專利名稱：處理基板的方法以及實施該方法的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例實施方式涉及處理基板的方法以及實施該方法的裝置。更特別地，本發(fā)明的實施方式涉及處理基板的方法以及實施該方法以制造半導(dǎo)體設(shè)備的裝置。
背景技術(shù)：
一般，在半導(dǎo)體照相平版印刷法處理中，基板通過例如涂覆光刻膠、曝光、顯影、蝕 亥|j、和去除光刻膠的過程來順序處理。曝光、顯影、蝕刻是利用光刻膠作為掩模來執(zhí)行的，并 且隨后去除光刻膠。通常，光刻膠使用硫磺酸和過氧化氫彼此混合的溶液來去除。然而，通過硫酸和過 氧化氫之間的反應(yīng)產(chǎn)生如過氧硫酸(h2so5)和水之類的中間產(chǎn)物，從而因此降低了溶液的 濃度。因此，光刻膠不會被溶液完全去除。因此，需要完全去除光刻膠的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例實施方式提供一種能夠去除基板上的光刻膠的處理基板的方法。本發(fā)明的示例實施方式也提供一種用于實施上述方法的裝置。根據(jù)本發(fā)明的示例實施方式，提供了一種處理基板的方法。在所述方法中，放置其 上形成有光刻膠層的基板。提供用于去除所述光刻膠層的處理液體至所述基板上。提供包 括去離子水或過氧化氫的霧至所述基板上以與所述處理液體接觸，以提高所述處理液體的 溫度。在一個實施例中，所述霧通過超聲波形成。在一個實施例中，所述霧的溫度在大約10°c到大約99. 9°c之間。在一個實施例中，所述霧的粒徑在大約Inm到大約IOOOOOnm之間。在一個實施例中，所述處理液體和所述霧被同時噴射。
在一個實施例中，所述霧利用運載氣體提供至所述基板上。在一個實施例中，所述處理液體和所述霧在提供到所述基板上之前實現(xiàn)互相接 觸。在一個實施例中，所述處理液體和所述霧在所述基板上實現(xiàn)互相接觸。在一個實施例中，所述基板旋轉(zhuǎn)，并且所述霧被提供到所述基板上所述處理液體 被提供到的位置前面。在一個實施例中，所述處理液體包括spm (硫酸/過氧化物)、som (硫酸/臭氧)、 sc-i (nh4oh/過氧化物/水)、sc-2 (hcl酸/過氧化物/水)和boe (緩沖氧化物蝕刻劑 hf/nh4f)中的一種。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例實施方式，處理基板的裝置包括旋轉(zhuǎn)卡盤、第一噴嘴和 第二噴嘴。旋轉(zhuǎn)卡盤固定和旋轉(zhuǎn)在其上形成有光刻膠層的基板。第一噴嘴設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn) 卡盤上并且提供處理液體至所述基板上方以去除所述光刻膠層。第二噴嘴設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn) 卡盤上方并且提供包括去離子水或過氧化氫的霧至所述基板上以與所述處理液體接觸，以提高所述處理液體的溫度。
在一個實施例中，所述第二噴嘴的個數(shù)是復(fù)數(shù)個，并且所述第二噴嘴繞著所述第 一噴嘴設(shè)置。在一個實施例中，所述第二噴嘴設(shè)置在所述第一噴嘴的一側(cè)。在一個實施例中，所述裝置還包括霧產(chǎn)生部，其與所述第二噴嘴連接，并且利用超 聲振動產(chǎn)生所述霧以提供所述霧到所述第二噴嘴。在一個實施例中，所述裝置還包括運載氣體提供部，其與所述霧產(chǎn)生部連接，并且 提供運載所述霧的運載氣體到所述第二噴嘴。在一個實施例中，所述霧的溫度在大約10°C到大約99. 9°C之間。在一個實施例中，所述霧的粒徑在大約Inm到大約IOOOOOnm之間。在一個實施例中，所述處理液體包括SPM、SOM、SC_1、SC_2和BOE中的一種。根據(jù)本發(fā)明，用于去除光刻膠層的處理液體和包括去離子水或過氧化氫的霧提供 至所述基板上。處理液體和霧相互反應(yīng)以產(chǎn)生附加的氫氧根。另外，霧和處理液體是放熱 性反應(yīng)，并且因此可以提高處理液體的溫度。因此，提高了去除光刻膠層的效率。


通過參考附圖詳細描述其中的示例實施方式，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點將 變得更顯而易見，其中圖1是表示根據(jù)本發(fā)明示例實施方式用于處理基板的裝置的示意圖；圖2和圖3是表示在圖1中的第一和第二噴嘴的噴射的平面圖；圖4是表示第二噴嘴的另一個示例實施方式的示意圖；圖5和圖6是表示在圖4中的第一和第二噴嘴的噴射的平面圖；圖7是解釋利用圖1的裝置處理基板的方法的流程圖。
具體實施例方式下文將參考在其中示出了本發(fā)明示例實施方式的附圖更全面地描述本發(fā)明。然 而，本發(fā)明也可以以許多不同的方式實施，并且不應(yīng)被解釋為限于本文提及的示例實施方 式。相反，提供這些示例實施方式以便本公開是徹底和完整的，并且將完全傳達本發(fā)明的 范圍給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸可能被擴 大。應(yīng)該理解，當(dāng)提及元件或?qū)拥健霸诹硪粋€元件或?qū)又稀?、“連接到”或“耦接到”另 一個元件或?qū)訒r，它可以是直接地在其他元件或?qū)又?、直接地連接到或耦接到其他元件 或?qū)?，或可以存在中間的元件或?qū)印Ｏ鄬Φ?，?dāng)提及元件到“直接在另一個元件或?qū)又稀薄?“直接連接到”或“直接耦接到”另一個元件或?qū)訒r，不存在中間的元件或?qū)?。通篇中相同?biāo) 記指相同的元件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任何和 所有組合。應(yīng)該理解，雖然在此可以使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)域、 層和/或段，但是這些術(shù)語不應(yīng)該限制這些元件、部件、區(qū)域、層和/或段。這些術(shù)語僅是用 來將一個元件、部件、區(qū)域、層和/或段與另一個區(qū)域、層或段區(qū)分。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)情況下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)域、層和/或段可以被稱作第二元件、部件、 區(qū)域、層和/或段。在此可以使用空間關(guān)系術(shù)語，例如“在…之下”、“在…下面”、“下面”、“在…之上”、“上面”等等，便于容易描述在附圖中示出的一個元件或特征與其他元件和特征的相對關(guān) 系。應(yīng)該理解，空間關(guān)系術(shù)語意在包圍在使用中或操作中的設(shè)備的不同方位以及在附圖中 描述的方位。例如，如果將附圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)過來，那么描述作為在其他元件或特征“之下” 或“下面”的元件將隨后朝向在其他元件或特征“之上”。因此，示例性術(shù)語“在…下面”可 以包圍在上方位和在下方位?？梢詫⒃O(shè)備不同地朝向(旋轉(zhuǎn)90度或其他方向)并且由在 此使用的空間相對描述者來解釋。在此使用的術(shù)語學(xué)是僅為了描述特定示例實施方式之目的，并且不是旨在限制本 發(fā)明。如在此使用的，單數(shù)形式“一”和“所述”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指示 以外。應(yīng)該進一步理解，術(shù)語“包含”和/或“包括”當(dāng)使用在本說明書中時，指定所述特 征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，而不排除一個或多個其他特征、整體、步驟、 操作、元件、部件和/或其中的組的存在或增加。示例實施方式在本文根據(jù)剖視示意圖描述，其是理想化示例實施方式(和中間結(jié) 構(gòu))的示意圖。同樣地，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，來自示意圖形狀的變形是可 以期望的。因此，示例實施方式不應(yīng)該被解釋作為對在此闡述的區(qū)域的特定形狀的限制，而 是意在包括例如來自制造導(dǎo)致的在形狀上的偏差。例如，示意為矩形的注入?yún)^(qū)域典型地具 有圓形或曲線特征和/或注入有梯度地集中在它的邊緣而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域 的二重改變。同樣地，注入形成的掩埋區(qū)域可以導(dǎo)致在掩埋區(qū)域與通過其發(fā)生注入的表面 之間的區(qū)域內(nèi)的一些注入。因此，示意在附圖中的區(qū)域本質(zhì)上是原理性的并且它們的形狀 不是旨在闡述設(shè)備的區(qū)域的實際形狀并且不是旨在限制本發(fā)明的范圍。除非除此之外的定義，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā) 明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員常規(guī)理解的相同含義。還應(yīng)該理解，例如在常規(guī)使用的字典中 定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與它們在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義，并且不應(yīng) 該被解釋為理想化或過度正式的意思，除非在此清楚地如此定義。在下文中，將參考附圖詳細地解釋本發(fā)明。圖1是表示根據(jù)本發(fā)明示例實施方式用于處理基板的裝置的示意圖。參考圖1，裝置100去除在基板S上的光刻膠層，并且裝置100包括旋轉(zhuǎn)卡盤110、 第一噴嘴120、第二噴嘴130、霧產(chǎn)生部140和運載氣體提供部150。旋轉(zhuǎn)卡盤110固定和旋轉(zhuǎn)基板S。例如旋轉(zhuǎn)卡盤110可以包括使用機械力固定基 板S的機械卡盤、使用靜電力固定基板S的靜電卡盤、使用真空力固定基板S的真空卡盤寸。第一噴嘴120設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤110上方并且提供處理液體122給基板S。例如處 理液體122可以包括SPM (硫酸過氧化物混合物硫酸/過氧化物)、SOM (硫酸臭氧混合物 硫酸/臭氧)、SC-1 (標(biāo)準(zhǔn)清潔劑-1 =NH4OH/過氧化物/水)、SC-2 (標(biāo)準(zhǔn)清潔劑_1 =HCl/過 氧化物/水)和BOE (緩沖氧化蝕刻液HF/NH4F)等的其中一種。處理液體122形成氫氧根，并且氫氧根與光刻膠層反應(yīng)，以便去除光刻膠層。處理 液體122的溫度可以是高的，以便提高光刻膠層的反應(yīng)性。例如，處理液體122的溫度可以是在約150°C到約240°C之間。例如，形成處理流體122的各溶液可以互相混合，并且隨后可以被提供至基板S 上。當(dāng)形成處理液體122的各溶液在被提供到基板S上之前互相混合，可以持續(xù)加熱處理 液體122以保持在約150°C到約240°C之間。
可替代地，形成處理液體122的各溶液可以通過互相不同的管線來提供，并且可 以恰好在被提供至基板S上之前互相混合。當(dāng)形成處理液體122的各溶液恰好在被提供 在基板S上之前互相混合，處理液體122的溫度可以通過混合反應(yīng)被升高至約150°C到約 240°C之間。多個第二噴嘴130繞著第一噴嘴120設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤110上方。第二噴嘴130提 供霧132至基板S上。霧132包括去離子水或過氧化氫。第一噴嘴120和第二噴嘴130可以順序或同步地提供處理液體122和霧132。圖2和圖3是表示在圖1中的第一和第二噴嘴的噴射的平面圖。參考圖2，從第一噴嘴120提供的處理液體122和從第二噴嘴130提供的霧132可 以在提供到基板S上之前實現(xiàn)互相接觸并且互相混合。參考圖3，處理液體122和霧132可以在提供到基板S上之后實現(xiàn)互相接觸和互相 混合。當(dāng)處理液體122和霧132在提供到基板S之后實現(xiàn)互相接觸和互相混合，霧132會 包圍基板S上的處理液體122，因為第二噴嘴130繞著第一噴嘴120設(shè)置。圖4是表示另一個示例第二噴嘴的示意圖。參考圖4，第二噴嘴130a設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤110上方第一噴嘴120的一側(cè)。第二噴 嘴130a提供霧132至基板S上。圖5和圖6是表示在圖4中的第一和第二噴嘴的噴射的平面圖。參考圖5，從第一噴嘴120提供的處理液體122和從第二噴嘴130提供的霧132可 以在提供到基板S上之前實現(xiàn)互相接觸并且互相混合。參考圖6，處理液體122和霧132可以在提供到基板S上之后實現(xiàn)互相接觸和互 相混合。例如，基于基板S的旋轉(zhuǎn)方向，霧132可以被提供到基板S上處理液體122被提供 到的位置前面?？商娲?，基于基板S的旋轉(zhuǎn)方向，處理液體122可以被提供到基板S上霧 132被提供到的位置前面。因此，霧132和處理液體122可以在基板S上根據(jù)基板S的旋轉(zhuǎn) 方向擴散、互相接觸、并且隨后互相混合。當(dāng)處理液體122是SPM，在SPM中的硫酸和過氧化氫提前反應(yīng)，并且隨后產(chǎn)生過氧 硫酸(H2SO5)和水。在這種情況下，SPM溫度高到足以容易地使水蒸發(fā)。因此，提供到SPM 的去離子水霧或過氧化氫霧與過氧硫酸反應(yīng)附加地產(chǎn)生氫氧根，并且因此有效地去除光刻 膠層。另外，去離子水霧或過氧化氫霧和過氧硫酸發(fā)生的是放熱反應(yīng)，并因此提高了 SPM的 溫度。因此，SPM與光刻膠層之間的反應(yīng)性得以提高程度。因此，可以提高SPM去除光刻膠 層的有效性。當(dāng)霧132與SOM、SC-1、SC-2和BOE的其中一種實現(xiàn)接觸時，其反應(yīng)與當(dāng)霧132與 SPM實現(xiàn)接觸時發(fā)生的反應(yīng)相似，并因此可以提高去除光刻膠層的有效性。再次參考圖1，霧產(chǎn)生部140產(chǎn)生霧132。例如，霧產(chǎn)生部140可以包括超聲波振 動器。超聲波振動器的超聲波可以是在大約幾KHz到大約幾十MHz之間。大約Inm粒徑小于的霧132幾乎不存在。當(dāng)霧132的粒徑大于約lOOOOOnm，霧132吸收處理液體122的熱量，并且因此會降低去除光刻膠層的效率。因此，霧132的粒徑可以 在大約Inm到大約IOOOOOnm之間。在產(chǎn)生具有大約幾十MHz的超聲波的超聲波振動器中，可以產(chǎn)生具有大約Inm 粒徑的霧132。在產(chǎn)生具有大約幾KHz的超聲波的超聲波振動器中，可以產(chǎn)生具有大約 IOOOOOnm粒徑的霧132。
霧132通過超聲波產(chǎn)生，并且因此霧132的溫度可以小于大約100°C。當(dāng)霧132的 溫度小于大約10°c，霧132幾乎難以維持。當(dāng)霧132的溫度大于大約99. 9°C，霧132會被 蒸發(fā)。因此，霧132的溫度可以在大約10°C到大約99. 9°C之間。蒸汽或蒸氣是通過加熱形成的，但霧132是通過超聲波形成的。因此，霧132與蒸 汽或蒸氣相比可以被容易地形成。另外，霧132的粒徑大于蒸汽或蒸氣的粒徑，并且因此霧 132的流量比蒸汽或蒸氣的流量更容易控制，并且霧132可以充分地被提供至基板S。第一供應(yīng)管線142將霧產(chǎn)生部140和第二噴嘴130連接起來。通過第一供應(yīng)管線 142將霧132提供給第二噴嘴130。運載氣體提供部150提供運載氣體給霧132以便將從霧產(chǎn)生部140產(chǎn)生的霧132 運載到第二噴嘴130，并且運載氣體提供部150包括罐151、第二供應(yīng)管線152、閥153、流量 控制器154和加熱器155。罐151存儲運載氣體。運載氣體可以容易地運載霧132到第二噴嘴130。例如，運 載氣體可以包括氮氣。第二供應(yīng)管線152將罐151和第一供應(yīng)管線142連接起來。通過第二供應(yīng)管線 152提供運載氣體到第一供應(yīng)管線142。閥153設(shè)置在第二供應(yīng)管線152上，并且開啟和關(guān)閉第二供應(yīng)管線152。流量控制器154設(shè)置在第二供應(yīng)管線152上，并且控制從第二供應(yīng)管線152提供 的運載氣體的流量。流量控制器154控制運載氣體的流量，并且因此可以控制提供至第二噴嘴130的 霧132的流量。加熱器155設(shè)置在第二供應(yīng)管線152上，并且控制通過第二供應(yīng)管線152提供的 運載氣體的溫度。當(dāng)運載氣體的溫度不小于100°c時，運載氣體可以將霧132蒸發(fā)。因此， 加熱器155可以將運載氣體加熱到大約20°C至大約99. 9°C之間。裝置100連續(xù)地提供霧132到處理液體122。通過霧132和處理液體122之間的 反應(yīng)附加地產(chǎn)生氫氧根。附加產(chǎn)生的氫氧根去除光刻膠層，并且因此可以有效地去除光刻 膠層。霧132與處理液體122是放熱反應(yīng)，并且因此可以提高處理液體122的溫度。因此， 提高了處理液體122與光刻膠層之間的反應(yīng)性。因此，裝置100可以提高去除光刻膠層的 效率。圖7是解釋利用圖1的裝置處理基板的方法的流程圖。參考圖1和圖7，放置了制造半導(dǎo)體設(shè)備的基板S(步驟S100)?；錝具有形成在基板上的光刻膠層?；錝可以由支撐件固定和旋轉(zhuǎn)。例如， 所述支撐件可以是旋轉(zhuǎn)卡盤110。旋轉(zhuǎn)卡盤110可以利用機械力、靜電力或真空力固定基板 S0提供處理液體122到其上形成有光刻膠層的基板S上(步驟S200)。
例如，處理液體可以包括SPM、SOM、SC-1、SC-2和BOE等。處理液體122的溫度可以在大約150°C到大約240°C之間。例如，形成處理液體 122的各溶液可以互相混合，并且隨后處理液體122可以被提供至基板S上。當(dāng)形成處理 液體122的各溶液在被提供至基板S上之前互相混合，可以持續(xù)加熱處理液體122以保持 在約150°C到約240°C之間?？商娲?，形成處理液體122的各溶液可以恰好在被提供至基 板S上之前互相混合。當(dāng)形成處理液體122的各溶液恰好在被提供至基板S上之前互相混 合，處理液體122的溫度可以由于混合反應(yīng)被升高至約150°C到約24 0°C之間。處理液體122通過化學(xué)反應(yīng)去除光刻膠層。例如，處理液體122與光刻膠層形成 氫氧根，并且氫氧根與光刻膠層反應(yīng)，以便去除光刻膠層。提供霧132至基板S上(步驟S300)。霧132包括去離子水或過氧化氫。霧132可以通過超聲波產(chǎn)生。超聲波的頻率可 以在大約幾KHz到大約幾十MHz之間。小于大約Inm粒徑的霧132幾乎不存在有。當(dāng)霧132的粒徑大于大約lOOOOOnm， 霧132吸收處理液體122的熱量，并且因此會降低去除光刻膠層的有效性，因為降低了處理 液體122的溫度。因此，霧132的粒徑可以在大約Inm到大約IOOOOOnm之間。霧132通過超聲波產(chǎn)生，并且因此霧132的溫度可以小于大約100°C。當(dāng)霧132的 溫度小于大約10°c，霧132幾乎難以維持。當(dāng)霧132的溫度大于大約99. 9°C，霧132會因 熱而被蒸發(fā)。因此，霧132的溫度可以在大約10°C到大約99. 9°C之間。蒸汽或蒸氣是通過加熱形成的，但霧132是通過超聲波形成的。因此，霧132與蒸 汽或蒸氣相比可以被容易地形成。另外，霧132的粒徑大于蒸汽或蒸氣的粒徑，并且因此霧 132的流量比蒸汽或蒸氣的流量更容易控制，并且霧132可以充分地被提供至基板S上?？墒褂眠\載氣體將霧132提供至基板S上。例如，運載氣體可以包括氮氣?？梢?通過控制運載氣體的流量來控制霧132的流量。運載氣體通過加熱可以具有穩(wěn)定的溫度。 當(dāng)運載氣體的溫度不小于100°C時，運載氣體會使霧132蒸發(fā)。因此，可以將運載氣體保持 在大約20°C到大約99. 9°C之間。例如，處理液體122和霧132被順序地提供到基板S上。可替代地，處理液體122 和霧132被同時地提供到基板S上。例如，處理液體122和霧132可以在被提供至基板S上之前互相接觸并互相混合。 或者，處理液體122和霧132可以在被提供至基板S上之后互相接觸并互相混合。例如，基于基板S的旋轉(zhuǎn)方向，霧132可以被提供到基板S上處理液體122被提供 到的位置前面。可替代地，基于基板S的旋轉(zhuǎn)方向，處理液體122可以被提供到基板S上霧 132被提供到的位置前面。因此，霧132可以連續(xù)地與處理液體122接觸。當(dāng)處理液體122是SPM，在SPM中的硫酸和過氧化氫提前反應(yīng)，并且隨后產(chǎn)生過氧 硫酸(H2SO5)和水。SPM的溫度高到足以容易地使水蒸發(fā)。因此，提供到SPM的去離子水霧 或過氧化氫霧與過氧硫酸反應(yīng)附加地產(chǎn)生氫氧根，并且因此可以有效地去除光刻膠層。另 夕卜，去離子水霧或過氧化氫霧和過氧硫酸是放熱反應(yīng)，并因此提高了 SPM的溫度。因此，可 以去除在SPM與光刻膠層之間的反應(yīng)程度，并且提高SPM的溫度。當(dāng)霧132與SOM、SC_1、SC-2和BOE的其中一種實現(xiàn)接觸時，其反應(yīng)與當(dāng)霧132與SPM實現(xiàn)接觸時發(fā)生的反應(yīng)相似，并因此可以提高去除光刻膠層的有效性。如上描述的，霧132和處理液體122互相發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以附加地產(chǎn)生氫氧根。附 加產(chǎn)生的氫氧根去除光刻膠層，并且因此可以有效地去除光刻膠層。霧132和處理液體122 是放熱反應(yīng)，并且因此可以提高處理液體122的溫度。因此，提高了在處理液體122與光刻 膠層之間的反應(yīng)性。根據(jù)本發(fā)明，用于去除光刻膠層的處理液體和包括去離子水或過氧化氫的霧提供 在所述基板上。處理液體和霧相互反應(yīng)以產(chǎn)生附加的氫氧根。附加產(chǎn)生的氫氧根去除光刻 膠層，并且因此可以有效地去除光刻膠層。另外，霧和處理液體是放熱反應(yīng)，并且因此可以 提高處理液體的溫度。因此，提高了去除光刻膠層的效率。 前面所述是對本發(fā)明的闡述，并且不應(yīng)該解釋為對本發(fā)明的限制。雖然已經(jīng)描述 了一些示例實施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該容易領(lǐng)會到，在示例實施方式中的一些修 改是可能的，只要本質(zhì)上不脫離本發(fā)明的新的教導(dǎo)和優(yōu)點。因此，所有這些修改意在被包括 在如在權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的范圍內(nèi)。在權(quán)利要求中，部件加功能的句子意在覆蓋在 此描述的結(jié)構(gòu)，如實施敘述的功能并且不僅是結(jié)構(gòu)的等同物而且是等同的結(jié)構(gòu)。因此，應(yīng)該 理解，前面所述是對示例實施方式闡釋性的并且不應(yīng)該解釋為限于公開的特定示例實施方 式，并且對已公開示例實施方式的修改及其他示例實施方式意在被包括在附加權(quán)利要求的 范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種處理基板的方法，所述方法包括放置其上形成有光刻膠層的基板；提供用于去除所述光刻膠層的處理液體至所述基板上；以及提供包括去離子水或過氧化氫的霧至所述基板上以與所述處理液體接觸，以提高所述處理液體的溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述霧通過超聲波形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述霧的溫度在大約10°C到大約99.9°C之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述霧的粒徑在大約Inm到大約IOOOOOnm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述霧利用運載氣體提供到所述基板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述處理液體和所述霧被同時噴射。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述處理液體和所述霧在提供到所述基板上之前 實現(xiàn)互相接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述處理液體和所述霧在所述基板上實現(xiàn)互相接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板旋轉(zhuǎn)，并且所述霧被提供到所述基板上 所述處理液體被提供到的位置前面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述處理液體包括SPM(硫酸/過氧化物)、 SOM (硫酸/臭氧)、SC-I (NH4OH/過氧化物/水)、SC-2 (HCl/過氧化物/水)和BOE (緩沖 氧化物蝕刻劑HF/NH4F)的其中一種。
11.一種處理基板的裝置，所述裝置包括旋轉(zhuǎn)卡盤，其固定和旋轉(zhuǎn)在其上形成有光刻膠層的基板；第一噴嘴，其設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)卡盤上方并且提供處理液體至所述基板上以去除所述光 刻膠層；以及第二噴嘴，其設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)卡盤上方并且提供包括去離子水或過氧化氫的霧至所述 基板上以與所述處理液體接觸，以提高所述處理液體的溫度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第二噴嘴為復(fù)數(shù)個，并且所述第二噴嘴繞 著所述第一噴嘴設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述第二噴嘴設(shè)置在所述第一噴嘴的一側(cè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，還包括霧產(chǎn)生部，其與所述第二噴嘴連接，并且利用超聲振動產(chǎn)生所述霧，以提供所述霧到所 述第二噴嘴。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，還包括運載氣體提供部，其與所述霧產(chǎn)生部連接，并且提供運載氣體，該運載氣體運載所述霧 到所述第二噴嘴。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述霧的溫度在大約10°C到大約99.9°C之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述霧的粒徑在大約Inm到大約IOOOOOnm之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述處理液體包括SPM、SOM、SC-1、SC-2和BOE 中的一種。
全文摘要
一種處理基板的裝置，包括旋轉(zhuǎn)卡盤、第一噴嘴和第二噴嘴。所述旋轉(zhuǎn)卡盤固定和旋轉(zhuǎn)在其上形成有光刻膠層的基板。所述第一噴嘴設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)卡盤上方并且提供處理液體至所述基板上以便于去除所述光刻膠層。所述第二噴嘴設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)卡盤上方并且提供包括去離子水或過氧化氫的霧至所述基板上以與所述處理液體接觸以便于提高所述處理液體的溫度。因此，可以提高去除所述光刻膠層的效率。
文檔編號G03F7/42GK101937842SQ20101022689
公開日2011年1月5日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月30日
發(fā)明者盧垠洙, 裴正龍 申請人:細美事有限公司