專利名稱：顯示基板、其制造方法以及具有該顯示基板的顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實施方式涉及一種顯示基板、制造該顯示基板的方法、以及包括 該顯示基板的顯示設(shè)備。更具體地，本發(fā)明的示例性實施方式涉及具有改進(jìn)的顯示質(zhì)量的 顯示基板、制造該顯示基板的方法、以及具有該顯示基板的顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(IXD)設(shè)備包括IXD面板和向IXD面板提供光的背光。IXD面板可 包括陣列基板、面對該陣列基板的濾色片基板、以及設(shè)置在陣列基板與濾色片基板之間的 液晶層。多個薄膜晶體管可設(shè)置在陣列基板上。濾色片可形成在濾色片基板上。LCD設(shè)備 可根據(jù)液晶的排列變化利用透光率來顯示灰階。例如，陣列基板可包括數(shù)據(jù)線、柵極線、以及像素電極。數(shù)據(jù)線和柵極線電連接至 薄膜晶體管。像素電極布置在像素區(qū)域中并電連接至薄膜晶體管。像素電極是液晶電容器 的第一電極。濾色片基板可包括作為液晶電容器的第二電極的公共電極。布置在像素電極 與公共電極之間的液晶的排列隨像素電極和公共電極形成的電場的強(qiáng)度而改變。在數(shù)據(jù)線與相鄰的像素電極(所述像素電極接收到與該數(shù)據(jù)線的電壓不同的電 壓)之間可能產(chǎn)生耦合電容，并且該耦合電容可能產(chǎn)生諸如偏色(color shift)的顯示缺 陷。另外，在LCD設(shè)備中，根據(jù)視角的不同，在LCD設(shè)備的側(cè)部或正面感受到的穿過液 晶層的光可能不相同。例如，在像素電極和數(shù)據(jù)線彼此鄰接的區(qū)域中，根據(jù)視角可能出現(xiàn)光 泄漏，因此會產(chǎn)生顯示缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施方式提供一種具有高顯示質(zhì)量的顯示基板。本發(fā)明的示例性實施方式還提供一種制造所述顯示基板的方法。本發(fā)明的示例性實施方式還提供一種包括所述顯示基板的顯示設(shè)備。本發(fā)明的其他特征將在下面的描述中闡述，并且所述特征從所述描述中部分地顯 而易見、或者可通過本發(fā)明的實踐而獲得。本發(fā)明的一個示例性實施方式公開了一種顯示基板，其包括像素電極，設(shè)置在一 基板上的像素區(qū)域中；第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置在像素電極的第一側(cè)且電連接至像素電極；浮動 電極，與第一數(shù)據(jù)線部分地重疊；第二數(shù)據(jù)線，設(shè)置在像素電極的第二側(cè)；以及存儲電極， 與像素電極重疊且與第二數(shù)據(jù)線間隔開。本發(fā)明的示例性實施方式還公開了一種用于制造顯示基板的方法，所述方法包 括在一基板上的像素區(qū)域中形成第一導(dǎo)電圖案，該第一導(dǎo)電圖案包括浮動電極和存儲電 極；在形成有第一導(dǎo)電圖案的基板上形成第二導(dǎo)電圖案，該第二導(dǎo)電圖案包括與浮動電極 部分地重疊的第一數(shù)據(jù)線和與存儲電極間隔開的第二數(shù)據(jù)線；以及在形成有第二導(dǎo)電圖案 的基板上的像素區(qū)域中形成像素電極，該像素電極電連接至第一數(shù)據(jù)線。
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本發(fā)明的一個示例性實施方式還公開了一種顯示設(shè)備，其包括顯示基板以及面對 所述顯示基板且包括公共電極的相對基板，所述顯示基板包括像素電極，設(shè)置在一基板上 的像素區(qū)域中；第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置在像素電極的第一側(cè)且電連接至像素電極；浮動電極，與 第一數(shù)據(jù)線部分地重疊，所述浮動電極電性浮動；第二數(shù)據(jù)線，設(shè)置在像素電極的第二側(cè)； 以及存儲電極，與像素電極重疊且與第二數(shù)據(jù)線間隔開，其中所述存儲電極被構(gòu)造成接收 電壓。應(yīng)該理解的是，前面的概述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，旨在對要 求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


被包括進(jìn)來以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解且合并于說明書中并構(gòu)成說明書一部 分的附圖示出了本發(fā)明的示例性實施方式，附圖連同具體描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施方式的顯示設(shè)備的平面圖。圖2是沿圖1中的線I-I'截取的橫截面圖。圖3A和圖3B分別是圖示了形成圖2顯示基板的第一導(dǎo)電圖案的方法的橫截面圖 和平面圖。圖4A和圖4B分別是圖示了形成圖2顯示基板的第二導(dǎo)電圖案的方法的橫截面圖 和平面圖。圖5A和圖5B分別是圖示了形成圖2顯示基板的濾色片層的方法的橫截面圖和平 面圖。圖6A和圖6B分別是圖示了形成圖2顯示基板的接觸孔的方法的橫截面圖和平面 圖。圖7A和圖7B分別是圖示了形成圖2顯示基板的透明電極層的方法的橫截面圖和 平面圖。圖8A和圖8B是圖示了由圖2的顯示基板防止偏色和光泄漏的概念圖。圖9是圖示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖。圖10A、圖10B、圖IOC和圖IOD是圖示了制造圖9顯示設(shè)備的方法的橫截面圖。
具體實施例方式下文參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的示例性實施方式。然而， 本發(fā)明可以以多種不同方式體現(xiàn)，不應(yīng)認(rèn)為其局限于本文所述的實施方式。相反，提供這些 示例性實施方式是為了使本發(fā)明的公開內(nèi)容更詳盡，并將本發(fā)明的保護(hù)范圍充分地傳達(dá)給 本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，可放大層和區(qū)域的尺寸以及相對尺寸。附圖中 的相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。應(yīng)該理解的是，當(dāng)說到一元件或?qū)游挥诹硪辉驅(qū)印吧稀被颉斑B接至”另一元件 或?qū)訒r，該元件或?qū)涌芍苯游挥诹硪辉驅(qū)由匣蛑苯舆B接至另一元件或?qū)?，或者可能?在插入元件或?qū)?。相反，?dāng)說到一元件“直接”位于另一元件或?qū)由匣颉爸苯舆B接至”另一 元件或?qū)訒r，則不存在插入元件或?qū)?。正如本文所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個所列相關(guān)項目中的任何一個和所有組合。應(yīng)該理解的是，盡管本文可使用術(shù)詞第一、第二、第三等來描述各種元件、部件、區(qū) 域、層、和/或部分，但這些元件、部件、區(qū)域、層、和/或部分不受這些術(shù)語所限。這些術(shù)語僅 用來將一個元件、部件、區(qū)域、層、或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層、或部分區(qū)分開。因此， 在不背離本發(fā)明的教導(dǎo)的前提下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層、或部分也可命名為 第二元件、部件、區(qū)域、層、或部分。為了易于描述，本文可使用空間關(guān)系術(shù)語，例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、 “上部”及類似詞，以描述附圖所示的一個元件或特征相對于另一個(或多個)元件或特征 的關(guān)系。可以理解，除了圖中示出的方位外，空間關(guān)系術(shù)語還旨在包括設(shè)備在使用或操作中 的不同方位。例如，如果將附圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在其它元件或特征“下方”或 “下面”的元件將定位在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性術(shù)語“下方”可以包括“上 方”和“下方”兩個方位?？梢詫⒃O(shè)備以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90°或處于其它方位)，并且 相應(yīng)地對本文使用的空間相對關(guān)系術(shù)語進(jìn)行解釋。這里所使用的術(shù)語僅用于描述特定示例性實施方式的目的，而并不用于限制本發(fā) 明。除非文中清楚地指明是其它情況，否則這里所使用的單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”也 旨在包括復(fù)數(shù)形式。還可以理解，當(dāng)術(shù)語“包含”和/或“包括”用于本說明書中時，表明存 在所述的特征、整體、步驟、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或附加有一個或多個 其它的特征、整體、步驟、操作、元件、部件、和/或其組合。以下，將參照作為本發(fā)明理想化示例性實施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的橫截 面圖來描述本發(fā)明的示例性實施方式。因此，可以預(yù)料到由于例如制造技術(shù)和/或公差而 造成的與圖示形狀的差異。所以，本發(fā)明不應(yīng)該被理解為局限于這里所示區(qū)域的特定形狀， 而是應(yīng)該包括由于例如制造而造成的形狀上的偏差。因此，圖中所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意 性的，它們的形狀不旨在描述設(shè)備的一區(qū)域的實際形狀，并且也不旨在限制本發(fā)明的范圍。除非另外限定，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科技術(shù)語)的含義與本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常所理解的相同。還應(yīng)該進(jìn)一步理解的是，諸如通用字 典中定義的那些術(shù)語應(yīng)解釋為具有與相關(guān)技術(shù)的情景中的含義相一致的含義，并且不應(yīng)將 這些術(shù)語解釋為理想化的或過于正式的含義，除非文中特別限定。下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施方式的顯示設(shè)備的平面圖。圖2是沿圖1 中的線Ι-Γ截取的橫截面圖。參照圖1和圖2，顯示設(shè)備500A包括顯示基板100、相對基板200、以及液晶層300。顯示基板100包括第一基板101、晶體管層TRL、濾色片層CFL、以及透明電極層 TEL。晶體管層TRL包括第一導(dǎo)電圖案、絕緣層110、第二導(dǎo)電圖案、以及保護(hù)層130。絕 緣層Iio和保護(hù)層130可包含有機(jī)材料或無機(jī)材料?？商鎿Q地，絕緣層110和保護(hù)層130 可由包含有機(jī)材料和無機(jī)材料的多層制成。第一導(dǎo)電圖案包括設(shè)置在第一基板101上的第η條柵極線GLru第η條存儲電極線 STLn,以及第m個浮動電極FEm( “m”和“η”是自然數(shù))。第η條柵極線GLn沿第一方向延伸，且包括多個柵電極。例如，第η條柵極線GLn包括設(shè)置在第m個像素區(qū)域Pm中的柵電極GE。第η條存儲電極線STLn包括沿第一方向延伸的第η條存儲線SLru連接至第η條 存儲線SLn的多個存儲電極、以及連接至第η條存儲線SLn的多個凸出電極。第η條存儲 電極線STLn接收存儲公共電壓。存儲電極可鄰近于數(shù)據(jù)線且基本上平行于數(shù)據(jù)線而設(shè)置。所述多個凸出電極可鄰 近于多個柵電極設(shè)置。例如，第m個存儲電極STm連接至第η條存儲線SLn并鄰近且基本上平行于第 (m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1而設(shè)置在第m個像素區(qū)域Pm中。第m個凸出電極Em連接至第η條 存儲線SLn，并鄰近于柵電極GE而設(shè)置在第m個像素區(qū)域Pm中。第m個存儲電極STm是 限定在第m個像素區(qū)域Pm中的存儲電容器的公共電極，并且另外可以遮擋泄漏至鄰近于第 (m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1的區(qū)域的光。第m個浮動電極FEm與第m條數(shù)據(jù)線DLm部分地重疊，并設(shè)置成基本上平行于第m 條數(shù)據(jù)線DLm。第m個浮動電極FEm電性浮動，并且可遮擋泄漏至鄰近于第m條數(shù)據(jù)線DLm 的區(qū)域的光。第m個浮動電極FEm的寬度可大于第m個存儲電極STm的寬度。第m個浮動 電極FEm與第(m-1)個存儲電極STm-I間隔開。絕緣層110設(shè)置在設(shè)有第一導(dǎo)電圖案的第一基板101上，以便覆蓋第一導(dǎo)電圖案。第二導(dǎo)電圖案包括第m條數(shù)據(jù)線DLm、接觸電極CE、以及第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1。第m條數(shù)據(jù)線DLm沿與第一方向交叉的第二方向延伸，并且包括多個源電極。例 如，第m條數(shù)據(jù)線DLm與第(m_l)個存儲電極STm-I間隔開，并設(shè)置在與第m個浮動電極 FEm部分重疊的區(qū)域中。第m條數(shù)據(jù)線DLm可包括設(shè)置在第m個像素區(qū)域Pm中的源電極 SE。接觸電極CE設(shè)置在設(shè)有第m個凸出電極Em的區(qū)域中，并與第m個凸出電極Em重疊。 接觸電極CE包括設(shè)置在與源電極SE間隔開的區(qū)域中的漏電極DE。第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1面對第m條數(shù)據(jù)線DLm。第m個像素區(qū)域Pm設(shè)置在第 (m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1與第m條數(shù)據(jù)線DLm之間。第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1可包括多個源 電極。具有第m條數(shù)據(jù)線DLm、接觸電極CE、以及第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1的第二導(dǎo)電圖 案可進(jìn)一步包括溝道圖案CH。溝道圖案CH可包括半導(dǎo)體層和歐姆接觸層。連接至第η條柵極線GLn和第m條數(shù)據(jù)線DLm的晶體管TR可由柵電極GE、源電極 SE、漏電極DE、以及溝道圖案CH限定。第m個像素區(qū)域Pm中的存儲電容器可由第m個凸 出電極Em、絕緣層110、以及接觸電極CE限定。保護(hù)層130設(shè)置成覆蓋設(shè)有第二導(dǎo)電圖案的第一基板101上的第二導(dǎo)電圖案。濾色片層CFL包括遮光圖案BM、多個濾色片(包括第一濾色片CF1、第二濾色片 CF2、以及第三濾色片CF3，見圖5B所示)、以及覆蓋層150。濾色片層CFL可以省去覆蓋層 150。遮光圖案BM可設(shè)置在設(shè)有第一和第二導(dǎo)電圖案的區(qū)域中。例如，遮光圖案BM設(shè) 置成與設(shè)有第η條柵極線GLru第η條存儲電極線STLn、第m條數(shù)據(jù)線DLm、接觸電極CE、以 及第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1的區(qū)域相對應(yīng)。第一濾色片CF1、第二濾色片CF2、以及第三濾色片CF3中的每一個均設(shè)置在相鄰 數(shù)據(jù)線之間的區(qū)域中。例如，第一濾色片CFl設(shè)置在第m條數(shù)據(jù)線DLm與第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1之間的區(qū)域中，第二濾色片CF2設(shè)置在第m條數(shù)據(jù)線DLm與第(m_l)條數(shù)據(jù)線(未示 出)之間的區(qū)域中，并且第三濾色片CF3設(shè)置第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1與第(m+2)條數(shù)據(jù) 線(未示出)之間的區(qū)域中。因此，第一濾色片CFl可設(shè)置在第m個像素區(qū)域Pm中，第二 濾色片CF2可設(shè)置在第(m-1)個像素區(qū)域Pm-I中，并且第三濾色片CF3可設(shè)置在第(m+1) 個像素區(qū)域Pm+1中。覆蓋層150設(shè)置成覆蓋第一基板101上的遮光圖案BM以及第一濾色片CF1、第二 濾色片CF2和第三濾色片CF3，使得顯示基板100平坦化。透明電極層TEL包括多個像素電極和第一配向?qū)?70。例如，第m個像素電極PEm可設(shè)置在與第η條柵極線GLru第m條數(shù)據(jù)線DLm、以及 第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1相對應(yīng)的第m個像素區(qū)域Pm中。第(m_l)個像素電極PEm-I可設(shè) 置在與第η條柵極線GLru第(m_l)條數(shù)據(jù)線(未示出)、以及第m條數(shù)據(jù)線DLm相對應(yīng)的 第(m-1)個像素區(qū)域Pm-I中。第(m+1)個像素電極PEm+1可設(shè)置在與第η條柵極線GLn、 第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1、以及第(m+2)條數(shù)據(jù)線(未示出)相對應(yīng)的第(m+1)個像素區(qū)域 Pm+1 中。第m個像素電極PEm通過開口 H電連接至晶體管TR，所述晶體管連接至第η條柵 極線GLn和第m條數(shù)據(jù)線DLm。第m個像素電極PEm設(shè)置成與第m個存儲電極STm重疊。 第m個像素電極PEm和第m個存儲電極STm可限定第m個像素區(qū)域Pm的存儲電容器。第一配向?qū)?70設(shè)置成覆蓋第一基板101上的第(m-1)個像素電極PEm-I、第m個 像素電極PEm以及第(m+1)個像素電極PEm+1。第一配向?qū)?70初始排列液晶層300的液
曰
曰曰°相對基板200包括第二基板201、公共電極210以及第二配向?qū)?30。公共電極 210設(shè)置在第二基板201上，并可與第(m-1)個像素電極PEm-I、第m個像素電極PEm和第 (m+1)個像素電極PEm+1中的每一個以及液晶層300 —起限定液晶電容器。第二配向?qū)?30 設(shè)置在公共電極210上，且初始排列液晶層300的液晶。在下文中，將參照圖3A、圖3B、圖4A、圖4B、圖5A、圖5B、圖6A、圖6B、圖7A和圖7B 來描述制造顯示基板100的方法。圖3A和3B分別是圖示了形成圖2顯示基板的第一導(dǎo)電圖案的方法的橫截面圖和 平面圖。參照圖2、圖3A和圖3B，在第一基板101上形成第一導(dǎo)電層，并對第一導(dǎo)電層圖案 化以形成第一導(dǎo)電圖案。第一導(dǎo)電圖案包括第η條柵極線GLru第η條存儲電極線STLn、以 及第m個浮動電極FEm。第η條柵極線GLn沿第一方向延伸，且包括柵電極GE。第η條存儲電極線STLn包 括沿第一方向延伸的第η條存儲線SLru連接至第η條存儲線SLn且沿與第一方向交叉的 第二方向延伸的第m個存儲電極STm、以及連接至第η條存儲線SLn且鄰近于柵電極GE的 第m個凸出電極Em。第η條存儲電極線STLn接收存儲公共電壓。第m個浮動電極FEm與第m個存儲電極STm間隔開。第m個浮動電極FEm遮擋光 泄漏。第m個浮動電極FEm的寬度可大于第m個存儲電極STm的寬度。在形成有第一導(dǎo)電圖案的第一基板101上形成絕緣層110。圖4A和圖4B分別是圖示了形成圖2顯示基板的第二導(dǎo)電圖案的方法的橫截面圖和平面圖。參照圖2、圖4A和圖4B，在絕緣層110上形成溝道層和第二導(dǎo)電層。溝道層可包 括半導(dǎo)體層和歐姆接觸層。使用相同的掩模同時對溝道層和第二導(dǎo)電層圖案化，以便形成 第二導(dǎo)電圖案。第二導(dǎo)電圖案具有包括第二導(dǎo)電層和溝道層的雙層結(jié)構(gòu)，并且包括第m條數(shù)據(jù)線 DLm、接觸電極CE、以及第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1。第m條數(shù)據(jù)線DLm、接觸電極CE、以及第 (m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1中的每一個都包括溝道圖案CH。第m條數(shù)據(jù)線DLm沿第二方向延伸，并包括源電極SE。第m條數(shù)據(jù)線DLm與第m 個存儲電極STm間隔開，并且形成在與第m個浮動電極FEm部分重疊的區(qū)域中。因此，第m 個浮動電極FEm可遮擋從鄰近于第m條數(shù)據(jù)線DLm的區(qū)域泄漏的光。源電極SE形成在柵 電極GE之上。接觸電極CE與第m個凸出電極Em部分地重疊。接觸電極CE包括形成在柵電極 GE之上的漏電極DE。漏電極DE與源電極SE間隔開并露出溝道圖案CH。第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1面對第m條數(shù)據(jù)線DLm，且包括多個源電極?？捎蓶烹姌OGE、源電極SE、漏電極DE以及溝道圖案CH限定連接至第η條柵極線 GLn和第m條數(shù)據(jù)線DLm的晶體管TR。可由第m個凸出電極Em、絕緣層110、以及接觸電極 CE限定第m個像素區(qū)域Pm的存儲電容器。在其上形成有第二導(dǎo)電圖案的第一基板101上形成保護(hù)層130。保護(hù)層130可包 含有機(jī)材料或無機(jī)材料。可替換地，保護(hù)層130可由包含有機(jī)材料和無機(jī)材料的多層制成。 從而，在第一基板101上形成晶體管層TRL。在本示例性實施方式中，利用相同的掩模同時對溝道層和第二導(dǎo)電層圖案化?？?替換地，可利用第一掩模對溝道層圖案化，并且可利用第二掩模對第二導(dǎo)電層圖案化。圖5A和圖5B分別是圖示了形成圖2顯示基板的濾色片層的方法的橫截面圖和平 面圖。參照圖2，圖5A和圖5B，在其上形成有保護(hù)層130的第一基板101上形成遮光層， 并對遮光層圖案化以形成遮光圖案BM。遮光圖案BM形成在形成有第η條柵極線GLru第η條存儲電極線STLn、第m條數(shù) 據(jù)線DLm、接觸電極CE、第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1、以及晶體管TR的區(qū)域中。遮光圖案BM在 第一基板101的整個區(qū)域上可具有矩陣形狀。在其上形成有遮光圖案BM的第一基板101上形成彩色光刻膠層(color photoresist layer)，并且對該彩色光刻膠層圖案化以形成濾色片。例如，在第一基板101上形成第一彩色光刻膠層并對第一彩色光刻膠層圖案化， 從而在第一區(qū)域中形成第一濾色片CFl。在形成有第一濾色片CFl的第一基板101上形成 第二彩色光刻膠層并對第二彩色光刻膠層圖案化，從而在第二區(qū)域中形成第二濾色片CF2。 在形成有第一濾色片CFl和第二濾色片CF2的第一基板101上形成第三彩色光刻膠層并 對第三彩色光刻膠層圖案化，從而在第三區(qū)域中形成第三濾色片CF3。第一區(qū)域可由第m條 數(shù)據(jù)線DLm和第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1限定，第二區(qū)域可由第(m_l)條數(shù)據(jù)線(未示出) 和第m條數(shù)據(jù)線DLm限定，而第三區(qū)域可由第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1和第(m+2)條數(shù)據(jù)線 (未示出)限定。
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從而，在第m個像素區(qū)域Pm中形成第一濾色片CF1，在第(m_l)個像素區(qū)域Pm_l 中形成第二濾色片CF2，并且在第(m+1)個像素區(qū)域Pm+1中形成第三濾色片CF3。穿過接觸電極CE上的遮光圖案BM以及第一濾色片CFl、第二濾色片CF2和第三濾 色片CF3而形成露出保護(hù)層130的開口 H。這樣，在第一基板101上形成濾色片層CFL。圖6A和圖6B分別是圖示了形成圖2顯示基板的接觸孔的方法的橫截面圖和平面 圖。參照圖2、圖6A以及圖6B，在形成有第一濾色片CF1、第二濾色片CF2和第三濾色 片CF3的第一基板101上形成覆蓋層150。覆蓋層150可包含有機(jī)材料或無機(jī)材料?？商?換地，覆蓋層150可由包含有機(jī)材料和無機(jī)材料的多層制成。穿過接觸電極CE上的覆蓋層 150而形成露出保護(hù)層130的開口 H。覆蓋層150可省去。對通過開口 H露出的保護(hù)層130進(jìn)行蝕刻以形成接觸孔135，所述保護(hù)層是通過在 形成有濾色片層CFL的第一基板101上進(jìn)行蝕刻工藝而露出的。通過接觸孔135而露出接 觸電極CE。圖7A和圖7B分別是圖示了形成圖2顯示基板的透明電極層的方法的橫截面圖和 平面圖。參照圖2、圖7A以及圖7B，在第一基板101 (穿過該第一基板形成有接觸孔135) 上形成透明導(dǎo)電層，并對透明導(dǎo)電層圖案化以形成包括第(m-Ι)個像素電極PEm-1、第m個 像素電極PEm和第(m+1)個像素電極PEm+1的多個像素電極。例如，在第m個像素區(qū)域Pm中形成第m個像素電極PEm，在第(m_l)個像素區(qū)域 Pm-I中形成第(m-Ι)個像素電極PEm-1，并且在第(m+1)個像素區(qū)域Pm+1中形成第(m+1) 個像素電極PEm+1。在第m個像素區(qū)域Pm中，第m個像素電極PEm與第m個存儲電極STm 重疊。第m個像素電極PEm通過接觸孔135與接觸電極CE進(jìn)行接觸，并與晶體管TR的漏 電極DE電連接。可在第m個像素電極PEm與第m個存儲電極STm重疊的區(qū)域中限定第m個像素區(qū) 域Pm中的存儲電容器。圖8A和圖8B是圖示了由圖2的顯示基板防止偏色和光泄漏的概念圖。參照圖2和圖8A，第(m-Ι)個存儲電極STm-I和第m個浮動電極FEm設(shè)置在第m 條數(shù)據(jù)線DLm的側(cè)部。第(m-Ι)個存儲電極STm-I與第m條數(shù)據(jù)線DLm間隔開，且設(shè)置在 第m條數(shù)據(jù)線DLm的第一側(cè)，而第m個浮動電極FEm與第m條數(shù)據(jù)線DLm部分地重疊，且設(shè) 置在第m條數(shù)據(jù)線DLm的第二側(cè)。第m個像素電極PEm設(shè)置成與第m個浮動電極FEm部分 地重疊。第m個浮動電極FEm電性浮動，并與第m個像素電極PEm部分重疊。第m個浮動 電極FEm的電勢電平(potential level)可根據(jù)與第m個浮動電極FEm重疊的第m個像素 電極PEm的電勢電平而改變。第m個浮動電極FEm受形成在第m個像素區(qū)域Pm中的第m個像素電極PEm的電勢 電平影響，而不受鄰近于第m個浮動電極且形成在第(m-Ι)個像素區(qū)域Pm-I中的第(m_l) 個像素電極PEm-I的電勢電平影響。因此，可防止由于鄰近于第m個浮動電極的第(m_l) 個像素電極PEm-I的耦合電容而造成的偏色。
參照圖8B，第(m-1)個存儲電極STm-I和第m個浮動電極FEm設(shè)置在第m條數(shù)據(jù) 線DLm的側(cè)部。第(m-1)個存儲電極STm-I與第m條數(shù)據(jù)線DLm間隔開，且設(shè)置在第m條 數(shù)據(jù)線DLm的第一側(cè)，而第m個浮動電極FEm與第m條數(shù)據(jù)線DLm部分地重疊，且設(shè)置在第 m條數(shù)據(jù)線DLm的第二側(cè)。根據(jù)工藝容限(process margin)，遮光圖案BM未形成在中心位置BMA，而是形成 在偏移至中心位置BMA—側(cè)的偏移位置中。在這種情況下，由于形成了與第m條數(shù)據(jù)線DLm 部分地重疊的第m個浮動電極FEm，因而可遮擋從第m條數(shù)據(jù)線DLm與第m個像素電極PEm 之間的區(qū)域泄漏的光。因此，第m個浮動電極FEm可根據(jù)視角而遮擋光泄漏。根據(jù)本示例性實施方式，可減少偏色并可防止光泄漏。在下文中，使用相同的附圖標(biāo)記來表示與以上所述相同或類似的部件，因此將省 略任何重復(fù)的描述。圖9是圖示了根據(jù)本發(fā)明一示例性實施方式的顯示設(shè)備的橫截面圖。參照圖1和圖9，顯示設(shè)備500B包括顯示基板100、相對基板200、以及液晶層300。顯示基板100包括第一基板101、晶體管層TRL、濾色片層CFL、以及透明電極層 TEL。晶體管層TRL包括第一導(dǎo)電圖案、絕緣層110、第二導(dǎo)電圖案以及保護(hù)層130。第一導(dǎo)電圖案包括設(shè)置在第一基板101上的第η條柵極線GLru第η條存儲電極線 STLn以及第m個浮動電極FEm。第η條存儲電極線STLn包括沿第一方向延伸的第η條存儲線SLru連接至第η條 存儲線SLn的多個存儲電極、以及連接至第η條存儲線SLn的多個凸出電極。第η條存儲 電極線STLn接收存儲公共電壓。例如，第m個存儲電極STm連接至第η條存儲線SLn，并鄰近且基本上平行于第 (m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1而設(shè)置在第m個像素區(qū)域Pm中。第m個凸出電極Em連接至第η條 存儲線SLn，并鄰近于柵電極GE而設(shè)置在第m個像素區(qū)域Pm中。第m個存儲電極STm是 限定在第m個像素區(qū)域Pm中的存儲電容器的公共電極，并且另外可以遮擋泄漏至鄰近于第 (m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1的區(qū)域的光。第m個浮動電極FEm與第m條數(shù)據(jù)線DLm部分地重疊，并設(shè)置成基本上平行于第m 條數(shù)據(jù)線DLm。第m個浮動電極FEm電性浮動，并且可遮擋泄漏至鄰近于第m條數(shù)據(jù)線DLm 的區(qū)域的光。第m個浮動電極FEm的寬度可大于第m個存儲電極STm的寬度。絕緣層110設(shè)置在設(shè)有第一導(dǎo)電圖案的第一基板101上，以便覆蓋第一導(dǎo)電圖案。第二導(dǎo)電圖案包括第m條數(shù)據(jù)線DLm、接觸電極CE、以及第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1。第m條數(shù)據(jù)線DLm沿與第一方向交叉的第二方向延伸，并且包括多個源電極。例 如，第m條數(shù)據(jù)線DLm與第(m_l)個存儲電極STm-I間隔開，并設(shè)置在與第m個浮動電極 FEm部分重疊的區(qū)域中。第m條數(shù)據(jù)線DLm可包括設(shè)置在第m個像素區(qū)域Pm中的源電極 SE。接觸電極CE設(shè)置在設(shè)有第m個凸出電極Em的區(qū)域中，并與第m個凸出電極Em重疊。 接觸電極CE包括設(shè)置在與源電極SE間隔開的區(qū)域中的漏電極DE。保護(hù)層130設(shè)置成覆蓋設(shè)有第二導(dǎo)電圖案的第一基板101上的第二導(dǎo)電圖案。濾色片層CFL包括遮光圖案BM、多個濾色片(包括第一濾色片CF 1、第二濾色片 CF2、以及第三濾色片CF3)、以及覆蓋層150。濾色片層CFL可以省去覆蓋層150。
第一濾色片CF1、第二濾色片CF2、以及第三濾色片CF3中的每一個均設(shè)置在相鄰 數(shù)據(jù)線之間的區(qū)域中。例如，第一濾色片CFl設(shè)置在第m條數(shù)據(jù)線DLm與第(m+1)條數(shù)據(jù)線 DLm+1之間的區(qū)域中，第二濾色片CF2設(shè)置在第m條數(shù)據(jù)線DLm與第(m_l)條數(shù)據(jù)線(未示 出)之間的區(qū)域中，并且第三濾色片CF3設(shè)置第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1與第(m+2)條數(shù)據(jù) 線(未示出)之間的區(qū)域中。因此，第一濾色片CFl可設(shè)置在第m個像素區(qū)域Pm中，第二 濾色片CF2可設(shè)置在第(m-1)個像素區(qū)域Pm-I中，并且第三濾色片CF3可設(shè)置在第(m+1) 個像素區(qū)域Pm+1中。遮光圖案BM可設(shè)置在設(shè)有第一和第二導(dǎo)電圖案的區(qū)域中。例如，遮光圖案BM設(shè) 置成與設(shè)有第η條柵極線GLru第η條存儲電極線STLn、第m條數(shù)據(jù)線DLm、接觸電極CE以 及第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1的區(qū)域相對應(yīng)。透明電極層TEL包括多個像素電極和第一配向?qū)?70。第m個像素電極PEm可設(shè) 置在與第η條柵極線GLru第m條數(shù)據(jù)線DLm以及第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1相對應(yīng)的第m個 像素區(qū)域Pm中。第(m-1)個像素電極PEm-I可設(shè)置在與第η條柵極線GLn、第(m_l)條數(shù) 據(jù)線(未示出)以及第m條數(shù)據(jù)線DLm相對應(yīng)的第(m_l)個像素區(qū)域Pm-I中。第(m+1) 個像素電極PEm+1可設(shè)置在與第η條柵極線GLn、第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1以及第(m+2)條 數(shù)據(jù)線(未示出)相對應(yīng)的第(m+1)個像素區(qū)域Pm+1中。第一配向?qū)?70設(shè)置在設(shè)有第(m-1)個像素電極PEm-I、第m個像素電極PEm、以 及第(m+1)個像素電極PEm+1的第一基板101上。圖10A、圖10B、圖IOC和圖IOD是圖示了制造圖9顯示設(shè)備的方法的橫截面圖。參照圖9和圖10A，在第一基板101上形成第一導(dǎo)電層，并對第一導(dǎo)電層圖案化以 形成第一導(dǎo)電圖案。第一導(dǎo)電圖案包括第η條柵極線GLru第η條存儲電極線STLn以及 第m個浮動電極FEm。第η條存儲電極線STLn包括沿第一方向延伸的第η條存儲線SLru 連接至第η條存儲線SLn且沿與第一方向交叉的第二方向延伸的第m個存儲電極STm、以及 連接至第η條存儲線SLn且鄰近于柵電極GE的第m個凸出電極Em。第m個浮動電極FEm 與第m個存儲電極STm間隔開。在形成有第一導(dǎo)電圖案的第一基板101上形成絕緣層110。在絕緣層110上形成溝道層和第二導(dǎo)電層。溝道層可包括半導(dǎo)體層和歐姆接觸 層。使用相同的掩模同時對溝道層和第二導(dǎo)電層圖案化，以便形成第二導(dǎo)電圖案。第二導(dǎo)電圖案具有包括第二導(dǎo)電層和溝道層的雙層結(jié)構(gòu)，并且包括第m條數(shù)據(jù)線 DLm、接觸電極CE以及第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1。第m條數(shù)據(jù)線DLm、接觸電極CE、以及第 (m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1中的每一個都包括溝道圖案CH。第m條數(shù)據(jù)線DLm與第m個存儲電 極STm間隔開，并且形成在與第m個浮動電極FEm部分重疊的區(qū)域中。因此，第m個浮動電 極FEm可遮擋從鄰近于第m條數(shù)據(jù)線DLm的區(qū)域泄漏的光。在其上形成有第二導(dǎo)電圖案的第一基板101上形成保護(hù)層130。保護(hù)層130可包 含有機(jī)材料或無機(jī)材料。可替換地，保護(hù)層130可由包含有機(jī)材料和無機(jī)材料的多層制成。 從而，在第一基板101上形成晶體管層TRL。參照圖9和圖10B，在形成有保護(hù)層130的第一基板101上形成彩色光刻膠層，并 對該彩色光刻膠層圖案化以形成濾色片。例如，在第一基板101上形成第一彩色光刻膠層并對第一彩色光刻膠層圖案化，
12從而在第一區(qū)域中形成第一濾色片CFl。在形成有第一濾色片CFl的第一基板101上形成 第二彩色光刻膠層并對第二彩色光刻膠層圖案化，從而在第二區(qū)域中形成第二濾色片CF2。 在形成有第一濾色片CFl和第二濾色片CF2的第一基板101上形成第三彩色光刻膠層并對 第三彩色光刻膠層圖案化，從而在第三區(qū)域中形成第三濾色片CF3。第一區(qū)域可由第m條數(shù) 據(jù)線DLm和第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1限定，第二區(qū)域可由第(m_l)條數(shù)據(jù)線(未示出)和 第m條數(shù)據(jù)線DLm限定，并且第三區(qū)域可由第(m+1)條數(shù)據(jù)線DLm+1和第(m+2)條數(shù)據(jù)線 (未示出)限定。從而，在第m個像素區(qū)域Pm中形成第一濾色片CF1，在第(m_l)個像素區(qū)域Pm_l 中形成第二濾色片CF2，并且在第(m+1)個像素區(qū)域Pm+1中形成第三濾色片CF3。在形成有第一濾色片CF1、第二濾色片CF2、以及第三濾色片CF3的第一基板101 上形成遮光層，并對遮光層圖案化以形成遮光圖案BM。遮光圖案BM形成在形成有第η條 柵極線GLru第η條存儲電極線STLn、第m條數(shù)據(jù)線DLm、接觸電極CE、第(m+1)條數(shù)據(jù)線 DLm+1、以及晶體管TR的區(qū)域中。遮光圖案BM在第一基板101的整個區(qū)域上可具有矩陣形 狀。穿過接觸電極CE上的遮光圖案BM以及第一濾色片CF1、第二濾色片CF2和第三濾 色片CF3而形成露出保護(hù)層130的開口 H。參照圖9和圖10C，在形成有第一濾色片CFl、第二濾色片CF2和第三濾色片CF3 的第一基板101上形成覆蓋層150。覆蓋層150可包含有機(jī)材料或無機(jī)材料。可替換地，覆 蓋層150可由包含有機(jī)材料和無機(jī)材料的多層制成。穿過接觸電極CE上的覆蓋層150而 形成露出保護(hù)層130的開口 HI。對通過開口 Hl露出的保護(hù)層130進(jìn)行蝕刻以形成接觸孔 135，所述保護(hù)層是通過在形成有濾色片層CFL的第一基板101上進(jìn)行蝕刻工藝而露出的。參照圖9和圖10D，在具有接觸孔135的第一基板101上形成透明導(dǎo)電層，并對透 明導(dǎo)電層圖案化以形成包括第(m-Ι)個像素電極PEm-1、第m個像素電極PEm、以及第(m+1) 個像素電極PEm+1的多個像素電極。例如，在第m個像素區(qū)域Pm中，第m個像素電極PEm 與第m個存儲電極STm重疊。第m個像素電極PEm通過接觸孔135與接觸電極CE進(jìn)行接 觸，并與晶體管TR的漏電極DE電連接。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施方式，數(shù)據(jù)線的第一側(cè)與接收公共電壓的存儲電極 間隔開，并且數(shù)據(jù)線的第二側(cè)與浮動電極部分地重疊，因而可減少偏色并可防止光泄漏。不應(yīng)認(rèn)為本發(fā)明的前述示例性實施方式限制了本發(fā)明。盡管已描述了本發(fā)明的多 個示例性實施方式，但本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解的是，在本質(zhì)上不背離本發(fā)明的教導(dǎo)及 優(yōu)點的前提下可對所述示例性實施方式進(jìn)行許多修改。因此，所有這些修改都包含在本發(fā) 明的范圍內(nèi)。因此，應(yīng)該理解的是，前面所述的是對本發(fā)明的解釋，不應(yīng)認(rèn)為本發(fā)明局限于 所公開的具體示例性實施方式，并且對所公開的示例性實施方式以及其它實施方式進(jìn)行的 修改均包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不背離本發(fā)明的精神或保護(hù)范圍的前提下可對 本發(fā)明作出各種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在涵蓋對本發(fā)明的修改和變型，只要所述修改 和變型落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示基板，包括像素電極，設(shè)置在一基板上的像素區(qū)域中；第一數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述像素電極的第一側(cè)，且電連接至所述像素電極； 浮動電極，與所述第一數(shù)據(jù)線部分地重疊； 第二數(shù)據(jù)線，設(shè)置在所述像素電極的第二側(cè)；以及 存儲電極，與所述像素電極重疊且與所述第二數(shù)據(jù)線間隔開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中，所述浮動電極電性浮動，并且所述存儲電極 被配置為接收電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，進(jìn)一步包括 第一柵極線，與所述第一數(shù)據(jù)線及所述第二數(shù)據(jù)線交叉；存儲線，設(shè)置成與所述第一柵極線平行，且電連接至所述存儲電極；以及 晶體管，電連接至所述第一數(shù)據(jù)線及所述第一柵極線。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述基板上且覆蓋所述晶體管 的濾色片層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板，其中，所述濾色片層包括 遮光圖案，覆蓋所述第一數(shù)據(jù)線及所述第二數(shù)據(jù)線；以及 濾色片，設(shè)置在所述像素電極與所述基板之間的像素區(qū)域中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板，進(jìn)一步包括覆蓋層，所述覆蓋層設(shè)置在所述基板 上且位于所述濾色片與所述像素電極之間，并覆蓋所述遮光圖案和所述濾色片。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，進(jìn)一步包括接觸電極，用于將所述像素電極電連接至所述晶體管；以及凸出電極，所述凸出電極電連接至所述存儲線，且與所述接觸電極重疊。
8.—種制造顯示基板的方法，所述方法包括以下步驟在一基板上的像素區(qū)域中形成第一導(dǎo)電圖案，所述第一導(dǎo)電圖案包括浮動電極和存儲 電極；在具有所述第一導(dǎo)電圖案的所述基板上形成第二導(dǎo)電圖案，所述第二導(dǎo)電圖案包括與 所述浮動電極部分地重疊的第一數(shù)據(jù)線和與所述存儲電極間隔開的第二數(shù)據(jù)線；以及在具有所述第二導(dǎo)電圖案的所述基板上的像素區(qū)域中形成像素電極，所述像素電極電 連接至所述第一數(shù)據(jù)線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成第一導(dǎo)電圖案的步驟進(jìn)一步包括形成與所 述第一數(shù)據(jù)線及所述第二數(shù)據(jù)線交叉的第一柵極線，以及形成與所述第一柵極線平行的存 儲線，所述存儲線電連接至所述存儲電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括形成電連接至所述第一柵極線及第一數(shù) 據(jù)線的晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括形成用于將所述像素電極電連接至所述 晶體管的接觸電極，以及形成電連接至所述存儲線且與所述接觸電極重疊的凸出電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括在所述基板上形成濾色片層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成濾色片層的步驟包括 形成覆蓋所述第一數(shù)據(jù)線和所述第二數(shù)據(jù)線的遮光圖案；以及在所述像素區(qū)域中形成濾色片。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括在所述基板上形成覆蓋層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示基板、其制造方法以及具有該顯示基板的顯示設(shè)備，所述顯示基板包括像素電極、第m條數(shù)據(jù)線(“m”為自然數(shù))、浮動電極、第(m+1)條數(shù)據(jù)線以及存儲電極。像素電極設(shè)置在基板的像素區(qū)域中。第m條數(shù)據(jù)線設(shè)置在像素電極的第一側(cè)且電連接至像素電極。浮動電極與第m條數(shù)據(jù)線部分地重疊。第(m+1)條數(shù)據(jù)線設(shè)置在像素電極的第二側(cè)。存儲電極與第(m+1)條數(shù)據(jù)線間隔開。
文檔編號G02F1/1343GK102073181SQ20101051470
公開日2011年5月25日 申請日期2010年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月21日
發(fā)明者崔相虔, 許命九 申請人:三星電子株式會社