專利名稱：一種薄膜場效應(yīng)晶體管基板及液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜場效應(yīng)晶體管基板以及液晶面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示屏(LCD，Liquid Crystal Display)屬于被動(dòng)顯示，即液晶本身不發(fā)光， 由背光源發(fā)射背景光照射到液晶層和微濾色鏡陣列形成液晶圖像。所以背景光透過液晶面板的強(qiáng)度決定著液晶顯示屏的亮度。而現(xiàn)有的液晶面板中使用的薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT， Thin Film Transistor)基板是由TFT陣列基板和彩膜基板組成的。其中，TFT陣列基板和彩膜基板中使用的襯底的主要成分為二氧化硅SiO2，由于SiO2對(duì)背光源的可見光中的藍(lán)光透過率不高，導(dǎo)致大量背景光被反射掉，嚴(yán)重降低了背光源的透過率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種薄膜場效應(yīng)晶體管TFT基板以及液晶面板，用以解決現(xiàn)有的TFT基板對(duì)背光源的透過率不高的問題。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜場效應(yīng)晶體管TFT基板，包括彩膜基板和TFT陣列基板；其中，彩膜基板的襯底和/或TFT陣列基板的襯底面向背光源的一側(cè)具有納米結(jié)構(gòu)圖形。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的液晶面板，包括前述薄膜場效應(yīng)晶體管TFT基板。本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜場效應(yīng)晶體管TFT基板以及液晶面板，在TFT陣列基板的襯底和/或彩膜基板的襯底面向背光源的一側(cè)制作納米結(jié)構(gòu)圖形，由于納米結(jié)構(gòu)圖形具有表面等離子體調(diào)制效應(yīng)的性質(zhì)，能有效地透射背光源發(fā)出的可見光，提高了背景光的透過率。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的TFT基板和背光源的結(jié)構(gòu)關(guān)系示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的襯底上具有凸出的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的立體示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的襯底上具有凸出的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形的立體示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的襯底上具有凹進(jìn)襯底內(nèi)的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形的立體示意圖；圖fe為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的襯底上具有凸出的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形的俯視圖；圖恥為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的襯底上具有凸出的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形的側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
3[0014]
以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)基板的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)地說明。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜場效應(yīng)晶體管(TFT)基板，如圖1所示，具體包括彩膜基板103和在彩膜基板103之上的TFT陣列基板102 ；其中，彩膜基板103的襯底和/或TFT陣列基板102的襯底面向背光源101的一側(cè)具有納米結(jié)構(gòu)圖形。具體地，彩膜基板103的襯底和/或TFT陣列基板102的襯底上的納米結(jié)構(gòu)圖形可以全部凸出于襯底，也可以全部凹進(jìn)襯底，還可以部分凸出另外部分凹進(jìn)于襯底。并且， 納米結(jié)構(gòu)圖形可以為周期性結(jié)構(gòu)圖形、非周期性結(jié)構(gòu)圖形或兩者的組合。本實(shí)用新型實(shí)施例之所以在彩膜基板的襯底和/或TFT陣列基板的襯底形成納米結(jié)構(gòu)圖形，是基于納米結(jié)構(gòu)圖形所采用的材料的特性，納米結(jié)構(gòu)圖形一般采用具有表面等離子體調(diào)制效應(yīng)的材料，例如現(xiàn)有的金屬材料或者重?fù)诫s半導(dǎo)體材料，使用這些材料制成的納米結(jié)構(gòu)圖形能夠增加主要成分為SiO2的襯底對(duì)背景光中藍(lán)光的透過率，從而增加TFT 基板對(duì)背光源的透過率。下面以周期性結(jié)構(gòu)圖形為例，對(duì)納米結(jié)構(gòu)圖形的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明實(shí)施例一納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形中的光柵結(jié)構(gòu)圖形；如圖2所示，納米結(jié)構(gòu)圖形可以為在襯底1上凸出的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形2。其中， 條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形2的制造方法為在襯底1上利用熱蒸發(fā)或者磁控濺射方法制備一層金屬薄膜，接著利用納米壓印技術(shù)制成所需的具體條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形。納米結(jié)構(gòu)圖形也可以為凹進(jìn)襯底的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形。其中，條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的制造方法為在襯底上利用刻蝕技術(shù)制作出所需的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形，然后將金屬材料填充進(jìn)凹陷的部位，最后形成凹進(jìn)襯底的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形。納米結(jié)構(gòu)圖形還可以為上述在襯底1上凸出的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形2和凹進(jìn)襯底的條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的組合。優(yōu)選地，條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形為亞波長條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形，亞波長條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的光柵高度可以小于500nm，周期為250nm-8000nm，占空比大于0小于1。更優(yōu)選地，光柵高度為50nm-100nm，周期為450nm，占空比為2/9。具體地，金屬薄膜和金屬材料可以是銀(Ag)金屬或其他常用金屬，在本實(shí)施例中不做限定。實(shí)施例二 納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形中的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形；點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形由若干個(gè)點(diǎn)狀部件以陣列形式組合而成。具體地，單個(gè)點(diǎn)狀部件的形狀可以為圓柱狀、多邊形柱狀、球冠狀或現(xiàn)有的其他形狀，而點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形可以由若干個(gè)同一形狀的點(diǎn)狀部件組合而成，也可以由若干個(gè)不同形狀的點(diǎn)狀部件組合形成。優(yōu)選地，點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形中點(diǎn)狀部件的高度可以小于500nm，周期(即各個(gè)點(diǎn)狀部件中心的距離)可以為250nm-8000nm。更優(yōu)選地，在點(diǎn)狀部件的半徑為IOOnm時(shí)，點(diǎn)狀部件的高度為50歷_100歷，周期為 450nmo此外，點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形可以可以全部凸出于襯底，也可以全部凹進(jìn)襯底，還可以部分凸出于襯底而另外的部分凹進(jìn)于襯底。下面以點(diǎn)狀部件的形狀為圓柱狀為例進(jìn)行說明，具體地，如圖3所示的一種結(jié)構(gòu)形式中，圓柱狀的點(diǎn)狀部件3凸出于襯底1 ；如圖4所示的另一種結(jié)構(gòu)形式中，圓柱狀的點(diǎn)狀部件4凹進(jìn)襯底1中。優(yōu)選地，圖3和圖4中圓柱狀的圓形截面的半徑可以為10nm-780nm。其中，凸出襯底的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形的制造方法為在襯底上利用熱蒸發(fā)或者磁控濺射方法制備一層金屬薄膜，接著利用光刻技術(shù)刻蝕掉點(diǎn)狀部件之外的金屬，保留下來的金屬就形成了所需的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形。凹進(jìn)襯底內(nèi)的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形的制作方法為在襯底上利用刻蝕技術(shù)制作出所需的陣列點(diǎn)狀部件，然后將金屬材料填充進(jìn)凹陷的部位，最后形成凹進(jìn)襯底的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形。具體地，金屬薄膜和金屬材料可以是金(Au)金屬或其他常用金屬，在本實(shí)施例中不做限定。實(shí)施例三納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形中的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形；牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形由同心圓環(huán)部件和中心圓部件組成。具體地，本實(shí)用新型實(shí)施例三中，牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形可以全部凸出于襯底，也可以全部凹進(jìn)襯底，還可以部分凸出于襯底而另外的部分凹進(jìn)于襯底。下面以一個(gè)凸出在襯底上的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形為例進(jìn)行說明，如圖如和恥所示，其中，圖fe為襯底1上具有凸出的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形5的俯視圖，圖恥為襯底1上具有凸出的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形5的側(cè)視圖，從圖如和圖恥可以看出，若干個(gè)同心圓環(huán)部件以中心圓部件為中心，以一定的半徑差依次排列組合成牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形。優(yōu)選地，在牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形中，同心圓環(huán)部件和中心圓部件的高度可以為小于 500nm,同心圓環(huán)部件之間半徑差為250nm-8000nm，占空比大于0小于1。更優(yōu)選地，同心圓環(huán)部件和中心圓部件的高度為50nm-100nm，同心圓環(huán)部件的環(huán)寬度為lOOnm，各個(gè)同心圓環(huán)部件之間半徑差為450nm。其中，凸出襯底的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形的制造方法為在襯底上利用熱蒸發(fā)或者磁控濺射方法制備一層金屬薄膜，接著利用聚焦離子束(FIB，F(xiàn)ocused Ionbeam)技術(shù)刻蝕掉同心圓環(huán)部件和中心圓部件之外的金屬，保留下來的金屬就形成了所需的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形。凹進(jìn)襯底的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形的制造方法為在襯底上利用刻蝕技術(shù)制作出所需的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形，然后將金屬材料填充進(jìn)凹陷的部位，最后形成凹進(jìn)襯底的牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形。具體地，金屬薄膜和金屬材料可以是金(Au)金屬、鈦(Ti)金屬或銀(Ag)金屬，在本實(shí)施例中不做限定。除了上述實(shí)施例一至三的結(jié)構(gòu)之外，納米結(jié)構(gòu)圖形中的周期性結(jié)構(gòu)圖形還可以為上述凸出襯底的光柵結(jié)構(gòu)圖形、點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形和牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形以及凹進(jìn)襯底的光柵結(jié)構(gòu)圖形、點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形和牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形之間的任意組合。另外，襯底具有的納米結(jié)構(gòu)圖形也不限于本實(shí)用新型實(shí)施例一至三中的所列舉的周期性結(jié)構(gòu)圖形的例子，還可以是非周期性結(jié)構(gòu)圖形(例如點(diǎn)狀部件非周期性排列組成的納米結(jié)構(gòu)圖形)。同樣，納米結(jié)構(gòu)圖形也可以是周期性結(jié)構(gòu)圖形和非周期性結(jié)構(gòu)圖形的組合，具體結(jié)構(gòu)在此不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種液晶模組，該液晶模組包括本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述薄膜場效應(yīng)晶體管TFT基板。[0048]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的薄膜場效應(yīng)晶體管TFT基板以及液晶面板，在TFT陣列基板的襯底和/或彩膜基板的襯底面向背光源的一側(cè)制作納米結(jié)構(gòu)圖形，由于納米結(jié)構(gòu)圖形具有表面等離子體調(diào)制效應(yīng)的性質(zhì)，能有效地透射背光源發(fā)出的可見光，提高了背景光的透過率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種薄膜場效應(yīng)晶體管基板，其特征在于，包括彩膜基板和薄膜場效應(yīng)晶體管TFT 陣列基板；其中，所述彩膜基板的襯底和/或所述TFT陣列基板的襯底面向背光源的一側(cè)具有納米結(jié)構(gòu)圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述襯底上具有凸出的納米結(jié)構(gòu)圖形和/或具有凹進(jìn)襯底的納米結(jié)構(gòu)圖形。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形、 非周期性結(jié)構(gòu)圖形或兩者的組合。
4.如權(quán)利要求3所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為周期性結(jié)構(gòu)圖形中的光柵結(jié)構(gòu)圖形、點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形以及牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形中的任意一種或組合。
5.如權(quán)利要求4所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為亞波長條狀光柵圖形， 所述亞波長條狀光柵結(jié)構(gòu)圖形的光柵高度小于500nm，周期為250nm-8000nm，占空比大于0 小于1。
6.如權(quán)利要求5所述的基板，其特征在于，所述光柵高度為50nm-100nm，所述周期為 450nm，所述占空比為2/9。
7.如權(quán)利要求4所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形，所述點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形中的點(diǎn)狀部件高度小于500nm，所述點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形的周期為250nm-8000nm。
8.如權(quán)利要求7所述的基板，其特征在于，所述點(diǎn)狀部件高度為50nm-100nm，所述點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)圖形的周期為450nm。
9.如權(quán)利要求7所述的基板，其特征在于，所述點(diǎn)狀部件的形狀為圓柱狀、多邊形柱狀或球冠狀。
10.如權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于，所述點(diǎn)狀部件的形狀為圓柱狀時(shí)，圓柱狀的圓形截面的半徑為10nm-780nm。
11.如權(quán)利要求4所述的基板，其特征在于，所述納米結(jié)構(gòu)圖形為牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形時(shí)， 所述牛眼環(huán)結(jié)構(gòu)圖形中的同心圓環(huán)部件和中心圓部件的高度小于500nm，所述同心圓環(huán)部件之間半徑差為250nm-8000nm，占空比大于0小于1。
12.如權(quán)利要求11所述的基板，其特征在于，所述同心圓環(huán)部件和中心圓部件的高度為50nm-100nm，所述同心圓環(huán)部件的環(huán)寬度為lOOnm，所述同心圓環(huán)部件之間半徑差為 450nmo
13.一種液晶面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-12任一權(quán)利要求所述薄膜場效應(yīng)晶體管基板。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種薄膜場效應(yīng)晶體管TFT基板以及液晶面板，在TFT陣列基板的襯底和/或彩膜基板的襯底面向背光源的一側(cè)制作納米結(jié)構(gòu)圖形，由于該納米結(jié)構(gòu)圖形具有表面等離子體調(diào)制效應(yīng)的性質(zhì)，能有效地透射背光源發(fā)出的可見光，提高了背景光的透過率。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK202058734SQ201120160339
公開日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月19日
發(fā)明者張宇 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司