專利名稱：包括用于沉浸式光刻裝置的傳送區(qū)的環(huán)境系統(tǒng)的制作方法
包括用于沉浸式光刻裝置的傳送區(qū)的環(huán)境系統(tǒng)本分案申請(qǐng)是基于申請(qǐng)?zhí)枮?004800096738，申請(qǐng)日為2004年4月1日，發(fā)明名稱 為“包括用于沉浸式光刻裝置的傳送區(qū)的環(huán)境系統(tǒng)”的中國(guó)專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。相關(guān)專利申請(qǐng)本申請(qǐng)要求獲得如下專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，即臨時(shí)專利申請(qǐng)系列No. 60/462，112， 其于2003年4月10日提出申請(qǐng)，題目為“用于沉浸式光刻的真空環(huán)系統(tǒng)和燈芯環(huán)系 統(tǒng)”(VACUUM RING SYSTEM ANDffICK RING SYSTEM FOR IMMERSION LITHOGRAPHY)，和臨 時(shí)專利申請(qǐng)系列No. 60/485，033，其于2003年7月2日提出申請(qǐng)，題目為“圍繞透鏡周 圍為沉浸式光刻清除和檢查沉浸流體的泵和燈芯的多中心布局”(MULTIPLE CONCENTRIC ARRANGEMENT 0FPUMPS AND WICKS AROUND PERIPHERY OF LENS T0REM0VE AND INSPECT IMMERSION LIQUID F0RIMMERSI0N LITHOGRPHY)。在允許的范圍內(nèi)，本文引用臨時(shí)專利申請(qǐng) 系列Nos. 60/462，112和60/485，033的內(nèi)容作為參考。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體處理期間，曝光裝置通常用于將圖像從刻線板(reticle)轉(zhuǎn)移到半導(dǎo) 體晶片上。典型的曝光裝置包括一個(gè)照射源，一個(gè)定位刻線板的刻線板臺(tái)組件(reticle stage assembly)，一個(gè)光學(xué)組件，一個(gè)定位半導(dǎo)體晶片的晶片臺(tái)組件，和一個(gè)精確監(jiān)視刻 線板和晶片位置的測(cè)量系統(tǒng)。沉浸式光刻系統(tǒng)利用一層充滿光學(xué)組件與晶片之間間隙的沉浸流體。晶片在典型 的光刻系統(tǒng)中快速移動(dòng)，并可預(yù)期會(huì)將沉浸流體從間隙中攜帶出去。脫離間隙的沉浸流體 會(huì)干擾光刻系統(tǒng)其它部分的工作。例如，沉浸流體會(huì)干擾監(jiān)視晶體位置的測(cè)量系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種環(huán)境系統(tǒng)，其用于控制位于光學(xué)組件與保持在器件臺(tái)上的器件之 間的間隙內(nèi)的環(huán)境。該環(huán)境系統(tǒng)包括沉浸流體源和位于器件附近的傳送區(qū)。該沉浸流體源 輸送進(jìn)入間隙的沉浸流體。該傳送區(qū)俘獲離開間隙的沉浸流體。利用該設(shè)計(jì)，在某些實(shí)施 例中，本發(fā)明可避免對(duì)器件使用直接真空吸引，直接真空吸引會(huì)潛在影響器件和/或光學(xué) 組件。在一個(gè)實(shí)施例中，環(huán)境系統(tǒng)包括流體屏障，其位于器件附近并包圍間隙。而且，流 體屏障能夠?qū)魉蛥^(qū)保持在器件附近。在一個(gè)實(shí)施例中，環(huán)境系統(tǒng)包括一個(gè)流體清除系統(tǒng)，其將沉浸流體從傳送區(qū)附近 清除出去。在另一個(gè)實(shí)施例中，該流體清除系統(tǒng)能夠引導(dǎo)清除流體，從而將沉浸流體從傳送 區(qū)清除出去。在該實(shí)施例中，清除流體的清除流體溫度可高于沉浸流體的沉浸流體溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，傳送區(qū)是一個(gè)包括多個(gè)用于收集傳送區(qū)附近沉浸流體的通道的 基片。作為一個(gè)實(shí)例，傳送區(qū)能夠用通過毛細(xì)作用輸送沉浸流體的材料制成。在該實(shí)施例 中，通道能夠是多個(gè)孔。在可替換實(shí)施例中，通道能夠是多個(gè)延伸通過傳送區(qū)的相互間隔的 傳送孑L (transport aperture)。
本發(fā)明還涉及一種曝光裝置，一種晶片，一種器件，一種用于控制間隙內(nèi)環(huán)境的方法，一種用于制造曝光裝置的方法，一種用于制造器件的方法和一種用于制造晶片的方法。


圖1是具有本發(fā)明特征的曝光裝置的側(cè)視圖；圖2A是圖1曝光裝置一部分的透視圖；圖2B是沿著圖2A的2B-2B線獲得的剖面圖；圖2C是沿著圖2B的2C-2C線獲得的放大圖；圖2D是曝光裝置一部分另一個(gè)實(shí)施例的放大圖；圖3A是具有本發(fā)明特征的沉浸流體源的側(cè)視圖；圖3B是具有本發(fā)明特征的流體清除系統(tǒng)的側(cè)視圖；圖3C是具有本發(fā)明特征的流體清除系統(tǒng)另一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖；圖3D是具有本發(fā)明特征的流體清除系統(tǒng)再一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖；圖4是曝光裝置另一個(gè)實(shí)施例的放大剖面圖；圖5A是曝光裝置再一個(gè)實(shí)施例一部分的放大剖面圖；圖5B是沿著圖5A的5B-5B線獲得的放大圖；圖6A是描述根據(jù)本發(fā)明的器件的制造處理的流程圖；圖6B是更詳細(xì)地描述器件處理的流程圖。
具體實(shí)施例方式圖1是精密組件的示意圖，即具有本發(fā)明特征的曝光裝置10。曝光裝置10包括裝 置框12，照射系統(tǒng)14 (輻射裝置)，光學(xué)組件16，刻線板臺(tái)組件18，器件臺(tái)組件20，測(cè)量系統(tǒng) 22，控制系統(tǒng)24，和流體環(huán)境系統(tǒng)26。曝光裝置10各部分的設(shè)計(jì)可以變化，以便適合于曝 光裝置10的設(shè)計(jì)要求。多個(gè)附圖都包括坐標(biāo)系統(tǒng)，表示X軸、與X軸正交的Y軸和與X軸及Y軸都正交的 Z軸。應(yīng)當(dāng)注意，這些軸也能夠稱作第一、第二和第三軸。曝光裝置10特別有利于用作將集成電路的圖形(未顯示)從刻線板28轉(zhuǎn)移到半 導(dǎo)體晶片30 (如幻燈所示)上的光刻器件。晶片30也一般地稱作器件或者工件。曝光裝 置10安裝在一個(gè)安裝基礎(chǔ)32上，例如地面、基架或者地板以及其它的支撐結(jié)構(gòu)。有多種不同類型的光刻器件。例如，曝光裝置10能夠用作掃描型平板印刷系統(tǒng)， 其同步地移動(dòng)刻線板28和晶片30，將圖形從刻線板28曝光到晶片30上。在掃描型光刻裝 置中，刻線板28通過刻線板臺(tái)組件18垂直于光學(xué)組件16的光軸移動(dòng)，晶片30通過晶片臺(tái) 組件20垂直于光學(xué)組件16的光軸移動(dòng)?？叹€板28和晶片30的掃描與刻線板28和晶片 30的同步移動(dòng)同時(shí)發(fā)生。選擇地，曝光裝置10能夠是步進(jìn)重復(fù)型(st印-and-r印eat type)平板印刷系統(tǒng)， 其在固定刻線板28和晶片30的同時(shí)曝光刻線板。在步進(jìn)和重復(fù)處理中，在曝光一個(gè)單獨(dú) 的區(qū)期間，晶片30相對(duì)于刻線板28和光學(xué)組件16處于恒定的位置。隨后，在連續(xù)的曝光 步驟之間，晶片30與晶片臺(tái)組件20垂直于光學(xué)組16的光軸連續(xù)地移動(dòng)，從而將晶片30的 下一個(gè)區(qū)帶到相對(duì)于光學(xué)組件16和刻線板28的位置進(jìn)行曝光。遵循這個(gè)處理，刻線板28上圖形順序地曝光到晶片30的各個(gè)區(qū)上，然后晶片30的下一個(gè)區(qū)被帶到相對(duì)于光學(xué)組件16和刻線板28的位置。然而，這里提供的曝光裝置10的使用不僅限于用于半導(dǎo)體制造的光刻系統(tǒng)。曝光 裝置10還能夠用作，例如將液晶顯示器件圖形曝光到矩形玻璃板的LCD光刻系統(tǒng)，或者用 于制造薄膜磁頭的平板印刷系統(tǒng)。裝置框12支持曝光裝置10的部件。圖1所示的裝置框12將刻線板臺(tái)組件18、晶 片臺(tái)組件20、光學(xué)組件16和照射系統(tǒng)14支持在安裝基礎(chǔ)32之上。照射系統(tǒng)14包括照射源34和照射光學(xué)組件36。照射源34發(fā)射(照射)一束光。 照射光學(xué)組件36將光束從照射源34引導(dǎo)到光學(xué)組件16。光束選擇地照射刻線板28的不 同部分，并曝光晶片30。在圖1中，照射源34被圖解支持在刻線板臺(tái)組件18之上。然而典 型地，照射源34固定在裝置框12的一側(cè)，并且照射源34的能量束通過照射光學(xué)組件36引 導(dǎo)到刻線板臺(tái)組件18上。照射源34可以是g線源(436nm)，i線源(365nm)，KrF受激準(zhǔn)分子激光器(248nm)， ArF受激準(zhǔn)分子激光器(193nm)或者F2受激準(zhǔn)分子激光器(157nm)。選擇地，照射源34能 夠產(chǎn)生帶電粒子束，例如X-射線或電子束。例如，在使用電子束的實(shí)例中，能夠使用熱電子 發(fā)射型六硼化鑭(LaB6)或鉭(Ta)作為電子槍的陰極。而且，在使用電子束的實(shí)例中，其結(jié) 構(gòu)可以是，或者使用掩模，或者不使用掩模直接在基片上形成圖形。光學(xué)組件16將通過刻線板28的光線投射和/或聚焦在晶片30上。取決于曝光 裝置10的設(shè)計(jì)，光學(xué)組件16能夠放大或縮小照射在刻線板28上的圖形。光學(xué)組件16并 非必需限制于縮小系統(tǒng)。還能夠是Ix或者放大系統(tǒng)。當(dāng)使用遠(yuǎn)紫外線，例如受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)，光學(xué)組件16能夠使用透射遠(yuǎn)紫外線 或X-射線的玻璃材料，例如石英和螢石。當(dāng)使用F2受激準(zhǔn)分子激光器或者X-射線時(shí)，光 學(xué)組件16能夠是反射折射的或者折射的(刻線板也應(yīng)當(dāng)優(yōu)選地為折射型)，而當(dāng)使用電子 束時(shí)，電子光學(xué)系統(tǒng)能夠由電子透鏡和偏轉(zhuǎn)器構(gòu)成。電子束的光學(xué)路徑應(yīng)當(dāng)在真空中。此外，利用波長(zhǎng)為200nm或者更短的真空紫外輻射(VUV)的曝光器件，可以考慮使 用反射折射型光學(xué)系統(tǒng)。反射折射光學(xué)系統(tǒng)的實(shí)例包括，待審查專利申請(qǐng)官方公報(bào)中公布 的日本專利申請(qǐng)公開No. 8-171054及其相應(yīng)的美國(guó)專利No. 5，668，672，以及日本專利申請(qǐng) 公布No. 10-20195及其相應(yīng)的美國(guó)專利No. 5，835，275。在這些實(shí)例中，折射光學(xué)器件能夠 是具有波束分割器和凹面鏡的反射折射光學(xué)系統(tǒng)。待審查專利申請(qǐng)官方公報(bào)中公布的日 本專利申請(qǐng)公布No. 8-334695及其相應(yīng)的美國(guó)專利No. 5，689，377以及日本專利申請(qǐng)公布 No. 10-3039及其相應(yīng)的美國(guó)專利No. 873，605 (公布日期6_12_97)也使用具有凹面鏡等當(dāng) 沒有波束分割器的反射-折射型光學(xué)系統(tǒng)，并且也能夠在本發(fā)明中使用。在允許的范圍內(nèi)， 本文引用上述美國(guó)專利以及待審查專利申請(qǐng)官方公報(bào)中公布的日本專利申請(qǐng)作為參考。在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)組件16利用一個(gè)或多個(gè)光學(xué)安裝隔離器37固定于裝置框 12。光學(xué)安裝隔離器37防止裝置框12的振動(dòng)導(dǎo)致光學(xué)組件16振動(dòng)。每個(gè)光學(xué)安裝隔離 器37都能夠包括一個(gè)隔離振動(dòng)的氣壓缸(未顯示)和一個(gè)隔離振動(dòng)并以至少兩種程度的 運(yùn)動(dòng)控制位置的致動(dòng)器(未顯示)。合適的光學(xué)安裝隔離器37由位于Woburn，MA的集成 動(dòng)態(tài)工藝公司(Integrated Dynamics Engineering)出售。為了說明簡(jiǎn)單，顯示了兩個(gè)相 間的光學(xué)安裝隔離器37用于將光學(xué)組件16固定于裝置框12。然而，例如，相間的光學(xué)安裝隔離器37能夠用于將光學(xué)組件16運(yùn)動(dòng)地固定于裝置框12。刻線板臺(tái)組件18保持并相對(duì)于光學(xué)組件16和晶片30定位刻線板28。在一個(gè)實(shí)施例中，刻線板臺(tái)組件18包括一個(gè)保持刻線板28的刻線板臺(tái)38，和一個(gè)移動(dòng)并定位刻線板 臺(tái)38和刻線板28的刻線板臺(tái)移動(dòng)器組件40。類似地，器件臺(tái)組件20相對(duì)于刻線板28被照射部分的投影圖像保持和定位晶片 30。在一個(gè)實(shí)施例中，器件臺(tái)組件20包括一個(gè)保持晶片30的器件臺(tái)42，一個(gè)相對(duì)于光學(xué)組 件16移動(dòng)和定位器件臺(tái)42和晶片30的器件臺(tái)移動(dòng)器組件44，和器件臺(tái)基架43。器件臺(tái) 42在下文將有更詳細(xì)的說明。每個(gè)臺(tái)移動(dòng)器組件40、44都能夠以3個(gè)自由度、小于3個(gè)自由度或者多于3個(gè)自 由度地移動(dòng)相應(yīng)的臺(tái)38，42。例如，在可選擇實(shí)施例中，每個(gè)臺(tái)移動(dòng)器組件40、44能夠以1、 2、3、4、5或6個(gè)自由度移動(dòng)相應(yīng)的臺(tái)38、42?？叹€板臺(tái)移動(dòng)器組件40和器件臺(tái)移動(dòng)器組件 44的每一個(gè)都能夠包括一個(gè)或多個(gè)移動(dòng)器，例如旋轉(zhuǎn)馬達(dá)、音圈馬達(dá)、利用洛侖茲力產(chǎn)生驅(qū) 動(dòng)力的線性馬達(dá)、電磁馬達(dá)、平面馬達(dá)或者其它的力移動(dòng)器。在照相光刻系統(tǒng)中，當(dāng)在晶片臺(tái)組件或者刻線板臺(tái)組件中使用線性馬達(dá)時(shí)(見美 國(guó)專利Nos. 5，623，853或者5，528，118)，線性馬達(dá)能夠是采用空氣軸承的空氣懸浮型，也 能夠是采用洛侖茲力或電抗力的磁懸浮型。此外，臺(tái)能沿著導(dǎo)軌移動(dòng)，或者能夠是不使用導(dǎo) 軌的無導(dǎo)軌型臺(tái)。在允許的范圍內(nèi)，本文引用美國(guó)專利Nos. 5，623，853和5，528，118的內(nèi) 容作為參考。選擇地，其中一個(gè)臺(tái)能夠由平面馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，該馬達(dá)通過磁體單元和電樞線圈產(chǎn)生 的電磁力驅(qū)動(dòng)臺(tái)，其中該磁體單元具有二維布置的磁體，該電樞線圈具有在相對(duì)位置二維 布置的線圈。利用這種類型的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，磁體單元或者電樞線圈的一個(gè)與臺(tái)基架相連，并且 在臺(tái)的移動(dòng)平面?zhèn)劝惭b另一個(gè)單元。臺(tái)的如上所述地移動(dòng)，產(chǎn)生能夠影響照相光刻系統(tǒng)性能的反作用力。由晶片(基 片)臺(tái)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的反作用力能夠通過框元件機(jī)械地傳遞給地板(地面)，框元件如美國(guó)專 利No. 5，528，100和日本專利申請(qǐng)公布No. 8-136475中公開的。此外，由刻線板(掩模) 臺(tái)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的反作用力能夠通過框元件機(jī)械地傳遞給地板(地面)，框元件如美國(guó)專利 No. 5，874，820和日本專利申請(qǐng)公布No. 8-330224中公開的。在允許的范圍內(nèi)，本文引用美 國(guó)專利申請(qǐng)Nos. 5，528，100和5，874，820以及日本專利申請(qǐng)公布No. 8-330224的內(nèi)容作為 參考。測(cè)量系統(tǒng)22監(jiān)視刻線板28和晶片30相對(duì)于光學(xué)組件16或者其它參照物的運(yùn)動(dòng)。 利用該信息，控制系統(tǒng)24能夠控制刻線板臺(tái)組件18以精確地定位刻線板28，以及控制器件 臺(tái)組件20以精確地定位晶片30。測(cè)量系統(tǒng)22的設(shè)計(jì)可以不同。例如，測(cè)量系統(tǒng)22能夠采 用多個(gè)激光干涉計(jì)、編碼器、反射鏡和/或其它測(cè)量器件?？刂葡到y(tǒng)24從測(cè)量系統(tǒng)22接收信息，并控制臺(tái)移動(dòng)器組件18、20從而精確地定 位刻線板28和晶片30。此外，控制系統(tǒng)24能夠控制環(huán)境系統(tǒng)26的部件的工作?？刂葡到y(tǒng) 24能夠包括一個(gè)或多個(gè)處理器和電路。環(huán)境系統(tǒng)26控制光學(xué)組件16和晶片30之間間隙246 (如圖2B所示)的環(huán)境。間 隙246包括一個(gè)成像區(qū)。成像區(qū)包括與晶片的曝光區(qū)相鄰的區(qū)域以及光學(xué)組件16與晶片 30之間通過光束的區(qū)域。利用這種設(shè)計(jì)，環(huán)境系統(tǒng)26能夠控制成像區(qū)內(nèi)的環(huán)境。
間隙246中由環(huán)境系統(tǒng)26產(chǎn)生和/或控制的理想環(huán)境能夠根據(jù)晶片30和曝光裝 置10其余部件，包括照射系統(tǒng)14，的設(shè)計(jì)而改變。例如，理想的受控環(huán)境能夠是流體，例如 水。選擇地，理想的受控環(huán)境能夠是其它類型的流體。圖2A是晶片30和圖1所示曝光裝置一部分的透視圖，包括光學(xué)組件16、器件臺(tái) 42和環(huán)境系統(tǒng)26。圖2B是圖2A曝光裝置10 —部分的剖面圖，包括光學(xué)組件16、器件臺(tái)42和環(huán)境 系統(tǒng)26。圖2B圖解的光學(xué)組件16包括光學(xué)外罩250A、最后一個(gè)光學(xué)元件(last optical element) 250B和元件保持器250C，其將最后光學(xué)元件250B固定于光學(xué)外罩250A。此外，圖 2B圖解了最后一個(gè)光學(xué)元件250B與晶片30之間的間隙246。在一個(gè)實(shí)施例中，間隙246 大約為1mm。
在一個(gè)實(shí)施例中，環(huán)境系統(tǒng)26用沉浸流體248填充成像區(qū)和間隙246的其他區(qū)域 (如圓所示)。環(huán)境系統(tǒng)26和環(huán)境系統(tǒng)26各部件的設(shè)計(jì)能夠不同。在圖2B所示的實(shí)施例 中，環(huán)境系統(tǒng)26包括沉浸流體系統(tǒng)252，流體屏障254和傳送區(qū)256。在該實(shí)施例中，(i)沉 浸流體系統(tǒng)252將沉浸流體248輸送和/或注射到間隙246中，清除傳送區(qū)256或者其附 近的沉浸流體248，和/或便于沉浸流體248通過傳送區(qū)256，(ii)流體屏障254阻止沉浸 流體248離開間隙246附近，且(iii)傳送區(qū)256轉(zhuǎn)移和/或輸送流自間隙246的沉浸流 體248。流體屏障254還在間隙246附近形成一個(gè)室257。沉浸流體系統(tǒng)252的設(shè)計(jì)能夠不同。例如，沉浸流體系統(tǒng)252能夠在如下的一個(gè) 或多個(gè)位置注射沉浸流體248 間隙246和室257或其附近，光學(xué)組件16的邊緣，和/或直 接在光學(xué)組件16與晶片30之間。而且，沉浸流體系統(tǒng)252能夠在如下的一個(gè)或多個(gè)位置 輔助清除和/或排泄沉浸流體248 器件30或其附近、間隙246和/或光學(xué)組件16的邊緣。在圖2B所示的實(shí)施例中，沉浸流體系統(tǒng)252包括一個(gè)或多個(gè)位于光學(xué)組件16和 沉浸流體源260周緣附近的注射噴嘴258 (只顯示了一個(gè))。圖2C更詳細(xì)地圖解了一個(gè)注 射噴嘴。在該實(shí)施例中，每個(gè)注射噴嘴258都包括一個(gè)噴嘴出口 262，其與沉浸流體源260 流體相連。在合適的時(shí)刻，沉浸流體源260向一個(gè)或多個(gè)開口于室257內(nèi)的噴嘴出口 262 提供沉浸流體248。圖2B和2C還圖解了位于晶片30上方的室257內(nèi)的沉浸流體248。沉浸流體流入 間隙246中。而且，隨著晶片30在光學(xué)組件16下移動(dòng)，基片30將晶片30上表面附近的沉 浸流體拖帶到間隙246中。在一個(gè)實(shí)施例中，流體屏障254形成圍繞間隙246的室257，限制沉浸流體248流 出間隙246，幫助保持間隙246內(nèi)充滿沉浸流體248，并有利于回收脫離間隙246的沉浸流 體248。在一個(gè)實(shí)施例中，流體屏障254包圍并整個(gè)圍繞間隙246和光學(xué)組件16的底部。 而且，在一個(gè)實(shí)施例中，流體屏障254將沉浸流體248限制在居中于光學(xué)組件16的晶片30 和器件臺(tái)42上的區(qū)域內(nèi)。選擇地，例如，流體屏障254能夠只圍繞間隙246的一部分，并且 流體屏障254能夠偏心于光學(xué)組件16。在圖2B和2C所示的實(shí)施例中，流體屏障254包括容納框264和框支架268。在 該實(shí)施例中，容納框264 —般呈環(huán)形，并且包圍間隙246。此外，在該實(shí)施例中，容納框264 包括頂側(cè)面270A、面對(duì)晶片30的相對(duì)底側(cè)面270B、面對(duì)間隙246的內(nèi)側(cè)面270C和外側(cè)面 270D。而且，在該實(shí)施例中，流體屏障254包括用于接收傳送區(qū)256的通道272。作為一個(gè)實(shí)例，通道272能夠呈環(huán)形。應(yīng)當(dāng)注意，術(shù)語頂和底只是出于方便的目的，且容納框264的取向能夠旋轉(zhuǎn)。還應(yīng) 當(dāng)注意，容納框264能夠?yàn)槠渌男螤睢＠?，容納框264能夠是矩形框、八角形框、橢圓形 框、或者其它合適的形狀?？蛑Ъ?68將支持容納框264并將其連接于位于晶片30和器件臺(tái)42上方的裝置框12(另一個(gè)結(jié)構(gòu))和/或光學(xué)組件16。在一個(gè)實(shí)施例中，框支架268支持容納框264的 全部重量。選擇地，例如，框支架268只支持容納框264 —部分的重量。在一個(gè)實(shí)施例中， 框支架268能夠包括一個(gè)或多個(gè)支持組件274。例如，框支架268能夠包括3個(gè)相間的支持 組件274(圖2B只顯示了 2個(gè))。在該實(shí)施例中，每個(gè)支持組件274都在光學(xué)組件16與容 納框264的內(nèi)側(cè)面270C之間延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)支持組件274都是一個(gè)牢固地將容納框264固定于光學(xué)組 件16上的底座(mount)。選擇地，例如，每個(gè)支持組件都能夠是以靈活的方式支持容納框 264的活動(dòng)部件(flexture)。如這里所使用的，術(shù)語“活動(dòng)部件”應(yīng)當(dāng)是指在某些方向上具 有相對(duì)高的剛度，而在其它方向上具有相對(duì)低的剛度的部件。在一個(gè)實(shí)施例中，活動(dòng)部件合 作使得(i)沿著X軸和Y軸相對(duì)剛直，(ii)而沿著Z軸相對(duì)靈活。在該實(shí)施例中，活動(dòng)部 件能夠允許容納框264沿著Z軸移動(dòng)，防止容納框264沿著X軸和Y軸移動(dòng)。選擇地，例如，每個(gè)支持組件274都能夠是一個(gè)制動(dòng)器，其能夠用于調(diào)節(jié)容納框 264相對(duì)于晶片30和器件臺(tái)42的位置。在該實(shí)施例中，框支架268還能夠包括一個(gè)框測(cè) 量系統(tǒng)(未顯示)，其監(jiān)視容納框264的位置。例如，框測(cè)量系統(tǒng)能夠監(jiān)視容納框264沿著 Z軸、關(guān)于X軸和關(guān)于Y軸的位置。利用該信息，支持組件274能夠用于調(diào)節(jié)容納框264的 位置。在該實(shí)施例中，支持組件274能夠有效地調(diào)節(jié)容納框264的位置。圖2B和2C還更詳細(xì)地圖解了傳送區(qū)256。在該實(shí)施例中，傳送區(qū)256是一個(gè)基 片275，其基本上為圓盤形，包圍間隙246，并基本上居中于光學(xué)組件16。選擇地，例如，基片 275能夠是其它的形狀，包括橢圓型框、矩形框或八角形框。再選擇地，例如，傳送區(qū)256能 夠包括多個(gè)協(xié)同包圍間隙246 —部分的基片片斷，和/或多個(gè)基本上同心的基片。傳送區(qū)256的尺寸能夠加以選擇，以便獲得期望的沉浸流體回收速度。而且，在該實(shí)施例中，傳送區(qū)256在容納框264的底側(cè)面或其附近被固定于容納框 264，并且與容納框協(xié)同形成緊鄰或者位于傳送區(qū)256上面的清除室276。而且，如圖2C所 示，傳送區(qū)256包括鄰近清除室276的第一表面278A和鄰近器件30和間隙246的相對(duì)第 二表面278B。在該實(shí)施例中，傳送區(qū)256俘獲、保持和/或吸附在容納框264和晶片30和/或 器件臺(tái)42之間流動(dòng)的沉浸流體248的至少一部分。傳送區(qū)256采用的材料類型能夠不同。 在一個(gè)實(shí)施例中，基片275包括多個(gè)通道280。例如，通道280能夠相對(duì)小并緊密封裝。作為一個(gè)實(shí)例，傳送區(qū)256能夠是具有多個(gè)通過毛細(xì)作用輸送沉浸流體248的孔 和/或裂縫的多孔材料。在該實(shí)施例中，通道280能夠足夠的小，以便使毛細(xì)作用將沉浸流 體248拖到孔內(nèi)。合適的材料的實(shí)例包括用金屬、玻璃或陶瓷制成的燈芯型結(jié)構(gòu)。合適的 燈芯型結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括任何具有互連的小通道的網(wǎng)絡(luò)的材料，包括但不僅限于，編織玻璃 纖維、燒結(jié)金屬粉、篩網(wǎng)、絲線網(wǎng)、或任何材料的凹槽。傳送區(qū)256能夠是親水的。在一個(gè)實(shí)施例中，傳送區(qū)256的孔尺寸為大約20-200微米。選擇地，非唯一實(shí)施例，傳送區(qū)256的孔隙率能夠?yàn)橹辽俅蠹s40、80、100、140、160或180。在某些實(shí)施例中，需要相對(duì)較高的流量。為了容納更高的流動(dòng)，傳送區(qū)256需要更大孔隙率的材料。傳送區(qū)256的孔隙率的選擇取決于傳送區(qū)256所需的整體流速。通過使 用具有更大孔隙率的傳送區(qū)256，減小傳送區(qū)256的厚度，或者增加傳送區(qū)256的表面積，能 夠獲得更大的整體流速。在一個(gè)實(shí)施例中，沉浸式光刻中需要的流速為0. 3-1. OL/min，可以 使用尺寸為40-150 μ m的孔覆蓋30-150cm2的區(qū)域，用于回收沉浸流體。多孔材料的類型 和規(guī)格還取決于沉浸流體248的應(yīng)用和性能。再參考圖2B，在某些實(shí)施例中，傳送區(qū)256具有有限的吸收沉浸流體248的容量。 在一個(gè)實(shí)施例中，沉浸流體系統(tǒng)252包括流體清除系統(tǒng)282，其從傳送區(qū)256或其附近清除 沉浸流體248并且與傳送區(qū)256和清除室276流體相連。利用該設(shè)計(jì)，沉浸流體248能夠 被傳送區(qū)256俘獲，并通過流體清除系統(tǒng)276加以清除。在一個(gè)實(shí)施例中，流體清除系統(tǒng)282從傳送區(qū)256的上(第一)表面278A清除沉 浸流體248，允許附加的沉浸流體248流入傳送區(qū)256的下(第二)表面。例如，流體清除 系統(tǒng)282能夠產(chǎn)生跨傳送區(qū)256的壓力差。在一個(gè)實(shí)施例中，流體清除系統(tǒng)282使得第一 表面278A處的壓力低于第二表面278B處的壓力。沉浸流體的清除能夠以多種不同的方法實(shí)現(xiàn)，下面說明流體清除系統(tǒng)282的多個(gè) 實(shí)施例。圖2C圖解的框間隙284存在于⑴容納框264的下側(cè)面270B和傳送區(qū)256的第 二表面278B和(ii)晶片30和/或器件臺(tái)42之間，從而允許器件臺(tái)42和晶片30相對(duì)于 容納框264容易地移動(dòng)。框間隙284的尺寸能夠不同。在一個(gè)實(shí)施例中，框間隙284為大 約0. l-2mm。在可選擇實(shí)施例中，框間隙284能夠?yàn)榇蠹s0. 05,0. 1,0. 2,0. 5、1、1. 5、2、3或 5mm ο利用該實(shí)施例，大多數(shù)沉浸流體248被限制在流體屏障254內(nèi)，大多數(shù)圍繞外周的 泄漏都通過傳送區(qū)256排泄到窄框間隙284內(nèi)。在該實(shí)例中，黨沉浸流體248接觸傳送區(qū) 256時(shí)，它被拖帶進(jìn)入傳送區(qū)256并被吸附。這樣，傳送區(qū)256防止任何沉浸流體流出環(huán)。圖2D圖解了與圖2C所示實(shí)施例有些相似的曝光裝置IOD另一個(gè)實(shí)施例的一部分 的剖面圖。然而，在圖2D中，器件30D和/或臺(tái)42D比傳送區(qū)256D的第二表面278DB更接 近容納框264D內(nèi)側(cè)面270CD和/或外側(cè)面270DD的下側(cè)面270BD。換言之，下側(cè)面278BD 與器件30D和/或臺(tái)42D之間的距離小于第二表面278DB與器件30D和/或臺(tái)42D之間的 距離。圖3A圖解了沉浸流體源260的一個(gè)實(shí)施例。在該實(shí)施例中，沉浸流體源260包括 (i)保持沉浸流體248的流體貯存器386A，(ii)與流體貯存器386A流體相連用于過濾沉浸 流體248的過濾器386B，(iii)與過濾器386B流體相連用于從沉浸流體248中去除氣體、 污染物或者氣體的通風(fēng)裝置386C，(iv)與通風(fēng)裝置386C流體相連用于控制沉浸流體248 溫度的溫度控制器386D，例如熱交換器或者冷卻器，(ν)與溫度控制器386D流體相連的壓 力源386E，例如泵，和(vi)具有與壓力源386E流體相連的入口和與噴嘴出口 262 (如圖2C 所示)流體相連的出口的流動(dòng)控制器386F，該流體控制器386F控制壓力和向噴嘴出口 262 的流動(dòng)。此外，沉浸流體源260能夠包括(i)測(cè)量輸送到噴嘴出口 262的沉浸流體248的壓力的壓力傳感器386G，和測(cè)量到噴嘴出口 262的沉浸流體248的溫度的溫度傳感器3861。這些部件的工作能夠通過控制系統(tǒng)(圖1所示)加以控制，從而控制到噴嘴出口 262的沉 浸流體的流速、溫度和/或壓力。這些傳感器386G-386I的信息能夠轉(zhuǎn)移到控制系統(tǒng)24，從 而控制系統(tǒng)24能夠合適地調(diào)節(jié)沉浸流體源360A的其他部件，以便獲得沉浸流體248的期 望溫度、流速和/或壓力。應(yīng)當(dāng)注意，沉浸流體源260的部件的取向可以不同。而且，可以不需要其中的一個(gè) 或多個(gè)部件，和/或能夠加倍某些部件。例如，沉浸流體源260能夠包括多個(gè)泵，多個(gè)貯存 器，溫度控制器或其他部件。而且，環(huán)境系統(tǒng)26能夠包括多個(gè)沉浸流體源260。沉浸流體248泵入間隙246 (圖2B所示)的速度能夠不同。在一個(gè)實(shí)施例中，沉 浸流體248通過噴嘴出口 262以大約0. 5L/min-2L/min的速度供應(yīng)到間隙246。然而，該速 度能夠大于或者小于這些量。沉浸流體248的類型能夠變化，以便適合裝置10的設(shè)計(jì)要求。在一個(gè)實(shí)施例中， 沉浸流體248是例如脫氣的去離子水。選擇地，例如，沉浸流體248能夠是另一種類型的流 體，例如預(yù)加氟聚乙醚(per-fluorinated poly ether) (PFPE)，例如 Fomblin 油。圖3B圖解了流體清除系統(tǒng)282B的第一實(shí)施例，并圖解了流體屏障254的一部分， 傳送區(qū)256，晶片30和沉浸流體248。流體清除系統(tǒng)382B在這里還稱作壓力系統(tǒng)。在一個(gè) 實(shí)施例中，流體清除系統(tǒng)382B產(chǎn)生和/或向傳送區(qū)256的第一表面278A提供傳送壓力。在 該實(shí)施例中，流體清除系統(tǒng)382B保持傳送區(qū)256第一表面278A的傳送壓力，從而第一表面 278A預(yù)第二表面278B之間存在壓力差。選擇地，非唯一實(shí)施例，流體清除系統(tǒng)382B控制清 除室276內(nèi)的壓力，從而第一表面278A的傳送壓力為大約-10、-100、-500、-1000、-2000、-5 000、-7000 或者-10，OOOPa/ 頁(page)。在圖3B中，流體沉浸系統(tǒng)382B包括⑴在清除室276中產(chǎn)生低室壓的低壓源 390BA,和(ii)俘獲來自清除室276的沉浸流體248的回收貯存器390BC。在該實(shí)施例 中，低壓源390BA能夠包括泵或真空源390BD，和用于精確控制室276內(nèi)室壓的室壓調(diào)節(jié)器 390BE。選擇地，例如非唯一實(shí)施例，室壓被控制為大約-10、-100、-500、-1000、-2000、-500 0,-7000或者-10，OOOPa/頁。室壓調(diào)節(jié)器390BE能夠通過控制系統(tǒng)24加以控制來控制室 壓。圖3C圖解了流體清除系統(tǒng)382C的另一個(gè)實(shí)施例，描繪了流體清除系統(tǒng)254的一 部分、傳送區(qū)256、晶片30、和沉浸流體248。在該實(shí)施例中，流體清除系統(tǒng)382C驅(qū)動(dòng)干燥清 除流體396 (如三角所示)，例如空氣，通過清除室276，并通過傳送區(qū)256的上表面278A。 清除流體396將干燥傳送區(qū)256的上表面278A，泵唧沉浸流體248離開傳送區(qū)256。清除流 體396在能夠某些情況下可以被加熱，以提高沉浸流體248進(jìn)入干燥流體396的流速。換 言之，在一個(gè)實(shí)施例中，清除流體396的清除流體溫度高于沉浸流體248的沉浸流體溫度。在圖3C中，流體清除系統(tǒng)382C包括(i)加壓干燥清除流體396的流體源396A， ( )控制干燥清除流體396的溫度的溫度控制器396B，(iii)測(cè)量干燥清除流體396的流 動(dòng)的流動(dòng)傳感器396C，和(iv)測(cè)量干燥清除流體396的溫度的溫度傳感器396D。流體源 396A能夠包括由控制系統(tǒng)控制的泵，并且溫度控制器396B能夠是由控制系統(tǒng)24控制的加 熱器。圖3D圖解了流體清除系統(tǒng)382D的另一個(gè)實(shí)施例，描繪了流體屏障254的一部分，傳送區(qū)256、晶片30和沉浸流體248。在該實(shí)施例中，傳送區(qū)256延伸超出流體屏障254。 進(jìn)一步，流體清除系統(tǒng)382C包括一個(gè)熱源397，其將加熱的流體396G (如三角所示)導(dǎo)向到 傳送區(qū)256的第一表面378A，并使沉浸流體248汽化出傳送區(qū)256并被俘獲。應(yīng)當(dāng)注意，圖3B-3D所示流體清除系統(tǒng)382B和382C的部件取向可以不同。而且，可以不需要其中的一個(gè)或多個(gè)部件，和/或能夠加倍某些部件。例如，流氣清楚系統(tǒng)382B， 382C，382D的每一個(gè)能夠包括多個(gè)泵，多個(gè)貯存器，閥，或其他部件。而且，環(huán)境系統(tǒng)26能夠 包括多個(gè)流體清除系統(tǒng)382B，382C，382D。圖4是環(huán)境系統(tǒng)426另一個(gè)實(shí)施例一部分、晶片30的一部分和器件臺(tái)42的一部 分的放大圖。在該實(shí)施例中，環(huán)境系統(tǒng)426與圖2A-2C所示相應(yīng)的部分有些相似。然而，在 本實(shí)施例中，傳送區(qū)456有少許不同。特別地，在該實(shí)施例中，傳送區(qū)456的基片475中的 通道480(只顯示了 2個(gè))是多個(gè)相間的傳送孔徑，其基本上延伸橫穿第一表面478A和第 二表面478B之間的基片475。在該實(shí)施例中，例如，基片475能夠用例如玻璃或其它親水性材料制成。在一個(gè)實(shí) 施例中，傳送孔徑480的直徑為大約0. 1-0. 2mm。然而，在某些實(shí)施例中，傳送孔徑能夠比這 些數(shù)值更大或更小。利用該設(shè)計(jì)，例如，可以使用一個(gè)或多個(gè)流體清除系統(tǒng)382B，382C，382D (如圖3B 和3C所示)在傳送孔徑480上施加真空或部分真空。部分真空拖帶沉浸流體248通過傳 送區(qū)456。圖5A是曝光裝置510另一個(gè)實(shí)施例一部分的實(shí)施例，其包括光學(xué)組件516、器件 臺(tái)542和環(huán)境系統(tǒng)526。圖5A還圖解了晶片30、間隙546和充滿間隙546的沉浸流體548。 圖5B圖解了沿圖5A中5B-5B線的放大部分。在該實(shí)施例中，環(huán)境系統(tǒng)526依然包括與上述相應(yīng)部件有些相似的沉浸流體系統(tǒng) 552、流體屏障554和傳送區(qū)556。在該實(shí)施例中，流體屏障554包括圍繞間隙546形成一個(gè) 室557的容納框564，和支持并將容納框546連接于裝置框12的框支架568。然而，在該實(shí) 施例中，容納框564包括(i)環(huán)形第一溝道581，其限定與沉浸流體系統(tǒng)552的沉浸流體源 560流體相連的噴嘴出口 562 ;(ii)環(huán)形第二溝道583，(iii)環(huán)形第三溝道585，和(iv)用 于接收傳送區(qū)556的環(huán)形第四溝道587。在該實(shí)施例中，溝道581、583、585和587近似同心 并且在光學(xué)組件516周圍生成。而且，在該實(shí)施例中，第二溝道583圍繞第一溝道581，第 三溝道585圍繞第二溝道583，第四溝道587圍繞第三溝道585。然而，這些溝道581，583， 585，587的形狀、取向和/或位置可以改變。在一個(gè)實(shí)施例中，沉浸流體系統(tǒng)552向第一溝道581和開口于室557內(nèi)的噴嘴出 口 562提供沉浸流體548。傳送區(qū)556與容納框564 —起形成鄰近并位于傳送區(qū)556上方 的清除室576。而且，傳送區(qū)556包括鄰近清除室576的第一表面578A和鄰近器件40和間 隙546的相對(duì)第二表面。在該實(shí)施例中，第三溝道585與第一清除系統(tǒng)582A流體相連。在一個(gè)實(shí)施例中， 第一清除系統(tǒng)582A在第三溝道585內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)真空或半真空，其拖帶和/或牽引沉浸流體 548進(jìn)入第三溝道585。例如，在可選擇非唯一實(shí)施例中，第一清除系統(tǒng)582A能夠?qū)⒌谌郎?道 585 內(nèi)的壓力保持在大約-10、-100、-500、-1000、-2000、-5000、-7000 或者-10，OOOPa/頁。
而且在該實(shí)施例中，第四溝道587與第二清除系統(tǒng)582B流體相連。在該實(shí)施例中， 第二清除系統(tǒng)582將沉浸流體548清除出傳送區(qū)556的上(第一)表面578A，從而允許附 加的沉浸流體548流入傳送區(qū)556的下(第二)表面578B。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一清除系統(tǒng)582A的設(shè)計(jì)能夠與圖3B-3D所示清除系統(tǒng)382B， 382C其中之一的設(shè)計(jì)有些相似，和/或第二清除系統(tǒng)582B的設(shè)計(jì)能夠與圖3B-3D所示清除 系統(tǒng)382B，382C其中之一的設(shè)計(jì)有些相似。在一個(gè)實(shí)施例中，大部分離開間隙546的沉浸流體548通過第三溝道585回收。 例如，第三溝道585能夠回收從間隙546回收的沉浸流體的大約80-90%。在可選擇實(shí)施 例中，第三溝道585能夠回收從間隙546回收的沉浸流體548的至少大約50、60、70、80或 90%。利用該設(shè)計(jì)，第四溝道587能夠用于俘獲不能被第三溝道585俘獲的沉浸流體548。此外，在一個(gè)實(shí)施例中，環(huán)境系統(tǒng)526包括壓力控制器591，其能夠用于控制間隙 546內(nèi)的壓力。在一個(gè)實(shí)施例中，壓力控制器591能夠使間隙546內(nèi)的壓力大約等于間隙 546外部的壓力。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，第二溝道583限定該壓力控制器591。在該實(shí)施 例中，第二溝道583向大氣壓開放，并且位于第三溝道585的周緣內(nèi)部。利用該設(shè)計(jì)，第三 溝道585內(nèi)的負(fù)壓(真空或部分真空)不會(huì)強(qiáng)烈影響光學(xué)組件516和晶片30之間的壓力。選擇地，例如，控制壓力源583能夠向開口與間隙546內(nèi)的第二溝道583輸送控制 流體595(如三角所示)。在一個(gè)實(shí)施例中，控制流體595能夠是不容易被沉浸流體548吸 附的氣體。例如，如果沉浸流體546是水，那么控制流體595能夠是水。如果沉浸流體548 不吸附控制流體595或者與之反應(yīng)，就能夠減少在晶片30的表面上形成氣泡的機(jī)會(huì)。再一個(gè)實(shí)施例中，環(huán)境系統(tǒng)526能夠包括一個(gè)用于在容納框564和晶片30和/或 器件臺(tái)542之間產(chǎn)生流體軸承(bearing)的器件(未顯示)。例如，容納框564能夠包括一 個(gè)或多個(gè)與軸承流體(未顯示)的軸承流體源(未顯示)流體相連的軸承出口(未顯示)。 在該實(shí)施例中，軸承流體源向軸承出口提供加壓流體，從而產(chǎn)生空氣靜力學(xué)軸承。流體軸承 能夠支持容納框564的全部或部分重量。應(yīng)當(dāng)注意，在每個(gè)實(shí)施例中，能夠根據(jù)需要添加附加傳送區(qū)。利用上述系統(tǒng)通過圖6A大概顯示的處理能夠制造半導(dǎo)體器件。在步驟601，設(shè)計(jì) 器件的功能和性能特征。接著，在步驟602，根據(jù)先前的設(shè)計(jì)步驟設(shè)計(jì)具有圖形的掩模(刻 線板)，并且在平行的步驟603中，用硅材料制造晶片。在步驟604，通過上文說明的根據(jù)本 發(fā)明的照相光刻系統(tǒng)將步驟602中設(shè)計(jì)的掩模圖形曝光到在步驟603中制造的晶片上。在 步驟605中，最終組裝半導(dǎo)體器件(包括切片處理、鍵合處理和封裝處理)，然后在步驟606 中對(duì)器件進(jìn)行檢查。圖6B圖解了制造半導(dǎo)體器件的上述步驟604的詳細(xì)流程圖。在圖6B中，在步驟 611 (氧化步驟)，氧化晶片表面。在步驟612 (CVD步驟)，在晶片表面上形成絕緣膜。在步 驟613 (電極形成步驟)，通過氣相沉積在晶片上形成電極。在步驟614 (離子注入步驟)， 在晶片中注入離子。上述步驟611-614形成晶片處理期間的處理步驟，并且根據(jù)處理需要 在每個(gè)步驟處進(jìn)行選擇。在晶片處理的每個(gè)階段，當(dāng)上述處理步驟結(jié)束時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)如下的后處理步驟。在 后處理期間，首先，在步驟615(光刻膠形成步驟)，向晶片施加光刻膠。接著，在步驟616(曝 光步驟)，使用上述的曝光器件將掩模(刻線板)上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶片上。然后，在步驟617 (顯影步驟)，顯影經(jīng)過曝光的晶片，并且在步驟618 (腐蝕步驟)，通過腐蝕除殘余光刻膠(經(jīng)過曝光的材料表面)之外的部分。在步驟619 (光刻膠清除步驟)，除去腐蝕之后殘 余的不必要光刻膠。通過重復(fù)這些預(yù)處理和后處理步驟能夠形成多個(gè)電路圖。盡管本文顯示和公開的特殊曝光裝置10完全能夠獲得前述的目標(biāo)和提供本文之 前描述的優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)時(shí)應(yīng)當(dāng)理解，它只是本發(fā)明當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例的示例，并不對(duì)這里所設(shè)計(jì)的 結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)具有限制，限制由附加的權(quán)利要求設(shè)定。
權(quán)利要求
一種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的晶片之間限定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系統(tǒng)包括容納框；框支架，通過該框支架所述容納框被可移動(dòng)地支持；以及多孔材料，其鄰近所述間隙放置，所述多孔材料被固定于所述容納框，并且所述多孔材料包括多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中在所述多孔材料和所述晶片之間形成的框間隙是預(yù)定 的尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所述多孔材料流 體連通，并且從所述多孔材料去除沉浸流體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)用于在所述多孔材料上施加真空。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的系統(tǒng)，其中所述多孔材料在所述容納框的底側(cè)上固定于所述容納 框，并且所述流體清除系統(tǒng)與所述容納框中的所述多孔材料上方形成的清除室流體連通。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所述 多孔材料流體連通、從所述多孔材料去除沉浸流體、保持跨多孔材料的壓力差、并且包括回 收貯存器，該回收貯存器用于俘獲來自所述容納框中的所述多孔材料上方形成的清除室的 沉浸流體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括活動(dòng)部件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括可以用來調(diào)整所述容納框 的位置的致動(dòng)器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的系統(tǒng)，其中所述框支架包括監(jiān)視所述容納框的位置的框測(cè)量系統(tǒng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿一個(gè)方向移動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿另一個(gè)方向移動(dòng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿Z軸移動(dòng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿與所述Z軸垂直的X 軸和Y軸移動(dòng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架支持所述容納框的重量的全 部或僅一部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括噴嘴出口，所述沉浸流體從此噴嘴出口 釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的空間。
17.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述晶片和/或保 持在所述沉浸式光刻裝置中的晶片的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
19.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架將所述容納框與所述沉浸式 光刻裝置的裝置框連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓力控 制器。
21.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述多孔材料具有20微米-200微米之間 的孔尺寸。
22.—種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的晶片之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框；和框支架，通過該框支架所述容納框被可移動(dòng)地支持；以及燈芯材料，其鄰近所述間隙放置，所述燈芯材料被固定于所述容納框，并且所述燈芯材 料包括多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的系統(tǒng)，其中在所述燈芯材料和所述晶片之間形成的框間隙是預(yù) 定的尺寸。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求22的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所述燈芯材料 流體連通，并且從所述燈芯材料去除沉浸流體。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)用于在所述燈芯材料上施加真空。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的系統(tǒng)，其中所述燈芯材料在所述容納框的底側(cè)上固定于所述 容納框，并且所述流體清除系統(tǒng)與所述容納框中的所述燈芯材料上方形成的清除室流體連通。
28.根據(jù)權(quán)利要求22-24中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所 述燈芯材料流體連通、從所述燈芯材料去除沉浸流體、保持跨燈芯材料的壓力差、并且包括 回收貯存器，該回收貯存器用于俘獲來自所述容納框中的所述燈芯材料上方形成的清除室 的沉浸流體。
29.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括活動(dòng)部件。
30.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括可以用來調(diào)整所述容 納框的位置的致動(dòng)器。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的系統(tǒng)，其中所述框支架包括監(jiān)視所述容納框的位置的框測(cè)量系統(tǒng)。
32.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿一個(gè)方向移動(dòng)。
33.根據(jù)權(quán)利要求32中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿另一個(gè)方向移動(dòng)。
34.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿Z軸移動(dòng)。
35.根據(jù)權(quán)利要求34中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿與所述Z軸垂直的X 軸和Y軸移動(dòng)。
36.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架支持所述容納框的重量的 全部或僅一部分。
37.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括噴嘴出口，所述沉浸流體從此噴嘴出 口釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的空間。
38.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述晶片和/或 保持在所述沉浸式光刻裝置中的晶片的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
39.根據(jù)權(quán)利要求38的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
40.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架將所述容納框與所述沉浸 式光刻裝置的裝置框連接。
41.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓力 控制器。
42.根據(jù)權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述燈芯材料具有20微米-200微米之 間的孔尺寸。
43.一種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的晶片之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框；和框支架，通過該框支架所述容納框被可移動(dòng)地支持；以及網(wǎng)孔材料，其鄰近所述間隙放置，所述網(wǎng)孔材料被固定于所述容納框，并且所述網(wǎng)孔材 料包括多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道。
44.根據(jù)權(quán)利要求43的系統(tǒng)，其中在所述網(wǎng)孔材料和所述晶片之間形成的框間隙是預(yù) 定的尺寸。
45.根據(jù)權(quán)利要求44的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
46.根據(jù)權(quán)利要求43的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所述網(wǎng)孔材料 流體連通，并且從所述網(wǎng)孔材料去除沉浸流體。
47.根據(jù)權(quán)利要求46的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)用于在所述網(wǎng)孔材料上施加真空。
48.根據(jù)權(quán)利要求46的系統(tǒng)，其中所述網(wǎng)孔材料在所述容納框的底側(cè)上固定于所述 容納框，并且所述流體清除系統(tǒng)與所述容納框中的所述網(wǎng)孔材料上方形成的清除室流體連通。
49.根據(jù)權(quán)利要求43-45中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所 述網(wǎng)孔材料流體連通、從所述網(wǎng)孔材料去除沉浸流體、保持跨網(wǎng)孔材料的壓力差、并且包括 回收貯存器，該回收貯存器用于俘獲來自所述容納框中的所述網(wǎng)孔材料上方形成的清除室 的沉浸流體。
50.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括活動(dòng)部件。
51.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括可以用來調(diào)整所述容 納框的位置的致動(dòng)器。
52.根據(jù)權(quán)利要求51的系統(tǒng)，其中所述框支架包括監(jiān)視所述容納框的位置的框測(cè)量系統(tǒng)。
53.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿一個(gè)方向移動(dòng)。
54.根據(jù)權(quán)利要求53中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿另一個(gè)方向移動(dòng)。
55.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿Z軸移動(dòng)。
56.根據(jù)權(quán)利要求55中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿與所述Z軸垂直的X軸和Y軸移動(dòng)。
57.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架支持所述容納框的重量的 全部或僅一部分。
58.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括噴嘴出口，所述沉浸流體從此噴嘴出 口釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的空間。
59.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述晶片和/或 保持在所述沉浸式光刻裝置中的晶片的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
60.根據(jù)權(quán)利要求59的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
61.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架將所述容納框與所述沉浸 式光刻裝置的裝置框連接。
62.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓力 控制器。
63.根據(jù)權(quán)利要求43-48中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述網(wǎng)孔材料具有20微米-200微米之 間的孔尺寸。
64.一種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的晶片之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框；和框支架，通過該框支架所述容納框被可移動(dòng)地支持；以及編織玻璃纖維，其鄰近所述間隙放置，所述編織玻璃纖維被固定于所述容納框，并且所 述編織玻璃纖維包括多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道。
65.根據(jù)權(quán)利要求64的系統(tǒng)，其中在所述編織玻璃纖維和所述晶片之間形成的框間隙 是預(yù)定的尺寸。
66.根據(jù)權(quán)利要求65的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
67.根據(jù)權(quán)利要求64的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所述編織玻璃 纖維流體連通，并且從所述編織玻璃纖維去除沉浸流體。
68.根據(jù)權(quán)利要求67的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)用于在所述編織玻璃纖維上施加真空。
69.根據(jù)權(quán)利要求67的系統(tǒng)，其中所述編織玻璃纖維在所述容納框的底側(cè)上固定于所 述容納框，并且所述流體清除系統(tǒng)與所述容納框中的所述編織玻璃纖維上方形成的清除室 流體連通。
70.根據(jù)權(quán)利要求64-66中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所 述編織玻璃纖維流體連通、從所述編織玻璃纖維去除沉浸流體、保持跨編織玻璃纖維的壓 力差、并且包括回收貯存器，該回收貯存器用于俘獲來自所述容納框中的所述編織玻璃纖 維上方形成的清除室的沉浸流體。
71.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括活動(dòng)部件。
72.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括可以用來調(diào)整所述容納框的位置的致動(dòng)器。
73.根據(jù)權(quán)利要求72的系統(tǒng)，其中所述框支架包括監(jiān)視所述容納框的位置的框測(cè)量系統(tǒng)。
74.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿一個(gè)方向移動(dòng)。
75.根據(jù)權(quán)利要求74中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿另一個(gè)方向移動(dòng)。
76.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿Z軸移動(dòng)。
77.根據(jù)權(quán)利要求76中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿與所述Z軸垂直的X 軸和Y軸移動(dòng)。
78.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架支持所述容納框的重量的 全部或僅一部分。
79.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括噴嘴出口，所述沉浸流體從此噴嘴出 口釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的空間。
80.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述晶片和/或 保持在所述沉浸式光刻裝置中的晶片的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
81.根據(jù)權(quán)利要求80的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
82.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架將所述容納框與所述沉浸 式光刻裝置的裝置框連接。
83.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓力 控制器。
84.根據(jù)權(quán)利要求64-69中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述編織玻璃纖維具有20微米-200微 米之間的孔尺寸。
85.—種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的晶片之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框；和框支架，通過該框支架所述容納框被可移動(dòng)地支持；以及燒結(jié)金屬粉，其鄰近所述間隙放置，所述燒結(jié)金屬粉被固定于所述容納框，并且所述燒 結(jié)金屬粉包括多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道。
86.根據(jù)權(quán)利要求85的系統(tǒng)，其中在所述燒結(jié)金屬粉和所述晶片之間形成的框間隙是 預(yù)定的尺寸。
87.根據(jù)權(quán)利要求86的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0. lmm-2mm之間。
88.根據(jù)權(quán)利要求85的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所述燒結(jié)金屬 粉流體連通，并且從所述燒結(jié)金屬粉去除沉浸流體。
89.根據(jù)權(quán)利要求88的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)用于在所述燒結(jié)金屬粉上施加真空。
90.根據(jù)權(quán)利要求88的系統(tǒng)，其中所述燒結(jié)金屬粉在所述容納框的底側(cè)上固定于所述 容納框，并且所述流體清除系統(tǒng)與所述容納框中的所述燒結(jié)金屬粉上方形成的清除室流體 連通。
91.根據(jù)權(quán)利要求85-87中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所 述燒結(jié)金屬粉流體連通、從所述燒結(jié)金屬粉去除沉浸流體、保持跨燒結(jié)金屬粉的壓力差、并 且包括回收貯存器，該回收貯存器用于俘獲來自所述容納框中的所述燒結(jié)金屬粉上方形成 的清除室的沉浸流體。
92.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括活動(dòng)部件。
93.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括可以用來調(diào)整所述容 納框的位置的致動(dòng)器。
94.根據(jù)權(quán)利要求93的系統(tǒng)，其中所述框支架包括監(jiān)視所述容納框的位置的框測(cè)量系統(tǒng)。
95.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿一個(gè)方向移動(dòng)。
96.根據(jù)權(quán)利要求95中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿另一個(gè)方向移動(dòng)。
97.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿Z軸移動(dòng)。
98.根據(jù)權(quán)利要求97中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿與所述Z軸垂直的X 軸和Y軸移動(dòng)。
99.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架支持所述容納框的重量的 全部或僅一部分。
100.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括噴嘴出口，所述沉浸流體從此噴嘴 出口釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的空間。
101.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述晶片和/ 或保持在所述沉浸式光刻裝置中的晶片的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
102.根據(jù)權(quán)利要求101的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
103.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架將所述容納框與所述沉浸 式光刻裝置的裝置框連接。
104.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓力 控制器。
105.根據(jù)權(quán)利要求85-90中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述燒結(jié)金屬粉具有20微米-200微 米之間的孔尺寸。
106.一種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的晶片之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框；和框支架，通過該框支架所述容納框被可移動(dòng)地支持；以及絲線網(wǎng)，其鄰近所述間隙放置，所述絲線網(wǎng)被固定于所述容納框，并且所述絲線網(wǎng)包括 多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道。
107.根據(jù)權(quán)利要求106的系統(tǒng)，其中在所述絲線網(wǎng)和所述晶片之間形成的框間隙是預(yù) 定的尺寸。
108.根據(jù)權(quán)利要求107的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
109.根據(jù)權(quán)利要求106的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所述絲線網(wǎng)流體連通，并且從所述絲線網(wǎng)去除沉浸流體。
110.根據(jù)權(quán)利要求109的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)用于在所述絲線網(wǎng)上施加真空。
111.根據(jù)權(quán)利要求109的系統(tǒng)，其中所述絲線網(wǎng)在所述容納框的底側(cè)上固定于所述容 納框，并且所述流體清除系統(tǒng)與所述容納框中的所述絲線網(wǎng)上方形成的清除室流體連通。
112.根據(jù)權(quán)利要求106-108中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng) 與所述絲線網(wǎng)流體連通、從所述絲線網(wǎng)去除沉浸流體、保持跨絲線網(wǎng)的壓力差、并且包括回 收貯存器，該回收貯存器用于俘獲來自所述容納框中的所述絲線網(wǎng)上方形成的清除室的沉 浸流體。
113.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括活動(dòng)部件。
114.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括可以用來調(diào)整所述 容納框的位置的致動(dòng)器。
115.根據(jù)權(quán)利要求114的系統(tǒng)，其中所述框支架包括監(jiān)視所述容納框的位置的框測(cè)量 系統(tǒng)。
116.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿一個(gè)方向移動(dòng)。
117.根據(jù)權(quán)利要求116中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿另一個(gè)方向移動(dòng)。
118.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿Z軸移動(dòng)。
119.根據(jù)權(quán)利要求118中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿與所述Z軸垂直的 X軸和Y軸移動(dòng)。
120.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架支持所述容納框的重量 的全部或僅一部分。
121.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括噴嘴出口，所述沉浸流體從此噴 嘴出口釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的空間。
122.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述晶片和 /或保持在所述沉浸式光刻裝置中的晶片的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
123.根據(jù)權(quán)利要求122的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
124.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架將所述容納框與所述沉 浸式光刻裝置的裝置框連接。
125.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓 力控制器。
126.根據(jù)權(quán)利要求106-111中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述絲線網(wǎng)具有20微米-200微米 之間的孔尺寸。
127.—種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的晶片之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框；和框支架，通過該框支架所述容納框被可移動(dòng)地支持；以及篩網(wǎng)，其鄰近所述間隙放置，所述篩網(wǎng)被固定于所述容納框，并且所述篩網(wǎng)包括多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道。
128.根據(jù)權(quán)利要求127的系統(tǒng)，其中在所述篩網(wǎng)和所述晶片之間形成的框間隙是預(yù)定 的尺寸。
129.根據(jù)權(quán)利要求128的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
130.根據(jù)權(quán)利要求127的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所述篩網(wǎng)流 體連通，并且從所述篩網(wǎng)去除沉浸流體。
131.根據(jù)權(quán)利要求130的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)用于在所述篩網(wǎng)上施加真空。
132.根據(jù)權(quán)利要求130的系統(tǒng)，其中所述篩網(wǎng)在所述容納框的底側(cè)上固定于所述容納 框，并且所述流體清除系統(tǒng)與所述容納框中的所述篩網(wǎng)上方形成的清除室流體連通。
133.根據(jù)權(quán)利要求127-129中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng) 與所述篩網(wǎng)流體連通、從所述篩網(wǎng)去除沉浸流體、保持跨篩網(wǎng)的壓力差、并且包括回收貯存 器，該回收貯存器用于俘獲來自所述容納框中的所述篩網(wǎng)上方形成的清除室的沉浸流體。
134.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括活動(dòng)部件。
135.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括可以用來調(diào)整所述 容納框的位置的致動(dòng)器。
136.根據(jù)權(quán)利要求135的系統(tǒng)，其中所述框支架包括監(jiān)視所述容納框的位置的框測(cè)量 系統(tǒng)。
137.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿一個(gè)方向移動(dòng)。
138.根據(jù)權(quán)利要求137中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿另一個(gè)方向移動(dòng)。
139.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿Z軸移動(dòng)。
140.根據(jù)權(quán)利要求139中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿與所述Z軸垂直的 X軸和Y軸移動(dòng)。
141.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架支持所述容納框的重量 的全部或僅一部分。
142.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括噴嘴出口，所述沉浸流體從此噴 嘴出口釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的空間。
143.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述晶片和 /或保持在所述沉浸式光刻裝置中的晶片的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
144.根據(jù)權(quán)利要求143的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
145.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架將所述容納框與所述沉 浸式光刻裝置的裝置框連接。
146.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓 力控制器。
147.根據(jù)權(quán)利要求127-132中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述篩網(wǎng)具有20微米-200微米之 間的孔尺寸。
148.一種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的晶片之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框；和框支架，通過該框支架所述容納框被可移動(dòng)地支持；以及具有互連通道的網(wǎng)絡(luò)的材料，用于收集離開所述間隙的沉浸流體，所述材料鄰近所述 間隙放置并且被固定于所述容納框。
149.根據(jù)權(quán)利要求148的系統(tǒng)，其中在所述材料和所述晶片之間形成的框間隙是預(yù)定 的尺寸。
150.根據(jù)權(quán)利要求149的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
151.根據(jù)權(quán)利要求148的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng)與所述材料流 體連通，并且從所述材料去除沉浸流體。
152.根據(jù)權(quán)利要求151的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)用于在所述材料上施加真空。
153.根據(jù)權(quán)利要求151的系統(tǒng)，其中所述材料在所述容納框的底側(cè)上固定于所述容納 框，并且所述流體清除系統(tǒng)與所述容納框中的所述材料上方形成的清除室流體連通。
154.根據(jù)權(quán)利要求148-150中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng) 與所述材料流體連通、從所述材料去除沉浸流體、保持跨材料的壓力差、并且包括回收貯存 器，該回收貯存器用于俘獲來自所述容納框中的所述材料上方形成的清除室的沉浸流體。
155.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括活動(dòng)部件。
156.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架包括可以用來調(diào)整所述 容納框的位置的致動(dòng)器。
157.根據(jù)權(quán)利要求156的系統(tǒng)，其中所述框支架包括監(jiān)視所述容納框的位置的框測(cè)量 系統(tǒng)。
158.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿一個(gè)方向移動(dòng)。
159.根據(jù)權(quán)利要求158中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿另一個(gè)方向移動(dòng)。
160.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框允許沿Z軸移動(dòng)。
161.根據(jù)權(quán)利要求160中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框被禁止沿與所述Z軸垂直的 X軸和Y軸移動(dòng)。
162.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架支持所述容納框的重量 的全部或僅一部分。
163.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括噴嘴出口，所述沉浸流體從此噴 嘴出口釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的空間。
164.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述晶片和 /或保持在所述沉浸式光刻裝置中的晶片的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
165.根據(jù)權(quán)利要求164的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
166.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述框支架將所述容納框與所述沉 浸式光刻裝置的裝置框連接。
167.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓 力控制器。
168.根據(jù)權(quán)利要求148-153中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述材料具有20微米-200微米之 間的孔尺寸。
169.一種沉浸式光刻裝置，包括權(quán)利要求1-168中任一項(xiàng)的環(huán)境系統(tǒng)。
170.一種器件制造方法，用于使用光刻工藝制造微器件，該方法包括通過權(quán)利要求169的裝置曝光晶片；以及顯影所曝光的襯底。
171.—種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的工件之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框，所述容納框被設(shè)置使得在所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間形成空間；傳送區(qū)，其鄰近所述間隙放置，所述傳送區(qū)被固定于所述容納框，并且所述傳送區(qū)包括 多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道；以及噴嘴出口，所述沉浸流體從此噴嘴出口釋放到所述投影系統(tǒng)和所述容納框之間的所述 空間。
172.根據(jù)權(quán)利要求171的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)包括多孔材料。
173.根據(jù)權(quán)利要求171的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)包括具有互連通道的網(wǎng)絡(luò)的材料。
174.根據(jù)權(quán)利要求171的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)包括編織玻璃纖維、燒結(jié)金屬粉、篩 網(wǎng)、或絲線網(wǎng)。
175.根據(jù)權(quán)利要求171-174中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)具有20微米-200微米 之間的孔尺寸。
176.根據(jù)權(quán)利要求171-174中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中在所述傳送區(qū)和所述工件之間形成 的框間隙是預(yù)定的尺寸。
177.根據(jù)權(quán)利要求176的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
178.根據(jù)權(quán)利要求171-174中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括流體清除系統(tǒng)，該流體清除系統(tǒng) 與所述傳送區(qū)流體連通，并且從所述傳送區(qū)去除沉浸流體。
179.根據(jù)權(quán)利要求178的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)建立跨所述傳送區(qū)的壓力差。
180.根據(jù)權(quán)利要求178的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)在所述容納框的底側(cè)上固定于所述容 納框，并且所述流體清除系統(tǒng)與所述容納框中的所述傳送區(qū)上方形成的清除室流體連通。
181.根據(jù)權(quán)利要求178的系統(tǒng)，其中所述流體清除系統(tǒng)保持跨傳送區(qū)的壓力差、并且 包括回收貯存器，該回收貯存器用于俘獲來自所述容納框中的所述傳送區(qū)上方形成的清除 室的沉浸流體。
182.根據(jù)權(quán)利要求171-174中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述工件和 /或保持在所述沉浸式光刻裝置中的工件的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
183.根據(jù)權(quán)利要求182的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
184.根據(jù)權(quán)利要求171-174中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓 力控制器。
185.一種沉浸式光刻裝置，包括權(quán)利要求171-184中任一項(xiàng)的環(huán)境系統(tǒng)。
186.—種器件制造方法，用于使用光刻工藝制造微器件，該方法包括通過權(quán)利要求185的裝置曝光晶片；以及顯影所曝光的襯底。
187.—種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的工件之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框，所述容納框被設(shè)置成包圍所述間隙；傳送區(qū)，其鄰近所述間隙放置，所述傳送區(qū)被固定于所述容納框，并且所述傳送區(qū)包括 多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道；以及與所述傳送區(qū)流體連通的流體清除系統(tǒng)，所述流體清除系統(tǒng)保持跨傳送區(qū)的壓力差、 并且包括回收貯存器，該回收貯存器俘獲來自所述容納框中的所述傳送區(qū)上方形成的清除 室的沉浸流體。
188.根據(jù)權(quán)利要求187的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)包括多孔材料。
189.根據(jù)權(quán)利要求187的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)包括具有互連通道的網(wǎng)絡(luò)的材料。
190.根據(jù)權(quán)利要求187的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)包括編織玻璃纖維、燒結(jié)金屬粉、篩 網(wǎng)、或絲線網(wǎng)。
191.根據(jù)權(quán)利要求187-190中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)具有20微米-200微米 之間的孔尺寸。
192.根據(jù)權(quán)利要求187-190中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中在所述傳送區(qū)和所述工件之間形成 的框間隙是預(yù)定的尺寸。
193.根據(jù)權(quán)利要求192的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
194.根據(jù)權(quán)利要求187-190中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于在所述容納框與所述工件和 /或保持在所述沉浸式光刻裝置中的工件的器件臺(tái)之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
195.根據(jù)權(quán)利要求194的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體連通的軸承出 口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
196.根據(jù)權(quán)利要求187-190中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓 力控制器。
197.一種沉浸式光刻裝置，包括權(quán)利要求187-196中任一項(xiàng)的環(huán)境系統(tǒng)。
198.—種器件制造方法，用于使用光刻工藝制造微器件，該方法包括通過權(quán)利要求197的裝置曝光晶片；以及顯影所曝光的襯底。
199.一種環(huán)境系統(tǒng)，用于控制投影系統(tǒng)的光學(xué)組件與沉浸式光刻裝置中的工件之間限 定的間隙內(nèi)的環(huán)境，在沉浸式光刻裝置中所述間隙被配置成用沉浸流體填充，所述環(huán)境系 統(tǒng)包括容納框，所述容納框被設(shè)置成包圍所述間隙；傳送區(qū)，其鄰近所述間隙放置，所述傳送區(qū)被固定于所述容納框，并且所述傳送區(qū)包括 多個(gè)用于收集離開所述間隙的沉浸流體的通道；以及用于在所述容納框與所述工件和/或保持在所述沉浸式光刻裝置中的工件的器件臺(tái) 之間產(chǎn)生流體軸承的器件。
200.根據(jù)權(quán)利要求199的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)包括多孔材料。
201.根據(jù)權(quán)利要求199的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)包括具有互連通道的網(wǎng)絡(luò)的材料。
202.根據(jù)權(quán)利要求199的系統(tǒng)，所述傳送區(qū)包括編織玻璃纖維、燒結(jié)金屬粉、篩網(wǎng)、或絲線網(wǎng)。
203.根據(jù)權(quán)利要求199-202中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述傳送區(qū)具有20微米-200微米 之間的孔尺寸。
204.根據(jù)權(quán)利要求199-202中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中在所述傳送區(qū)和所述工件之間形成 的框間隙是預(yù)定的尺寸。
205.根據(jù)權(quán)利要求204的系統(tǒng)，其中所述框間隙在0.lmm-2mm之間。
206.根據(jù)權(quán)利要求199-202中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，其中所述容納框包括與流體軸承源流體 連通的軸承出口，所述流體軸承源流向所述軸承出口提供加壓的流體以產(chǎn)生流體軸承。
207.根據(jù)權(quán)利要求199-202中任一項(xiàng)的系統(tǒng)，還包括用于控制所述間隙中的壓力的壓 力控制器。
208.一種沉浸式光刻裝置，包括權(quán)利要求199-207中任一項(xiàng)的環(huán)境系統(tǒng)。
209.一種器件制造方法，用于使用光刻工藝制造微器件，該方法包括 通過權(quán)利要求208的裝置曝光晶片；以及顯影所曝光的襯底。
210.一種裝置，包括 臺(tái)，用于固定工件；刻線板臺(tái)，用于固定限定圖像的刻線板；投影系統(tǒng)，其包括照射源和光學(xué)元件，該投影系統(tǒng)用于將由刻線板限定的圖像投影到 工件上的曝光區(qū)；間隙，其位于光學(xué)元件和工件之間，該間隙被沉浸流體充滿；和 多孔材料，其鄰近間隙放置，該多孔材料包括多個(gè)用于收集離開間隙的沉浸流體的通道。
211.根據(jù)權(quán)利要求210的裝置，其中多孔材料基本上包圍間隙。
212.根據(jù)權(quán)利要求210的裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)用于產(chǎn)生跨多孔材料壓力差的壓力系 統(tǒng)，該壓力差用于將沉浸流體牽引通過多孔材料。
213.根據(jù)權(quán)利要求210的裝置，其中多孔材料包括如下材料之一燈芯或網(wǎng)孔材料。
214.根據(jù)權(quán)利要求210的裝置，其中多孔材料的多個(gè)通道利用毛細(xì)作用收集離開間隙 的沉浸流體。
215.根據(jù)權(quán)利要求210的裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)流體清除系統(tǒng)，其清除多孔材料附近 的沉浸流體。
216.根據(jù)權(quán)利要求215的裝置，其中多孔材料具有第一表面和位于工件附近的第二表 面，并且其中流體清除系統(tǒng)控制第一表面的壓力，從而使第一表面的壓力低于第二表面的 壓力。
217.根據(jù)權(quán)利要求210的裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)壓力控制器，用于控制間隙內(nèi)的壓力。
218.根據(jù)權(quán)利要求210的裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)控制壓力源，其向間隙輸送不容易被 沉浸流體吸附的控制流體。
219.—種裝置，包括 臺(tái)，用于固定工件；刻線板臺(tái)，用于固定限定圖像的刻線板；投影系統(tǒng)，其包括照射源和光學(xué)元件，該投影系統(tǒng)用于將由刻線板限定的圖像投影到工件上的曝光區(qū)；間隙，其位于光學(xué)元件和工件之間，該間隙被沉浸流體充滿；和 傳送區(qū)，其鄰近間隙放置，該傳送區(qū)具有第一表面，位于工件附近的第二表面，和多個(gè) 在這些表面之間延伸用于收集離開間隙的沉浸流體的通道。
220.根據(jù)權(quán)利要求219的裝置，其中傳送區(qū)基本上包圍間隙。
221.根據(jù)權(quán)利要求219的裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)產(chǎn)生跨傳送區(qū)的壓力差的流體清除系 統(tǒng)，該壓力差用于將沉浸流體牽引通過傳送區(qū)。
222.根據(jù)權(quán)利要求221的裝置，其中流體清除系統(tǒng)控制第一表面的壓力，從而使第一 表面的壓力低于第二表面的壓力。
223.根據(jù)權(quán)利要求219的裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)壓力控制器，其用于控制間隙內(nèi)的壓力。
224.根據(jù)權(quán)利要求219的裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)控制壓力源，其向間隙輸送不容易被 沉浸流體吸附的控制流體。
225.—種裝置，包括 臺(tái)，用于固定工件；刻線板臺(tái)，用于固定限定圖像的刻線板；投影系統(tǒng)，其包括照射源和光學(xué)元件，該投影系統(tǒng)用于將由刻線板限定的圖像投影到 工件上的曝光區(qū)；間隙，其位于光學(xué)元件和工件之間，該間隙被沉浸流體充滿；傳送區(qū)，其鄰近間隙放置，該傳送區(qū)具有背離工件的第一表面，鄰近工件安置的第二表 面，和多個(gè)用于收集離開間隙的沉浸流體的通道；和流體清除系統(tǒng)，其與傳送區(qū)流體相連，該流體清除系統(tǒng)保持跨這些表面之間的傳送區(qū) 的壓力差。
226.根據(jù)權(quán)利要求225的裝置，其中傳送區(qū)基本上包圍間隙。
227.根據(jù)權(quán)利要求225的裝置，其中傳送區(qū)包括一種通過毛細(xì)作用收集沉浸流體的多 孔材料。
228.根據(jù)權(quán)利要求227的裝置，其中多孔材料包括如下之一燈芯或網(wǎng)孔材料。
229.根據(jù)權(quán)利要求225的裝置，其中流體清除系統(tǒng)保持第一表面附加的壓力低于第二 表面的壓力。
230.根據(jù)權(quán)利要求225的裝置，其中傳送區(qū)包括多個(gè)相間的傳送孔徑，其延伸通過表 面之間的傳送區(qū)。
231.一種用于將圖像轉(zhuǎn)移到工件上的方法，該方法包括如下步驟 用刻線板臺(tái)固定刻線板；提供向工件投影圖像的光學(xué)組件；用一個(gè)臺(tái)固定工件，該工件與光學(xué)組件間隔一個(gè)間隙；引導(dǎo)沉浸流體進(jìn)入該間隙；和將多孔材料鄰近間隙放置，該多孔材料包括多個(gè)用于收集離開間隙的沉浸流體的通道。
232.根據(jù)權(quán)利要求231的方法，進(jìn)一步包括如下步驟用壓力系統(tǒng)產(chǎn)生跨多孔材料的 壓力差，該壓力差用于牽引沉浸流體通過多孔材料。
233.根據(jù)權(quán)利要求231的方法，其中多孔材料的多個(gè)通道通過毛細(xì)作用收集離開間隙 的沉浸流體。
234.一種用于將圖像轉(zhuǎn)移到工件上的方法，該方法包括如下步驟 用刻線板臺(tái)固定刻線板；提供向工件投影圖像的光學(xué)組件；用一個(gè)臺(tái)固定工件，該工件與光學(xué)組件間隔一個(gè)間隙；引導(dǎo)沉浸流體進(jìn)入該間隙；和將傳送區(qū)鄰近間隙放置，該傳送區(qū)包括背離工件的第一表面，鄰近工件的第二表面，和 多個(gè)在這些表面之間延伸用于收集離開間隙的沉浸流體的通道。
235.根據(jù)權(quán)利要求234的方法，進(jìn)一步包括如下步驟用壓力系統(tǒng)產(chǎn)生跨所述傳送區(qū) 的壓力差，該壓力差用于牽引沉浸流體通過所述傳送區(qū)。
236.—種用于將圖像轉(zhuǎn)移到工件上的方法，該方法包括如下步驟 用刻線板臺(tái)固定刻線板；提供向工件投影圖像的光學(xué)組件；用一個(gè)臺(tái)固定工件，該工件與光學(xué)組件間隔一個(gè)間隙；引導(dǎo)沉浸流體進(jìn)入該間隙；將傳送區(qū)鄰近間隙放置，該傳送區(qū)包括背離工件的第一表面，鄰近工件的第二表面，和 多個(gè)用于收集離開間隙的沉浸流體的通道；和 產(chǎn)生跨位于表面之間的傳送區(qū)的壓力差。
237.一種沉浸式光刻裝置，包括 臺(tái)，其用于固定工件；投影系統(tǒng)，其包括照射源和光學(xué)元件，在光刻處理中，該投影系統(tǒng)用于將圖像投影到工 件上的曝光區(qū)；間隙，其被沉浸流體充滿，在光刻處理中，該間隙限定在光學(xué)元件和工件之間；和 傳送區(qū)，其鄰近間隙放置，該傳送區(qū)具有燈芯結(jié)構(gòu)，用于收集間隙中的沉浸流體。
238.根據(jù)權(quán)利要求237的沉浸式光刻裝置，其中傳送區(qū)包括多孔材料。
239.根據(jù)權(quán)利要求237的沉浸式光刻裝置，其中沉浸流體利用毛細(xì)力牽引進(jìn)入傳送區(qū)。
240.根據(jù)權(quán)利要求239的沉浸式光刻裝置，其中傳送區(qū)具有足夠小從而能夠用毛細(xì)力 將沉浸流體牽弓I進(jìn)入傳送區(qū)的通道。
241.根據(jù)權(quán)利要求237的沉浸式光刻裝置，其中傳送區(qū)具有足夠小從而能夠用毛細(xì)力 將沉浸流體牽弓I進(jìn)入傳送區(qū)的通道。
242.根據(jù)權(quán)利要求237的沉浸式光刻裝置，其中傳送區(qū)基本上包圍間隙。
243.根據(jù)權(quán)利要求242的沉浸式光刻裝置，其中傳送區(qū)防止沉浸流體泄漏。
244.根據(jù)權(quán)利要求242的沉浸式光刻裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)用于供應(yīng)沉浸流體的供應(yīng) 噴嘴，該供應(yīng)噴嘴布置在傳送區(qū)內(nèi)部。
245.根據(jù)權(quán)利要求237的沉浸式光刻裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)流體清除系統(tǒng)，用于將沉浸流體牽引通過傳送區(qū)。
246. 一種用光刻處理制造微器件的器件制造方法，其中光刻處理利用根據(jù)權(quán)利要求 237的沉浸式光刻裝置。
全文摘要
一種包括用于沉浸式光刻裝置的傳送區(qū)的環(huán)境系統(tǒng)，涉及控制光學(xué)組件(16)與器件(30)之間間隙(246)內(nèi)的環(huán)境的環(huán)境系統(tǒng)(26)包括流體屏障(254)，沉浸流體系統(tǒng)(252)，和傳送區(qū)(256)。流體屏障(254)位于器件(30)附近，并且將傳送區(qū)(256)保持在間隙(246)附近。沉浸流體系統(tǒng)(252)輸送填充間隙(246)的沉浸流體(248)。傳送區(qū)(256)將至少一部分鄰近流體屏障(254)和器件(30)的沉浸流體(248)輸送離開器件(30)。沉浸流體系統(tǒng)(252)能包括流體清除系統(tǒng)(282)，其與傳送區(qū)(256)流體相連。傳送區(qū)(256)能夠用多孔金屬制成。
文檔編號(hào)G03B27/42GK101813892SQ20101011362
公開日2010年8月25日 申請(qǐng)日期2004年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月10日
發(fā)明者安德魯·J·黑茲爾頓, 托馬斯·W·諾萬克, 道格拉斯·C·沃特森 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康