專(zhuān)利名稱(chēng)：Tft-lcd陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器，尤其是一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay，簡(jiǎn)稱(chēng) TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射、制造成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市 場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-IXD陣列基板是TFT-IXD的重要部件之一，其結(jié)構(gòu)如圖12所示，主 要包括作為襯底的基板，形成在基板上的柵電極41和柵線10，形成在柵電極41和柵線10 上并覆蓋整個(gè)基板的柵絕緣層(未示出)，形成在柵電極上方的半導(dǎo)體層(未示出)、攙雜 半導(dǎo)體層(未示出)和由源電極42、漏電極43組成的源漏電極，同時(shí)形成與柵線10垂直交 叉的數(shù)據(jù)線20，鈍化層(未示出)覆蓋整個(gè)基板，位于漏電極43的上方開(kāi)設(shè)有鈍化層過(guò)孔 44，像素電極30形成在像素區(qū)域，像素電極30通過(guò)鈍化層過(guò)孔44與漏電極43連接。其中 與柵線10連接的柵電極41作為有源元器件的開(kāi)關(guān)，與數(shù)據(jù)線20連接的源電極42和與像 素電極30連接的漏電極43之間形成導(dǎo)電溝道，半導(dǎo)體層作為有源層。從現(xiàn)有技術(shù)TFT-LCD陣列基板的結(jié)構(gòu)可以看出，柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處僅由柵絕 緣層隔開(kāi)絕緣，因此在TFT-LCD陣列基板生產(chǎn)中，柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處容易發(fā)生各種不 良。例如，由于生產(chǎn)中的異物或靜電會(huì)造成柵線和數(shù)據(jù)線之間的短路。當(dāng)發(fā)生柵線/數(shù)據(jù) 線短路(DG Short)時(shí)，需要先后送到邊線修復(fù)(Cut Repair)設(shè)備和化學(xué)氣相沉積(CVD) 設(shè)備進(jìn)行維修，具體流程是先通過(guò)邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路處柵線或數(shù)據(jù)線的兩端切斷， 再送到化學(xué)氣相沉積設(shè)備對(duì)切斷的柵線或數(shù)據(jù)線通過(guò)沉積工藝進(jìn)行連接，不僅工序多，操 作復(fù)雜，時(shí)間長(zhǎng)，而且重新連接位置處的像素在后續(xù)工序中容易再次出現(xiàn)不良，維修成功率 低。另外，柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處也容易發(fā)生柵線斷路(feteOpen)或數(shù)據(jù)線斷路(Data Open)。當(dāng)發(fā)生柵線斷路或數(shù)據(jù)線斷路時(shí)，也需要送到化學(xué)氣相沉積設(shè)備通過(guò)沉積工藝進(jìn)行 連接，同樣存在工序多、時(shí)間長(zhǎng)、維修成功率低等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-IXD陣列基板，以有效解決現(xiàn)有TFT-IXD陣列基板 生產(chǎn)中易發(fā)生柵線和數(shù)據(jù)線短路、柵線斷路或數(shù)據(jù)線斷路等技術(shù)缺陷，并進(jìn)一步解決現(xiàn)有 技術(shù)維修工序多、時(shí)間長(zhǎng)、成功率低等技術(shù)缺陷。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-IXD陣列基板，包括形成在基板上的 柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體管，在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處，位于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的柵 線通過(guò)與所述數(shù)據(jù)線形成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的柵連接線連接，所述柵連接線包括至少二個(gè)第一柵連接線，所述第一柵連接線與所述柵線材料相同，且與所述柵線位于同一層。在上述陣列基板中，優(yōu)選的是，位于所述柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過(guò)與所述柵線形成 雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)連接線連接。所述柵連接線還可以是至少二個(gè)第一柵連接線和至少一個(gè)第二柵連接線，所述第 一柵連接線與所述柵線材料相同，且與所述柵線位于同一層，所述第二柵連接線與所述像 素電極材料相同，且與所述像素電極位于同一層。進(jìn)一步地，所述第一柵連接線為直線或弧線，每個(gè)所述第一柵連接線的寬度為柵 線寬度的1/10 1/3，第一柵連接線之間的距離為柵線寬度的1/10 1/3。所述第二柵連 接線為直線或弧線，所述第二柵連接線的寬度為柵線寬度的1/4 3/2。進(jìn)一步地，所述第二柵連接線可以是通過(guò)二個(gè)鈍化層?xùn)啪€過(guò)孔與位于數(shù)據(jù)線兩側(cè) 的柵線連接。在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述數(shù)據(jù)連接線可以是至少二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線，所述 第一數(shù)據(jù)連接線與所述數(shù)據(jù)線材料相同，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一層。在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述數(shù)據(jù)連接線也可以是至少一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線，所 述第二數(shù)據(jù)連接線與所述像素電極材料相同，且與所述像素電極位于同一層。在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述數(shù)據(jù)連接線還可以是至少二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線和至 少一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線，所述第一數(shù)據(jù)連接線與所述數(shù)據(jù)線材料相同，且與所述數(shù)據(jù)線位 于同一層，所述第二數(shù)據(jù)連接線與所述像素電極材料相同，且與所述像素電極位于同一層。進(jìn)一步地，所述第一數(shù)據(jù)連接線為直線或弧線，每個(gè)所述第一數(shù)據(jù)連接線的寬度 為數(shù)據(jù)線寬度的1/10 1/3，第一數(shù)據(jù)連接線之間的距離為數(shù)據(jù)線寬度的1/10 1/3。所 述第二數(shù)據(jù)連接線為直線或弧線，所述第二數(shù)據(jù)連接線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的1/4 3/2。進(jìn)一步地，所述第二數(shù)據(jù)連接線可以是通過(guò)二個(gè)鈍化層數(shù)據(jù)線過(guò)孔與位于柵線兩 側(cè)的數(shù)據(jù)線連接。本發(fā)明提出了一種TFT-IXD陣列基板，通過(guò)在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處設(shè)置形成雙點(diǎn) 或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的柵連接線和/或數(shù)據(jù)連接線，一方面通過(guò)增加線路冗余，降低發(fā)生柵線 斷路或數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率，另一方面通過(guò)多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)，降低發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路 不良的幾率。與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單點(diǎn)交叉的技術(shù)方案相比，本發(fā)明通過(guò) 在交叉處設(shè)置至少二個(gè)第一柵連接線與數(shù)據(jù)線交叉或設(shè)置至少二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線與柵 線交叉，減少了柵線和數(shù)據(jù)線重疊區(qū)域的面積，減少了生產(chǎn)中該重疊區(qū)域落下異物的幾率， 因此降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率；同時(shí)正常狀態(tài)時(shí)每個(gè)第一柵連接線或第一 數(shù)據(jù)連接線都能導(dǎo)通，當(dāng)其中一個(gè)第一柵連接線或第一數(shù)據(jù)連接線發(fā)生斷路時(shí)仍能保證柵 線或數(shù)據(jù)線導(dǎo)通，因此也降低了發(fā)生柵線斷路或數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率。同時(shí)，即使生產(chǎn) 中出現(xiàn)了柵線/數(shù)據(jù)線短路不良，本發(fā)明TFT-LCD陣列基板也具有修復(fù)簡(jiǎn)單、工序少、時(shí)間 短等優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)一步地，與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單柵線或單數(shù)據(jù)線的技術(shù)方案 相比，本發(fā)明通過(guò)在交叉處設(shè)置至少一個(gè)第二柵連接線或設(shè)置至少一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線， 形成雙柵線結(jié)構(gòu)或雙數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)，通過(guò)增加線路冗余，一方面有效降低了發(fā)生柵線斷路或 數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率，另一方面可以簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序，提高維修 成功率。與發(fā)生短路或斷路時(shí)均采用化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明 TFT-IXD陣列基板不僅修復(fù)工序少，時(shí)間短，而且由于取消了沉積工藝，不會(huì)造成像素不良，維修成功率高。下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第九實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第十實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第i^一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為現(xiàn)有技術(shù)TFT-IXD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明10-柵線；20-數(shù)據(jù)線；30-像素電極；11-第一柵連接線；12-第二柵連接線；13-鈍化層?xùn)啪€過(guò)孔；21-第一數(shù)據(jù)連接線；22-第二數(shù)據(jù)連接線；23-鈍化層數(shù)據(jù)線過(guò)孔；41-柵電極；42-源電極；43-漏電極；44-鈍化層過(guò)孔。
具體實(shí)施例方式圖1為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)施 例TFT-IXD陣列基板的主體結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線10、數(shù)據(jù)線20、像素電極30和薄 膜晶體管(TFT)，交叉設(shè)置的柵線10和數(shù)據(jù)線20限定了像素區(qū)域，像素電極30形成在像素 區(qū)域內(nèi)。具體地，作為開(kāi)關(guān)器件的薄膜晶體管至少包括柵電極41、源電極42和漏電極43， 柵電極41和柵線10位于柵絕緣層之下，源電極42、漏電極43和數(shù)據(jù)線20位于柵絕緣層 之上，其上形成鈍化層，并在漏電極43位置形成鈍化層過(guò)孔44，像素電極30形成在鈍化層 上。柵電極41與柵線10連接，源電極42與數(shù)據(jù)線20連接，像素電極30通過(guò)鈍化層過(guò)孔 44與漏電極43連接，源電極42和漏電極43形成導(dǎo)電溝道。本實(shí)施例中，位于數(shù)據(jù)線20兩 側(cè)的柵線10通過(guò)二個(gè)第一柵連接線11連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的雙點(diǎn)交叉 結(jié)構(gòu)，既保證柵線10的導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線斷路或柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率， 同時(shí)可以簡(jiǎn)化維修不良的工序，提高維修成功率。本實(shí)施例第一柵連接線的材料與柵線相 同，并且與柵線形成在同一層，可以在同一次掩模工藝中同時(shí)制備，第一柵連接線可以為直 線結(jié)構(gòu)，也可以為弧線(如半圓)結(jié)構(gòu)或其它多邊結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單點(diǎn)交叉的技術(shù)方案相比，本實(shí)施例通過(guò)在 交叉處設(shè)置二個(gè)第一柵連接線與數(shù)據(jù)線交叉，一方面減少了柵線和數(shù)據(jù)線重疊區(qū)域的面積，減少了生產(chǎn)中該重疊區(qū)域落下異物的幾率，因此降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的 幾率；另一方面增加了線路冗余，正常狀態(tài)時(shí)二個(gè)第一柵連接線都能導(dǎo)通，當(dāng)其中一個(gè)第一 柵連接線發(fā)生斷路時(shí)仍能保證柵線導(dǎo)通，因此也降低了發(fā)生柵線斷路不良的幾率。進(jìn)一步 地，即使生產(chǎn)中出現(xiàn)了柵線斷路或柵線/數(shù)據(jù)線短路不良，本發(fā)明TFT-LCD陣列基板也具有 修復(fù)簡(jiǎn)單、工序少、時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。例如，如果一個(gè)第一柵連接線和數(shù)據(jù)線之間出現(xiàn)短路時(shí)， 只需通過(guò)邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路的那條第一柵連接線切斷，而信號(hào)仍能通過(guò)另一條第一 柵連接線傳遞。又如，如果一個(gè)第一柵連接線發(fā)生斷路時(shí)，則不需進(jìn)行維修，因?yàn)樾盘?hào)仍能 通過(guò)另一條第一柵連接線傳遞。由此可見(jiàn)，與發(fā)生短路或斷路時(shí)均采用化學(xué)氣相沉積設(shè)備 進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板不僅修復(fù)工序少，時(shí)間短，而且由于 取消了沉積維修工藝，不會(huì)造成像素不良，維修成功率高。在本實(shí)施例上述方案中，第一柵連接線還可以為三個(gè)，也可以為多個(gè)。第一柵連接 線的寬度既取決于掩模工藝的最小精度，又取決于邊線修復(fù)工藝切割的最小精度，優(yōu)選地， 每個(gè)第一柵連接線的寬度為柵線寬度的1/10 1/3，相鄰第一柵連接線之間的距離為柵線 寬度的1/10 1/3。圖2為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實(shí)施 例TFT-LCD陣列基板的主體結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例基本相同，不同之處在于，本實(shí)施例中，位于 柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過(guò)二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉 處的雙點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)，既保證數(shù)據(jù)線20的導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生數(shù)據(jù)線20斷路或柵線/數(shù) 據(jù)線短路不良的幾率，同時(shí)可以簡(jiǎn)化維修不良的工序，提高維修成功率。本實(shí)施例第一數(shù)據(jù) 連接線的材料與數(shù)據(jù)線相同，并且與數(shù)據(jù)線形成在同一層，可以在同一次掩模工藝中同時(shí) 制備，第一數(shù)據(jù)連接線可以為直線結(jié)構(gòu)，也可以為弧線(如半圓)結(jié)構(gòu)或其它多邊結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單點(diǎn)交叉的技術(shù)方案相比，本實(shí)施例通過(guò)在 交叉處設(shè)置二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線與柵線交叉，一方面減少了柵線和數(shù)據(jù)線重疊區(qū)域的面 積，減少了生產(chǎn)中該重疊區(qū)域落下異物的幾率，因此降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的 幾率；另一方面增加了線路冗余，正常狀態(tài)時(shí)二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線都能導(dǎo)通，當(dāng)其中一個(gè) 第一數(shù)據(jù)連接線發(fā)生斷路時(shí)仍能保證數(shù)據(jù)線導(dǎo)通，因此也降低了發(fā)生數(shù)據(jù)線斷路不良的幾 率。進(jìn)一步地，即使生產(chǎn)中出現(xiàn)了數(shù)據(jù)線斷路或柵線/數(shù)據(jù)線短路不良，本實(shí)施例TFT-LCD 陣列基板也具有修復(fù)簡(jiǎn)單、工序少、時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。例如，如果一個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線和柵線 之間出現(xiàn)短路時(shí)，只需通過(guò)邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路的那條第一數(shù)據(jù)連接線切斷，而信號(hào) 仍能通過(guò)另一條第一數(shù)據(jù)連接線傳遞。又如，如果一個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線發(fā)生斷路時(shí)，則不需 進(jìn)行維修，因?yàn)樾盘?hào)仍能通過(guò)另一條第一數(shù)據(jù)連接線傳遞。由此可見(jiàn)，與發(fā)生短路或斷路時(shí) 均采用化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板不僅修復(fù) 工序少，時(shí)間短，而且由于取消了沉積維修工藝，不會(huì)造成像素不良，維修成功率高。在本實(shí)施例上述方案中，第一數(shù)據(jù)連接線還可以為三個(gè)或四個(gè)，也可以為多個(gè)。第 一數(shù)據(jù)連接線的寬度既取決于掩模工藝的最小精度，又取決于邊線修復(fù)工藝切割的最小精 度，優(yōu)選地，每個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的1/10 1/3，相鄰第一數(shù)據(jù)連接線 之間的距離為數(shù)據(jù)線寬度的1/10 1/3。圖3為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本實(shí)施 例是前述第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線10通過(guò)二個(gè)第一柵連接線11連接，位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過(guò)二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21 連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)，既保證柵線10和數(shù)據(jù)線20的有效 導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)除了具有第一實(shí)施 例、第二實(shí)施例的效果外，對(duì)于維修柵線/數(shù)據(jù)線短路不良提供了更多的選擇，可以根據(jù)需 要選擇切斷第一柵連接線或切斷第一數(shù)據(jù)連接線，適用范圍廣，最大限度地提高維修成功 率。圖4為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，本實(shí)施 例TFT-IXD陣列基板的主體結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線10、數(shù)據(jù)線20、像素電極30和薄 膜晶體管，作為開(kāi)關(guān)器件的薄膜晶體管至少包括柵電極41、源電極42和漏電極43，柵電極 41和柵線10位于柵絕緣層之下，源電極42、漏電極43和數(shù)據(jù)線20位于柵絕緣層之上，其 上形成鈍化層，并在漏電極43位置形成鈍化層過(guò)孔44，像素電極30形成在鈍化層上。柵 電極41與柵線10連接，源電極42與數(shù)據(jù)線20連接，像素電極30通過(guò)鈍化層過(guò)孔44與漏 電極43連接，源電極42和漏電極43形成導(dǎo)電溝道。本實(shí)施例中，位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵 線10還通過(guò)二個(gè)鈍化層?xùn)啪€過(guò)孔13與一個(gè)第二柵連接線12連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線 20交叉處的雙柵線結(jié)構(gòu)，既有效降低了發(fā)生柵線斷路不良的幾率，同時(shí)可以簡(jiǎn)化修復(fù)柵線 /數(shù)據(jù)線短路不良的工序，提高維修成功率。本實(shí)施例第二柵連接線的材料與像素電極材料 相同，并且與像素電極形成在同一層。具體地，在制備TFT-IXD陣列基板中形成鈍化層過(guò)孔 44的工藝中，同時(shí)在數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線10上形成二個(gè)鈍化層?xùn)啪€過(guò)孔13，使二個(gè)鈍化 層?xùn)啪€過(guò)孔13暴露出柵線。在形成像素電極工藝中，同時(shí)在柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處附 近形成透明導(dǎo)電材料的第二柵連接線12，且第二柵連接線12的兩端分別通過(guò)鈍化層?xùn)啪€ 過(guò)孔13與柵線10連接，形成本實(shí)施例的雙柵線結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單柵線的技術(shù)方案相比，本實(shí)施例通過(guò)在交 叉處設(shè)置第二柵連接線，通過(guò)增加線路冗余，一方面有效降低了發(fā)生柵線斷路不良的幾率， 另一方面可以簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序，提高維修成功率。正常狀態(tài)時(shí)，柵連 和第二柵連接線都能導(dǎo)通，當(dāng)其中某一路發(fā)生斷路時(shí)仍能保證柵線導(dǎo)通。當(dāng)出現(xiàn)柵線/數(shù) 據(jù)線短路時(shí)，只需通過(guò)邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路的柵線切斷，而信號(hào)仍能通過(guò)第二柵連接 線傳遞。與發(fā)生短路或斷路時(shí)均采用化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施 例TFT-IXD陣列基板不僅修復(fù)工序少，時(shí)間短，而且由于取消了沉積工藝，不會(huì)造成像素不 良，維修成功率高。在本實(shí)施例上述方案中，第二柵連接線還可以為二個(gè)或三個(gè)，也可以為多個(gè)。由于 第二柵連接線采用透明像素電極材料，其寬度具有較大的范圍，優(yōu)選地，第二柵連接線的寬 度為柵線寬度的1/4 2/3，第二柵連接線的形狀可以為方形、多邊形、半圓形或弧形等。圖5為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，本實(shí)施 例是前述第一實(shí)施例和第四實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線10不 僅通過(guò)三個(gè)第一柵連接線11連接，還通過(guò)一個(gè)第二柵連接線12連接，形成柵線10和數(shù)據(jù) 線20交叉處的多點(diǎn)交叉、多柵線結(jié)構(gòu)，既保證柵線10的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/ 數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組 合了第一實(shí)施例和第四實(shí)施例的作用和效果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路 不良的工序，最大限度地提高維修成功率，可以適用更廣泛的需求。
圖6為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，本實(shí)施 例是前述第二實(shí)施例和第四實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，不僅位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線10 通過(guò)一個(gè)第二柵連接線12連接，而且位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過(guò)三個(gè)第一數(shù)據(jù)連 接線21連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的多點(diǎn)交叉、多柵線結(jié)構(gòu)，既保證柵線10和 數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù) 柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組合了第二實(shí)施例和第四實(shí)施例的作用和效 果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序，最大限度地提高維修成功率， 以適用更廣泛的需求。圖7為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，本實(shí)施 例是前述第三實(shí)施例和第四實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，不僅位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線 10通過(guò)三個(gè)第一柵連接線11連接、通過(guò)一個(gè)第二柵連接線12連接，而且位于柵線10兩側(cè) 的數(shù)據(jù)線20通過(guò)三個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的多點(diǎn)交 叉、多柵線結(jié)構(gòu)，既保證柵線10和數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線 短路不良的幾率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組合了第 三實(shí)施例和第四實(shí)施例的作用和效果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的 工序，最大限度地提高維修成功率，以適用更廣泛的需求。圖8為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，本實(shí)施 例TFT-IXD陣列基板的主體結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線10、數(shù)據(jù)線20、像素電極30和薄 膜晶體管，作為開(kāi)關(guān)器件的薄膜晶體管至少包括柵電極41、源電極42和漏電極43，柵電極 41和柵線10位于柵絕緣層之下，源電極42、漏電極43和數(shù)據(jù)線20位于柵絕緣層之上，其 上形成鈍化層，并在漏電極43位置形成鈍化層過(guò)孔44，像素電極30形成在鈍化層上。柵 電極41與柵線10連接，源電極42與數(shù)據(jù)線20連接，像素電極30通過(guò)鈍化層過(guò)孔44與漏 電極43連接，源電極42和漏電極43形成導(dǎo)電溝道。本實(shí)施例中，位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù) 線20還通過(guò)二個(gè)鈍化層數(shù)據(jù)線過(guò)孔23與一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線22連接，形成柵線10和數(shù) 據(jù)線20交叉處的雙數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)，既有效降低了發(fā)生數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率，同時(shí)可以簡(jiǎn)化 修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序，提高維修成功率。本實(shí)施例第二數(shù)據(jù)連接線的材料與 像素電極材料相同，并且與像素電極形成在同一層。具體地，在制備TFT-LCD陣列基板中形 成鈍化層過(guò)孔44的工藝中，同時(shí)在柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20上形成二個(gè)鈍化層數(shù)據(jù)線過(guò)孔 23，使二個(gè)鈍化層數(shù)據(jù)線過(guò)孔23暴露出數(shù)據(jù)線。在形成像素電極工藝中，同時(shí)在柵線10和 數(shù)據(jù)線20交叉處附近形成透明導(dǎo)電材料的第二數(shù)據(jù)連接線22，且第二數(shù)據(jù)連接線22的兩 端分別通過(guò)鈍化層數(shù)據(jù)線過(guò)孔23與數(shù)據(jù)線20連接，形成本實(shí)施例的雙數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單數(shù)據(jù)線的技術(shù)方案相比，本實(shí)施例通過(guò)在 交叉處設(shè)置第二數(shù)據(jù)連接線，通過(guò)增加線路冗余，一方面有效降低了發(fā)生數(shù)據(jù)線斷路不良 的幾率，另一方面可以簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序，提高維修成功率。正常狀態(tài) 時(shí)，數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)連接線都能導(dǎo)通，當(dāng)其中某一路發(fā)生斷路時(shí)仍能保證數(shù)據(jù)線導(dǎo)通。當(dāng) 出現(xiàn)柵線/數(shù)據(jù)線短路時(shí)，只需通過(guò)邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路的數(shù)據(jù)線切斷，而信號(hào)仍能 通過(guò)第二數(shù)據(jù)連接線傳遞。與發(fā)生短路或斷路時(shí)均采用化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn) 有技術(shù)相比，本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板不僅修復(fù)工序少，時(shí)間短，而且由于取消了沉積工 藝，不會(huì)造成像素不良，維修成功率高。
在本實(shí)施例上述方案中，第二數(shù)據(jù)連接線還可以為二個(gè)或三個(gè)，也可以為多個(gè)。由 于第二數(shù)據(jù)連接線采用透明像素電極材料，其寬度具有較大的范圍，優(yōu)選地，第二數(shù)據(jù)連接 線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的1/4 2/3，第二數(shù)據(jù)連接線的形狀可以為方形、多邊形、半圓形 或弧形等。圖9為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第九實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，本實(shí)施 例是前述第一實(shí)施例和第八實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，不僅位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線10 通過(guò)三個(gè)第一柵連接線11連接，而且位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過(guò)一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接 線22連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的多點(diǎn)交叉、多數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)，既保證柵線10和 數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù) 柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組合了第一實(shí)施例和第八實(shí)施例的作用和效 果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序，最大限度地提高維修成功率， 以適用更廣泛的需求。圖10為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第十實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖10所示，本實(shí) 施例是前述第二實(shí)施例和第八實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20 不僅通過(guò)三個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21連接，而且還通過(guò)一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線22連接，形成柵線 10和數(shù)據(jù)線20交叉處的多點(diǎn)交叉、多數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)，既保證數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通，又有效降 低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本 實(shí)施例結(jié)構(gòu)組合了第二實(shí)施例和第八實(shí)施例的作用和效果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線 /數(shù)據(jù)線短路不良的工序，最大限度地提高維修成功率，可以適用更廣泛的需求。圖11為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第i^一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11所示，本 實(shí)施例是前述第三實(shí)施例和第八實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，不僅位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵 線10通過(guò)三個(gè)第一柵連接線11連接，而且位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過(guò)三個(gè)第一數(shù) 據(jù)連接線21連接、通過(guò)一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線22連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的多 點(diǎn)交叉、多數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)，既保證柵線10和數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/ 數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組 合了第三實(shí)施例和第八實(shí)施例的作用和效果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路 不良的工序，最大限度地提高維修成功率，以適用更廣泛的需求。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照 較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的 技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體 管，其特征在于，在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處，位于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的柵線通過(guò)與所述數(shù)據(jù)線形 成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的柵連接線連接，所述柵連接線包括至少二個(gè)第一柵連接線，所述 第一柵連接線與所述柵線材料相同，且與所述柵線位于同一層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于位于所述柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù) 線通過(guò)與所述柵線形成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)連接線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，所述柵連接線還包括至少一 個(gè)第二柵連接線，所述第二柵連接線與所述像素電極材料相同，且與所述像素電極位于同 一層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一柵連接線為直線或 弧線，每個(gè)所述第一柵連接線的寬度為柵線寬度的1/10 1/3，第一柵連接線之間的距離 為柵線寬度的1/10 1/3。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二柵連接線為直線或 弧線，所述第二柵連接線的寬度為柵線寬度的1/4 3/2。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二柵連接線通過(guò)二個(gè) 鈍化層?xùn)啪€過(guò)孔與位于數(shù)據(jù)線兩側(cè)的柵線連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)連接線為至少二個(gè) 第一數(shù)據(jù)連接線，所述第一數(shù)據(jù)連接線與所述數(shù)據(jù)線材料相同，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一 層。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)連接線為至少一個(gè) 第二數(shù)據(jù)連接線，所述第二數(shù)據(jù)連接線與所述像素電極材料相同，且與所述像素電極位于同一層。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)連接線為至少二 個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線和至少一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線，所述第一數(shù)據(jù)連接線與所述數(shù)據(jù)線材料相 同，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一層，所述第二數(shù)據(jù)連接線與所述像素電極材料相同，且與所述 像素電極位于同一層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一數(shù)據(jù)連接線為直 線或弧線，每個(gè)所述第一數(shù)據(jù)連接線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的1/10 1/3，第一數(shù)據(jù)連接線 之間的距離為數(shù)據(jù)線寬度的1/10 1/3。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二數(shù)據(jù)連接線為直 線或弧線，所述第二數(shù)據(jù)連接線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的1/4 3/2。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，所述第二數(shù)據(jù)連接線通過(guò) 二個(gè)鈍化層數(shù)據(jù)線過(guò)孔與位于柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體管，在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處，位于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的柵線通過(guò)與所述數(shù)據(jù)線形成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的柵連接線連接，柵連接線包括至少二個(gè)第一柵連接線，第一柵連接線與柵線材料相同，且與柵線位于同一層。本發(fā)明通過(guò)在交叉處設(shè)置至少二個(gè)第一柵連接線與數(shù)據(jù)線交叉，不僅降低了發(fā)生柵線短路不良的幾率，而且降低了發(fā)生柵線斷路不良的幾率，同時(shí)本發(fā)明TFT-LCD陣列基板還具有當(dāng)柵線發(fā)生短路和短路不良時(shí)修復(fù)簡(jiǎn)單、工序少、時(shí)間短和維修成功率高等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102081271SQ201110045388
公開(kāi)日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月7日
發(fā)明者權(quán)基瑛, 申偉 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司