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一種液晶顯示面板的掩膜板及使用該掩膜板的曝光方法

文檔序號:8411612閱讀:625來源:國知局
一種液晶顯示面板的掩膜板及使用該掩膜板的曝光方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板的掩膜板及使用該掩膜板的曝光方法。
【背景技術(shù)】
[0002]UV2A(Ultra V1let Vertical Alignment)技術(shù)是一種使用紫外線(UV = UltraV1let)進(jìn)行液晶配向的VA(Vertical Alignment,垂直配向)面板技術(shù),其名稱來源于紫外線UV與液晶面板VA模式的相乘。通過導(dǎo)入UV2A技術(shù)后,可以省去目前在VA模式液晶面板中用于控制液晶分子配向的狹縫隙和突起,因此通過UV2A技術(shù)液晶面板的開口率、對比度和響應(yīng)速度都能得到提高,并能大幅削減生產(chǎn)程序。
[0003]隨著大尺寸、高品質(zhì)面板日趨主流,VA以其寬視野角、高對比度等優(yōu)勢,成為大尺寸面板的常用顯示模式,垂直配向(VA)產(chǎn)品在不同視野角下具有色偏現(xiàn)象。而mutilate-domain(多疇)結(jié)構(gòu)是解決VA色偏的常用方法。
[0004]現(xiàn)有一般液晶面板在物理上只能形成4疇,VA產(chǎn)品通過配向方法,如圖1所示,將陣列基板分為兩個區(qū)域,進(jìn)行上下兩個方向的UV2A曝光,將彩膜基板也分為兩個區(qū)域,進(jìn)行左右兩個方向的UV2A曝光,從而形成4疇顯示效果。4疇結(jié)構(gòu)的液晶面板,其掩膜板1、2的曝光區(qū)域設(shè)計成曝光和遮光兩種形式。
[0005]為了實現(xiàn)8疇結(jié)構(gòu),一般是將一個像素單元分成A,B兩部分,通過額外的TFT或者電容分別施加不同的液晶電壓來實現(xiàn)A、B部分像素透過率不同,從而達(dá)到8疇的顯示效果,如圖2所示,8疇結(jié)構(gòu)的液晶面板,其掩膜板1、2的曝光區(qū)域設(shè)計成曝光、遮光、曝光、遮光相間隔的形式,但是這樣具有驅(qū)動復(fù)雜化,低開口率等副作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明通過改變彩膜基板上的掩膜板,使得彩膜基板曝光的圖形變成漏光區(qū)與半漏光區(qū)間隔的方法、或者上半個像素和下半個像素的曝光強(qiáng)度或曝光時間不同,從而上半個像素和下半個像素的預(yù)傾角度不同,當(dāng)施加同樣的電壓時,上半個畫素和下半個畫素的透過率不同,從而實現(xiàn)8疇結(jié)構(gòu)。
[0007]本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的掩膜板,該掩膜板用于液晶顯示面板的彩膜基板上的曝光,所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板,所述第一掩膜板的的曝光區(qū)域依序為:全曝光區(qū)域、全遮光區(qū)域、部分曝光或部分遮光區(qū)域、以及全遮光區(qū)域,所述第二掩膜板的曝光區(qū)域依序為:全遮光區(qū)域、全曝光區(qū)域、全遮光區(qū)域、以及部分曝光或部分遮光區(qū)域。
[0008]本發(fā)明還提供一種用于彩膜基板上的掩膜板的曝光方法,設(shè)定彩膜基板上某一像素單元,該像素單元分成上下兩個部分:A部分和B部分,A部分像素均分成Al和A2部分,B部分像素均分成BI和B2部分,將第一掩膜板從左至由對彩膜基板進(jìn)行曝光,全曝光像素單元的Al部分和部分曝光像素單元的BI部分;使用第二掩膜板從右至左對彩膜基板進(jìn)行曝光,全曝光像素單元的A2部分和部分曝光像素單元的B2部分。
[0009]本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的掩膜板,該掩膜板用于液晶顯示面板的彩膜基板上的曝光,所述掩膜板包括第一、第二、第三以及第四掩膜板,第一掩膜板的曝光區(qū)域,從上至下等序分為8個區(qū)域,其中,第一、第三、第五以及第七均為全曝光區(qū)域,其他區(qū)域均為全遮光區(qū)域;第二掩膜板的曝光區(qū)域,從上至下也等序分為8個區(qū)域,其中,第二、第四、第六以及第八均為全曝光區(qū)域,其他區(qū)域均為全遮光區(qū)域;第三掩膜板的曝光區(qū)域,從上至下也等序分為8個區(qū)域,其中,第三和第七區(qū)域均為全曝光區(qū)域,其他區(qū)域均為全遮光區(qū)域;第四掩膜板的曝光區(qū)域,從上至下也等序分為8個區(qū)域,其中,第四和第八區(qū)域均為全曝光區(qū)域,其他區(qū)域均為全遮光區(qū)域。
[0010]本發(fā)明還提供一種用于彩膜基板上的掩膜板的曝光方法,設(shè)定彩膜基板上的一像素單元均分成C和D部分,該相鄰的另一像素單元均分成E和F部分,C、D、E、F在分別均分成兩部分,分別為Cl、C2、Dl、D2、EU E2、F1、以及F2,第一次曝光時,使用第一掩膜板從左至由對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的Cl、Dl、E1、以及Fl部分的曝光時間為T分鐘,再用第二掩膜板從右至左對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的C2、D2、E2、以及F2部分的曝光時間為T分鐘;第二次曝光時,使用第三掩膜板左至由對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的Dl和Fl部分曝光時間為xT分鐘(0<<x<< I),再用第四掩膜板從右至左對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的D2和F2部分曝光時間為xT分鐘(0<<X<<1)。
[0011]本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的掩膜板,該掩膜板用于液晶顯示面板的彩膜基板上的曝光,所述掩膜板包括第一、第二、第三以及第四掩膜板,第一掩膜板的曝光區(qū)域,從上至下等序分為8個區(qū)域,其中,第一和第五區(qū)域均為全曝光區(qū)域,其他區(qū)域均為全遮光區(qū)域;第二掩膜板的曝光區(qū)域,從上至下也等序分為8個區(qū)域,其中,第二和第六區(qū)域均為全曝光區(qū)域,其他區(qū)域均為全遮光區(qū)域;第三掩膜板的曝光區(qū)域,從上至下也等序分為8個區(qū)域,其中,第三和第七區(qū)域均為全曝光區(qū)域,其他區(qū)域均為全遮光區(qū)域;第四掩膜板的曝光區(qū)域,從上至下也等序分為8個區(qū)域,其中,第四和第八區(qū)域均為全曝光區(qū)域,其他區(qū)域均為全遮光區(qū)域。
[0012]本發(fā)明還提供一種用于彩膜基板上的掩膜板的曝光方法,設(shè)定彩膜基板上的一像素單元均分成C和D部分,該相鄰的另一像素單元均分成E和F部分,C、D、E、F在分別均分成兩部分,分別為Cl、C2、Dl、D2、EU E2、F1、以及F2,第一次曝光時,使用第一掩膜板從左至右對對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的Cl、和El部分的曝光時間為TR分鐘,再用第二掩膜板從右至左對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的C2和E2部分的曝光時間為TR分鐘;第二次曝光時,使用第三掩膜板從左至右對對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的Dl和Fl部分曝光時間為Ry(y ^ 1)T分鐘,再用第四掩膜板從右至左對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的D2和F2部分曝光時間為Ry (y ^ I) T分鐘。
[0013]本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的掩膜板,該掩膜板用于液晶顯示面板的彩膜基板上的曝光,所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板,第一掩膜板110的曝光區(qū)域,從上至下等序分為8個區(qū)域,其中,第一和第五區(qū)域為部分曝光區(qū)域,第三和第七區(qū)域為全曝光區(qū)域,第一和第五區(qū)域曝光的面積為第三或第七曝光區(qū)域面積的Xz (O << ZX << I),其他區(qū)域都是全遮光區(qū)域;第二掩膜板120的保護(hù)區(qū)域,從上至下也等序分為8個區(qū)域,其中,第二和第六區(qū)域為部分曝光區(qū)域,第四和第八區(qū)域為全曝光區(qū)域,且第二和第六個區(qū)域曝光的面積為第四或第八曝光區(qū)域面積的z (O ^ζ^1),χ(0<χ< 1),其他區(qū)域都是全遮光區(qū)域。
[0014]本發(fā)明還提供一種用于彩膜基板上的掩膜板的曝光方法,設(shè)定彩膜基板上的一像素單元均分成C和D部分,該相鄰的另一像素單元均分成E和F部分,C、D、E、F在分別均分成兩部分,分別為Cl、C2、Dl、D2、E1、E2、F1、以及F2,使用第一掩膜板從左至由對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的Cl和El部分的曝光時間為TS分鐘,像素單元的Dl和El部分的曝光時間為(l+xz)TS分鐘(O < X < I),再用第二掩膜板從右至左對彩膜基板進(jìn)行曝光,像素單元的C2和E2部分的曝光時間為TS分鐘,像素單元的D2和F2部分的曝光時間為(1+xz)TS 分鐘(O < X < I) ο
[0015]本發(fā)明通過改變曝光的掩膜板的設(shè)計,使得彩膜基板曝光時上半個像素單元和下半個像素單元的曝光強(qiáng)度不同或者曝光時間不同,導(dǎo)致上半個像素單元和下半個像素單元的預(yù)傾角不同,當(dāng)施加相同的電壓時,彩膜基板上的上半個像素單元和下半個像素單元的透過率不同,從而實現(xiàn)8疇結(jié)構(gòu)。
【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有4疇彩膜基板上的掩膜板及曝光配向示意圖;
[0017]圖2為現(xiàn)有8疇彩膜基板上的掩膜板及曝光配向示意圖;
[0018]圖3為本發(fā)明彩膜基板上預(yù)傾角為89°、88°的軟件模擬的V-T曲線圖;
[0019]圖4為圖3在H處的局部放大圖;
[0020]圖5為本發(fā)明利用曝光強(qiáng)度不同的條件下實現(xiàn)8疇配向的示意圖;
[0021]圖6為本發(fā)明利用曝光時間不同的條件下實現(xiàn)8疇配向的第一實施例的示意圖;
[0022]圖7為本發(fā)明利用曝
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