專利名稱：垂直配向型液晶顯示裝置的制作方法
垂直配向型液晶顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種液晶顯示裝置，且特別是有關(guān)于一種垂直配向型(verticalalignment, VA)液晶顯示裝置。背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(liquid crystal display)由于具有輕、低消耗功率、無福射等優(yōu)點(diǎn)，目前已應(yīng)用于各種個(gè)人計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(personaldigital assistant, PDA)、手機(jī)、電視等。
液晶顯示裝置主要由薄膜晶體管(thin film transistor,TFT)基板、彩色濾光片(color filter, CF)基板與形成于兩基板之間的液晶層所組成。
傳統(tǒng)扭轉(zhuǎn)向列型模式(twisted nematic,TN)具有優(yōu)異的穿透特性,但缺點(diǎn)在于視角(viewing angle)非常狹窄。因此，開發(fā)出垂直配向型(verticalalignment,VA)模式的液晶顯示裝置，例如圖形垂直配向型(patternedvertical alignment, PVA)亦晶顯示器或多區(qū)域垂直配向型(mult1-domainvertical qalignment, MVA)液晶顯不裝置，其中PVA型利用邊緣場(chǎng)效應(yīng)與補(bǔ)償板達(dá)到廣視角的效果。MVA型將一個(gè)畫素分成多個(gè)區(qū)域，并使用突起物(protrusion)或特定圖案結(jié)構(gòu),使位于不同區(qū)域的液晶分子朝向不同同向傾倒，以達(dá)到廣視角且提升穿透率的作用。
現(xiàn)有的共同電極(common el ectrode)設(shè)置于畫素區(qū)域(或顯不區(qū)域)內(nèi)，然而隨著液晶顯示裝置分辨率日益提高的同時(shí)，若共同電極依然設(shè)計(jì)于畫素區(qū)域中，會(huì)使開口率(Aperture ratio, AR)降低，因此，業(yè)界亟需提出一種新的垂直配向型液晶顯示裝置，以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種垂直配向型液晶顯示裝置，包括:一第一基板；多條數(shù)據(jù)線，形成于該第一基板上；多條掃瞄線，形成于該第一基板上，其中所述數(shù)據(jù)線與所述掃瞄線定義出多個(gè)畫素區(qū)；多條共同電極，形成于該第一基板上，其中該共同電極位于所述畫素區(qū)的邊界并且相鄰于所述掃瞄線；一第二基板，其中該第一基板與該第二基板相對(duì)設(shè)置；以及一液晶層，形成于 該第一基板與該第二基板之間，其中該液晶層包括一旋旋光性物質(zhì)(chiralsubstance)。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下:

圖1為一剖面圖，用以說明本發(fā)明的垂直配向型液晶顯示裝置。
圖2a_2b為一系列剖面圖，用以說明本發(fā)明垂直配向型液晶分子的排列方式。圖2c顯示使用未添加手性劑的液晶制成的液晶顯示裝置的顯示區(qū)域穿透率示意圖。圖2d顯示使用添加手性劑的液晶制成的液晶顯示裝置的顯示區(qū)域穿透率示意圖。
圖3a為一俯視圖,用以說明本發(fā)明一實(shí)施例的第一基板的結(jié)構(gòu)。
圖3b為一剖面圖，用以說明本發(fā)明圖3a沿著AA’線的剖面圖。
圖3c_3d為一系列俯視圖，用以說明本發(fā)明共同電極的結(jié)構(gòu)。
圖4a至4c為垂直配向型液晶顯示裝置在正視視角、45度視角及水平視角的情形下，液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)參數(shù)變化所對(duì)應(yīng)的穿透率-電壓曲線。
圖5為利用穿透率-電壓曲線解釋灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的定義。
圖6顯示本發(fā)明一實(shí)施例液晶顯示裝置在視角等于O度的情形下，其顯示區(qū)域的光學(xué)相位延遲與液晶分子扭轉(zhuǎn)量參數(shù)變化所對(duì)應(yīng)的穿透率分布。
圖7a和7b顯示本發(fā)明一實(shí)施例液晶顯示裝置在視角分別等于45和90度的情形下，其顯示區(qū)域的光學(xué)相位延遲和液晶分子扭轉(zhuǎn)量參數(shù)變化所對(duì)應(yīng)的灰階反轉(zhuǎn)值分布。
主要組件符號(hào)說明
100 垂直配向型液晶顯示裝置
110 第一基板
112 畫素電極
114 第一偏光片
120 共同電極
120a 第一延伸電極
120b 第二延伸電極
122 柵極線
124 第一絕緣層
126 半導(dǎo)體層
130 第二電極層
132 第二絕緣層
140 數(shù)據(jù)線
160 接觸孔(contact hole)
150 液晶層
151 液晶 分子
210 第二基板
212 對(duì)向電極
214 第二偏光片具體實(shí)施方式

以下特舉出本發(fā)明的實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明。以下實(shí)施例的組件和設(shè)計(jì)為了簡(jiǎn)化所揭露的發(fā)明，并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明于各個(gè)實(shí)施例中可能使用重復(fù)的參考符號(hào)及/或用字。這些重復(fù)符號(hào)或用字為了簡(jiǎn)化與清晰的目的，并非用以限定各個(gè)實(shí)施例及/或所述結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。此外，說明書中提及形成第一結(jié)構(gòu)特征位于第二結(jié)構(gòu)特征之上，其包括第一結(jié)構(gòu)特征與第二結(jié)構(gòu)特征是直接接觸的實(shí)施例，另外也包括于第一結(jié)構(gòu)特征與第二結(jié)構(gòu)特征之間另外有其它結(jié)構(gòu)特征的實(shí)施例，亦即，第一結(jié)構(gòu)特征與第二結(jié)構(gòu)特征并非直接接觸。
請(qǐng)參見圖1，此圖顯示本發(fā)明垂直配向型液晶顯示裝置100的顯示區(qū)域，其包括第一基板110與第二基板210，其中第一基板110與第二基板相對(duì)設(shè)置，以及液晶層150形成于第一基板110與第二基板210之間,其中液晶層150包括液晶分子151與一旋旋光性物質(zhì)(chiral substance),其中旋旋光性物質(zhì)包括手性劑。
此外，于第一基板110之上尚包括畫素電極112,于第一基板的下尚包括第一偏光片114,于第二基板210之上尚包括一對(duì)向電極212,于第二基板210之上尚包括一第二偏光片214。畫素電極112與對(duì)向電極212由透明導(dǎo)電材料所組成，例如氧化銦錫(ITO)，且畫素電極112與對(duì)向電極212構(gòu)成液晶電容(C」。
于另一實(shí)施例中，垂直配向型液晶顯示裝置100尚包括第一補(bǔ)償膜(圖中未顯示)形成于第一基板110與第一偏光片114之間，以及第二補(bǔ)償膜(圖中未顯不)形成于第二基板210與第二偏光片214之間。
第二基板210與液晶層150之間尚包括彩色濾光片與黑色矩陣(blackmatrix，BM)(圖中未顯示)，其中彩色濾光片包括紅色濾光片、藍(lán)色濾光片與綠色濾光片，而黑色矩陣(BM)介于各種不同顏色濾光片之間。
于本發(fā)明的實(shí)施例中，液晶層150所使用的液晶分子151為向列型液晶材料，其可為負(fù)型向列型液晶，亦可為正型向列型液晶材料。而第一基板110為薄膜晶體管基板，第二基板為彩色濾光片基板。
由于液晶層150中添加了手性劑152，因此，液晶分子151會(huì)沿著一軸向扭轉(zhuǎn)因而具有旋旋光性，此軸平行于第一基板210的法線，且液晶分子151的扭轉(zhuǎn)角度可通過調(diào)整手性劑152濃度來決定，因此，此液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)又簡(jiǎn)稱為垂直配向型(twistedvertical alignment)液晶顯示裝置。
圖2a為第一基板110和第二基板210之間無施加電場(chǎng)時(shí)，垂直配向型液晶顯示裝置100的液晶層150的扭轉(zhuǎn)垂直配向型液晶分子151排列的側(cè)視圖,其中第一偏光板114和第二偏光板214中的箭頭方向分別為兩者的偏光軸方向。
圖2b為第一基板110和第二基板210之間施加電場(chǎng)時(shí)，液晶顯示裝置100的液晶層150的垂直配向型液晶分子151排列的側(cè)視圖。于圖2b中，扭轉(zhuǎn)垂直配向型液晶分子151從第一基板110至第二基板210逐漸扭轉(zhuǎn)，而且逐漸傾倒至水平后又逐漸站立。隨施加電場(chǎng)值提升，液晶分子完全傾倒呈水平排列的范圍也隨的擴(kuò)大，其中液晶分子扭轉(zhuǎn)角度可通過調(diào)整手性劑濃度來決定。
請(qǐng)參考圖2c和圖2d，圖2c顯示使用未添加手性劑的液晶制成的液晶顯示裝置的顯示區(qū)域穿透率示意圖，而圖2d顯示使用添加手性劑的液晶制成的液晶顯示裝置的顯示區(qū)域穿透率示意圖。如圖2c和圖2d所示，由于添加手性劑的液晶分子本身的扭轉(zhuǎn)，會(huì)使顯示區(qū)域中因液晶分子未傾倒或傾倒角度錯(cuò)誤而產(chǎn)生的光學(xué)暗紋變細(xì)變淡，達(dá)到高穿透率的目的。
請(qǐng)參見圖3a，此圖顯示本發(fā)明第一基板110的俯視圖，其包括共同電極120、多條柵極線122、多條數(shù)據(jù)線140形成于第一基板110之上，其中柵極線122與數(shù)據(jù)線140彼此垂直以定義出畫素區(qū)域，此畫素區(qū)域由畫素電極112所組成(顯示于第3圖中)，因此，畫素區(qū)域又可稱為顯示區(qū)域。
在一實(shí)施例中，共同電極120形成于第一基板110之上,且共同電極120位于畫素區(qū)域的邊界并相鄰于柵極線122。此外，共同電極120更包括第一延伸電極120a，其中第一延伸電極120a平行于數(shù)據(jù)線140，并設(shè)置于畫素區(qū)的邊界。共同電極120與第一延伸電極120a在畫素區(qū)域邊界形成U型電極。于較佳實(shí)施例中，共同電極120與柵極線122之間的距離為約小于15 μ m。
請(qǐng)參見圖3c，在另一實(shí)施例中，共同電極120與第一延伸電極120a在畫素區(qū)域邊界形成Π型電極。
請(qǐng)參見圖3d，共同電極120包括第一延伸電極120a與第二延伸電極120b，其中第一延伸電極120a平行于數(shù)據(jù)線140，而第二延伸電極120b連接于第一延伸電極120a，且第二延伸電極120b平行于柵極線122并設(shè)置于畫素區(qū)的邊界。
在另一實(shí)施例中，共同電極120可以設(shè)置于與柵極線122不同層，且共同電極120位于畫素區(qū)域的邊界并重疊或部份重疊于柵極線122。此外，共同電極120更包括一延伸電極120a，其中延伸電極120平行于數(shù)據(jù)線140，并設(shè)置于畫素區(qū)的邊界。
須注意的是，本發(fā)明通過搭配添加旋旋光性物質(zhì)于液晶層150中，并將共同電極120設(shè)置于畫素區(qū)域160靠近柵極線122的水平側(cè)，可以有效提升畫素區(qū)域160穿透率，并增加開口率。
此外，半導(dǎo)體層126形成于共同電極120之上，而第二金屬層130形成于半導(dǎo)體層126之上,其中柵極線122、第一絕緣層124、半導(dǎo)體層126與第二金屬層130構(gòu)成一薄膜晶體管，且第二金屬層130與數(shù)據(jù)線140電性連接。
再者，畫素電極112通過一接觸孔160與第二金屬層130電性連接，以將訊號(hào)傳輸?shù)奖∧ぞw管。
請(qǐng)參見圖3b，此圖顯示圖3a沿著AA’線所繪出的剖面圖，共同電極120與柵極線122先形成于第一基板110之上，兩者由同一道制程所組成，且位于同一層中。
共同電極120與柵極線122的制法先形成一金屬層，的后進(jìn)行圖案化制程，以形成具有不同功能的共同電極120與柵極線122。
上述圖案化制程通過光刻制程(photolithography)而達(dá)成,光刻制程包括光阻涂布(photoresist coating)、軟烘烤(soft baking)、光罩對(duì)準(zhǔn)(mask aligning)、曝光(exposure)、曝光后烘烤(post-exposure)、光阻顯影(developing photoresist)與硬烘烤(hard baking)，這些制程為本領(lǐng)域人士所熟知，在此不再贅述。
之后，第一絕緣層124形成于共同電極120與柵極線122之上，第一絕緣層124例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。
接著，第二金屬層130形成于第一絕緣層124之上，第二絕緣層132形成于第二金屬層130之上。第二絕緣層132的材料可與第一絕緣層124的材料相同或不相同。
須注意的是，第二金屬層130與數(shù)據(jù)線140(顯示于第3圖中)于同一制程步驟所形成，且兩者電性連接，以將薄膜晶體管的訊號(hào)通過數(shù)據(jù)線傳輸出去。
再者，第二金屬層130與共同電極120中間夾第一絕緣層124,以構(gòu)成一儲(chǔ)存電容(storage capacitor,Cst)。
最后，形成畫素電極112于第二絕緣層132之上。畫素電極112由透明導(dǎo)電材料所組成，例如氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZ0)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide, CTO)、氧化招鋒(aluminum zinc oxide, AZO)、氧化銦錫鋒(indium tin zinc oxide, ITZO)、氧化鋒(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide, CdO)、氧化給(hafnium oxide, HfO)。
在另一實(shí)施例中，共同電極120可以設(shè)置于與柵極線122不同層，比如與第二金屬層130同一層，或者與畫素電極112同一層。因此共同電極120可以設(shè)置于柵極線122之上方與柵極線122重疊或部份重疊。
相較于先前技術(shù)，本發(fā)明的共同電極120位于畫素區(qū)域靠近柵極線122的一側(cè)，因此，可提升液晶顯示裝置的穿透率，進(jìn)而改善液晶顯示裝置的光學(xué)顯示質(zhì)量。
請(qǐng)同時(shí)參考第4a至4c圖和圖5。第4a至4c圖分別為添加手性劑的垂直配向(VA)型液晶顯示裝置在正視視角(視角等于O度)、45度視角及水平視角(視角等于90度)的情形下，液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)參數(shù)變化所對(duì)應(yīng)的穿透率-電壓曲線，其中VA型液晶顯示裝置的液晶層的光程差(And)設(shè)計(jì)為500nm，其中d為液晶層厚度，p為摻入手性劑的節(jié)距，Λη表示液晶層的雙折射系數(shù)(亦即快軸及慢軸之間的折射率差)。圖5為利用穿透率-電壓曲線解釋灰階反轉(zhuǎn)(delta T)現(xiàn)象的定義，當(dāng)電壓上升時(shí)(例如從Vl至V2)，穿透率下降(電壓Vl對(duì)應(yīng)的穿透率Tl減電壓V2對(duì)應(yīng)的穿透率T2的值大于零，意即delta T =T1-T2 > 0),即發(fā)生灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象。如圖4a所示,液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)參數(shù)變小為0.15時(shí)，穿透率會(huì)隨著電壓上升而 下降。如圖4b所示，在45度視角的情形下，VA型液晶顯示裝置在較小的液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)參數(shù)(d/p = 0.15)時(shí)會(huì)產(chǎn)生灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象。如圖4c所示，VA型液晶顯示裝置在水平視角的情形下，灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象變得更為嚴(yán)重，當(dāng)液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)參數(shù)為0.15,0.25和0.35時(shí)皆會(huì)產(chǎn)生灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象。
為了尋找添加手性劑的VA型液晶顯示裝置最佳的光學(xué)相位延遲(R)、液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)和光程差(And)等條件，進(jìn)而提升液晶顯示裝置的顯示區(qū)域整體的穿透率而不致于產(chǎn)生灰階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，因此我們利用數(shù)值模擬方法，分析并計(jì)算液晶顯示裝置的顯示區(qū)域不同位置的光學(xué)相位延遲(R)和液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)參數(shù)變化所對(duì)應(yīng)的穿透率(Transmittance)分布,其中當(dāng)光通過具雙折射(Birefringence)特性的液晶層的光學(xué)相 And位延遲(R)可表示為7入射光光波長(zhǎng)為λ。圖6顯示本發(fā)明一實(shí)施例液晶顯示裝置500在視角等于O度的情形下，光學(xué)相位延遲(R)與液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)參數(shù)變化所對(duì)應(yīng)的穿透率分布。在本實(shí)施例中，液晶顯示裝置500的入射光光波長(zhǎng)操作范圍介于380nm至780nm之間。第7a和7b圖顯示本發(fā)明一實(shí)施例液晶顯示裝置在視角分別等于45和90度的情形下，光學(xué)相位延遲(R)和液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)參數(shù)變化所對(duì)應(yīng)的灰階反轉(zhuǎn)(deltaT)值分布。
請(qǐng)參考第6、7a和7b圖，在本發(fā)明一實(shí)施例中，液晶顯示裝置500的添加手性劑的液晶層的液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)和光學(xué)相位延遲(R)參數(shù)分別滿足式(I)和式(2)(意即對(duì)應(yīng)至圖6的虛線框區(qū)域)。當(dāng)液晶顯示裝置500的添加手性劑的液晶層的液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)和光學(xué)相位延遲(R)參數(shù)分別滿足式(I)和式(2)時(shí)，液晶顯示裝置500的穿透率介于0.25至0.4之間，其所對(duì)應(yīng)45度視角的灰階反轉(zhuǎn)(delta T)值不超過0.02(意即對(duì)應(yīng)至圖7a的虛線框區(qū)域)，且其所對(duì)應(yīng)90度視角的灰階反轉(zhuǎn)(delta T)值不超過0.04(意即對(duì)應(yīng)至圖7b的虛線框區(qū)域)。
0.6 < R < 0.95式(I)
0.2 < d/p < 0.3式(2)
當(dāng)入射光光波長(zhǎng)操作范圍介于380nm至780nm之間液晶顯示裝置500的添加手性劑的液晶層的光學(xué)相位延遲(R)滿足式(I)時(shí)，其光程差(And)的范圍介于228nm至741nm之間。在本發(fā)明一實(shí)施例中，液晶顯示裝置500的添加手性劑的液晶層的光程差(And)較佳可選擇滿足式(3)。當(dāng)液晶顯示裝置500的添加手性劑的液晶層202的液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)和光程差(And)參數(shù)分別滿足式(2)和式(3)時(shí)，液晶顯示裝置500所對(duì)應(yīng)45度視角的灰階反轉(zhuǎn)(delta T)值不超過0.02 (意即對(duì)應(yīng)至圖7a的虛線框區(qū)域)，且其所對(duì)應(yīng)90度視角的灰階反轉(zhuǎn)(delta T)值不超過0.04(意即對(duì)應(yīng)至圖7b的虛線框區(qū)域)。
330 < And < 500式(3)
雖然本發(fā)明已以數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專 利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種垂直配向型液晶顯示裝置，包括: 一第一基板; 多條數(shù)據(jù)線，形成于該第一基板上； 多條柵極線，形成于該第一基板上，其中所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線定義出多個(gè)畫素區(qū)； 多條共同電極，形成于該第一基板上，其中所述共同電極位于所述畫素區(qū)的邊界并且相鄰于所述柵極線； 一第二基板，其中該第一基板與該第二基板相對(duì)設(shè)置；以及 一液晶層，形成于該第一基板與該第二基板之間，其中該液晶層包括一旋旋光性物質(zhì)(chiral substance)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，尚包括一第一偏光片，形成于該第一基板的下；一第二偏光片，形成于該第二基板之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，所述共同電極與該柵極線之間的距離為約小于15 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，所述共同電極重疊或部份重疊于所述柵極線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，所述共同電極更包括一第一延伸電極，該第一延伸電極平行于所述數(shù)據(jù)線，并設(shè)置于該畫素區(qū)的邊界。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，所述共同電極更包括一第二延伸電極，其中該第二延伸電極連接該第一延伸電極且平行于所述柵極線，并設(shè)置于該畫素區(qū)的邊界。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶層中的一液晶分子扭轉(zhuǎn)量(d/p)為0.2 < d/p < 0.3，d為液晶層厚度，P為摻入該旋旋光性物質(zhì)的節(jié)距。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶層的光程差(And)為330 < And < 500，其中Λ η為液晶材料雙折射系數(shù)，d為液晶層厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶層的光學(xué)相位延遲(R)為 0.6 < R < 0.95。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，該第一基板為薄膜晶體管基板，該第二基板為彩色濾光片基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，該液晶層的材料包括向列型液晶材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，尚包括一彩色濾光片與一對(duì)向電極形成于該第二基板之上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直配向型液晶顯示裝置，其特征在于，該旋旋光性物質(zhì)包括一手性劑。
全文摘要
本發(fā)明提供一種垂直配向型液晶顯示裝置，包括一第一基板；多條數(shù)據(jù)線，形成于該第一基板上；多條掃瞄線，形成于該第一基板上，其中所述數(shù)據(jù)線與所述掃瞄線定義出多個(gè)畫素區(qū)；多條共同電極，形成于該第一基板上，其中該共同電極位于所述畫素區(qū)的邊界并且相鄰于所述掃瞄線；一第二基板，其中該第一基板與該第二基板相對(duì)設(shè)置；以及一液晶層，形成于該第一基板與該第二基板之間，其中該液晶層包括一旋旋光性物質(zhì)(chiral substance)。
文檔編號(hào)G02F1/139GK103163675SQ20111041497
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月13日
發(fā)明者陳英仁, 黃奕達(dá), 劉維鈞, 謝志勇 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 奇美電子股份有限公司