專利名稱：用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及液晶顯示裝置，更具體地說，涉及防止接觸孔中的金屬圖案之間的電短路的嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的基板以及制造該基板的方法。
背景技術(shù)：
近來，作為由于低功耗和良好便攜性而具有高附加值的下一代顯示裝置的液晶顯示(IXD)裝置已經(jīng)成為焦點。包括薄膜晶體管作為多個像素的開關(guān)器件的有源矩陣液晶顯示(AM-IXD)裝置已經(jīng)由于其在顯示運動圖像時的高分辨率和優(yōu)越性而被廣泛使用。通常，通過以下工藝來制造IXD裝置陣列基板工藝，其用于在陣列基板上形成薄膜晶體管和像素電極；濾色器基板工藝，其用于在濾色器基板上形成濾色器層和公共電極；以及單元工藝，其用于在陣列基板與濾色器基板之間形成液晶層。 圖I是示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)的液晶顯示裝置的分解立體圖。在圖I中，液晶顯示(LCD)裝置包括陣列基板10、濾色器基板20以及該陣列基板10與該濾色器基板20之間的液晶層30。陣列基板10包括第一基板12、第一基板12上的選通線14、與選通線14交叉以限定像素區(qū)P的數(shù)據(jù)線16、連接到選通線14和數(shù)據(jù)線16的薄膜晶體管(TFT)T以及連接到該TFT T的像素電極18。此外，面對陣列基板10的濾色器基板20包括第二基板22 ;阻擋與選通線14、數(shù)據(jù)線16和TFT T相對應(yīng)的非顯示區(qū)的黑底25 ;包括各自與像素區(qū)P相對應(yīng)的紅色濾色器26a、綠色濾色器26b和藍色濾色器26c的濾色器層26 ;和第二基板22的整個表面上的公共電極28。盡管圖I中未示出，但是密封圖案可以形成在陣列基板10與濾色器基板20之間的邊界部分，以防止液晶層30泄漏。下朝向膜可以形成在陣列基板10與液晶層30之間，上朝向膜可以形成在濾色器基板20與液晶層30之間，以初始地對液晶層配向。此外，偏振板可以形成在第一基板12和第二基板22中的至少一個的外表面上。背光單元可以被設(shè)置在陣列基板10下方，以提供光。當(dāng)導(dǎo)通TFT T的選通信號順序地提供給選通線14時，該TFT T被導(dǎo)通，并且提供給數(shù)據(jù)線16的數(shù)據(jù)信號通過該TFT T被提供給像素電極18。結(jié)果，在像素電極18與公共電極28之間生成垂直電場，并且液晶層30中的液晶分子通過該垂直電場重新配向，從而LCD裝置由于液晶層30的透射率改變而顯示圖像。然而，利用該垂直電場驅(qū)動的IXD裝置在視角方面存在缺點。因此，已經(jīng)提出了像素電極和公共電極形成在陣列基板上、并且液晶顯示分子被像素電極與公共電極之間生成的水平電場來驅(qū)動的板內(nèi)切換(IPS)模式IXD裝置或邊緣場切換(FFS)模式IXD裝置。IPS模式IXD裝置或FFS模式IXD裝置用于諸如電視、投影儀、移動電話和個人數(shù)字助理(PDA)的各種應(yīng)用產(chǎn)品。另外，各種應(yīng)用產(chǎn)品具有感測觸摸的功能。包括集成在其中的觸摸傳感器的IXD裝置可以被稱為嵌入式觸摸傳感器IXD裝置。用于嵌入式觸摸傳感器IXD裝置的陣列基板具有選通線和數(shù)據(jù)線以及用于感測觸摸的多個觸摸塊和連接到該多個觸摸塊的多條感測線。例如，當(dāng)具有良好移動性的多晶硅薄膜晶體管(TFT)被用作切換元件時，可以通過十一掩膜工藝形成用于嵌入式觸摸傳感器LCD裝置的陣列基板。此外，該陣列基板可以包括選通絕緣層、中間層絕緣層、輔助絕緣層、第一鈍化層和第二鈍化層。輔助絕緣層包括無機絕緣材料，以改進諸如數(shù)據(jù)線、源極和漏極的金屬材料的導(dǎo)線與有機絕緣材料的第一鈍化層之間的粘附。出于簡化制造工藝的目的，形成輔助絕緣層的步驟可以省略。然而，當(dāng)省略輔助絕緣層時，漏極和連接到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)焊盤通過第一鈍化層中的接觸孔露出。所露出的漏極和數(shù)據(jù)焊盤可能由于用于透明材料的公共電極的蝕刻液或用于第一鈍化層上的金屬材料的感測線的溶液而劣化。結(jié)果，漏極和數(shù)據(jù)焊盤的接觸特性劣化。

發(fā)明內(nèi)容
用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板包括基板，其包括各自包括多個像素區(qū)的多個觸摸塊；所述基板上的選通線和數(shù)據(jù)線，該選通線和該數(shù)據(jù)線彼此交叉，并 且中間層絕緣層插置在其間，以限定所述多個像素區(qū)中的每一個；薄膜晶體管，其連接到所述選通線和所述數(shù)據(jù)線；第一鈍化層，其在所述薄膜晶體管上，該第一鈍化層具有露出所述薄膜晶體管的漏極的第一漏極接觸孔；公共電極，其在所述多個接觸塊中的每一個中的所述第一鈍化層上；腐蝕防止圖案，其覆蓋所述漏極接觸孔，所述腐蝕防止圖案具有與所述公共電極相同的材料和相同的層，并且所述腐蝕防止圖案與所述公共電極分開^感測線和y感測線，其在所述公共電極上，所述X感測線與所述選通線交疊，并且所述y感測線與所述數(shù)據(jù)線交疊；第二鈍化層，其在所述X感測線和所述y感測線上，所述第二鈍化層具有露出所述腐蝕防止圖案的第二漏極接觸孔；以及像素電極，其在所述多個像素區(qū)中的每一個中的所述第二鈍化層上，所述像素電極通過所述第二漏極接觸孔接觸所述腐蝕防止圖案并具有各自具有條形的多個敞開區(qū)。在另一方面中，一種制造用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的方法包括以下步驟在包括各自包括多個像素區(qū)的多個觸摸塊的基板上形成選通線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，所述選通線與所述數(shù)據(jù)線彼此交叉，并且中間層絕緣層插置在其間，以限定所述多個像素區(qū)中的每一個，并且所述薄膜晶體管連接到所述選通線和所述數(shù)據(jù)線；在所述薄膜晶體管上形成第一鈍化層，該第一鈍化層具有露出所述薄膜晶體管的漏極的第一漏極接觸孔；在所述第一鈍化層上形成公共電極和腐蝕防止圖案，所述公共電極被設(shè)置在所述多個接觸塊中的每一個中，所述腐蝕防止圖案與所述公共電極分開，并且所述腐蝕防止圖案具有比所述漏極接觸孔大的面積，以完全覆蓋所述漏極；在所述公共電極上形成X感測線和I感測線，所述X感測線與所述選通線交疊，并且所述y感測線與所述數(shù)據(jù)線交疊；在所述X感測線和所述y感測線上形成第二鈍化層，所述第二鈍化層具有露出所述腐蝕防止圖案的第二漏極接觸孔；以及在所述多個像素區(qū)中的每一個中的所述第二鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過所述第二漏極接觸孔接觸所述腐蝕防止圖案并具有各自具有條形的多個敞開區(qū)。應(yīng)當(dāng)理解，以上總體描述和后續(xù)詳細描述這兩者是示例性和解釋性的，旨在提供所要求保護的發(fā)明的進一步解釋。


附圖被包括在本申請中以提供對本公開的進一步理解，并結(jié)合到本申請中且構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式，且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖I是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的液晶顯示裝置的分解立體圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的觸摸塊的平面圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的像素區(qū)的截面圖； 圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的焊盤區(qū)的截面圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的觸摸塊的端部的截面圖；圖6A至圖6J是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的像素區(qū)的陣列基板的截面圖；圖7A至圖7J是示出制造根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的焊盤區(qū)的陣列基板的方法的截面圖；以及圖8A至圖8J是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的觸摸塊的端部的陣列基板的截面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細說明優(yōu)選實施方式，在附圖中例示了這些優(yōu)選實施方式的示例。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的觸摸塊的平面圖，而圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的像素區(qū)的截面圖。此外，圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的焊盤區(qū)的截面圖，而圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的觸摸塊的端部的截面圖。在圖2至圖5中，用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示(IXD)裝置的陣列基板101包括顯示圖像的有源區(qū)AA和圍繞該有源區(qū)AA的無源區(qū)NA。有源區(qū)AA可包括多個觸摸塊TB，各個觸摸塊TB可包括多個像素區(qū)P。此外，無源區(qū)NA包括焊盤區(qū)PA。由于觸摸傳感器檢測到手指的觸摸，所以用于嵌入式觸摸傳感器LCD裝置的陣列基板包括各自包括多個像素區(qū)P的多個觸摸塊TB。在圖2中，觸摸塊TB包括第一區(qū)域Al、第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3。選通線119、X感測線xsl和y感測線ysl形成在基板101上的第一區(qū)域Al、第二區(qū)域A2和第三區(qū)域A3中。X感測線xsl與選通線119平行并與其分開，y感測線ysl與選通線119交叉。X感測線xsl可以通過另一層中的導(dǎo)電材料的跳線(未示出)與y感測線ysl交叉。結(jié)果，第二區(qū)域A2通過y感測線ysl連接到第二區(qū)域A2的上接觸塊和下接觸塊(未示出)。此外，第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3通過X感測線xsl分別連接到左邊觸摸塊和右邊觸摸塊(未示出)。例如，第一區(qū)域Al可通過X感測線xsl連接到左邊觸摸塊的第三區(qū)域A3，而第三區(qū)域A3可通過X感測線xsl連接到右邊觸摸塊的第一區(qū)域Al。第二區(qū)域A2的X感測線具有條形，第二區(qū)域A2的x感測線xsl與第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3的X感測線xsl電隔離。因此，第一區(qū)域Al至第三區(qū)域A3的X感測線xsl在第一區(qū)域Al與第二區(qū)域A2之間的邊界以及第二區(qū)域A2與第三區(qū)域A3之間的邊界處電隔離。第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3的X感測線xsl通過第二區(qū)域A2的輔助感測線122彼此電連接。例如，第一區(qū)域Al的X感測線xsl的端部通過(圖3的)連接圖案163連接到第一區(qū)域Al的邊界處的(圖3的)第二感測接觸孔158和(圖3的)第一鈍化層145的第一感測接觸孔148中的第二區(qū)域A2的輔助感測線122的端部。類似地，第三區(qū)域A3的x感測線xsl的端部通過連接圖案163連接到在第三區(qū)域A3的邊界處的第二感測接觸孔158 和在第一鈍化層145的第一感測接觸孔148中的第二區(qū)域A2的輔助感測線122的另一端部。因此，第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3通過第二區(qū)域A2的X感測線xsl和輔助感測線122彼此連接。在圖3、圖4和圖5中，諸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料的緩沖層105形成在透明基板101上。當(dāng)基板101由玻璃制成時，多晶硅的半導(dǎo)體層113可能由于從基板101發(fā)出的堿離子而劣化，并且薄膜晶體管(TFT)Tr的特性可能下降。可以通過利用緩沖層105阻擋堿離子來防止半導(dǎo)體層113的劣化。在另一個實施方式中，可以省略緩沖區(qū)105。包括第一半導(dǎo)體區(qū)113a和第二半導(dǎo)體區(qū)113b的半導(dǎo)體層113形成在像素區(qū)P中的緩沖層105上。本征多晶硅的第一半導(dǎo)體區(qū)113a被設(shè)置在半導(dǎo)體層113的中心部，摻雜了雜質(zhì)的多晶硅的第二半導(dǎo)體區(qū)113b被設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)113a的兩側(cè)。第一半導(dǎo)體區(qū)113a用作TFT Tr的溝道，第二半導(dǎo)體區(qū)113b用作TFT Tr的源區(qū)和漏區(qū)。諸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料的柵絕緣層116形成在半導(dǎo)體層113上。(圖2的)選通線119、輔助感測線122和柵極120形成在柵絕緣層116上。選通線119、輔助感測線122和柵極120可以具有金屬材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，選通線119、輔助感測線122和柵極120可以包括鋁(Al)、鋁合金(例如，鋁釔合金(AlNcO)JH (Cu)、銅合金、鑰(Mo)和鑰合金(例如，鑰鈦合金(MoTi))中的至少一種。選通線119與輔助感測線122平行并與其分開，柵極120連接到選通線119。柵極120與半導(dǎo)體層113的第一半導(dǎo)體區(qū)113a相對應(yīng)。盡管未示出，但是連接到選通線119的選通鏈接線形成在無源區(qū)NA中的柵絕緣層116上，并且連接到選通鏈接線的選通焊盤形成在焊盤區(qū)PA中的柵絕緣層116上。諸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料的中間層絕緣層123形成在柵極120、選通線119、輔助感測線122、選通鏈接線和選通焊盤上。中間層絕緣層123和柵絕緣層116具有露出半導(dǎo)體層113的第二半導(dǎo)體區(qū)113b的半導(dǎo)體接觸孔125。數(shù)據(jù)線30、源極133和漏極136形成在中間層絕緣層123上。數(shù)據(jù)線130與選通線119交叉，以限定像素區(qū)P。此外，數(shù)據(jù)線130可以具有金屬材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，數(shù)據(jù)線130可以包括鋁(Al)、鋁合金(例如，鋁釔合金(AlNcO)JH (Cu)、銅合金、鑰(Mo)和鑰合金(例如，鑰鈦合金(MoTi))中的至少一種。當(dāng)數(shù)據(jù)線130具有多層結(jié)構(gòu)時，數(shù)據(jù)線130可以具有三層結(jié)構(gòu)，該三層結(jié)構(gòu)包括鑰(Mo)和鑰鈦合金(MoTi)中的一種的第一層、鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)和銅合金中的一種的第二層以及鑰(Mo)和鑰鈦合金(MoTi)中的一種的第三層。源極133和漏極136彼此分開，與數(shù)據(jù)線130處于相同的層上，并且與數(shù)據(jù)線130的材料相同。此外，源極133和漏極136通過半導(dǎo)體接觸孔125連接到第二半導(dǎo)體區(qū)113b。半導(dǎo)體層113、柵絕緣層116、柵極120、中間層絕緣層123、源極133和漏極136構(gòu)成TFT Tr。TFT Tr這樣連接到選通線119和數(shù)據(jù)線130 :柵極120連接到選通線119并且源極133連接到數(shù)據(jù)線130。此外，連接到數(shù)據(jù)線130的數(shù)據(jù)鏈接線131形成在無源區(qū)NA中的中間層絕緣層123上，連接到數(shù)據(jù)鏈接線131的數(shù)據(jù)焊盤132形成在焊盤區(qū)PA中的中間層絕緣層123上。諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)和烯酸脂的有機材料的第一鈍化層145形成在數(shù)據(jù)線130和源極133以及漏極136上。第一鈍化層145覆蓋有源區(qū)AA和除焊盤區(qū)PA以外的無源區(qū)NA，用于平坦化。由于第一鈍化層145沒有覆蓋焊盤區(qū)PA，焊盤區(qū)PA中的數(shù)據(jù)焊盤132和數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分通過第一鈍化層145露出。由于第一鈍化層145在沒有中間的輔 助絕緣層的情況下直接形成在數(shù)據(jù)線130以及源極133和漏極136上，所以降低了制造費用。盡管金屬材料的數(shù)據(jù)線130以及源極133和漏極136直接接觸有機材料的第一鈍化層145，但是由于經(jīng)改進的有機材料具有對金屬材料的優(yōu)異的粘附力，所以金屬材料與有機材料之間的粘附特性沒有劣化。第一鈍化層145具有露出漏極136的第一漏極接觸孔147和露出與輔助感測線122的端部相對應(yīng)的中間層絕緣層123的第一感測孔148。諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料的公共電極150形成在有源區(qū)AA的第一鈍化層145上。公共電極150具有露出像素區(qū)P中的TFT Tr上的第一鈍化層145的第一敞開區(qū)oal和露出第一感測孔148的第二敞開區(qū)oa2。公共電極150可以具有與包括多個像素區(qū)P的各觸摸塊TB相對應(yīng)的板狀。例如，公共電極150可以包括相分開與(圖2的)第一區(qū)域Al至第三區(qū)域A3相對應(yīng)的三個板狀圖案。此外，腐蝕防止圖案151和第一輔助焊盤圖案152形成在第一鈍化層145上，腐蝕防止圖案151和第一輔助焊盤圖案152的材料與公共電極150的相同，并與公共電極150處于相同的層上。腐蝕防止圖案151覆蓋第一漏極接觸孔147的內(nèi)部和邊界。因此，腐蝕防止圖案151接觸第一漏極接觸孔147的邊界和側(cè)壁的第一鈍化層145和通過第一漏極接觸孔147露出的漏極136。第一輔助焊盤圖案152覆蓋通過焊盤區(qū)PA中的第一鈍化層145露出的數(shù)據(jù)焊盤132和數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分。因此，第一輔助焊盤圖案152接觸焊盤區(qū)PA中的第一鈍化層145的邊緣頂表面和側(cè)壁面、數(shù)據(jù)焊盤132以及數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分。腐蝕防止圖案151和第一輔助焊盤圖案152中的每一個都具有與公共電極150分開的島狀。這里，通過第一漏極接觸孔147露出的漏極136被腐蝕防止圖案151覆蓋，并且在第一鈍化層145的外側(cè)的焊盤區(qū)PA中露出的數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分和數(shù)據(jù)焊盤132被第一輔助焊盤圖案152覆蓋。結(jié)果，可以防止在對透明材料層(未示出)構(gòu)圖時，漏極136、數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分以及數(shù)據(jù)焊盤132被暴露于用于公共電極150的蝕刻液。此外，防止了在后續(xù)工藝中對金屬材料層(未示出)進行構(gòu)圖時，漏極136、數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分和數(shù)據(jù)焊盤132被暴露于用于X感測線xsl和y感測線ysl的蝕刻液。因此，在沒有第一鈍化層145下方的附加輔助絕緣層的情況下防止了漏極136、數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分和數(shù)據(jù)焊盤132的劣化。X感測線xsl和y感測線ysl形成在公共電極150上。x感測線xsl可以與選通線119交疊,而y感測線ysl可以與數(shù)據(jù)線130交疊。此外，x感測線xsl和y感測線ysl可以具有金屬材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如，X感測線xsl和y感測線ysl可以包括鋁(Al)、鋁合金(例如，鋁釔合金(AlNcO)J^ (Cu)、銅合金、鑰(Mo)和鑰合金(例如，鑰鈦合金(MoTi))中的至少一種。在各個觸摸塊TB中，X感測線xsl的端部和輔助感測線122的端部被設(shè)置在第一感測接觸孔148中。
由于X感測線xsl和y感測線ysl彼此處于相同的層中并且彼此的材料相同，所以X感測線xsl和y感測線ysl在各個觸摸塊TB的各第一區(qū)域Al至第三區(qū)域A3中彼此電連接。然而，由于第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3的X感測線xsl與第二區(qū)域A2的X感測線xsl電隔離，所以第一區(qū)域Al和第三區(qū)域A3的X感測線xsl可用于檢測各個觸摸塊TB的觸摸點的X坐標(biāo)，而第二區(qū)域A2的y感測線ysl可用于檢測各個觸摸塊TB的觸摸點的y坐標(biāo)。通過第一漏極接觸孔147露出的漏極136被腐蝕防止圖案151覆蓋，并且在第一鈍化層145外側(cè)的焊盤區(qū)PA中露出的數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分和數(shù)據(jù)焊盤132被第一輔助焊盤圖案152覆蓋。結(jié)果，防止了在對金屬材料層(未示出)進行構(gòu)圖時，漏極136、金屬鏈接線131的該部分和數(shù)據(jù)焊盤132被暴露于用于X感測線xsl和y感測線ysl的蝕刻液。因此，在沒有第一鈍化層145下方的附加輔助絕緣層的情況下防止了漏極136、數(shù)據(jù)鏈接線131的該部分和數(shù)據(jù)焊盤132的劣化。諸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料的第二鈍化層155形成在公共電極150、x感測線xsl和y感測線ysl上。第二鈍化層155具有露出腐蝕防止圖案152的第二漏極接觸孔157和露出焊盤區(qū)PA中的數(shù)據(jù)焊盤132上的第一輔助焊盤圖案152的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔159。此外，通過對第二鈍化層155和中間層絕緣層123 —起進行構(gòu)圖來使第二鈍化層155和中間層絕緣層123具有露出選通焊盤(未示出)的選通焊盤接觸孔(未示出)和露出彼此相鄰的輔助感測線122的端部和X感測線xsl的端部這兩者的第二感測接觸孔158。第一感測接觸孔148與第二感測接觸孔158彼此連通。諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料的像素電極160形成在像素區(qū)P中的第二鈍化層155上。像素電極160通過第二漏極接觸孔157連接到腐蝕防止圖案151。此外，像素電極160具有多個第三敞開區(qū)oa3，用于在被施加驅(qū)動電壓時與公共電極150生成邊緣場。該多個第三敞開區(qū)oa3中的各第三敞開區(qū)oa3可為條形。此外，選通焊盤端子(未示出)和數(shù)據(jù)焊盤端子165形成在焊盤區(qū)PA中的第二鈍化層155上，選通焊盤端子(未示出)和數(shù)據(jù)焊盤端子165與像素電極160處于相同的層上，并且材料也與像素電極160的相同。選通焊盤端子通過選通焊盤接觸孔接觸選通焊盤，而數(shù)據(jù)焊盤端子165通過數(shù)據(jù)焊盤接觸孔159接觸第一輔助焊盤圖案152。此外，連接圖案163形成在各個觸摸塊TB中的第二鈍化層155上，連接圖案163與像素電極160處于相同的層上，并且材料也與像素電極160的相同。島狀的連接圖案163接觸第一感測接觸孔148和第二感測接觸孔158中的輔助感測線122的端部和X感測線xsl的端部這兩者。
像素電極160和公共電極150在像素區(qū)P中彼此交疊，并且第二鈍化層155插置在其間，彼此交疊的公共電極150、第二鈍化層155和像素電極160構(gòu)成存儲電容器。圖6A至圖6J是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的像素區(qū)的陣列基板的截面圖，圖7A至圖7J是示出制造用于根據(jù)本發(fā)明的實施方式的嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的焊盤區(qū)的陣列基板的方法的截面圖，而圖8A至圖8J是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的觸摸塊的端部的陣列基板的截面圖。在圖6A、圖7A和圖8A中，通過沉積諸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料將緩沖層105形成在透明基板101上。當(dāng)通過激光輻射或熱處理將基板101上的非晶硅層晶體化為多晶硅時，堿離子可能從玻璃的基板101發(fā)出，半導(dǎo)體層113可能被堿離子劣化。通過利用緩沖層105阻擋堿離子來防止半導(dǎo)體層113的劣化。在另一實施方式中，緩沖層105可以省略。
通過沉積本征非晶硅來將本征非晶硅層(未示出)形成在緩沖層105上，并且通過使用準分子激光的準分子激光退火(ELA)法、連續(xù)橫向固化(SLS)法、固態(tài)相晶體化(SPC)法和交流磁場晶體化(AMFC)法中的一種來將本征非晶硅層(未示出)晶體化為多晶硅層(未示出)。接著，通過經(jīng)由光刻工藝對多晶硅層進行構(gòu)圖來將本征多晶硅的半導(dǎo)體層113形成在像素區(qū)P中。在圖6B、圖7B和圖8B中，通過沉積諸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料將柵絕緣層116形成在半導(dǎo)體層113上。接著，通過沉積諸如鋁(Al)、鋁合金(例如，鋁釔合金(AlNcO)J^ (Cu)、銅合金、鑰(Mo)和鑰合金(例如，鑰鈦合金(MoTi))的至少一種金屬材料將第一金屬層(未不出)形成在柵絕緣層116上。第一金屬層可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。接著，通過經(jīng)由光刻工藝對第一金屬層進行構(gòu)圖來將柵極120、(圖2的)選通線119和輔助感測線122形成在柵絕緣層116上。柵極120對應(yīng)于半導(dǎo)體層113。選通線119連接到柵極120，并在像素區(qū)P的邊界沿第一方向延伸。此外，輔助感測線122在各個觸摸塊TB中與選通線119平行并與其分開。盡管未示出，但是連接到選通線119的柵鏈接線形成在無源區(qū)NA中的柵絕緣層116上，并且連接到柵鏈接線的選通焊盤形成在焊盤區(qū)PA中的柵絕緣層116上。在圖6C、圖7C和圖8C中，通過使用柵極120作為摻雜掩膜來利用雜質(zhì)對半導(dǎo)體層113進行摻雜來形成第一半導(dǎo)體區(qū)113和第二半導(dǎo)體區(qū)113b。因此，本征多晶硅的第一半導(dǎo)體區(qū)113a對應(yīng)于柵極120，摻雜了雜質(zhì)的多晶硅的第二半導(dǎo)體區(qū)113b被設(shè)置在第一半導(dǎo)體區(qū)113a的兩側(cè)。在圖6D、圖7D和圖8D中，通過沉積諸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料將中間層絕緣層123形成在柵極120、選通線119、輔助感測線122、柵鏈接線和選通焊盤上。接著，通過對中間層絕緣層123和柵絕緣層116進行構(gòu)圖來形成露出半導(dǎo)體層113的第二半導(dǎo)體區(qū)113b的半導(dǎo)體接觸孔125。在圖6E、圖7E和圖8E中，通過沉積諸如鋁(Al)、鋁合金(例如，鋁釔合金(AINd))、銅(Cu)、銅合金、鑰(Mo)和鑰合金(例如，鑰鈦合金(MoTi))的至少一種金屬材料將第二金屬層(未示出)形成在中間層絕緣層123上。第二金屬層可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
接著，通過利用光刻工藝對第二金屬層進行構(gòu)圖來將數(shù)據(jù)線130、源極133、漏極133、數(shù)據(jù)鏈接線131和數(shù)據(jù)焊盤132形成在中間層絕緣層123上。源極133和漏極136通過半導(dǎo)體接觸孔125連接到第二半導(dǎo)體區(qū)113b。半導(dǎo)體層113、柵絕緣層116、柵極120、中間層絕緣層123、源極133和漏極136構(gòu)成作為像素區(qū)P中的切換元件的薄膜晶體管(TFT)Tr0數(shù)據(jù)線130連接到源極133，并與選通線110交叉以限定像素區(qū)P。此外，無源區(qū)NA中的數(shù)據(jù)鏈接線131連接到數(shù)據(jù)線130，而焊盤區(qū)PA中的數(shù)據(jù)焊盤132連接到數(shù)據(jù)鏈接線131。在圖6F、圖7F和圖8F中，通過涂敷諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)和烯酸脂的有機材料來將第一鈍化層145形成在TFT Tr、數(shù)據(jù)線130、數(shù)據(jù)鏈接線131和數(shù)據(jù)焊盤132上。接著，通過利用光刻工藝對第一鈍化層145進行構(gòu)圖來形成露出漏極136的第一漏極接觸孔147和露出與輔助感測線122的端部相對應(yīng)的中間層絕緣層123的第一感測孔148。同時，去除焊盤區(qū)PA中的第一鈍化層145。當(dāng)?shù)谝烩g化層145具有光敏特性時，可以省略光刻工藝的腐蝕步驟。結(jié)果，具有用于平坦化的平坦頂表面的第一鈍化層145覆蓋有源區(qū)AA和焊盤區(qū) PA以外的無源區(qū)NA。在圖6G、圖7G和圖8G中，通過沉積諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料并對該透明導(dǎo)電材料進行構(gòu)圖來將公共電極150、腐蝕防止圖案151和第一輔助焊盤圖案152形成在第一鈍化層145上。公共電極150具有露出像素區(qū)P中的TFT Tr上的第一鈍化層145的第一敞開區(qū)oal和露出第一感測孔148的第二敞開區(qū)oa2。形成第一敞開區(qū)oal以防止(圖6J的)像素電極160與公共電極150之間的電短路，并且形成第二敞開區(qū)oa2以防止(圖8J的)連接圖案163與公共電極150之間的電短路。第二敞開區(qū)oa2可以具有比第一感測接觸孔148大的面積。腐蝕防止圖案151和第一輔助焊盤圖案152中的每一個都與公共電極電隔離。腐蝕防止圖案151覆蓋第一漏極接觸孔147的邊界以及該第一漏極接觸孔147，并且第一輔助焊盤圖案152覆蓋在第一鈍化層145外側(cè)露出的數(shù)據(jù)焊盤132的邊界和數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分以及數(shù)據(jù)焊盤132和數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分。此外，腐蝕防止圖案151接觸第一鈍化層145的邊界頂表面和側(cè)壁表面以及漏極136，第一輔助焊盤圖案152接觸焊盤區(qū)PA中的第一鈍化層145的邊緣頂表面和側(cè)壁表面、數(shù)據(jù)焊盤132和數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分。因此，腐蝕防止圖案151具有完全覆蓋漏極136的島狀，第一輔助焊盤圖案152具有完全覆蓋數(shù)據(jù)焊盤132和數(shù)據(jù)鏈接線131的該部分的島狀。由于腐蝕防止圖案151和第一輔助焊盤圖案152，可以在沒有第一鈍化層145下方的附加輔助絕緣層的情況下防止漏極136、數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分和數(shù)據(jù)焊盤132的劣化。在圖6H、圖7H和圖8H中，通過沉積諸如鋁(Al)、鋁合金(例如，鋁釔合金(AINd))、銅(Cu)、銅合金、鑰(Mo)和鑰合金(例如，鑰鈦合金(MoTi))的至少一種將第三金屬層(未示出)形成在公共電極150、腐蝕防止圖案151和第一輔助焊盤圖案152上。第三金屬層可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。接著，通過利用光刻工藝對第三金屬層進行構(gòu)圖來將X感測線xsl和y感測線ysl形成在公共電極150上。x感測線和y感測線分別與選通線119和數(shù)據(jù)線130交疊。在各個觸摸塊TB中，X感測線xsl可以為條形，并且X感測線xsl的端部可以被彎曲，以被設(shè)置為與第一感測接觸孔148中的輔助感測線122的端部相鄰。利用腐蝕防止圖案151來完全覆蓋通過第一漏極接觸孔147露出的漏極136，并且利用第一輔助焊盤圖案152來完全覆蓋在第一鈍化層145外側(cè)的焊盤區(qū)PA中露出的數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分和數(shù)據(jù)焊盤132。結(jié)果，漏極136、數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分和數(shù)據(jù)焊盤132不會露出于用于對第三金屬層進行構(gòu)圖的蝕刻液。因此，在沒有第一鈍化層145下方的附加輔助絕緣層的情況下防止了漏極136、數(shù)據(jù)鏈接線131的一部分和數(shù)據(jù)焊盤132的劣化。在圖61、圖71和圖81中，通過沉積諸如二氧化硅(SiO2)和硅的氮化物(SiNx)的無機絕緣材料將第二鈍化層155形成在X感測線xsl和y感測線ysl上。接著,通過經(jīng)由光刻工藝對第二鈍化層155進行構(gòu)圖來形成露出腐蝕防止圖案151的第二漏極接觸孔157和露出第一輔助焊盤圖案152的第二數(shù)據(jù)焊盤接觸孔159。同時，通過對第二鈍化層155和中間層絕緣層123進行構(gòu)圖來形成露出彼此相鄰的輔助感測線122的端部和X感測線xsl的端部這兩者的第二感測接觸孔158和露出選通焊盤(未示出)的選通焊盤接觸孔(未示出)。在圖6J、圖7J和圖8J中，通過沉積諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料來將透明導(dǎo)電材料層(未示出)形成在第二鈍化層155上。接著，通過經(jīng)由光刻工藝對透明導(dǎo)電材料層進行構(gòu)圖來將像素電極160、連接圖案163、選通焊盤端子(未示出)和數(shù)據(jù)焊盤端子(未示出)形成在第二鈍化層155上，從而完成了用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板。像素電極160具有用于在被施加了驅(qū)動電壓時與公共電極生成邊緣場的多個第三敞開區(qū)oa3。該多個第三敞開區(qū)oa3中的每一個第三敞開區(qū)oa3可為條形。像素電極160通過第二漏極接觸孔157接觸腐蝕防止圖案151，連接圖案163接觸第一感測接觸孔148和第二感測接觸孔158中的輔助感測線122的端部和X感測線xsl的端部這兩者。此外，選通焊盤端子通過焊盤區(qū)PA中的選通焊盤接觸孔接觸選通焊盤，數(shù)據(jù)焊盤端子165通過數(shù)據(jù)焊盤接觸孔159接觸第一輔助焊盤圖案152。嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板可附接到濾色器基板(未示出)，而液晶層(未示出)可形成在陣列基板與濾色器基板之間。接著，X感測電路(未示出)和y感測電路(未示出)可以分別連接到X感測線XSl和y感測線ysl，從而完成嵌入式觸摸傳感器液晶顯示(LCD)裝置。當(dāng)用戶的手指接觸嵌入式觸摸傳感器LCD裝置的像素區(qū)P中的位置時,公共電極150與像素電極160之間的電容改變，并且公共電極150和像素電極160的電壓改變。公共電極150和像素電極160的改變后的電壓通過X感測線xsl發(fā)送到X感測電路并且通過I感測線ysl發(fā)送到I感測電路。通過分析改變后的電壓來檢測接觸的位置，并且執(zhí)行與顯示在該位置中的菜單相對應(yīng)的操作。于是，在根據(jù)本發(fā)明的嵌入式觸摸傳感器LCD裝置的陣列基板中，與公共電極同時形成腐蝕防止圖案和第一輔助焊盤圖案。此外，利用腐蝕防止圖案完全覆蓋通過第一漏極接觸孔露出的漏極，并且利用第一輔助焊盤圖案完全覆蓋露出在第一鈍化層外部的數(shù)據(jù)焊盤。因此，在沒有第一鈍化層下方的附加輔助絕緣層的情況下防止了由于X感測線和y感測線的蝕刻液導(dǎo)致的漏極和數(shù)據(jù)焊盤的劣化。結(jié)果，防止了接觸孔中的接觸特性的劣化，改進了生產(chǎn)率。此外，由于省略了附加輔助絕緣層，所以降低了材料費用并改進了生產(chǎn)率。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對本發(fā)明的用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板以及制造該陣列基板的方法、做出各種修改和變型。因而，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變型。
本申請要求2011年4月21日在韓國提交的韓國專利申請第10-2011-0037243號的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其全部內(nèi)容并入本文。
權(quán)利要求
1.一種用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板，所述陣列基板包括 基板，其包括多個觸摸塊，各觸摸塊包括多個像素區(qū)； 所述基板上的選通線和數(shù)據(jù)線，所述選通線和所述數(shù)據(jù)線彼此交叉，中間層絕緣層插置在所述選通線和所述數(shù)據(jù)線之間，以限定所述多個像素區(qū)中的各像素區(qū)； 薄膜晶體管，其連接到所述選通線和所述數(shù)據(jù)線； 第一鈍化層，其在所述薄膜晶體管上，所述第一鈍化層具有露出所述薄膜晶體管的漏極的第一漏極接觸孔； 公共電極，其在所述多個觸摸塊中的各觸摸塊中，在所述第一鈍化層上； 腐蝕防止圖案，其覆蓋所述漏極接觸孔，所述腐蝕防止圖案與所述公共電極處于相同的層，并且所述腐蝕防止圖案的材料與述公共電極的相同，所述腐蝕防止圖案與所述公共電極分開； 在所述公共電極上的X感測線和y感測線，所述X感測線與所述選通線交疊，所述y感測線與所述數(shù)據(jù)線交疊； 在所述X感測線和所述y感測線上的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有露出所述腐蝕防止圖案的第二漏極接觸孔；以及 像素電極，其在所述多個像素區(qū)中的各像素區(qū)中在所述第二鈍化層上，所述像素電極通過所述第二漏極接觸孔接觸所述腐蝕防止圖案并具有各自為條形的多個敞開區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其中，所述多個觸摸塊中沿與所述選通線平行的第一方向相鄰的兩個觸摸塊通過所述X感測線彼此連接，其中，所述多個觸摸塊中的各觸摸塊包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述多個觸摸塊中沿與所述數(shù)據(jù)線平行的第二方向相鄰的兩個觸摸塊的第二區(qū)域連接到所述y感測線，并且其中，所述公共電極包括在分開在所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的三個板圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中，所述第一區(qū)域的所述X感測線與所述第二區(qū)域的所述X感測線分開，并且所述第二區(qū)域的所述X感測線與所述第三區(qū)域的所述X感測線分開。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，所述陣列基板還包括所述中間層絕緣層上的輔助感測線， 其中，所述輔助感測線形成在所述多個觸摸塊中的各觸摸塊的所述第二區(qū)域中，與所述選通線平行， 其中，所述輔助感測線與所述選通線處于相同的層并且所述輔助感測線的材料與所述選通線的材料相同，并且 其中，所述第一區(qū)域的所述X感測線與所述第三區(qū)域的所述X感測線通過所述輔助感測線彼此連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，所述陣列基板還包括連接圖案，所述連接圖案與所述像素電極處于相同的層，并且所述連接圖案的材料與所述像素電極的材料相同， 其中，所述第一鈍化層具有露出與所述X感測線的端部相對應(yīng)的所述中間層絕緣層的第一感測孔， 其中，所述第二鈍化層具有露出所述第一接觸孔中的所述X感測線的所述端部的第二感測孔，其中，所述中間層絕緣層具有露出所述輔助感測線的端部的第三感測孔，并且 其中，所述連接圖案接觸所述X感測線的所述端部和所述輔助感測線的所述端部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中，所述公共電極具有與所述薄膜晶體管相對應(yīng)的第一敞開區(qū)和與所述第一感測孔相對應(yīng)的第二敞開區(qū)，并且其中，所述第二敞開區(qū)的面積大于所述第一敞開區(qū)的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中，沿所述第一方向設(shè)置的所述多個觸摸塊通過所述X感測線彼此電連接，并且沿所述第二方向設(shè)置的所述多個觸摸塊通過所述y感測線彼此電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，所述陣列基板還包括 柵鏈接線，所述柵鏈接線與所述選通線處于相同的層，并且所述柵鏈接線的材料與所述選通線的材料相同； 選通焊盤，所述選通焊盤連接到所述柵鏈接線； 數(shù)據(jù)鏈接線，所述數(shù)據(jù)鏈接線與所述數(shù)據(jù)線處于相同的層，并且所述數(shù)據(jù)鏈接線的材料和所述數(shù)據(jù)線的材料相同； 數(shù)據(jù)焊盤，所述數(shù)據(jù)焊盤連接到所述數(shù)據(jù)鏈接線；以及 第一輔助焊盤圖案，所述第一輔助焊盤圖案與所述公共電極處于相同的層，并且所述第一輔助焊盤圖案的材料和所述公共電極的材料相同， 其中，所述基板包括顯示圖像的有源區(qū)和包圍所述有源區(qū)的無源區(qū)，并且所述無源區(qū)顯示區(qū)包括焊盤區(qū)， 其中，所述柵鏈接線和所述數(shù)據(jù)鏈接線被形成在所述無源區(qū)中，并且所述選通焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤被形成在所述焊盤區(qū)中， 其中，所述選通焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤露出在所述第一鈍化層外部，并且 其中，所述第一輔助焊盤圖案完全覆蓋所述數(shù)據(jù)焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，所述陣列基板還包括選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子，所述選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子與所述像素電極處于相同的層，并且所述選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子的材料和所述像素電極的材料相同， 其中，所述第二鈍化層具有露出所述第一輔助焊盤圖案的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔， 其中，所述第二鈍化層和所述中間層絕緣層具有露出所述選通焊盤的選通焊盤接觸孔， 其中，所述選通焊盤端子通過所述選通焊盤接觸孔接觸所述選通焊盤，并且 其中，所述數(shù)據(jù)焊盤端子通過所述數(shù)據(jù)焊盤接觸孔接觸所述第一輔助焊盤圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其中，所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層具有本征多晶硅的第一半導(dǎo)體區(qū)和在所述第一半導(dǎo)體區(qū)的兩側(cè)的摻雜了雜質(zhì)的多晶硅的第二半導(dǎo)體區(qū)；在所述半導(dǎo)體層上的柵絕緣層；在所述柵絕緣層上、所述第一半導(dǎo)體區(qū)上方的柵極；所述中間層絕緣層，所述中間層絕緣層具有露出所述第二半導(dǎo)體區(qū)的第二接觸孔；在所述中間層絕緣層上的源極；以及與所述源極分開的所述漏極，并且其中，所述源極和所述漏極通過所述半導(dǎo)體接觸孔接觸所述第二半導(dǎo)體區(qū)。
11.一種制造用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括以下步驟在包括多個觸摸塊的基板上形成選通線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，各觸摸塊包括多個像素區(qū)，所述選通線與所述數(shù)據(jù)線彼此交叉，并且中間層絕緣層設(shè)置在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線之間，以限定所述多個像素區(qū)中的各像素區(qū)，并且所述薄膜晶體管連接到所述選通線和所述數(shù)據(jù)線； 在所述薄膜晶體管上形成第一鈍化層，所述第一鈍化層具有露出所述薄膜晶體管的漏極的第一漏極接觸孔； 在所述第一鈍化層上形成公共電極和腐蝕防止圖案，所述公共電極被設(shè)置在所述多個觸摸塊中的各觸摸塊中，所述腐蝕防止圖案與所述公共電極分開，并且所述腐蝕防止圖案具有比所述漏極接觸孔大的面積，以完全覆蓋所述漏極； 在所述公共電極上形成X感測線和y感測線，所述X感測線與所述選通線交疊，所述y感測線與所述數(shù)據(jù)線交疊； 在所述X感測線和所述y感測線上形成第二鈍化層，所述第二鈍化層具有露出所述腐蝕防止圖案的第二漏極接觸孔；以及 在所述多個像素區(qū)中的各像素區(qū)中的所述第二鈍化層上形成像素電極，所述像素電極通過所述第二漏極接觸孔接觸所述腐蝕防止圖案并具有多個敞開區(qū)，各所述敞開區(qū)為條形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述多個觸摸塊中沿與所述選通線平行的第一方向相鄰的兩個觸摸塊通過所述X感測線彼此連接，其中，所述多個觸摸塊中的各觸摸塊包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述多個觸摸塊中沿與所述數(shù)據(jù)線平行的第二方向相鄰的兩個觸摸塊的第二區(qū)域連接到所述y感測線，并且其中，所述公共電極包括分開在所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域中的三個板圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一區(qū)域的所述X感測線與所述第二區(qū)域的所述X感測線分開，并且所述第二區(qū)域的所述X感測線與所述第三區(qū)域的所述X感測線分開。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括在所述中間層絕緣層上形成輔助感測線， 其中，所述輔助感測線形成在所述多個觸摸塊中的各觸摸塊的所述第二區(qū)域中，與所述選通線平行， 其中，所述輔助感測線與所述選通線處于相同的層并且所述輔助感測線的材料與所述選通線的材料相同，以及 其中，所述第一區(qū)域的所述X感測線與所述第三區(qū)域的所述X感測線通過所述輔助感測線彼此連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，所述方法還包括與所述像素電極一起形成連接圖案， 其中，所述第一鈍化層具有露出與所述X感測線的端部相對應(yīng)的所述中間層絕緣層的第一感測孔， 其中，所述第二鈍化層具有露出所述第一接觸孔中的所述X感測線的所述端部的第二感測孔， 其中，所述中間層絕緣層具有露出所述輔助感測線的端部的第三感測孔，并且其中，所述連接圖案接觸所述X感測線的所述端部和所述輔助感測線的所述端部。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述公共電極具有與所述薄膜晶體管相對應(yīng)的第一敞開區(qū)和與所述第一感測孔相對應(yīng)的第二敞開區(qū)，并且其中，所述第二敞開區(qū)的面積大于所述第一敞開區(qū)的面積。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，沿所述第一方向設(shè)置的所述多個觸摸塊通過所述X感測線彼此電連接，并且沿所述第二方向設(shè)置的所述多個觸摸塊通過所述y感測線彼此電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包括以下步驟 與所述選通線一起形成柵鏈接線和連接到所述柵鏈接線的選通焊盤； 與所述數(shù)據(jù)線一起形成數(shù)據(jù)鏈接線和連接到所述數(shù)據(jù)鏈接線的數(shù)據(jù)焊盤；以及 與所述公共電極一起形成第一輔助焊盤圖案， 其中，所述基板包括顯示圖像的有源區(qū)和包圍所述有源區(qū)的無源區(qū)，并且所述無源區(qū)包括焊盤區(qū)， 其中，所述柵鏈接線和所述數(shù)據(jù)鏈接線被設(shè)置在所述無源區(qū)中，并且所述選通焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤被設(shè)置在所述焊盤區(qū)中， 其中，所述選通焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤露出在所述第一鈍化層外部，并且 其中，所述第一輔助焊盤圖案完全覆蓋所述選通焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，所述方法還包括與所述像素電極一起形成選通焊盤端子和數(shù)據(jù)焊盤端子， 其中，所述第二鈍化層具有露出所述第一輔助焊盤圖案的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔， 其中，所述第二鈍化層和所述中間層絕緣層具有露出所述選通焊盤的選通焊盤接觸孔， 其中，所述選通焊盤端子通過所述選通焊盤接觸孔接觸所述選通焊盤，并且 其中，所述數(shù)據(jù)焊盤端子通過所述數(shù)據(jù)焊盤接觸孔接觸所述第一輔助焊盤圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成所述薄膜晶體管包括以下步驟 在所述基板上形成本征非晶硅層； 將所述本征非晶硅層晶體化為多晶硅層； 對所述多晶硅層進行構(gòu)圖，以形成多晶硅的半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上、所述半導(dǎo)體層上方的形成柵極，所述柵極連接到所述選通線； 使用所述柵極作為摻雜掩模來利用雜質(zhì)對所述半導(dǎo)體層進行摻雜，以限定本征多晶硅的第一半導(dǎo)體區(qū)和在所述第一半導(dǎo)體區(qū)的兩側(cè)的摻雜了雜質(zhì)的多晶硅的第二半導(dǎo)體區(qū)； 在所述柵極上形成所述中間層絕緣層，所述中間層絕緣層具有露出所述第二半導(dǎo)體區(qū)的第二接觸孔；以及 在所述中間層絕緣層上形成源極和所述漏極，所述源極和所述漏極通過所述半導(dǎo)體接觸孔接觸所述第二半導(dǎo)體區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的基板及其制造方法。用于嵌入式觸摸傳感器液晶顯示裝置的陣列基板包括基板；所述基板上的選通線和數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，其連接到所述選通線和所述數(shù)據(jù)線；第一鈍化層，其在所述薄膜晶體管上；公共電極，其在所述第一鈍化層上；腐蝕防止圖案，其覆蓋所述漏極接觸孔；x感測線和y感測線，其在所述公共電極上；第二鈍化層，其在所述x感測線和所述y感測線上；以及像素電極，其在所述第二鈍化層上。
文檔編號G02F1/133GK102750024SQ20111041541
公開日2012年10月24日 申請日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月21日
發(fā)明者李明湜, 金玟秀 申請人:樂金顯示有限公司