此，緩和了半導(dǎo)體層100的邊緣部的電場集中，能抑制絕緣破壞。在此，與比較例的TFT比較地說明本實(shí)施方式的TFT200的優(yōu)點(diǎn)。按照如下方式制作比較例的TFT。在TFT200的半導(dǎo)體層100的形成工序中，在第1蝕刻后的第2蝕刻中變更了 CF4和&的分壓，但在比較例的TFT的半導(dǎo)體層的形成工序中，不變更CF4和02的分壓比而仍舊以8 2(具體為SOOsccm 200sCCm)使其固定。在該情況下，半導(dǎo)體層的邊緣部成為錐形形狀。另外，與參照圖2和圖4的上述說明同樣地制作本實(shí)施方式的TFT200。此外，為了看到第2蝕刻的處理時(shí)間的影響，準(zhǔn)備進(jìn)行了 10秒第2蝕刻的TFT和進(jìn)行了 20秒第2蝕刻的TFT。在圖5 (a)中示出比較例的TFT、以及本實(shí)施方式的TFT200的絕緣耐壓。在此，半導(dǎo)體層的寬度的設(shè)計(jì)值為2. 0 μ m。分別準(zhǔn)備30個(gè)比較例的TFT、以及第2蝕刻的處理時(shí)間不同的本實(shí)施方式的TFT200，測定各個(gè)TFT的耐壓，結(jié)果是比較例的TFT的平均耐壓小于等于6mV/cm，相對于此，在本實(shí)施方式的TFT200中，如果進(jìn)行10秒第2蝕刻，則TFT200的平均耐壓增大到大于等于7mV/cm。另外，在本實(shí)施方式的TFT200中，當(dāng)進(jìn)行第2蝕刻的時(shí)間更長時(shí)，TFT200的平均耐壓增大到大于等于8mV/cm。此外，在進(jìn)行第2蝕刻的時(shí)間短的情況下，TFT200的耐壓偏差小，但在進(jìn)行第2蝕刻的時(shí)間長的情況下，TFT200的耐壓偏差變大。這是因?yàn)楫?dāng)進(jìn)行第2蝕刻的時(shí)間長時(shí)，蝕刻偏移量的偏差和半導(dǎo)體層的寬度偏差變大。另外，在圖5(b)和圖5(c)中示出拍攝比較例的TFT中的半導(dǎo)體層500的邊緣部所得的電子顯微鏡照片，在圖5(d)中示出拍攝本實(shí)施方式的TFT200中的半導(dǎo)體層100的邊緣部所得的電子顯微鏡照片。半導(dǎo)體層的邊緣是使用掃描型電子顯微鏡進(jìn)行觀測。此外， 圖5(b)和圖5(c)示出在相同條件下所形成的半導(dǎo)體層，但由于蝕刻偏差的原因，側(cè)面相對于下表面的角度少許不同。比較例的TFT中的半導(dǎo)體層500的邊緣為直線狀，相對于此，半導(dǎo)體層100的邊緣具有圓弧形狀I(lǐng)OOr。從圖5(b)、圖5(c)和圖5(d)的比較可知當(dāng)進(jìn)行10秒第2蝕刻時(shí)， 在邊緣部形成圓弧形狀。此外，在用電子顯微鏡觀察的情況下，由于從觀察的材料彈回的電子射線的強(qiáng)度，有時(shí)難以看得見物質(zhì)的邊界面。在該情況下，為了增強(qiáng)半導(dǎo)體層的形狀、結(jié)構(gòu)，也可以浸漬到氟酸等中使材料的邊界上浮。由此，能容易確定半導(dǎo)體層的邊界。此外，在上述的說明中，圓弧形狀I(lǐng)OOr中的曲率半徑為固定的，但本發(fā)明不限定于此。圓弧形狀I(lǐng)OOr中的曲率半徑也可以不是固定的。例如圓弧形狀I(lǐng)OOr的下部的曲率半徑為20nm，隨著往圓弧形狀I(lǐng)OOr的上部去，曲率半徑可以連續(xù)地向30nm變化。另外，在圖1所示的半導(dǎo)體層100中，圓弧形狀I(lǐng)OOr位于半導(dǎo)體層100的側(cè)面100s 的上方部分，但本發(fā)明不限定于此。如圖6(a)所示，圓弧形狀I(lǐng)OOr也可以設(shè)于半導(dǎo)體層 100a的整個(gè)側(cè)面100s。在該情況下，優(yōu)選圓弧形狀I(lǐng)OOr的曲率半徑與半導(dǎo)體層100a的厚度大致相等。這樣，曲率半徑和半導(dǎo)體層的厚度相等，由此在半導(dǎo)體層IOOa的曲面上沒有帶棱角的部位，所以難以引起電場集中。例如，圓弧形狀I(lǐng)OOr的曲率半徑和半導(dǎo)體層IOOa 的厚度分別為50nm。使CF4和O2的分壓比為9 1 (具體為900sccm IOOsccm)，進(jìn)行第 1蝕亥Ij，然后，使CF4和O2的分壓比變更為6 4(具體為600SCCm 400sccm)后進(jìn)行第2 蝕刻，由此形成這樣的半導(dǎo)體層100a。另外，第2蝕刻進(jìn)行比較長的時(shí)間，第2蝕刻工序的時(shí)間為例如30秒。這樣進(jìn)行比較長的時(shí)間的第2蝕刻，由此，圓弧形狀I(lǐng)OOr設(shè)于半導(dǎo)體層 IOOa的整個(gè)側(cè)面IOOs0或者，也可以使CFjP O2的分壓比從第1蝕刻中的CF4 O2 = 900sccm IOOsccm 連續(xù)地變化到第2蝕刻中的CF4 O2 = 600sccm 400sCCm，并且可以使其細(xì)分步地逐漸地變化。即使這樣使分壓比變化來進(jìn)行蝕刻，圓弧形狀I(lǐng)OOr也會(huì)設(shè)于半導(dǎo)體層IOOa的整個(gè)側(cè)面IOOs0另外，在圖1所示的半導(dǎo)體層100中，圓弧形狀I(lǐng)OOr位于側(cè)面IOOs的上方部分， 但本發(fā)明不限定于此。如圖6(b)所示，也可以在半導(dǎo)體層IOOb的側(cè)面IOOs的上方部分設(shè)有傾斜平面100m，在下方部分設(shè)有垂直于下表面IOOu的平面。在該情況下，優(yōu)選傾斜平面 IOOm跨半導(dǎo)體層IOOb的厚度的大致1/3以上，例如，傾斜平面IOOm的厚度tc為20nm，半導(dǎo)體層IOOb的厚度為50nm。使CF4和O2的分壓比為9 1 (具體為900sccm IOOsccm) 進(jìn)行第1蝕刻，由此將半導(dǎo)體層IOOb的側(cè)面IOOs加工成垂直后使分壓比為5 5(具體為500sCCm 500sCCm)，進(jìn)行較短時(shí)間(例如，10秒)第2蝕刻，由此形成這樣的半導(dǎo)體層 100b。在圖6(c)中示出使用掃描型電子顯微鏡觀測的半導(dǎo)體層IOOb的邊緣截面。半導(dǎo)體層IOOb的邊緣的角在局部被處理。這樣，使第2蝕刻時(shí)的&的分壓比比較高，由此能在半導(dǎo)體層IOOb的側(cè)面IOOs形成傾斜平面100m。另外，在圖6(b)所示的半導(dǎo)體層IOOb中，側(cè)面IOOs的下方部分為相對于下表面 IOOu垂直的平面，但本發(fā)明不限定于此。如圖6(d)所示，半導(dǎo)體層IOOc的側(cè)面IOOs的下方部分也可以為相對于下表面IOOu傾斜的傾斜平面100m2。在該情況下，優(yōu)選上方的傾斜平面IOOml的厚度to比下方的傾斜平面100m2的厚度tu小，另外，優(yōu)選上方的傾斜平面 IOOml相對于下表面IOOu的傾斜角度θ ο比下方的傾斜平面100m2相對于下表面IOOu的傾斜角度θ u小。例如，半導(dǎo)體層IOOc的厚度為50nm，上方的傾斜平面IOOml的厚度to為 15nm,下方的傾斜平面100m2的厚度tu為35nm。另外，傾斜角度θ 0為30°，傾斜角度θ u 為 80°。這樣的半導(dǎo)體層IOOc按照如下方式形成。在第1蝕刻工序中，使氧氣體的比率比較高，例如，使CF4和O2的分壓比為8 2(具體為800sccm 200sccm)進(jìn)行第1蝕刻。由此，在半導(dǎo)體層的側(cè)面IOOs形成傾斜平面100m2。然后，在第2蝕刻工序中，使CF4和O2的分壓比為5 5(具體為500sccm 500sccm)進(jìn)行第2蝕刻，由此在半導(dǎo)體層IOOc的側(cè)面 IOOs的上方部分形成傾斜平面100ml。此外，半導(dǎo)體層IOOc的側(cè)面IOOs在上方部分和下方部分具有不同的傾斜平面 100ml、100m2。下方部分的形狀主要受第1蝕刻影響，上方部分的形狀受第2蝕刻影響。從參照圖13的上述說明能理解在第1蝕刻中，光致抗蝕劑層的寬度越小和/或光致抗蝕劑層的傾斜平面越陡，下方部分的傾斜平面變得越陡。例如，當(dāng)光致抗蝕劑層的寬度小于等于 5 μ m時(shí)，傾斜平面開始變陡，當(dāng)寬度小于等于3 μ m時(shí)，半導(dǎo)體層的傾斜角大于等于70°。另外，在使用容易成為錐形形狀的特定光致抗蝕劑材料形成光致抗蝕劑層的情況下，即使光致抗蝕劑層的寬度不到3 μ m，也能使半導(dǎo)體層的傾斜角小于等于60°。如上所述，調(diào)整 2個(gè)蝕刻的分壓比和處理時(shí)間，由此能在半導(dǎo)體層100的側(cè)面IOOs形成各種各樣的形狀。TFT200適合使用于液晶顯示裝置。下面，參照圖7說明具有TFT200的液晶顯示裝置300的結(jié)構(gòu)。在圖7(a)中示出本實(shí)施方式的液晶顯示裝置300的示意性截面圖。液晶顯示裝置300具備有源矩陣基板320、相對基板340、以及位于源矩陣基板320與相對基板340之間的液晶層360。有源矩陣基板320具有上述的TFT200。在圖7(b)中示出有源矩陣基板320的示意性截面圖。另外，在圖7(c)中示出有源矩陣基板320的其它截面圖。有源矩陣基板320具備絕緣基板322、緩沖膜324、設(shè)于緩沖膜3M上的TFT200、設(shè)于TFT200的柵極電極220上的層間絕緣膜326、覆蓋源極電極、漏極電極以及層間絕緣膜 326的保護(hù)膜328、以及設(shè)于保護(hù)膜3 上的像素電極330。例如，絕緣基板322為透明的玻璃基板。緩沖膜324由Si02/SiN0、SiO2形成。層間絕緣膜326由SiO2或SiN形成?；蛘?，層間絕緣膜326也可以為Si02/SiN或Si02/SiN/ SiO2等的層疊結(jié)構(gòu)。保護(hù)膜328由丙烯酸樹脂系材料形成。另外，像素電極330由ITO或 ZnO等透明的導(dǎo)電材料形成。在液晶顯示裝置300中，半導(dǎo)體層100具有圓弧形狀100r，由此能抑制TFT200的絕緣破壞，并且能容易地實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)。此外，對半導(dǎo)體層進(jìn)行熱氧化處理，根據(jù)需要用HF 濕式蝕刻除去氧化膜，由此也能形成圓弧形狀。熱氧化處理為例如激光熱氧化、離子摻雜后的低溫?zé)嵫趸?、水蒸氣氧化等。但是，在進(jìn)行熱氧化處理的情況下，進(jìn)行比玻璃基板的軟化點(diǎn)高的溫度的熱處理。因此，優(yōu)選不進(jìn)行熱氧化處理，而如上所述地分別除去半導(dǎo)體層和光致抗蝕劑層來進(jìn)行圓弧處理。此外，圖7(b)和圖7(c)所示的TFT200的半導(dǎo)體層100與像素電極330電連接， 這樣的TFT200設(shè)于顯示區(qū)域，但本發(fā)明不限定于此。TFT200也可以設(shè)于包圍顯示區(qū)域的邊框區(qū)域?；蛘?，TFT200也可以設(shè)于顯示區(qū)域和邊框區(qū)域這兩者。此外，在上述的說明中，半導(dǎo)體層100被作為TFT200的活性層使用，但本發(fā)明不限定于此。也可以在半導(dǎo)體層100中導(dǎo)入雜質(zhì)，提高其載流子遷移率，半導(dǎo)體層100也可以被作為所謂的配線使用。例如，也可以將所沉積的半導(dǎo)體膜S中設(shè)于與被作為TFT的活性層使用的區(qū)域不同的區(qū)域上的半導(dǎo)體層100作為配線利用?；蛘?，也可以是半導(dǎo)體層100的一部分作為TFT200的活性層執(zhí)行功能，并且其它的一部分作為配線執(zhí)行功能。此外，為了參考，在本說明書中引用作為本申請的基礎(chǔ)申請的日本發(fā)明專利申請 2008-297296號的公開內(nèi)容。工業(yè)上的可利用性本發(fā)明的半導(dǎo)體層適合于微細(xì)化，另外，具備該半導(dǎo)體層的TFT能抑制絕緣破壞。 具備這樣的TFT的液晶顯示裝置適合使用于便攜電話、便攜信息終端(PDA)、游戲裝置等。附圖標(biāo)記說明100半導(dǎo)體層112源極區(qū)域
114漏極區(qū)域116溝道區(qū)域200TFT210柵極絕緣膜220柵極電極230源極電極240漏極電極300液晶顯示裝置
1權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體層，具備上表面、下表面以及側(cè)面，上述側(cè)面中的與上述上表面的邊界附近部分的切線相對于上述下表面的法線傾斜，上述側(cè)面中的比上述邊界附近部分遠(yuǎn)離上述上表面的某部分的切線與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度比上述邊界附近部分的切線與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體層，上述側(cè)面中的從與上述半導(dǎo)體層的上述上表面的邊界附近到與上述下表面的邊界附近為止的各個(gè)部分的切線與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度呈單調(diào)增加。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體層，上述側(cè)面具有圓弧形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體層，上述圓弧形狀具有大于等于20nm的曲率半徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體層，上述圓弧形狀具有與上述半導(dǎo)體層的厚度大致相等的曲率半徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求3 5中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體層，上述圓弧形狀位于上述側(cè)面的上方部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求3 6中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體層，上述圓弧形狀跨上述半導(dǎo)體層的厚度的1/3以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體層，上述側(cè)面具有傾斜平面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體層，上述傾斜平面跨上述半導(dǎo)體層的厚度的1/3以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體層，上述側(cè)面進(jìn)一步具有垂直于上述下表面的平
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體層，上述側(cè)面進(jìn)一步具有相對于上述下表面的角度與上述傾斜平面不同的其它傾斜平面，上述傾斜平面與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度比上述其它傾斜平面與由上述下表面所規(guī)定的平面形成的角度小。
12.根據(jù)權(quán)利要求1 11中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體層，上述半導(dǎo)體層具有大于等于 30nm小于等于80nm的厚度。
13.一種薄膜晶體管，具備 基板，其具有絕緣性表面；半導(dǎo)體層，其是權(quán)利要求1 12中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體層，設(shè)于上述絕緣性表面上；柵極絕緣膜，其覆蓋上述半導(dǎo)體層；以及柵極電極，其隔著上述柵極絕緣膜與上述半導(dǎo)體層的一部分相對。
14.一種半導(dǎo)體層的形成方法，包含如下工序 形成半導(dǎo)體膜；在上述半導(dǎo)體膜上形成光致抗蝕劑層；進(jìn)行第1蝕刻，即，利用上述光致抗蝕劑層作為掩模，除去上述半導(dǎo)體膜的一部分來形成島狀半導(dǎo)體層；在上述第1蝕刻后進(jìn)行第2蝕刻，即，除去上述島狀半導(dǎo)體層和上述光致抗蝕劑層各自的邊緣部的至少一部分；以及在上述第2蝕刻后除去上述光致抗蝕劑層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體層的形成方法，在上述第2蝕刻中，上述光致抗蝕劑層的蝕刻速度比上述島狀半導(dǎo)體層的蝕刻速度高。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的半導(dǎo)體層的形成方法，在上述第1蝕刻中，上述半導(dǎo)體膜的蝕刻速度比上述光致抗蝕劑層的蝕刻速度高。
17.根據(jù)權(quán)利要求14 16中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體層的形成方法，上述第2蝕刻所進(jìn)行的時(shí)間比上述第1蝕刻所進(jìn)行的時(shí)間短。
18.根據(jù)權(quán)利要求14 17中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體層的形成方法，上述第2蝕刻中的上述島狀半導(dǎo)體層的蝕刻各向異性地進(jìn)行。
19.根據(jù)權(quán)利要求14 18中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體層的形成方法，在進(jìn)行上述第2蝕刻的工序中，在上述島狀半導(dǎo)體層的邊緣部形成圓弧形狀或傾斜平面。
20.根據(jù)權(quán)利要求14 19中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體層的形成方法，上述第1蝕刻包含使用混合氣體的干式蝕刻。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體層的形成方法，上述第2蝕刻包含使上述混合氣體的混合比與上述第1蝕刻不同的工序。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體層的形成方法，上述混合氣體包含四氟甲烷和氧氣。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體層的形成方法，進(jìn)行上述第2蝕刻的工序包含使上述氧氣的分壓比比上述第1蝕刻增加的工序。
24.一種薄膜晶體管的制造方法，包含如下工序 準(zhǔn)備具有絕緣性表面的基板；按照權(quán)利要求14 23中的任一項(xiàng)所述的形成方法在上述絕緣性表面上形成半導(dǎo)體層；形成覆蓋上述半導(dǎo)體層的柵極絕緣膜；以及隔著上述柵極絕緣膜在上述半導(dǎo)體層上形成柵極電極。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體層(100)具備上表面(100o)、下表面(100u)以及側(cè)面(100s)。在側(cè)面(100s)中的側(cè)面(100s)與上表面(100o)的邊界附近部分，其切線(T1)相對于下表面(100u)的法線傾斜。在側(cè)面(100s)中的比邊界附近部分遠(yuǎn)離上表面(100o)的某部分，其切線(T2)與由下表面(100u)所規(guī)定的平面形成的角度比邊界附近部分的切線(T1)與由下表面(100u)所規(guī)定的平面形成的角度大。
文檔編號H01L21/3065GK102217075SQ20098014611
公開日2011年10月12日 申請日期2009年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月20日
發(fā)明者古川博章 申請人:夏普株式會(huì)社