專利名稱：雙重圖形化的納米壓印模具及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及壓印技術(shù)領(lǐng)域的一種雙重圖形化的納米壓印模具及其形成方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體技術(shù)在摩爾定律的驅(qū)動(dòng)下持續(xù)地朝更小的エ藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，器件的功能不斷強(qiáng)大，但是半導(dǎo)體制造難度也與日俱增。而光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造エ藝中最為關(guān)鍵的生產(chǎn)技術(shù)，隨著半導(dǎo)體エ藝節(jié)點(diǎn)的越來(lái)越低，現(xiàn)有的193nm的ArF光源光刻技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足半導(dǎo)體制造的需要，超紫外光光刻技術(shù)(EUV)、多波束無(wú)掩膜技術(shù)和納米壓印技術(shù)成為下一代光刻候選技術(shù)的研究熱點(diǎn)。但是上述的下一代光刻候選技術(shù)仍然存在有不便與缺陷，亟待加以進(jìn)一歩的改進(jìn)。當(dāng)摩爾定律繼續(xù)向前延伸的腳步不可逆轉(zhuǎn)的時(shí)候，采用納米壓印技術(shù)無(wú)疑成為了業(yè)界的最佳選擇，壓印模具也應(yīng)運(yùn)而生。然而，現(xiàn)有的納米壓印模具均為單圖形化的結(jié)構(gòu)，還沒(méi)有出現(xiàn)雙重圖形化的納米壓印模具，納米壓印模具單一。因此，同一基底內(nèi)，不能在同ー步驟中形成具有不同形狀和/或深度的開(kāi)ロ。美國(guó)專利號(hào)為“US 7819652B2”的專利中公開(kāi)了ー種納米壓印模具的結(jié)構(gòu)及形成方法，請(qǐng)參考圖I :提供基底101 ;在基底101表面形成圖案層103，所述圖案層103具有凸起104 ;在圖案層103表面形成硬掩膜層105 ;在硬掩膜層105表面形成隔離層107。關(guān)于更多納米壓印模具的結(jié)構(gòu)及形成方法，請(qǐng)參考專利號(hào)為US7435074B2的美國(guó)專利。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例解決的問(wèn)題是提供ー種能形成多種圖形的雙重圖形化的納米壓印模具及其形成方法。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種雙重圖形化的納米壓印模具及其形成方法，包括提供基底、覆蓋所述基底的第一圖案層、以及覆蓋所述第一圖案層的第二圖案層；在所述第二圖案層表面形成圖形化的第一犧牲層，所述圖形化的第一犧牲層定義出第一凸臺(tái)圖形；以圖形化的第一犧牲層為掩膜刻蝕第二圖案層，暴露出所述第一圖案層，并去除第一犧牲層；形成覆蓋所述第一圖案層和第二圖案層的第二犧牲層；在所述第二犧牲層表面形成圖形化的第三犧牲層，所述圖形化的第三犧牲層定義出第二凸臺(tái)圖形；以圖形化的第三犧牲層為掩膜刻蝕第二犧牲層和第一圖案層，暴露出所述基底；
去除圖形化的第三犧牲層和第二犧牲層，形成所述第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)。可選地，所述第一圖案層的材料為GaAs。
可選地，所述第二圖案層的材料為AlGaAs?？蛇x地，所述去除未被第一犧牲層覆蓋的第二圖案層的形成エ藝為干法刻蝕。可選地，所述干法刻蝕的氣體為Cl2和Ar?？蛇x地，刻蝕第二犧牲層和第一圖案層的形成エ藝為干法刻蝕?？蛇x地，所述干法刻蝕的氣體為BC13、SF6, N2和He。此外，本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種雙重圖形化的納米壓印模具，包括各自獨(dú)立的第一凸臺(tái)、第二凸臺(tái)和/或相互疊加的第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的實(shí)施例分別以圖形化的第一犧牲層和圖形化的第三犧牲層為掩膜，逐步刻蝕形成具有第一凸臺(tái)圖形的第一凸臺(tái)和具有第二凸臺(tái)圖形的第二凸臺(tái)。采用此種方法可以形成雙重圖形化的納米壓印模具，解決了現(xiàn)有技術(shù)中納米壓印模具圖形單一，無(wú)法采用現(xiàn)有納米壓印模具一次形成多樣圖形的缺陷。進(jìn)ー步的，本發(fā)明的實(shí)施例的第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)還可以相互疊加，利用本發(fā)明的第三實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具，能夠形成雙鑲嵌圖形，成型エ藝簡(jiǎn)単。進(jìn)ー步的，利用本發(fā)明實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具，所述雙重圖形化的納米壓印模具包括具有第一凸臺(tái)圖形的第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)圖形的第二凸臺(tái)，所述第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)具有不同的高度，可以在同一基底內(nèi)，在同一步驟中形成具有不同形狀和/或高度的開(kāi)ロ，形成エ藝簡(jiǎn)単。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)壓印模具的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法的流程示意圖；圖3 圖13是本發(fā)明的第一實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖14 圖15是本發(fā)明的第二實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖16 圖17是本發(fā)明的第三實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的實(shí)施例的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明的實(shí)施例，但是本發(fā)明的實(shí)施例還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本發(fā)明的實(shí)施例不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有的納米壓印模具均為單圖形化的結(jié)構(gòu)，還沒(méi)有出現(xiàn)雙重圖形化的納米壓印模具。因此，同一基底內(nèi)，不能在同一步驟中形成具有不同形狀和/或深度的開(kāi)ロ。
針對(duì)上述問(wèn)題，發(fā)明人提供了一種雙重圖形化的納米壓印模具及其形成方法。請(qǐng)參考圖2 步驟S201，提供基底、覆蓋所述基底的第一圖案層、以及覆蓋所述第一圖案層的第
ニ圖案層；步驟S203，在所述第二圖案層表面形成圖形化的第一犧牲層，所述圖形化的第一犧牲層定義出第一凸臺(tái)圖形；步驟S205，以圖形化的第一犧牲層為掩膜刻蝕第二圖案層，暴露出所述第一圖案層，并去除第一犧牲層；步驟S207，形成覆蓋所述第一圖案層和第二圖案層的第二犧牲層；步驟S209，在所述第二犧牲層表面形成圖形化的第三犧牲層，所述圖形化的第三犧牲層定義出第二凸臺(tái)圖形；步驟S211，以圖形化的第三犧牲層為掩膜刻蝕第二犧牲層和第一圖案層，暴露出所述基底；步驟S213，去除第三犧牲層和第二犧牲層，形成所述第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)。下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。為了更好的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面結(jié)合多個(gè)實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具及其形成方法進(jìn)行說(shuō)明。圖3 圖11示出的本發(fā)明第一實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法。請(qǐng)參考圖3，執(zhí)行步驟S201，提供基底301、覆蓋所述基底301的第一圖案層303、以及覆蓋所述第一圖案層303的第二圖案層305。所述基底301用于支持后續(xù)過(guò)程中形成第一圖案層303和第二圖案層305。所述基底采用可以透過(guò)紫外線的材料，例如石英、玻璃、PET、PC等。所述第一圖案層303用于后續(xù)過(guò)程中形成第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)。所述第一圖案層303的材料選擇與第二圖案層和基底的材料有關(guān)，所述第一圖案層303既需要較大的硬度，又需要在后續(xù)刻蝕過(guò)程中具有較大的刻蝕選擇比。在本實(shí)施例中，所述第一圖案層303的材料優(yōu)選為GaAs。所述第二圖案層305用于后續(xù)過(guò)程中形成第一凸臺(tái)，所述第二圖案層305需要選擇具有較大硬度的材料，與此同時(shí)，還需要與第一圖案層303之間具有較大的刻蝕選擇比。在本實(shí)施例中，所述第二圖案層305的材料優(yōu)選為AlGaAs。請(qǐng)同時(shí)參考圖4和圖5，圖5為圖4所示的具體實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具的俯視圖。執(zhí)行步驟S203，在所述第二圖案層305表面形成圖形化的第一犧牲層307，所述圖形化的第一犧牲層307定義出第一凸臺(tái)圖形。其中，與所述基底301平行的截面為橫截面，與所述基底301垂直的截面為縱截面。形成圖形化的第一犧牲層307的具體步驟為采用沉積エ藝，例如化學(xué)氣相沉積エ藝在第二圖案層305表面形成第一犧牲層,然后在第一犧牲層上形成掩膜層(該掩膜層可以為光刻膠)，之后圖形化形成的掩膜層，然后以圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕去除未被圖形化的掩膜層覆蓋的第一犧牲層，形成預(yù)定的圖形化的第一犧牲層307。
所述圖形化的第一犧牲層307的材料為非晶碳、非晶碳、非晶鍺、光阻、氧化硅中的任ー種。在本實(shí)施例中，所述圖形化的第一犧牲層307的材料優(yōu)選為光阻材料。結(jié)合圖4和圖5可知，所述圖形化的第一犧牲層307為圓柱，其橫截面形狀為圓形。所述圖形化的第一犧牲層307定義出第一凸臺(tái)圖形，用于后續(xù)過(guò)程中以圖形化的第一犧牲層307為掩膜，刻蝕第二圖案層305。需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，所述圖形化的第一犧牲層307的橫截面形狀可以為方形、菱形、橢圓形、圓形或其他任意圖形中的任一種或多種組合。請(qǐng)同時(shí)參考圖6和圖7，圖7為圖6所示的具體實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具的俯視圖。執(zhí)行步驟S205，以圖形化的第一犧牲層為掩膜刻蝕第二圖案層(未圖示)，暴露出所述第一圖案層303，并去除第一犧牲層(未圖示)?？涛g第二圖案層的方法為干法刻蝕。在所述干法刻蝕過(guò)程中，所述第一圖案層用 于充當(dāng)刻蝕阻擋層，阻止刻蝕的進(jìn)ー步進(jìn)行，即需要刻蝕第二圖案層的速度較快，而刻蝕第一圖案層的速度較慢。因此，第一圖案層和第二圖案層之間具有較小的刻蝕選擇比的材料。在本實(shí)施例中，干法刻蝕的氣體優(yōu)選為Cl2和Ar。去除第一犧牲層的方法為化學(xué)機(jī)械拋光、灰化作用或者濕法腐蝕等。在本實(shí)施例中，去除所述第一犧牲層的方法為灰化作用。請(qǐng)參考圖8，執(zhí)行步驟S207，形成覆蓋所述第一圖案層303和第二圖案層305的第ニ犧牲層311。所述第二犧牲層311用于保護(hù)第一凸臺(tái)309在后續(xù)過(guò)程中不被損害。所述第二犧
牲層311的材料為非晶碳、非晶碳、非晶鍺、光阻、氧化硅中的任--種。在本實(shí)施例中，所
述第二犧牲層311的材料優(yōu)選為光阻材料。所述第二犧牲層311的形成エ藝為沉積エ藝，例如物理或化學(xué)氣相沉積。由于沉積エ藝已為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。請(qǐng)同時(shí)參考圖9和圖10，圖10為圖9所示的具體實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具的俯視圖。執(zhí)行步驟S209，在所述第二犧牲層表面形成圖形化的第三犧牲層313，所述圖形化的第三犧牲層313定義出第二凸臺(tái)圖形。形成圖形化的第三犧牲層313的具體步驟為采用沉積エ藝，例如化學(xué)氣相沉積エ藝在第二犧牲層311表面形成第三犧牲層，然后在第三犧牲層上形成掩膜層(該掩膜層可以為光刻膠)，之后圖形化形成的掩膜層，然后以圖形化的掩膜層為掩膜，刻蝕去除未被圖形化的掩膜層覆蓋的第三犧牲層，形成預(yù)定的圖形化的第三犧牲層313。圖形化的第三犧牲層313用于定義第二凸臺(tái)圖形，用于后續(xù)過(guò)程中以圖形化的第三犧牲層313為掩膜，刻蝕第二犧牲層311和第一圖案層303。由于圖形化的第三犧牲層313在后續(xù)過(guò)程中會(huì)被去除，因此所述第三犧牲層313的材料為非晶碳、非晶碳、非晶鍺、光阻、氧化硅中的任ー種。在本實(shí)施例中，所述圖形化的第三犧牲層313的材料優(yōu)選為光阻材料。在本實(shí)施例中，所述圖形化的第三犧牲層313的縱截面為方形。需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，所述圖形化的第三犧牲層313的圖形可以為方形、菱形、橢圓形、圓形或其他任意圖形中的任ー種或多種組合。請(qǐng)參考圖11，執(zhí)行步驟S211，以圖形化的第三犧牲層313為掩膜刻蝕第二犧牲層311和第一圖案層303，暴露出所述基底301 ；
請(qǐng)參考圖11，以圖形化的第三犧牲層313為掩膜去除第二犧牲層311和第一圖案層303，暴露出所述基底301。去除第二犧牲層311和第一圖案層303的方法為干法刻蝕。由于第二圖案層的圖形已經(jīng)形成，不用進(jìn)ー步刻蝕，所述干法刻蝕過(guò)程中，需要刻蝕第一圖案層的速率較快，而刻蝕第二圖案層的速率較慢，即第一圖案層和第二圖案層之間具有較大的刻蝕選擇比。為使第一圖案層和第二圖案層之間具有較大的刻蝕選擇比，在本實(shí)施例中，所述干法刻蝕的氣體優(yōu)選為BC13、SF6, N2和He。請(qǐng)同時(shí)參考圖12 圖13，執(zhí)行步驟S213，去除圖形化的第三犧牲層313和第二犧牲層311，形成所述第一凸臺(tái)309和第二凸臺(tái)315。圖13為圖12所示的具體實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具的俯視圖。去除圖形化的第三犧牲層和第二犧牲層的方法為化學(xué)機(jī)械拋光、灰化作用或者濕法腐蝕等。在本實(shí)施例中，去除所述去除圖形化的第三犧牲層和第二犧牲層的方法為灰化作用。在本實(shí)施例中，所述第一凸臺(tái)309具有第一凸臺(tái)圖形，所述第一凸臺(tái)309的形狀與圖形化的第一犧牲層的形狀一致。在本實(shí)施例中，所述第一凸臺(tái)309為圓柱，其橫截面為橢圓形。所述第一凸臺(tái)309由刻蝕第二圖案層之后得到的，或者由依次刻蝕第二圖案層和第一圖案層之后得到的。因此，所述第一凸臺(tái)309的材料由第二圖案層和第一圖案層的材料決定。在本實(shí)施例中，有的第一凸臺(tái)在刻蝕第二圖案層之后已經(jīng)形成，所述第一凸臺(tái)309的材料為AlGaAs,而有的第一凸臺(tái)在依次刻蝕第二圖案層和第一圖案層之后才形成，所述第一凸臺(tái)309的材料為AlGaAs和GaAs。需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，所述第一凸臺(tái)309的橫截面形狀可以為方形、菱形、橢圓形、圓形或其他任意圖形中的任ー種或多種組合。所述第二凸臺(tái)315由刻蝕第一圖案層之后得到的，因此，所述第二凸臺(tái)315的材料與第二圖案層的材料相同。在本實(shí)施例中，所述第二凸臺(tái)315的材料為GaAs。所述第二凸臺(tái)315具有第二凸臺(tái)圖形，所述第二凸臺(tái)315的形狀與圖形化的第三犧牲層313的形狀一致。在本實(shí)施例中，所述第二凸臺(tái)315的橫截面為方形。需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，所述第二凸臺(tái)315的橫截面可以為方形、菱形、橢圓形、圓形或其他任意圖形中的任ー種或多種組合。所述第一凸臺(tái)309和第二凸臺(tái)315具有不同的形狀和/或高度。在本實(shí)施例中，有的第一凸臺(tái)309和第二凸臺(tái)315相互獨(dú)立，有的第一凸臺(tái)309和第二凸臺(tái)315相互疊加，構(gòu)成雙圖形結(jié)構(gòu)317。因此，本實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具包括相互獨(dú)立的第一凸臺(tái)309、第二凸臺(tái)315，還包括相互疊加的第一凸臺(tái)309和第二凸臺(tái)315。請(qǐng)參考圖14 圖15，圖14 圖15為本發(fā)明的第二實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具，其中圖15為圖14的俯視圖。與第一實(shí)施例不同，所述雙重圖形化的納米壓印模具形成的第一凸臺(tái)409和第二凸臺(tái)415各自獨(dú)立。在本實(shí)施例中，形成所述雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法與第一實(shí)施例的方法相同，具體請(qǐng)參考步驟S201 S213，在此不再贅述。、
所述第一凸臺(tái)409具有第一凸臺(tái)圖形，所述第一凸臺(tái)409的形狀與圖形化的第一犧牲層(未圖示)的形狀一致；所述第一凸臺(tái)409由第一圖案層403和第二圖案層405共同形成，所述第一凸臺(tái)409的材料為GaAs和AlGaAs。所述第二凸臺(tái)415具有第二凸臺(tái)圖形，所述第二凸臺(tái)415的形狀與圖形化(未圖示)的第三犧牲層的形狀一致；所述第二凸臺(tái)415由第一圖案層403形成，所述第二凸臺(tái)415的材料為GaAs。本實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具，所述第一凸臺(tái)409和第二凸臺(tái)415具有不同的高度和/或形狀。請(qǐng)參考圖16 圖17，圖16 圖17為本發(fā)明的第三實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具，其中圖17為圖16的俯視圖。與第一實(shí)施例和第二實(shí)施例不同，所述雙重圖形化的納米壓印模具形成的第一凸臺(tái)509和第二凸臺(tái)515相互疊加形成雙圖形結(jié)構(gòu)517。
在本實(shí)施例中，形成所述雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法與第一實(shí)施例的方法相同，具體請(qǐng)參考步驟S201 S213，在此不再贅述。所述第一凸臺(tái)509具有第一凸臺(tái)圖形，所述第一凸臺(tái)509的形狀與圖形化的第一犧牲層(未圖示)的形狀一致；所述第一凸臺(tái)509由第二圖案層505形成，所述第一凸臺(tái)509的材料為AlGaAs。所述第二凸臺(tái)515具有第二凸臺(tái)圖形，所述第二凸臺(tái)515的形狀與圖形化(未圖示)的第三犧牲層的形狀一致；所述第二凸臺(tái)515由第一圖案層503形成，所述第二凸臺(tái)515的材料為GaAs。所述第一凸臺(tái)509和第二凸臺(tái)515相互疊加形成雙圖形結(jié)構(gòu)517。本實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具，所述第一凸臺(tái)509和第二凸臺(tái)515具有不同的高度和/或形狀。綜上，本發(fā)明的實(shí)施例分別以圖形化的第一犧牲層和圖形化的第三犧牲層為掩膜，逐步刻蝕形成具有第一凸臺(tái)圖形的第一凸臺(tái)和具有第二凸臺(tái)圖形的第二凸臺(tái)。采用此種方法可以形成雙重圖形化的納米壓印模具，解決了現(xiàn)有技術(shù)中納米壓印模具圖形單一，無(wú)法采用現(xiàn)有納米壓印模具一次形成多樣圖形的缺陷。進(jìn)ー步的，本發(fā)明實(shí)施例的第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)還可以相互疊加，利用本發(fā)明第三實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具，能夠形成雙鑲嵌圖形，成型エ藝簡(jiǎn)単。進(jìn)ー步的，利用本發(fā)明實(shí)施例的雙重圖形化的納米壓印模具，所述雙重圖形化的納米壓印模具包括具有第一凸臺(tái)圖形的第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)圖形的第二凸臺(tái)，所述第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)具有不同的高度，可以在同一基底內(nèi)，在同一步驟中形成具有不同形狀和/或高度的開(kāi)ロ，形成エ藝簡(jiǎn)単。 本發(fā)明的實(shí)施例雖然已以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明的實(shí)施例，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明實(shí)施例的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述掲示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法，包括 提供基底、覆蓋所述基底的第一圖案層、以及覆蓋所述第一圖案層的第二圖案層； 在所述第二圖案層表面形成圖形化的第一犧牲層，所述圖形化的第一犧牲層定義出第一凸臺(tái)圖形； 以圖形化的第一犧牲層為掩膜刻蝕第二圖案層，暴露出所述第一圖案層，并去除第一犧牲層； 形成覆蓋所述第一圖案層和第二圖案層的第二犧牲層； 在所述第二犧牲層表面形成圖形化的第三犧牲層，所述圖形化的第三犧牲層定義出第ニ凸臺(tái)圖形； 以圖形化的第三犧牲層為掩膜刻蝕第二犧牲層和第一圖案層，暴露出所述基底； 去除圖形化的第三犧牲層和第二犧牲層，形成第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)。
2.如權(quán)利要求I所述的雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法，其特征在于，所述第一圖案層的材料為GaAs。
3.如權(quán)利要求I所述的雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法，其特征在于，所述第ニ圖案層的材料為AlGaAs。
4.如權(quán)利要求I所述的雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法，其特征在于，所述去除未被第一犧牲層覆蓋的第二圖案層的形成エ藝為干法刻蝕。
5.如權(quán)利要求4所述的雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的氣體為Cl2和Ar。
6.如權(quán)利要求I所述的雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法，其特征在于，刻蝕第ニ犧牲層和第一圖案層的形成エ藝為干法刻蝕。
7.如權(quán)利要求6所述的雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的氣體為BC13、SF6, N2和He。
8.—種如權(quán)利要求I形成的雙重圖形化的納米壓印模具，包括各自獨(dú)立的第一凸臺(tái)、第二凸臺(tái)和/或相互疊加的第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)。
全文摘要
一種雙重圖形化的納米壓印模具的形成方法，包括提供基底、第一圖案層、第二圖案層；在所述第二圖案層表面形成圖形化的第一犧牲層，所述圖形化的第一犧牲層定義出第一凸臺(tái)圖形；以圖形化的第一犧牲層為掩膜刻蝕第二圖案層，暴露出所述第一圖案層，去除第一犧牲層；形成覆蓋所述第一圖案層和第二圖案層的第二犧牲層；在所述第二犧牲層表面形成圖形化的第三犧牲層，所述圖形化的第三犧牲層定義出第二凸臺(tái)圖形；以圖形化的第三犧牲層為掩膜刻蝕第二犧牲層和第一圖案層，暴露出所述基底；去除圖形化的第三犧牲層和第二犧牲層，形成所述第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)。本發(fā)明的實(shí)施例解決了現(xiàn)有技術(shù)中納米壓印模具單一，多樣圖形的形成工藝復(fù)雜的問(wèn)題。
文檔編號(hào)G03F7/00GK102650822SQ20111004541
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
發(fā)明者張海洋, 洪中山 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司